TW201801339A - 光發電元件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供輸出特性的溫度依賴性小、即使在高溫下也能保持良好特性的光發電元件。該光發電元件包括：n型晶體半導體基板、層疊在該n型晶體半導體基板的光入射面側的n型非晶半導體層、以及層疊在該n型晶體半導體基板的與光入射面側相反的面側的p型非晶半導體層，其中，形成該n型非晶半導體層的半導體材料是n型非晶氧化矽。優選的是，該非晶氧化矽用Si1-xOx（0.01≦x≦0.12）表示。優選的是，形成該p型非晶半導體層的半導體材料是p型非晶氧化矽。
Description
本發明涉及光發電元件。
作為不產生CO2
等溫室效應氣體的清潔發電手段、或者作為代替核能發電的作業安全性高的發電手段，太陽能電池近年尤其受到矚目。作為太陽能電池的一種，有發電效率高的異質型太陽能電池。
異質型太陽能電池（光發電元件），例如具有下述的結構：在n型晶體半導體基板的一面側依次層疊有第一本質非晶半導體層和p型非晶半導體層，在該n型晶體半導體基板的另一面側依次層疊有第二本質非晶半導體層和n型非晶半導體層。在這種異質型光發電元件中，為了進一步提高輸出特性，提出有將n型非晶半導體層側作為光入射面的光發電元件（參照日本專利公開公報特開2014-216334號和特開2014-216335號）。
另一方面，如果考慮太陽能發電的生產率等，則希望在日照量大的地區建設作為大規模發電設施的兆瓦級太陽能電站等。因此，可以預測將來在日照量多的沙漠地帶和赤道附近等地區，兆瓦級太陽能電站的建設會被不斷推進。可是，光發電元件的轉換效率具有溫度依賴性，高溫下發電效率降低。因此，考慮在沙漠地帶等的建設，期待開發溫度依賴性小、即使在高溫下發電效率也不易降低的光發電元件。
現有技術文獻 專利文獻1：日本專利公開公報特開2014-216334號 專利文獻2：日本專利公開公報特開2014-216335號
本發明是基於上述的情況而做出的發明，本發明的目的是提供輸出特性的溫度依賴性小、即使在高溫下也能保持良好的特性的光發電元件。
用於解決該問題的本發明的光發電元件，其包括：n型晶體半導體基板；n型非晶半導體層，層疊在該n型晶體半導體基板的光入射面側；以及p型非晶半導體層，層疊在該n型晶體半導體基板的與該光入射面側相反的面側，形成該n型非晶半導體層的半導體材料是n型非晶氧化矽。
按照該光發電元件，通過由非晶氧化矽形成n型非晶半導體層，能夠降低輸出特性的溫度依賴性。
優選的是，該非晶氧化矽用Si1-x
Ox
（0.01≦x≦0.12）表示。通過由這樣的氧含量的非晶氧化矽形成該n型非晶半導體層，能夠提高轉換效率等輸出特性。
優選的是，形成該p型非晶半導體層的半導體材料是p型非晶氧化矽。通過除了n型非晶半導體層以外，背面側的p型非晶半導體層也由非晶氧化矽形成，能夠進一步降低該光發電元件的輸出特性的溫度依賴性等。
優選的是，該光發電元件還包括第一中間層，該第一中間層介於該n型晶體半導體基板和n型非晶半導體層之間，該第一中間層由本質非晶半導體或n型非晶半導體形成。此外，優選的是，該第一中間層是摻雜量比該n型非晶半導體層的摻雜量少的n型非晶半導體層。通過設置這種第一中間層，載流子的再結合被抑制，能夠進一步提高輸出特性。
優選的是，該光發電元件還包括第二中間層，該第二中間層介於該n型晶體半導體基板和p型非晶半導體層之間，該第二中間層由本質非晶半導體形成。通過設置這種第二中間層，載流子的再結合被抑制，能夠進一步提高輸出特性。
在此，非晶半導體中的“非晶”不僅包含完全的非晶體的意思，也包含在非晶質中存在微晶的物質。但是，在本說明書中，有時也將包含微晶的非晶半導體簡稱為“非晶半導體”等。本質非晶半導體層中的“本質”是指未有意地摻雜有雜質，但是也包含存在原料中原本就包含的雜質及製造過程中非有意地混入的雜質的物質的意思。此外，作為半導體材料的“非晶氧化矽”是指由氧原子和矽原子形成的、具有半導體特性的非晶化合物，但是氧原子和矽原子之比不限於特定的比。
按照本發明的光發電元件，能夠提供輸出特性的溫度依賴性小、即使在高溫下也能保持良好的特性的光發電元件。
以下，適當參照附圖詳細地說明本發明的一個實施方式的光發電元件。
圖1的光發電元件10包括：n型晶體半導體基板11；在n型晶體半導體基板11的一面側（圖1中的上側）按如下順序層疊的第一中間層12、n型非晶半導體層13和第一透明導電膜14；在n型晶體半導體基板11的另一面側（圖1中的下側）按如下順序層疊的第二中間層15、p型非晶半導體層16和第二透明導電膜17。此外，光發電元件10包括配置在第一透明導電膜14的外側的面和第二透明導電膜17的外側的面的多個線狀的集電極18。另外“外側的面”是指以n型晶體半導體基板11為中心、且與n型晶體半導體基板11相反一側的面。此外，“內側的面”是指n型晶體半導體基板11側的面。
在該光發電元件10中，圖1中的上側亦即第一透明導電膜14側成為光入射面。另外，在該光發電元件10中，至少將第一透明導電膜14側作為光入射面，也可以設計為光也能從第二透明導電膜17側入射。即，可以從該光發電元件10的兩面入射光。
n型晶體半導體基板11由n型晶體半導體形成。通過採用n型基板，可以避免p型基板所特有的光衰減現象。n型晶體半導體通常是在矽等半導體中添加有微量的5價元素構成的晶體。作為構成n型晶體半導體基板11的晶體半導體，除了矽（Si）以外，可以例舉SiC、SiGe等，從生產率等觀點出發，優選的是矽。n型晶體半導體基板11可以是單晶，也可以是多晶。
在n型晶體半導體基板11的兩面形成有金字塔狀的微小的凹凸結構。利用這種結構，能夠提高困住光的功能。該凹凸結構（紋理結構）的高度和大小可以不一致，相鄰的凹凸的一部分可以重疊。此外，頂點和山谷部可以是圓潤的。作為該凹凸的高度，為數μm以上數十μm以下的程度。例如可以通過將基板材料浸漬在含約1～5品質%的氫氧化鈉的蝕刻液中，對基板材料的（100）面進行各向非等向蝕刻而得到該的凹凸結構。
作為n型晶體半導體基板11的平均厚度沒有特別的限制。作為該平均厚度的上限，例如為300μm，優選的是200μm。此外，作為該下限，例如可以設為50μm。通過這樣使n型晶體半導體基板11薄型化，能夠實現光發電元件10自身的小型化、低成本化等。
第一中間層12是介於n型晶體半導體基板11和n型非晶半導體層13之間的層，作為抑制載流子的再結合的鈍化層發揮功能。第一中間層12由本質非晶半導體或n型非晶半導體形成。作為第一中間層12，優選的是摻雜量比n型非晶半導體層13的摻雜量少的低摻雜n型非晶半導體層。通過將這種低摻雜n型非晶半導體層設為第一中間層12，能夠進一步提高光發電元件10的輸出特性等。
在第一中間層12由本質非晶半導體形成的情況下，通常優選矽作為該本質非晶半導體。在第一中間層12由n型非晶半導體形成的情況下，優選的是，第一中間層12是在矽中添加微量的5價元素構成的非晶層。由低摻雜的n型非晶半導體形成的第一中間層12（低摻雜n型非晶半導體層）的5價元素的添加量（摻雜量），比n型非晶半導體層13的5價元素的添加量（摻雜量）少。可以通過摻雜劑（5價的元素）的密度、濃度、電阻值等確認第一中間層12是低摻雜n型非晶半導體層的情況。摻雜劑的電子密度等可以通過公知的方法測定。此外，如後所述，因為摻雜量依賴於摻雜氣體的流量，所以通過相對減少摻雜氣體的流量，可以形成低摻雜n型非晶半導體。通過這樣的第一中間層12（本質非晶質類半導體層或n型非晶半導體層），能夠抑制載流子的再結合，從而能夠提高輸出特性。另外，作為第一中間層12的平均厚度，例如可以定為1nm以上10nm以下。
n型非晶半導體層13通過第一中間層12配置在n型晶體半導體基板11的光入射面側。形成該n型非晶半導體層13的半導體材料是n型非晶氧化矽。作為形成該n型非晶半導體層13的半導體材料的非晶氧化矽，換句話說就是摻雜了氧原子的非晶矽。n型非晶半導體層13是在這種非晶氧化矽中進一步添加微量的5價元素構成的非晶層。即，n型非晶半導體層13是由摻雜了氧原子和5價元素的矽形成的。按照該光發電元件10，通過使配置在光入射面側的n型非晶半導體層13由n型的非晶氧化矽形成，能夠具有良好輸出特性，並且能夠降低其溫度依賴性。
形成該n型非晶半導體層13的非晶氧化矽，優選的是用Si1-x
Ox
（0.01≦x≦0.12）表示。通過由這樣的氧含量的非晶氧化矽形成n型非晶半導體層13，非晶氧化矽的帶隙成為適當的值，透明性變高。由此，能夠進一步提高該光發電元件10的轉換效率、最大輸出等輸出特性。為了進一步提高該特性，作為該氧含量（x）的下限，更優選的是0.02，進一步優選的是0.03，更進一步優選的是0.04，特別優選的是0.05。另一方面，作為該氧含量（x）的上限，更優選的是0.1，進一步優選的是0.08。另外，如後該，例如可以通過利用等離子體CVD法製膜時的原料氣體的組成比等來調整該氧含量（x）。
作為n型非晶半導體層13的平均厚度沒有特別的限定，例如可以為1nm以上20nm以下。
第二中間層15是介於n型晶體半導體基板11和p型非晶半導體層16之間的層，作為抑制載流子的再結合的鈍化層發揮功能。第二中間層15由矽等本質非晶半導體形成。通過這樣的第二中間層15（本質非晶半導體層），能夠抑制載流子的再結合，從而能夠提高輸出特性。另外，作為第二中間層15的平均厚度，例如可以為1nm以上10nm以下。
作為n型非晶半導體層13的平均厚度沒有特別的限定，例如可以為1nm以上20nm以下。
第二中間層15是介於n型晶體半導體基板11和p型非晶半導體層16之間的層，作為抑制載流子的再結合的鈍化層發揮功能。第二中間層15由矽等本質非晶半導體形成。通過這樣的第二中間層15（本質非晶半導體層），能夠抑制載流子的再結合，從而能夠提高輸出特性。另外，作為第二中間層15的平均厚度，例如可以為1nm以上10nm以下。
p型非晶半導體層16通過第二中間層15配置在n型晶體半導體基板11的與光入射面側相反的面側。p型非晶半導體層16是在半導體中添加有微量的3價元素形成的非晶層。作為形成p型非晶半導體層16的半導體材料，可以是p型非晶矽等，優選的是p型非晶氧化矽。作為形成該p型非晶半導體層16的半導體材料的非晶氧化矽，換句話說是摻雜了氧原子的非晶矽。該優選的p型非晶半導體層16，是在這樣的非晶氧化矽中進一步添加微量的3價元素構成的非晶層。即，p型非晶半導體層16，可以由摻雜了氧原子和3價元素的矽形成。除了n型非晶半導體層13以外，也由非晶氧化矽形成背面側的p型非晶半導體層16，由此能進一步降低該光發電元件10的輸出特性的溫度依賴性等。
形成該p型非晶半導體層16的非晶氧化矽，優選的是用Si1-y
Oy
（0.01≦y≦0.12）表示。通過由這種氧含量的非晶氧化矽形成p型非晶半導體層16，能夠進一步減輕高溫下的特性降低。為了進一步提高該特性，作為該氧含量（y）的下限，更優選的是0.02，進一步優選的是0.03，更進一步優選的是0.04，特別優選的是0.05。另一方面，作為該氧含量（y）的上限，更優選的是0.1，進一步優選的是0.08。另外，例如可以通過利用等離子體CVD法製膜時的原料氣體的組成比等來調整該氧含量（y）。
作為p型非晶半導體層16中的3價元素的含量的下限，優選的是1×1020
atm/cm3
，更優選的是2.5×1020
atm/cm3
。另一方面，作為該含量的上限，優選的是10×1020
atm/cm3
，更優選的是5×1020
atm/cm3
。此外，作為p型非晶半導體層16中摻雜的3價元素，優選的是硼。
作為p型非晶半導體層16的平均厚度，例如可以為1nm以上20nm以下。
第一透明導電膜14層疊在n型非晶半導體層13外側的面側。此外，第二透明導電膜17層疊在p型非晶半導體層16外側的面外側的面側。作為構成第一透明導電膜14和第二透明導電膜17的透明導電性材料，例如可以列舉銦錫氧化物（ITO）、銦鎢氧化物（IWO）、銦鈰氧化物（ICO）等。作為第一透明導電膜14和第二透明導電膜17的平均膜厚沒有特別的限定，例如可以分別為40nm以上200nm以下。
各集電極18具有彼此平行地形成的多個匯流排電極、以及與該匯流排電極垂直且彼此平行地形成的多個指狀電極。
匯流排電極和指狀電極分別為線狀或帶狀，由導電性材料形成。作為該導電性材料，可以使用銀漿料等導電性粘合劑和銅線等金屬線。該集電極18可以具有層結構。作為各匯流排電極的寬度，例如為0.5mm以上2mm以下的程度。此外，作為各指狀電極的寬度，例如為10μm以上300μm以下的程度。作為各指狀電極間的間隔，例如為0.5mm以上4mm以下的程度。
通常將多個該光發電元件10串聯連接使用。通過以串聯連接的方式使用多個光發電元件10，可以提高發電電壓。
光發電元件10的製造方法沒有特別的限定，例如包括：在n型晶體半導體基板11的一面側層疊第一中間層12的工序；進而層疊n型非晶半導體層13的工序；進而層疊第一透明導電膜14的工序；在n型晶體半導體基板11的另一面側層疊第二中間層15的工序；進而層疊p型非晶半導體層16的工序；進而層疊第二透明導電膜17的工序；以及在第一透明導電膜和第二透明導電膜的各外側的面層疊集電極18的工序。另外，只要是能得到光發電元件10的層結構的順序，各工序的順序就沒有特別的限定。
各非晶半導體層的層疊，可以通過化學氣相沉積法等公知的方法進行。作為化學氣相沉積法，例如有等離子體CVD法和觸媒化學氣相沉積CVD法（別名熱絲CVD法）等。
在利用等離子體CVD法的情況下，在層疊作為本質非晶半導體層的第一中間層12和第二中間層15時，作為原料氣體例如可以使用SiH4
和H2
的混合氣體。此外，在由n型非晶半導體形成第一中間層12的情況下，作為原料氣體，例如可以使用SiH4
、H2
和PH3
的混合氣體。另外，由摻雜量少的n型非晶半導體形成的第一中間層12，可以通過使摻雜劑氣體的流量（流量比）比n型非晶半導體層13的摻雜劑氣體的流量（流量比）更小來形成。例如，在利用使用包含SiH4
和PH3
的混合氣體的等離子體CVD法形成的情況下，通過使以SiH4
為基準的作為摻雜劑的PH3
的導入量成為1000ppm以下進行製膜，可以得到第一中間層12。此外，製造該第一中間層12時的該PH3
的導入量（濃度），可以定為製造後述的n型非晶半導體層13時的導入量（濃度）的1/100以上1/5以下。
在層疊n型非晶半導體層13（n型非晶氧化矽層）時，作為原料氣體例如可以使用SiH4
、H2
、PH3
和CO2
的混合氣體。另外，在該情況下，通過提高CO2
的混合比率，可以得到由氧含量較高的非晶氧化矽形成的n型非晶半導體層13。形成該n型非晶氧化矽層時，作為CO2
的流量（sccm）與SiH4
的流量（sccm）之比（CO2
/SiH4
）的下限，優選的是0.1，更優選的是0.4。另一方面，作為該比的上限，優選的是2，更優選的是1。此外，代替用於摻雜氧原子的CO2
，可用使用N2
O等。
在層疊p型非晶半導體層16（p型非晶氧化矽層）時，作為原料氣體例如可以使用SiH4
、H2
、B2
H6
和CO2
的混合氣體。形成該p型非晶氧化矽層時，作為CO2
的流量（sccm）與SiH4
的流量（sccm）之比（CO2
/SiH4
）的下限，優選的是0.1，更優選的是0.4。另一方面，作為該比的上限，優選的是2，更優選的是1。此外，代替用於摻雜氧原子的CO2
，也可以使用N2
O等。另外，在將p型非晶半導體層16作為p型非晶矽層的情況下，作為原料氣體，例如可以使用SiH4
、H2
和B2
H6
的混合氣體。
作為層疊第一透明導電膜14和第二透明導電膜17的方法，例如可以列舉濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法（反應性等離子體蒸鍍法）等，優選的是濺射法和離子鍍法。濺射法在膜厚控制性等方面優良，此外，與離子鍍法等相比，能夠以低成本進行。另一方面，按照離子鍍法，可以進行抑制缺陷的產生的製膜。
可以通過公知的方法進行集電極18的配置。在作為集電極18的材料採用導電性黏合劑的情況下，可以通過絲網印刷和凹版膠印等印刷法形成。此外，在集電極18使用金屬導線的情況下，可以通過導電性黏合劑或低熔點金屬（焊料等）固定在第一透明導電膜14和第二透明導電膜17上。
本發明不限於所述的實施方式，在不脫離本發明的思想的範圍內可以對構成進行變形。例如，可以由整面層疊的金屬等形成兩面的集電極中的背面側的集電極。此外，可以不配置第一中間層、第二中間層。此外，只要至少在入射面側形成透明導電膜即可，背面側可以不形成透明導電膜，例如可以是金屬膜等。但是，通過在背面側的p型非晶半導體層外側的面層疊透明導電膜，能夠抑制缺陷能級的產生，從而能夠提高轉換效率。
實施例 以下，舉出實施例和比較例，更具體地說明本發明的內容。另外，本發明不限於以下的實施例。
＜實施例1＞
製作了由第一透明導電膜/n型非晶半導體層/第一中間層/n型晶體半導體基板/第二中間層/p型非晶半導體層/第二透明導電膜構成的層結構體。n型晶體半導體基板採用了在兩面形成有具有無數的金字塔形狀的微小凹凸結構（紋理結構）的單晶矽基板。通過將基板材料浸漬在含約3品質%的氫氧化鈉的蝕刻液中，對基板材料的（100）面進行各向非等向蝕刻，由此形成了該凹凸結構。
通過使用了以下的原料氣體的等離子體CVD法層疊了該非晶半導體層和中間層。 n型非晶半導體層：SiH4
、H2
、PH3
和CO2
第一中間層（低摻雜n型非晶半導體層）：SiH4
、H2
和PH3
第二中間層（本質非晶半導體層）：SiH4
和H2
p型非晶半導體層：SiH4
、H2
、B2
H6
和CO2
在n型非晶半導體層的製膜中，SiH4
的流量為5sccm，CO2
的流量為0.9sccm。在p型非晶半導體層的製膜中，SiH4
的流量為5sccm，CO2
的流量為4.1sccm。另外，在得到的p型非晶半導體層的製膜中，硼的原子密度為3.5×1020
atm/cm3
。此外，通過使PH3
的流量成為以SiH4
為基準的n型非晶半導體層的1/10進行製膜，使第一中間層成為低摻雜n型非晶半導體層。使用含有3品質%氧化錫的氧化銦，通過濺射層疊了各透明導電膜。
接著，作為集電極，在各透明導電膜的外側的面形成了平行的多個匯流排電極以及與該匯流排電極分別垂直的多個指狀電極。使用銀漿料通過絲網印刷形成了該集電極。由此得到了實施例1的光發電元件。
＜實施例2～4，比較例1＞
在n型非晶半導體層的製膜中，除了CO2
的流量如表1所示的以外，與實施例1同樣地進行製作，得到了實施例2～4和比較例1的各光發電元件。
＜實施例5＞
除了作為p型非晶半導體層的原料氣體，使用SiH4
、H2
和B2
H6
的混合氣體、由p型矽形成p型非晶半導體層以外，與實施例3同樣地進行製作，得到了實施例5的光發電元件。另外，在得到的p型非晶半導體層中，硼的原子密度為3.5×1020
atm/cm。 [表1] 
＜評價＞
[輸出特性（曲線因數）的溫度依賴性]
評價了得到的比較例1、實施例3和實施例5的各光發電元件的輸出特性的溫度依賴性。在25℃、45℃和70℃的環境下，測定了曲線因數（FF）。另外，以該第一透明導電膜側作為光入射面進行了測定。結果表示在表2中。另外，各測定值表示了將25℃下的各光發電元件的實測值作為基準（100%）的相對值。 [表2] 
如該表2所示，由非晶氧化矽形成n型非晶半導體層的實施例3、5，即使在45℃的高溫下輸出特性的降低也小。特別是，n型非晶半導體層和p型非晶半導體層都由非晶氧化矽形成的實施例3，即使在70℃的環境下輸出特性的降低也非常小。由此判明了，按照本發明的光發電元件，即使在高溫下，也能夠抑制輸出特性的降低。
[輸出特性（轉換效率）]
測量了得到的實施例1～4和比較例1的各光發電元件的轉換效率（Efficiency）。另外，以該第一透明導電膜側作為光入射面進行了測定。結果表示在圖2中。圖2的橫軸表示形成各光發電元件的n型非晶半導體層的非晶氧化矽中的氧含量。使用PHI公司的“QuanteraSXM”通過XPS測定進行了該氧含量的測定。該氧含量也表示在該表1中。此外，縱軸的各測定值表示將比較例1作為基準的相對值。
如圖2所示，判明了：通過由規定範圍的氧含量的非晶氧化矽形成n型非晶半導體層，可以提高轉換效率等。
得到的比較例1、實施例2和實施例3的光發電元件的外部量子效率（EQE）、內部量子效率（IQE）和反射率（Reflectance）表示在圖3中。如圖3所示，由非晶氧化矽形成n型非晶半導體層的實施例2、3，與由矽形成n型非晶半導體層的比較例1相比，300～600nm的外部量子效率和內部量子效率都高。由此判明了，相比於n型非晶矽，n型非晶氧化矽的透明性高。
工業實用性
本發明的光發電元件，具有良好的輸出特性，並且元件的溫度依賴性小，即使在高溫下也能保持良好的特性，可以很好地用於太陽能發電。
10‧‧‧光發電元件
11‧‧‧n型晶體半導體基板
12‧‧‧第一中間層
13‧‧‧n型非晶半導體層
14‧‧‧第一透明導電膜
15‧‧‧第二中間層
16‧‧‧p型非晶半導體層
17‧‧‧第二透明導電膜
18‧‧‧集電極
11‧‧‧n型晶體半導體基板
12‧‧‧第一中間層
13‧‧‧n型非晶半導體層
14‧‧‧第一透明導電膜
15‧‧‧第二中間層
16‧‧‧p型非晶半導體層
17‧‧‧第二透明導電膜
18‧‧‧集電極
圖1是本發明的一個實施方式的光發電元件的斷面示意圖。 圖2是表示實施例的光發電元件的轉換效率的圖。 圖3是表示實施例的光發電元件的外部量子效率、內部量子效率和反射率的圖。
10‧‧‧光發電元件
11‧‧‧n型晶體半導體基板
12‧‧‧第一中間層
13‧‧‧n型非晶半導體層
14‧‧‧第一透明導電膜
15‧‧‧第二中間層
16‧‧‧p型非晶半導體層
17‧‧‧第二透明導電膜
18‧‧‧集電極
Claims (6)
- 一種光發電元件，其包括：一n型晶體半導體基板；一n型非晶半導體層，層疊在該n型晶體半導體基板的一光入射面側；以及一p型非晶半導體層，層疊在該n型晶體半導體基板的與該光入射面側相反的面側； 形成該n型非晶半導體層的半導體材料是n型非晶氧化矽。
- 如請求項1的光發電元件，該非晶氧化矽用Si1-x Ox （0.01≦x≦0.12）表示。
- 如請求項1或請求項2的光發電元件，形成該p型非晶半導體層的半導體材料是p型非晶氧化矽。
- 如請求項1至3中任意一項的光發電元件，該光發電元件還包括一第一中間層，該第一中間層介於該n型晶體半導體基板和該n型非晶半導體層之間， 該第一中間層由本質非晶半導體或n型非晶半導體形成。
- 如請求項4的光發電元件，該第一中間層是摻雜量比該n型非晶半導體層的摻雜量少的n型非晶半導體層。
- 如請求項1至5中任意一項的光發電元件，該光發電元件還包括一第二中間層，該第二中間層介於該n型晶體半導體基板和p型非晶半導體層之間， 該第二中間層由本質非晶半導體形成。
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