JP2014222716A5 - - Google Patents

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(実験2)
実験1における初期層22・複層23の炭素濃度が1×10 19 cm-3、Si濃度が1×1016cm-3、ドーピング層21の炭素濃度が5×1019cm-3、Si濃度が1×1018cm-3である素子(試料3に相当)を基準とし、バッファ層2全体厚さに対するドーピング層21の厚さを下記表2に示す各試料の割合に変更し、それ以外については実験1の試料3と同様にして各素子を作製し、評価を行った。
これらの評価結果を表2にまとめて示す。
(実験4)
実験1の試料3を基準とし、バッファ層2におけるドーピング層21の配置を、図1に示すように最上層とした場合(試料28)、図(c)に示すように最下層とした場合(試料29)、図(b)に示すように中間層とした場合(試料30)の各素子を、ドーピング層21の配置以外については実験1の試料3と同様にして作製し、評価を行った。
これらの評価結果を表3にまとめて示す。
Figure 2014222716
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6244769B2 (ja) * 2013-09-19 2017-12-13 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US9608103B2 (en) 2014-10-02 2017-03-28 Toshiba Corporation High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride
JP2016100471A (ja) * 2014-11-21 2016-05-30 住友電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6398678B2 (ja) * 2014-12-11 2018-10-03 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US10217641B2 (en) * 2015-01-20 2019-02-26 International Business Machines Corporation Control of current collapse in thin patterned GaN
JP6499481B2 (ja) * 2015-03-17 2019-04-10 古河機械金属株式会社 Iii族窒化物半導体基板の製造方法
JP6239017B2 (ja) * 2015-03-31 2017-11-29 クアーズテック株式会社 窒化物半導体基板
JP6552925B2 (ja) * 2015-09-04 2019-07-31 株式会社東芝 半導体装置
CN106025026B (zh) * 2016-07-15 2018-06-19 厦门乾照光电股份有限公司 一种用于发光二极管的AlN缓冲层及其制作方法
TWI703726B (zh) * 2016-09-19 2020-09-01 新世紀光電股份有限公司 含氮半導體元件
JPWO2019069364A1 (ja) * 2017-10-03 2019-11-14 三菱電機株式会社 高周波動作窒化物系電界効果トランジスタ
US10825895B2 (en) * 2018-12-12 2020-11-03 Coorstek Kk Nitride semiconductor substrate
JP6850383B2 (ja) * 2020-03-09 2021-03-31 株式会社東芝 半導体基板及び半導体装置
JP2023026838A (ja) * 2021-08-16 2023-03-01 株式会社東芝 窒化物半導体、半導体装置及び窒化物半導体の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005129856A (ja) * 2003-10-27 2005-05-19 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体電子デバイス
JP2005286135A (ja) 2004-03-30 2005-10-13 Eudyna Devices Inc 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP5064824B2 (ja) * 2006-02-20 2012-10-31 古河電気工業株式会社 半導体素子
JP4462330B2 (ja) * 2007-11-02 2010-05-12 住友電気工業株式会社 Iii族窒化物電子デバイス
JP5499441B2 (ja) 2008-04-01 2014-05-21 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN102460664B (zh) * 2009-05-11 2014-08-13 同和电子科技有限公司 电子器件用外延衬底及其制造方法
JP4685953B2 (ja) * 2009-07-17 2011-05-18 Dowaエレクトロニクス株式会社 横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法
JP2010045416A (ja) * 2009-11-25 2010-02-25 Sumitomo Electric Ind Ltd Iii族窒化物電子デバイス
JP5711001B2 (ja) * 2011-02-17 2015-04-30 新日本無線株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
JP5788296B2 (ja) * 2011-02-22 2015-09-30 コバレントマテリアル株式会社 窒化物半導体基板及びその製造方法
JP2012243886A (ja) * 2011-05-18 2012-12-10 Sharp Corp 半導体装置
JP2013004681A (ja) 2011-06-15 2013-01-07 Mitsubishi Electric Corp 窒化物半導体装置の製造方法
JP5546514B2 (ja) 2011-09-20 2014-07-09 古河電気工業株式会社 窒化物半導体素子及び製造方法
JP5912383B2 (ja) 2011-10-03 2016-04-27 クアーズテック株式会社 窒化物半導体基板
JPWO2014108946A1 (ja) * 2013-01-10 2017-01-19 パナソニックIpマネジメント株式会社 電界効果トランジスタ

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