JP2014072533A5 - - Google Patents
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Claims (11)
- コランダム型結晶構造を有する下地基板上に、コランダム型結晶構造を有する半導体層と、コランダム型結晶構造を有する絶縁膜とを、この順序で又はこの逆の順序で備え、
前記半導体層が、コランダム型の結晶構造を持つ材料として、酸化ガリウム又はその混晶を含むことを特徴とする半導体装置、又は結晶。 - 半導体層に、α型Ｉｎ Ｘ１ Ａｌ Ｙ１ Ｇａ Ｚ１ Ｏ ３ （０≦Ｘ１≦２、０≦Ｙ１≦２、０．１≦Ｚ１≦２、Ｘ１＋Ｙ１＋Ｚ１＝１．５〜２．５）膜を有する請求項１記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記下地基板上に、前記半導体層と前記絶縁膜とをこの順序で備える請求項１または２に記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記下地基板上に、前記半導体層と前記絶縁膜とを、この逆の順序で備える請求項１または２に記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記絶縁膜が、α型Ａｌ Ｙ２ Ｇａ Ｚ２ Ｏ ３ （０≦Ｙ２≦２、０≦Ｚ２≦２、Ｙ２＋Ｚ２＝１．５〜２．５）膜である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記下地基板、前記半導体層及び前記絶縁膜は、それぞれの格子定数差が１５％以内である請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記下地基板、前記半導体層及び前記絶縁膜の少なくともいずれかの層が、異なる組成の結晶で構成されている請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記下地基板と前記半導体層との間に、コランダム型結晶構造を有する結晶性応力緩和層を有している請求項１〜７のいずれかに記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記結晶性応力緩和層が、１層以上から形成され、かつ前記下地基板側から前記半導体層側に向かってＡｌ量を徐々に低減させたα型Ａｌ Ｘ３ Ｇａ Ｙ３ Ｏ ３ （０≦Ｘ３≦２、０≦Ｙ３≦２、Ｘ３＋Ｙ３＝１．５〜２．５）膜を有する請求項８記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記半導体層と前記絶縁膜との間に、前記半導体層の結晶材料と前記絶縁膜の結晶材料で使用されている元素の少なくとも一部の元素を含む結晶を有するキャップ層または構造相転移防止層を有している請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置、又は結晶。
- 前記キャップ層または構造相転移防止層が、１層以上から形成され、かつ前記半導体層側から前記絶縁膜側に向かってＡｌ量を徐々に大きくしたα型Ａｌ Ｘ４ Ｇａ Ｙ４ Ｏ ３ （０≦Ｘ４≦２、０≦Ｙ４≦２、Ｘ４＋Ｙ４＝１．５〜２．５）膜を有する請求項１０記載の半導体装置、又は結晶。
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