JP5826094B2 - p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 - Google Patents
p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5826094B2 JP5826094B2 JP2012080227A JP2012080227A JP5826094B2 JP 5826094 B2 JP5826094 B2 JP 5826094B2 JP 2012080227 A JP2012080227 A JP 2012080227A JP 2012080227 A JP2012080227 A JP 2012080227A JP 5826094 B2 JP5826094 B2 JP 5826094B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- molybdenum
- moo
- semiconductor layer
- silicon substrate
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
本実施の形態では、本発明の一態様である酸化物半導体材料、およびその作製方法について説明する。
本実施の形態は、開示する発明の一態様である光電変換装置の構成およびその作製方法について説明する。
本実施の形態では、実施の形態2とは異なる構造の光電変換装置、およびその作製方法について説明する。なお、実施の形態2と共通する内容については、その詳細を省略する。
110 酸化物半導体層
111 酸化物絶縁層
130 不純物領域
150 透光性導電膜
170 第1の電極
190 第2の電極
200 シリコン基板
201 シリコン半導体層
202 シリコン半導体層
203 シリコン半導体層
210 酸化物半導体層
211 酸化物絶縁層
250 透光性導電膜
270 第1の電極
290 第2の電極
Claims (7)
- 三酸化モリブデン(MoO3)および還元剤の第1の混合物を減圧下において加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoO y (2<y<3))の第2の混合物を作製し、
前記第2の混合物を気化させて、前記第2の混合物を有する膜を基板上に形成することを特徴とするp型半導体材料の作製方法。 - 三酸化モリブデン(MoO3)および還元剤の第1の混合物を加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoO y (2<y<3))の第2の混合物を作製し、
前記第2の混合物を減圧下において加熱して気化させ、前記第2の混合物を有する膜を基板上に形成することを特徴とするp型半導体材料の作製方法。 - 請求項1または2において、
前記還元剤は、チタン、アルミニウム、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、スカンジウム、イットリウム、マンガン、ハフニウム、タングステン、モリブデン、シリコンの中から選ばれた一つ以上の材料であることを特徴とするp型半導体材料の作製方法。 - n型の導電型を有するシリコン基板の一方の面に前記シリコン基板よりもキャリア濃度の高いn型の導電型を有する領域を形成し、
前記n型の導電型を有する領域上に第2の電極を形成し、
前記シリコン基板の他方の面に、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有された酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜上に透光性導電膜を形成し、
前記透光性導電膜上に第1の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - n型の導電型を有するシリコン基板の一方の面に、i型またはn型の導電型を有し前記シリコン基板よりもキャリア濃度の低い第1の半導体層を形成し、
前記第1の半導体層上に、n型の導電型を有し前記シリコン基板よりもキャリア濃度の高い第2の半導体層を形成し、
前記第2の半導体層上に第2の電極を形成し、
前記シリコン基板の他方の面に、i型またはp型の導電型を有する第3の半導体層を形成し、
前記第3の半導体層上に、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有された酸化モリブデン膜を形成し、
前記酸化モリブデン膜に透光性導電膜を形成し
前記透光性導電膜上に第1の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項4または5において、
前記酸化モリブデン膜は、三酸化モリブデン(MoO3)および還元剤の第1の混合物を減圧下において加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoO y (2<y<3))の第2の混合物を作製し、
前記第2の混合物を気化させることによって形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項4または5において、
前記酸化モリブデン膜は、三酸化モリブデン(MoO3)および還元剤の第1の混合物を加熱して前記三酸化モリブデンの一部を還元して前記三酸化モリブデン及び二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoO y (2<y<3))の第2の混合物を作製し、
前記第2の混合物を減圧下において加熱して気化させることによって形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012080227A JP5826094B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012080227A JP5826094B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013211397A JP2013211397A (ja) | 2013-10-10 |
JP2013211397A5 JP2013211397A5 (ja) | 2015-03-05 |
JP5826094B2 true JP5826094B2 (ja) | 2015-12-02 |
Family
ID=49528994
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012080227A Expired - Fee Related JP5826094B2 (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5826094B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10420622B2 (en) | 2014-03-17 | 2019-09-24 | Intuitive Surgical Operations, Inc. | Latch to secure teleoperated surgical instrument to actuator |
JP6389639B2 (ja) * | 2014-05-14 | 2018-09-12 | シャープ株式会社 | 光電変換素子 |
JP6951714B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2021-10-20 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
US10943981B2 (en) * | 2017-08-24 | 2021-03-09 | Flosfia Inc. | Semiconductor device |
JP7248961B2 (ja) * | 2017-08-24 | 2023-03-30 | 株式会社Flosfia | 半導体装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007500661A (ja) * | 2003-07-22 | 2007-01-18 | ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド | MoO2粉末の製造法、MoO2粉末から製造された製品、MoO2薄膜の付着およびこのような材料の使用方法 |
JP4345105B2 (ja) * | 2004-04-27 | 2009-10-14 | 日本新金属株式会社 | スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末の製造方法 |
JP4576201B2 (ja) * | 2004-10-26 | 2010-11-04 | 創世理工株式会社 | 三酸化モリブデン層の作製方法 |
JP2007288071A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法、それを用いた表示装置、露光装置 |
FR2922364B1 (fr) * | 2007-10-12 | 2014-08-22 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une electrode en oxyde de molybdene |
JP2009231610A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Pioneer Electronic Corp | 有機太陽電池及び有機太陽電池の製造方法 |
JP4829926B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2011-12-07 | 本田技研工業株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP5351628B2 (ja) * | 2009-06-22 | 2013-11-27 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系太陽電池 |
JP2012038783A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Gifu Univ | 光電変換素子 |
JP6108858B2 (ja) * | 2012-02-17 | 2017-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | p型半導体材料および半導体装置 |
JP2013191714A (ja) * | 2012-03-14 | 2013-09-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012080227A patent/JP5826094B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013211397A (ja) | 2013-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6329660B2 (ja) | 光電変換装置 | |
JP5826094B2 (ja) | p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 | |
US20190355860A1 (en) | Solar cell | |
JP5824681B2 (ja) | 光起電力装置 | |
US20120273036A1 (en) | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof | |
JP6350979B2 (ja) | 太陽電池 | |
US9761749B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
WO2013001864A1 (ja) | 光起電力装置 | |
JP2013191714A (ja) | 光電変換装置 | |
WO2013128628A1 (ja) | 光起電力装置 | |
JP6254348B2 (ja) | 光電変換装置 | |
KR20100094224A (ko) | 태양전지 및 이의 제조방법 | |
JP2017005270A (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
KR20130035876A (ko) | 광전 변환 장치 | |
JP6139731B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
JP2011077454A (ja) | 結晶シリコン系太陽電池とその製造方法 | |
WO2019163784A1 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
Li et al. | Molybdenum oxide hole selective transport layer by hot wire oxidation-sublimation deposition for silicon heterojunction solar cells | |
JP2013125884A (ja) | 光電変換装置の作製方法および光電変換装置 | |
KR102212042B1 (ko) | 원자층 증착법으로 형성된 버퍼층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 | |
TW201801339A (zh) | 光發電元件 | |
JP2005244071A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
KR20150135692A (ko) | 원자층 증착법으로 형성된 버퍼층을 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법 | |
JP5920818B2 (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
JP2013074038A (ja) | 光電変換装置の製造方法及び光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150115 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150115 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150813 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150929 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151013 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5826094 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |