JP5446148B2 - 炭化珪素半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5446148B2 JP5446148B2 JP2008173426A JP2008173426A JP5446148B2 JP 5446148 B2 JP5446148 B2 JP 5446148B2 JP 2008173426 A JP2008173426 A JP 2008173426A JP 2008173426 A JP2008173426 A JP 2008173426A JP 5446148 B2 JP5446148 B2 JP 5446148B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- silicon carbide
- carbide semiconductor
- nisi
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
ところが、前述のアニールを行うと、Ni膜上にAlなどの異種材料を接合させた場合、その接合強度が著しく低下することがある。これはアニールにより、Ni膜11とSiC基板1間で以下の反応が進み、図2の従来のSiCウエハの断面図に示すように、遊離カーボン(C)12がNi膜11表面に析出するためである。以降、何も加工されていないSiC基板のみを表す場合は、SiC基板、SiC基板に酸化膜や拡散層や金属膜の形成などの加工が施されているSiC基板をSiCウエハと称する。
(式1)
2Ni + SiC → Ni2Si + C (1)
また、アニール温度を1200℃以上のような過度の高温にすると、接触抵抗が増加すると言う問題も生じる。この問題は遊離カーボン膜12が増加することに起因する現象である。その理由は、前記(1)式における遊離カーボン膜12の比抵抗は1350〜1900μΩcmとNi2Si膜5aの数10μΩcmより2桁も高いからである。
(式2)
2Ni + Ti + SiC → Ni2Si + TiC (2)
この界面反応を起こさせることにより、前記図2で問題となる遊離カーボン膜12を低減できるので、Ni膜上に積層される異種材料との接合強度が増加する。また、図10によれば、遊離カーボン膜12の代わりにTiC膜13が形成されるが、このTiC膜13の比抵抗は180μΩcmと遊離カーボン膜12より1桁低く、接触抵抗を低減することができる。他の対策として、(1)式における遊離カーボン膜12を除去するために、アニール後にアセトンなどの有機溶剤中で超音波洗浄を行うこともある。また、アニール後に過酸化水素水と硫酸の混合液によるウェットエッチングにより遊離カーボン膜12を除去した後、表面に形成される酸化膜をバッファードフッ酸により除去する方法もある。さらに、アニール後に酸素プラズマに暴露させ、遊離カーボン膜12を灰化させる方法もある。
2 保護酸化膜
3 フォトレジスト
4、4a、4b、4c、4d コンタクトホール
5 Niシリサイド膜
5a Ni2Si膜
5b スパッタによるNi0.5Si0.5の組成Niシリサイド膜
5c Ni0.5Si0.5組成の合金板
6、6a、6b ビームソース
7 Arイオンビーム
8a、8b DCマグネトロンスパッタ
10a 台座
11 Ni膜
12 カーボン膜
13 TiC膜
100 SiCウエハ。
Claims (5)
- 炭化珪素半導体基板を真空中で最表面から0.12nm以上の深さまでエッチングし、続いて、組成をNixSi1−xで表した場合、0.3<x<0.7となるようなNiとSiの比率で、NiとSiを前記炭化珪素半導体基板のエッチング面上に堆積してNiシリサイド層を成膜する工程を有することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記Niシリサイド膜が少なくともx=0.5であるNiSi膜を含んでいることを特徴とする請求項1記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 炭化珪素半導体基板と、別途形成されたNiとSiの組成比率が1対1に近いNiSi合金板とを真空中に挿入し、前記炭化珪素半導体基板とNiSi合金板との表面をそれぞれArイオンビームエッチングし、続いてエッチングした両表面を真空中で、常温、1MPa以上の圧力で接触させて炭化珪素半導体基板とNiSi合金板とを貼り付けることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記NiSi合金板を真空中に挿入する前の該合金板の表面が表面粗さRMS<0.5nmに研磨されていることを特徴とする請求項3記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記Arイオンビームエッチングを300秒以上行うことを特徴とする請求項3記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008173426A JP5446148B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008173426A JP5446148B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010016102A JP2010016102A (ja) | 2010-01-21 |
JP5446148B2 true JP5446148B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=41701956
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008173426A Expired - Fee Related JP5446148B2 (ja) | 2008-07-02 | 2008-07-02 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5446148B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130056844A (ko) | 2010-04-14 | 2013-05-30 | 스미토모덴키고교가부시키가이샤 | 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP6387375B2 (ja) | 2016-07-19 | 2018-09-05 | 株式会社サイコックス | 半導体基板 |
US10388533B2 (en) * | 2017-06-16 | 2019-08-20 | Applied Materials, Inc. | Process integration method to tune resistivity of nickel silicide |
US11043383B2 (en) | 2018-05-28 | 2021-06-22 | Infineon Technologies Ag | Electrical contact connection on silicon carbide substrate |
US11965236B2 (en) | 2018-07-17 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | Method of forming nickel silicide materials |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61150271A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | Sharp Corp | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
JPS6233443A (ja) * | 1985-08-07 | 1987-02-13 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3079851B2 (ja) * | 1993-09-28 | 2000-08-21 | 富士電機株式会社 | 炭化けい素電子デバイスの製造方法 |
JP3979551B2 (ja) * | 1998-02-23 | 2007-09-19 | 株式会社エフオーアイ | 半導体装置 |
DE19954866A1 (de) * | 1999-11-15 | 2001-05-31 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Behandlung einer durch Epitaxie hergestellten Oberfläche eines SiC-Halbleiterkörpers und danach hergestellten Schottkykontakt |
JP4857698B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2012-01-18 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP4140648B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2008-08-27 | 住友電気工業株式会社 | SiC半導体用オーミック電極、SiC半導体用オーミック電極の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-07-02 JP JP2008173426A patent/JP5446148B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010016102A (ja) | 2010-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4999400B2 (ja) | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 | |
JP5446148B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5449786B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP5061506B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2011171551A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8778197B2 (en) | Graphene windows, methods for making same, and devices containing same | |
JP2012204652A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2006166419A (ja) | 圧電薄膜共振子及びその製造方法 | |
TW201230181A (en) | Process for cleaving a substrate | |
CN108364861A (zh) | 制造半导体装置的方法 | |
JP5629570B2 (ja) | グラフェン膜と金属電極とが電気的接合した回路装置 | |
JP5369581B2 (ja) | 半導体デバイス用裏面電極、半導体デバイスおよび半導体デバイス用裏面電極の製造方法 | |
JP5282382B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置、その製造方法および炭化珪素デバイス | |
CN107785250B (zh) | 碳化硅基肖特基接触制作方法及肖特基二极管制造方法 | |
WO2019103893A1 (en) | Method and assembly for ohmic contact in thinned silicon carbide devices | |
Lee et al. | Low resistivity ohmic contacts on 4H-silicon carbide for high power and high temperature device applications | |
JP2011146662A (ja) | SiC半導体素子の製造方法 | |
US9105558B2 (en) | Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP2007141950A (ja) | 炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2005277240A (ja) | 炭化珪素半導体のオーミック電極及びその製造方法 | |
JP2006310372A (ja) | 半導体装置および、その製造方法 | |
JP6395299B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子及び炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
CN102832238A (zh) | 一种具有欧姆接触保护层的碳化硅器件及其制作方法 | |
JP5561343B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP6156814B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110516 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130829 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131216 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5446148 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |