JP6254348B2 - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6254348B2
JP6254348B2 JP2013006813A JP2013006813A JP6254348B2 JP 6254348 B2 JP6254348 B2 JP 6254348B2 JP 2013006813 A JP2013006813 A JP 2013006813A JP 2013006813 A JP2013006813 A JP 2013006813A JP 6254348 B2 JP6254348 B2 JP 6254348B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon substrate
oxide
semiconductor layer
electrode
silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013006813A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013254932A5 (ja
JP2013254932A (ja
Inventor
良信 浅見
良信 浅見
李甫 堅石
李甫 堅石
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to JP2013006813A priority Critical patent/JP6254348B2/ja
Publication of JP2013254932A publication Critical patent/JP2013254932A/ja
Publication of JP2013254932A5 publication Critical patent/JP2013254932A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6254348B2 publication Critical patent/JP6254348B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H01L31/02245—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells for metallisation wrap-through [MWT] type solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells back-junction, i.e. rearside emitter, solar cells, e.g. interdigitated base-emitter regions back-junction cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/074—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a heterojunction with an element of Group IV of the Periodic System, e.g. ITO/Si, GaAs/Si or CdTe/Si solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Description

本発明は、シリコン基板を用いた光電変換装置に関する。
近年、地球温暖化対策として、発電時に二酸化炭素の排出の無い光電変換装置が注目されている。その代表例としては、単結晶シリコンや多結晶シリコンなどのシリコン基板を用いた太陽電池が知られている。
シリコン基板を用いた光電変換装置では、少数キャリアの制御が重要となる。少数キャリアの寿命を向上させること、すなわち、シリコン基板におけるバルクのライフタイムの増大および表面再結合速度の低減が変換効率の向上に寄与する。
シリコン基板におけるバルクのライフタイムを増大させるには、結晶欠陥の低減や不純物の低減などが有効であり、主にシリコン基板の形成時にその対処がなされる。一方、表面再結合速度の低減には、表面欠陥を終端するパッシベーション膜の導入など、主に光電変換装置の構造において対処がなされる。例えば、シリコン基板と電極との接触部を少なくし、シリコン基板が極力パッシベーション膜で覆われる構造とすることで高い変換効率を得る技術が非特許文献１に開示されている。
Ａ．Ｗ．Ｂｌａｋｅｒｓ，Ａ．Ｗａｎｇ，Ａ．Ｍ．Ｍｉｌｎｅ，Ｊ．Ｚｈａｏ ａｎｄ Ｍ．Ａ．Ｇｒｅｅｎ，"２２．８％ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｔ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ"，Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．５５，ｐｐ．１３６３−１３６５，１９８９．
しかしながら、非特許文献１に開示されているパッシベーション膜は熱酸化膜であり、絶縁体である。したがって、シリコン基板と電極との接続のためには、該パッシベーション膜に開口部を設けなくてはならない。該開口部を設けることによって、作製工程が増加してしまう。
また、パッシベーション膜によってシリコン基板の表面再結合速度が低減できる一方、シリコン基板と電極との接触面積が少なくなることから、光電変換装置の一対の電極間の直列抵抗が増加してしまう。該直列抵抗は、光電変換装置の電気特性を悪化させる一要因となる。
したがって、本発明の一態様は、電極と接続するための開口部が不要なパッシベーション膜を有する光電変換装置を提供することを目的とする。また、パッシベーション膜を有することにより電気特性を向上させた光電変換装置を提供することを目的の一つとする。
本明細書で開示する本発明の一態様は、第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を主成分とする酸化物半導体層をパッシベーション層とする光電変換装置に関する。
本明細書で開示する本発明の一態様は、一対の電極間に、ｐ型の導電型を有するシリコン基板と、シリコン基板の一方の面側に形成された、一対の電極の一方と接触するｎ型の導電型を有するシリコン半導体層と、シリコン基板の他方の面側に形成された、一対の電極の他方と接触するｐ型の導電型を有する酸化物半導体層と、を有することを特徴とする光電変換装置である。
上記シリコン半導体層上に透光性を有する薄膜（以下、透光性薄膜）が形成されていてもよい。透光性薄膜を形成することで、反射防止効果、および／またはパッシベーション効果を付与することができる。また、透光性薄膜は単層に限らず、積層でもよい。
また、上記シリコン半導体層の一部の領域におけるキャリア濃度が、該シリコン半導体層のその他の領域よりも高く、該キャリア濃度の高い領域において上記一対の電極の一方が接触した構造であってもよい。
また、上記シリコン基板と酸化物半導体層との間に、ｐ型の導電型を有するシリコン半導体層が形成された構造であってもよい。
本明細書で開示する本発明の他の一態様は、一導電型を有するシリコン基板と、シリコン基板の一方の面上に形成された酸化物半導体層と、シリコン基板の他方の面に形成されたシリコン基板と同じ導電型を有し、シリコン基板よりもキャリア濃度の高い第１の不純物領域、およびシリコン基板とは逆の導電型を有する第２の不純物領域と、シリコン基板の他方の面上に形成された絶縁層と、第１の不純物領域と接する第１の電極と、第２の不純物領域と接する第２の電極と、を有することを特徴とする光電変換装置である。
上記酸化物半導体層上には、透光性を有する薄膜が形成されていてもよい。
また、上記酸化物半導体層は、バンドギャップが２ｅＶ以上である材料を用いることができる。また、上記酸化物半導体層中のキャリア濃度は、上記シリコン基板中のキャリア濃度と同じかあるいはそれより低くてもよい。
また、上記酸化物半導体層は、第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を主成分とする材料で形成されていることが好ましい。例えば、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムを主成分とする材料を用いることができる。
本発明の一態様を用いることにより、パッシベーション膜に開口部を設ける作製工程を省くことができる。また、一対の電極間における直列抵抗が小さく、電気特性が良好な光電変換装置を提供することができる。
本発明の一態様である光電変換装置を説明する断面図。 本発明の一態様である光電変換装置を説明する断面図。 本発明の一態様である光電変換装置を説明する断面図。 本発明の一態様である光電変換装置を説明する断面図。 本発明の一態様である光電変換装置を説明する断面図。 本発明の一態様である光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 本発明の一態様である光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 シリコン基板上に酸化モリブデン膜を形成した素子のＩ−Ｖ特性。 本発明の一態様である光電変換装置を説明する断面図。 本発明の一態様である光電変換装置を説明する断面図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。
本実施の形態では、本発明の一態様における光電変換装置、およびその作製方法について説明する。
図１は、本発明の一態様における光電変換装置の断面図である。該光電変換装置は、導電型がｐ型のシリコン基板１００、該シリコン基板の一方の面に形成された導電型がｎ型のシリコン半導体層１１０、該シリコン基板の他方の面に形成された導電型がｐ型の酸化物半導体層１３０、シリコン半導体層１１０上に形成された透光性薄膜１５０、シリコン半導体層１１０と接する第１の電極１７０、酸化物半導体層１３０と接する第２の電極１９０を含んで構成される。なお、第１の電極１７０はグリッド電極であり、第１の電極１７０側が受光面となる。
また、図１では、シリコン基板１００の表裏に凹凸加工を施した例を示している。凹凸加工された面では入射光が多重反射し、光電変換領域内には光が斜めに進行することから光路長が増大する。また、裏面反射光が表面で全反射する、所謂光閉じ込め効果を起こさせることもできる。
なお、図２に例示したように、シリコン基板１００の表裏のどちらか一方のみに凹凸加工を施した構成であっても良い。凹凸加工によってシリコン基板の表面積が増大するため、上記光学的効果が得られる一方で、表面欠陥の絶対量が増大してしまう。したがって、光学的効果と表面欠陥量のバランスを考慮し、より良好な電気特性が得られるように実施者が構造を決定すればよい。
シリコン基板１００の導電型はｐ型であり、シリコン半導体層１１０の導電型はｎ型である。したがって、シリコン基板１００とシリコン半導体層１１０との間には、ｐ−ｎ接合が形成される。なお、シリコン半導体層１１０の形態は、シリコン基板１００の表層にｎ型の導電型を付与する不純物を拡散させた領域、またはシリコン基板１００上に形成されたｎ型の導電型を付与する不純物が含まれたシリコン膜とすることができる。
酸化物半導体層１３０はシリコン基板１００の表面欠陥を終端し、表面再結合速度を低減する効果を有するパッシベーション層として機能する。また、本発明の一態様における酸化物半導体層１３０の導電型は、ｐ型であることが好ましい。本発明の一態様における酸化物半導体層１３０の導電型は、ｎ型あるいはｉ型でもよい。
また、図３に示すように、シリコン基板１００よりもキャリア濃度の高いｐ型のシリコン半導体層１８０をシリコン基板１００と酸化物半導体層１３０との間に設けてもよい。なお、シリコン半導体層１８０の形態は、シリコン基板１００の表層にｐ型の導電型を付与する不純物を拡散させた領域、またはｐ型の導電型を付与する不純物が含まれたシリコン膜とすることができる。
シリコン半導体層１８０は、ＢＳＦ（Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層として作用する。ＢＳＦ層を設けることにより、ｐ−ｐ＋接合が形成され、その電界により少数キャリアがｐ−ｎ接合側にはね返されることから、第２の電極１９０近傍でのキャリアの再結合を防止することができる。また、シリコン半導体層１８０が形成されない構造においても、ｐ型の酸化物半導体層１３０をＢＳＦ層として機能させることができる。
なお、本明細書では、同じ導電型でキャリア濃度の異なる材料を区別する必要がある場合には、相対的にキャリア濃度の高い材料の導電型をｎ＋型またはｐ＋型と呼称するのに対し、相対的にキャリア濃度の低い材料の導電型をｎ−型またはｐ−型と呼称する。
シリコン半導体層１１０上に形成された透光性薄膜１５０は、反射防止膜として作用する。透光性薄膜１５０には、透光性誘電体膜や、透光性導電膜などを用いることができる。反射防止膜を設けることで、受光面における光の反射損失を低減することができる。なお、透光性薄膜１５０は必要に応じてもうければよい。
また、図４に示すように、シリコン半導体層１１０と透光性薄膜１５０との間に、パッシベーション層１６０を設けてもよい。パッシベーション層１６０にはシリコンの酸化膜や窒化膜などの絶縁膜を用いることができる。パッシベーション層１６０を設けることで、シリコン半導体層１１０の表面欠陥を低減させることができ、光電変換装置の電気特性を向上させることができる。なお、透光性薄膜１５０を設けずにパッシベーション層１６０を反射防止膜として用いてもよい。
また、図５に示すように、シリコン半導体層１１０の一部がｎ＋型領域１１０ａであり、その他の部分がｎ−型領域１１０ｂであって、ｎ＋型領域１１０ａと第１の電極１７０が接触している構造であってもよい。このような構造にすることによって、シリコン半導体層１１０の全体における膜中欠陥および表面欠陥の絶対量を低減することができ、光電変換装置の電気特性を向上させることができる。
なお、図１、図２、図３、図４および図５のそれぞれの構成を任意に複合した構成の光電変換装置としてもよい。
また、本発明の一態様における光電変換装置は、図９、図１０に示す構成としてもよい。図９の光電変換装置は、一導電型を有するシリコン基板１００と、該シリコン基板の表面に形成された酸化物半導体層１３０と、該シリコン基板の裏面に形成されたシリコン基板１００と同じ導電型を有し、該シリコン基板よりもキャリア濃度が高い第１の不純物領域２２０と、該シリコン基板とは逆の導電型を有する第２の不純物領域２３０と、絶縁層２６０と、酸化物半導体層１３０上に形成された透光性薄膜１５０と、第１の不純物領域２２０に接する第１の電極２７０と、第２の不純物領域２３０に接する第２の電極２９０を含んで構成される。すなわち、裏面にのみに電極、および不純物領域を設けたバックコンタクト構造である。なお、シリコン基板１００の導電型はｐ型、ｎ型のどちらであってもよい。また、透光性薄膜１５０は反射防止膜として機能し、必要に応じて設ければよい。
シリコン基板１００の表面に設けられた酸化物半導体層１３０は、該シリコン基板と接続された付近のバンドをベンディングすることや、酸化物半導体層１３０が電位障壁になり、キャリアの再結合を抑制する作用を有する。また、酸化物半導体層１３０とシリコン基板１００の界面を反応させてシリコン酸化膜を設けてもよい。シリコン酸化膜が界面に介在することにより、より高い電位障壁ができ、パッシベーション効果を向上させることができる。したがって、酸化物半導体層１３０は、バックコンタクト構造の光電変換装置の表面側のパッシベーション膜として用いることができる。
また、図１０の光電変換装置は、一導電型を有するシリコン基板１００と、該シリコン基板の表面に形成された該シリコン基板とは逆の導電型を有する酸化物半導体層１３０と、シリコン基板１００と同じ導電型を有し、該シリコン基板よりもキャリア濃度が高く、該シリコン基板の裏面に形成された不純物領域２４０と、該シリコン基板の裏面及び該シリコン基板を貫通する開口部の壁面に形成された絶縁層２６０と、酸化物半導体層１３０上に形成された透光性薄膜１５０と、シリコン基板１００を貫通する開口部を通じて酸化物半導体層１３０と接する第１の電極２７０と、不純物領域２４０に接する第２の電極２９０を含んで構成される。
