JP2019216249A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 半導体層（複数）から形成された光を吸収する２つ以上のセルを有する多接合光起電デバイスであって、
   シリコンゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウム錫の材料からなり、前記シリコンゲルマニウムまたはシリコンゲルマニウム錫はガリウム砒素に格子整合されている第１のセルと、
   シリコンゲルマニウム錫からなり、前記シリコンゲルマニウム錫はガリウム砒素に格子整合されている第２のセルと、
   ガリウム砒素からなる第３のセルと、
   ガリウム砒素に格子整合されたインジウムガリウム燐からなる第４のセルと、
   ガリウム砒素に格子整合されたアルミニウムガリウム砒素またはアルミニウムインジウムガリウム砒素からなる第５のセルと、
   を備えることを特徴とする多接合光起電デバイス。
2. 請求項１に記載の多接合光起電デバイスにおいて、
   ガリウム砒素の基板を備え、前記セルの前記半導体層（複数）は、前記基板の上に格子整合されていることを特徴とする多接合光起電デバイス。
3. 請求項１又は請求項２に記載の多接合光起電デバイスにおいて、
   ガリウム砒素に格子整合された基板を備え、前記半導体層（複数）は、前記基板の上にあって前記基板に格子整合されていることを特徴とする多接合光起電デバイス。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多接合光起電デバイスにおいて、
   前記第１のセルはシリコンゲルマニウムからなることを特徴とする多接合光起電デバイス。
5. 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多接合光起電デバイスにおいて、
   前記光起電デバイスは、太陽電池セルであることを特徴とする多接合光起電デバイス。
6. 多接合光起電デバイスを製造する方法であって、
   ガリウム砒素の基板またはガリウム砒素に格子整合された他の材料を準備するステップと、
   シリコンゲルマニウムまたは前記基板に格子整合されたシリコンゲルマニウム錫からなる第１のセルを成長させるステップと、
   前記第１のセルに格子整合されたシリコンゲルマニウム錫からなる第２のセルを成長させるステップと、
   ガリウム砒素からなる第３のセルを成長させるステップと、
   前記ガリウム砒素に格子整合されたインジウムガリウム燐からなる第４のセルを成長させるステップと、
   前記ガリウム砒素に格子整合されたアルミニウムガリウム砒素またはアルミニウムインジウムガリウム砒素からなる第５のセルを成長させるステップと、
   を備えることを特徴とする方法。
7. 請求項６に記載の方法において、
   ２つの隣接する前記セルの間に少なくともさらにもう１つの層を設けるステップを備え、当該少なくともさらにもう１つの層は、ガリウム砒素に格子整合されていることを特徴とする方法。
8. 請求項６又は請求項７に記載の方法において、
   前記基板を除去するステップを備えることを特徴とする方法。
9. 請求項６乃至８のいずれか１項に記載の方法において、
   前記第１のセルはシリコンゲルマニウム材料からなることを特徴とする方法。