JP2013234106A - p型半導体材料および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有されている酸化モリブデン材料を用いて、p型の導電型を有する酸化物半導体材料を形成することができる。例えば、三酸化モリブデン(MoO3)を主成分とし、4%以上のMoOy(2<y<3)を含んだ酸化モリブデン材料を用い、半導体装置を形成する。
【選択図】図1
Description
本実施の形態は、開示する発明の一態様である酸化物半導体材料について、図1乃至図3および図5を参照して説明する。
本実施の形態は、開示する発明の一態様である光電変換装置の構成およびその作製方法について、図6乃至図9を参照して説明する。
本実施の形態では、実施の形態2とは異なる構造の光電変換装置、およびその作製方法について図10乃至図15を参照して説明する。なお、実施の形態2と共通する内容については、その詳細を省略する。
本実施の形態では、実施の形態2、3とは異なる構造の光電変換装置について図16乃至図18を参照して説明する。なお、実施の形態2、3と共通する内容については、その詳細を省略する。
本実施の形態では、実施の形態2、3、4とは異なる構造の光電変換装置について図19、20を参照して説明する。なお、実施の形態2、3、4と共通する内容については、その詳細を省略する。
本実施の形態では、実施の形態2、3、4、5とは異なる構造の光電変換装置について図21、22を参照して説明する。なお、実施の形態2、3、4、5と共通する内容については、その詳細を省略する。
本実施の形態は、本発明の一態様である光電変換装置およびその作製方法について説明する。
上述の酸化物半導体材料は、金属、i型半導体材料、またはn型半導体材料などと接合を形成することにより、トランジスタ、ダイオード、光電変換装置、電気光学装置、発光表示装置、記憶装置、撮像装置、半導体回路および電子機器などの様々な半導体装置に適用することができる。例えば、トランジスタのチャネル領域に用いることにより、pチャネル型のトランジスタを形成することができる。また、i型半導体層、および/またはn型半導体層との組み合わせにより、p−i接合デバイス、p−i−n接合デバイス、p−n接合デバイスなどを形成することができる。該酸化物半導体材料を用いることにより、シリコン系半導体材料を用いた場合とは異なる光学特性および/または電気特性を有する半導体装置を形成することができ、半導体装置の電気特性の向上、信頼性の向上、低消費電力化など様々な利点を得ることができる。本実施の形態では、上該半導体装置を電子機器に適用する場合について、図31を用いて説明する。本実施の形態では、コンピュータ、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯情報端末(携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子ペーパー、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)などの電子機器に、該半導体装置を適用する場合について説明する。
110 酸化物半導体層
112 ピーク
113 ピーク
130 不純物領域
150 透光性導電膜
170 電極
180 パッシベーション層
190 電極
191 電極
200 シリコン基板
201 シリコン半導体層
202 シリコン半導体層
203 シリコン半導体層
210 酸化物半導体層
250 透光性導電膜
270 電極
280 透光性導電膜
290 電極
300 シリコン基板
301a 電位障壁
301b 電位障壁
302 シリコン半導体層
302a 熱放出電流
302b 拡散電流
303 シリコン半導体層
310 酸化物半導体層
311 シリコン酸化物層
312 エネルギー準位
313 エネルギー準位
330 不純物領域
350 透光性導電膜
370 電極
380 パッシベーション層
390 電極
400 シリコン基板
401 シリコン半導体層
402 シリコン半導体層
403 シリコン半導体層
410 酸化物半導体層
411 シリコン酸化物層
450 透光性導電膜
470 電極
490 電極
500 シリコン基板
510 酸化物半導体層
511 シリコン酸化膜層
520 不純物領域
530 不純物領域
540 不純物領域
551 透光性薄膜
560 パッシベーション層
570 電極
590 電極
600 シリコン基板
601a 電位障壁
601b 電位障壁
601c 電位障壁
602a 熱放出電流
602b 拡散電流
602c ホール電流
610 酸化物半導体層
611 シリコン酸化物層
612 エネルギー準位
613 エネルギー準位
650 透光性導電膜
660 不純物半導体領域
670 電極
680 パッシベーション層
691 電極
692 半導体領域
1486 入射エネルギー
1701 筐体
1702 筐体
1703 表示部
1704 キーボード
1711 本体
1712 スタイラス
1713 表示部
1714 操作ボタン
1715 外部インターフェース
1720 電子書籍
1721 筐体
1723 筐体
1725 表示部
1727 表示部
1731 電源
1733 操作キー
1735 スピーカー
1737 軸部
1740 筐体
1741 筐体
1742 表示パネル
1743 スピーカー
1744 マイクロフォン
1745 タッチパネル
1746 ポインティングデバイス
1747 カメラ
1748 外部接続端子
1749 太陽電池
1750 外部メモリスロット
1761 本体
1763 接眼部
1764 操作スイッチ
1765 表示部
1766 バッテリー
1767 表示部
1770 テレビジョン装置
1771 筐体
1773 表示部
1775 スタンド
1780 リモートコントローラ
Claims (24)
- 二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有されていることを特徴とするp型半導体材料。
- 三酸化モリブデンと、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))とが混合されていることを特徴とするp型半導体材料。
- 請求項1または2において、前記二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))を含有する割合は、4%以上であることを特徴とするp型半導体材料。
- 一対の電極間に、
n型の導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成されたp型の導電型を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記シリコン基板の他方の面に形成されたn型の導電型を有し、前記シリコン基板よりもキャリア濃度の高い不純物領域と、
を有し、
前記酸化物半導体層は、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有された酸化モリブデン膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項4において、前記不純物領域と前記電極の一方との間に、開口部を有する絶縁層が形成され、前記開口部において前記不純物領域と前記電極の一方が接していることを特徴する半導体装置。
- 請求項4乃至6のいずれか一項において、前記シリコン基板と前記酸化物半導体層との間に、シリコン酸化物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 一対の電極間に、
n型の導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された、i型またはp型の導電型を有する第1のシリコン半導体層と、
前記第1のシリコン半導体層上に形成された、p型の導電型を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記シリコン基板の他方の面に形成された、i型またはn型の導電型を有する第2のシリコン半導体層と、
前記第2のシリコン半導体層上に形成された、n型の導電型を有する第3のシリコン半導体層と、
を有し、
前記酸化物半導体層は、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有された酸化モリブデン膜であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7において、前記第2のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が低く、前記第3のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項7または8において、前記酸化物半導体層のキャリア濃度は、前記第1のシリコン半導体層よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項7乃至9のいずれか一項において、前記第1のシリコン半導体層と酸化物半導体層との間に、シリコン酸化物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項7または8において、前記第1のシリコン半導体層が省かれた構造であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項11において、前記シリコン基板と前記酸化物半導体層との間に、シリコン酸化物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4乃至12のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、三酸化モリブデンを含む酸化モリブデン膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項4乃至13のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))を含有する割合が4%以上の酸化モリブデン膜であることを特徴とする半導体装置。
- n型の導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面上に形成された、仕事関数が前記シリコン基板よりも大きく、p型の伝導性を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上に形成された第1の電極と、
前記シリコン基板の他方の面に形成された第2の電極と、
を有し、
前記第2の電極は、仕事関数が前記シリコン基板よりも小さい材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。 - n型の導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された、仕事関数が前記シリコン基板よりも大きく、p型の伝導性を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上に形成された第1の電極と、
前記シリコン基板の他方の面に形成された、i型またはn型の導電型を有する第2のシリコン半導体層と、
前記第2のシリコン半導体層上に形成された第2の電極と、
を有し、
前記第2の電極は、仕事関数が前記シリコン基板よりも小さい材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項15または16において、前記シリコン基板と前記酸化物半導体層との間にシリコン酸化物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項15乃至17のいずれか一項において、前記シリコン基板と前記第2の電極との間に、開口部を有する絶縁層が形成され、前記開口部において前記シリコン基板または第2のシリコン半導体層と前記第2の電極が接していることを特徴する半導体装置。
- n型の導電型を有するシリコン基板と、
前記シリコン基板の一方の面に形成された、i型またはp型の導電型を有する第1のシリコン半導体層と、
前記第1のシリコン半導体層上に形成された、仕事関数が前記シリコン基板よりも大きく、p型の伝導性を有する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成された透光性導電膜と、
前記透光性導電膜上に形成された第1の電極と、
前記シリコン基板の他方の面に形成された、i型またはn型の導電型を有する第2のシリコン半導体層と、
前記第2のシリコン半導体層上に形成された第2の電極と、
を有し、
前記第2の電極は、仕事関数が前記シリコン基板よりも小さい材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項19において、前記第1のシリコン半導体層と前記酸化物半導体層との間にシリコン酸化物層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項19または20において、前記第1のシリコン半導体層および前記第2のシリコン半導体層は、前記シリコン基板よりもキャリア濃度が低いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項15乃至21のいずれか一項において、前記酸化物半導体層は、二酸化モリブデンおよび三酸化モリブデンの中間組成を有する酸化モリブデン(MoOy(2<y<3))が含有された酸化モリブデン膜であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項15乃至22のいずれか一項において、前記第2の電極は、仕事関数が4.2eV以下の材料で形成されていることを特徴とする半導体装置。
- 請求項15乃至23のいずれか一項において、前記第2の電極は、Mg、MgO、MgAg、MgIn、AlLi、BaO、SrO、CaO、GdB、YB6、LaB6、Y、Hf、Nd、La、Ce、Sm、Ca、Gdから選ばれた1つ以上の材料を含むことを特徴とする半導体装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013211397A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 |
JP2016174154A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2017069567A (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
WO2018043503A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
JP2018117125A (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 異種接合太陽電池及びその製造方法 |
JP2020098929A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-06-25 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2023062846A1 (ja) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子及び撮像装置 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5919567B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2016-05-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | テクスチャサイズの測定装置、太陽電池の製造システム、及び太陽電池の製造方法 |
KR101458566B1 (ko) * | 2013-05-21 | 2014-11-07 | 재단법인대구경북과학기술원 | 정류소자 및 그의 제조 방법 |
KR101457812B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2014-11-05 | 포항공과대학교 산학협력단 | 양방향 스위칭 특성을 갖는 2-단자 스위칭 소자, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 저항성 메모리 소자 크로스-포인트 어레이 |
ES2836852T3 (es) * | 2013-11-04 | 2021-06-28 | Columbus Photovoltaics LLC | Células fotovoltaicas |
KR20160052270A (ko) * | 2014-11-04 | 2016-05-12 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
US20160351733A1 (en) * | 2015-06-01 | 2016-12-01 | International Business Machines Corporation | Dry etch method for texturing silicon and device |
CN117352591A (zh) * | 2016-10-25 | 2024-01-05 | 信越化学工业株式会社 | 太阳能电池的制造方法 |
KR102581702B1 (ko) * | 2016-10-25 | 2023-09-22 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조방법 |
KR101995833B1 (ko) * | 2016-11-14 | 2019-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
WO2019159236A1 (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | シャープ株式会社 | 発光素子、発光デバイス、発光素子の製造装置 |
CN108389929A (zh) * | 2018-04-11 | 2018-08-10 | 浙江师范大学 | 一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法 |
CN108878570B (zh) * | 2018-06-01 | 2020-06-26 | 上海大学 | 空穴选择型MoOx/SiOx(Mo)/n-Si异质结、太阳电池器件及其制备方法 |
EP3783668B1 (en) * | 2018-06-22 | 2023-08-30 | Jingao Solar Co., Ltd. | Crystalline silicon solar cell and preparation method therefor, and photovoltaic assembly |
CN113193062A (zh) * | 2021-04-13 | 2021-07-30 | Tcl华星光电技术有限公司 | 光电传感器及其制作方法、显示面板 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005359A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Takashi Katoda | 半導体を用いた電子デバイス |
JP2006128154A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Takashi Katoda | 基板上に形成された金属酸化物層とその作製方法 |
JP2007500661A (ja) * | 2003-07-22 | 2007-01-18 | ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド | MoO2粉末の製造法、MoO2粉末から製造された製品、MoO2薄膜の付着およびこのような材料の使用方法 |
JP2009231610A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Pioneer Electronic Corp | 有機太陽電池及び有機太陽電池の製造方法 |
JP2012507175A (ja) * | 2008-10-28 | 2012-03-22 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン | 赤色、緑色、および青色の副要素を有する積層白色oled |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0795603B2 (ja) | 1990-09-20 | 1995-10-11 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
JP3106810B2 (ja) | 1993-11-04 | 2000-11-06 | 富士電機株式会社 | 非晶質酸化シリコン薄膜の生成方法 |
ATE226960T1 (de) | 1994-06-02 | 2002-11-15 | Forssmann Wolf Georg | Verfahren zur herstellung von cardiodilatin- fragmenten, hochgereinigte cardiodilatin- fragmente und zwischenprodukte zu deren herstellung |
JP3469729B2 (ja) | 1996-10-31 | 2003-11-25 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池素子 |
JP4662616B2 (ja) | 2000-10-18 | 2011-03-30 | パナソニック株式会社 | 太陽電池 |
JP2004214300A (ja) | 2002-12-27 | 2004-07-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ヘテロ接合を有する太陽電池 |
JP2004342678A (ja) | 2003-05-13 | 2004-12-02 | Rikogaku Shinkokai | Cu(In1−xGax)Se2膜の製造方法及び太陽電池 |
JP4519423B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2010-08-04 | 創世理工株式会社 | 半導体を用いた光デバイス |
JP4169671B2 (ja) * | 2003-09-24 | 2008-10-22 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
JP2005109360A (ja) | 2003-10-01 | 2005-04-21 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ヘテロ接合太陽電池 |
JP2005243378A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Kyocera Corp | 光電変換装置 |
JP2006013028A (ja) | 2004-06-24 | 2006-01-12 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 化合物太陽電池及びその製造方法 |
US7989694B2 (en) | 2004-12-06 | 2011-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion element, solar battery, and photo sensor |
EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
US20070277875A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Kishor Purushottam Gadkaree | Thin film photovoltaic structure |
US20070277874A1 (en) | 2006-05-31 | 2007-12-06 | David Francis Dawson-Elli | Thin film photovoltaic structure |
US20090139558A1 (en) | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Shunpei Yamazaki | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
JP5286046B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-09-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の製造方法 |
EP2075850A3 (en) | 2007-12-28 | 2011-08-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof |
US8222516B2 (en) * | 2008-02-20 | 2012-07-17 | Sunpower Corporation | Front contact solar cell with formed emitter |
JP4829926B2 (ja) * | 2008-05-29 | 2011-12-07 | 本田技研工業株式会社 | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
JP5760334B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2015-08-05 | 大日本印刷株式会社 | 有機電子デバイス及びその製造方法 |
JP2011009419A (ja) * | 2009-06-25 | 2011-01-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 太陽電池ユニットとその製造方法 |
US9214576B2 (en) * | 2010-06-09 | 2015-12-15 | Solarcity Corporation | Transparent conducting oxide for photovoltaic devices |
JP5894379B2 (ja) | 2010-06-18 | 2016-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置 |
JP2012023343A (ja) | 2010-06-18 | 2012-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及びその作製方法 |
JP5729935B2 (ja) | 2010-07-30 | 2015-06-03 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
JP2012032644A (ja) | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Fujifilm Corp | 放射線撮影装置 |
JP2012092002A (ja) | 2010-09-29 | 2012-05-17 | Sekisui Chem Co Ltd | スラリー組成物の製造方法 |
US20120211065A1 (en) | 2011-02-21 | 2012-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
KR20120095786A (ko) | 2011-02-21 | 2012-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전 변환 장치 |
KR20120095790A (ko) | 2011-02-21 | 2012-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 광전 변환 장치 |
US20120234392A1 (en) | 2011-03-17 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
US9159939B2 (en) | 2011-07-21 | 2015-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photoelectric conversion device |
JP2013058562A (ja) | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005005359A (ja) * | 2003-06-10 | 2005-01-06 | Takashi Katoda | 半導体を用いた電子デバイス |
JP2007500661A (ja) * | 2003-07-22 | 2007-01-18 | ハー ツェー シュタルク インコーポレイテッド | MoO2粉末の製造法、MoO2粉末から製造された製品、MoO2薄膜の付着およびこのような材料の使用方法 |
JP2006128154A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-05-18 | Takashi Katoda | 基板上に形成された金属酸化物層とその作製方法 |
JP2009231610A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Pioneer Electronic Corp | 有機太陽電池及び有機太陽電池の製造方法 |
JP2012507175A (ja) * | 2008-10-28 | 2012-03-22 | ザ・リージェンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・ミシガン | 赤色、緑色、および青色の副要素を有する積層白色oled |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013211397A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | p型半導体材料、および光電変換装置の作製方法 |
JP2016174154A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JP2017135421A (ja) * | 2015-03-17 | 2017-08-03 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
US10566483B2 (en) | 2015-03-17 | 2020-02-18 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
JP2017069567A (ja) * | 2015-10-01 | 2017-04-06 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池 |
JPWO2018043503A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2019-07-04 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
CN109643660A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-04-16 | 流慧株式会社 | p-型氧化物半导体及其制造方法 |
WO2018043503A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社Flosfia | p型酸化物半導体及びその製造方法 |
US11087977B2 (en) | 2016-08-31 | 2021-08-10 | Flosfia Inc | P-type oxide semiconductor and method for manufacturing same |
CN109643660B (zh) * | 2016-08-31 | 2024-03-05 | 株式会社Flosfia | p-型氧化物半导体及其制造方法 |
US10249776B2 (en) | 2017-01-20 | 2019-04-02 | Lg Electronics Inc. | Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof |
JP2018117125A (ja) * | 2017-01-20 | 2018-07-26 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 異種接合太陽電池及びその製造方法 |
JP2020098929A (ja) * | 2017-05-19 | 2020-06-25 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
JP7185818B2 (ja) | 2017-05-19 | 2022-12-08 | エルジー エレクトロニクス インコーポレイティド | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2023062846A1 (ja) * | 2021-10-15 | 2023-04-20 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光電変換素子及び撮像装置 |
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