JP2015017027A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- インジウム原子及びガリウム原子の一方又は両方を含むコランダム構造酸化物結晶を備え、
前記酸化物結晶は、少なくとも、結晶格子の格子点間の隙間にアルミニウム原子を含有する、半導体装置、又は結晶構造体。 - 前記酸化物結晶の結晶格子の格子点上に存在するアルミニウム原子の原子比は、前記酸化物結晶中のインジウム原子とガリウム原子の合計に対して０より大きく且つ２．９％以下である請求項１に記載の半導体装置、又は結晶構造体。
- インジウム原子及びガリウム原子の一方又は両方を含むコランダム構造酸化物結晶を備え、
前記酸化物結晶は、アルミニウム原子を含有し、
前記酸化物結晶がアルミニウム原子を含有する場合のｃ軸長が、前記酸化物結晶がアルミニウム原子を含有しない場合のｃ軸長よりも大きい、半導体装置、又は結晶構造体。 - 前記酸化物結晶のコランダム構造を形成する格子点上の原子の組成は、ＩｎＸＡｌＹＧａＺＯ３（０≦Ｘ≦２、０≦Ｙ≦２、０≦Ｚ≦２、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．５〜２．５であり、０＜Ｘ又は０＜Ｚである。）からなる、請求項１〜請求項３の何れか１つに記載の半導体装置、又は結晶構造体。
- ０＜Ｙである、請求項４に記載の半導体装置、又は結晶構造体。
- 前記酸化物結晶上に、直接または緩衝層を介して１軸に配向したIII族窒化物薄膜を備える、請求項１〜請求項５の何れか１つに記載の半導体装置、又は結晶構造体。
- インジウム化合物及びガリウム化合物の一方又は両方と、アルミニウム化合物をそれぞれ溶媒に溶解した同一又は別々の原料溶液を一緒に又は別々に微粒子化して生成される原料微粒子を成膜室に供給してコランダム構造酸化物結晶を形成する結晶形成工程を備え、前記アルミニウム化合物は、ハロゲン化アルミニウムを含む、半導体装置の製造方法、又は結晶構造体の製造方法。
- 前記結晶形成工程において前記成膜室内の温度が３００〜１５００℃である、請求項７に記載の方法。
- 前記結晶形成工程において前記成膜室内の温度が５５０℃以上である、請求項７又は請求項８に記載の方法。
- 前記結晶形成工程後に、前記酸化物結晶を４００℃以上に加熱する加熱工程をさらに備える、請求項７〜請求項９の何れか１つに記載の方法。
- 前記酸化物結晶上に、直接または緩衝層を介して１軸に配向したIII族窒化物薄膜を形成する窒化物薄膜形成工程をさらに備える、請求項７〜請求項１０の何れか１つに記載の方法。
- 前記III族窒化物薄膜は、成膜温度が８００℃以上である、請求項１１に記載の方法。
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