JP6398678B2 - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6398678B2 JP6398678B2 JP2014250794A JP2014250794A JP6398678B2 JP 6398678 B2 JP6398678 B2 JP 6398678B2 JP 2014250794 A JP2014250794 A JP 2014250794A JP 2014250794 A JP2014250794 A JP 2014250794A JP 6398678 B2 JP6398678 B2 JP 6398678B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- concentration
- donor
- semiconductor device
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 181
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 19
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 15
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 4
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/207—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds further characterised by the doping material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66446—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET]
- H01L29/66462—Unipolar field-effect transistors with an active layer made of a group 13/15 material, e.g. group 13/15 velocity modulation transistor [VMT], group 13/15 negative resistance FET [NERFET] with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
- H01L29/7786—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with direct single heterostructure, i.e. with wide bandgap layer formed on top of active layer, e.g. direct single heterostructure MIS-like HEMT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
最初に、窒化物半導体を用いた半導体装置として窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタについて図1に基づき説明する。図1(a)に示される構造の電界効果型トランジスタは、シリコン基板910の上に、不図示の核形成層、バッファ層921、電子走行層931、電子供給層932が形成されている。電子供給層932の上には、ゲート電極941、ソース電極942、ドレイン電極943が形成されている。
次に、本実施の形態における半導体装置について説明する。本実施の形態における半導体装置は、図3(a)に示されるように、シリコン基板10の上に、不図示の核形成層、バッファ層21、電子走行層31、電子供給層32が形成されている。電子供給層32の上には、ゲート電極41、ソース電極42、ドレイン電極43が形成されている。シリコン基板10には、Si(111)基板が用いられており、核形成層は、膜厚が約150nmのAlN等により形成されている。
電流コラプス発生率={(Idb−Ida)/Ida}×100
により得られる値である。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態における半導体装置の製造方法は、基板となるシリコン基板10の上に、窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることにより形成する。本実施の形態における説明では、窒化物半導体層は、MOCVDにより形成する場合について説明する。窒化物半導体層をMOCVDにより成膜する際には、Alの原料ガスにはTMA(トリメチルアルミニウム)が用いられ、Gaの原料ガスにはTMG(トリメチルガリウム)が用いられ、Nの原料ガスにはNH3(アンモニア)が用いられる。また、Siをドープする際には、原料ガスとしてSiH4を供給する。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図11に示されるように、電子走行層31等にドープされるSiの濃度が、電子供給層32と電子走行層31との界面近傍が最も高く、界面より離れ深くなるに伴い、徐々に低くなるようにドープされている。Cが電流コラプスに与える影響は、電子供給層32と電子走行層31との界面から離れるに伴い徐々に弱くなる。このため、電子供給層32と電子走行層31との界面近傍においてSiの濃度を高くし、この界面より離れ深くなるに伴い、Siの濃度が徐々に低くなるようにドープする。これにより、必要な分だけSiをドープし、電流コラプス現象の発生を効果的に抑制している。尚、本実施の形態においては、電子供給層32と電子走行層31との界面近傍におけるSiの濃度が約2×1017cm−3となるように、ドープされている。
次に、第3の実施の形態について説明する。本実施の形態は、図12に示されるように、電子走行層31等にドープされるCの濃度が、深さ方向において濃度分布を有している場合において、ドープされるSiの濃度もCの濃度に対応して深さ方向に濃度分布を有している。このように、Siが深さ方向に濃度分布を有するようにドープされている電子走行層31等を形成知るためには、電子走行層31等に含まれているCの濃度分布の変化に対応して、MOCVD装置のチャンバー内に供給されるSiH4の供給量を変化させて形成する。
次に、第4の実施の形態について説明する。本実施の形態は、GaNバッファ層が形成されている構造の半導体装置である。具体的には、本実施の形態における半導体装置は、図13(a)に示されるように、シリコン基板10の上に、不図示の核形成層、バッファ層21、GaNバッファ層130、電子走行層131、電子供給層32が形成されている。本実施の形態においては、GaNバッファ層130は、膜厚が約1μmのGaN膜により形成されており、電子走行層131は、膜厚が約300nmのGaN膜により形成されている。これにより、電子走行層131と電子供給層32との界面近傍における電子走行層131には、2DEG131aが生成される。尚、半導体バッファ層であるGaNバッファ層130と電子走行層131とを併せたものが、電子走行層と記載される場合もある。
次に、第5の実施の形態について説明する。本実施の形態は、Si基板に代えてSiC基板を基板として用いた半導体装置である。SiCとSiとは格子定数が異なるため、形成される第1のバッファ層の構造が異なる。
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態における半導体装置の製造方法は、基板となるSiC基板210の上に、窒化物半導体層をエピタキシャル成長させることにより形成する。本実施の形態における説明では、窒化物半導体層は、MOCVDにより形成する場合について説明する。窒化物半導体層をMOCVDにより成膜する際には、Alの原料ガスにはTMAが用いられ、Gaの原料ガスにはTMGが用いられ、Nの原料ガスにはNH3が用いられる。また、Siをドープする際には、原料ガスとしてSiH4を供給する。
次に、第6の実施の形態について説明する。本実施の形態は、半導体デバイス、電源装置及び高周波増幅器である。
(付記1)
基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に、化合物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に、化合物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記第1の半導体層には、アクセプタとなる不純物元素とドナーとなる不純物元素とが含まれており、アクセプタとなる不純物元素の濃度であるアクセプタ濃度と、ドナーとなる不純物元素の濃度であるドナー濃度は、前記第1の半導体層において、
アクセプタ濃度>ドナー濃度であり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3であることを特徴とする半導体装置。
(付記2)
基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に、化合物半導体により形成された半導体バッファ層と、
前記半導体バッファ層の上に、化合物半導体により形成された第1の半導体層と、
前記第1の半導体層の上に、化合物半導体により形成された第2の半導体層と、
前記第2の半導体層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記半導体バッファ層には、アクセプタとなる不純物元素とドナーとなる不純物元素とが含まれており、アクセプタとなる不純物元素の濃度であるアクセプタ濃度と、ドナーとなる不純物元素の濃度であるドナー濃度は、前記半導体バッファ層において、
アクセプタ濃度>ドナー濃度であり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3であることを特徴とする半導体装置。
(付記3)
前記第1の半導体層においては、アクセプタ濃度<5×1016cm−3であることを特徴とする付記2に記載の半導体装置。
(付記4)
前記半導体バッファ層と前記第1の半導体層とは、同じ組成の半導体材料により形成されていることを特徴とする付記2または3に記載の半導体装置。
(付記5)
前記バッファ層には、アクセプタとなる不純物元素とドナーとなる不純物元素とが含まれており、前記バッファ層においては、
アクセプタ濃度>ドナー濃度であり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3であることを特徴とする付記1から4のいずれかに記載の半導体装置。
(付記6)
前記ドナーとなる不純物元素の電子準位位置は、前記ドナーとなる不純物元素が含まれている化合物半導体の伝導帯の下端から0.3eV以下であることを特徴とする付記1から5のいずれかに記載の半導体装置。
(付記7)
前記アクセプタとなる不純物元素はCであり、前記ドナーとなる不純物元素はSiであることを特徴とする付記1から6のいずれかに記載の半導体装置。
(付記8)
前記ドナーとなる不純物元素の濃度は、前記基板側から前記第2の半導体層側に向かって、高くなっていることを特徴とする付記1から7のいずれかに記載の半導体装置。
(付記9)
前記バッファ層、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層は、窒化物半導体により形成されていることを特徴とする付記1から8のいずれかに記載の半導体装置。
(付記10)
ドナー濃度≧アクセプタ濃度/5であることを特徴とする付記1から9のいずれかに記載の半導体装置。
(付記11)
前記基板は、SiまたはSiCを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から10のいずれかに記載の半導体装置。
(付記12)
前記バッファ層は、AlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から11のいずれかに記載の半導体装置。
(付記13)
前記第1の半導体層は、GaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から12のいずれかに記載の半導体装置。
(付記14)
前記第2の半導体層は、AlGaNを含む材料により形成されていることを特徴とする付記1から13のいずれかに記載の半導体装置。
(付記15)
基板の上に、バッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上に、化合物半導体により第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に、化合物半導体により第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
前記第1の半導体層において、アクセプタとなる不純物元素の濃度であるアクセプタ濃度と、ドナーとなる不純物元素の濃度であるドナー濃度は、
アクセプタ濃度>ドナー濃度となり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3となるように、
ドナーとなる不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記16)
基板の上に、バッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上に、化合物半導体により半導体バッファ層を形成する工程と、
前記半導体バッファ層の上に、化合物半導体により第1の半導体層を形成する工程と、
前記第1の半導体層の上に、化合物半導体により第2の半導体層を形成する工程と、
前記第2の半導体層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
前記半導体バッファ層において、アクセプタとなる不純物元素の濃度であるアクセプタ濃度と、ドナーとなる不純物元素の濃度であるドナー濃度は、
アクセプタ濃度>ドナー濃度となり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3となるように、
ドナーとなる不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
(付記17)
付記1から14のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする電源装置。
(付記18)
付記1から14のいずれかに記載の半導体装置を有することを特徴とする増幅器。
21 バッファ層
31 電子走行層(第1の半導体層)
31a 2DEG
32 電子供給層(第2の半導体層)
41 ゲート電極
42 ソース電極
43 ドレイン電極
Claims (7)
- 基板の上に形成されたバッファ層と、
前記バッファ層の上に、化合物半導体により形成された電子走行層と、
前記電子走行層の上に、化合物半導体により形成された電子供給層と、
前記電子供給層の上に形成されたゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、
を有し、
前記電子走行層には、アクセプタとなる不純物元素とドナーとなる不純物元素とが含まれており、アクセプタとなる不純物元素の濃度であるアクセプタ濃度と、ドナーとなる不純物元素の濃度であるドナー濃度は、前記電子走行層において、
アクセプタ濃度>ドナー濃度であり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3であることを特徴とする半導体装置。 - 前記バッファ層には、アクセプタとなる不純物元素とドナーとなる不純物元素とが含まれており、前記バッファ層においては、
アクセプタ濃度>ドナー濃度であり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記ドナーとなる不純物元素の電子準位位置は、前記ドナーとなる不純物元素が含まれている化合物半導体の伝導帯の下端から0.3eV以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記アクセプタとなる不純物元素はCであり、前記ドナーとなる不純物元素はSiであることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ドナーとなる不純物元素の濃度は、前記基板側から前記電子供給層側に向かって、高くなっていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記バッファ層、前記電子走行層及び前記電子供給層は、窒化物半導体により形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体装置。
- 基板の上に、バッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上に、化合物半導体により電子走行層を形成する工程と、
前記電子走行層の上に、化合物半導体により電子供給層を形成する工程と、
前記電子供給層の上に、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
を有し、
前記電子走行層において、アクセプタとなる不純物元素の濃度であるアクセプタ濃度と、ドナーとなる不純物元素の濃度であるドナー濃度は、
アクセプタ濃度>ドナー濃度となり、
ドナー濃度≧5×1016cm−3となるように、
ドナーとなる不純物元素がドープされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014250794A JP6398678B2 (ja) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
US14/922,524 US9548365B2 (en) | 2014-12-11 | 2015-10-26 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014250794A JP6398678B2 (ja) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016115705A JP2016115705A (ja) | 2016-06-23 |
JP6398678B2 true JP6398678B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=56111972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014250794A Expired - Fee Related JP6398678B2 (ja) | 2014-12-11 | 2014-12-11 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9548365B2 (ja) |
JP (1) | JP6398678B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6790682B2 (ja) * | 2016-09-29 | 2020-11-25 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置、電源装置、及び増幅器 |
JPWO2019069364A1 (ja) * | 2017-10-03 | 2019-11-14 | 三菱電機株式会社 | 高周波動作窒化物系電界効果トランジスタ |
WO2019131546A1 (ja) * | 2017-12-28 | 2019-07-04 | ローム株式会社 | 窒化物半導体装置 |
US11031493B2 (en) * | 2018-06-05 | 2021-06-08 | Indian Institute Of Science | Doping and trap profile engineering in GaN buffer to maximize AlGaN/GaN HEMT EPI stack breakdown voltage |
US10741494B2 (en) * | 2018-11-07 | 2020-08-11 | Semiconductor Components Industries, Llc | Electronic device including a contact structure contacting a layer |
CN115101585B (zh) * | 2022-08-22 | 2022-11-15 | 江西兆驰半导体有限公司 | 氮化镓基高电子迁移率晶体管及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5870574B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-03-01 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
WO2014108946A1 (ja) * | 2013-01-10 | 2014-07-17 | パナソニック株式会社 | 電界効果トランジスタ |
JP5787417B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2015-09-30 | コバレントマテリアル株式会社 | 窒化物半導体基板 |
US9245991B2 (en) * | 2013-08-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor device, high electron mobility transistor (HEMT) and method of manufacturing |
JP6175009B2 (ja) * | 2014-02-06 | 2017-08-02 | 住友化学株式会社 | 高耐圧窒化ガリウム系半導体デバイス及びその製造方法 |
-
2014
- 2014-12-11 JP JP2014250794A patent/JP6398678B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-10-26 US US14/922,524 patent/US9548365B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160172478A1 (en) | 2016-06-16 |
US9548365B2 (en) | 2017-01-17 |
JP2016115705A (ja) | 2016-06-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5784440B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP6161246B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5987288B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5990976B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6017248B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5784441B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6398678B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2015053328A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014072431A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014072429A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015060987A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2014183125A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013074069A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2015070064A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US10964805B2 (en) | Compound semiconductor device | |
JP2014072426A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2013197315A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2017085062A (ja) | 半導体装置、電源装置、増幅器及び半導体装置の製造方法 | |
JP2017085057A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP6244769B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2020072218A (ja) | 化合物半導体装置、高周波増幅器及び電源装置 | |
JP6515633B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US11201235B2 (en) | Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier | |
JP6376257B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7103145B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電源装置及び増幅器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170804 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6398678 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |