JP2018052749A5 - - Google Patents
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- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 claims 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims 1
Claims (7)
- ドナーとアクセプターが共にドープされた基板であって、
前記基板の外周部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差が中央部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差よりも小さく、かつ、
前記外周部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差が、３．０×１０１９／ｃｍ３より小さく、
前記外周部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差より、前記中央部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差の方が、１．０×１０ １９ ／ｃｍ ３ より大きいｎ型ＳｉＣ単結晶基板。 - 前記外周部におけるドナー濃度とアクセプター濃度の差が２．０×１０１９／ｃｍ３より小さい請求項１に記載のｎ型ＳｉＣ単結晶基板。
- 前記ドナーは窒素（Ｎ）であり、前記アクセプターがアルミニウム（Ａｌ）又はホウ素（Ｂ）である請求項１又は２のいずれかに記載のｎ型ＳｉＣ単結晶基板。
- 請求項１〜３のいずれか一項に記載のｎ型ＳｉＣ単結晶基板上に、ＳｉＣエピタキシャル膜が形成されたＳｉＣエピタキシャルウェハ。
- 前記ｎ型ＳｉＣ単結晶基板の積層欠陥密度が５ｃｍ−１以下である請求項４に記載のエピタキシャルウェハ。
- 請求項１〜３のいずれか一項に記載のｎ型ＳｉＣ単結晶基板の製造方法であって、
昇華再結晶法によって、種結晶の一面にドナーとアクセプターとを共ドープしながらＳｉＣ単結晶を積層する結晶成長工程を有し、
前記結晶成長工程の少なくとも一部において結晶成長面を凸形状に維持するｎ型ＳｉＣ単結晶基板の製造方法。 - 前記結晶成長工程後に、１０００℃以上、２０００℃以下の熱負荷工程を行う請求項６に記載のｎ型ＳｉＣ単結晶基板の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016186907A JP6757955B2 (ja) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | ｎ型ＳｉＣ単結晶基板及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハ |
| PCT/JP2017/034499 WO2018056438A1 (ja) | 2016-09-26 | 2017-09-25 | ｎ型ＳｉＣ単結晶基板及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハ |
| US16/333,269 US10892334B2 (en) | 2016-09-26 | 2017-09-25 | n-Type SiC single crystal substrate, method for producing same and SiC epitaxial wafer |
| DE112017004799.4T DE112017004799B4 (de) | 2016-09-26 | 2017-09-25 | n-Typ-SiC-Einkristallsubstrat, Verfahren zur Herstellung desselben und SiC-Epitaxiewafer |
| CN201780057496.8A CN109715867B (zh) | 2016-09-26 | 2017-09-25 | n型SiC单晶基板及其制造方法以及SiC外延晶片 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016186907A JP6757955B2 (ja) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | ｎ型ＳｉＣ単結晶基板及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018052749A JP2018052749A (ja) | 2018-04-05 |
| JP2018052749A5 true JP2018052749A5 (ja) | 2019-05-30 |
| JP6757955B2 JP6757955B2 (ja) | 2020-09-23 |
Family
ID=61690505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016186907A Active JP6757955B2 (ja) | 2016-09-26 | 2016-09-26 | ｎ型ＳｉＣ単結晶基板及びその製造方法、並びにＳｉＣエピタキシャルウェハ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10892334B2 (ja) |
| JP (1) | JP6757955B2 (ja) |
| CN (1) | CN109715867B (ja) |
| DE (1) | DE112017004799B4 (ja) |
| WO (1) | WO2018056438A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6806554B2 (ja) * | 2016-12-19 | 2021-01-06 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の検査方法 |
| JP7173312B2 (ja) * | 2019-05-16 | 2022-11-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| KR102340110B1 (ko) * | 2019-10-29 | 2021-12-17 | 주식회사 쎄닉 | 탄화규소 잉곳, 웨이퍼 및 이의 제조방법 |
| CN115003866B (zh) * | 2020-01-29 | 2024-05-03 | 住友电气工业株式会社 | 碳化硅外延衬底及碳化硅半导体器件的制造方法 |
| TWI766775B (zh) * | 2020-07-27 | 2022-06-01 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶圓的製造方法以及半導體結構 |
| JP7183358B1 (ja) * | 2021-08-04 | 2022-12-05 | 昭和電工株式会社 | ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法 |
| CN113913930A (zh) * | 2021-09-30 | 2022-01-11 | 瀚天天成电子科技（厦门）有限公司 | 一种具有n型缓冲层的外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020189536A1 (en) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Bridgestone Corporation | Silicon carbide single crystal and production thereof |
| JP4162923B2 (ja) * | 2001-06-22 | 2008-10-08 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
| JP5068423B2 (ja) * | 2004-10-13 | 2012-11-07 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴット、炭化珪素単結晶ウェハ及びその製造方法 |
| JP4964672B2 (ja) | 2007-05-23 | 2012-07-04 | 新日本製鐵株式会社 | 低抵抗率炭化珪素単結晶基板 |
| JP4469396B2 (ja) | 2008-01-15 | 2010-05-26 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶インゴット、これから得られる基板及びエピタキシャルウェハ |
| JP4697235B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2011-06-08 | トヨタ自動車株式会社 | ｐ型ＳｉＣ半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたｐ型ＳｉＣ半導体単結晶 |
| JP2010064918A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Showa Denko Kk | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶ウェーハ及び炭化珪素単結晶半導体パワーデバイス |
| SE537049C2 (sv) | 2008-12-08 | 2014-12-16 | Ii Vi Inc | Process och apparat för tillväxt via axiell gradienttransport (AGT) nyttjande resistiv uppvärmning |
| JP2011093771A (ja) | 2009-11-02 | 2011-05-12 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶、炭化ケイ素単結晶基板、および炭化ケイ素単結晶の製造方法 |
| JP5304713B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2013-10-02 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ |
| JP5839315B2 (ja) | 2010-07-30 | 2016-01-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶およびその製造方法 |
| JP2014187113A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | 気相成長装置および気相成長方法 |
| JP6152981B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2017-06-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶 |
| JP6082111B2 (ja) | 2014-02-27 | 2017-02-15 | 京セラ株式会社 | 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法 |
| JP2016186907A (ja) | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 三菱製紙株式会社 | 導電性材料の製造方法 |
-
2016
- 2016-09-26 JP JP2016186907A patent/JP6757955B2/ja active Active
-
2017
- 2017-09-25 DE DE112017004799.4T patent/DE112017004799B4/de active Active
- 2017-09-25 WO PCT/JP2017/034499 patent/WO2018056438A1/ja active Application Filing
- 2017-09-25 US US16/333,269 patent/US10892334B2/en active Active
- 2017-09-25 CN CN201780057496.8A patent/CN109715867B/zh active Active
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