JP2017524250A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017524250A5 JP2017524250A5 JP2017502984A JP2017502984A JP2017524250A5 JP 2017524250 A5 JP2017524250 A5 JP 2017524250A5 JP 2017502984 A JP2017502984 A JP 2017502984A JP 2017502984 A JP2017502984 A JP 2017502984A JP 2017524250 A5 JP2017524250 A5 JP 2017524250A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- item
- semiconductor device
- items
- target substrate
- struts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 97
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 56
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 22
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 16
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229920001721 Polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 5
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N Aluminium antimonide Chemical compound [Sb]#[Al] LVQULNGDVIKLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N Indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 claims 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 18
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 description 10
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 101700040933 gpa-10 Proteins 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
Description
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスの前記頂面との間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの裏面をプラズマ（例えば、大気プラズマ）に暴露するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
を含む、方法。
（項目２）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスと前記目標基板の前記受容基板との間の結合を向上させる、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面を清浄化する、項目１または２に記載の方法。
（項目４）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面から酸化物の薄い層を除去する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目５）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目６）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目７）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目８）
前記プラズマは、還元ガスを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目９）
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面からの前記半導体デバイスの剪断および剥離を防止するように、デューティサイクル、滞留時間、前記プラズマの出力、および前記半導体デバイスまでの前記プラズマの距離のうちの少なくとも１つを制御するステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０）
前記半導体デバイスの前記裏面は、金属を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１）
前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
前記目標基板の前記受容表面は、少なくとも部分的に金属を含む、項目１０に記載の方法。
（項目１３）
前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、項目１２に記載の方法。
（項目１４）
整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプおよび弾性スタンプのうちの少なくとも１つを備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１５）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを取り上げるステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１６）
前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離するステップは、少なくとも５ｇ（例えば、５〜１００ｇ）の初期加速度で行われる、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離する前記ステップは、
（ｉ）前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを離して動かすことと、
（ｉｉ）前記整合可能転写デバイスから前記ネイティブ基板を離して動かすことと、
のうちの一方または両方を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８）
前記整合可能転写デバイスは、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱のうちの少なくとも１つを備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１９）
前記整合可能転写デバイスは、複数の支柱を伴う転写デバイス層を備え、前記支柱のそれぞれは、前記ネイティブ基板からの個別半導体デバイスに接触するように成形され、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に半導体デバイスのアレイを組み立てる、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２０）
前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱のうちの２つの隣接する支柱の間に位置する、１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備える、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
前記抗−沈下支柱は、前記支柱のうちの１つまたはそれを上回るものの高さより小さい高さを有する、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
前記複数の支柱のうちの各支柱の間の前記転写デバイスの表面は、粗面である、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３）
前記転写デバイスのバルク体積は、第１の材料を含み、前記複数の支柱は、第２の材料を含み、前記複数の支柱は、前記バルク体積上に配置される、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２４）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２５）
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供した後に、前記半導体デバイスと前記ネイティブ基板との間に形成される剥離層の少なくとも一部をエッチングするステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２６）
前記半導体デバイスは、一体無機半導体構造を備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７）
前記目標基板は、Ｓｉを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８）
前記半導体デバイスは、カプセル化ポリマー層を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９）
前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱と同一の高さの１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備え、各抗−沈下支柱は、前記複数の支柱のうちの少なくとも２つの支柱の間に位置する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３０）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３１）
前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、項目３０に記載の方法。
（項目３２）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴ってネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの前記ポリマー層を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記半導体デバイスが、前記整合可能転写デバイスの前記接触表面上に配置され、前記ネイティブ基板から解放されるように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させるステップと、
加熱要素によって、前記ポリマー層を加熱するステップと、
前記半導体デバイスが前記受容表面上に転写されるように、前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、を含む、方法。
（項目３４）
前記加熱要素は、ホットプレートである、項目３３に記載の方法。
（項目３５）
前記加熱要素は、前記半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、項目３３または３４に記載の方法。
（項目３６）
前記目標基板は、前記半導体デバイスに対して非ネイティブである、項目３３〜３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目３７）
前記ポリマー層を加熱するステップの後に、前記ポリマーを少なくとも部分的に除去するステップを含む、項目３３〜３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８）
前記加熱要素からの熱は、前記ポリマー層の粘度を低減させ、前記ポリマー層を流動させる、項目３３〜３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９）
前記ポリマー層は、前記半導体デバイスの前記頂面および前記半導体デバイスの１つまたはそれを上回る側面上に配置される、項目３３〜３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０）
前記ポリマー層は、前記ネイティブ基板上の印刷可能な半導体の少なくとも一部をカプセル化する、項目３３〜３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目４１）
前記目標基板の前記受容表面は、平面状でない局所表面を備える、項目３３〜４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目４２）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目３３〜４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目４３）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目３３〜４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４４）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、項目３３〜４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目４５）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、項目３３〜４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目４６）
前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、項目４５に記載の方法。
（項目４７）
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、項目３３〜４６のいずれか１項に記載の方法。
（項目４８）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップであって、前記半導体デバイスは、金属裏面を備える、ステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップであって、前記受容表面は、前記目標基板上に配置される金属パッド上にフラックス層を備える、ステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記半導体デバイスの前記金属裏面が前記フラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
前記フラックス層を熱に暴露し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップと、を含む、方法。
（項目４９）
前記フラックス層を熱処理するステップは、前記フラックス層を熱に暴露することを含む、項目４８に記載の方法。
（項目５０）
前記フラックス層は、加熱要素を使用して熱に暴露される、項目４８または４９に記載の方法。
（項目５１）
前記加熱要素は、ホットプレートである、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
前記加熱要素は、印刷可能な半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、項目５０に記載の方法。
（項目５３）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴って前記ネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供することを含む、項目４８〜５２のいずれか１項に記載の方法。
（項目５４）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目４８〜５３のいずれか１項に記載の方法。
（項目５５）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目４８〜５４のいずれか１項に記載の方法。
（項目５６）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、項目４８〜５５のいずれか１項に記載の方法。
（項目５７）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、
前記ネイティブ基板上に前記半導体デバイスを形成することと、
前記印刷可能半導体を少なくとも部分的にポリマー層でカプセル化することと、を含む、項目４８〜５６のいずれか１項に記載の方法。
（項目５８）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスは、ポリマー層でカプセル化される、項目４８〜５７のいずれか１項に記載の方法。
（項目５９）
前記目標基板の前記受容表面は、１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴を備える、項目４８〜５８のいずれか１項に記載の方法。
（項目６０）
前記１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴は、メサ、Ｖ字形チャネル、およびトレンチから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備える、項目４８〜５９のいずれか１項に記載の方法。
（項目６１）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、項目４８〜６０のいずれか１項に記載の方法。
（項目６２）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、項目６１に記載の方法。
（項目６３）
前記ネイティブ基板からの分離に続いて、かつ前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、項目４８〜６２のいずれか１項に記載の方法。
（項目６４）
低減されたクラウニングを伴う整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の側面とを有する、バルク体積であって、バルク面積は、前記側面を前記第１の表面に接続する先細表面を備える、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目６５）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目６４に記載のデバイス。
（項目６６）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目６４または６５に記載のデバイス。
（項目６７）
複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目６４〜６６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目６８）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目６４〜６７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目６９）
前記複数の印刷支柱の厚さと前記バルク体積の厚さとの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目６４〜６８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７０）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目６４〜６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７１）
前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目６４〜７０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７２）
前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目６４〜７１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７３）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目６４〜７２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７４）
前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目６４〜７３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７５）
前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目６４〜７４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７６）
前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目６４〜７５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７７）
前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、項目６４〜７６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７８）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目６４〜７７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７９）
前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目６４〜７８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８０）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目６４〜７９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８１）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目６４〜８０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８２）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８３）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８４）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８５）
複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）が配置される表面を伴うメサ構成を有する、エラストマー（例えば、ＰＤＭＳ）スラブ（例えば、バルク体積）を備える、整合可能転写デバイスであって、以下のうちの１つまたはそれを上回るもの［（ｉ）、（ｉｉ）、および／または（ｉｉｉ）のうちのいずれか］が当てはまる、すなわち、
（ｉ）前記メサの縁は、前記表面の歪曲を低減させ、前記複数の支柱の正確な間隔を可能にするよう、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、
（ｉｉ）前記複数の支柱は、前記縁から少なくとも１ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜２０ｍｍ）離れて前記表面上に配列される、
（ｉｉｉ）前記メサは、１０ｍｍ以下（例えば、１〜５ｍｍ）の厚さを有する、デバイス。
（項目８６）
前記メサの前記縁は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目８５に記載のデバイス。
（項目８７）
前記メサの前記縁は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目８５または８６に記載のデバイス。
（項目８８）
前記エラストマースラブが配置される基板（例えば、ガラス）を備える、項目８５〜８７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８９）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目８５〜８８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９０）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目８５〜８９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９１）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目８５〜９０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９２）
前記メサの厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目８５〜９１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９３）
前記複数の印刷支柱の厚さ対前記メサの厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目８５〜９２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９４）
前記メサは、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目８５〜９３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９５）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目８５〜９４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９６）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記メサは、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目８５〜９５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９７）
前記支柱は、１ＭＰａ〜５ＭＰａのヤング率を有する、項目８５〜９６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９８）
前記メサは、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目８５〜９７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目８５〜９８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１００）
前記支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目８５〜９９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目８５〜１００のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目８５〜１０１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０３）
前記メサは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目８５〜１０２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０４）
前記メサおよび前記支柱は、単一の材料から形成される、項目８５〜１０３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０５）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
前記バルク体積上に配置されるメサと、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積と反対の前記メサ上に配置される、複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）を備える、層であって、前記複数の支柱、前記メサ、および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、層と、を備える、転写デバイス。
（項目１０６）
前記メサの厚さは、前記支柱の厚さより大きい、項目１０５に記載のデバイス。
（項目１０７）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１０５または１０６に記載のデバイス。
（項目１０８）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１０５〜１０７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０９）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１０５〜１０８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１０）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１０５〜１０９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１１）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１０５〜１１０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１２）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１０５〜１１１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１３）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１０５〜１１２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１４）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１０５〜１１３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１５）
前記メサは、前記第１のヤング率を有する、項目１１４に記載のデバイス。
（項目１１６）
前記メサは、前記第２のヤング率を有する、項目１１４に記載のデバイス。
（項目１１７）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１０５〜１１６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１８）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１０５〜１１７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１９）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１０５〜１１８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２０）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１０５〜１１９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２１）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１０５〜１２０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２２）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１０５〜１２１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２３）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２４）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２５）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１０５〜１２４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２６）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２７）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２８）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２９）
クラウニングを低減させるように整合可能転写デバイスを修正する方法であって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の１つまたはそれを上回る側面とを有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、
を備える、転写デバイスを提供するステップと、
前記第１の表面に対してゼロではない角度で前記バルク基板の前記第１の表面の縁を切断し、それによって、前記縁におけるクラウニングを低減させるステップと、を含む、方法。
（項目１３０）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１２９に記載の方法。
（項目１３１）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１２９または１３０に記載の方法。
（項目１３２）
複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１２９〜１３１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１２９〜１３２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３４）
前記複数の印刷支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１２９〜１３３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１２９〜１３４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３６）
前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１２９〜１３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３７）
前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１２９〜１３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１２９〜１３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３９）
前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１２９〜１３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４０）
前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１２９〜１３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４１）
前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１２９〜１４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４２）
前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、項目１２９〜１４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１２９〜１４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４４）
前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目１２９〜１４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４５）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１２９〜１４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４６）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１２９〜１４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４７）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１４６に記載の方法。
（項目１４８）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１４６に記載の方法。
（項目１４９）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１４８に記載の方法。
（項目１５０）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、各支柱は、基礎区分と、最上区分とを備え、前記最上区分は、前記基礎区分の断面積より小さい（例えば、前記基礎区分の断面積の５０％、３０％、２５％、１０％未満である）断面積を有する、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目１５１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１５０に記載のデバイス。
（項目１５２）
支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）に及ぶ、項目１５０または１５１に記載のデバイス。
（項目１５３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１５０〜１５２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５４）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１５０〜１５３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１５０〜１５４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１５０〜１５５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１５０〜１５６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１５０〜１５７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１５０〜１５８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６０）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１５０〜１５９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１５０〜１６０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１５０〜１６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１５０〜１６２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６４）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１５０〜１６３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６５）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１５０〜１６４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６６）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１５０〜１６５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６７）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１６８）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１６９）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１７０）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１５０〜１６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７１）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱と、
印刷可能材料が前記複数の印刷支柱によって取り上げられるときに、前記バルク体積の前記第１の表面が沈下し、不注意に印刷可能材料を取り上げることを防止するために、前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の抗−沈下支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の抗−沈下支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目１７２）
前記複数の印刷支柱および前記複数の抗−沈下支柱は、前記複数の印刷支柱と前記複数の抗−沈下支柱との間に位置付けられる接続層上に配置される、項目１７１に記載のデバイス。
（項目１７３）
前記接続層は、薄い金属層を備える、項目１７２に記載のデバイス。
（項目１７４）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１７１〜１７３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７５）
前記印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１７１〜１７４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７６）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１７１〜１７５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７７）
前記印刷支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１７１〜１７６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７８）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１７１〜１７７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７９）
前記印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１７１〜１７８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８０）
前記印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１７１〜１７９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８１）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１７１〜１８０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８２）
前記印刷支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１７１〜１８１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８３）
前記印刷支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１７１〜１８２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８４）
前記印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１７１〜１８３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８５）
前記印刷支柱は、ポリマーを含む、項目１７１〜１８４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８６）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１７１〜１８５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８７）
前記バルク体積および前記印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目１７１〜１８６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８８）
前記抗−沈下支柱は、前記印刷支柱の間に散在させられる、項目１７１〜１８７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８９）
前記複数の抗−沈下支柱は、前記印刷支柱より大きい係数を有する、項目１７１〜１８８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９０）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１７１〜１８９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９１）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１７１〜１９０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９２）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１７１〜１９１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９３）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９４）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９５）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９６）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、前記複数の支柱によって占有されていない前記第１の表面の面積の一部は、粗面積を備える（それによって、抗−沈下する）、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。
（項目１９７）
前記粗面積は、複数の特徴を備え、各特徴は、各支柱の幅より小さい幅と、各支柱の高さより小さい高さとを有する、項目１９６に記載のデバイス。
（項目１９８）
前記粗面積は、前記支柱の間で前記第１の表面上に位置する、項目１９６または１９７に記載のデバイス。
（項目１９９）
前記粗面積は、特徴のパターン化されたアレイを備える、項目１９６〜１９８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２００）
前記粗面積は、特徴のランダムアレイを備える、項目１９６〜１９９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１９６〜２００のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０２）
支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１９６〜２０１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１９６〜２０２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０４）
前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１９６〜２０３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１９６〜２０４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１９６〜２０５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１９６〜２０６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１９６〜２０７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１９６〜２０８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１０）
前記支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートルの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１９６〜２０９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１９６〜２１０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１９６〜２１１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１３）
前記バルク体積は、ＰＤＭＳである、項目１９６〜２１２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１４）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１９６〜２１３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１５）
前記整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプである、項目１９６〜２１４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１６）
前記整合可能転写デバイスは、エラストマースタンプである、項目１９６〜２１５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１７）
前記エラストマースタンプは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製される、項目２１６に記載のデバイス。
（項目２１８）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１９６〜２１７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１９）
前記支柱は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１９６〜２１８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２０）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１９６〜２１９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２１）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２２）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２３）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２４）
整合可能転写デバイスであって、
第１の材料を備える、基部と、
第２の材料を備え、前記基部上に配置される、副基部（例えば、前記副基部は、前記基部より小さい断面積を有する）と、
前記基部および前記副基部と異なる材料を備え、少なくとも部分的に前記副基部上に（例えば、また、少なくとも部分的に前記基部に）配置される、バルク体積であって、前記副基部上に配置される前記バルク体積の一部の厚さは、前記副基部の厚さより小さい、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記副基部の反対および上方で前記バルク体積上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱、前記基部、前記副基部、および前記バルク体積は、前記副基部と反対の前記基部の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、複数の支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目２２５）
前記第１の材料は、ガラスを含む、項目２２４に記載のデバイス。
（項目２２６）
前記第１および第２の材料は、同一である、項目２２４または２２５に記載のデバイス。
（項目２２７）
前記バルク体積および前記複数の支柱は、単一の材料から形成される、項目２２４〜２２６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２８）
前記バルク体積は、ポリマーを含む、項目２２４〜２２７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２９）
前記第１の材料は、透明である、項目２２４〜２２８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３０）
前記第２の材料は、透明である、項目２２４〜２２９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記バルク体積と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目２２４〜２３０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３２）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目２２４〜２３１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目２２４〜２３２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３４）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目２２４〜２３３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目２２４〜２３４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目２２４〜２３５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１〜２３６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目２２４〜２３７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目２２４〜２３８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４０）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２２４〜２３９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目２２４〜２４０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目２２４〜２４１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目２２４〜２４２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４４）
前記バルク体積は、前記支柱より大きい係数を有する、項目２２４〜２４３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４５）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目２２４〜２４４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４６）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目２２４〜２４５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４７）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目２２４〜２４６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４８）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２４９）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２５０）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２５１）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積であって、前記バルク体積は、第１の組成を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記基部によって前記基部の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、各支柱の少なくとも一部（例えば、各支柱の全体または各支柱の最上部分）は、前記第１の組成と異なる第２の組成を有する、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。
（項目２５２）
各支柱の少なくとも一部は、前記第２の組成を有する、項目２５１に記載のデバイス。
（項目２５３）
前記バルク体積に最も近い各支柱の底部分は、前記第２の組成を有する、項目２５１または２５２に記載のデバイス。
（項目２５４）
前記第１の組成は、ポリマーを含む、項目２５１〜２５３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５５）
前記第２の組成は、ポリマーを含む、項目２５１〜２５４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５６）
前記第１の組成は、硬化剤を含む、項目２５１〜２５５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５７）
前記第２の組成は、硬化剤を含む、項目２５１〜２５６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５８）
前記基部は、ガラスである、項目２５１〜２５７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５９）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目２５１〜２５８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６０）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目２５１〜２５９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６１）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目２５１〜２６０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６２）
前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目２５１〜２６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６３）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目２５１〜２６２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６４）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目２５１〜２６３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６５）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目２５１〜２６４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６６）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目２５１〜２６５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６７）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目２５１〜２６６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６８）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２５１〜２６７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６９）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目２５１〜２６８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７０）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目２５１〜２６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７１）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目２５１〜２７０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７２）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目２５１〜２７１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７３）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２７２に記載のデバイス。
（項目２７４）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２７２に記載のデバイス。
（項目２７５）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２７２に記載のデバイス。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスの前記頂面との間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの裏面をプラズマ（例えば、大気プラズマ）に暴露するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
を含む、方法。
（項目２）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスと前記目標基板の前記受容基板との間の結合を向上させる、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面を清浄化する、項目１または２に記載の方法。
（項目４）
前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面から酸化物の薄い層を除去する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目５）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目６）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目７）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目８）
前記プラズマは、還元ガスを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目９）
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面からの前記半導体デバイスの剪断および剥離を防止するように、デューティサイクル、滞留時間、前記プラズマの出力、および前記半導体デバイスまでの前記プラズマの距離のうちの少なくとも１つを制御するステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１０）
前記半導体デバイスの前記裏面は、金属を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１１）
前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
前記目標基板の前記受容表面は、少なくとも部分的に金属を含む、項目１０に記載の方法。
（項目１３）
前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、項目１２に記載の方法。
（項目１４）
整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプおよび弾性スタンプのうちの少なくとも１つを備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１５）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを取り上げるステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１６）
前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離するステップは、少なくとも５ｇ（例えば、５〜１００ｇ）の初期加速度で行われる、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離する前記ステップは、
（ｉ）前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを離して動かすことと、
（ｉｉ）前記整合可能転写デバイスから前記ネイティブ基板を離して動かすことと、
のうちの一方または両方を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１８）
前記整合可能転写デバイスは、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱のうちの少なくとも１つを備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目１９）
前記整合可能転写デバイスは、複数の支柱を伴う転写デバイス層を備え、前記支柱のそれぞれは、前記ネイティブ基板からの個別半導体デバイスに接触するように成形され、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に半導体デバイスのアレイを組み立てる、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２０）
前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱のうちの２つの隣接する支柱の間に位置する、１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備える、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
前記抗−沈下支柱は、前記支柱のうちの１つまたはそれを上回るものの高さより小さい高さを有する、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
前記複数の支柱のうちの各支柱の間の前記転写デバイスの表面は、粗面である、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２３）
前記転写デバイスのバルク体積は、第１の材料を含み、前記複数の支柱は、第２の材料を含み、前記複数の支柱は、前記バルク体積上に配置される、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２４）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２５）
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供した後に、前記半導体デバイスと前記ネイティブ基板との間に形成される剥離層の少なくとも一部をエッチングするステップを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２６）
前記半導体デバイスは、一体無機半導体構造を備える、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２７）
前記目標基板は、Ｓｉを含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２８）
前記半導体デバイスは、カプセル化ポリマー層を含む、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目２９）
前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱と同一の高さの１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備え、各抗−沈下支柱は、前記複数の支柱のうちの少なくとも２つの支柱の間に位置する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３０）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３１）
前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、項目３０に記載の方法。
（項目３２）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、前記項目のいずれか１項に記載の方法。
（項目３３）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴ってネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの前記ポリマー層を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記半導体デバイスが、前記整合可能転写デバイスの前記接触表面上に配置され、前記ネイティブ基板から解放されるように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させるステップと、
加熱要素によって、前記ポリマー層を加熱するステップと、
前記半導体デバイスが前記受容表面上に転写されるように、前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、を含む、方法。
（項目３４）
前記加熱要素は、ホットプレートである、項目３３に記載の方法。
（項目３５）
前記加熱要素は、前記半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、項目３３または３４に記載の方法。
（項目３６）
前記目標基板は、前記半導体デバイスに対して非ネイティブである、項目３３〜３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目３７）
前記ポリマー層を加熱するステップの後に、前記ポリマーを少なくとも部分的に除去するステップを含む、項目３３〜３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目３８）
前記加熱要素からの熱は、前記ポリマー層の粘度を低減させ、前記ポリマー層を流動させる、項目３３〜３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目３９）
前記ポリマー層は、前記半導体デバイスの前記頂面および前記半導体デバイスの１つまたはそれを上回る側面上に配置される、項目３３〜３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目４０）
前記ポリマー層は、前記ネイティブ基板上の印刷可能な半導体の少なくとも一部をカプセル化する、項目３３〜３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目４１）
前記目標基板の前記受容表面は、平面状でない局所表面を備える、項目３３〜４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目４２）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目３３〜４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目４３）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目３３〜４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目４４）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、項目３３〜４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目４５）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、項目３３〜４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目４６）
前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、項目４５に記載の方法。
（項目４７）
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、項目３３〜４６のいずれか１項に記載の方法。
（項目４８）
目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップであって、前記半導体デバイスは、金属裏面を備える、ステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップであって、前記受容表面は、前記目標基板上に配置される金属パッド上にフラックス層を備える、ステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記半導体デバイスの前記金属裏面が前記フラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
前記フラックス層を熱に暴露し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップと、を含む、方法。
（項目４９）
前記フラックス層を熱処理するステップは、前記フラックス層を熱に暴露することを含む、項目４８に記載の方法。
（項目５０）
前記フラックス層は、加熱要素を使用して熱に暴露される、項目４８または４９に記載の方法。
（項目５１）
前記加熱要素は、ホットプレートである、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
前記加熱要素は、印刷可能な半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、項目５０に記載の方法。
（項目５３）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴って前記ネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供することを含む、項目４８〜５２のいずれか１項に記載の方法。
（項目５４）
前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、項目４８〜５３のいずれか１項に記載の方法。
（項目５５）
前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、項目４８〜５４のいずれか１項に記載の方法。
（項目５６）
前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、項目４８〜５５のいずれか１項に記載の方法。
（項目５７）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、
前記ネイティブ基板上に前記半導体デバイスを形成することと、
前記印刷可能半導体を少なくとも部分的にポリマー層でカプセル化することと、を含む、項目４８〜５６のいずれか１項に記載の方法。
（項目５８）
前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスは、ポリマー層でカプセル化される、項目４８〜５７のいずれか１項に記載の方法。
（項目５９）
前記目標基板の前記受容表面は、１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴を備える、項目４８〜５８のいずれか１項に記載の方法。
（項目６０）
前記１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴は、メサ、Ｖ字形チャネル、およびトレンチから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備える、項目４８〜５９のいずれか１項に記載の方法。
（項目６１）
前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、項目４８〜６０のいずれか１項に記載の方法。
（項目６２）
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、項目６１に記載の方法。
（項目６３）
前記ネイティブ基板からの分離に続いて、かつ前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、項目４８〜６２のいずれか１項に記載の方法。
（項目６４）
低減されたクラウニングを伴う整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の側面とを有する、バルク体積であって、バルク面積は、前記側面を前記第１の表面に接続する先細表面を備える、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目６５）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目６４に記載のデバイス。
（項目６６）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目６４または６５に記載のデバイス。
（項目６７）
複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目６４〜６６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目６８）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目６４〜６７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目６９）
前記複数の印刷支柱の厚さと前記バルク体積の厚さとの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目６４〜６８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７０）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目６４〜６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７１）
前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目６４〜７０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７２）
前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目６４〜７１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７３）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目６４〜７２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７４）
前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目６４〜７３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７５）
前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目６４〜７４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７６）
前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目６４〜７５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７７）
前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、項目６４〜７６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７８）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目６４〜７７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目７９）
前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目６４〜７８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８０）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目６４〜７９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８１）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目６４〜８０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８２）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８３）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８４）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目８１に記載のデバイス。
（項目８５）
複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）が配置される表面を伴うメサ構成を有する、エラストマー（例えば、ＰＤＭＳ）スラブ（例えば、バルク体積）を備える、整合可能転写デバイスであって、以下のうちの１つまたはそれを上回るもの［（ｉ）、（ｉｉ）、および／または（ｉｉｉ）のうちのいずれか］が当てはまる、すなわち、
（ｉ）前記メサの縁は、前記表面の歪曲を低減させ、前記複数の支柱の正確な間隔を可能にするよう、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、
（ｉｉ）前記複数の支柱は、前記縁から少なくとも１ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜２０ｍｍ）離れて前記表面上に配列される、
（ｉｉｉ）前記メサは、１０ｍｍ以下（例えば、１〜５ｍｍ）の厚さを有する、デバイス。
（項目８６）
前記メサの前記縁は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目８５に記載のデバイス。
（項目８７）
前記メサの前記縁は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目８５または８６に記載のデバイス。
（項目８８）
前記エラストマースラブが配置される基板（例えば、ガラス）を備える、項目８５〜８７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目８９）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目８５〜８８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９０）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目８５〜８９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９１）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目８５〜９０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９２）
前記メサの厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目８５〜９１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９３）
前記複数の印刷支柱の厚さ対前記メサの厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目８５〜９２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９４）
前記メサは、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目８５〜９３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９５）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目８５〜９４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９６）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記メサは、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目８５〜９５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９７）
前記支柱は、１ＭＰａ〜５ＭＰａのヤング率を有する、項目８５〜９６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９８）
前記メサは、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目８５〜９７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目９９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目８５〜９８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１００）
前記支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目８５〜９９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目８５〜１００のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目８５〜１０１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０３）
前記メサは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目８５〜１０２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０４）
前記メサおよび前記支柱は、単一の材料から形成される、項目８５〜１０３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０５）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
前記バルク体積上に配置されるメサと、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積と反対の前記メサ上に配置される、複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）を備える、層であって、前記複数の支柱、前記メサ、および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、層と、を備える、転写デバイス。
（項目１０６）
前記メサの厚さは、前記支柱の厚さより大きい、項目１０５に記載のデバイス。
（項目１０７）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１０５または１０６に記載のデバイス。
（項目１０８）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１０５〜１０７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１０９）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１０５〜１０８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１０）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１０５〜１０９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１１）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１０５〜１１０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１２）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１０５〜１１１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１３）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１０５〜１１２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１４）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１０５〜１１３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１５）
前記メサは、前記第１のヤング率を有する、項目１１４に記載のデバイス。
（項目１１６）
前記メサは、前記第２のヤング率を有する、項目１１４に記載のデバイス。
（項目１１７）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１０５〜１１６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１８）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１０５〜１１７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１１９）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１０５〜１１８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２０）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１０５〜１１９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２１）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１０５〜１２０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２２）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１０５〜１２１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２３）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２４）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２５）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１０５〜１２４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１２６）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２７）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２８）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１２５に記載のデバイス。
（項目１２９）
クラウニングを低減させるように整合可能転写デバイスを修正する方法であって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の１つまたはそれを上回る側面とを有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、
を備える、転写デバイスを提供するステップと、
前記第１の表面に対してゼロではない角度で前記バルク基板の前記第１の表面の縁を切断し、それによって、前記縁におけるクラウニングを低減させるステップと、を含む、方法。
（項目１３０）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１２９に記載の方法。
（項目１３１）
前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１２９または１３０に記載の方法。
（項目１３２）
複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１２９〜１３１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１２９〜１３２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３４）
前記複数の印刷支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１２９〜１３３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１２９〜１３４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３６）
前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１２９〜１３５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３７）
前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１２９〜１３６のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１２９〜１３７のいずれか１項に記載の方法。
（項目１３９）
前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１２９〜１３８のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４０）
前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１２９〜１３９のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４１）
前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１２９〜１４０のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４２）
前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、項目１２９〜１４１のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１２９〜１４２のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４４）
前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目１２９〜１４３のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４５）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１２９〜１４４のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４６）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１２９〜１４５のいずれか１項に記載の方法。
（項目１４７）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１４６に記載の方法。
（項目１４８）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１４６に記載の方法。
（項目１４９）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１４８に記載の方法。
（項目１５０）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、各支柱は、基礎区分と、最上区分とを備え、前記最上区分は、前記基礎区分の断面積より小さい（例えば、前記基礎区分の断面積の５０％、３０％、２５％、１０％未満である）断面積を有する、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目１５１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１５０に記載のデバイス。
（項目１５２）
支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）に及ぶ、項目１５０または１５１に記載のデバイス。
（項目１５３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１５０〜１５２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５４）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１５０〜１５３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１５０〜１５４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１５０〜１５５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１５０〜１５６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１５０〜１５７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１５９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１５０〜１５８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６０）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１５０〜１５９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１５０〜１６０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１５０〜１６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１５０〜１６２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６４）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１５０〜１６３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６５）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１５０〜１６４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６６）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１５０〜１６５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１６７）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１６８）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１６９）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１６５に記載のデバイス。
（項目１７０）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１５０〜１６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７１）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱と、
印刷可能材料が前記複数の印刷支柱によって取り上げられるときに、前記バルク体積の前記第１の表面が沈下し、不注意に印刷可能材料を取り上げることを防止するために、前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の抗−沈下支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の抗−沈下支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目１７２）
前記複数の印刷支柱および前記複数の抗−沈下支柱は、前記複数の印刷支柱と前記複数の抗−沈下支柱との間に位置付けられる接続層上に配置される、項目１７１に記載のデバイス。
（項目１７３）
前記接続層は、薄い金属層を備える、項目１７２に記載のデバイス。
（項目１７４）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１７１〜１７３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７５）
前記印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１７１〜１７４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７６）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１７１〜１７５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７７）
前記印刷支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１７１〜１７６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７８）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１７１〜１７７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１７９）
前記印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１７１〜１７８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８０）
前記印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１７１〜１７９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８１）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１７１〜１８０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８２）
前記印刷支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１７１〜１８１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８３）
前記印刷支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１７１〜１８２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８４）
前記印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１７１〜１８３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８５）
前記印刷支柱は、ポリマーを含む、項目１７１〜１８４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８６）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目１７１〜１８５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８７）
前記バルク体積および前記印刷支柱は、単一の材料から形成される、項目１７１〜１８６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８８）
前記抗−沈下支柱は、前記印刷支柱の間に散在させられる、項目１７１〜１８７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１８９）
前記複数の抗−沈下支柱は、前記印刷支柱より大きい係数を有する、項目１７１〜１８８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９０）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１７１〜１８９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９１）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１７１〜１９０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９２）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１７１〜１９１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目１９３）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９４）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９５）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目１９２に記載のデバイス。
（項目１９６）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、前記複数の支柱によって占有されていない前記第１の表面の面積の一部は、粗面積を備える（それによって、抗−沈下する）、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。
（項目１９７）
前記粗面積は、複数の特徴を備え、各特徴は、各支柱の幅より小さい幅と、各支柱の高さより小さい高さとを有する、項目１９６に記載のデバイス。
（項目１９８）
前記粗面積は、前記支柱の間で前記第１の表面上に位置する、項目１９６または１９７に記載のデバイス。
（項目１９９）
前記粗面積は、特徴のパターン化されたアレイを備える、項目１９６〜１９８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２００）
前記粗面積は、特徴のランダムアレイを備える、項目１９６〜１９９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目１９６〜２００のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０２）
支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目１９６〜２０１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目１９６〜２０２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０４）
前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目１９６〜２０３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目１９６〜２０４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目１９６〜２０５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１９６〜２０６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目１９６〜２０７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２０９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目１９６〜２０８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１０）
前記支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートルの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目１９６〜２０９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目１９６〜２１０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目１９６〜２１１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１３）
前記バルク体積は、ＰＤＭＳである、項目１９６〜２１２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１４）
前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、項目１９６〜２１３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１５）
前記整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプである、項目１９６〜２１４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１６）
前記整合可能転写デバイスは、エラストマースタンプである、項目１９６〜２１５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１７）
前記エラストマースタンプは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製される、項目２１６に記載のデバイス。
（項目２１８）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目１９６〜２１７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２１９）
前記支柱は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目１９６〜２１８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２０）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目１９６〜２１９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２１）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２２）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２３）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２２０に記載のデバイス。
（項目２２４）
整合可能転写デバイスであって、
第１の材料を備える、基部と、
第２の材料を備え、前記基部上に配置される、副基部（例えば、前記副基部は、前記基部より小さい断面積を有する）と、
前記基部および前記副基部と異なる材料を備え、少なくとも部分的に前記副基部上に（例えば、また、少なくとも部分的に前記基部に）配置される、バルク体積であって、前記副基部上に配置される前記バルク体積の一部の厚さは、前記副基部の厚さより小さい、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記副基部の反対および上方で前記バルク体積上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱、前記基部、前記副基部、および前記バルク体積は、前記副基部と反対の前記基部の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、複数の支柱と、を備える、転写デバイス。
（項目２２５）
前記第１の材料は、ガラスを含む、項目２２４に記載のデバイス。
（項目２２６）
前記第１および第２の材料は、同一である、項目２２４または２２５に記載のデバイス。
（項目２２７）
前記バルク体積および前記複数の支柱は、単一の材料から形成される、項目２２４〜２２６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２８）
前記バルク体積は、ポリマーを含む、項目２２４〜２２７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２２９）
前記第１の材料は、透明である、項目２２４〜２２８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３０）
前記第２の材料は、透明である、項目２２４〜２２９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３１）
前記複数の支柱のそれぞれは、前記バルク体積と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目２２４〜２３０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３２）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目２２４〜２３１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３３）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目２２４〜２３２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３４）
前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目２２４〜２３３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３５）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目２２４〜２３４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３６）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目２２４〜２３５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３７）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目１〜２３６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３８）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目２２４〜２３７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２３９）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目２２４〜２３８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４０）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２２４〜２３９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４１）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目２２４〜２４０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４２）
前記支柱は、ポリマーを含む、項目２２４〜２４１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４３）
前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、項目２２４〜２４２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４４）
前記バルク体積は、前記支柱より大きい係数を有する、項目２２４〜２４３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４５）
前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目２２４〜２４４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４６）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目２２４〜２４５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４７）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目２２４〜２４６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２４８）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２４９）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２５０）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２４７に記載のデバイス。
（項目２５１）
整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積であって、前記バルク体積は、第１の組成を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記基部によって前記基部の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、各支柱の少なくとも一部（例えば、各支柱の全体または各支柱の最上部分）は、前記第１の組成と異なる第２の組成を有する、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。
（項目２５２）
各支柱の少なくとも一部は、前記第２の組成を有する、項目２５１に記載のデバイス。
（項目２５３）
前記バルク体積に最も近い各支柱の底部分は、前記第２の組成を有する、項目２５１または２５２に記載のデバイス。
（項目２５４）
前記第１の組成は、ポリマーを含む、項目２５１〜２５３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５５）
前記第２の組成は、ポリマーを含む、項目２５１〜２５４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５６）
前記第１の組成は、硬化剤を含む、項目２５１〜２５５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５７）
前記第２の組成は、硬化剤を含む、項目２５１〜２５６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５８）
前記基部は、ガラスである、項目２５１〜２５７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２５９）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、項目２５１〜２５８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６０）
前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、項目２５１〜２５９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６１）
前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、項目２５１〜２６０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６２）
前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、項目２５１〜２６１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６３）
前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、項目２５１〜２６２のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６４）
前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、項目２５１〜２６３のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６５）
前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、項目２５１〜２６４のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６６）
前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、項目２５１〜２６５のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６７）
前記支柱は、１０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ （例えば、１０ｃｍ ２ 〜４０ｃｍ ２ 、４０ｃｍ ２ 〜８０ｃｍ ２ 、１２０ｃｍ ２ 〜１６０ｃｍ ２ 、１６０ｃｍ ２ 〜２００ｃｍ ２ 、２００ｃｍ ２ 〜２４０ｃｍ ２ 、または２４０ｃｍ ２ 〜２６０ｃｍ ２ ）から選択される面積を占有する、項目２５１〜２６６のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６８）
前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、項目２５１〜２６７のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２６９）
前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、項目２５１〜２６８のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７０）
前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、項目２５１〜２６９のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７１）
前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、項目２５１〜２７０のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７２）
前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、項目２５１〜２７１のいずれか１項に記載のデバイス。
（項目２７３）
前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、項目２７２に記載のデバイス。
（項目２７４）
前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、項目２７２に記載のデバイス。
（項目２７５）
前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、項目２７２に記載のデバイス。
Claims (22)
- 目標基板の受容表面上に複数の半導体デバイスを組み立てるための方法であって、前記方法は、
前記半導体デバイスの頂面上に配置されたポリマー層を伴う、ネイティブ基板上に形成された前記複数の半導体デバイスを提供することと、
各半導体デバイス上の前記ポリマー層を、整合可能転写デバイスの複数の支柱のうちの個別支柱と接触させることであって、各支柱は、前記半導体デバイスのうちの１つに対応する接触表面を有し、各支柱の接触表面と各半導体デバイス上の対応するポリマー層との間の接触は、各半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスの対応する支柱のうちの１つに少なくとも一時的に結合する、ことと、
前記半導体デバイスが、前記整合可能転写デバイスの対応する支柱の前記接触表面上に配置され、かつ前記ネイティブ基板から解放されるように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離することと、
前記支柱の前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させることと、
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱することであって、それによって、前記ポリマー層と前記接触表面との間の接着を低減させる、ことと、
前記半導体デバイスが前記受容表面上に転写されるように、前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの支柱の前記接触表面を分離することであって、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てる、ことと
を含む、方法。 - 前記加熱要素は、ホットプレートである、請求項１に記載の方法。
- 前記加熱要素は、前記半導体デバイスの反対側である、前記目標基板の側面上に配置されている、請求項１に記載の方法。
- 前記目標基板は、前記半導体デバイスに対して非ネイティブである、請求項１に記載の方法。
- 前記ポリマー層を加熱した後に、前記ポリマーを少なくとも部分的に除去することを含む、請求項１に記載の方法。
- 前記加熱要素からの熱は、前記ポリマー層の粘度を低減させ、前記ポリマー層を流動させる、請求項１に記載の方法。
- 前記ポリマー層は、前記半導体デバイスの前記頂面および前記半導体デバイスの１つ以上の側面上に配置されている、請求項１に記載の方法。
- 前記ポリマー層は、前記ネイティブ基板上の印刷可能な半導体の少なくとも一部をカプセル化する、請求項１に記載の方法。
- 前記目標基板の前記受容表面は、平面状でない地形学的表面を備える、請求項１に記載の方法。
- 前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項１に記載の方法。
- 前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項１に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、請求項１に記載の方法。
- 目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、前記方法は、
ネイティブ基板上に形成された前記半導体デバイスを提供することであって、前記半導体デバイスは、金属裏面表面を備える、ことと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させることであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ことと、
前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離することであって、それにより、前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、その上に配置された前記半導体デバイスを有し、前記半導体デバイスが、前記ネイティブ基板から解放される、ことと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させることであって、前記受容表面は、前記目標基板上に配置された金属パッド上に伝導性フラックス層を備える、ことと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離することであって、それによって、前記半導体デバイスの前記金属裏面表面が前記フラックス層に少なくとも部分的に接触するように前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てる、ことと、
前記フラックス層を熱に暴露させることであって、それによって、前記金属裏面表面を前記金属パッドに固着し、前記金属裏面と前記金属パッドとの間の電気接続を形成する、ことと
を含む、方法。 - 前記フラックス層を熱処理することは、前記フラックス層を熱に暴露させることを含む、請求項１３に記載の方法。
- 前記フラックス層は、加熱要素を使用して熱に暴露される、請求項１３に記載の方法。
- 前記加熱要素は、ホットプレートである、請求項１５に記載の方法。
- 前記加熱要素は、印刷可能な半導体デバイスの反対側である、前記目標基板の側面上に配置されている、請求項１５に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板上に形成された前記半導体デバイスを提供することは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されたポリマー層を伴う、前記ネイティブ基板上に形成された前記半導体デバイスを提供することを含む、請求項１６に記載の方法。
- 前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項１３に記載の方法。
- 前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項１３に記載の方法。
- 前記ポリマー層は、前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させた後に、前記目標基板の前記受容表面と接触している、請求項１に記載の方法。
- 前記ポリマー層は、アンカまたはテザーの一部を形成する、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462026694P | 2014-07-20 | 2014-07-20 | |
| US62/026,694 | 2014-07-20 | ||
| US201462027166P | 2014-07-21 | 2014-07-21 | |
| US62/027,166 | 2014-07-21 | ||
| PCT/EP2015/066566 WO2016012409A2 (en) | 2014-07-20 | 2015-07-20 | Apparatus and methods for micro-transfer printing |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017524250A JP2017524250A (ja) | 2017-08-24 |
| JP2017524250A5 true JP2017524250A5 (ja) | 2018-07-26 |
| JP6453437B2 JP6453437B2 (ja) | 2019-01-16 |
Family
ID=53794193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017502984A Active JP6453437B2 (ja) | 2014-07-20 | 2015-07-20 | マイクロ転写印刷のための装置および方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US11472171B2 (ja) |
| EP (1) | EP3170197B1 (ja) |
| JP (1) | JP6453437B2 (ja) |
| KR (2) | KR102181010B1 (ja) |
| CN (5) | CN106796911B (ja) |
| MY (1) | MY182253A (ja) |
| TW (1) | TWI659475B (ja) |
| WO (1) | WO2016012409A2 (ja) |
Families Citing this family (156)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE112010000763T5 (de) | 2009-02-09 | 2013-03-14 | Semprius Inc. | Konzentrator-typ photovoltaik-(cpv) module, empfänger und teilempfänger und verfahren zur ausbildung dergleichen |
| US8877648B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-11-04 | Semprius, Inc. | Methods of forming printable integrated circuit devices by selective etching to suspend the devices from a handling substrate and devices formed thereby |
| US9161448B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-10-13 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
| US9142468B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-09-22 | Semprius, Inc. | Structures and methods for testing printable integrated circuits |
| US9899329B2 (en) | 2010-11-23 | 2018-02-20 | X-Celeprint Limited | Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance |
| US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
| TWI814461B (zh) | 2014-06-18 | 2023-09-01 | 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 | 微組裝發光二極體顯示器及照明元件 |
| EP3158593A1 (en) | 2014-06-18 | 2017-04-26 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for preparing gan and related materials for micro assembly |
| EP3157858B1 (en) | 2014-06-18 | 2018-12-26 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| US9929053B2 (en) | 2014-06-18 | 2018-03-27 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| US11472171B2 (en) | 2014-07-20 | 2022-10-18 | X Display Company Technology Limited | Apparatus and methods for micro-transfer-printing |
| US9799719B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-10-24 | X-Celeprint Limited | Active-matrix touchscreen |
| US9640715B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor structures |
| CN104849914B (zh) * | 2015-05-26 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种转印版 |
| US11061276B2 (en) | 2015-06-18 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Laser array display |
| US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
| US10255834B2 (en) | 2015-07-23 | 2019-04-09 | X-Celeprint Limited | Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels |
| US10468363B2 (en) | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| US9640108B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Bit-plane pulse width modulated digital display system |
| US10380930B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-08-13 | X-Celeprint Limited | Heterogeneous light emitter display system |
| US10442523B2 (en) * | 2015-08-25 | 2019-10-15 | The Boeing Company | Synergetic noise absorption and anti-icing for aircrafts |
| US10364035B2 (en) * | 2015-08-25 | 2019-07-30 | The Boeing Company | Synergetic noise absorption and anti-icing for aircrafts |
| KR102465382B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
| US10600823B2 (en) | 2015-09-02 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Assembly of semiconductor devices |
| GB2549734B (en) | 2016-04-26 | 2020-01-01 | Facebook Tech Llc | A display |
| GB2544728B (en) | 2015-11-17 | 2020-08-19 | Facebook Tech Llc | Redundancy in inorganic light emitting diode displays |
| GB2541970B (en) * | 2015-09-02 | 2020-08-19 | Facebook Tech Llc | Display manufacture |
| US10230048B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-03-12 | X-Celeprint Limited | OLEDs for micro transfer printing |
| US10418501B2 (en) | 2015-10-02 | 2019-09-17 | X-Celeprint Limited | Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (CPV) for space applications |
| JP6278942B2 (ja) * | 2015-10-21 | 2018-02-14 | 日本航空電子工業株式会社 | フレキソ印刷による絶縁膜の形成方法 |
| US10066819B2 (en) | 2015-12-09 | 2018-09-04 | X-Celeprint Limited | Micro-light-emitting diode backlight system |
| US11230471B2 (en) | 2016-02-05 | 2022-01-25 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printed compound sensor device |
| US10632736B2 (en) * | 2016-02-05 | 2020-04-28 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods of applying compositions to webs |
| US10361677B2 (en) | 2016-02-18 | 2019-07-23 | X-Celeprint Limited | Transverse bulk acoustic wave filter |
| US10200013B2 (en) | 2016-02-18 | 2019-02-05 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printed acoustic wave filter device |
| WO2017144573A1 (en) | 2016-02-25 | 2017-08-31 | X-Celeprint Limited | Efficiently micro-transfer printing micro-scale devices onto large-format substrates |
| US10150325B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Hybrid banknote with electronic indicia |
| US10153256B2 (en) | 2016-03-03 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printable electronic component |
| US10917953B2 (en) | 2016-03-21 | 2021-02-09 | X Display Company Technology Limited | Electrically parallel fused LEDs |
| US10103069B2 (en) | 2016-04-01 | 2018-10-16 | X-Celeprint Limited | Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing |
| US10008483B2 (en) | 2016-04-05 | 2018-06-26 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printed LED and color filter structure |
| US10199546B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-02-05 | X-Celeprint Limited | Color-filter device |
| US10622700B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-04-14 | X-Celeprint Limited | Antenna with micro-transfer-printed circuit element |
| US10453826B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-10-22 | X-Celeprint Limited | Voltage-balanced serial iLED pixel and display |
| US11137641B2 (en) | 2016-06-10 | 2021-10-05 | X Display Company Technology Limited | LED structure with polarized light emission |
| EP3258748A1 (en) | 2016-06-13 | 2017-12-20 | Melexis Technologies NV | Package of light emitting diodes |
| US10533080B2 (en) | 2016-07-26 | 2020-01-14 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Transfer printing using shape memory polymers |
| US10222698B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-03-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with wicking posts |
| US11064609B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Printable 3D electronic structure |
| US10157880B2 (en) | 2016-10-03 | 2018-12-18 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printing with volatile adhesive layer |
| WO2018070988A1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-structure transfer system |
| US10782002B2 (en) | 2016-10-28 | 2020-09-22 | X Display Company Technology Limited | LED optical components |
| US10347168B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-07-09 | X-Celeprint Limited | Spatially dithered high-resolution |
| US10600671B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-03-24 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| US10395966B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-08-27 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| EP3542394A1 (en) | 2016-11-15 | 2019-09-25 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| EP3324437B1 (en) | 2016-11-16 | 2019-03-13 | Melexis Technologies NV | Device with light emitting diodes |
| TWI624929B (zh) | 2016-12-02 | 2018-05-21 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 顯示器的製作方法 |
| US10297502B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-05-21 | X-Celeprint Limited | Isolation structure for micro-transfer-printable devices |
| US10438859B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-10-08 | X-Celeprint Limited | Transfer printed device repair |
| US10752809B2 (en) | 2016-12-23 | 2020-08-25 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Reusable attaching apparatus and methods of making and using a reusable attaching apparatus |
| US10832609B2 (en) | 2017-01-10 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Digital-drive pulse-width-modulated output system |
| DE102017101536B4 (de) * | 2017-01-26 | 2022-06-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips |
| US10468391B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels |
| US10396137B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-08-27 | X-Celeprint Limited | Testing transfer-print micro-devices on wafer |
| US10576268B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-03-03 | International Business Machines Corporation | High resolution brain-electronics interface |
| US11024608B2 (en) | 2017-03-28 | 2021-06-01 | X Display Company Technology Limited | Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates |
| CN108695412B (zh) * | 2017-04-10 | 2021-08-24 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 传输微小元件的方法 |
| US10468397B2 (en) | 2017-05-05 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Matrix addressed tiles and arrays |
| US10804880B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-10-13 | X-Celeprint Limited | Device structures with acoustic wave transducers and connection posts |
| US10431483B2 (en) | 2017-07-14 | 2019-10-01 | Industrial Technology Research Institute | Transfer support and transfer module |
| US11227787B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-01-18 | Industrial Technology Research Institute | Transfer support and transfer module |
| US10943946B2 (en) | 2017-07-21 | 2021-03-09 | X Display Company Technology Limited | iLED displays with substrate holes |
| CN109390267B (zh) * | 2017-08-09 | 2023-03-21 | 创新服务股份有限公司 | 批量移载微细元件的方法及其装置 |
| US10832935B2 (en) | 2017-08-14 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Multi-level micro-device tethers |
| KR102609560B1 (ko) | 2017-09-08 | 2023-12-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 |
| CN110603142A (zh) * | 2017-09-26 | 2019-12-20 | 株式会社Lg化学 | 用于转印显示像素的图案膜及使用其制备显示器的方法 |
| US11180680B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-11-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | UV curable silicone adhesive composition and cured product thereof |
| TWI676228B (zh) * | 2017-10-11 | 2019-11-01 | 博隆精密科技股份有限公司 | 微型元件的轉置裝置 |
| EP3471134A1 (en) | 2017-10-13 | 2019-04-17 | Maven Optronics Co., Ltd. | Method and system for mass arrangement of micro-component devices |
| TWI641072B (zh) * | 2017-10-18 | 2018-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 微拾取陣列及其製造方法 |
| CN107799455B (zh) * | 2017-10-24 | 2020-06-19 | 上海天马微电子有限公司 | 转运头及其制作方法、转印方法及显示面板的制作方法 |
| US10836200B2 (en) | 2017-11-13 | 2020-11-17 | X Display Company Technology Limited | Rigid micro-modules with ILED and light conductor |
| CN107978548B (zh) * | 2017-11-20 | 2019-07-05 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 微元件的巨量转移方法 |
| TWI637481B (zh) | 2017-11-29 | 2018-10-01 | 財團法人工業技術研究院 | 半導體結構、發光裝置及其製造方法 |
| JP6842404B2 (ja) | 2017-12-08 | 2021-03-17 | 信越化学工業株式会社 | 粘着性基材の製造方法 |
| US10236195B1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-03-19 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method for transferring device |
| CN108231653B (zh) * | 2018-01-04 | 2020-08-04 | 厦门大学 | 一种MicroLED芯片转印方法及装置 |
| CN110071062B (zh) * | 2018-01-24 | 2021-01-26 | 宏碁股份有限公司 | 微组件转移设备和相关方法 |
| KR102433873B1 (ko) | 2018-01-29 | 2022-08-19 | 삼성전자주식회사 | Led 패널 및 led 패널의 제조 방법 |
| US10636936B2 (en) | 2018-03-05 | 2020-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | MEMS array system and method of manipulating objects |
| DE102018104936A1 (de) | 2018-03-05 | 2019-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils |
| CN110391165B (zh) * | 2018-04-18 | 2021-09-14 | 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 | 转移载板与晶粒载板 |
| TWI659486B (zh) * | 2018-04-18 | 2019-05-11 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 轉移載板與晶粒載板 |
| US11342302B2 (en) | 2018-04-20 | 2022-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bonding with pre-deoxide process and apparatus for performing the same |
| TWI699858B (zh) * | 2018-04-20 | 2020-07-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 接合方法及用於執行其的接合設備 |
| US10505079B2 (en) | 2018-05-09 | 2019-12-10 | X-Celeprint Limited | Flexible devices and methods using laser lift-off |
| CN110534540B (zh) * | 2018-05-25 | 2021-12-10 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及其制造方法 |
| US10832934B2 (en) | 2018-06-14 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Multi-layer tethers for micro-transfer printing |
| US10714001B2 (en) | 2018-07-11 | 2020-07-14 | X Display Company Technology Limited | Micro-light-emitting-diode displays |
| KR102377684B1 (ko) * | 2018-07-12 | 2022-03-22 | 주식회사 엘지화학 | 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이를 이용한 디스플레이의 제조방법 |
| JP6983123B2 (ja) | 2018-07-24 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法 |
| US10796971B2 (en) | 2018-08-13 | 2020-10-06 | X Display Company Technology Limited | Pressure-activated electrical interconnection with additive repair |
| CN109166811A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-08 | 安徽星宇生产力促进中心有限公司 | 一种微电子器件封装机构 |
| US10573544B1 (en) | 2018-10-17 | 2020-02-25 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printing with selective component removal |
| US10796938B2 (en) | 2018-10-17 | 2020-10-06 | X Display Company Technology Limited | Micro-transfer printing with selective component removal |
| US11482979B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-10-25 | X Display Company Technology Limited | Printing components over substrate post edges |
| US10790173B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-09-29 | X Display Company Technology Limited | Printed components on substrate posts |
| US11274035B2 (en) | 2019-04-24 | 2022-03-15 | X-Celeprint Limited | Overhanging device structures and related methods of manufacture |
| US20210002128A1 (en) | 2018-12-03 | 2021-01-07 | X-Celeprint Limited | Enclosed cavity structures |
| US11528808B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-12-13 | X Display Company Technology Limited | Printing components to substrate posts |
| US11282786B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-03-22 | X Display Company Technology Limited | Laser-formed interconnects for redundant devices |
| US11483937B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-10-25 | X Display Company Technology Limited | Methods of making printed structures |
| US11251139B2 (en) | 2019-01-22 | 2022-02-15 | X-Celeprint Limited | Secure integrated-circuit systems |
| US11322460B2 (en) | 2019-01-22 | 2022-05-03 | X-Celeprint Limited | Secure integrated-circuit systems |
| US11088121B2 (en) | 2019-02-13 | 2021-08-10 | X Display Company Technology Limited | Printed LED arrays with large-scale uniformity |
| US10748793B1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-18 | X Display Company Technology Limited | Printing component arrays with different orientations |
| US11164934B2 (en) | 2019-03-12 | 2021-11-02 | X Display Company Technology Limited | Tiled displays with black-matrix support screens |
| US11094870B2 (en) | 2019-03-12 | 2021-08-17 | X Display Company Technology Limited | Surface-mountable pixel packages and pixel engines |
| JP7228130B2 (ja) * | 2019-04-10 | 2023-02-24 | 大日本印刷株式会社 | 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法 |
| US11246251B2 (en) | 2019-05-02 | 2022-02-08 | Seagate Technology Llc | Micro-component transfer systems, methods, and devices |
| US10714374B1 (en) | 2019-05-09 | 2020-07-14 | X Display Company Technology Limited | High-precision printed structures |
| US10923378B2 (en) | 2019-05-13 | 2021-02-16 | Seagate Technology Llc | Micro-component batch transfer systems, methods, and devices |
| FR3096172A1 (fr) * | 2019-05-13 | 2020-11-20 | X-Fab France SAS | Transfer Printing for RF Applications |
| JP7340365B2 (ja) * | 2019-06-26 | 2023-09-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 転写用基板 |
| JP6696036B1 (ja) * | 2019-08-01 | 2020-05-20 | 信越エンジニアリング株式会社 | ワーク転写装置及びワーク転写チャック並びにワーク転写方法 |
| US11652082B2 (en) | 2019-08-05 | 2023-05-16 | X Display Company Technology Limited | Particle capture using transfer stamp |
| KR20190099163A (ko) * | 2019-08-06 | 2019-08-26 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판 |
| US11101417B2 (en) | 2019-08-06 | 2021-08-24 | X Display Company Technology Limited | Structures and methods for electrically connecting printed components |
| CN110328978B (zh) * | 2019-08-14 | 2020-06-19 | 四川大学 | 集印刷与定型一体化的转印装置和方法 |
| US11626856B2 (en) | 2019-10-30 | 2023-04-11 | X-Celeprint Limited | Non-linear tethers for suspended devices |
| US11127889B2 (en) | 2019-10-30 | 2021-09-21 | X Display Company Technology Limited | Displays with unpatterned layers of light-absorbing material |
| US11637540B2 (en) | 2019-10-30 | 2023-04-25 | X-Celeprint Limited | Non-linear tethers for suspended devices |
| KR102203205B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2021-01-14 | 주식회사 기가레인 | 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법 |
| US11302561B2 (en) * | 2019-11-12 | 2022-04-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | Transfer elements that selectably hold and release objects based on changes in stiffness |
| US11062936B1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Transfer stamps with multiple separate pedestals |
| US11315909B2 (en) | 2019-12-20 | 2022-04-26 | X Display Company Technology Limited | Displays with embedded light emitters |
| CN111048458B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-06-07 | 浙江大学 | 章鱼仿生的可编程吸盘式转印印章及转印方法 |
| US11194063B2 (en) * | 2019-12-30 | 2021-12-07 | Rayence Co., Ltd. | X-ray detector having driver micro integrated chips printed on photodiode layer |
| US11037912B1 (en) | 2020-01-31 | 2021-06-15 | X Display Company Technology Limited | LED color displays with multiple LEDs connected in series and parallel in different sub-pixels of a pixel |
| US11850874B2 (en) * | 2020-03-30 | 2023-12-26 | X Display Company Technology Limited | Micro-transfer printing stamps and components |
| KR102557337B1 (ko) * | 2020-04-13 | 2023-07-20 | 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 | 소자 전사용 무강성 패드, 소자 전사용 무강성 패드의 제조방법 및 소자 전사용 무강성 패드를 포함하는 소자 전사용 무강성 패드군 |
| US11088007B1 (en) | 2020-05-07 | 2021-08-10 | X-Celeprint Limited | Component tethers with spacers |
| US11538849B2 (en) | 2020-05-28 | 2022-12-27 | X Display Company Technology Limited | Multi-LED structures with reduced circuitry |
| US11699677B2 (en) | 2020-06-30 | 2023-07-11 | Openlight Photonics, Inc. | Die-to-wafer bonding utilizing micro-transfer printing |
| US11952266B2 (en) | 2020-10-08 | 2024-04-09 | X-Celeprint Limited | Micro-device structures with etch holes |
| US11495635B2 (en) * | 2020-10-30 | 2022-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polydimethylsiloxane antireflective layer for an image sensor |
| US11949053B2 (en) * | 2020-12-14 | 2024-04-02 | Lumileds Llc | Stencil printing flux for attaching light emitting diodes |
| CN112509958B (zh) * | 2021-02-02 | 2021-04-27 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 一种半导体器件拆卸装置及其拆卸方法 |
| US11862607B2 (en) | 2021-08-16 | 2024-01-02 | Micron Technology, Inc. | Composite dielectric structures for semiconductor die assemblies and associated systems and methods |
| WO2023063358A1 (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 信越化学工業株式会社 | レセプター基板、レセプター基板の製造方法、移載方法、ｌｅｄパネルの製造方法及びスタンパ |
| GB2612986A (en) * | 2021-11-18 | 2023-05-24 | Rockley Photonics Ltd | Stamp for micro-transfer printing |
| DE102022100661A1 (de) | 2022-01-12 | 2023-07-13 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleiterstruktur |
| WO2023218356A1 (en) * | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Vuereal Inc. | Cartridge with internal pillar |
| DE102022122478A1 (de) * | 2022-09-05 | 2024-03-07 | Ams-Osram International Gmbh | Transferstempel und verfahren zum erzeugen eines transferstempels |
| WO2024074715A1 (en) | 2022-10-07 | 2024-04-11 | X-Celeprint Limited | Transfer-printed micro-optical components |
Family Cites Families (229)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3871820T2 (de) * | 1987-03-03 | 1992-12-10 | Dainippon Screen Mfg | Flexodruckplatte. |
| SE463196B (sv) | 1989-04-10 | 1990-10-22 | Svantesson Ake | Stenciltryckmaskin med rakel och stencil i motriktad roerelse |
| US5205032A (en) | 1990-09-28 | 1993-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic parts mounting apparatus |
| US6140980A (en) | 1992-03-13 | 2000-10-31 | Kopin Corporation | Head-mounted display system |
| JPH06302630A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイボンディング方法及び装置 |
| US5900160A (en) * | 1993-10-04 | 1999-05-04 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
| US6180239B1 (en) | 1993-10-04 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing on surfaces and derivative articles |
| KR100343376B1 (ko) | 1993-12-31 | 2002-11-23 | 고려화학 주식회사 | 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물 |
| US5550066A (en) | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
| US5882532A (en) | 1996-05-31 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of single-crystal silicon structures using sacrificial-layer wafer bonding |
| EP1448034A1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on circuit board |
| US6025730A (en) | 1997-03-17 | 2000-02-15 | Micron Technology, Inc. | Direct connect interconnect for testing semiconductor dice and wafers |
| US6142358A (en) | 1997-05-31 | 2000-11-07 | The Regents Of The University Of California | Wafer-to-wafer transfer of microstructures using break-away tethers |
| US5815303A (en) | 1997-06-26 | 1998-09-29 | Xerox Corporation | Fault tolerant projective display having redundant light modulators |
| JP3406207B2 (ja) | 1997-11-12 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法 |
| JP3326382B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6143672A (en) * | 1998-05-22 | 2000-11-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of reducing metal voidings in 0.25 μm AL interconnect |
| US6555408B1 (en) | 1999-02-05 | 2003-04-29 | Alien Technology Corporation | Methods for transferring elements from a template to a substrate |
| US7411211B1 (en) | 1999-07-22 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Contact structure and semiconductor device |
| KR100671211B1 (ko) | 2000-01-12 | 2007-01-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| US6387778B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-05-14 | Seagate Technology Llc | Breakable tethers for microelectromechanical system devices utilizing reactive ion etching lag |
| US6278242B1 (en) | 2000-03-20 | 2001-08-21 | Eastman Kodak Company | Solid state emissive display with on-demand refresh |
| DE10051465A1 (de) | 2000-10-17 | 2002-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis |
| JP3631956B2 (ja) | 2000-05-12 | 2005-03-23 | 富士通株式会社 | 半導体チップの実装方法 |
| EP1158775A1 (en) | 2000-05-15 | 2001-11-28 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Self-illuminating colour imaging device |
| JP3906653B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
| WO2002014078A2 (en) * | 2000-08-14 | 2002-02-21 | Surface Logix, Inc. | Deformable stamp for patterning three-dimensional surfaces |
| US6756576B1 (en) | 2000-08-30 | 2004-06-29 | Micron Technology, Inc. | Imaging system having redundant pixel groupings |
| JP4461616B2 (ja) | 2000-12-14 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板 |
| JP4803884B2 (ja) | 2001-01-31 | 2011-10-26 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JP4649745B2 (ja) | 2001-02-01 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 発光素子の転写方法 |
| JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| US6703169B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-03-09 | Applied Materials, Inc. | Method of preparing optically imaged high performance photomasks |
| US6998644B1 (en) | 2001-08-17 | 2006-02-14 | Alien Technology Corporation | Display device with an array of display drivers recessed onto a substrate |
| JP3719182B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2005-11-24 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品実装装置および電子部品実装方法 |
| US6608370B1 (en) | 2002-01-28 | 2003-08-19 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same |
| JP2003273111A (ja) | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 成膜方法及びその方法を用いて製造したデバイス、並びにデバイスの製造方法 |
| JP4411575B2 (ja) | 2002-04-25 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置の製造装置 |
| CN1329111C (zh) | 2002-09-09 | 2007-08-01 | 国际商业机器公司 | 使用橡胶印模的印刷方法 |
| AU2003300925A1 (en) | 2002-12-13 | 2004-07-09 | Wispry, Inc. | Varactor apparatuses and methods |
| US8222072B2 (en) | 2002-12-20 | 2012-07-17 | The Trustees Of Princeton University | Methods of fabricating devices by low pressure cold welding |
| US7964439B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-06-21 | The Trustees Of Princeton University | Methods of fabricating devices by transfer of organic material |
| EP1434264A3 (en) | 2002-12-27 | 2017-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method using the transfer technique |
| JP3972825B2 (ja) | 2003-01-28 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
| WO2004068567A1 (de) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilmhalbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| US7176528B2 (en) | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
| JP4340086B2 (ja) | 2003-03-20 | 2009-10-07 | 株式会社日立製作所 | ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法 |
| WO2004086471A1 (en) | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization |
| US6933532B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-08-23 | Eastman Kodak Company | OLED display with photosensor |
| US6913985B2 (en) * | 2003-06-20 | 2005-07-05 | Oki Data Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP3915985B2 (ja) | 2003-08-22 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 画素素子基板、表示装置、電子機器、及び画素素子基板の製造方法 |
| US7479318B2 (en) | 2003-09-08 | 2009-01-20 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fibrillar microstructure and processes for the production thereof |
| JP4141927B2 (ja) | 2003-09-25 | 2008-08-27 | 株式会社東芝 | フレキシブルマトリクス基板およびフレキシブル表示装置 |
| US20060024974A1 (en) | 2003-10-02 | 2006-02-02 | Texas Instruments, Inc. | Surface treatment for oxidation removal in integrated circuit package assemblies |
| US7704684B2 (en) | 2003-12-01 | 2010-04-27 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Methods and devices for fabricating three-dimensional nanoscale structures |
| JP4046076B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2008-02-13 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品搭載装置 |
| US20050133241A1 (en) | 2003-12-18 | 2005-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chip orientation and attachment method |
| US6981445B2 (en) * | 2003-12-24 | 2006-01-03 | Axela Biosensors Inc. | Method and apparatus for micro-contact printing |
| US8159043B2 (en) | 2004-03-12 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20070090387A1 (en) * | 2004-03-29 | 2007-04-26 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits |
| KR101185613B1 (ko) | 2004-04-27 | 2012-09-24 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 소프트 리소그래피용 복합 패터닝 장치 |
| US20080055581A1 (en) | 2004-04-27 | 2008-03-06 | Rogers John A | Devices and methods for pattern generation by ink lithography |
| US7288753B2 (en) | 2004-05-05 | 2007-10-30 | Eastman Kodak Company | OLED display with composite photosensor |
| US8217381B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-07-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics |
| US7943491B2 (en) | 2004-06-04 | 2011-05-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp |
| US7799699B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-09-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling |
| KR101260981B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-05-10 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치 |
| US7521292B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-04-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates |
| US7453157B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-11-18 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
| JP4653447B2 (ja) | 2004-09-09 | 2011-03-16 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006086469A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| JP4801337B2 (ja) | 2004-09-21 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN1755495A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-04-05 | Idc公司 | 制造mems系统的预结构的方法 |
| US7662545B2 (en) | 2004-10-14 | 2010-02-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Decal transfer lithography |
| US7259391B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-21 | General Electric Company | Vertical interconnect for organic electronic devices |
| US8871547B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-10-28 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for fabricating vertical light emitting diode (VLED) structure using a laser pulse to remove a carrier substrate |
| US8685764B2 (en) * | 2005-01-11 | 2014-04-01 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method to make low resistance contact |
| PL1890887T3 (pl) * | 2005-05-03 | 2016-04-29 | Koninklijke Philips Nv | Sposób i urządzenie do nanoszenia wzoru z pieczęci na podłoże |
| TWI402935B (zh) | 2005-05-17 | 2013-07-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | 彩色主動矩陣顯示器 |
| KR101269566B1 (ko) * | 2005-06-02 | 2013-06-07 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 프린터블 반도체 구조들 및 관련 제조 및 조립 방법 |
| CN101632156B (zh) * | 2005-06-02 | 2012-06-20 | 伊利诺伊大学评议会 | 可印刷半导体结构以及相关制造和组装方法 |
| US20110182805A1 (en) | 2005-06-17 | 2011-07-28 | Desimone Joseph M | Nanoparticle fabrication methods, systems, and materials |
| KR20070004331A (ko) * | 2005-07-04 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 센터 패드형 반도체 칩을 갖는 반도체 패키지 제조용 칩접착 장치 |
| KR20080030661A (ko) | 2005-07-29 | 2008-04-04 | 후지필름 가부시키가이샤 | 그래프트 폴리머 패턴 형성방법 및 도전성 패턴 형성방법 |
| US8138502B2 (en) | 2005-08-05 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method thereof |
| KR101113850B1 (ko) | 2005-08-11 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치 |
| JP5175003B2 (ja) | 2005-09-07 | 2013-04-03 | 光正 小柳 | 三次元積層構造を持つ集積回路装置の製造方法 |
| US20070068404A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Edwin Hirahara | Systems and methods for additive deposition of materials onto a substrate |
| US7626268B2 (en) | 2005-10-12 | 2009-12-01 | Infineon Technologies Ag | Support structures for semiconductor devices |
| US7586497B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-09-08 | Eastman Kodak Company | OLED display with improved power performance |
| US20080185705A1 (en) | 2005-12-23 | 2008-08-07 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
| JP2007220782A (ja) | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板およびｓｏｉ基板の製造方法 |
| US7785938B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor integrated circuit, manufacturing method thereof, and semiconductor device using semiconductor integrated circuit |
| US20080280085A1 (en) | 2006-06-25 | 2008-11-13 | Oren Livne | Dynamically Tunable Fibrillar Structures |
| CN1883957A (zh) * | 2006-06-29 | 2006-12-27 | 何名升 | 无版转印的方法及其装置 |
| TWI654770B (zh) * | 2006-09-06 | 2019-03-21 | 美國伊利諾大學理事會 | 二維可延伸且可撓曲設備及其製造方法 |
| KR101615255B1 (ko) | 2006-09-20 | 2016-05-11 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 전사가능한 반도체 구조들, 디바이스들 및 디바이스 컴포넌트들을 만들기 위한 릴리스 방안들 |
| US7649247B2 (en) * | 2006-11-09 | 2010-01-19 | Great Wall Semiconductor Corporation | Radiation hardened lateral MOSFET structure |
| TW200823965A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-01 | Nat Univ Tsing Hua | Manufacturing method for imprinting lithograph template |
| WO2008076390A2 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-26 | Carnegie Mellon University | Dry adhesives and methods for making dry adhesives |
| US8524092B2 (en) | 2006-12-14 | 2013-09-03 | Carnegie Mellon University | Dry adhesives and methods for making dry adhesives |
| JP4345808B2 (ja) | 2006-12-15 | 2009-10-14 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN101617406B (zh) | 2007-01-17 | 2011-04-20 | 伊利诺伊大学评议会 | 通过基于印刷的组装制造的光学系统 |
| US20080204873A1 (en) | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Strategic Patent Acquisitions Llc | Techniques for three dimensional displays |
| US8110425B2 (en) * | 2007-03-20 | 2012-02-07 | Luminus Devices, Inc. | Laser liftoff structure and related methods |
| US7875313B2 (en) | 2007-04-05 | 2011-01-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method to form a pattern of functional material on a substrate using a mask material |
| KR101165029B1 (ko) | 2007-04-24 | 2012-07-13 | 삼성테크윈 주식회사 | 칩 가열장치, 이를 구비한 플립 칩 본더 및 이를 이용한플립 칩 본딩 방법 |
| US7687812B2 (en) * | 2007-06-15 | 2010-03-30 | Tpo Displays Corp. | Light-emitting diode arrays and methods of manufacture |
| DE102007043877A1 (de) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement |
| JP5032231B2 (ja) | 2007-07-23 | 2012-09-26 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8201325B2 (en) | 2007-11-22 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Method for producing an integrated device |
| JP2009152387A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Sony Corp | 電子デバイスの製造方法、転写用電子デバイス基板および表示装置 |
| US8029139B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-10-04 | Eastman Kodak Company | 2D/3D switchable color display apparatus with narrow band emitters |
| US7893612B2 (en) | 2008-02-27 | 2011-02-22 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
| CN103872002B (zh) | 2008-03-05 | 2017-03-01 | 伊利诺伊大学评议会 | 可拉伸和可折叠的电子器件 |
| US8470701B2 (en) | 2008-04-03 | 2013-06-25 | Advanced Diamond Technologies, Inc. | Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management |
| TWI377383B (en) | 2008-05-05 | 2012-11-21 | Au Optronics Corp | Pixel, display and the driving method thereof |
| JP4479827B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
| US8012866B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-09-06 | Asm Assembly Automation Ltd | Method of bonding semiconductor devices utilizing solder balls |
| US7927976B2 (en) | 2008-07-23 | 2011-04-19 | Semprius, Inc. | Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements |
| US7999454B2 (en) | 2008-08-14 | 2011-08-16 | Global Oled Technology Llc | OLED device with embedded chip driving |
| JP4609562B2 (ja) | 2008-09-10 | 2011-01-12 | 日立電線株式会社 | 微細構造転写用スタンパ及びその製造方法 |
| US8398909B1 (en) | 2008-09-18 | 2013-03-19 | Carnegie Mellon University | Dry adhesives and methods of making dry adhesives |
| WO2010036807A1 (en) | 2008-09-24 | 2010-04-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Arrays of ultrathin silicon solar microcells |
| US7854365B2 (en) * | 2008-10-27 | 2010-12-21 | Asm Assembly Automation Ltd | Direct die attach utilizing heated bond head |
| JP5697842B2 (ja) | 2008-11-18 | 2015-04-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びこれに用いるｓｏｑ基板 |
| WO2010059781A1 (en) * | 2008-11-19 | 2010-05-27 | Semprius, Inc. | Printing semiconductor elements by shear-assisted elastomeric stamp transfer |
| JP5215833B2 (ja) | 2008-12-11 | 2013-06-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法 |
| EP2199082B1 (en) * | 2008-12-19 | 2013-09-04 | Agfa Graphics N.V. | Method for making flexographic printing masters |
| WO2010088765A1 (en) | 2009-02-04 | 2010-08-12 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Method for producing a stamp for hot embossing |
| EP2398629A4 (en) | 2009-02-17 | 2016-06-08 | Univ Illinois | METHOD FOR PRODUCING MICROSTRUCTURES |
| WO2010096023A1 (en) | 2009-02-17 | 2010-08-26 | Agency For Science, Technology And Research | A high aspect ratio adhesive structure and a method of forming the same |
| US7816856B2 (en) | 2009-02-25 | 2010-10-19 | Global Oled Technology Llc | Flexible oled display with chiplets |
| US8854294B2 (en) | 2009-03-06 | 2014-10-07 | Apple Inc. | Circuitry for independent gamma adjustment points |
| US8877648B2 (en) | 2009-03-26 | 2014-11-04 | Semprius, Inc. | Methods of forming printable integrated circuit devices by selective etching to suspend the devices from a handling substrate and devices formed thereby |
| TWI592996B (zh) | 2009-05-12 | 2017-07-21 | 美國伊利諾大學理事會 | 用於可變形及半透明顯示器之超薄微刻度無機發光二極體之印刷總成 |
| US9231328B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-01-05 | Hsio Technologies, Llc | Resilient conductive electrical interconnect |
| CN101923282B (zh) * | 2009-06-09 | 2012-01-25 | 清华大学 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
| US8207547B2 (en) | 2009-06-10 | 2012-06-26 | Brudgelux, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| CN102458801B (zh) | 2009-06-16 | 2016-08-10 | 3M创新有限公司 | 可脱粘的粘合剂制品 |
| US20110021997A1 (en) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Kurt Kyvik | Catheter securement device |
| US8261660B2 (en) | 2009-07-22 | 2012-09-11 | Semprius, Inc. | Vacuum coupled tool apparatus for dry transfer printing semiconductor elements |
| JP5356952B2 (ja) | 2009-08-31 | 2013-12-04 | レムセン イノベーション、リミティッド ライアビリティー カンパニー | 表示装置 |
| JP5590837B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-09-17 | キヤノン株式会社 | 機能性領域の移設方法 |
| US9165989B2 (en) | 2009-09-16 | 2015-10-20 | Semprius, Inc. | High-yield fabrication of large-format substrates with distributed, independent control elements |
| CA2717633C (en) | 2009-10-14 | 2018-06-19 | Simon Fraser University | Biomimetic dry adhesives and methods of production therefor |
| US9209059B2 (en) | 2009-12-17 | 2015-12-08 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and eletrostatic transfer stamp for transferring semiconductor dice using electrostatic transfer printing techniques |
| US8502192B2 (en) | 2010-01-12 | 2013-08-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | LED with uniform current spreading and method of fabrication |
| US8480942B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-07-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method of forming a patterned layer of a material on a substrate |
| JP5677987B2 (ja) | 2010-01-29 | 2015-02-25 | Hoya株式会社 | インプリント用モールド及びその製造方法、並びにインプリント用モールド基材 |
| US8334545B2 (en) | 2010-03-24 | 2012-12-18 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
| JP5555025B2 (ja) | 2010-03-25 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法 |
| WO2011123285A1 (en) | 2010-03-29 | 2011-10-06 | Semprius, Inc. | Selective transfer of active components |
| US9161448B2 (en) * | 2010-03-29 | 2015-10-13 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
| DE112011101135B4 (de) | 2010-03-29 | 2021-02-11 | X-Celeprint Limited | Elektrisch verbundene Felder von aktiven Bauteilen in Überführungsdrucktechnik |
| FR2959162B3 (fr) | 2010-04-26 | 2012-03-23 | Innopsys | Dispositif et procede de lithographie douce |
| US20110266670A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Luke England | Wafer level chip scale package with annular reinforcement structure |
| CN103155114B (zh) | 2010-08-06 | 2016-10-12 | 森普留斯公司 | 用于释放可印刷化合物半导体器件的材料和过程 |
| US9142468B2 (en) | 2010-08-26 | 2015-09-22 | Semprius, Inc. | Structures and methods for testing printable integrated circuits |
| US8263435B2 (en) | 2010-10-28 | 2012-09-11 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of stacking semiconductor die in mold laser package interconnected by bumps and conductive vias |
| US9899329B2 (en) | 2010-11-23 | 2018-02-20 | X-Celeprint Limited | Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance |
| KR101790826B1 (ko) | 2010-12-07 | 2017-10-26 | 에스피티에스 테크놀러지스 리미티드 | 전자기계 시스템을 제조하기 위한 프로세스 |
| WO2012087352A2 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | The Regents Of The University Of California | Superhydrophobic and superoleophobic nanosurfaces |
| KR101762173B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2017-08-04 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
| US8449285B2 (en) * | 2011-01-21 | 2013-05-28 | Hepregen Corporation | Systems and methods for micro-contact stamping |
| US8803857B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-08-12 | Ronald S. Cok | Chiplet display device with serial control |
| JP5754173B2 (ja) | 2011-03-01 | 2015-07-29 | ソニー株式会社 | 発光ユニットおよび表示装置 |
| US20130337608A1 (en) | 2011-03-10 | 2013-12-19 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Semiconductor device, and process for manufacturing semiconductor device |
| KR101473142B1 (ko) | 2011-05-13 | 2014-12-15 | 밀란 그룹 | 건식 접착성 조립체 |
| US9765934B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed LED arrays assembled by printing |
| US8889485B2 (en) | 2011-06-08 | 2014-11-18 | Semprius, Inc. | Methods for surface attachment of flipped active componenets |
| US9555644B2 (en) * | 2011-07-14 | 2017-01-31 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Non-contact transfer printing |
| JP2013065725A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
| US8691925B2 (en) | 2011-09-23 | 2014-04-08 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof |
| WO2013048577A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Solarity, Inc. | Substrate and superstrate design and process for nano-imprinting lithography of light and carrier collection management devices |
| GB2495507A (en) | 2011-10-11 | 2013-04-17 | Cambridge Display Tech Ltd | OLED display circuit |
| US8573469B2 (en) * | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
| US8912024B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-12-16 | Invensas Corporation | Front facing piggyback wafer assembly |
| US8333860B1 (en) | 2011-11-18 | 2012-12-18 | LuxVue Technology Corporation | Method of transferring a micro device |
| US8426227B1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-04-23 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro light emitting diode array |
| JP6231489B2 (ja) | 2011-12-01 | 2017-11-15 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | プログラム可能な変化を被るように設計された遷移デバイス |
| US9368546B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-06-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure with embedded light sources |
| JP2013187380A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Nippon Mektron Ltd | 伸縮性フレキシブル回路基板およびその製造方法 |
| WO2013149181A1 (en) | 2012-03-30 | 2013-10-03 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Appendage mountable electronic devices conformable to surfaces |
| US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
| US20130309792A1 (en) | 2012-05-21 | 2013-11-21 | Michael A. Tischler | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
| US8933433B2 (en) | 2012-07-30 | 2015-01-13 | LuxVue Technology Corporation | Method and structure for receiving a micro device |
| JP2014033051A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014049658A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びテンプレート |
| US8941215B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-01-27 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US8835940B2 (en) | 2012-09-24 | 2014-09-16 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US8946052B2 (en) | 2012-09-26 | 2015-02-03 | Sandia Corporation | Processes for multi-layer devices utilizing layer transfer |
| DE102012217957B4 (de) | 2012-10-01 | 2014-10-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix |
| US9558721B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays |
| DE102012112030A1 (de) * | 2012-12-10 | 2014-06-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Mikrokontaktprägen |
| US9178123B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-11-03 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting device reflective bank structure |
| US9029880B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-05-12 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix display panel with ground tie lines |
| US9105714B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards |
| US9166114B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity |
| US9153171B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-10-06 | LuxVue Technology Corporation | Smart pixel lighting and display microcontroller |
| WO2014115728A1 (ja) * | 2013-01-24 | 2014-07-31 | 綜研化学株式会社 | 光透過型インプリント用モールド、大面積モールドの製造方法 |
| JP2014157955A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 微細構造形成方法及び微細構造形成体 |
| US9308649B2 (en) | 2013-02-25 | 2016-04-12 | LuxVue Techonology Corporation | Mass transfer tool manipulator assembly |
| US8791474B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-07-29 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting diode display with redundancy scheme |
| US9252375B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-02 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| WO2014152617A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-25 | Semprius, Inc. | Engineered substrates for semiconductor epitaxy and methods of fabricating the same |
| US20140327132A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-06 | National Center For Advanced Packaging (Ncap China) | TSV Backside Reveal Structure and Exposing Process |
| US9484504B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
| US9217541B2 (en) | 2013-05-14 | 2015-12-22 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including shear release posts |
| US8987765B2 (en) | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
| US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
| US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
| US9583533B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | LED device with embedded nanowire LEDs |
| US9690192B2 (en) * | 2014-04-21 | 2017-06-27 | Jsr Corporation | Composition for base, and directed self-assembly lithography method |
| US9929053B2 (en) | 2014-06-18 | 2018-03-27 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| EP3158593A1 (en) | 2014-06-18 | 2017-04-26 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for preparing gan and related materials for micro assembly |
| EP3157858B1 (en) | 2014-06-18 | 2018-12-26 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| JP5944445B2 (ja) | 2014-07-18 | 2016-07-05 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、樹脂封止電子部品、及び突起電極付き板状部材の製造方法 |
| US20170207193A1 (en) | 2014-07-20 | 2017-07-20 | X-Celeprint Limited | Apparatus and methods for micro-transfer-printing |
| US11472171B2 (en) | 2014-07-20 | 2022-10-18 | X Display Company Technology Limited | Apparatus and methods for micro-transfer-printing |
| US9716082B2 (en) | 2014-08-26 | 2017-07-25 | X-Celeprint Limited | Micro assembled hybrid displays and lighting elements |
| US9478583B2 (en) | 2014-12-08 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate |
| US9640715B2 (en) * | 2015-05-15 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor structures |
| JP6546278B2 (ja) | 2015-05-21 | 2019-07-17 | ゴルテック．インク | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 |
| US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
| US10468363B2 (en) | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| US10153256B2 (en) | 2016-03-03 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printable electronic component |
| US11062936B1 (en) | 2019-12-19 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Transfer stamps with multiple separate pedestals |
-
2015
- 2015-07-20 US US14/804,077 patent/US11472171B2/en active Active
- 2015-07-20 MY MYPI2017000080A patent/MY182253A/en unknown
- 2015-07-20 US US14/804,031 patent/US20160020131A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-20 KR KR1020207006010A patent/KR102181010B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-20 CN CN201580039312.6A patent/CN106796911B/zh active Active
- 2015-07-20 CN CN202311161301.8A patent/CN117198902A/zh active Pending
- 2015-07-20 US US14/803,997 patent/US9434150B2/en active Active
- 2015-07-20 US US14/804,047 patent/US9550353B2/en active Active
- 2015-07-20 WO PCT/EP2015/066566 patent/WO2016012409A2/en active Application Filing
- 2015-07-20 TW TW104123504A patent/TWI659475B/zh active
- 2015-07-20 EP EP15747992.4A patent/EP3170197B1/en active Active
- 2015-07-20 JP JP2017502984A patent/JP6453437B2/ja active Active
- 2015-07-20 KR KR1020177004506A patent/KR102085212B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-20 CN CN202010752627.8A patent/CN112331604A/zh active Pending
- 2015-07-20 CN CN201910398916.XA patent/CN110265344B/zh active Active
- 2015-07-20 CN CN202311161364.3A patent/CN117198903A/zh active Pending
- 2015-07-20 US US14/803,980 patent/US9358775B2/en active Active
-
2016
- 2016-12-21 US US15/387,389 patent/US10252514B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-15 US US15/705,755 patent/US20180001614A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017524250A5 (ja) | ||
| JP6453437B2 (ja) | マイクロ転写印刷のための装置および方法 | |
| US11276603B2 (en) | Transfer method using deformable film | |
| CN110034059A (zh) | 载板结构及微型元件结构 | |
| EP3157858B1 (en) | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures | |
| JP6636017B2 (ja) | 複合マイクロアセンブリのストラテジおよびデバイス | |
| US9704821B2 (en) | Stamp with structured posts | |
| WO2015193433A4 (en) | Micro assembled high frequency devices and arrays and method of making the same | |
| JP2017531915A5 (ja) | ||
| US8889485B2 (en) | Methods for surface attachment of flipped active componenets | |
| US20160240516A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device array | |
| US10872801B2 (en) | Target substrate with micro semiconductor structures | |
| CN105576088A (zh) | 转置微元件的方法 | |
| JP7441726B2 (ja) | 選択可能な表面接着力転写素子を利用した転写基板 | |
| US20210134641A1 (en) | Method of transfer printing | |
| Oswalt et al. | Micro transfer printing various thickness components directly from dicing tape | |
| WO2024063122A1 (ja) | 電子部品又は半導体装置の製造方法 | |
| US9349645B2 (en) | Apparatus, device and method for wafer dicing | |
| Trindade et al. | Capillary-bonding of thin LEDs onto non-native substrates by transfer-printing |