図１０の構成において、酸化物半導体層１３０は、図９の構成と同様にシリコン基板１００の表面においてキャリアの再結合を抑制する作用を有するとともに、シリコン基板１００との間でｐｎ接合を形成する接合層としても作用する。
本発明の一態様における酸化物半導体層１３０には、バンドギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上の遷移金属酸化物を主成分とする無機化合物を用いることができる。特に元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることが好ましい。また、酸化物半導体層１３０中のキャリア濃度は、シリコン基板１００中のキャリア濃度と同じかあるいはそれより低くてもよい。例えば、上記酸化物半導体層１３０中のキャリア濃度は、上記シリコン基板１００中のキャリア濃度の半分以下でもよい。
具体的に上記金属酸化物としては、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどを用いることができる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
また、上記金属酸化物に不純物を添加することにより、導電型を変化させることができる。また、上記金属酸化物は、故意に不純物を添加しない場合においても、金属酸化物中の欠陥や成膜工程中に取り込まれた微量の不純物がドナー準位またはアクセプタ準位を形成することがあるため、ｎ型またはｐ型の導電性を示すことがある。
または、上記金属酸化物を主成分とするものに副成分として化学組成が異なるものを混合させること、あるいは酸素欠損が存在すること、によっても、導電型を変化させることができる。
例えば、高純度化学研究所社製三酸化モリブデン粉末（４Ｎ ＭＯＯ０３ＰＢ）をフルウチ化学社製タングステンボート（ＢＢ−３）に入れ、１×１０−４Ｐａ以下の真空下で、０．２ｎｍ／秒の成膜速度でシリコン基板上に抵抗加熱蒸着を行うと、シリコン基板の導電型の違いでＩ−Ｖ特性の異なる素子が形成される。図８（Ａ）はｎ型のシリコン基板上に、図８（Ｂ）はｐ型のシリコン基板上に、それぞれ上記方法で酸化モリブデン膜を形成した素子のＩ−Ｖ特性である。図８（Ａ）は整流性を示し、図８（Ｂ）はオーム性を示していることから、図８（Ａ）の特性を示す素子はｐ−ｎ接合が形成されているといえる。したがって、上記方法で成膜した酸化モリブデン膜は、ｎ型のシリコンとのヘテロ接合においてのみ整流性を示すことから、高濃度のキャリアを有するｐ型の導電型を有していることがわかる。
なお、上記蒸着法によって形成した酸化モリブデン膜の電気伝導度は、１×１０−６〜３．８×１０−３Ｓ／ｃｍ（暗伝導度）、屈折率１．６〜２．２（波長５５０ｎｍ）、消衰係数６×１０−４〜３×１０−３（波長５５０ｎｍ）、Ｔａｕｃプロットから求めた光学バンドギャップは、２．８〜３ｅＶである。
また、上記金属酸化物はパッシベーション効果が高く、シリコン表面の欠陥を低減させることができ、キャリアのライフタイムを向上させることができる。
例えば、酸化モリブデンを抵抗率約９Ω・ｃｍのｎ型の単結晶シリコン基板の両面に成膜し、パッシベーション膜としたときのμＰＣＤ（ｍｉｃｒｏｗａｖｅ ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ ｄｅｃａｙ）法測定による実効ライフタイムは、約４００μｓｅｃであることが確かめられている。また、単結晶シリコン基板のバルクライフタイムを指すヨウ素アルコール溶液によるケミカルパッシベーションを行った際のｎ型の単結晶シリコン基板のライフタイムも約４００μｓｅｃである。なお、パッシベーション膜を形成しない場合のｎ型単結晶シリコン基板の実効ライフタイムは、約４０μｓｅｃである。
本発明の一態様における酸化物半導体層１３０は導電性を有するため、第２の電極１９０とシリコン基板１００との接続は、酸化物半導体層１３０を介して行うことができる。したがって、シリコン基板の一方の面のほぼ全面の表面欠陥を低減することができる。また、酸化物半導体層１３０に電極接続用の開口を設ける必要がないため、作製工程を削減することもできる。
次に、図１に示した光電変換装置の作製方法について、図６および図７を用いて説明する。
本発明の一態様においてシリコン基板１００には、単結晶シリコン基板や多結晶シリコン基板を用いることができる。これらのシリコン基板の製造方法および導電型は、特に限定されない。本実施の形態においては、ＭＣＺ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法で製造された（１００）面を表面に有するｐ型の単結晶シリコン基板を用いる例を説明する。
次に、シリコン基板１００の表裏に凹凸加工を行う（図６（Ａ）参照）。なお、ここでは上述したように（１００）面を表面に有する単結晶シリコン基板を用いる場合を例として凹凸加工の方法を説明する。シリコン基板１００として多結晶シリコン基板を用いる場合は、ドライエッチング法や、銀などの金属触媒を利用したウエットエッチングなどを用いて凹凸加工を行えばよい。
初期の単結晶シリコン基板がスライス加工のみである基板の場合は、単結晶シリコン基板の表面から１０〜２０μｍに残留するダメージ層をウエットエッチング工程にて取り除く。エッチング液には、比較的高濃度のアルカリ溶液、例えば、１０〜５０％の水酸化ナトリウム水溶液、または同濃度の水酸化カリウム水溶液を用いることができる。または、フッ酸と硝酸を混合した混酸や、それらに酢酸を混合した混酸を用いても良い。
次に、ダメージ層除去後の単結晶シリコン基板表面に付着している不純物を酸洗浄で取り除く。酸としては、例えば、０．５％フッ酸と１％過酸化水素水の混合液（ＦＰＭ）などを用いることができる。またはＲＣＡ洗浄などを行っても良い。なお、この酸洗浄工程は省いても良い。
凹凸は、結晶シリコンのアルカリ溶液によるエッチングにおいて、面方位に対するエッチングレートの違いを利用して形成する。エッチング液には比較的低濃度のアルカリ溶液、例えば、１〜５％の水酸化ナトリウム水溶液、または同濃度の水酸化カリウム水溶液を用いることができ、好ましくは、数％のイソプロピルアルコールを添加する。エッチング液の温度は７０〜９０℃とし、３０〜６０分間、単結晶シリコン基板をエッチング液に浸漬する。この処理により、単結晶シリコン基板表面に、微細な略四角錐状の複数の凸部、および隣接する凸部間で構成される凹部からなる凹凸を形成することができる。
次に、上述の凹凸を形成するためのエッチング工程では、シリコンの表層に不均一な酸化層が形成されるため、該酸化層を取り除く。また、該酸化層にはアルカリ溶液の成分が残存しやすいため、それを取り除く目的もある。アルカリ金属、例えばＮａイオンやＫイオンがシリコン中に侵入するとライフタイムが劣化するため、光電変換装置の電気特性が著しく低下してしまう。なお、この酸化層を除去するには、１〜５％の希フッ酸を用いれば良い。
次に、フッ酸と硝酸を混合した混酸、または、それらに酢酸を混合した混酸を用いて単結晶シリコン基板の表面をエッチングし、金属成分などの不純物を除去する工程を行ってもよい。酢酸を混合することで、硝酸の酸化力を維持し、エッチング工程を安定にする効果、およびエッチングレートを一定に調整する効果が得られる。例えば、各酸の体積比率は、フッ酸（約５０％）：硝酸（６０％以上）：酢酸（９０％以上）＝１：（１．５〜３）：（２〜４）とすることができる。なお、本明細書では、フッ酸、硝酸および酢酸の混酸液をフッ硝酢酸と呼ぶ。また、このフッ硝酢酸を用いたエッチング工程では、凸部の頂点の断面における角度を大きくする方向に変化させることから、表面積が低減し、表面欠陥の絶対量を低減することができる。なお、このフッ硝酢酸を用いたエッチングを行う場合は、上述の希フッ酸を用いた酸化層の除去工程を省くこともできる。ここまでの工程により、シリコン基板１００である単結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成することができる。
次に、適切な洗浄の後、受光面となるシリコン基板１００の一方の面側にｎ型の導電型を有するシリコン半導体層１１０を形成する（図６（Ｂ）参照）。本実施の形態において、該シリコン半導体層としては、シリコン基板１００の表層にｎ型の導電型を付与する不純物を拡散させた領域（拡散層）を形成する例を説明する。
ｎ型を付与する不純物としては、リン、ヒ素、アンチモンなどがあり、例えば、シリコン基板１００をオキシ塩化リン雰囲気中で８００℃以上９００℃以下の温度で熱処理することにより、リンをシリコン基板の表面から０．５μｍ程度の深さに拡散させることができる。
なお、受光面とは逆側となるシリコン基板１００の他方の面側に拡散層が形成されないようにするには、拡散層を形成する面とは逆側の面を無機絶縁膜などの耐熱性材料でマスクし、拡散層形成後に該マスクを取り除く工程を行えばよい。
次に、シリコン半導体層１１０上に反射防止膜として透光性薄膜１５０を形成する（図６（Ｃ）参照）。透光性薄膜１５０には、例えば、インジウム錫酸化物、珪素を含むインジウム錫酸化物、亜鉛を含む酸化インジウム、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、アルミニウムを含む酸化亜鉛、酸化錫、フッ素を含む酸化錫、アンチモンを含む酸化錫、グラフェン、酸化ニオブ、酸化チタン、フッ化マグネシウム、硫化亜鉛などの透光性導電膜や透光性誘電体膜の単層、または積層を用いればよい。該透光性導電膜および該透光性誘電体膜は、スパッタ法や蒸着法で形成することができる。また、透光性薄膜１５０として酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を用いても良い。これらの膜は、プラズマＣＶＤ法等で形成することができる。
次に、受光面とは逆側となるシリコン基板１００の他方の面側に酸化物半導体層１３０を形成する（図７（Ａ）参照）。該酸化物半導体層としては、前述した金属酸化物を用いることができ、ここではｐ型の酸化モリブデン膜を形成する例を説明する。
ｐ型の酸化モリブデン膜は、蒸着法、スパッタ法、またはイオンプレーティング法などの気相法により成膜することができる。蒸着法では、酸化モリブデン材料単体の蒸着、または酸化モリブデン材料とｐ型の導電型を付与する不純物を共蒸着する方法を用いればよい。共蒸着とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。また、スパッタ法では、酸化モリブデン、モリブデン、またはそれらにｐ型の導電型を付与する不純物を含む材料をターゲットとし、酸素、または酸素とアルゴンなどの希ガスとの混合ガスをスパッタガスとする方法を用いればよい。また、イオンプレーティング法では、上記スパッタ法と同様の材料を用いて、酸素を含むプラズマ中で膜を形成すればよい。
本実施の形態では、酸化モリブデン材料単体を蒸着する方法を用いる。蒸着源としては、三酸化モリブデン粉末を用いることができる。三酸化モリブデン粉末の純度は、９９．９９％（４Ｎ）〜９９．９９９９％（６Ｎ）であることが好ましい。成膜は高真空下で行うことが好ましく、真空度が５×１０−３Ｐａ以下、より好ましくは１×１０−４Ｐａ以下で行う。
次に、酸化物半導体層１３０上に第２の電極１９０を形成する。第２の電極１９０には、銀、アルミニウム、銅などの低抵抗金属を用いることができ、スパッタ法や真空蒸着法などで形成することができる。または、スクリーン印刷法を用いて、銀ペースト、銅ペースト、アルミニウムペーストなどの導電性樹脂を供給し、焼成して形成しても良い。
次に、透光性薄膜１５０上に第１の電極１７０となる導電性樹脂を供給する（図７（Ｂ）参照）。第１の電極１７０はグリッド電極であり、銀ペースト、銅ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペーストなどの導電性樹脂を用いて、スクリーン印刷法で供給することが好ましい。また、第１の電極１７０は、銀ペーストと銅ペーストを積層するなど、異なる材料の積層であっても良い。また、導電性樹脂の供給は、ディスペンス法やインクジェット法を用いてもよい。
次に、第１の電極１７０となる導電性樹脂の焼成を行うことで、シリコン半導体層１１０と第１の電極１７０の接触を行う（図７（Ｃ）参照）。上述した導電性樹脂を供給した段階では、透光性薄膜１５０が介在しているため、導電性樹脂とシリコン半導体層１１０は接触していない状態であるが、焼成をすることによって導電性樹脂の導体成分が透光性薄膜１５０を貫通してシリコン半導体層１１０に接触することができる。なお、透光性薄膜１５０に導電性がある場合は、シリコン半導体層１１０と第１の電極１７０を直接接触させなくてもよい。
なお、図２の構成の光電変換装置を形成するには、凹凸加工工程前に凹凸を形成しない面に無機材料などのレジストマスクを設ければよい。
また、図３の構成の光電変換装置を形成するには、酸化物半導体層１３０の形成前に、受光面とは逆側となるシリコン基板１００の他方の面側にｐ型の導電型を付与する不純物（例えば、ホウ素、アルミニウム、ガリウムなど）を拡散する工程を行えばよい。
また、図４の構成の光電変換装置を形成するには、透光性薄膜１５０を形成する前にパッシベーション層１６０を形成すればよい。
また、図５の構成の光電変換装置を形成するには、まず、不純物の拡散工程にてシリコン半導体層１１０の全体がｎ−型の導電型となるように形成し、開口部を有する透光性薄膜１５０を形成した後、再び不純物の拡散工程にてシリコン半導体層の一部をｎ＋型領域１１０ａとする。そして、ｎ＋型領域１１０ａと接触するように第１の電極１７０を形成すればよい。
以上により、本発明の一態様であるパッシベーション層に酸化物半導体層を用いた光電変換装置を作製することができる。
１００ シリコン基板
１１０ シリコン半導体層
１１０ａ ｎ＋型領域
１１０ｂ ｎ−型領域
１３０ 酸化物半導体層
１５０ 透光性薄膜
１６０ パッシベーション層
１７０ 第１の電極
１８０ シリコン半導体層
１９０ 第２の電極
２２０ 第１の不純物領域
２３０ 第２の不純物領域
２４０ 不純物領域
２６０ 絶縁層
２７０ 第１の電極
２９０ 第２の電極

Claims (5)

  1. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    前記第１の電極及び前記第２の電極の間に設けられたシリコン基板と、
    前記第１の電極及び前記シリコン基板の間に設けられた第１のシリコン層と、
    前記第１の電極及び前記第１のシリコン層の間に設けられたパッシベーション層と、
    前記第１の電極及び前記パッシベーション層の間に設けられた、透光性を有する薄膜と、
    前記第２の電極及び前記シリコン基板の間に設けられ、前記シリコン基板と接する酸化物半導体層と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、前記シリコン基板の一方の面の略全面と接し、
    前記第２の電極は、前記酸化物半導体層の一方の面の略全面と接し、
    前記酸化物半導体層は、前記シリコン基板の表面欠陥を終端する機能を有し、
    前記パッシベーション層は、前記第１のシリコン層の表面欠陥を低減する機能を有し、
    前記第１のシリコン層は、前記シリコン基板と逆の導電型を有することを特徴とする光電変換装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１のシリコン層は、第１の領域と、前記第１の領域よりもキャリア濃度が高い第２の領域と、を有し、
    前記第１の電極は、前記第２の領域と接する領域を有することを特徴とする光電変換装置。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記酸化物半導体層は、バンドギャップが２ｅＶ以上であることを特徴とする光電変換装置。
  4. 請求項１または請求項２において、
    前記酸化物半導体層は、元素周期表において第４族乃至第８族に属する金属を含むことを特徴とする光電変換装置。
  5. 請求項１または請求項２において、
    前記酸化物半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、または酸化レニウムを含むことを特徴とする光電変換装置。
