JP2013125884A - 光電変換装置の作製方法および光電変換装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一対の電極間において、シリコン基板の一方の面に形成された第1の半導体層と、該半導体層上に形成された第2の半導体層と、シリコン基板の他方の面に形成された第3の半導体層と、該シリコン半導体層に接する第4の半導体層と、を有し、第1の半導体層及び第3の半導体層は、アルゴンを含む原料ガスを用いたプラズマCVD法で形成する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様における光電変換装置の構成および作製方法について説明する。
本実施の形態では、実施の形態1とは異なる光電変換装置、およびその作製方法について説明する。なお、実施の形態1と共通する点については、その詳細を省略する。
110 第1の半導体層
120 第2の半導体層
130 第3の半導体層
140 第4の半導体層
160 透光性導電膜
170 第1の電極
180 透光性導電膜
190 第2の電極
Claims (16)
- n型の導電型を有するシリコン基板を準備する第1の工程と、
前記シリコン基板の一方の面上に、i型またはn型の導電型を有し前記シリコン基板よりもキャリア濃度の低い第1の半導体層を形成する第2の工程と、
前記第1の半導体層上に、n型の導電型を有し前記シリコン基板よりもキャリア濃度の高い第2の半導体層を形成する第3の工程と、
前記シリコン基板の他方の面上に、i型またはp型の導電型を有する第3の半導体層を形成する第4の工程と、
前記第3の半導体層上に、p型の導電型を有し前記第3の半導体層よりもキャリア濃度の高い第4の半導体層を形成する第5の工程と、
前記第4の半導体層上に透光性導電膜を形成する第6の工程と、
前記第2の半導体層上に第1の電極を形成する第7の工程と、
前記透光性導電膜上に第2の電極を形成する第8の工程と、
を有し、
前記第2の工程および前記第4の工程は、原料ガスにアルゴンとモノシランを含み、両者の流量比X(X=アルゴン流量/モノシラン流量)を0<X<0.8とした条件のプラズマCVD法で行うことを特徴とする光電変換装置の作製方法。 - 請求項1において、前記第4の工程が省かれ、前記シリコン基板の他方の面上に前記第4の半導体層を形成する工程を有することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
- 請求項1または2において、前記シリコン基板には、酸素濃度が、8×1017atoms/cm3以下のシリコン基板を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、前記第3の半導体層および前記第4の半導体層は、シリコン半導体層であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、前記第3の半導体層は、シリコン半導体層であり、前記第4の半導体層は、酸化物半導体層であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
- 請求項5において、前記酸化物半導体層は、第4族乃至第8族に属する金属の酸化物で形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
- 請求項5または6において、前記酸化物半導体層は、バンドギャップが2eV以上である材料で形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
- 請求項5乃至8のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムで形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
- 一対の電極間に、
n型の導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面上に形成された、i型またはn型の導電型を有し、前記シリコン基板よりもキャリア濃度の低い第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上に形成された、n型の導電型を有し、前記第1の半導体層よりもキャリア濃度の高い第2の半導体層と、
前記シリコン基板の他方の面上に形成された、i型またはp型の導電型を有する第3の半導体層と、
前記第3の半導体層上に形成された、p型の導電型を有し、前記第3の半導体層よりもキャリア濃度の高い第4の半導体層と、
前記第4の半導体層上に形成された透光性導電膜と、
を有し、
前記第1の半導体層および前記第3の半導体層に含有されるアルゴンの濃度は、1.2×1018atoms/cm3以上2.2×1018atoms/cm3以下であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項9において、前記第3の半導体層が省かれ、前記シリコン基板の他方の面上に前記第4の半導体層が形成されていることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項9または10において、前記シリコン基板の酸素濃度は、8×1017atoms/cm3以下であることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項9乃至11のいずれか一項において、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、前記第3の半導体層および前記第4の半導体層は、シリコン半導体層であることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項9乃至11のいずれか一項において、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、前記第3の半導体層は、シリコン半導体層であり、前記第4の半導体層は、酸化物半導体層であることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項13において、前記酸化物半導体層は、第4族乃至第8族に属する金属の酸化物で形成されていることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項13または14において、前記酸化物半導体層は、バンドギャップが2eV以上である材料で形成されていることを特徴とする光電変換装置。
- 請求項13乃至15のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムで形成されていることを特徴とする光電変換装置。
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