JP2014222716A5 - - Google Patents
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(実験2)
実験1における初期層22・複層23の炭素濃度が1×10 19 cm-3、Si濃度が1×1016cm-3、ドーピング層21の炭素濃度が5×1019cm-3、Si濃度が1×1018cm-3である素子(試料3に相当)を基準とし、バッファ層2全体厚さに対するドーピング層21の厚さを下記表2に示す各試料の割合に変更し、それ以外については実験1の試料3と同様にして各素子を作製し、評価を行った。
これらの評価結果を表2にまとめて示す。
実験1における初期層22・複層23の炭素濃度が1×10 19 cm-3、Si濃度が1×1016cm-3、ドーピング層21の炭素濃度が5×1019cm-3、Si濃度が1×1018cm-3である素子(試料3に相当)を基準とし、バッファ層2全体厚さに対するドーピング層21の厚さを下記表2に示す各試料の割合に変更し、それ以外については実験1の試料3と同様にして各素子を作製し、評価を行った。
これらの評価結果を表2にまとめて示す。
(実験4)
実験1の試料3を基準とし、バッファ層2におけるドーピング層21の配置を、図1に示すように最上層とした場合(試料28)、図3(c)に示すように最下層とした場合(試料29)、図3(b)に示すように中間層とした場合(試料30)の各素子を、ドーピング層21の配置以外については実験1の試料3と同様にして作製し、評価を行った。
これらの評価結果を表3にまとめて示す。
実験1の試料3を基準とし、バッファ層2におけるドーピング層21の配置を、図1に示すように最上層とした場合(試料28)、図3(c)に示すように最下層とした場合(試料29)、図3(b)に示すように中間層とした場合(試料30)の各素子を、ドーピング層21の配置以外については実験1の試料3と同様にして作製し、評価を行った。
これらの評価結果を表3にまとめて示す。
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- 2014-05-02 GB GB1407750.7A patent/GB2514918B/en active Active
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