JP2013006813A 2012-01-18 2013-01-18 光電変換装置 Expired - Fee Related JP6254348B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013006813A JP6254348B2 (ja) 2012-01-18 2013-01-18 光電変換装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012007650 2012-01-18
JP2012007650 2012-01-18
JP2012107483 2012-05-09
JP2012107483 2012-05-09
JP2013006813A JP6254348B2 (ja) 2012-01-18 2013-01-18 光電変換装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013254932A JP2013254932A (ja) 2013-12-19
JP2013254932A5 JP2013254932A5 (ja) 2016-01-21
JP6254348B2 true JP6254348B2 (ja) 2017-12-27

Family

ID=48779133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013006813A Expired - Fee Related JP6254348B2 (ja) 2012-01-18 2013-01-18 光電変換装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20130180577A1 (ja)
JP (1) JP6254348B2 (ja)
CN (1) CN103219398B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI469380B (zh) * 2013-11-08 2015-01-11 Ind Tech Res Inst 異質接面太陽電池結構
JP6305105B2 (ja) * 2014-02-27 2018-04-04 日立造船株式会社 太陽電池
CN107425083A (zh) * 2017-07-26 2017-12-01 顺德中山大学太阳能研究院 一种叠层背钝化太阳能电池及其制备方法
CN109786503A (zh) * 2018-12-29 2019-05-21 浙江师范大学 用氧化钼对单晶硅表面进行钝化的方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4217428A1 (de) * 1991-12-09 1993-06-17 Deutsche Aerospace Hochleistungs-solarzellenstruktur
WO1998043304A1 (fr) * 1997-03-21 1998-10-01 Sanyo Electric Co., Ltd. Element photovoltaique et procede de fabrication dudit element
US7382421B2 (en) * 2004-10-12 2008-06-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film transistor with a passivation layer
US7375378B2 (en) * 2005-05-12 2008-05-20 General Electric Company Surface passivated photovoltaic devices
JP4568254B2 (ja) * 2006-07-20 2010-10-27 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
US7968792B2 (en) * 2007-03-05 2011-06-28 Seagate Technology Llc Quantum dot sensitized wide bandgap semiconductor photovoltaic devices & methods of fabricating same
TW200841393A (en) * 2007-04-02 2008-10-16 Miin-Jang Chen Optoelectronic device and method of fabricating the same
JP5277485B2 (ja) * 2007-12-13 2013-08-28 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
KR20090091562A (ko) * 2008-02-25 2009-08-28 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
JP5250412B2 (ja) * 2008-12-26 2013-07-31 Ｔｄｋ株式会社 光電変換素子用色素および光電変換素子
US8129216B2 (en) * 2009-04-29 2012-03-06 International Business Machines Corporation Method of manufacturing solar cell with doping patterns and contacts
KR20120067361A (ko) * 2009-09-18 2012-06-25 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 태양 전지에서 표면 재결합을 감소시키기 위한 한계치 조절 주입
JP2011146528A (ja) * 2010-01-14 2011-07-28 Kaneka Corp 多結晶シリコン系太陽電池およびその製造方法
US20120031484A1 (en) * 2010-08-06 2012-02-09 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste for a solar cell electrode
US20120111399A1 (en) * 2010-11-08 2012-05-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell electrode
US20120255612A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Dieter Pierreux Ald of metal oxide film using precursor pairs with different oxidants
CN102184985B (zh) * 2011-04-30 2013-09-04 常州天合光能有限公司 一种太阳能电池浮动结背面钝化结构及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103219398B (zh) 2017-09-12
JP2013254932A (ja) 2013-12-19
US20130180577A1 (en) 2013-07-18
CN103219398A (zh) 2013-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5844797B2 (ja) 太陽電池の製造方法
JP6329660B2 (ja) 光電変換装置
JP5570654B2 (ja) 太陽電池素子および太陽電池モジュール
JP6254343B2 (ja) 光電変換装置
US8889464B2 (en) Method for manufacturing solar cell
US20120273036A1 (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
US9761749B2 (en) Photoelectric conversion device
JP6254348B2 (ja) 光電変換装置
JP5826094B2 (ja) ｐ型半導体材料、および光電変換装置の作製方法
JP2015138959A (ja) 光起電力装置および光起電力装置の製造方法
US9437768B2 (en) Photoelectric conversion device
JP2017005270A (ja) 光電変換装置の作製方法
JP6139731B2 (ja) 光電変換装置の作製方法
US11631779B2 (en) Solar cell with high photoelectric conversion efficiency and method for manufacturing solar cell with high photoelectric conversion efficiency
JPWO2018179656A1 (ja) 太陽電池、太陽電池モジュール、および、太陽電池の製造方法
TW201719914A (zh) 光發電元件及其製造方法
TW201709541A (zh) 光發電元件及其製造方法
JP2013125884A (ja) 光電変換装置の作製方法および光電変換装置
KR102563642B1 (ko) 고효율 이면전극형 태양전지 및 그 제조방법
JP7346050B2 (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池モジュール
JP5316491B2 (ja) 太陽電池の製造方法
Li et al. Photovoltaic Performance Enhancement of Textured Silicon Solar Cells Using Luminescent Down-Shifting Methylammonium Lead Tribromide Perovskite Nanophosphors

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151125

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160729

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160802

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160923

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170307

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170502

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6254348

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees