JP7061214B2 - 半導体積層体、半導体素子および半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体積層体、半導体素子および半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7061214B2 JP7061214B2 JP2021043094A JP2021043094A JP7061214B2 JP 7061214 B2 JP7061214 B2 JP 7061214B2 JP 2021043094 A JP2021043094 A JP 2021043094A JP 2021043094 A JP2021043094 A JP 2021043094A JP 7061214 B2 JP7061214 B2 JP 7061214B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal oxide
- oxide semiconductor
- buffer layer
- semiconductor film
- crystalline metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
図1、図2はそれぞれ、本発明に係る半導体積層体の構造の一形態を示す図である。本発明に係る結晶性金属酸化物半導体膜を有する半導体積層体(以下、単に「半導体積層体」と呼称する場合もある)100、200は、基本的に、基体101、201と、バッファ層112、212と、結晶性金属酸化物半導体膜103、203とを含み、基体101、201の主表面の上に形成されたバッファ層112、212と、さらにその上に形成された結晶性金属酸化物半導体膜103、203で構成されている。
基体101、201は、結晶物を主成分として含んでいれば特に限定されず、公知の基板であってよい。絶縁体であってもよいし、導電体であってもよいし、半導体であってもよいし、単結晶であってもよいし、多結晶であっても良い。また、基体に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素がアルミニウムである基体を用いることが好ましい。なかでも、品質およびコストの面から、サファイアウェハを用いるのが好ましい。
バッファ層112、212は、図1のように基体101上へ直接形成されても良いし、別の層を介して形成されても良い。別の層として、例えば、結晶性金属酸化物半導体膜を基体から分離するための剥離層を導入する場合などでは、図2のように剥離層204上へ形成されていてもよい。
バッファ層112、212は、それぞれ組成の異なる複数のバッファ膜102a、102b、102c、202a、202b、202cの積層構造体となっている。バッファ膜はそれぞれが異なる組成を有するものとする。より好ましくは、後述する結晶性金属酸化物半導体膜103、203に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素、または、バッファ層112、212の下地に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素を含んでいるのが良い。もちろん、結晶性金属酸化物半導体膜103、203の主成分金属元素とバッファ層112、212の下地の主成分金属元素の両方を含んでいても良い。ここで、バッファ層112、212の下地の主成分金属元素とは、図1の形態では基体101の主成分金属元素を、また図2の形態では剥離層204の主成分金属元素を指す。
結晶性金属酸化物半導体膜103、203の主成分は、コランダム構造を取る結晶性金属酸化物であれば特に限定されず、例えば、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、鉄、ガリウム、ロジウム、インジウム、イリジウムのいずれかを含む結晶性金属酸化物を主成分とすることができる。結晶性金属酸化物半導体膜103、203に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素はガリウムであることがより好ましい。具体的には、Al2O3、Ti2O3、V2O3、Cr2O3、Fe2O3、Ga2O3、Rh2O3、In2O3、Ir2O3であり、本発明においては特にGa2O3であるのが好ましい。Ga2O3は、バンドギャップが大きく、様々な半導体素子としての応用が期待できるからである。また上記の金属元素から選ばれる2元素をA、Bとした場合に(AxB1-x)2O3(0<x<1)で表される2元系の金属酸化物や、あるいは、上記の金属元素から選ばれる3元素をA、B、Cとした場合に(AxByC1-x-y)2O3(0<x<1、0<y<1)で表される3元系の金属酸化物とすることもできる。
また、上記したような、本発明に係る半導体積層体を用い、半導体積層体における、少なくともバッファ層と結晶性金属酸化物半導体膜を有する半導体素子を提供することができる。このような半導体素子は、基体を含むものであっても、基体が除去されたものであっても良い。本発明に係る半導体素子は、結晶欠陥の導入が低減され、さらにクラックや反りが抑制された、高品質な結晶性金属酸化物半導体膜を用いるものであり、高品質な半導体素子である。半導体素子の応用例(具体例)については、後で詳しく説明する。
本発明に係る半導体積層体の製造方法は特に限定されない。結晶性金属酸化物半導体膜の種類や、適用する半導体素子に応じて、基体、バッファ層を適宜選択し、基体上に成膜を行うことで、半導体積層体を得ることができる。成膜方法は特に限定されず、プラズマCVD、LPCVD(減圧CVD)、APCVD(大気圧CVD)、ミストCVD、HVPE、スパッタ、イオンプレーティングなど公知の幅広い手法により実現できる。
また、基体の主表面の上に、直接又は別の層を介してバッファ層を形成する。バッファ層は、それぞれ異なる組成を有するとともに200nm以上650nm以下の厚さのバッファ膜を2層以上含むように製膜することにより、形成する。バッファ層を構成する複数層のバッファ膜のすべてを、厚さ200nm以上650nm以下として製膜することが好ましい。このバッファ層の上に、コランダム構造を有する結晶性金属酸化物半導体膜を形成し、本発明に係る半導体積層体を得る。その後に、さらに、結晶性金属酸化物半導体膜の上に電極を形成することで、半導体素子を製造する。このとき、基体と、バッファ層と、結晶性金属酸化物半導体膜を含む半導体積層体をそのまま用いることもできるし、基体を除去してバッファ層と結晶性金属酸化物半導体膜を残したり、基体とバッファ層を除去して、結晶性金属酸化物半導体膜のみを残したりしてもよい。このようにして、結晶欠陥の導入が低減され、さらにクラックや反りが抑制された高品質な結晶性金属酸化物半導体膜を用いた、高性能な半導体素子を製造することができる。
上記のような結晶性金属酸化物半導体膜を有する半導体積層体は、欠陥密度が低減され、電気特性に優れており、工業的に有用なものである。このような結晶性金属酸化物半導体膜を有する半導体積層体は、様々な半導体素子等に好適に用いることができ、とりわけ、パワーデバイスに有用である。
ミストCVD装置を用いて、以下のように半導体積層体を作製した。2台の噴霧器(噴霧器A、噴霧器B)と石英製の管状反応炉を用意し、両噴霧器を石英管で接続し、さらにそこから石英管を枝出しして反応器と接続した。
各バッファ膜の膜厚を200nm(実施例2)、650nm(実施例3)としたこと以外は実施例1と同様に半導体積層体を作製した。作製した半導体膜は、X線回折測定により、α-Ga2O3であることが確認された。この後、実施例1と同様の評価を行った。
各バッファ膜の膜厚を150nm(比較例1)、700nm(比較例2)としたこと以外は実施例1と同様に半導体積層体を作製した。作製した半導体膜は、X線回折測定により、α-Ga2O3であることが確認された。この後、実施例1と同様の評価を行った。
1層目と2層目のバッファ膜の膜厚を150nmとしたこと以外は実施例1と同様に半導体積層体を作製した。作製した半導体膜は、X線回折測定により、α-Ga2O3であることが確認された。この後、実施例1と同様の評価を行った。
1層目、2層目および3層目のバッファ膜の膜厚を150nmとしたこと以外は実施例1と同様に半導体積層体を作製した。作製した半導体膜は、X線回折測定により、α-Ga2O3であることが確認された。この後、実施例1と同様の評価を行った。
101、201…基体、
102a、102b、102c、202a、202b、202c…バッファ膜、
103、203…結晶性金属酸化物半導体膜、 112、212…バッファ層、
204…剥離層、
300…ショットキーバリアダイオード(SBD)、
301a…n-型半導体層、 301b…n+型半導体層、
302…ショットキー電極、 303…オーミック電極、
400…高電子移動度トランジスタ(HEMT)、
401…バンドギャップの広いn型半導体層、
402…バンドギャップの狭いn型半導体層、
403…n+型半導体層、 404…半絶縁体層、 405…緩衝層、
406…ゲート電極、 407…ソース電極、 408…ドレイン電極、
500…金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)、
501…n-型半導体層、 502、503…n+型半導体層、
504…ゲート絶縁膜、 505…ゲート電極、
506…ソース電極、 507…ドレイン電極、
600…絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)、
601…n型半導体層、 602…n-型半導体層、
603…n+型半導体層、 604…p型半導体層、
605…ゲート絶縁膜、 606…ゲート電極、
607…エミッタ電極、 608…コレクタ電極、
700…発光ダイオード(LED)、
701…第1の電極、 702…n型半導体層、 703…発光層、
704…p型半導体層、 705…透光性電極、 706…第2の電極。
Claims (11)
- 少なくとも、基体と、バッファ層と、少なくとも1種の金属元素を含みコランダム構造を有する結晶性金属酸化物半導体膜とを含み、
前記基体の主表面の上に直接または別の層を介して前記バッファ層を有し、前記バッファ層の上に前記結晶性金属酸化物半導体膜を有する半導体積層体であって、
前記結晶性金属酸化物半導体膜は単結晶膜であり、
前記バッファ層は、組成がそれぞれ異なる複数のバッファ膜の積層構造体であり、
前記複数のバッファ膜のうちの少なくとも2層のバッファ膜の膜厚が、200nm以上650nm以下であり、
前記バッファ膜は、前記結晶性金属酸化物半導体膜に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素を含み、
前記バッファ層は、該バッファ層の前記基体側から前記結晶性金属酸化物半導体膜側に向かうにつれて、前記結晶性金属酸化物半導体膜の前記主成分金属元素の組成比が大きくなるように前記複数のバッファ膜が積層した積層構造体であり、
前記基体はコランダム構造を有するものであることを特徴とする半導体積層体。 - 少なくとも、基体と、バッファ層と、少なくとも1種の金属元素を含みコランダム構造を有する結晶性金属酸化物半導体膜とを含み、
前記基体の主表面の上に直接または別の層を介して前記バッファ層を有し、前記バッファ層の上に前記結晶性金属酸化物半導体膜を有する半導体積層体であって、
前記結晶性金属酸化物半導体膜は単結晶膜であり、
前記バッファ層は、組成がそれぞれ異なる複数のバッファ膜の積層構造体であり、
前記複数のバッファ膜の膜厚は、すべて200nm以上650nm以下であり、
前記バッファ膜は、前記結晶性金属酸化物半導体膜に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素を含み、
前記バッファ層は、該バッファ層の前記基体側から前記結晶性金属酸化物半導体膜側に向かうにつれて、前記結晶性金属酸化物半導体膜の前記主成分金属元素の組成比が大きくなるように前記複数のバッファ膜が積層した積層構造体であり、
前記基体はコランダム構造を有するものであることを特徴とする半導体積層体。 - 前記バッファ膜は、前記バッファ層の下地に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか一項に記載の半導体積層体。
- 前記バッファ層は、該バッファ層の前記基体側から前記結晶性金属酸化物半導体膜側に向かうにつれて、前記バッファ層の下地の前記主成分金属元素の組成比が小さくなるように前記複数のバッファ膜が積層した積層構造体であることを特徴とする請求項3に記載の半導体積層体。
- 前記バッファ層の下地は前記基体であり、前記基体の前記主成分金属元素はアルミニウムであることを特徴とする請求項3又は請求項4のいずれか一項に記載の半導体積層体。
- 前記結晶性金属酸化物半導体膜の前記主成分金属元素はガリウムであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか一項に記載の半導体積層体。
- 前記結晶性金属酸化物半導体膜の膜厚は1μm以上であることを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の半導体積層体。
- 前記基体の主表面の面積は10cm2以上であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体積層体。
- 請求項1から8のいずれかに記載の半導体積層体における、少なくとも前記バッファ層と前記結晶性金属酸化物半導体膜を備えることを特徴とする半導体素子。
- 少なくとも結晶性金属酸化物半導体膜と電極とを有する半導体素子の製造方法であって、
コランダム構造を有する基体の主表面の上に、バッファ層として、前記結晶性金属酸化物半導体膜に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素を含み、それぞれ異なる組成を有するとともに200nm以上650nm以下の厚さのバッファ膜を2層以上含む、複数層のバッファ膜を、前記バッファ層の前記基体側から前記結晶性金属酸化物半導体膜側に向かうにつれて、前記結晶性金属酸化物半導体膜の前記主成分金属元素の組成比が大きくなるように形成する工程と、
前記バッファ層の上に、コランダム構造を有し、単結晶膜である結晶性金属酸化物半導体膜を形成する工程と、
少なくとも前記結晶性金属酸化物半導体膜の上に電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 少なくとも結晶性金属酸化物半導体膜と電極とを有する半導体素子の製造方法であって、
コランダム構造を有する基体の主表面の上に、バッファ層として、前記結晶性金属酸化物半導体膜に含まれる金属元素のうち、最も多く含まれる主成分金属元素を含み、それぞれ異なる組成を有するとともに200nm以上650nm以下の厚さのバッファ膜を、前記バッファ層の前記基体側から前記結晶性金属酸化物半導体膜側に向かうにつれて、前記結晶性金属酸化物半導体膜の前記主成分金属元素の組成比が大きくなるように、複数層形成する工程と、
前記バッファ層の上に、コランダム構造を有し、単結晶膜である結晶性金属酸化物半導体膜を形成する工程と、
少なくとも前記結晶性金属酸化物半導体膜の上に電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020237003593A KR20230048008A (ko) | 2020-08-06 | 2021-06-18 | 반도체 적층체, 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조방법 |
CN202180057772.7A CN116157550A (zh) | 2020-08-06 | 2021-06-18 | 半导体层叠体、半导体元件及半导体元件的制造方法 |
PCT/JP2021/023252 WO2022030114A1 (ja) | 2020-08-06 | 2021-06-18 | 半導体積層体、半導体素子および半導体素子の製造方法 |
US18/018,913 US20230245883A1 (en) | 2020-08-06 | 2021-06-18 | Semiconductor laminate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device |
EP21854515.0A EP4194592A4 (en) | 2020-08-06 | 2021-06-18 | SEMICONDUCTOR LAMINATE, SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT |
JP2022021858A JP7346626B2 (ja) | 2020-08-06 | 2022-02-16 | 半導体積層体 |
JP2023144667A JP2023169231A (ja) | 2020-08-06 | 2023-09-06 | 半導体積層体 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020133535 | 2020-08-06 | ||
JP2020133535 | 2020-08-06 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022021858A Division JP7346626B2 (ja) | 2020-08-06 | 2022-02-16 | 半導体積層体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022031108A JP2022031108A (ja) | 2022-02-18 |
JP7061214B2 true JP7061214B2 (ja) | 2022-04-27 |
Family
ID=80324889
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021043094A Active JP7061214B2 (ja) | 2020-08-06 | 2021-03-17 | 半導体積層体、半導体素子および半導体素子の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7061214B2 (ja) |
TW (1) | TW202223144A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014072533A (ja) | 2013-10-10 | 2014-04-21 | Roca Kk | 半導体装置 |
JP2019033142A (ja) | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 高知県公立大学法人 | 深紫外発光素子およびその製造方法 |
CN110504343A (zh) | 2018-05-18 | 2019-11-26 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法和应用 |
-
2021
- 2021-03-17 JP JP2021043094A patent/JP7061214B2/ja active Active
- 2021-08-04 TW TW110128683A patent/TW202223144A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014072533A (ja) | 2013-10-10 | 2014-04-21 | Roca Kk | 半導体装置 |
JP2019033142A (ja) | 2017-08-04 | 2019-02-28 | 高知県公立大学法人 | 深紫外発光素子およびその製造方法 |
CN110504343A (zh) | 2018-05-18 | 2019-11-26 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于蓝宝石衬底的氧化镓薄膜及其生长方法和应用 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JINNO, Riena, 他,Applied Physics Express,日本,2016年06月01日,vol.9,p.071101-1 - p.071101-4,http://doi.org/10.7567/APEX.9.071101 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022031108A (ja) | 2022-02-18 |
TW202223144A (zh) | 2022-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7352226B2 (ja) | 結晶性半導体膜および半導体装置 | |
JP6904517B2 (ja) | 結晶性酸化物半導体膜およびその製造方法 | |
JP7220257B2 (ja) | 積層体、半導体装置、ミストcvd装置及び成膜方法 | |
JP2022172066A (ja) | 結晶性酸化物半導体膜および半導体装置 | |
JP7061214B2 (ja) | 半導体積層体、半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
WO2022030114A1 (ja) | 半導体積層体、半導体素子および半導体素子の製造方法 | |
JP6230196B2 (ja) | 結晶性半導体膜および半導体装置 | |
JP6478425B2 (ja) | 結晶性半導体膜および半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210614 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210614 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210614 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210817 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210924 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20211124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220216 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220216 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220225 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220301 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220329 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7061214 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |