JP2017524250A - マイクロ転写印刷のための装置および方法 - Google Patents
マイクロ転写印刷のための装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017524250A JP2017524250A JP2017502984A JP2017502984A JP2017524250A JP 2017524250 A JP2017524250 A JP 2017524250A JP 2017502984 A JP2017502984 A JP 2017502984A JP 2017502984 A JP2017502984 A JP 2017502984A JP 2017524250 A JP2017524250 A JP 2017524250A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- struts
- microns
- bulk volume
- less
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 174
- 238000007639 printing Methods 0.000 title claims abstract description 148
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 391
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 292
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 135
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 139
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 80
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 80
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 49
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 49
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 36
- -1 GaAlSb Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 32
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 22
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 19
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 19
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 9
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 9
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 8
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 8
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 7
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 claims description 6
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000010008 shearing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 101150074899 gpa-10 gene Proteins 0.000 claims 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 126
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 26
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 16
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 15
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 10
- 239000003190 viscoelastic substance Substances 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020888 Sn-Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910019204 Sn—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005543 GaSe Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002988 biodegradable polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004621 biodegradable polymer Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003623 enhancer Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000592 inorganic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002480 polybenzimidazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000306 polymethylpentene Polymers 0.000 description 1
- 239000011116 polymethylpentene Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F16/00—Transfer printing apparatus
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
- B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
- B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F16/00—Transfer printing apparatus
- B41F16/0006—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band
- B41F16/004—Presses of the reciprocating type
- B41F16/0046—Presses of the reciprocating type with means for applying print under heat and pressure, e.g. using heat activable adhesive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F16/00—Transfer printing apparatus
- B41F16/0006—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band
- B41F16/006—Arrangements for moving, supporting or positioning the printing foil or band
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
- B41F16/00—Transfer printing apparatus
- B41F16/0006—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band
- B41F16/0073—Transfer printing apparatus for printing from an inked or preprinted foil or band with means for printing on specific materials or products
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41K—STAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
- B41K3/00—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped
- B41K3/02—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped with stamping surface located above article-supporting surface
- B41K3/04—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped with stamping surface located above article-supporting surface and movable at right angles to the surface to be stamped
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41K—STAMPS; STAMPING OR NUMBERING APPARATUS OR DEVICES
- B41K3/00—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped
- B41K3/02—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped with stamping surface located above article-supporting surface
- B41K3/12—Apparatus for stamping articles having integral means for supporting the articles to be stamped with stamping surface located above article-supporting surface with curved stamping surface for stamping by rolling contact
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
- H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68318—Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68354—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7525—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/753—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/75301—Bonding head
- H01L2224/75314—Auxiliary members on the pressing surface
- H01L2224/75315—Elastomer inlay
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
- H01L2224/7598—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors specially adapted for batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/8301—Cleaning the layer connector, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/83011—Chemical cleaning, e.g. etching, flux
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/8301—Cleaning the layer connector, e.g. oxide removal step, desmearing
- H01L2224/83013—Plasma cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
- H01L2224/83024—Applying flux to the bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/832—Applying energy for connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83894—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces
- H01L2224/83895—Direct bonding, i.e. joining surfaces by means of intermolecular attracting interactions at their interfaces, e.g. covalent bonds, van der Waals forces between electrically conductive surfaces, e.g. copper-copper direct bonding, surface activated bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/95001—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
- H01L2224/95136—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies involving guiding structures, e.g. shape matching, spacers or supporting members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10328—Gallium antimonide [GaSb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10332—Indium antimonide [InSb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10335—Indium phosphide [InP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10336—Aluminium gallium arsenide [AlGaAs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10337—Indium gallium arsenide [InGaAs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10338—Indium gallium phosphide [InGaP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/1034—Aluminium indium antimonide [AlInSb]
Abstract
マイクロ転写印刷を使用して、目標基板上に半導体デバイスを組み立てるための装置および方法が説明される。エラストマーまたは粘弾性スタンプ等の整合可能転写デバイス（１０２）は、印刷可能半導体要素（１０４）を製作し、印刷可能半導体要素を目標基板（１１０）に転写するために使用される、ネイティブ基板（１０８）から印刷可能半導体要素を取り上げるための支柱のアレイ（１１４）を含む。ある実施形態では、印刷可能半導体要素は、それらが取り上げられる前にポリマー層（１０６）中にカプセル化される。ある実施形態では、プラズマ処理（例えば、大気プラズマ）が、マイクロ転写印刷の間に行われることができる。プラズマは、エラストマー転写要素に取り付けられるデバイスの底面に印加されることができる。底面のこの処理は、デバイスと目標基板との間の向上した結合を提供するためなどに使用されることができる。
Description
（優先権出願）
本願は、２０１４年７月２０日に出願された「Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ」と題する米国仮特許出願第６２／０２６，６９４号、および２０１４年７月２１日に出願された「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ｔｏｏｌｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ」と題する米国仮特許出願第６２／０２７，１６６号に基づく優先権および利益を主張しており、これら各々の内容はその全体が本明細書中に参考として援用される。
本願は、２０１４年７月２０日に出願された「Ａｐｐａｒａｔｕｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ」と題する米国仮特許出願第６２／０２６，６９４号、および２０１４年７月２１日に出願された「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ｔｏｏｌｓ ｆｏｒ Ｍｉｃｒｏ−Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ」と題する米国仮特許出願第６２／０２７，１６６号に基づく優先権および利益を主張しており、これら各々の内容はその全体が本明細書中に参考として援用される。
（発明の分野）
本発明は、印刷可能デバイスを目標基板にマイクロ転写印刷するための方法およびツールに関する。
本発明は、印刷可能デバイスを目標基板にマイクロ転写印刷するための方法およびツールに関する。
（発明の背景）
開示される技術は、概して、マイクロ転写印刷のための方法およびツールに関する。多くの場合、この技術を使用して、極薄および／または小型デバイスを取り上げて配置することは困難である。マイクロ転写印刷は、デバイス自体に損傷を引き起こすことなく、これらの極薄、脆弱、および／または小型デバイスの選択ならびに適用を可能にする。
開示される技術は、概して、マイクロ転写印刷のための方法およびツールに関する。多くの場合、この技術を使用して、極薄および／または小型デバイスを取り上げて配置することは困難である。マイクロ転写印刷は、デバイス自体に損傷を引き起こすことなく、これらの極薄、脆弱、および／または小型デバイスの選択ならびに適用を可能にする。
マイクロ転写印刷は、非ネイティブ基板上にマイクロスケール高性能デバイスのアレイを決定的に組み立てて統合することを可能にする。その最も単純な実施形態では、マイクロ転写印刷は、インクパッドから紙の上に液体ベースのインクを転写するためにゴムスタンプを使用することに類似する。しかしながら、マイクロ転写印刷では、「インク」は、高性能ソリッドステート半導体デバイスから成り、「紙」は、プラスチックおよび他の半導体を含む基板であり得る。マイクロ転写印刷プロセスは、マイクロスケールデバイスの大型アレイを選択的に取り上げ、非ネイティブ目標基板上に印刷するために、高精度運動制御型プリントヘッドと連結される工学エラストマースタンプを活用する。
エラストマー転写デバイスと印刷可能要素との間の接着は、プリントヘッドの速度を変動させることによって、選択的に調整されることができる。本速度依存性接着は、転写デバイスを構築するために使用されるエラストマー粘弾性質の結果である。転写デバイスが結合界面から迅速に離されるとき、接着は、それらのネイティブ基板から印刷可能要素を「はぎ取る」ために十分に大きく、逆に、転写デバイスが結合界面からゆっくりと離されるとき、接着は、異種表面上に要素を「解放」または「印刷」するために十分に低い。本プロセスは、スタンプが、例えば、単一の取り上げて印刷する動作で何百から何千もの離散構造を転写することができる、大規模並行動作において行われてもよい。
マイクロ転写印刷はまた、ガラス、プラスチック、金属、または他の半導体を含む、事実上あらゆる基板材料上への高性能半導体デバイスの並行組立も可能にする。基板は、可撓性であり得、それによって、可撓性電子デバイスの生産を可能にする。可撓性基板は、脆性シリコンベースの電子デバイスでは可能ではない構成を含む、多数の構成に組み込まれてもよい。加えて、プラスチック基板は、例えば、機械的に起伏が多く、機械的応力によって引き起こされる損傷または電子性能劣化に左右されない電子デバイスを提供するために使用されてもよい。したがって、これらの材料は、安価な費用で広い基板面積にわたって電子デバイスを生成することが可能な連続高速印刷技法（例えば、ロールツーロール製造）によって、電子デバイスを製作するために使用されてもよい。
また、これらのマイクロ転写印刷技法は、プラスチックポリマー基板上の組立に適合する温度において半導体デバイスを印刷することができる。加えて、半導体材料が、基板の広い面積上に印刷されてもよく、それによって、広い基板面積にわたって複雑な集積電気回路の連続高速印刷を可能にする。また、屈曲または変形デバイス配向における良好な電子性能を伴う可撓性電子デバイスが、広範囲の可撓性電子デバイスを可能にするように提供されてもよい。
マイクロ構造スタンプが、マイクロデバイスを取り上げ、マイクロデバイスを目標に輸送し、目標基板上にマイクロデバイスを印刷するために使用されてもよい。転写デバイス（例えば、マイクロ構造スタンプ）は、種々の材料を使用して作成されることができる。転写デバイス上の支柱は、それらが取り上げ可能なオブジェクトから材料を取り上げ、次いで、材料を標的基板に印刷するように生成されることができる。支柱は、アレイ様式で生成されることができ、印刷可能材料のサイズに応じて、所定範囲の高さであり得る。転写デバイスの（ｚ方向の）圧縮は、印刷可能オブジェクトのアレイを転写デバイスの支柱に完全に積層するために使用されることができる。加えて、圧縮は、方程式ｖ２＝２ａｄに基づく設定された加速でスタンプが移動させられる距離を増加させることによって、臨界速度に達することを可能にするために使用されることができる。
しかしながら、転写デバイスの圧縮は、いくつかの問題を提起する。とりわけ、支柱の間の沈下（ｓａｇｇｉｎｇ）の可能性がある。本沈下は、所望されない材料がソース基板から取り上げられることを可能にする。隣接する支柱の間の距離が増加させられると、問題を引き起こす沈下の危険性が増加する。加えて、例えば、図２２に示されるように、バルク材料と硬質プレート界面（例えば、ガラス）との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致によって引き起こされる、転写デバイスバルク材料の縁において注目され得るクラウニング効果がある。したがって、少なくともこれらの問題を最小限にし、または排除して、デバイスが印刷されるときに結合を増加させる、技法の必要性がある。
粘弾性スタンプ材料を用いた転写印刷は、チップを「取り上げる（ｐｉｃｋ）」ために、スタンプとソース材料との間に高粘度分離を必要とする。典型的用途は、チップまたはダイを「取り上げる」プロセスを達成するために、約１ｇの加速を使用する。しかしながら、分離における速度は、積層におけるスタンプの圧縮に依存する短い距離（例えば、数十ミクロンまたはそれ未満）で生じる。したがって、さらなる加速が、短い距離においてより高い分離速度を生成し、順に、スタンプとソースとの間の接着を増加させる必要性がある。
（発明の要旨）
本明細書に説明されるように、本開示は、マイクロ転写印刷のための方法およびツールを提供する。ある実施形態では、開示される技術は、ソースウエハからチップを取り上げるときに、高い加速を利用する。この「取り上げる」プロセスの従来の方法は、基板からスタンプを急速に上向きに離す、（スタンプが取り付けられた）垂直ステージを利用する。典型的には、約１ｇの加速が、ネイティブ基板からデバイスを取り上げるために使用される。ある実施形態では、取り上げるプロセス中により高い速度を達成するように、初期加速（５〜１００ｇ）を増加させることが有利である。分離における速度は、積層におけるスタンプの圧縮に依存する、非常に短い移動距離で生じる。より高い加速は、短い距離においてより高い分離速度を生成することができ、順に、スタンプとソースとの間の接着を増加させる。「取り上げる」プロセス中のソース基板から離れた下向き方向へのスタンプの移動は、重力とともに移動することによって全体的加速を増加させることができ、したがって、付加的な１ｇの加速度転写に追加することができる。
本明細書に説明されるように、本開示は、マイクロ転写印刷のための方法およびツールを提供する。ある実施形態では、開示される技術は、ソースウエハからチップを取り上げるときに、高い加速を利用する。この「取り上げる」プロセスの従来の方法は、基板からスタンプを急速に上向きに離す、（スタンプが取り付けられた）垂直ステージを利用する。典型的には、約１ｇの加速が、ネイティブ基板からデバイスを取り上げるために使用される。ある実施形態では、取り上げるプロセス中により高い速度を達成するように、初期加速（５〜１００ｇ）を増加させることが有利である。分離における速度は、積層におけるスタンプの圧縮に依存する、非常に短い移動距離で生じる。より高い加速は、短い距離においてより高い分離速度を生成することができ、順に、スタンプとソースとの間の接着を増加させる。「取り上げる」プロセス中のソース基板から離れた下向き方向へのスタンプの移動は、重力とともに移動することによって全体的加速を増加させることができ、したがって、付加的な１ｇの加速度転写に追加することができる。
ある実施形態では、熱支援マイクロ転写印刷が、接着剤のない表面および局所表面（ｔｏｐｏｇｒａｐｈｉｃ ｓｕｒｆａｃｅ）に行われる。ポリマーが収縮し、次いで、目標基板と接触している間に再流し込みするように設計されるときに、非ネイティブ基板への半導体デバイスの転写を増進するために、ポリマーカプセル化が使用されることができる。ポリマー層は、後に、非ネイティブ基板上に転写されたデバイスを残しながら、除去されることができる。これはまた、局所表面にマイクロ転写印刷する能力を向上させる。
プラズマ処理（例えば、減圧が必要とされない）が、マイクロ転写印刷中に行われることができる。プラズマは、エラストマー転写要素に取り付けられるデバイスの底面に印加されることができる。底面の本処理は、（ｉ）デバイスと目標基板との間の向上した結合を提供するため、（ｉｉ）エピタキシャルリフトオフ方法を使用して製作されたデバイスの底面を清浄化するため、および（ｉｉｉ）（例えば、フォーミングガス、アンモニア、ギ酸等の還元ガスがプラズマに添加される場合）底面から酸化物（例えば、Ｃｕ−Ｃｕ、ＣｕＳｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｓｎ−Ｃｕ、Ａｕ−Ａｕ）の薄い層を除去するために使用されることができる。処理は、デバイスが分配されていない（例えば、スタンプから落下しない）様式で転写デバイス上にある間に、デバイスに適用されることができる。
ある実施形態では、プラズマ処理は、転写デバイスに取り付けられるデバイスの底面に印加されることができる。処理は、デバイスと目標基板との間の結合を向上させるために使用されることができる。処理は、底面を清浄化するため、および／または底面から酸化物の任意の層を除去するために使用されることができる。デバイスが裏面金属を有する場合、プラズマは、金属の表面から酸化物を除去するために使用されることができる。
ある実施形態では、デバイスが裏面金属を有する場合、半導体要素は、フラックスでコーティングされた噛合金属パッドを用いて目標基板に印刷される。デバイスを転写した後、フラックスは、再流し込みさせられることができ、それによって、デバイス上のパッドと裏面金属との間に良好な金属接続を残す。
クラウニング効果が、従来技術の方法を使用して製造される転写デバイスバルク材料の縁において注目され得る。クラウニングは、例えば、図２２に示されるように、バルク材料と硬質プレート界面（例えば、ガラス）との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致によって引き起こされる。ある実施形態では、開示される技術は、クラウニングに関係付けられる問題を排除または低減するように設計される転写デバイスを含む。ある実施形態では、クラウンは、印刷動作中に印刷可能半導体要素がクラウンによって取り上げられないように、かみそりで切断される。
ある実施形態では、第２の材料が、バルク体積と硬質プレート界面との間に配置される。結果として、第２の材料の直接上方のバルク体積材料は、それがそうでない場合があるでよりは薄い。これは、変形する材料が少なく、クラウンを形成する隆起が少ないため、より小型のクラウンを生成する。
いくつかの実施形態では、バルク体積の斜面または側壁は、クラウニングが最小限にされるようなものである。以下で説明されるように、ある形状の側壁が、より少ないクラウニングを伴う転写デバイスをもたらす。
ある実施形態では、複数のバルク材料層（例えば、粘弾性材料）が提供される。第１のバルク材料層は、硬質プレート界面上にあり、典型的には、通常では問題のあるクラウンであろうものを有する。第２のバルク材料層は、第１のバルク材料層上に提供される。第２のバルク材料層は、第１のバルク材料層より薄い。第２のバルク材料層がより薄いため、より小型のクラウンを有し得る。支柱は、第２のバルク材料層上に配置され、バルク材料の第２の層上のクラウンに対して突出している。加えて、組み合わせられる第２のバルク材料層の厚さおよび支柱の高さが、バルク材料の第１の層上のクラウンより大きいため、支柱は、第１のバルク材料層に対して突出している。
ある実施形態では、転写デバイスは、支柱の逐次層上に逐次的に小さくなる断面を伴う多層支柱を有する。マイクロ支柱が、支柱上に形成される。マイクロ支柱は、印刷可能な半導体デバイスに物理的に接触するために使用される。マイクロ支柱は、典型的には、支柱より短くて狭い。多層支柱の使用は、依然として小型デバイスが取り上げられることを可能にしながら、支柱の所望のアスペクト比が維持されることを可能にする。多層支柱によって獲得される高さは、支柱の高さが増加させられるにつれて、クラウニング問題の危険性を低減させ得る。加えて、多層支柱は、沈下に関係付けられる問題を低減させることができる。
転写デバイスが取り上げる動作中に圧縮されるとき、支柱の間の沈下の可能性がある。本沈下は、所望されない材料がソース基板から取り上げられることを可能にする。隣接する支柱の間の距離が増加させられると、問題を引き起こす沈下の危険性が増加する。
支柱の所望のアスペクト比を維持し、したがって、沈下およびクラウニングに関係付けられる問題を低減させながら、支柱の高さを増加させるために、多層支柱が使用されることができる。ある実施形態では、抗−沈下特徴が、転写デバイス上の支柱の間に提供される。抗−沈下特徴は、デバイスを取り上げないようなアスペクト比を有することができる。このようにして、抗−沈下支柱は、転写デバイス内のバルク材料の本体がソース基板に接触することを防止し、それによって、沈下に関係付けられる問題を低減させる。
ある実施形態では、転写デバイスは、支柱の間に粗面を提供される。粗面が接着を低減させるため、粗面は、沈下が起こる場合に印刷可能半導体要素が取り上げられるであろう危険性を低減させる。
一側面では、開示される技術は、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法を含み、この方法は、ネイティブ基板上に形成される半導体デバイスを提供するステップと、半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、接触表面と半導体デバイスの頂面との間の接触は、半導体デバイスを整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、整合可能転写デバイスの接触表面が、ネイティブ基板から解放される半導体デバイスとともにその上に配置された半導体デバイスを有するように、ネイティブ基板から半導体デバイスを分離するステップと、半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させることに先立って、ネイティブ基板からの分離に続いて、半導体デバイスの裏面をプラズマ（例えば、大気プラズマ）に暴露するステップと、接触表面上に配置された半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させるステップと、半導体デバイスから整合可能転写デバイスの接触表面を分離し、それによって、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるステップとを含む。
ある実施形態では、裏面をプラズマに暴露するステップは、半導体デバイスと目標基板の受容基板との間の結合を向上させる。
ある実施形態では、裏面をプラズマに暴露するステップは、半導体デバイスの裏面を清浄化する。
ある実施形態では、裏面をプラズマに暴露するステップは、半導体デバイスの裏面から酸化物の薄い層を除去する。
ある実施形態では、目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である。
ある実施形態では、目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する。
ある実施形態では、ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える。
ある実施形態では、プラズマは、還元ガスを含む。
ある実施形態では、本方法は、整合可能転写デバイスの接触表面からの半導体デバイスの剪断および剥離を防止するように、デューティサイクル、滞留時間、プラズマの出力、および半導体デバイスまでのプラズマの距離のうちの少なくとも１つを制御するステップを含む。
ある実施形態では、半導体デバイスの裏面は、金属を含む。
ある実施形態では、金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである。
ある実施形態では、目標基板の受容表面は、少なくとも部分的に金属を含む。
ある実施形態では、金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである。
ある実施形態では、整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプおよび弾性スタンプのうちの少なくとも１つを備える。
ある実施形態では、本方法は、接触表面上に配置された半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させることに先立って、ネイティブ基板から整合可能転写デバイスを分離し、それによって、ネイティブ基板から半導体デバイスを取り上げるステップを含む。
ある実施形態では、ネイティブ基板から整合可能転写デバイスを分離するステップは、少なくとも５ｇ（例えば、５〜１００ｇ）の初期加速で行われる。
ある実施形態では、ネイティブ基板から整合可能転写デバイスを分離する上記ステップは、（ｉ）ネイティブ基板から整合可能転写デバイスを離して動かすことと、（ｉｉ）整合可能転写デバイスからネイティブ基板を離して動かすことのうちの一方または両方を含む。
ある実施形態では、整合可能転写デバイスは、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱のうちの少なくとも１つを備える。
ある実施形態では、整合可能転写デバイスは、複数の支柱を伴う転写デバイス層を備え、支柱のそれぞれは、ネイティブ基板からの個別半導体デバイスに接触するように成形され、それによって、目標基板の受容表面上に半導体デバイスのアレイを組み立てる。
ある実施形態では、整合可能転写デバイスは、複数の支柱のうちの２つの隣接する支柱の間に位置する、１つまたはそれを上回る抗−抗−沈下支柱を備える。
ある実施形態では、抗−沈下支柱は、支柱のうちの１つまたはそれを上回るものの高さより小さい高さを有する。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱の間の転写デバイスの表面は、粗面である。
ある実施形態では、転写デバイスのバルク体積は、第１の材料を含み、複数の支柱は、第２の材料を含み、複数の支柱は、バルク体積上に配置される。
ある実施形態では、本方法は、接触表面上に配置された半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させた後に、加熱要素によってポリマー層を加熱するステップを含む。
ある実施形態では、本方法は、ネイティブ基板上に形成される半導体デバイスを提供した後に、半導体デバイスとネイティブ基板との間に形成される剥離層の少なくとも一部をエッチングするステップを含む。
ある実施形態では、半導体デバイスは、一体の無機半導体構造を備える。
ある実施形態では、目標基板は、Ｓｉを含む。
ある実施形態では、半導体デバイスは、カプセル化ポリマー層を含む。
ある実施形態では、整合可能転写デバイスは、複数の支柱と同一の高さの１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備え、各抗−沈下支柱は、複数の支柱のうちの少なくとも２つの支柱の間に位置する。
ある実施形態では、半導体デバイスは、半導体デバイスの金属裏面が目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、目標基板の受容表面上に組み立てられる。
ある実施形態では、本方法は、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てた後に、フラックス層を熱処理し、それによって、金属裏面を金属パッドに固着するステップを含む。
ある実施形態では、半導体デバイスは、半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する。
別の側面では、開示される技術は、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴ってネイティブ基板上に形成される、半導体デバイスを提供するステップと、半導体デバイスのポリマー層を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、接触表面と半導体デバイスとの間の接触は、半導体デバイスを整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、半導体デバイスが、整合可能転写デバイスの接触表面上に配置され、ネイティブ基板から解放されるように、ネイティブ基板から半導体デバイスを分離するステップと、接触表面上に配置された半導体デバイスを目標基板の受容表面に接触させるステップと、加熱要素によって、ポリマー層を加熱するステップと、半導体デバイスが受容表面上に転写されるように、半導体デバイスから整合可能転写デバイスの接触表面を分離し、それによって、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるステップとを含む、方法を含む。
ある実施形態では、加熱要素は、ホットプレートである。
ある実施形態では、加熱要素は、半導体デバイスと反対の目標基板の側面上に配置される。
ある実施形態では、目標基板は、半導体デバイスに対して非ネイティブである。
ある実施形態では、本方法は、ポリマー層を加熱した後に、ポリマーを少なくとも部分的に除去するステップを含む。
ある実施形態では、加熱要素からの熱は、ポリマー層の粘度を低減させ、ポリマー層を流動させる。
ある実施形態では、ポリマー層は、半導体デバイスの頂面および半導体デバイスの１つまたはそれを上回る側面上に配置される。
ある実施形態では、ポリマー層は、ネイティブ基板上の印刷可能半導体の少なくとも一部をカプセル化する。
ある実施形態では、目標基板の受容表面は、平面状でない局所表面を備える。
ある実施形態では、目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である。
ある実施形態では、目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する。
ある実施形態では、ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える。
ある実施形態では、半導体デバイスは、半導体デバイスの金属裏面が目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、目標基板の受容表面上に組み立てられる。
ある実施形態では、本方法は、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てた後に、フラックス層を熱処理し、それによって、金属裏面を金属パッドに固着するステップを含む。
ある実施形態では、本方法は、半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させることに先立って、ネイティブ基板からの分離に続いて、半導体デバイスの頂面と反対の半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む。
別の側面では、開示される技術は、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、ネイティブ基板上に形成される半導体デバイスを提供するステップであって、半導体デバイスは、金属裏面を備える、ステップと、半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、接触表面と半導体デバイスとの間の接触は、半導体デバイスを整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、整合可能転写デバイスの接触表面が、ネイティブ基板から解放される半導体デバイスとともにその上に配置された半導体デバイスを有するように、ネイティブ基板から半導体デバイスを分離するステップと、接触表面上に配置された半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させるステップであって、受容表面は、目標基板上に配置される金属パッド上にフラックス層を備える、ステップと、半導体デバイスから整合可能転写デバイスの接触表面を分離し、それによって、半導体デバイスの金属裏面がフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるステップと、フラックス層を熱に暴露し、それによって、金属裏面を金属パッドに固着するステップとを含む、方法を含む。
ある実施形態では、フラックス層を熱処理するステップは、フラックス層を熱に暴露するステップを含む。
ある実施形態では、フラックス層は、加熱要素を使用して熱に暴露される。
ある実施形態では、加熱要素は、ホットプレートである。
ある実施形態では、加熱要素は、印刷可能な半導体デバイスと反対の目標基板の側面上に配置される。
ある実施形態では、ネイティブ基板上に形成される半導体デバイスを提供するステップは、半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴ってネイティブ基板上に形成される、半導体デバイスを提供するステップを含む。
ある実施形態では、目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である。
ある実施形態では、目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する。
ある実施形態では、ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える。
ある実施形態では、ネイティブ基板上に形成される半導体デバイスを提供するステップは、ネイティブ基板上に半導体デバイスを形成すること、印刷可能半導体を少なくとも部分的にポリマー層でカプセル化することとを含む。
ある実施形態では、ネイティブ基板上に形成される半導体デバイスは、ポリマー層でカプセル化される。
ある実施形態では、目標基板の受容表面は、１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴を備える。
ある実施形態では、１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴は、メサ、Ｖ字形チャネル、およびトレンチから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備える。
ある実施形態では、半導体デバイスは、半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する。
ある実施形態では、本方法は、接触表面上に配置された半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させた後に、加熱要素によってポリマー層を加熱するステップを含む。
ある実施形態では、本方法は、ネイティブ基板からの分離に続いて、かつ半導体デバイスを目標基板の受容表面と接触させることに先立って、半導体デバイスの頂面と反対の半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む。
別の側面では、開示される技術は、低減されたクラウニングを伴う整合可能転写デバイスであって、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面と、第１の表面と第２の表面との間の側面とを有する、バルク体積であって、バルク面積は、側面を第１の表面に接続する先細表面を備える、バルク体積と、印刷可能材料を取り上げるためにバルク体積の第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、複数の印刷支柱およびバルク体積は、バルク体積の第２の表面に印加される力が複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱とを備える、転写デバイスを含む。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、複数の印刷支柱のうちの各支柱は、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、複数の印刷支柱の厚さおよびバルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。
ある実施形態では、バルク体積および複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される。
ある実施形態では、支柱の少なくとも一部は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状および凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
別の側面では、開示される技術は、複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）が配置される表面を伴うメサ構成を有する、エラストマー（例えば、ＰＤＭＳ）スラブ（例えば、バルク体積）を備える、整合可能転写デバイスを含み、以下のうちの１つまたはそれを上回るもの［（ｉ）、（ｉｉ）、および／または（ｉｉｉ）のうちのいずれか］が当てはまる、すなわち、（ｉ）メサの縁は、表面の歪曲を低減させ、複数の支柱の正確な間隔を可能にするよう、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、（ｉｉ）複数の支柱は、縁から少なくとも１ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜２０ｍｍ）離れて表面上に配列される、および（ｉｉｉ）上記メサは、１０ｍｍ以下（例えば、１〜５ｍｍ）の厚さを有する。
ある実施形態では、上記メサの縁は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
ある実施形態では、上記メサの縁は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状および凹状）を有する。
ある実施形態では、本デバイスは、エラストマースラブが配置される基板（例えば、ガラス）を含む。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、複数の印刷支柱のうちの各支柱は、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、上記メサの厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、複数の支柱の厚さ 対 上記メサの厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、上記メサは、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、第１のヤング率を有し、メサは、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、１ＭＰａ〜５ＭＰａのヤング率を有する。
ある実施形態では、上記メサは、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、上記メサは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。
ある実施形態では、メサおよび支柱は、単一の材料から形成される。
別の側面では、開示される技術は、整合可能転写デバイスであって、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、バルク体積上に配置されるメサと、印刷可能材料を取り上げるためにバルク体積と反対のメサ上に配置される、複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）を備える、層であって、複数の支柱、メサ、およびバルク体積は、バルク体積の第２の表面に印加される力が複数の支柱に伝達されるように配列される、層とを含む、転写デバイスを含む。
ある実施形態では、上記メサの厚さは、支柱の厚さより大きい。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、複数の印刷支柱のうちの各支柱は、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、支柱の厚さ対バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、第１のヤング率を有し、バルク体積は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、上記メサは、第１のヤング率を有する。
ある実施形態では、上記メサは、第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。
ある実施形態では、バルク体積および支柱は、単一の材料から形成される。
ある実施形態では、支柱の少なくとも一部は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状および凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
別の側面では、開示される技術は、クラウニングを低減させるように整合可能転写デバイスを修正する方法であって、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面と、第１の表面と第２の表面との間の１つまたはそれを上回る側面とを有する、バルク体積と、印刷可能材料を取り上げるためにバルク体積の第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、複数の印刷支柱およびバルク体積は、バルク体積の第２の表面に印加される力が複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱とを備える、転写デバイスを提供するステップと、第１の表面に対してゼロではない角度でバルク基板の第１の表面の縁を切断し、それによって、縁におけるクラウニングを低減させるステップとを含む、方法を含む。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、複数の印刷支柱のうちの各支柱は、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、複数の印刷支柱の厚さおよびバルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、バルク体積は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、複数の印刷支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。
ある実施形態では、バルク体積および複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される。
ある実施形態では、支柱の少なくとも一部は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状および凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
別の側面では、開示される技術は、整合可能転写デバイスであって、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、印刷可能材料を取り上げるためにバルク体積の第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、各支柱は、基礎区分と、最上区分とを備え、最上区分は、基礎区分の断面積より小さい（例えば、基礎区分の断面積の５０％、３０％、２５％、１０％未満である）断面積を有する、複数の印刷支柱とを含む、転写デバイスを含む。
ある実施形態では、複数の支柱のそれぞれは、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）に及ぶ。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、支柱の厚さ対バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。
ある実施形態では、バルク体積および支柱は、単一の材料から形成される。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状および凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
ある実施形態では、支柱の少なくとも一部は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
別の側面では、開示される技術は、整合可能転写デバイスであって、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、印刷可能材料を取り上げるためにバルク体積の第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱と、印刷可能材料が複数の印刷支柱によって取り上げられるときに、バルク体積の第１の表面が沈下し、不注意に印刷可能材料を取り上げることを防止するために、バルク体積の第１の表面上に配置される、複数の抗−沈下支柱であって、複数の印刷支柱およびバルク体積は、バルク体積の第２の表面に印加される力が複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の抗−沈下支柱とを含む、転写デバイスを含む。
ある実施形態では、複数の印刷支柱および複数の抗−沈下支柱は、複数の印刷支柱と複数の抗−沈下支柱との間に位置付けられる接続層上に配置される。
ある実施形態では、接続層は、薄い金属層を備える。
ある実施形態では、複数の支柱のそれぞれは、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、印刷支柱の厚さ対バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、印刷支柱は、第１のヤング率を有し、バルク体積は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、印刷支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、印刷支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。
ある実施形態では、バルク体積および印刷支柱は、単一の材料から形成される。
ある実施形態では、抗−沈下支柱は、印刷支柱の間に散在させられる。
ある実施形態では、複数の抗−沈下支柱は、印刷支柱より大きい係数を有する。
ある実施形態では、支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、支柱の少なくとも一部は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状および凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
別の側面では、開示される技術は、整合可能転写デバイスであって、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、印刷可能材料を取り上げるためにバルク体積の第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、複数の支柱およびバルク体積は、バルク体積の第２の表面に印加される力が複数の支柱に伝達されるように配列され、複数の支柱によって占有されていない第１の表面の面積の一部は、粗面積を備える（それによって、抗−沈下する）、複数の支柱とを含む、転写デバイスを含む。
ある実施形態では、粗面積は、複数の特徴を備え、各特徴は、各支柱の幅より小さい幅と、各支柱の高さより小さい高さとを有する。
ある実施形態では、粗面積は、支柱の間で第１の表面上に位置する。
ある実施形態では、粗面積は、特徴のパターン化されたアレイを備える。
請求項２００ 粗面積は、特徴のランダムアレイを備える、請求項１９６〜１９９のいずれか１項に記載のデバイス。
ある実施形態では、複数の支柱のそれぞれは、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、支柱の厚さおよびバルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、第１のヤング率を有し、バルク体積は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートルの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、バルク体積は、ＰＤＭＳである。
ある実施形態では、バルク体積および支柱は、単一の材料から形成される。
ある実施形態では、整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプである。
ある実施形態では、整合可能転写デバイスは、エラストマースタンプである。
ある実施形態では、エラストマースタンプは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製される。
ある実施形態では、支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、支柱は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状および凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
別の側面では、開示される技術は、整合可能転写デバイスであって、第１の材料を備える、基部と、第２の材料を備え、基部上に配置される、副基部（例えば、副基部は、基部より小さい断面積を有する）と、基部および副基部と異なる材料を備え、少なくとも部分的に副基部上に（例えば、また、少なくとも部分的に基部に）配置される、バルク体積であって、副基部上に配置されるバルク体積の一部の厚さは、副基部の厚さより小さい、バルク体積と、印刷可能材料を取り上げるために副基部の反対および上方でバルク体積上に配置される、複数の支柱であって、複数の支柱、基部、副基部、およびバルク体積は、副基部と反対の基部の表面に印加される力が複数の支柱に伝達されるように配列される、複数の支柱とを含む、転写デバイスを含む。
ある実施形態では、第１の材料は、ガラスを含む。
ある実施形態では、第１および第２の材料は、同一である。
ある実施形態では、バルク体積および複数の支柱は、単一の材料から形成される。
ある実施形態では、バルク体積は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、第１の材料は、透明である。
ある実施形態では、第２の材料は、透明である。
ある実施形態では、複数の支柱のそれぞれは、バルク体積と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、支柱の厚さ対バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、支柱は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である。
ある実施形態では、バルク体積は、支柱より大きい係数を有する。
ある実施形態では、支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、支柱の少なくとも一部は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
別の側面では、開示される技術は、整合可能転写デバイスであって、第１の表面および第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積であって、バルク体積は、第１の組成を有する、バルク体積と、印刷可能材料を取り上げるためにバルク体積の第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、複数の支柱およびバルク体積は、基部の第２の表面に印加される力が複数の支柱に伝達されるように配列され、各支柱の少なくとも一部（例えば、各支柱の全体または各支柱の最上部分）は、第１の組成と異なる第２の組成を有する、複数の支柱とを含む、転写デバイスを含む。
ある実施形態では、各支柱の少なくとも一部は、第２の組成を有する。
ある実施形態では、バルク体積に最も近い各支柱の底部分は、第２の組成を有する。
ある実施形態では、第１の組成は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、第２の組成は、ポリマーを含む。
ある実施形態では、第１の組成は、硬化剤を含む。
ある実施形態では、第２の組成は、硬化剤を含む。
ある実施形態では、基部は、ガラスである。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱は、第１の表面と反対の支柱の端部上に接触表面を備え、複数の支柱の接触表面は、実質的に同一平面内にある。
ある実施形態では、支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である。
ある実施形態では、バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である。
ある実施形態では、支柱の厚さおよびバルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である。
ある実施形態では、バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する。
ある実施形態では、バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む。
ある実施形態では、支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する。
ある実施形態では、支柱は、連続的な一体の層内に形成される。
ある実施形態では、複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）。
ある実施形態では、支柱の少なくとも一部は、第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて第１の表面上に配列される。
ある実施形態では、バルク体積は、第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する。
ある実施形態では、側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する。
ある実施形態では、側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する。
ある実施形態では、側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する。
本開示の前述および他の目的、側面、特徴、ならびに利点は、添付図面と併せて検討される以下の説明を参照することによって、より明白になり、より良く理解されるであろう。
本開示の特徴および利点は、類似参照文字が全体を通して対応する要素を識別する、図面と併せて解釈されるときに、以下に記載される発明を実施するための形態からより明白となるであろう。図面では、類似参照番号は、概して、同一、機能的に類似する、および／または構造的に類似する要素を示す。
（発明の詳細な説明）
本明細書で使用されるように、「半導体要素」および「半導体構造」という表現は、同義的に使用され、半導体材料、構造、デバイス、またはデバイスの構成要素を広く指す。半導体要素は、高品質単結晶および多結晶半導体、高温処理を介して製作された半導体材料、ドープした半導体材料、有機および無機半導体、ならびに誘電体層もしくは材料または伝導層もしくは材料等の１つまたはそれを上回る付加的半導体構成要素もしくは非半導体構成要素を有する、複合半導体材料および構造を含む。半導体要素は、トランジスタ、太陽電池を含む太陽光発電装置、ダイオード、発光ダイオード、レーザ、ｐ−ｎ接合部、フォトダイオード、集積回路、およびセンサを含むが、それらに限定されない、半導体デバイスおよびデバイス構成要素を含む。加えて、半導体要素は、機能的半導体デバイスまたは製品を形成する部品もしくは部分を指すことができる。
本明細書で使用されるように、「半導体要素」および「半導体構造」という表現は、同義的に使用され、半導体材料、構造、デバイス、またはデバイスの構成要素を広く指す。半導体要素は、高品質単結晶および多結晶半導体、高温処理を介して製作された半導体材料、ドープした半導体材料、有機および無機半導体、ならびに誘電体層もしくは材料または伝導層もしくは材料等の１つまたはそれを上回る付加的半導体構成要素もしくは非半導体構成要素を有する、複合半導体材料および構造を含む。半導体要素は、トランジスタ、太陽電池を含む太陽光発電装置、ダイオード、発光ダイオード、レーザ、ｐ−ｎ接合部、フォトダイオード、集積回路、およびセンサを含むが、それらに限定されない、半導体デバイスおよびデバイス構成要素を含む。加えて、半導体要素は、機能的半導体デバイスまたは製品を形成する部品もしくは部分を指すことができる。
「半導体」は、非常に低い温度において絶縁体であるが、約３００ケルビンの温度において感知され得る電気伝導度を有する材料である、任意の材料を指す。半導体の電気的特性は、不純物またはドーパントの添加によって修正され、電場の使用によって制御されることができる。本説明では、半導体という用語の使用は、マイクロエレクトロニクスおよび電子デバイスの技術分野内の本用語の使用と一致することを意図している。本発明で有用な半導体は、シリコン、ゲルマニウム、およびダイヤモンド等の元素半導体、ならびに化合物半導体、例えば、ＳｉＣおよびＳｉＧｅ等のＩＶ族複合半導体、ＡｌＳｂ、ＡｌＡｓ、Ａｌｎ、ＡｌＰ、ＢＮ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＮ、およびＩｎＰ等のＩＩＩ−Ｖ族半導体、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ等のＩＩＩ−Ｖ族三元半導体合金、ＣｓＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、およびＺｎＴｅ等のＩＩ−ＶＩ族半導体、ＣｕＣｌ等のＩ−ＶＩＩ族半導体、ＰｂＳ、ＰｂＴｅ、およびＳｎＳ等のＩＶ−ＶＩ族半導体、ＰｂＩ２、ＭｏＳ２、およびＧａＳｅ等の層半導体、ＣｕＯおよびＣｕ２Ｏ等の酸化物半導体を含むことができる。半導体という用語は、所与の用途もしくはタイプに有用である有益な電子的性質を提供するように、ｐ型ドーピング材料およびｎ型ドーピング材料を有する半導体を含む、１つまたはそれを上回る選択された材料でドープされる真性半導体ならびに外因性半導体を含む。半導体という用語は、半導体またはドーパントの混合物を含む、複合材料を含む。本発明のいくつかの用途で有用な具体的半導体材料は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＣ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＯ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＳ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＩｎＡｓ、ＡｌＩｎＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＩｎＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓＳｂ、ＡｌＧａＩｎＰ、およびＧａＩｎＡｓＰを含むが、それらに限定されない。多孔質シリコン半導体材料は、発光ダイオード（ＬＥＤ）およびソリッドステートレーザ等のセンサおよび発光材料の分野内で本発明の用途に有用である。半導体材料の不純物は、半導体材料自体または半導体材料の中で提供される任意のドーパント以外の原子、要素、イオン、もしくは分子である。不純物は、半導体材料の電子的性質に悪影響を及ぼし得る、半導体材料に存在する望ましくない材料であり、酸素、炭素、および重金属を含む金属を含むが、それらに限定されない。重金属不純物は、周期表上の銅と鉛との間の元素群、カルシウム、ナトリウム、ならびに全てのイオン、それらの化合物および／または錯体を含むが、それらに限定されない。
「基板」は、その上または中で、半導体要素のパターン化、組立、もしくは統合等のプロセスが行われる（または行われた）、構造または材料を指す。基板は、（ｉ）半導体要素が製作され、堆積させられ、転写され、または支持される構造（ネイティブ基板とも称される）、（ｉｉ）デバイス基板、例えば、電子デバイス基板、（ｉｉｉ）後続の転写、組立、または統合のための半導体要素等の要素を有する、ドナー基板、および（ｉｖ）半導体要素等の印刷可能構造を受容するための標的基板を含むが、それらに限定されない。ドナー基板は、ネイティブ基板であり得るが、必ずしもそうではない。
本明細書で使用されるような「目標基板」は、半導体要素等の印刷可能構造を受容するための標的基板（非ネイティブ基板とも称される）を指す。ディスプレイ基板材料の実施例は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、金属、金属箔、ガラス、可撓性ガラス、半導体、およびサファイアを含む。
「印刷可能」は、（例えば、摂氏約４００、２００、もしくは１５０度未満またはそれと等しい温度において）基板を高温に暴露することなく、基板の上または中への転写、組立、パターン化、組織化、もしくは統合が可能である、材料、構造、デバイス構成要素、または統合された機能的デバイスを指す。本発明の一実施形態では、印刷可能材料、要素、デバイス構成要素、またはデバイスは、溶液印刷、マイクロ転写印刷、もしくは乾式転写接触印刷を介した、基板の上または中への転写、組立、パターン化、組織化、もしくは統合が可能である。
本発明の「印刷可能半導体要素」は、例えば、乾式転写接触印刷、マイクロ転写印刷、または溶液印刷方法を使用することによって、基板表面上に組み立てられ、もしくは統合されることができる半導体構造を備える。一実施形態では、本発明の印刷可能半導体要素は、一体単結晶、多結晶、または微結晶無機半導体構造である。本説明の文脈で、一体構造は、機械的に接続される特徴を有する、モノリシック要素である。本発明の半導体要素は、ドープされない、またはドープされることができ、ドーパントの選択された空間分布を有することができ、ｐおよびｎ型ドーパントを含む、複数の異なるドーパント材料でドープされることができる。本発明は、約１ミクロンを上回るまたはそれと等しい少なくとも１つの断面寸法を有する、マイクロ構造化された印刷可能半導体要素と、約１ミクロン未満またはそれと等しい少なくとも１つの断面寸法を有する、ナノ構造化された印刷可能半導体要素とを含む。多くの用途で有用な印刷可能半導体要素は、従来の高温処理技法を使用して生成される、高純度結晶半導体ウエハ等の高純度バルク材料の「トップダウン」処理から導出される要素を備える。一実施形態では、本発明の印刷可能半導体要素は、伝導層、誘電体層、電極、付加的半導体構造、またはこれらの任意の組み合わせ等の少なくとも１つの付加的デバイス構成要素もしくは構造に動作的に接続される半導体を有する、複合構造を備える。一実施形態では、本発明の印刷可能半導体要素は、伸張可能半導体要素または異種半導体要素を備える。
「プラスチック」は、概して、加熱され、所望の形状に硬化されたときに、成形または形成されることができる、任意の合成もしくは自然発生材料または材料の組み合わせを指す。本発明のデバイスおよび方法で有用な例示的プラスチックは、ポリマー、樹脂、およびセルロース誘導体を含むが、それらに限定されない。本説明では、プラスチックという用語は、所望の化学または物理的性質を提供することができる、構造的増進剤、充填剤、繊維、可塑剤、もしくは添加剤等の１つまたはそれを上回る添加剤とともに１つまたはそれを上回るプラスチックを含む、複合プラスチック材料を含むことを意図している。
「誘電体」および「誘電体材料」は、本説明で同義的に使用され、電流に対して高度に耐性があり、印加された電場によって分極されることができる、物質を指す。有用な誘電体材料は、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＳｉＮ４、ＳＴＯ、ＢＳＴ、ＰＬＺＴ、ＰＭＮ、およびＰＺＴを含むが、それらに限定されない。
「ポリマー」は、典型的には、単量体と称される、複数の反復化学基を含む、分子を指す。ポリマーは、多くの場合、高分子量によって特徴付けられる。本発明で使用可能なポリマーは、有機ポリマーまたは無機ポリマーであり得、非晶質、半非晶質、結晶、もしくは部分的結晶状態にあり得る。ポリマーは、同一の化学組成を有する単量体を含むことができ、または共重合体等の異なる化学組成を有する複数の単量体を含むことができる。結合された単量体鎖を有する架橋ポリマーが、本発明のいくつかの用途のために特に有用である。本発明の方法、デバイス、およびデバイス構成要素で使用可能なポリマーは、プラスチック、エラストマー、熱可塑性エラストマー、エラストプラスチック、サーモスタット、熱可塑性物質、およびアクリレートを含むが、それらに限定されない。例示的ポリマーは、アセタールポリマー、生分解性ポリマー、セルロースポリマー、フッ素重合体、ナイロン、ポリアクリロニトリルポリマー、ポリアイミド・イミドポリマー、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリベンゾイミダゾール、ポリブチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエーテルイミド、ポリエチレン、ポリエチレン共重合体および変性ポリエチレン、ポリケトン、ポリ（メチルメタクリレート）、ポリメチルペンテン、ポリフェニレン酸化物およびポリフェニレン硫化物、ポリフタルアミド、ポリプロピレン、ポリウレタン、スチレン樹脂、スルホン系樹脂、ビニル系樹脂、またはこれらの任意の組み合わせを含むが、それらに限定されない。
本明細書で使用されるような「マイクロ転写印刷」は、２次元および３次元レイアウトを伴う空間的に組織化された機能的配列へのマイクロならびにナノ材料、デバイス、および半導体要素の決定論的組立のためのシステム、方法、ならびに技法を指す。多くの場合、極薄または小型デバイスを取り上げて配置することは困難であるが、マイクロ転写印刷は、デバイス自体に損傷を引き起こすことなく、マイクロＬＥＤ等のこれらの極薄、脆弱、または小型デバイスの選択および適用を可能にする。
マイクロ構造化スタンプ（例えば、エラストマー、静電スタンプ、またはハイブリッドエラストマー／静電スタンプ）が、マイクロデバイスを取り上げ、マイクロデバイスを目標基板に輸送し、目標基板上にマイクロデバイスを印刷するために使用されることができる。いくつかの実施形態では、表面接着力が、目標基板上へのこれらのデバイスの選択および印刷を制御するために使用される。本プロセスは、並行して大規模に行われることができる。スタンプは、単一の取り上げて印刷する動作で、単一のデバイスまたは何百から何千もの離散構造を転写するように設計されることができる。概して、マイクロ転写印刷の議論については、それぞれが参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる、米国特許第７，６２２，３６７号および第８，５０６，８６７号を参照されたい。
（接着剤のない表面および局所表面への熱支援マイクロ転写印刷）
図１Ａ−１Ｃは、熱支援マイクロ転写印刷の説明図である。転写デバイス１０２（例えば、エラストマーまたは粘弾性スタンプ（例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンプ）等の整合可能転写デバイスは、（ｉ）ネイティブ基板１０８（例えば、印刷可能半導体要素１０４に元来備わっており、印刷可能半導体要素１０４を製作するために使用される）から印刷可能半導体要素１０４を取り上げ、（ｉｉ）印刷可能半導体要素１０４を非ネイティブ目標基板１１０に転写するために、支柱のアレイ１１４を含む。ある実施形態では、印刷可能半導体要素１０４は、それらが取り上げられる前にポリマー層１０６（例えば、フォトレジスト）にカプセル化される。
図１Ａ−１Ｃは、熱支援マイクロ転写印刷の説明図である。転写デバイス１０２（例えば、エラストマーまたは粘弾性スタンプ（例えば、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）スタンプ）等の整合可能転写デバイスは、（ｉ）ネイティブ基板１０８（例えば、印刷可能半導体要素１０４に元来備わっており、印刷可能半導体要素１０４を製作するために使用される）から印刷可能半導体要素１０４を取り上げ、（ｉｉ）印刷可能半導体要素１０４を非ネイティブ目標基板１１０に転写するために、支柱のアレイ１１４を含む。ある実施形態では、印刷可能半導体要素１０４は、それらが取り上げられる前にポリマー層１０６（例えば、フォトレジスト）にカプセル化される。
ある実施形態では、印刷可能半導体要素１０４は、バルク半導体基板上に、またはそれから製作される。そのような実施形態では、非ネイティブ目標基板１１０は、（ｉ）（例えば、その上に製作された伝導性接続を伴う）非半導体および／または非金属材料、もしくは（ｉｉ）目標基板と異なるタイプの１つまたはそれを上回る半導体材料のいずれか一方で作製される。非ネイティブ基板１１０の実施例は、ガラス、サファイア、プラスチック、金属、および／または他の半導体を含むが、それらに限定されない。ネイティブ基板１０８の実施例は、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰ等の無機半導体材料を含むが、それらに限定されない。
図１Ａは、ネイティブ基板１０８から印刷可能半導体要素１０４を取り上げた後であるが、目標基板１１０上に印刷可能半導体要素１０４を堆積させる前の転写デバイス１０２を図示する。ある実施形態では、印刷可能半導体要素１０４は、ネイティブ基板１０８上に製作され、次いで、転写デバイス１０２がネイティブ基板１０８から印刷可能半導体要素１０４を取り上げることに先立って、ポリマー層１０６でコーティングされる。ある実施形態では、ポリマー１０６は、印刷可能半導体要素１０４の頂面および側面上にある。ある実施形態では、ポリマー１０６は、図１Ｂに示されるように、印刷中にポリマー１０６および印刷可能半導体要素１０４の底部が両方とも目標基板１１０に接触するように、印刷可能半導体要素１０４の底部と同一平面上にある。
ある実施形態では、印刷可能半導体要素１０４がネイティブ基板１０８から取り上げられる前に、ポリマー層１０６は、層１０６がネイティブ基板１０８上で印刷可能半導体要素１０４を維持するように印刷可能半導体要素１０４をカプセル化するという点で、印刷可能半導体要素１０４用のアンカまたはテザーとしての機能を果たす。係留の例示的詳細は、参照することによってその全体として本明細書に組み込まれる、２０１５年６月１８日に出願され、Ｓｙｓｔｅｍｓ ａｎｄ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｉｎｇ Ｒｅｌｅａｓｅ ｏｆ Ｔｒａｎｓｆｅｒａｂｌｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓと題された、米国特許出願第１４／７４３，９８８号で説明されている。ある実施形態では、ポリマー層１０６は、フォトレジストである。
図１Ｂは、印刷可能半導体要素１０４を目標基板１１０に転写する、転写デバイス１０２を図示する。転写（例えば、印刷プロセス）中に、ポリマー層１０６は、ある実施形態では、転写デバイス１０２と印刷可能半導体要素１０４との間に位置し、印刷可能半導体要素１０４が転写デバイス１０２によって取り上げられるときに、転写デバイス１０２と目標基板１１０との間の分離のための界面としての機能を果たす。ある実施形態では、ポリマー層１０６は、転写デバイス１０２による印刷可能半導体要素１０４の取り上げ中に、転写デバイス１０２への接着を増加させる。ある実施形態では、目標基板１１０からの転写デバイス１０２の分離の後に、ポリマー層１０６は、後に除去され、それによって、目標基板１１０上に転写された印刷可能半導体要素１０４を残す。
ある実施形態では、転写デバイス１０２は、目標基板１１０の表面上に印刷可能半導体要素１０４およびポリマー層１０６を配置し、ポリマー層１０６が流動し、それによって、転写デバイス１０２から分離し、または転写デバイス１０２との低減した接着を有することを可能にするように、所定の時間にわたってその配置位置にとどまる。ポリマー１０６および印刷可能半導体要素１０４の底部を目標基板１１０に接触させた後、ポリマー１０６は、（直接または間接的に）加熱されることができる。例えば、ある実施形態では、ホットプレート１１２が、目標基板１１０を加熱するために使用される。ホットプレート１１２は、ある実施形態では、目標基板１１０と直接熱的に接触している。目標基板１１０は、印刷可能半導体要素１０４が基板１１０に転写されることに先立って、平衡温度まで加熱されてもよい。本平衡温度は、例えば、ポリマー層１０６を流動させ（例えば、加熱要素からの熱が、該接触中にポリマー層１０６の粘度を低減させ、またはポリマー層１０６を流動させる）、それによって、転写デバイス１０２とポリマー層１０６との間の接着力を低減させるために十分であり得る。ある実施形態では、非接触熱源が、目標基板１１０と直接物理的に接触しない源から採用される。
ある実施形態では、ポリマー１０６を加熱することが、印刷を促進する。印刷可能半導体要素１０４が図１Ａおよび１Ｂに示されるようにポリマー１０６に組み込まれ、ポリマー２０６が加熱されるとき、ポリマーは、流動し、それによって、印刷（すなわち、転写デバイス１０２からの印刷可能半導体要素１０４の解放）を促進することができる。ある実施形態では、熱はまた、転写デバイス１０２自体（例えば、ＰＤＭＳ転写デバイス等の粘弾性転写デバイス）を（ＣＴＥにより）チップよりもさらに膨張させ、それによって、印刷を促進する、印刷可能半導体要素１０４と転写デバイス１０２との間の剪断力につながる。
図１Ｃは、ポリマー層１０６が除去された後の目標非ネイティブ基板１１０上のマイクロ転写印刷された半導体要素１０４を図示する。例えば、印刷後、プラズマアッシングが、ポリマー層１０６を除去し、それによって、目標基板１１０上に印刷された半導体要素１０４を後に残すように行われてもよい。
ある実施形態では、目標基板１１０は、印刷可能半導体要素１０４およびポリマー層１０６と接触するように、目標基板１１０の表面２０４上に局所特徴２０２を含む。図２Ａおよび２Ｂは、局所特徴２０２を有する目標非ネイティブ基板１１０の表面２０４上に半導体要素１０４を印刷するための熱支援マイクロ転写デバイス１０２を図示する。ある実施形態では、局所特徴は、溝、Ｖ字形チャネル、トレンチ、メサ、またはカナルである。局所特徴は、様々な深度および様々な断面積を有してもよい。図２Ａは、目標基板１１０の局所特徴２０２上にポリマー層１０６を伴う印刷可能半導体要素１０４を配置する、転写デバイス１０２を示す。図２Ｂは、上記の図１Ａ−１Ｃに関して説明されるように、ポリマー層１０６が除去された後に目標基板１１０の局所特徴２０２上に位置している印刷可能半導体要素１０４を示す。ある実施形態では、局所表面２０２により、印刷可能半導体要素１０４の底部上のより少ない表面積が目標基板１１０に接触するため、局所表面２０２に印刷することが困難である。本明細書に説明されるようなポリマー層１０６の使用は、とりわけ、転写デバイスとポリマー層自体との間の接着を低減させるため、局所表面２０２を伴う目標基板１１０に印刷するときに有益である。したがって、たとえ目標基板１１０の表面のより少ない部分が印刷中に半導体要素１０４に接触しても、半導体要素１０４は、印刷されることができる。
図３Ａは、非ネイティブ基板３１０上に印刷された例示的半導体デバイス３０４のＳＥＭ画像である。実施例では、デバイス３０４は、ＩｎＰ基板から製作されるＩｎＰデバイスである。非ネイティブ基板３１０は、Ｓｉで作製される。ある実施形態では、例えば、ＩｎＧａＡｓから作製される除去層が、ネイティブ基板からのデバイス３０４の分離を可能にし、または支援するために、ＩｎＰデバイス３０４とＩｎＰバルク基板との間で採用される。
図３Ｂは、局所特徴３０２を伴う非ネイティブ基板３１０上に印刷された例示的半導体デバイス３０４のＳＥＭ画像である。示されるように、ＩｎＰデバイス３０４が、Ｓｉ目標基板３１０の表面上に印刷される。本実施例では、局所特徴３０２は、目標基板３１０の表面上に形成されるＵ字形チャネルを含む。
（マイクロ転写印刷中のプラズマ処理）
図４は、目標基板１１０に印刷される半導体要素１０４の接触表面４０４に印加されているプラズマ４０２を図示する、例示的略図である。ある実施形態では、プラズマ４０２は、半導体要素１０４が転写デバイス１０２の上にある間に、目標基板１１０に印刷される半導体要素１０４の接触表面４０４に印加される。例えば、プラズマ４０２は、エラストマー転写デバイス１０２に取り付けられるデバイスの底面４０４に印加されることができる。
図４は、目標基板１１０に印刷される半導体要素１０４の接触表面４０４に印加されているプラズマ４０２を図示する、例示的略図である。ある実施形態では、プラズマ４０２は、半導体要素１０４が転写デバイス１０２の上にある間に、目標基板１１０に印刷される半導体要素１０４の接触表面４０４に印加される。例えば、プラズマ４０２は、エラストマー転写デバイス１０２に取り付けられるデバイスの底面４０４に印加されることができる。
プラズマ４０２は、半導体要素１０４と目標基板１１０との間の結合を向上させるように、半導体要素１０４の接触表面４０４を処理する。ある実施形態では、プラズマ４０２は、エピタキシャルリフトオフのある方法を使用して製作されたデバイスの底面４０４を清浄化するために使用される。例えば、プラズマ４０２は、接触表面４０４において形成される酸化物層の半導体要素１０４の接触表面４０４を清浄化する。接触表面４０４からの酸化物の薄い層の除去は、還元ガス（フォーミングガス、アンモニア、ギ酸等）をプラズマ４０２に添加することによって向上させられることができる。例えば、エピタキシャルリフトオフのある方法を使用して製作された半導体要素１０４は、酸化剤（空気等）に暴露される表面に酸化物層を形成してもよい。プラズマ４０２は、目標基板１１０を伴う印刷可能半導体要素１０４の接触表面から酸化物の薄い層を除去するために十分な温度である。ある実施形態では、還元ガス（例えば、フォーミングガス、アンモニア、ギ酸等）が、プラズマの中へ添加される。
プラズマ４０２は、処理が行われている間に、転写デバイス１０２上の半導体要素１０４が分配されていない（すなわち、スタンプから落下しない）様式で、半導体要素１０４に印加されることができる。具体的には、プラズマ４０２は、所与の印刷可能半導体要素１０４を転写デバイス１０２から落下させない様式で、投入された転写デバイス１０２に印加される。例えば、転写デバイス１０２が高い熱膨張係数（ＣＴＥ）を有し、転写デバイス１０２の温度は、転写デバイス１０２からの半導体要素１０４の剪断および剥離を引き起こすであろうレベルを下回って維持される。この場合、いったん半導体要素１０４が転写デバイス１０２の上に来ると、制御されていない解放は望ましくない。スタンプの任意の加熱が、転写デバイス１０２を効果的に成長（例えば、膨張）させる。ある場合には、転写デバイス１０２は、印刷可能半導体要素１０４よりもさらに成長する。これは、半導体要素１０４を転写デバイス１０２から「落下」させる、印刷可能半導体要素１０４と転写デバイス１０２との間の剪断力につながり得る。しかしながら、この場合、プラズマ４０２が投入された転写デバイス１０２に印加されるとき、印刷可能半導体要素１０４の剪断力および解放は望ましくない。転写デバイス１０２からの半導体要素１０４の剪断および剥離を引き起こすであろうレベルを下回って転写デバイス１０２の温度を維持するために、いくつかの技法が使用されることができる。ある実施形態では、プラズマ出力のデューティサイクル、滞留時間（例えば、０．５〜５ｍｍ／秒、０．５〜１ｍｍ／秒、１〜２ｍｍ／秒、２〜５ｍｍ／秒のスキャン速度）、プラズマ４０２の出力（例えば、２５〜１５０ワットまたは８０〜１００ワット）、およびプラズマ４０２と半導体要素１０４の裏面との間の距離（例えば、０．５〜５ｍｍ、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜５ｍｍ）は、所望のレベルを下回って（例えば、摂氏５０、７５、または１００度を下回って、例えば、摂氏１００度を上回る短いピークを伴って摂氏５０度を下回って）転写デバイス１０２の温度を維持するように変調されることができる。例えば、ある実施形態では、プラズマの出力は、８０〜１００ワットであり、チップまでの距離は、０．５〜１ｍｍ（例えば、１ｍｍ）であり、スキャン速度は、０．５〜１ｍｍ／秒である。これは、１００℃を上回る短いピークを伴って５０℃を下回る等の所望の温度でスタンプを維持する。ある実施形態では、室温プラズマ４０２が、本タイプの破損モード（チップから落下するチップ）を回避するために十分低く転写デバイス１０２の温度を保つために使用される。
図５Ａは、目標基板１１０に印刷される半導体要素１０４の接触表面４０４に印加されているプラズマ４０２を図示する、例示的略図である。ある実施形態では、半導体要素１０４は、裏面金属５０４を有し、プラズマ４０２は、金属５０４の表面から酸化物を除去するために使用されることができる。これは、図５Ｂに示されるように、目標基板１１０上の金属５０６への半導体要素１０４上の裏面金属５０４の金属間接合を向上させる。デバイス上の金属５０４および目標基板１１０上の金属５０６のための金属間材料の実施例は、Ｃｕ−Ｃｕ、ＣｕＳｎ−Ｃｕ、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｓｎ−Ｃｕ、およびＡｕ−Ａｕを含まないが、それらに限定されない。
図６は、半導体デバイスの接触表面へのプラズマ４０２の印加を図示する、例示的顕微鏡写真である。
図７Ａ−７Ｄは、プラズマ源の例示的出力形状である。プラズマ出力の形状は、点源、ビーム源、狭い円形源、および広い源として示されるが、それらに限定されない。
図８Ａ−８Ｃは、目標基板１１０上に金属層・金属接続８０８を有する半導体要素１０４を印刷する説明図である。ある実施形態では、半導体要素１０４は、裏面金属８０２を有する。半導体要素１０４は、半導体要素１０４を印刷する前に、フラックス８０６でコーティングされた噛合金属パッド８０８を伴う目標基板１１０に印刷されることができる。フラックス８０６は、金属パッド８０８のみ、その上に金属パッド８０８を伴う目標基板１１０の表面全体、またはその上に金属パッド８０８を伴う目標基板１１０の（金属パッド８０８を含む）一部をコーティングすることができる。
図８Ａは、半導体要素１０４の底部上に配置された金属層８０２を有する、半導体要素１０４を伴う転写デバイス１０２の説明図である。図８Ｂは、目標基板１１０に印刷された半導体要素１０４の説明図である。半導体要素１０４は、その上にフラックス８０６を伴う金属パッド８０８上に印刷される。フラックス層８０６は、半導体要素１０４の金属層８０２と目標基板１１０上の金属パッド８０８との間で採用される。フラックスの除去は、金属パッド８０８上の金属酸化物を低減させ、それによって、金属の間の良好な接合または結合につながる。ある実施形態では、フラックス８０６は、樹脂である。ある実施形態では、フラックス８０６は、ノークリーンフラックスまたは水溶性フラックスである。例えば、ある実施形態では、フラックス８０６は、水（例えば、温水洗浄）を使用して除去されることができる。
ある実施形態では、フラックスは、酸化物の除去のための還元剤を含有する、接着剤層である。半導体要素１０４が印刷された後、フラックス８０６は、再流し込みさせられることができ、それによって、目標基板１１０上の金属パッド８０８と半導体要素１０４の裏面金属８０２との間の良好な金属接続を作成する。
加熱チャンバまたは加熱環境が、印刷可能半導体要素１０４および目標基板１１０を熱処理するために使用されることができる。処理は、フラックス層８０４を再流し込みさせ、それによって、図８Ｃに示されるように、金属層８０２が金属接触パッド８０８に接触することを可能にする。
（デバイス取り上げ中の高加速度によるマイクロ転写印刷）
図９Ａ−９Ｃは、半導体要素１０４を取り上げる典型的方法を図示する。図９Ａに示されるように、デバイス９０４は、それらのネイティブ基板１０８上に形成される。本実施例では、転写デバイス１０２は、図９Ｂに示されるように半導体要素１０４と接触させられる。次いで、転写デバイスは、ソース基板１０８から（上向き方向９０２に）離され、それによって、図９Ｃに示されるように、半導体要素１０４を転写デバイス１０２に一時的に接着する。
図９Ａ−９Ｃは、半導体要素１０４を取り上げる典型的方法を図示する。図９Ａに示されるように、デバイス９０４は、それらのネイティブ基板１０８上に形成される。本実施例では、転写デバイス１０２は、図９Ｂに示されるように半導体要素１０４と接触させられる。次いで、転写デバイスは、ソース基板１０８から（上向き方向９０２に）離され、それによって、図９Ｃに示されるように、半導体要素１０４を転写デバイス１０２に一時的に接着する。
図１０Ａ−Ｂおよび図１１Ａ−Ｂに関して説明される方法は、初期加速度を（例えば、５〜１００ｇまで）（例えば、１ｇまたはそれを上回るだけ）増加させ、それによって、取り上げるプロセス中により高い速度を達成するために、使用されることができる。分離における速度は、積層における転写デバイス１０２の圧縮に依存する、非常に短い移動距離（例えば、数十ミクロンまたはそれ未満）で生じる。より高い加速度は、短い距離においてより高い分離速度を生成することができ、順に、スタンプとソースとの間の接着を増加させる。
弾性スタンプ材料の転写印刷等のある実施形態では、転写デバイス１０２は、転写デバイス１０２と印刷可能要素（例えば、半導体要素１０４およびネイティブ基板１０８）のソースとの間の高速分離を採用する。より高い加速度は、短い距離においてより高い分離速度を生成することができ、したがって、転写デバイス１０２と印刷可能要素（例えば、印刷可能半導体要素１０４）との間の接着を増加させることができると分かった。分離を支援するように重力を採用するために、ある実施形態では、ソース基板１０８は、下向き方向に移動して、分離プロセス中に付加的な１ｇの加速度を提供するように構成される。
ある実施形態では、転写デバイス１０２は、５〜１００ｇの初期加速度で印刷可能要素（例えば、半導体要素１０４およびネイティブ基板１０８）のソースを加速するように構成される。初期加速度は、転写デバイス１０２によって取り上げられているときに、転写デバイス１０２が半導体要素１０４のより高い速度を達成することを可能にする。所与の転写デバイス１０２と所与の印刷可能要素（例えば、半導体要素１０４）との間の接着は、転写デバイスの粘弾性質により、転写デバイス１０２とネイティブ基板１０８との間の分離の速度に従って変動する。この目的で、転写デバイス１０２および印刷可能半導体要素１０４が十分な速度で離されるとき、転写デバイス１０２と印刷可能半導体要素１０４との間の結合界面における接着は、そのネイティブ基板１０８から印刷可能要素（例えば、印刷可能半導体要素１０４）を「はぎ取る」ために十分に大きい。逆に、転写デバイス１０２がより遅い速度で移動させられるとき、転写デバイス１０２と印刷可能半導体要素１０４との間の結合界面における接着は、非ネイティブ目標基板１１０上に印刷可能半導体要素１０４を「解放」または「印刷」するために十分に低い。
ある実施形態では、分離は、（数十ミクロンまたはそれ未満の）移動距離にわたって起こる。分離距離は、積層における転写デバイス１０２の圧縮の関数であってもよい。ある実施形態では、転写デバイス１０２は、取り上げるプロセスでソース（例えば、印刷可能半導体要素１０４およびネイティブ基板１０８）を移動させる垂直ステージを採用する。
図１０Ａおよび１０Ｂは、ネイティブ基板１０８からの半導体要素１０４の重力支援分離の実施例を図示する。本実施例では、転写デバイス１０２は、転写デバイス１０２を移動させること、基板１０８を移動させること、またはそれらの組み合わせのいずれか一方によって、図１０Ａに示されるように半導体要素１０４と接触させられる。本実施例では、本配列および方法は、ネイティブ基板１０８から半導体要素１０４を取り上げることを支援するために重力を利用する。示されるように、ネイティブ基板１０８は、分離中に下向き方向１００２に移動するように構成される。この目的で、より高い加速度が、図１０Ｂに示されるように、（例えば、重力とともに移動することにより）取り上げる動作中に転写デバイス１０２に取り付けられる印刷可能半導体要素１０４に提供される。
図１１Ａおよび１１Ｂは、ネイティブ基板１０８からの印刷可能半導体要素１０４の重力支援分離の別の実施例を図示する。示されるように、転写デバイス１０２は、ソース基板１０８の下方に配向され、半導体要素１０４は、図１１Ａに示されるように、ソース基板１０８の底部上に位置する。これは、基板１０８の底部上にデバイスを形成すること、または半導体要素１０４が形成された後に半導体要素１０４とともに基板１０８を反転させることによって、達成されることができる。転写デバイス１０２は、分離中に下向き方向１１０２に移動させられ、それによって、図１１Ｂに示されるように、転写デバイス１０２の支柱の上にあるように、半導体要素１０４を取り上げる。再度、より高い加速度が、（例えば、重力とともに移動することにより）印刷可能半導体要素１０４を取り上げることを支援するように提供される。
ある実施形態では、図１０Ａおよび１０Ｂに示される方法ならびに図１１Ａおよび１１Ｂに示される方法は、ソース基板１０８および転写デバイス１０２が両方とも相互から（垂直方向に）離されるように組み合わせられる。そのような実施形態では、分離加速度は、印刷可能要素（例えば、半導体要素１０４およびネイティブ基板１０８）のソースおよび転写デバイス１０２の両方に適用される。
（沈下による要素の偶発的取り上げを防止するように設計される転写デバイス）
図１２は、支柱１２０２（例えば、支柱１２０２のアレイ）を伴う例示的転写デバイス１０２の略図である。典型的には、各支柱１２０２は、転写デバイス１０２によって取り上げられる所与の印刷可能半導体要素１０４に接触するように配列される。支柱１２０２は、例えば、転写デバイス１０２によって取り上げられるソース（例えば、印刷可能半導体要素１０４等の印刷可能材料）のサイズに依存する、様々な範囲の高さを有してもよい。ある実施形態では、支柱１２０２は、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱を含む。
図１２は、支柱１２０２（例えば、支柱１２０２のアレイ）を伴う例示的転写デバイス１０２の略図である。典型的には、各支柱１２０２は、転写デバイス１０２によって取り上げられる所与の印刷可能半導体要素１０４に接触するように配列される。支柱１２０２は、例えば、転写デバイス１０２によって取り上げられるソース（例えば、印刷可能半導体要素１０４等の印刷可能材料）のサイズに依存する、様々な範囲の高さを有してもよい。ある実施形態では、支柱１２０２は、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱を含む。
ある実施形態では、ネイティブ基板１０８からの印刷可能半導体要素１０４の取り上げ中に、転写デバイス１０２は、ソース（例えば、印刷可能半導体要素１０４およびネイティブ基板１０８）に対して転写デバイス１０２を圧縮する。（例えば、ｚ方向への）圧縮は、ある実施形態では、ソース基板上の印刷可能要素上への支柱１２０２のアレイの積層を可能にする。加えて、圧縮は、転写デバイス１０２と印刷可能半導体要素１０４との間のより小さい隙間内で（取り上げが起こるための）臨界速度に達することを可能にする。この目的で、転写デバイス１０２は、より小さい初期加速度を適用してもよい。ある実施形態では、転写デバイス１０２は、印刷サイクルの取り上げ段階において圧縮中に沈下する。沈下は、半導体要素１０４の不慮の取り上げを引き起こし得る。
図１３Ａは、（例えば、図１２に示される転写デバイスと同一または類似である）転写デバイス１３０２を図示し、図１３Ｂは、（例えば、取り上げ中に）転写デバイス１３０２の圧縮中に起こる沈下１３０４を図示する。本沈下１３０４は、不要な材料をソース基板から取り上げさせる。ネイティブ基板１３０６上の印刷可能な半導体デバイスのアレイ（図示せず）は、個別転写（例えば、単一の取り上げおよび印刷）中に、印刷可能デバイスが意図的にネイティブ基板１３０６上に残されるように、転写デバイス１３０２上の支柱１３０８より高密度であり得る。しかしながら、沈下１３０４が十分に大きい場合、沈下１３０４は、印刷可能な半導体デバイスに接触し、これらのデバイスの非意図的な取り上げをもたらし得る。多層支柱、抗−沈下支柱、または両方を伴う転写デバイスを含む、沈下によるデバイスの非意図的な取り上げの可能性を低減させる（または排除する）ための種々の解決策が、本明細書に開示される。
（多層支柱を伴う転写デバイス）
図１４Ａおよび１４Ｂは、例示的多層支柱１４００を図示する。ある実施形態では、図１３Ａおよび１３Ｂに関して上記で説明される沈下に関連する問題を排除する（または低減させる）ために、多層支柱が使用されることができる。図１３Ｂと比較して図１４Ｂに示されるように、たとえ図１４Ｂの転写デバイスが図１３Ｂの転写デバイス（沈下１３０４）と同一の量の沈下１４０４を被ったとしても、図１４Ｂに示される転写デバイスの沈下１４０４は、印刷可能デバイスと界面接触するであろう支柱（例えば、マイクロ支柱）の一部の適切なアスペクト比を維持しながら、支柱の全体的高さを増加させる多層構造により、半導体デバイスを取り上げないであろう。
図１４Ａおよび１４Ｂは、例示的多層支柱１４００を図示する。ある実施形態では、図１３Ａおよび１３Ｂに関して上記で説明される沈下に関連する問題を排除する（または低減させる）ために、多層支柱が使用されることができる。図１３Ｂと比較して図１４Ｂに示されるように、たとえ図１４Ｂの転写デバイスが図１３Ｂの転写デバイス（沈下１３０４）と同一の量の沈下１４０４を被ったとしても、図１４Ｂに示される転写デバイスの沈下１４０４は、印刷可能デバイスと界面接触するであろう支柱（例えば、マイクロ支柱）の一部の適切なアスペクト比を維持しながら、支柱の全体的高さを増加させる多層構造により、半導体デバイスを取り上げないであろう。
図１４Ａに示されるように、ある実施形態では、各支柱１４２２は、基礎支柱１４１２と、マイクロ支柱１４１０とを含む。基礎支柱１４１２は、マイクロ支柱１４１０より幅が広い。ある実施形態では、各基礎支柱１４１２および各マイクロ支柱１４１０の所望のアスペクト比は、４：１未満（例えば、４：１〜２：１）である。例えば、基礎支柱１４１２は、２０ミクロンの幅と、８０ミクロンの高さとを有することができ、マイクロ支柱１４１０は、５ミクロンの幅と、２０ミクロンの高さとを有することができる。したがって、結果として生じる多層支柱は、５ミクロンのデバイスを取り上げることが可能である、２０ミクロンの幅と、１００ミクロンの高さとを有する。基礎支柱１４１２は、例えば、５、１０、１５、２０１、２５、３０、または４０ミクロンの幅と、１０、１５、２０、２５、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０、１５０、または１６０ミクロンの高さとを有することができる。マイクロ支柱１４１０は、例えば、１、２、３、４、５、１０、または１５ミクロンの幅と、２、４、６、８、１０、１５、２０、２５、３０、４０、５０、または６０ミクロンの高さとを有することができる。
図１５は、多層支柱１５２２を伴う転写デバイス１５００の説明図である。本実施例では、マイクロ支柱１５１０は、両方とも同一の粘弾性材料から作製される（すなわち、マイクロ支柱より高いヤング率を有する）支柱１５１２およびバルク面積１５０２より低いヤング率を伴う粘弾性材料で作製される。マイクロ支柱１５１０でより低いヤング率を利用することにより、それに応じて印刷可能デバイスの取り上げが調整されることを可能にする。マイクロ支柱１５１０（または本技法が多層支柱を伴わない転写デバイスに適用される場合は支柱）が、印刷可能デバイスを取り上げるように調整されることができる一方で、バルク体積１５０２は、より高いヤング率を有し、バルク面積１５０２が印刷動作中に印刷可能デバイスを非意図的に取り上げる可能性を低減させる。ある実施形態では、支柱１５２２全体は、バルク面積１５０２より低いヤング率を伴う粘弾性材料で形成される。
図１６は、多層転写デバイス（例えば、転写デバイス１４００または１５００）のための鋳造の説明図である。ある実施形態では、多層支柱１６０２（すなわち、マイクロ支柱１６１０および支柱１６１２を含む）は、複数の層１６１４、１６０６、１６０８を伴う多層マスタ１６０４を使用して生成される。これらの層は、異なる厚さを有することができ、異なる材料であり得る。基部１６１４は、マスタが製作される層である。ある実施形態では、基部１６１４は、シリコンウエハである。層１６０６および１６０８は、ある実施形態では、ポリマー層（例えば、写真画像形成可能ポリマー材料）であり、スピンコーティングおよびフォトリソグラフィ技法を使用して形成されることができる。多層マスタ１６０４は、標準サイズの基礎支柱に匹敵するアスペクト比を維持しながら、より小型の印刷可能オブジェクトを取り上げるためのマイクロ支柱を伴って、図１４Ａ−１４Ｂおよび図１５に示されるもの等の転写デバイスを形成するために使用されることができる。
ある実施形態では、支柱１６０２は、基礎支柱１６１２と、マイクロ支柱１６１０とを含む。基礎支柱１６１２は、マイクロ支柱１６１０より幅が広い。基礎支柱１６１２は、転写デバイスが所与の支柱アスペクト比を維持することを可能にしながら、マイクロ支柱１６１０が小型印刷可能デバイスに接触するためのより小さい断面積を有することを可能にする。他の実施形態では、各基礎支柱１６１２は、その上にマイクロ支柱１６１０のアレイを含む。
ある実施形態では、転写デバイスは、単一のガラス板およびポリマーのバルク体積から成る。転写デバイスは、パターンが生成されることを可能にする、シリコンを覆う画像形成可能材料を伴う標準シリコンウエハに対して鋳造される。シリコンウエハは、マスタと称される。
ある実施形態では、ガラス転写デバイスおよびシリコンマスタは、有利なこととして、例えば、高温で行われる硬化ステップ中に、２つの材料の間のＣＴＥ変動が最小限にされ、または排除されるように構成される。ＣＴＥ合致は、転写デバイス１０２の縁における後退の量が減少させられることを可能にし、それによって、バルク領域の縁において形成し得るクラウニングの量を低減させるとともに、支柱間で注目されるあらゆる種類の全体を通した問題を減少させる。ある実施形態では、転写デバイスの縁における後退を最小限にするために、室温硬化が採用される。ある実施形態では、転写デバイス１０２は、以下で説明されるような複合構造で形成される。第２の材料は、例えば、（例えば、クラウニングを低減させるように）ポリマー層の薄い層の下方で採用されることができる。
多層支柱の実施例が、図１７Ａ−１７Ｃに示される。図１７Ａ−１７Ｃは、アレイに構成された多層支柱１７０２のＳＥＭ画像である。支柱１７０２は、ＰＤＭＳまたは他の粘弾性材料で作製されてもよい。いくつかの実施形態では、支柱１７０２およびバルク体積１７０２は、同一の材料で形成される。他の実施形態では、マイクロ支柱１７１０は、基礎支柱１７１２およびバルク体積１７０２より低いヤング率を伴う材料で形成されることができる。他の実施形態では、マイクロ支柱１７１０および基礎支柱１７１２は、バルク体積１７０２より低いヤング率を伴う材料で形成されることができる。多材料多層支柱を含む実施形態は、例えば、図１６に示される鋳造物の中への材料の選択的堆積によって達成されることができる。例えば、材料は、鋳造物のマイクロ支柱１６１０領域の中へスクリーン印刷されることができ、その後に、（例えば、基礎支柱１６１２内の）最上部およびバルク体積面積１７０２の上でより高いヤング率の材料の射出成形が続く。
ある実施形態では、多層支柱はまた、以下で説明されるようなバルク体積上のクラウニングに関係付けられる問題を解決するために使用される。上記で説明されるような多層の使用は、適切なアスペクト比を依然として維持し、（例えば、マイクロ支柱の小さい接触表面積による）小型デバイスの転写を可能にしながら、多層支柱がより高い（例えば、バルク体積上のクラウンより高い）ことを可能にする。
（抗−沈下特徴を伴う転写デバイス）
抗−沈下特徴１８０２の実施例が、図１８および１９に図示される。ある実施形態では、支柱（例えば、図１２に示されるような支柱１２０２）の間の転写デバイス１０２の沈下を最小限にする、または防止するために、転写デバイス１０２は、抗−沈下特徴１８０２を含む。抗−沈下特徴１８０２は、転写デバイス１０２の圧縮中にバルク体積が沈下することを防止し、それによって、ネイティブ基板１０８の表面からの非意図的または不要な材料（例えば、取り上げるために選択されない半導体要素１０４、またはネイティブ基板１０８の表面に位置する破片）の不慮の取り上げを防止する。したがって、抗−沈下特徴１８０２は、転写デバイス１０２の選択性を向上させるように動作する。
抗−沈下特徴１８０２の実施例が、図１８および１９に図示される。ある実施形態では、支柱（例えば、図１２に示されるような支柱１２０２）の間の転写デバイス１０２の沈下を最小限にする、または防止するために、転写デバイス１０２は、抗−沈下特徴１８０２を含む。抗−沈下特徴１８０２は、転写デバイス１０２の圧縮中にバルク体積が沈下することを防止し、それによって、ネイティブ基板１０８の表面からの非意図的または不要な材料（例えば、取り上げるために選択されない半導体要素１０４、またはネイティブ基板１０８の表面に位置する破片）の不慮の取り上げを防止する。したがって、抗−沈下特徴１８０２は、転写デバイス１０２の選択性を向上させるように動作する。
図１８に示されるように、転写デバイス１０２は、取り上げる動作中に印刷可能領域間のソース基板１０８の表面上の抗−沈下領域に接触し得る、１つまたはそれを上回る抗−沈下特徴１８０２を含む。支柱１８０６は、取り上げる動作中に印刷可能デバイスを取り上げるであろう。スタンプの領域１８０８は、いかなる支柱１８０６または抗−沈下支柱１８０２にも接触しない。これらの領域１８０８は、印刷可能デバイスが位置する（またはそれらがすでに取り上げられている場合は以前に位置した）ソース基板上の場所に対応する。抗−沈下特徴１８０２の圧縮性および／またはサイズは、印刷可能オブジェクト（例えば、印刷可能半導体要素１０４）を取り上げ、転写デバイス１０２のバルク体積が沈下して印刷可能基板に触れることを防止するためには不十分である。
抗−沈下特徴１８０２は、領域１８０８と支柱１８０６を伴う領域との間の抗−沈下領域の中に配置される。ある実施形態では、抗−沈下特徴１８０２は、転写デバイス１０２の取り上げ支柱１８０６のアレイより小さい総接触断面積を有する。
抗−沈下特徴１８０２は、任意のサイズまたは形状であってもよい。ある実施形態では、抗−沈下特徴１８０２は、支柱１８０６と同一の高さである。ある実施形態では、抗−沈下特徴は、支柱１８０６より高い。抗−沈下特徴は、例えば、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱として成形されてもよい。
図１９は、ソース（例えば、半導体要素１０４およびネイティブ基板１０８）上の印刷可能領域に接触するように抗−沈下特徴１８０２を含む、例示的転写デバイス１０２の略図である。図１９の抗−沈下支柱１８０２は、図１８に示されるものと同一の場所ならびに領域１８０８にある。したがって、抗−沈下支柱１８０２のうちのいくつかは、印刷可能オブジェクトが位置する、または以前に位置した、ネイティブ基板上の場所に接触するであろう。ある実施形態では、抗−沈下特徴１８０２は、取り上げる能力を有していないように十分小さい。ある実施形態では、抗−沈下特徴１８０２は、取り上げる能力を有するためには不十分な圧縮性を有する。
（支柱の間に粗面積を伴う転写デバイス）
ある実施形態では、ソースからの印刷可能材料または望ましくない材料の不慮の取り上げを最小限にする、もしくは防止するために、転写デバイス１０２は、転写デバイス支柱１１４の間に位置する面積に粗領域を含む。
ある実施形態では、ソースからの印刷可能材料または望ましくない材料の不慮の取り上げを最小限にする、もしくは防止するために、転写デバイス１０２は、転写デバイス支柱１１４の間に位置する面積に粗領域を含む。
図２０Ａおよび２０Ｂは、転写デバイス１０２上に組み込まれた例示的粗面積２００２を図示する略図である。粗領域２００２が、転写デバイス支柱１０４の間の転写デバイス１０２の面積に追加される。本粗面積２００２は、プロセス支柱１０４の間に沈下がある場合に、印刷可能材料の取り上げを防止することに役立つであろう。面積２００２は、具体的パターンアレイまたはランダムパターンアレイに配置され得る、小型特徴から成ることができる。ある実施形態では、粗領域２００２は、転写デバイス支柱１０４より小さい特徴を含む。例えば、ある実施形態では、粗特徴は、円筒構造、角柱構造、凹状構造、および円錐台形構造を含んでもよい。ある実施形態では、粗領域２００２は、一様または規則的パターン化アレイに配置される。他の実施形態では、粗領域２００２は、ランダムパターン化アレイに配置される。
（複合転写デバイス）
図２１Ａは、複合転写デバイス２１００を図示し、図２１Ｂは、複合転写デバイス２１５０を図示する。複合転写デバイス（例えば、２１００および２１５０）は、転写デバイスの種々の部分で異なる粘弾性材料を使用して、構築されることができる。例えば、ＰＤＭＳは、硬化温度を制御することによって、または樹脂中の硬化剤の量を変化させることによって調整される、同調可能ヤング率を有する。ポリマー形成は、ともに使用されるいくつかの異なる材料を含み得る、またはポリマーおよび硬化剤の異なる比を含み得る。さらに、材料ＡおよびＢは、異なる架橋密度を有することができる。
図２１Ａは、複合転写デバイス２１００を図示し、図２１Ｂは、複合転写デバイス２１５０を図示する。複合転写デバイス（例えば、２１００および２１５０）は、転写デバイスの種々の部分で異なる粘弾性材料を使用して、構築されることができる。例えば、ＰＤＭＳは、硬化温度を制御することによって、または樹脂中の硬化剤の量を変化させることによって調整される、同調可能ヤング率を有する。ポリマー形成は、ともに使用されるいくつかの異なる材料を含み得る、またはポリマーおよび硬化剤の異なる比を含み得る。さらに、材料ＡおよびＢは、異なる架橋密度を有することができる。
ある実施形態では、転写デバイス２１００は、所与の転写デバイス２１００と印刷可能要素（例えば、印刷可能半導体要素１０４）との間の接着を向上させるために、第２のポリマー形成が支柱２１０４で採用される、複合材料で作製される。さらに、バルク転写デバイスのための異なるポリマー形成は、沈下が支柱の間で起こる場合に、より少ない接着を可能にし、それによって、印刷可能オブジェクトを取り上げていない間に沈下を可能にする。例えば、粘弾性ポリマーまたは粘弾性エラストマーが、支柱２１０４またはバルク体積２１０２のいずれか一方で使用されてもよい。支柱２１０４は、ある実施形態では、バルク体積２０１２と比較して、より低いヤング率を有する。
ある実施形態では、支柱２１０４は、支柱２１０４より高いヤング率を有する基部２１０６を含む。基部２１０６は、図２１Ｂに示されるようなバルク面積２１０２と同一のヤング率を有してもよい。
典型的には、転写デバイスは、単一のガラス板およびポリマーのバルク体積から成る。転写デバイスは、マスタパターンが生成されることを可能にする、シリコンを覆う画像形成可能材料（例えば、パターン化フォトレジスト、またはＳＵ８もしくはＢＣＢ等の他の写真画像形成可能ポリマー）を伴う標準シリコンウエハに対して鋳造される。ガラスおよびポリマーは両方とも、高温における硬化ステップ中に、２つの材料の間のＣＴＥ変動が低減または排除され得るように、最適化されることができる。これは、転写デバイスの縁における後退の量を減少させ、バルク領域の縁において注目されるクラウニングの量を低減させ、支柱間の差異を減少させる。室温硬化もまた、転写デバイスの縁における後退を最小限にすることができる。
（低減したクラウンを伴う転写デバイス）
図２２は、転写デバイスのバルク体積２２０６（例えば、ＰＤＭＳ層）の縁２２０４におけるクラウニング２２０２の説明図である。バルク体積２２０６（例えば、本実施例ではＰＤＭＳ層）は、種々の形状および形態を帯びてもよい。ある実施形態では、バルク体積２２０６は、形状が円筒、三角形、長方形、五角形、六角形、七角形、または八角形である。クラウニング２２０２は、バルク体積２２０６と硬質プレート界面２２０８（例えば、本実施例ではガラス）との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致によって引き起こされ得る。
図２２は、転写デバイスのバルク体積２２０６（例えば、ＰＤＭＳ層）の縁２２０４におけるクラウニング２２０２の説明図である。バルク体積２２０６（例えば、本実施例ではＰＤＭＳ層）は、種々の形状および形態を帯びてもよい。ある実施形態では、バルク体積２２０６は、形状が円筒、三角形、長方形、五角形、六角形、七角形、または八角形である。クラウニング２２０２は、バルク体積２２０６と硬質プレート界面２２０８（例えば、本実施例ではガラス）との間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の不一致によって引き起こされ得る。
図２３は、バルク体積２２０６（例えば、粘弾性材料）上で起こるクラウニング２２０２の説明図である。図２３は、転写デバイスのバルク体積２２０６の半分の断面図である。本例証の目的で、支柱は省略されている。ある実施形態では、バルク体積２２０６が硬質プレート界面２２０８（例えば、ガラス基板）上で冷却すると、バルク体積２２０６が歪曲する。これは、バルク体積２２０６の縁（例えば、縁２２０４）に向かって特によく見られる。歪曲は、図２２および２３に示されるように、クラウン２２０２をエラストマー２２０６の最上部に形成させ得る。クラウニング２２０２は、転写プロセス中にそれ自体がデバイスを非意図的に取り上げ得るため、問題を生じる。
図２４に示されるように、クラウニング２２０２は、支柱２４０２より高くあり得る。加えて、歪曲が、ｘおよびｙ方向にも起こる（すなわち、横歪曲）。結果として、歪曲が起こるときに支柱２４０２の間隔が変化し得るため、横歪曲が起こるであろう、バルク体積２２０６の面積上に支柱を位置付けさせることは望ましくない（すなわち、支柱の間隔は、印刷が適切に起こることを確実にするように把握されて制御されなければならない）。横歪曲を回避するように支柱アレイがバルク体積２２０６の縁から離して位置付けられるであろう、典型的距離「ｄ」は、５〜２０ミリメートルである。
（複合構造を伴う転写デバイス）
図２５は、複合構造を伴う例示的転写デバイス２５００の説明図である。典型的には、転写デバイス２５００は、単一のガラス板２２０８（ガラス以外に他の材料が硬質プレート界面２２０８に使用されてもよい）および粘弾性材料（例えば、ＰＤＭＳ）のバルク体積を含む。ある実施形態では、粘弾性材料２５０６の薄い層２５１８が付加的層２５１４の上に形成されることを可能にするように、付加的材料層２５１４が、ガラス板２２０８と粘弾性材料２５０６との間に追加される。薄い層２５１８は、例えば、クラウンを形成する材料が縁に少ないため、転写デバイス２５００が縁により少ないクラウニングを伴って製作されることを可能にし得る。
図２５は、複合構造を伴う例示的転写デバイス２５００の説明図である。典型的には、転写デバイス２５００は、単一のガラス板２２０８（ガラス以外に他の材料が硬質プレート界面２２０８に使用されてもよい）および粘弾性材料（例えば、ＰＤＭＳ）のバルク体積を含む。ある実施形態では、粘弾性材料２５０６の薄い層２５１８が付加的層２５１４の上に形成されることを可能にするように、付加的材料層２５１４が、ガラス板２２０８と粘弾性材料２５０６との間に追加される。薄い層２５１８は、例えば、クラウンを形成する材料が縁に少ないため、転写デバイス２５００が縁により少ないクラウニングを伴って製作されることを可能にし得る。
第２の材料２５１４は、ある実施形態では、第１の材料２２０８に恒久的に結合される。第２の材料２５１４は、透明であり、それによって、より鮮明な画像が転写デバイス２５００を通して視認されることを可能にし得る。第２の材料２５１４は、より薄いバルク材料の使用を可能にし、それによって、転写デバイス２５００が、印刷可能面積を完全に積層するために、より少ない圧縮を採用することを可能にする。
ある実施形態では、ガラスディスクが、硬質プレート界面２２０８（例えば、ガラス）と転写デバイスバルク体積２５０６との間で第２の材料２５１４として使用される。第２の材料２５１４は、任意のサイズまたは形状であり得る。ある実施形態では、マイクロ支柱２５２０のアレイは、第２の材料２５１４の面積を覆って配置される。
図２６および２７は、低減したクラウニングを伴う複合構造で形成された例示的転写デバイスの説明図である。支柱の下方のエラストマーの体積（厚さ）を低減させることは、より小さい歪曲領域（クラウンおよび横）につながる。図２６は、転写デバイスの半分の断面図である。図２３と比較して、図２６の転写デバイスは、上記で説明されるような第２の材料２５１４の使用により、より少ないクラウニングを有する。図２７に示されるように、クラウン２７０２は、図２４に示されるクラウンより小さく、転写デバイス２７００の支柱２７２０より小さい。本実施例では、距離「ｄ」は、１〜５ミリメートルまで短縮されることができる。加えて、横歪曲は、より少ない。
（支柱のアレイの周囲の転写デバイスメサ）
図２８Ａおよび２８Ｂは、その上に形成された支柱２８０４のアレイを伴う例示的転写デバイスメサ２８０６の説明図である。小型印刷可能オブジェクトを取り上げるために必要とされる、より小さい支柱サイズにより、転写デバイス支柱の高さは、所望の支柱アスペクト比に接着するために増加させられる。上記で説明されるように、支柱（例えば、１２０２）の長さが、その幅に対して大きすぎる場合、支柱は、圧縮中に（例えば、デバイスを取り上げるときに）屈曲するであろう。しかしながら、その幅に対する支柱の長さが、圧縮中に適切に屈曲しないようなものである（例えば、所望の支柱アスペクト比）場合、転写デバイスの縁の上のクラウニングは、デバイスを非意図的に取り上げさせ得る。転写デバイスのより小さい部分がウエハ表面に暴露されることを可能にするメサ２８０６が、転写デバイスアレイ２８０４の周囲に発現させられている。メサ材料は、アレイ２８０４とバルク層２８０８との間の大型段差を可能にし得る。ある実施形態では、メサ２８０６の厚さは、バルク材料２８０８上のクラウニングの高さより大きい。これは、転写プロセス中にバルク材料２８０８上のクラウニングがデバイスを非意図的に取り上げるであろう危険性を排除する（または有意に低減させる）。加えて、ある実施形態では、メサ２８０６の厚さは、バルク材料２８０８の厚さより小さい。したがって、（存在する場合）メサ２８０６上のクラウニングは、バルク材料２８０８上のクラウニングより小さい。
図２８Ａおよび２８Ｂは、その上に形成された支柱２８０４のアレイを伴う例示的転写デバイスメサ２８０６の説明図である。小型印刷可能オブジェクトを取り上げるために必要とされる、より小さい支柱サイズにより、転写デバイス支柱の高さは、所望の支柱アスペクト比に接着するために増加させられる。上記で説明されるように、支柱（例えば、１２０２）の長さが、その幅に対して大きすぎる場合、支柱は、圧縮中に（例えば、デバイスを取り上げるときに）屈曲するであろう。しかしながら、その幅に対する支柱の長さが、圧縮中に適切に屈曲しないようなものである（例えば、所望の支柱アスペクト比）場合、転写デバイスの縁の上のクラウニングは、デバイスを非意図的に取り上げさせ得る。転写デバイスのより小さい部分がウエハ表面に暴露されることを可能にするメサ２８０６が、転写デバイスアレイ２８０４の周囲に発現させられている。メサ材料は、アレイ２８０４とバルク層２８０８との間の大型段差を可能にし得る。ある実施形態では、メサ２８０６の厚さは、バルク材料２８０８上のクラウニングの高さより大きい。これは、転写プロセス中にバルク材料２８０８上のクラウニングがデバイスを非意図的に取り上げるであろう危険性を排除する（または有意に低減させる）。加えて、ある実施形態では、メサ２８０６の厚さは、バルク材料２８０８の厚さより小さい。したがって、（存在する場合）メサ２８０６上のクラウニングは、バルク材料２８０８上のクラウニングより小さい。
メサ２８０６は、転写デバイスアレイ２８０４全体を包含する限り、任意の形状であり得る。転写デバイスメサ２８０６は、それ自体が単一のガラス板２８０２の上にある、ポリマー２８０８のバルク体積上に製作されてもよい。
図２９は、低減したクラウニング２９２０を伴う例示的転写デバイス２９００の説明図である。メサ２８０６は、支柱２８０４の周囲／下方に位置付けられる。メサ２８０６の厚さは、（例えば、メサ２８０６の厚さおよび支柱２８０４の高さにより）バルク体積２８０８の厚さより小さい。したがって、（存在する場合）メサ２８０６上のクラウニング２９２０は、バルク材料２８０８上のクラウニング２９３０より小さい。メサ２８０６の厚さは、支柱２８０４が、メサ２８０６上のクラウニング２９２０およびバルク体積２８０８上のクラウニング２９３０の両方を覆って隆起しているようなものである。したがって、クラウニング２９２０および２９３０によってデバイスを偶発的に取り上げる危険性が、低減または排除される。
（クラウンが少なくとも部分的に除去された転写デバイス）
クラウニング効果を低減させるために、縁１５０４は、角度を付けられた縁を生成するように部分的に除去されてもよい。図３０Ａおよび３０Ｂは、転写デバイスの側面／断面図から示されるように、バルク材料２２０６上のクラウニング２２０２を低減させる方法の説明図である。角度切断３００２が、（例えば、転写デバイスが鋳造されるとき、ＰＤＭＳが転写デバイス材料の中心に向かって引っ張ると形成される）クラウニングの量を低減させるように、転写デバイスの縁２２０４に行われることができる。切断３００２は、かみそり３００４を使用して行われてもよい。これらの切断３００２は、存在するクラウニング２２０２の量を有意に低減させるように、規則的間隔で転写デバイスの縁２２０４の周囲に行われてもよい。ある実施形態では、これは、アレイが完全に積層される前に、スタンプのバルク材料２２０６が転写デバイスの縁に着地するであろう可能性を低減または排除する。
クラウニング効果を低減させるために、縁１５０４は、角度を付けられた縁を生成するように部分的に除去されてもよい。図３０Ａおよび３０Ｂは、転写デバイスの側面／断面図から示されるように、バルク材料２２０６上のクラウニング２２０２を低減させる方法の説明図である。角度切断３００２が、（例えば、転写デバイスが鋳造されるとき、ＰＤＭＳが転写デバイス材料の中心に向かって引っ張ると形成される）クラウニングの量を低減させるように、転写デバイスの縁２２０４に行われることができる。切断３００２は、かみそり３００４を使用して行われてもよい。これらの切断３００２は、存在するクラウニング２２０２の量を有意に低減させるように、規則的間隔で転写デバイスの縁２２０４の周囲に行われてもよい。ある実施形態では、これは、アレイが完全に積層される前に、スタンプのバルク材料２２０６が転写デバイスの縁に着地するであろう可能性を低減または排除する。
（転写デバイス側壁形状）
ある実施形態では、エラストマー側壁の形状は、スタンプの縁の周囲の歪曲を制御するために使用されてもよい。エラストマー側壁の形状がスタンプの縁の周囲の歪曲にどのように影響を及ぼすかを理解するために、有限要素モデル化が行われた。以下で説明される実施例では、平面ひずみにおいて、３ｍｍのガラス上の厚さ１ｍｍ、幅２０ｍｍのＰＤＭＳのスラブが使用された。ガラスのＣＴＥは、７ｐｐｍ／Ｋであり、ＰＤＭＳのＣＴＥは、３００ｐｐｍ／Ｋであった。デルタＴは、３３３Ｋ（硬化温度）〜２９５Ｋ（研究室温度）であった。ＰＤＭＳスラブの斜面（すなわち、側壁）は、多様であった。以下の斜面／側壁のそれぞれ、すなわち、図３１Ａ−３１Ｇに示されるように、１５度斜面、３０度斜面、４５度斜面、６０度斜面、７５度斜面、丸い斜面、伸長斜面、および正方形斜面を伴う、転写デバイスが試験された。
ある実施形態では、エラストマー側壁の形状は、スタンプの縁の周囲の歪曲を制御するために使用されてもよい。エラストマー側壁の形状がスタンプの縁の周囲の歪曲にどのように影響を及ぼすかを理解するために、有限要素モデル化が行われた。以下で説明される実施例では、平面ひずみにおいて、３ｍｍのガラス上の厚さ１ｍｍ、幅２０ｍｍのＰＤＭＳのスラブが使用された。ガラスのＣＴＥは、７ｐｐｍ／Ｋであり、ＰＤＭＳのＣＴＥは、３００ｐｐｍ／Ｋであった。デルタＴは、３３３Ｋ（硬化温度）〜２９５Ｋ（研究室温度）であった。ＰＤＭＳスラブの斜面（すなわち、側壁）は、多様であった。以下の斜面／側壁のそれぞれ、すなわち、図３１Ａ−３１Ｇに示されるように、１５度斜面、３０度斜面、４５度斜面、６０度斜面、７５度斜面、丸い斜面、伸長斜面、および正方形斜面を伴う、転写デバイスが試験された。
図３２は、図３１Ａ−３１Ｇに示される側壁外形のそれぞれについて、エラストマー側壁の頂面上の横位置座標の関数としてのエラストマーの頂面からのクラウニング高さのプロットである。図３３は、図３１Ａ−３１Ｇに示される側壁外形を伴う転写デバイスの形成中に生成されるクラウン高さのプロットである。
本分析は、低減したクラウニングをもたらす側壁形状を図示した。図３２および３３に示されるように、１５度斜面、３０度斜面、４５度斜面、６０度斜面、７５度斜面、丸い斜面、および伸長斜面は全て、正方形斜面より少ないクラウンを有した。
ある実施形態では、上記で議論される、異なる転写デバイスの特徴は、単一の転写デバイスに組み込まれる。例えば、転写デバイスは、１つまたはそれを上回るクラウン防止特徴、１つまたはそれを上回る沈下取り上げ低減特徴等を含んでもよい。さらに、本明細書に開示される方法は、単一の方法に組み込まれてもよい。例えば、方法は、半導体要素をプラズマ処理するステップと、熱支援印刷とを含んでもよい。
開示される技術の種々の実施形態を説明してきたが、概念を組み込む他の実施形態が使用され得ることが、当業者に明白となるであろう。したがって、これらの実施形態は、開示される実施形態に限定されるべきではないが、むしろ以下の請求項の精神および範囲のみによって限定されるべきであると考えられる。
装置およびシステムが、具体的構成要素を有する、含む、または備えると表される、もしくはプロセスおよび方法が、具体的ステップを有する、含む、または備えると表される、説明の全体を通して、加えて、記載される構成要素から本質的に成る、または成る、開示される技術の装置およびシステムがあり、記載される処理ステップから本質的に成る、または成る、開示される技術によるプロセスおよび方法があることが考慮される。
ステップの順序またはある動作を行うための順序は、開示される技術が動作可能なままである限り、重要ではないことを理解されたい。また、２つまたはそれを上回るステップもしくは動作が、同時に行われ得る。
本発明の種々の説明される実施形態は、技術的に不適合ではない限り、他の実施形態のうちの１つまたはそれを上回るものと併せて使用され得る。
ある側面では、目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるためのシステムおよび方法が開示される。別の側面では、局所特徴を伴う目標基板上に半導体デバイスを組み立てるためのシステムおよび方法が開示される。別の側面では、重力支援分離システム、および半導体デバイスを印刷するための方法が開示される。別の側面では、半導体デバイスを印刷するための転写デバイスの種々の特徴が開示される。
Claims (275)
- 目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスの前記頂面との間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの裏面をプラズマ（例えば、大気プラズマ）に暴露するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
を含む、方法。 - 前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスと前記目標基板の前記受容基板との間の結合を向上させる、請求項１に記載の方法。
- 前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面を清浄化する、請求項１または２に記載の方法。
- 前記裏面をプラズマに暴露するステップは、前記半導体デバイスの前記裏面から酸化物の薄い層を除去する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記プラズマは、還元ガスを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記整合可能転写デバイスの前記接触表面からの前記半導体デバイスの剪断および剥離を防止するように、デューティサイクル、滞留時間、前記プラズマの出力、および前記半導体デバイスまでの前記プラズマの距離のうちの少なくとも１つを制御するステップを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスの前記裏面は、金属を含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、請求項１０に記載の方法。
- 前記目標基板の前記受容表面は、少なくとも部分的に金属を含む、請求項１０に記載の方法。
- 前記金属は、銅、スズ、アルミニウム、およびそれらの混合物のうちの少なくとも１つである、請求項１２に記載の方法。
- 整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプおよび弾性スタンプのうちの少なくとも１つを備える、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させることに先立って、前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離し、それによって、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを取り上げるステップを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離するステップは、少なくとも５ｇ（例えば、５〜１００ｇ）の初期加速度で行われる、請求項１５に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを分離する前記ステップは、
（ｉ）前記ネイティブ基板から前記整合可能転写デバイスを離して動かすことと、
（ｉｉ）前記整合可能転写デバイスから前記ネイティブ基板を離して動かすことと、
のうちの一方または両方を含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。 - 前記整合可能転写デバイスは、円筒支柱、三角形の支柱、長方形の支柱、五角形の支柱、六角形の支柱、七角形の支柱、および八角形の支柱のうちの少なくとも１つを備える、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記整合可能転写デバイスは、複数の支柱を伴う転写デバイス層を備え、前記支柱のそれぞれは、前記ネイティブ基板からの個別半導体デバイスに接触するように成形され、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に半導体デバイスのアレイを組み立てる、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱のうちの２つの隣接する支柱の間に位置する、１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備える、請求項１９に記載の方法。
- 前記抗−沈下支柱は、前記支柱のうちの１つまたはそれを上回るものの高さより小さい高さを有する、請求項２０に記載の方法。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱の間の前記転写デバイスの表面は、粗面である、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記転写デバイスのバルク体積は、第１の材料を含み、前記複数の支柱は、第２の材料を含み、前記複数の支柱は、前記バルク体積上に配置される、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供した後に、前記半導体デバイスと前記ネイティブ基板との間に形成される剥離層の少なくとも一部をエッチングするステップを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスは、一体無機半導体構造を備える、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板は、Ｓｉを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスは、カプセル化ポリマー層を含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記整合可能転写デバイスは、前記複数の支柱と同一の高さの１つまたはそれを上回る抗−沈下支柱を備え、各抗−沈下支柱は、前記複数の支柱のうちの少なくとも２つの支柱の間に位置する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、請求項３０に記載の方法。
- 前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
- 目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴ってネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供するステップと、
前記半導体デバイスの前記ポリマー層を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記半導体デバイスが、前記整合可能転写デバイスの前記接触表面上に配置され、前記ネイティブ基板から解放されるように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面に接触させるステップと、
加熱要素によって、前記ポリマー層を加熱するステップと、
前記半導体デバイスが前記受容表面上に転写されるように、前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、を含む、方法。 - 前記加熱要素は、ホットプレートである、請求項３３に記載の方法。
- 前記加熱要素は、前記半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、請求項３３または３４に記載の方法。
- 前記目標基板は、前記半導体デバイスに対して非ネイティブである、請求項３３〜３５のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ポリマー層を加熱するステップの後に、前記ポリマーを少なくとも部分的に除去するステップを含む、請求項３３〜３６のいずれか１項に記載の方法。
- 前記加熱要素からの熱は、前記ポリマー層の粘度を低減させ、前記ポリマー層を流動させる、請求項３３〜３７のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ポリマー層は、前記半導体デバイスの前記頂面および前記半導体デバイスの１つまたはそれを上回る側面上に配置される、請求項３３〜３８のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ポリマー層は、前記ネイティブ基板上の印刷可能な半導体の少なくとも一部をカプセル化する、請求項３３〜３９のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板の前記受容表面は、平面状でない局所表面を備える、請求項３３〜４０のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項３３〜４１のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項３３〜４２のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、請求項３３〜４３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの金属裏面が前記目標基板上のフラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に組み立てられる、請求項３３〜４４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てた後に、前記フラックス層を熱処理し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップを含む、請求項４５に記載の方法。
- 前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記ネイティブ基板からの分離に続いて、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、請求項３３〜４６のいずれか１項に記載の方法。
- 目標基板の受容表面上に半導体デバイスを組み立てるための方法であって、
ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップであって、前記半導体デバイスは、金属裏面を備える、ステップと、
前記半導体デバイスの頂面を、接触表面を有する整合可能転写デバイスと接触させるステップであって、前記接触表面と前記半導体デバイスとの間の接触は、前記半導体デバイスを前記整合可能転写デバイスに少なくとも一時的に結合する、ステップと、
前記整合可能転写デバイスの前記接触表面が、前記ネイティブ基板から解放される前記半導体デバイスとともにその上に配置された前記半導体デバイスを有するように、前記ネイティブ基板から前記半導体デバイスを分離するステップと、
前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップであって、前記受容表面は、前記目標基板上に配置される金属パッド上にフラックス層を備える、ステップと、
前記半導体デバイスから前記整合可能転写デバイスの前記接触表面を分離し、それによって、前記半導体デバイスの前記金属裏面が前記フラックス層に少なくとも部分的に接触するように、前記目標基板の前記受容表面上に前記半導体デバイスを組み立てるステップと、
前記フラックス層を熱に暴露し、それによって、前記金属裏面を前記金属パッドに固着するステップと、を含む、方法。 - 前記フラックス層を熱処理するステップは、前記フラックス層を熱に暴露することを含む、請求項４８に記載の方法。
- 前記フラックス層は、加熱要素を使用して熱に暴露される、請求項４８または４９に記載の方法。
- 前記加熱要素は、ホットプレートである、請求項５０に記載の方法。
- 前記加熱要素は、印刷可能な半導体デバイスと反対の前記目標基板の側面上に配置される、請求項５０に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を伴って前記ネイティブ基板上に形成される、前記半導体デバイスを提供することを含む、請求項４８〜５２のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板は、ポリマー、プラスチック、樹脂、ポリイミド、ＰＥＮ、ＰＥＴ、金属、金属箔、ガラス、半導体、およびサファイアから成る群から選択される部材である、請求項４８〜５３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板は、可視光に対して５０％、８０％、９０％、もしくは９５％を上回るまたはそれと等しい透明度を有する、請求項４８〜５４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板は、無機半導体材料、単結晶シリコンウエハ、シリコンオンインシュレータウエハ、多結晶シリコンウエハ、ＧａＡｓウエハ、Ｓｉ（１１１）、ＩｎＡｌＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｌＳｂ、ＡｌＳｂ、ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｌＳｂＡｓ、ＩｎＡｌＳｂ、およびＩｎＧａＰから成る群から選択される部材を備える、請求項４８〜５５のいずれか１項に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスを提供するステップは、
前記ネイティブ基板上に前記半導体デバイスを形成することと、
前記印刷可能半導体を少なくとも部分的にポリマー層でカプセル化することと、を含む、請求項４８〜５６のいずれか１項に記載の方法。 - 前記ネイティブ基板上に形成される前記半導体デバイスは、ポリマー層でカプセル化される、請求項４８〜５７のいずれか１項に記載の方法。
- 前記目標基板の前記受容表面は、１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴を備える、請求項４８〜５８のいずれか１項に記載の方法。
- 前記１つまたはそれを上回る平面状でない局所特徴は、メサ、Ｖ字形チャネル、およびトレンチから成る群から選択される少なくとも１つの部材を備える、請求項４８〜５９のいずれか１項に記載の方法。
- 前記半導体デバイスは、前記半導体デバイスの頂面上に配置されるポリマー層を有する、請求項４８〜６０のいずれか１項に記載の方法。
- 前記接触表面上に配置された前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させた後に、加熱要素によって前記ポリマー層を加熱するステップを含む、請求項６１に記載の方法。
- 前記ネイティブ基板からの分離に続いて、かつ前記半導体デバイスを前記目標基板の前記受容表面と接触させるステップに先立って、前記半導体デバイスの前記頂面と反対の前記半導体デバイスの裏面をプラズマに暴露するステップを含む、請求項４８〜６２のいずれか１項に記載の方法。
- 低減されたクラウニングを伴う整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の側面とを有する、バルク体積であって、バルク面積は、前記側面を前記第１の表面に接続する先細表面を備える、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。 - 前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項６４に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項６４または６５に記載のデバイス。
- 複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項６４〜６６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項６４〜６７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱の厚さと前記バルク体積の厚さとの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項６４〜６８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項６４〜６９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項６４〜７０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項６４〜７１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項６４〜７２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項６４〜７３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項６４〜７４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項６４〜７５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、請求項６４〜７６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、請求項６４〜７７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、請求項６４〜７８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項６４〜７９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項６４〜８０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項８１に記載のデバイス。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項８１に記載のデバイス。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項８１に記載のデバイス。
- 複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）が配置される表面を伴うメサ構成を有する、エラストマー（例えば、ＰＤＭＳ）スラブ（例えば、バルク体積）を備える、整合可能転写デバイスであって、以下のうちの１つまたはそれを上回るもの［（ｉ）、（ｉｉ）、および／または（ｉｉｉ）のうちのいずれか］が当てはまる、すなわち、
（ｉ）前記メサの縁は、前記表面の歪曲を低減させ、前記複数の支柱の正確な間隔を可能にするよう、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、
（ｉｉ）前記複数の支柱は、前記縁から少なくとも１ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜２０ｍｍ）離れて前記表面上に配列される、
（ｉｉｉ）前記メサは、１０ｍｍ以下（例えば、１〜５ｍｍ）の厚さを有する、デバイス。 - 前記メサの前記縁は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項８５に記載のデバイス。
- 前記メサの前記縁は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項８５または８６に記載のデバイス。
- 前記エラストマースラブが配置される基板（例えば、ガラス）を備える、請求項８５〜８７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項８５〜８８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項８５〜８９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項８５〜９０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記メサの厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項８５〜９１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱の厚さ対前記メサの厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項８５〜９２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記メサは、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項８５〜９３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項８５〜９４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記メサは、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項８５〜９５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１ＭＰａ〜５ＭＰａのヤング率を有する、請求項８５〜９６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記メサは、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項８５〜９７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項８５〜９８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項８５〜９９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項８５〜１００のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、ポリマーを含む、請求項８５〜１０１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記メサは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、請求項８５〜１０２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記メサおよび前記支柱は、単一の材料から形成される、請求項８５〜１０３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
前記バルク体積上に配置されるメサと、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積と反対の前記メサ上に配置される、複数の支柱（例えば、支柱のアレイ）を備える、層であって、前記複数の支柱、前記メサ、および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、層と、を備える、転写デバイス。 - 前記メサの厚さは、前記支柱の厚さより大きい、請求項１０５に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項１０５または１０６に記載のデバイス。
- 前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項１０５〜１０７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項１０５〜１０８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項１０５〜１０９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項１０５〜１１０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項１０５〜１１１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項１０５〜１１２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項１０５〜１１３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記メサは、前記第１のヤング率を有する、請求項１１４に記載のデバイス。
- 前記メサは、前記第２のヤング率を有する、請求項１１４に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項１０５〜１１６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項１０５〜１１７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項１０５〜１１８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項１０５〜１１９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、ポリマーを含む、請求項１０５〜１２０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、請求項１０５〜１２１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、請求項１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項１０５〜１２３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項１０５〜１２４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項１２５に記載のデバイス。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項１２５に記載のデバイス。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項１２５に記載のデバイス。
- クラウニングを低減させるように整合可能転写デバイスを修正する方法であって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面と、前記第１の表面と前記第２の表面との間の１つまたはそれを上回る側面とを有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の印刷支柱と、
を備える、転写デバイスを提供するステップと、
前記第１の表面に対してゼロではない角度で前記バルク基板の前記第１の表面の縁を切断し、それによって、前記縁におけるクラウニングを低減させるステップと、を含む、方法。 - 前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項１２９に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項１２９または１３０に記載の方法。
- 複数の印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項１２９〜１３１のいずれか１項に記載の方法。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項１２９〜１３２のいずれか１項に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項１２９〜１３３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項１２９〜１３４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項１２９〜１３５のいずれか１項に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項１２９〜１３６のいずれか１項に記載の方法。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項１２９〜１３７のいずれか１項に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項１２９〜１３８のいずれか１項に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱のうちの各印刷支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項１２９〜１３９のいずれか１項に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項１２９〜１４０のいずれか１項に記載の方法。
- 前記複数の印刷支柱は、ポリマーを含む、請求項１２９〜１４１のいずれか１項に記載の方法。
- 前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、請求項１２９〜１４２のいずれか１項に記載の方法。
- 前記バルク体積および前記複数の印刷支柱は、単一の材料から形成される、請求項１２９〜１４３のいずれか１項に記載の方法。
- 前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項１２９〜１４４のいずれか１項に記載の方法。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項１２９〜１４５のいずれか１項に記載の方法。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項１４６に記載の方法。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項１４６に記載の方法。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項１４８に記載の方法。
- 整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱であって、各支柱は、基礎区分と、最上区分とを備え、前記最上区分は、前記基礎区分の断面積より小さい（例えば、前記基礎区分の断面積の５０％、３０％、２５％、１０％未満である）断面積を有する、複数の印刷支柱と、を備える、転写デバイス。 - 前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項１５０に記載のデバイス。
- 支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）に及ぶ、請求項１５０または１５１に記載のデバイス。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項１５０〜１５２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項１５０〜１５３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項１５０〜１５４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項１５０〜１５５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、第１のヤング率を有し、基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項１５０〜１５６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項１５０〜１５７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項１５０〜１５８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項１５０〜１５９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項１５０〜１６０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、ポリマーを含む、請求項１５０〜１６１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、請求項１５０〜１６２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、請求項１５０〜１６３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項１５０〜１６４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項１５０〜１６５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項１６５に記載のデバイス。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項１６５に記載のデバイス。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項１６５に記載のデバイス。
- 前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項１５０〜１６９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の印刷支柱と、
印刷可能材料が前記複数の印刷支柱によって取り上げられるときに、前記バルク体積の前記第１の表面が沈下し、不注意に印刷可能材料を取り上げることを防止するために、前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の抗−沈下支柱であって、前記複数の印刷支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の印刷支柱に伝達されるように配列される、複数の抗−沈下支柱と、を備える、転写デバイス。 - 前記複数の印刷支柱および前記複数の抗−沈下支柱は、前記複数の印刷支柱と前記複数の抗−沈下支柱との間に位置付けられる接続層上に配置される、請求項１７１に記載のデバイス。
- 前記接続層は、薄い金属層を備える、請求項１７２に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項１７１〜１７３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項１７１〜１７４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項１７１〜１７５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項１７１〜１７６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項１７１〜１７７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項１７１〜１７８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項１７１〜１７９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項１７１〜１８０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項１７１〜１８１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項１７１〜１８２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項１７１〜１８３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記印刷支柱は、ポリマーを含む、請求項１７１〜１８４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、請求項１７１〜１８５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積および前記印刷支柱は、単一の材料から形成される、請求項１７１〜１８６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記抗−沈下支柱は、前記印刷支柱の間に散在させられる、請求項１７１〜１８７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の抗−沈下支柱は、前記印刷支柱より大きい係数を有する、請求項１７１〜１８８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項１７１〜１８９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項１７１〜１９０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項１７１〜１９１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項１９２に記載のデバイス。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項１９２に記載のデバイス。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項１９２に記載のデバイス。
- 整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記バルク体積の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、前記複数の支柱によって占有されていない前記第１の表面の面積の一部は、粗面積を備える（それによって、抗−沈下する）、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。 - 前記粗面積は、複数の特徴を備え、各特徴は、各支柱の幅より小さい幅と、各支柱の高さより小さい高さとを有する、請求項１９６に記載のデバイス。
- 前記粗面積は、前記支柱の間で前記第１の表面上に位置する、請求項１９６または１９７に記載のデバイス。
- 前記粗面積は、特徴のパターン化されたアレイを備える、請求項１９６〜１９８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記粗面積は、特徴のランダムアレイを備える、請求項１９６〜１９９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のそれぞれは、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項１９６〜２００のいずれか１項に記載のデバイス。
- 支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項１９６〜２０１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項１９６〜２０２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項１９６〜２０３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項１９６〜２０４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項１９６〜２０５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記バルク体積は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項１９６〜２０６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項１９６〜２０７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項１９６〜２０８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱のそれぞれは、５０ナノメートル〜１０マイクロメートルの幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項１９６〜２０９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項１９６〜２１０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、ポリマーを含む、請求項１９６〜２１１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、ＰＤＭＳである、請求項１９６〜２１２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積および前記支柱は、単一の材料から形成される、請求項１９６〜２１３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記整合可能転写デバイスは、粘弾性スタンプである、請求項１９６〜２１４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記整合可能転写デバイスは、エラストマースタンプである、請求項１９６〜２１５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記エラストマースタンプは、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）で作製される、請求項２１６に記載のデバイス。
- 前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項１９６〜２１７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項１９６〜２１８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項１９６〜２１９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項２２０に記載のデバイス。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項２２０に記載のデバイス。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項２２０に記載のデバイス。
- 整合可能転写デバイスであって、
第１の材料を備える、基部と、
第２の材料を備え、前記基部上に配置される、副基部（例えば、前記副基部は、前記基部より小さい断面積を有する）と、
前記基部および前記副基部と異なる材料を備え、少なくとも部分的に前記副基部上に（例えば、また、少なくとも部分的に前記基部に）配置される、バルク体積であって、前記副基部上に配置される前記バルク体積の一部の厚さは、前記副基部の厚さより小さい、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記副基部の反対および上方で前記バルク体積上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱、前記基部、前記副基部、および前記バルク体積は、前記副基部と反対の前記基部の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列される、複数の支柱と、を備える、転写デバイス。 - 前記第１の材料は、ガラスを含む、請求項２２４に記載のデバイス。
- 前記第１および第２の材料は、同一である、請求項２２４または２２５に記載のデバイス。
- 前記バルク体積および前記複数の支柱は、単一の材料から形成される、請求項２２４〜２２６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、ポリマーを含む、請求項２２４〜２２７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記第１の材料は、透明である、請求項２２４〜２２８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記第２の材料は、透明である、請求項２２４〜２２９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のそれぞれは、前記バルク体積と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項２２４〜２３０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項２２４〜２３１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項２２４〜２３２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さ対前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項２２４〜２３３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項２２４〜２３４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項２２４〜２３５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項１〜２３６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項２２４〜２３７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項２２４〜２３８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項２２４〜２３９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項２２４〜２４０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、ポリマーを含む、請求項２２４〜２４１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）である、請求項２２４〜２４２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記支柱より大きい係数を有する、請求項２２４〜２４３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項２２４〜２４４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項２２４〜２４５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項２２４〜２４６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項２４７に記載のデバイス。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項２４７に記載のデバイス。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項２４７に記載のデバイス。
- 整合可能転写デバイスであって、
第１の表面および前記第１の表面と反対の第２の表面を有する、バルク体積であって、前記バルク体積は、第１の組成を有する、バルク体積と、
印刷可能材料を取り上げるために前記バルク体積の前記第１の表面上に配置される、複数の支柱であって、前記複数の支柱および前記バルク体積は、前記基部によって前記基部の前記第２の表面に印加される力が前記複数の支柱に伝達されるように配列され、各支柱の少なくとも一部（例えば、各支柱の全体または各支柱の最上部分）は、前記第１の組成と異なる第２の組成を有する、複数の支柱と、
を備える、転写デバイス。 - 各支柱の少なくとも一部は、前記第２の組成を有する、請求項２５１に記載のデバイス。
- 前記バルク体積に最も近い各支柱の底部分は、前記第２の組成を有する、請求項２５１または２５２に記載のデバイス。
- 前記第１の組成は、ポリマーを含む、請求項２５１〜２５３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記第２の組成は、ポリマーを含む、請求項２５１〜２５４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記第１の組成は、硬化剤を含む、請求項２５１〜２５５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記第２の組成は、硬化剤を含む、請求項２５１〜２５６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記基部は、ガラスである、請求項２５１〜２５７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱は、前記第１の表面と反対の前記支柱の端部上に接触表面を備え、前記複数の支柱の前記接触表面は、実質的に同一平面内にある、請求項２５１〜２５８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さは、１ミクロン〜１００ミクロン（例えば、１〜５ミクロン、５〜１０ミクロン、１０〜１５ミクロン、５０〜２５ミクロン、２５〜４０ミクロン、４０〜６０ミクロン、６０〜８０ミクロン、または８０〜１００ミクロン）である、請求項２５１〜２５９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積の厚さは、０．５ｍｍ〜５ｍｍ（例えば、０．５〜１ｍｍ、１〜２ｍｍ、２〜３ｍｍ、３〜４ｍｍ、または４〜５ｍｍ）である、請求項２５１〜２６０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の厚さおよび前記バルク体積の厚さの比は、１：１〜１：１０（例えば、１：１〜１：２、１：２〜１：４、１：４〜１：６、１：６〜１：８、または１：８〜１：１０）である、請求項２５１〜２６１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１ＧＰａ〜１０ＧＰａ（例えば、１〜４ＧＰａ、４〜７ＧＰａ、７〜１０ＧＰａ）のヤング率を有する、請求項２５１〜２６２のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１ＭＰａ〜１０ＭＰａ（例えば、１〜４ＭＰａ、４〜７ＭＰａ、７〜１０ＭＰａ）のヤング率を有する、請求項２５１〜２６３のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、第１のヤング率を有し、前記基部は、前記第１のヤング率より大きい第２のヤング率を有する、請求項２５１〜２６４のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、１４．５ｐｐｍ未満またはそれと等しい熱膨張係数を有する、ポリマーを含む、請求項２５１〜２６５のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、１０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２（例えば、１０ｃｍ２〜４０ｃｍ２、４０ｃｍ２〜８０ｃｍ２、１２０ｃｍ２〜１６０ｃｍ２、１６０ｃｍ２〜２００ｃｍ２、２００ｃｍ２〜２４０ｃｍ２、または２４０ｃｍ２〜２６０ｃｍ２）から選択される面積を占有する、請求項２５１〜２６６のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱は、５０ナノメートル〜１０マイクロメートル（例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍ、１００ｎｍ〜２００ｎｍ、２００ｎｍ〜４００ｎｍ、４００ｎｍ〜６００ｎｍ、６００ｎｍ〜８００ｎｍ、８００ｎｍ〜１ミクロン、１ミクロン〜５ミクロン、または５ミクロン〜１０ミクロン）の幅、長さ、および高さのうちの少なくとも１つを有する、請求項２５１〜２６７のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱は、連続的な一体の層内に形成される、請求項２５１〜２６８のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記複数の支柱のうちの各支柱のアスペクト比（高さ対幅）は、４：１未満またはそれと等しい（例えば、２：１〜４：１）、請求項２５１〜２６９のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記支柱の少なくとも一部は、前記第１の表面の縁から１ｍｍ〜１５ｍｍ（例えば、前記縁から１ｍｍ〜５ｍｍまたは５ｍｍ〜１０ｍｍ、１０ｍｍ〜１５ｍｍ）離れて前記第１の表面上に配列される、請求項２５１〜２７０のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記バルク体積は、前記第１および第２の表面の間の側面である、側面を有する、請求項２５１〜２７１のいずれか１項に記載のデバイス。
- 前記側面は、傾斜および／または丸みを帯びた縁を有する、請求項２７２に記載のデバイス。
- 前記側面は、丸みを帯びた外形（例えば、凸状または凹状）を有する、請求項２７２に記載のデバイス。
- 前記側面は、７５°以下（例えば、６０°以下、４５°以下、３０°以下、または１５°以下）の（前記第１の表面と平行な）水平からの角度を形成する、傾斜縁を有する、請求項２７２に記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462026694P | 2014-07-20 | 2014-07-20 | |
| US62/026,694 | 2014-07-20 | ||
| US201462027166P | 2014-07-21 | 2014-07-21 | |
| US62/027,166 | 2014-07-21 | ||
| PCT/EP2015/066566 WO2016012409A2 (en) | 2014-07-20 | 2015-07-20 | Apparatus and methods for micro-transfer printing |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017524250A true JP2017524250A (ja) | 2017-08-24 |
| JP2017524250A5 JP2017524250A5 (ja) | 2018-07-26 |
| JP6453437B2 JP6453437B2 (ja) | 2019-01-16 |
Family
ID=53794193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017502984A Active JP6453437B2 (ja) | 2014-07-20 | 2015-07-20 | マイクロ転写印刷のための装置および方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (7) | US11472171B2 (ja) |
| EP (1) | EP3170197B1 (ja) |
| JP (1) | JP6453437B2 (ja) |
| KR (2) | KR102181010B1 (ja) |
| CN (5) | CN110265344B (ja) |
| MY (1) | MY182253A (ja) |
| TW (1) | TWI659475B (ja) |
| WO (1) | WO2016012409A2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019065398A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物およびその硬化物 |
| JP2020520821A (ja) * | 2017-09-26 | 2020-07-16 | エルジー・ケム・リミテッド | ディスプレイ画素転写用パターンフィルムおよびこれを用いたディスプレイの製造方法 |
| JP2020174128A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法 |
| JP2021503713A (ja) * | 2017-11-20 | 2021-02-12 | 廈門市三安光電科技有限公司 | マイクロデバイスのマストランスファー方法 |
| WO2023063358A1 (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 信越化学工業株式会社 | レセプター基板、レセプター基板の製造方法、移載方法、ｌｅｄパネルの製造方法及びスタンパ |
Families Citing this family (151)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MX337295B (es) | 2009-02-09 | 2016-02-23 | Semprius Inc | Modulos, receptores y sub-receptores fotovoltaicos tipo concentrador y metodos para formar los mismos. |
| WO2010111601A2 (en) | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Semprius, Inc. | Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby |
| US9161448B2 (en) | 2010-03-29 | 2015-10-13 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
| WO2012027458A1 (en) | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Semprius, Inc. | Structures and methods for testing printable integrated circuits |
| US9899329B2 (en) | 2010-11-23 | 2018-02-20 | X-Celeprint Limited | Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance |
| US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
| CN111180381B (zh) | 2014-06-18 | 2021-08-27 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法 |
| KR102116856B1 (ko) | 2014-06-18 | 2020-06-01 | 엑스-셀레프린트 리미티드 | 마이크로 어셈블리를 위한 gan 및 관련 물질들을 제조하기 위한 시스템들 및 방법들 |
| CN113013150B (zh) | 2014-06-18 | 2022-04-19 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 微组装led显示器 |
| US9929053B2 (en) | 2014-06-18 | 2018-03-27 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| MY182253A (en) | 2014-07-20 | 2021-01-18 | X Celeprint Ltd | Apparatus and methods for micro-transfer-printing |
| US9799719B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-10-24 | X-Celeprint Limited | Active-matrix touchscreen |
| US9640715B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor structures |
| CN104849914B (zh) * | 2015-05-26 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种转印版 |
| US11061276B2 (en) | 2015-06-18 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Laser array display |
| US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
| US10255834B2 (en) | 2015-07-23 | 2019-04-09 | X-Celeprint Limited | Parallel redundant chiplet system for controlling display pixels |
| US10468363B2 (en) | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| US9640108B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Bit-plane pulse width modulated digital display system |
| US10380930B2 (en) | 2015-08-24 | 2019-08-13 | X-Celeprint Limited | Heterogeneous light emitter display system |
| US10442523B2 (en) * | 2015-08-25 | 2019-10-15 | The Boeing Company | Synergetic noise absorption and anti-icing for aircrafts |
| US10364035B2 (en) * | 2015-08-25 | 2019-07-30 | The Boeing Company | Synergetic noise absorption and anti-icing for aircrafts |
| KR102465382B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 표시장치의 제조방법 |
| GB2549734B (en) | 2016-04-26 | 2020-01-01 | Facebook Tech Llc | A display |
| GB2544728B (en) | 2015-11-17 | 2020-08-19 | Facebook Tech Llc | Redundancy in inorganic light emitting diode displays |
| US10600823B2 (en) | 2015-09-02 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Assembly of semiconductor devices |
| GB2541970B (en) * | 2015-09-02 | 2020-08-19 | Facebook Tech Llc | Display manufacture |
| US10230048B2 (en) | 2015-09-29 | 2019-03-12 | X-Celeprint Limited | OLEDs for micro transfer printing |
| US10418501B2 (en) | 2015-10-02 | 2019-09-17 | X-Celeprint Limited | Wafer-integrated, ultra-low profile concentrated photovoltaics (CPV) for space applications |
| JP6278942B2 (ja) * | 2015-10-21 | 2018-02-14 | 日本航空電子工業株式会社 | フレキソ印刷による絶縁膜の形成方法 |
| US10066819B2 (en) | 2015-12-09 | 2018-09-04 | X-Celeprint Limited | Micro-light-emitting diode backlight system |
| US11230471B2 (en) | 2016-02-05 | 2022-01-25 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printed compound sensor device |
| EP3411243B1 (en) * | 2016-02-05 | 2021-12-01 | The Procter & Gamble Company | Methods of applying compositions to webs |
| US10361677B2 (en) | 2016-02-18 | 2019-07-23 | X-Celeprint Limited | Transverse bulk acoustic wave filter |
| US10200013B2 (en) | 2016-02-18 | 2019-02-05 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printed acoustic wave filter device |
| TWI681508B (zh) | 2016-02-25 | 2020-01-01 | 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 | 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上 |
| US10150325B2 (en) | 2016-02-29 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Hybrid banknote with electronic indicia |
| US10153256B2 (en) | 2016-03-03 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printable electronic component |
| US10917953B2 (en) | 2016-03-21 | 2021-02-09 | X Display Company Technology Limited | Electrically parallel fused LEDs |
| US10103069B2 (en) * | 2016-04-01 | 2018-10-16 | X-Celeprint Limited | Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing |
| US10199546B2 (en) | 2016-04-05 | 2019-02-05 | X-Celeprint Limited | Color-filter device |
| US10008483B2 (en) | 2016-04-05 | 2018-06-26 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printed LED and color filter structure |
| US10622700B2 (en) | 2016-05-18 | 2020-04-14 | X-Celeprint Limited | Antenna with micro-transfer-printed circuit element |
| US10453826B2 (en) | 2016-06-03 | 2019-10-22 | X-Celeprint Limited | Voltage-balanced serial iLED pixel and display |
| US11137641B2 (en) | 2016-06-10 | 2021-10-05 | X Display Company Technology Limited | LED structure with polarized light emission |
| EP3258748A1 (en) | 2016-06-13 | 2017-12-20 | Melexis Technologies NV | Package of light emitting diodes |
| US10533080B2 (en) | 2016-07-26 | 2020-01-14 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Transfer printing using shape memory polymers |
| US10222698B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-03-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with wicking posts |
| US11064609B2 (en) | 2016-08-04 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Printable 3D electronic structure |
| US10157880B2 (en) | 2016-10-03 | 2018-12-18 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printing with volatile adhesive layer |
| KR102188505B1 (ko) | 2016-10-10 | 2020-12-08 | 휴렛-팩커드 디벨롭먼트 컴퍼니, 엘.피. | 마이크로-구조물 이송 시스템 |
| US10782002B2 (en) | 2016-10-28 | 2020-09-22 | X Display Company Technology Limited | LED optical components |
| US10347168B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-07-09 | X-Celeprint Limited | Spatially dithered high-resolution |
| US10395966B2 (en) | 2016-11-15 | 2019-08-27 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| US10600671B2 (en) | 2016-11-15 | 2020-03-24 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods |
| TWI762428B (zh) | 2016-11-15 | 2022-04-21 | 愛爾蘭商艾克斯展示公司技術有限公司 | 微轉印可印刷覆晶結構及方法 |
| EP3324437B1 (en) | 2016-11-16 | 2019-03-13 | Melexis Technologies NV | Device with light emitting diodes |
| TWI624929B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-05-21 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 顯示器的製作方法 |
| US10438859B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-10-08 | X-Celeprint Limited | Transfer printed device repair |
| US10297502B2 (en) | 2016-12-19 | 2019-05-21 | X-Celeprint Limited | Isolation structure for micro-transfer-printable devices |
| US10752809B2 (en) | 2016-12-23 | 2020-08-25 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Reusable attaching apparatus and methods of making and using a reusable attaching apparatus |
| US10832609B2 (en) | 2017-01-10 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Digital-drive pulse-width-modulated output system |
| DE102017101536B4 (de) * | 2017-01-26 | 2022-06-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips |
| US10468391B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Inorganic light-emitting-diode displays with multi-ILED pixels |
| US10396137B2 (en) | 2017-03-10 | 2019-08-27 | X-Celeprint Limited | Testing transfer-print micro-devices on wafer |
| US10576268B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-03-03 | International Business Machines Corporation | High resolution brain-electronics interface |
| US11024608B2 (en) | 2017-03-28 | 2021-06-01 | X Display Company Technology Limited | Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates |
| CN108695412B (zh) * | 2017-04-10 | 2021-08-24 | 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 | 传输微小元件的方法 |
| US10468397B2 (en) | 2017-05-05 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Matrix addressed tiles and arrays |
| US10804880B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-10-13 | X-Celeprint Limited | Device structures with acoustic wave transducers and connection posts |
| US11227787B2 (en) | 2017-07-14 | 2022-01-18 | Industrial Technology Research Institute | Transfer support and transfer module |
| US10431483B2 (en) | 2017-07-14 | 2019-10-01 | Industrial Technology Research Institute | Transfer support and transfer module |
| US10943946B2 (en) | 2017-07-21 | 2021-03-09 | X Display Company Technology Limited | iLED displays with substrate holes |
| CN109390267B (zh) * | 2017-08-09 | 2023-03-21 | 创新服务股份有限公司 | 批量移载微细元件的方法及其装置 |
| US10832935B2 (en) | 2017-08-14 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Multi-level micro-device tethers |
| KR102609560B1 (ko) | 2017-09-08 | 2023-12-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조 장치 |
| TWI676228B (zh) * | 2017-10-11 | 2019-11-01 | 博隆精密科技股份有限公司 | 微型元件的轉置裝置 |
| EP3471134A1 (en) | 2017-10-13 | 2019-04-17 | Maven Optronics Co., Ltd. | Method and system for mass arrangement of micro-component devices |
| TWI641072B (zh) * | 2017-10-18 | 2018-11-11 | 友達光電股份有限公司 | 微拾取陣列及其製造方法 |
| CN107799455B (zh) * | 2017-10-24 | 2020-06-19 | 上海天马微电子有限公司 | 转运头及其制作方法、转印方法及显示面板的制作方法 |
| US10836200B2 (en) | 2017-11-13 | 2020-11-17 | X Display Company Technology Limited | Rigid micro-modules with ILED and light conductor |
| TWI637481B (zh) | 2017-11-29 | 2018-10-01 | 財團法人工業技術研究院 | 半導體結構、發光裝置及其製造方法 |
| JP6842404B2 (ja) | 2017-12-08 | 2021-03-17 | 信越化学工業株式会社 | 粘着性基材の製造方法 |
| US10236195B1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-03-19 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Method for transferring device |
| CN108231653B (zh) * | 2018-01-04 | 2020-08-04 | 厦门大学 | 一种MicroLED芯片转印方法及装置 |
| CN110071062B (zh) * | 2018-01-24 | 2021-01-26 | 宏碁股份有限公司 | 微组件转移设备和相关方法 |
| KR102433873B1 (ko) | 2018-01-29 | 2022-08-19 | 삼성전자주식회사 | Led 패널 및 led 패널의 제조 방법 |
| US10636936B2 (en) | 2018-03-05 | 2020-04-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | MEMS array system and method of manipulating objects |
| DE102018104936A1 (de) | 2018-03-05 | 2019-09-05 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils |
| CN110391165B (zh) * | 2018-04-18 | 2021-09-14 | 英属开曼群岛商镎创科技股份有限公司 | 转移载板与晶粒载板 |
| TWI659486B (zh) * | 2018-04-18 | 2019-05-11 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 轉移載板與晶粒載板 |
| US11342302B2 (en) | 2018-04-20 | 2022-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bonding with pre-deoxide process and apparatus for performing the same |
| TWI699858B (zh) * | 2018-04-20 | 2020-07-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 接合方法及用於執行其的接合設備 |
| US10505079B2 (en) | 2018-05-09 | 2019-12-10 | X-Celeprint Limited | Flexible devices and methods using laser lift-off |
| CN110534540B (zh) * | 2018-05-25 | 2021-12-10 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及其制造方法 |
| US10832934B2 (en) | 2018-06-14 | 2020-11-10 | X Display Company Technology Limited | Multi-layer tethers for micro-transfer printing |
| US10714001B2 (en) | 2018-07-11 | 2020-07-14 | X Display Company Technology Limited | Micro-light-emitting-diode displays |
| KR102377684B1 (ko) * | 2018-07-12 | 2022-03-22 | 주식회사 엘지화학 | 디스플레이 화소 전사용 패턴 필름 및 이를 이용한 디스플레이의 제조방법 |
| JP6983123B2 (ja) | 2018-07-24 | 2021-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法 |
| US10796971B2 (en) | 2018-08-13 | 2020-10-06 | X Display Company Technology Limited | Pressure-activated electrical interconnection with additive repair |
| CN109166811A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-08 | 安徽星宇生产力促进中心有限公司 | 一种微电子器件封装机构 |
| US10796938B2 (en) | 2018-10-17 | 2020-10-06 | X Display Company Technology Limited | Micro-transfer printing with selective component removal |
| US10573544B1 (en) | 2018-10-17 | 2020-02-25 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printing with selective component removal |
| US10790173B2 (en) | 2018-12-03 | 2020-09-29 | X Display Company Technology Limited | Printed components on substrate posts |
| US11482979B2 (en) * | 2018-12-03 | 2022-10-25 | X Display Company Technology Limited | Printing components over substrate post edges |
| US20210002128A1 (en) | 2018-12-03 | 2021-01-07 | X-Celeprint Limited | Enclosed cavity structures |
| US11528808B2 (en) | 2018-12-03 | 2022-12-13 | X Display Company Technology Limited | Printing components to substrate posts |
| US11274035B2 (en) | 2019-04-24 | 2022-03-15 | X-Celeprint Limited | Overhanging device structures and related methods of manufacture |
| US11282786B2 (en) | 2018-12-12 | 2022-03-22 | X Display Company Technology Limited | Laser-formed interconnects for redundant devices |
| US11483937B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-10-25 | X Display Company Technology Limited | Methods of making printed structures |
| US11322460B2 (en) | 2019-01-22 | 2022-05-03 | X-Celeprint Limited | Secure integrated-circuit systems |
| US11251139B2 (en) | 2019-01-22 | 2022-02-15 | X-Celeprint Limited | Secure integrated-circuit systems |
| US10748793B1 (en) | 2019-02-13 | 2020-08-18 | X Display Company Technology Limited | Printing component arrays with different orientations |
| US11088121B2 (en) | 2019-02-13 | 2021-08-10 | X Display Company Technology Limited | Printed LED arrays with large-scale uniformity |
| US11094870B2 (en) | 2019-03-12 | 2021-08-17 | X Display Company Technology Limited | Surface-mountable pixel packages and pixel engines |
| US11164934B2 (en) | 2019-03-12 | 2021-11-02 | X Display Company Technology Limited | Tiled displays with black-matrix support screens |
| US11246251B2 (en) | 2019-05-02 | 2022-02-08 | Seagate Technology Llc | Micro-component transfer systems, methods, and devices |
| US10714374B1 (en) | 2019-05-09 | 2020-07-14 | X Display Company Technology Limited | High-precision printed structures |
| US10923378B2 (en) | 2019-05-13 | 2021-02-16 | Seagate Technology Llc | Micro-component batch transfer systems, methods, and devices |
| FR3096172A1 (fr) * | 2019-05-13 | 2020-11-20 | X-Fab France SAS | Transfer Printing for RF Applications |
| JP7340365B2 (ja) * | 2019-06-26 | 2023-09-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 転写用基板 |
| JP6696036B1 (ja) * | 2019-08-01 | 2020-05-20 | 信越エンジニアリング株式会社 | ワーク転写装置及びワーク転写チャック並びにワーク転写方法 |
| US11652082B2 (en) * | 2019-08-05 | 2023-05-16 | X Display Company Technology Limited | Particle capture using transfer stamp |
| US11101417B2 (en) | 2019-08-06 | 2021-08-24 | X Display Company Technology Limited | Structures and methods for electrically connecting printed components |
| KR20190099163A (ko) * | 2019-08-06 | 2019-08-26 | 엘지전자 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 디스플레이 장치 제조를 위한 전사 기판 |
| CN110328978B (zh) * | 2019-08-14 | 2020-06-19 | 四川大学 | 集印刷与定型一体化的转印装置和方法 |
| US11127889B2 (en) | 2019-10-30 | 2021-09-21 | X Display Company Technology Limited | Displays with unpatterned layers of light-absorbing material |
| US11637540B2 (en) | 2019-10-30 | 2023-04-25 | X-Celeprint Limited | Non-linear tethers for suspended devices |
| US11626856B2 (en) | 2019-10-30 | 2023-04-11 | X-Celeprint Limited | Non-linear tethers for suspended devices |
| KR102206491B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2021-01-22 | 주식회사 기가레인 | 전사 장치 및 이를 이용한 전사된 기판의 생산 방법 |
| US11302561B2 (en) * | 2019-11-12 | 2022-04-12 | Palo Alto Research Center Incorporated | Transfer elements that selectably hold and release objects based on changes in stiffness |
| US11062936B1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Transfer stamps with multiple separate pedestals |
| US11315909B2 (en) | 2019-12-20 | 2022-04-26 | X Display Company Technology Limited | Displays with embedded light emitters |
| CN111048458B (zh) * | 2019-12-26 | 2022-06-07 | 浙江大学 | 章鱼仿生的可编程吸盘式转印印章及转印方法 |
| US11194063B2 (en) * | 2019-12-30 | 2021-12-07 | Rayence Co., Ltd. | X-ray detector having driver micro integrated chips printed on photodiode layer |
| US11037912B1 (en) | 2020-01-31 | 2021-06-15 | X Display Company Technology Limited | LED color displays with multiple LEDs connected in series and parallel in different sub-pixels of a pixel |
| US11850874B2 (en) * | 2020-03-30 | 2023-12-26 | X Display Company Technology Limited | Micro-transfer printing stamps and components |
| KR102557337B1 (ko) * | 2020-04-13 | 2023-07-20 | 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 | 소자 전사용 무강성 패드, 소자 전사용 무강성 패드의 제조방법 및 소자 전사용 무강성 패드를 포함하는 소자 전사용 무강성 패드군 |
| US11088007B1 (en) | 2020-05-07 | 2021-08-10 | X-Celeprint Limited | Component tethers with spacers |
| US11538849B2 (en) | 2020-05-28 | 2022-12-27 | X Display Company Technology Limited | Multi-LED structures with reduced circuitry |
| US11699677B2 (en) * | 2020-06-30 | 2023-07-11 | Openlight Photonics, Inc. | Die-to-wafer bonding utilizing micro-transfer printing |
| US11952266B2 (en) | 2020-10-08 | 2024-04-09 | X-Celeprint Limited | Micro-device structures with etch holes |
| US11495635B2 (en) * | 2020-10-30 | 2022-11-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Polydimethylsiloxane antireflective layer for an image sensor |
| US11949053B2 (en) * | 2020-12-14 | 2024-04-02 | Lumileds Llc | Stencil printing flux for attaching light emitting diodes |
| CN112509958B (zh) * | 2021-02-02 | 2021-04-27 | 度亘激光技术（苏州）有限公司 | 一种半导体器件拆卸装置及其拆卸方法 |
| US11862607B2 (en) | 2021-08-16 | 2024-01-02 | Micron Technology, Inc. | Composite dielectric structures for semiconductor die assemblies and associated systems and methods |
| GB2612986A (en) * | 2021-11-18 | 2023-05-24 | Rockley Photonics Ltd | Stamp for micro-transfer printing |
| DE102022100661A1 (de) | 2022-01-12 | 2023-07-13 | Forschungsverbund Berlin E.V. | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleiterstruktur |
| WO2023218356A1 (en) * | 2022-05-09 | 2023-11-16 | Vuereal Inc. | Cartridge with internal pillar |
| DE102022122478A1 (de) * | 2022-09-05 | 2024-03-07 | Ams-Osram International Gmbh | Transferstempel und verfahren zum erzeugen eines transferstempels |
| WO2024074715A1 (en) | 2022-10-07 | 2024-04-11 | X-Celeprint Limited | Transfer-printed micro-optical components |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005099410A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | フレキシブルマトリクス基板およびフレキシブル表示装置 |
| JP2007027693A (ja) * | 2005-06-02 | 2007-02-01 | Board Of Trustees Of The Univ Of Illinois | エラストマースタンプへの接着の動的コントロールによるパターン転送印刷 |
| JP2007067381A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
| JP2008545999A (ja) * | 2005-05-17 | 2008-12-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | カラーアクティブマトリクスディスプレイ |
| US20120115262A1 (en) * | 2010-03-29 | 2012-05-10 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
| WO2012121377A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (223)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0281100B1 (en) * | 1987-03-03 | 1992-06-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Printing plate for flexographic printing |
| SE463196B (sv) | 1989-04-10 | 1990-10-22 | Svantesson Ake | Stenciltryckmaskin med rakel och stencil i motriktad roerelse |
| US5205032A (en) | 1990-09-28 | 1993-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic parts mounting apparatus |
| WO1993018428A2 (en) | 1992-03-13 | 1993-09-16 | Kopin Corporation | Head-mounted display system |
| JPH06302630A (ja) * | 1993-04-16 | 1994-10-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイボンディング方法及び装置 |
| US5900160A (en) * | 1993-10-04 | 1999-05-04 | President And Fellows Of Harvard College | Methods of etching articles via microcontact printing |
| US6180239B1 (en) | 1993-10-04 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Microcontact printing on surfaces and derivative articles |
| KR100343376B1 (ko) | 1993-12-31 | 2002-11-23 | 고려화학 주식회사 | 반도체소자봉지용경화제의제조방법및이를함유하는반도체소자봉지용수지조성물 |
| US5550066A (en) | 1994-12-14 | 1996-08-27 | Eastman Kodak Company | Method of fabricating a TFT-EL pixel |
| US5882532A (en) | 1996-05-31 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of single-crystal silicon structures using sacrificial-layer wafer bonding |
| EP1448033A1 (en) * | 1996-12-27 | 2004-08-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and device for mounting electronic component on a circuit board |
| US6025730A (en) | 1997-03-17 | 2000-02-15 | Micron Technology, Inc. | Direct connect interconnect for testing semiconductor dice and wafers |
| US6142358A (en) | 1997-05-31 | 2000-11-07 | The Regents Of The University Of California | Wafer-to-wafer transfer of microstructures using break-away tethers |
| US5815303A (en) | 1997-06-26 | 1998-09-29 | Xerox Corporation | Fault tolerant projective display having redundant light modulators |
| JP3406207B2 (ja) | 1997-11-12 | 2003-05-12 | シャープ株式会社 | 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法 |
| JP3326382B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2002-09-24 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6143672A (en) * | 1998-05-22 | 2000-11-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of reducing metal voidings in 0.25 μm AL interconnect |
| US6555408B1 (en) | 1999-02-05 | 2003-04-29 | Alien Technology Corporation | Methods for transferring elements from a template to a substrate |
| JP4627843B2 (ja) | 1999-07-22 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| KR100671211B1 (ko) | 2000-01-12 | 2007-01-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 |
| US6387778B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-05-14 | Seagate Technology Llc | Breakable tethers for microelectromechanical system devices utilizing reactive ion etching lag |
| US6278242B1 (en) | 2000-03-20 | 2001-08-21 | Eastman Kodak Company | Solid state emissive display with on-demand refresh |
| DE10051465A1 (de) | 2000-10-17 | 2002-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis |
| JP3631956B2 (ja) | 2000-05-12 | 2005-03-23 | 富士通株式会社 | 半導体チップの実装方法 |
| EP1158775A1 (en) | 2000-05-15 | 2001-11-28 | EASTMAN KODAK COMPANY (a New Jersey corporation) | Self-illuminating colour imaging device |
| JP3906653B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-04-18 | ソニー株式会社 | 画像表示装置及びその製造方法 |
| US7476523B2 (en) | 2000-08-14 | 2009-01-13 | Surface Logix, Inc. | Method of patterning a surface using a deformable stamp |
| US6756576B1 (en) | 2000-08-30 | 2004-06-29 | Micron Technology, Inc. | Imaging system having redundant pixel groupings |
| JP4461616B2 (ja) | 2000-12-14 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板 |
| JP4803884B2 (ja) | 2001-01-31 | 2011-10-26 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
| JP4649745B2 (ja) * | 2001-02-01 | 2011-03-16 | ソニー株式会社 | 発光素子の転写方法 |
| JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| US6703169B2 (en) | 2001-07-23 | 2004-03-09 | Applied Materials, Inc. | Method of preparing optically imaged high performance photomasks |
| US6998644B1 (en) | 2001-08-17 | 2006-02-14 | Alien Technology Corporation | Display device with an array of display drivers recessed onto a substrate |
| JP3719182B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2005-11-24 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品実装装置および電子部品実装方法 |
| US6608370B1 (en) | 2002-01-28 | 2003-08-19 | Motorola, Inc. | Semiconductor wafer having a thin die and tethers and methods of making the same |
| JP2003273111A (ja) | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Seiko Epson Corp | 成膜方法及びその方法を用いて製造したデバイス、並びにデバイスの製造方法 |
| JP4411575B2 (ja) | 2002-04-25 | 2010-02-10 | セイコーエプソン株式会社 | 電子装置の製造装置 |
| US7434512B2 (en) | 2002-09-09 | 2008-10-14 | International Business Machines Corporation | Printing in a medium |
| EP1588453B1 (en) | 2002-12-13 | 2009-06-24 | Wispry, Inc. | Varactor apparatuses and methods |
| US8222072B2 (en) | 2002-12-20 | 2012-07-17 | The Trustees Of Princeton University | Methods of fabricating devices by low pressure cold welding |
| US7964439B2 (en) | 2002-12-20 | 2011-06-21 | The Trustees Of Princeton University | Methods of fabricating devices by transfer of organic material |
| EP1434264A3 (en) | 2002-12-27 | 2017-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method using the transfer technique |
| JP3972825B2 (ja) | 2003-01-28 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置の製造方法 |
| WO2004068567A1 (de) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilmhalbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung |
| US7176528B2 (en) | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
| JP4340086B2 (ja) | 2003-03-20 | 2009-10-07 | 株式会社日立製作所 | ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法 |
| WO2004086471A1 (en) | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization |
| US6933532B2 (en) | 2003-03-28 | 2005-08-23 | Eastman Kodak Company | OLED display with photosensor |
| US6913985B2 (en) * | 2003-06-20 | 2005-07-05 | Oki Data Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP3915985B2 (ja) | 2003-08-22 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 画素素子基板、表示装置、電子機器、及び画素素子基板の製造方法 |
| US7479318B2 (en) | 2003-09-08 | 2009-01-20 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fibrillar microstructure and processes for the production thereof |
| US20060024974A1 (en) | 2003-10-02 | 2006-02-02 | Texas Instruments, Inc. | Surface treatment for oxidation removal in integrated circuit package assemblies |
| KR100845565B1 (ko) | 2003-12-01 | 2008-07-10 | 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이 | 나노스케일 3차원 구조물의 제조방법 및 장치 |
| JP4046076B2 (ja) * | 2003-12-04 | 2008-02-13 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品搭載装置 |
| US20050133241A1 (en) | 2003-12-18 | 2005-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chip orientation and attachment method |
| US6981445B2 (en) * | 2003-12-24 | 2006-01-03 | Axela Biosensors Inc. | Method and apparatus for micro-contact printing |
| US8159043B2 (en) | 2004-03-12 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US20070090387A1 (en) * | 2004-03-29 | 2007-04-26 | Articulated Technologies, Llc | Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits |
| US20080055581A1 (en) | 2004-04-27 | 2008-03-06 | Rogers John A | Devices and methods for pattern generation by ink lithography |
| CN102004393B (zh) | 2004-04-27 | 2013-05-01 | 伊利诺伊大学评议会 | 用于软光刻法的复合构图设备 |
| US7288753B2 (en) | 2004-05-05 | 2007-10-30 | Eastman Kodak Company | OLED display with composite photosensor |
| US7943491B2 (en) | 2004-06-04 | 2011-05-17 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Pattern transfer printing by kinetic control of adhesion to an elastomeric stamp |
| US8217381B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-07-10 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Controlled buckling structures in semiconductor interconnects and nanomembranes for stretchable electronics |
| US7799699B2 (en) | 2004-06-04 | 2010-09-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Printable semiconductor structures and related methods of making and assembling |
| KR101429098B1 (ko) | 2004-06-04 | 2014-09-22 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 인쇄가능한 반도체소자들의 제조 및 조립방법과 장치 |
| US7521292B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-04-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Stretchable form of single crystal silicon for high performance electronics on rubber substrates |
| US7453157B2 (en) | 2004-06-25 | 2008-11-18 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
| JP4653447B2 (ja) | 2004-09-09 | 2011-03-16 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006086469A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置、照明モジュール、照明装置及び半導体発光装置の製造方法 |
| JP4801337B2 (ja) | 2004-09-21 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN1755495A (zh) * | 2004-09-27 | 2006-04-05 | Idc公司 | 制造mems系统的预结构的方法 |
| US7662545B2 (en) | 2004-10-14 | 2010-02-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Decal transfer lithography |
| US7259391B2 (en) | 2004-12-22 | 2007-08-21 | General Electric Company | Vertical interconnect for organic electronic devices |
| US8685764B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-04-01 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method to make low resistance contact |
| US8871547B2 (en) | 2005-01-11 | 2014-10-28 | SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. | Method for fabricating vertical light emitting diode (VLED) structure using a laser pulse to remove a carrier substrate |
| PL1890887T3 (pl) * | 2005-05-03 | 2016-04-29 | Koninklijke Philips Nv | Sposób i urządzenie do nanoszenia wzoru z pieczęci na podłoże |
| CN101632156B (zh) * | 2005-06-02 | 2012-06-20 | 伊利诺伊大学评议会 | 可印刷半导体结构以及相关制造和组装方法 |
| CN102016814B (zh) | 2005-06-17 | 2013-10-23 | 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 | 纳米粒子制备方法、系统及材料 |
| KR20070004331A (ko) * | 2005-07-04 | 2007-01-09 | 삼성전자주식회사 | 센터 패드형 반도체 칩을 갖는 반도체 패키지 제조용 칩접착 장치 |
| WO2007013637A1 (en) | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Fujifilm Corporation | Method for forming graft polymer pattern and method for forming electrically conductive pattern |
| KR101113850B1 (ko) | 2005-08-11 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치 |
| JP5175003B2 (ja) | 2005-09-07 | 2013-04-03 | 光正 小柳 | 三次元積層構造を持つ集積回路装置の製造方法 |
| US20070068404A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Edwin Hirahara | Systems and methods for additive deposition of materials onto a substrate |
| US7626268B2 (en) | 2005-10-12 | 2009-12-01 | Infineon Technologies Ag | Support structures for semiconductor devices |
| US7586497B2 (en) | 2005-12-20 | 2009-09-08 | Eastman Kodak Company | OLED display with improved power performance |
| US20080185705A1 (en) | 2005-12-23 | 2008-08-07 | Tessera, Inc. | Microelectronic packages and methods therefor |
| JP2007220782A (ja) | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板およびｓｏｉ基板の製造方法 |
| US7785938B2 (en) | 2006-04-28 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor integrated circuit, manufacturing method thereof, and semiconductor device using semiconductor integrated circuit |
| US20080280085A1 (en) | 2006-06-25 | 2008-11-13 | Oren Livne | Dynamically Tunable Fibrillar Structures |
| CN1883957A (zh) * | 2006-06-29 | 2006-12-27 | 何名升 | 无版转印的方法及其装置 |
| JP5578509B2 (ja) * | 2006-09-06 | 2014-08-27 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | エラストマ基板に伸縮性コンポーネントを接着する方法 |
| MY149190A (en) | 2006-09-20 | 2013-07-31 | Univ Illinois | Release strategies for making transferable semiconductor structures, devices and device components |
| US7649247B2 (en) * | 2006-11-09 | 2010-01-19 | Great Wall Semiconductor Corporation | Radiation hardened lateral MOSFET structure |
| TW200823965A (en) * | 2006-11-30 | 2008-06-01 | Nat Univ Tsing Hua | Manufacturing method for imprinting lithograph template |
| WO2008076390A2 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-26 | Carnegie Mellon University | Dry adhesives and methods for making dry adhesives |
| WO2008076391A2 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-26 | Carnegie Mellon University | Dry adhesives and methods for making dry adhesives |
| JP4345808B2 (ja) | 2006-12-15 | 2009-10-14 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR101610885B1 (ko) | 2007-01-17 | 2016-04-08 | 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 | 프린팅기반 어셈블리에 의해 제조되는 광학 시스템 |
| US20080204873A1 (en) | 2007-02-23 | 2008-08-28 | Strategic Patent Acquisitions Llc | Techniques for three dimensional displays |
| US8110425B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-02-07 | Luminus Devices, Inc. | Laser liftoff structure and related methods |
| US7875313B2 (en) | 2007-04-05 | 2011-01-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method to form a pattern of functional material on a substrate using a mask material |
| KR101165029B1 (ko) | 2007-04-24 | 2012-07-13 | 삼성테크윈 주식회사 | 칩 가열장치, 이를 구비한 플립 칩 본더 및 이를 이용한플립 칩 본딩 방법 |
| US7687812B2 (en) * | 2007-06-15 | 2010-03-30 | Tpo Displays Corp. | Light-emitting diode arrays and methods of manufacture |
| DE102007043877A1 (de) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement |
| JP5032231B2 (ja) | 2007-07-23 | 2012-09-26 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US8201325B2 (en) | 2007-11-22 | 2012-06-19 | International Business Machines Corporation | Method for producing an integrated device |
| JP2009152387A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Sony Corp | 電子デバイスの製造方法、転写用電子デバイス基板および表示装置 |
| US8029139B2 (en) | 2008-01-29 | 2011-10-04 | Eastman Kodak Company | 2D/3D switchable color display apparatus with narrow band emitters |
| US7893612B2 (en) | 2008-02-27 | 2011-02-22 | Global Oled Technology Llc | LED device having improved light output |
| TWI723953B (zh) | 2008-03-05 | 2021-04-11 | 美國伊利諾大學理事會 | 可延展且可折疊的電子裝置 |
| US8470701B2 (en) | 2008-04-03 | 2013-06-25 | Advanced Diamond Technologies, Inc. | Printable, flexible and stretchable diamond for thermal management |
| TWI377383B (en) | 2008-05-05 | 2012-11-21 | Au Optronics Corp | Pixel, display and the driving method thereof |
| JP4479827B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 発光ダイオード表示装置及びその製造方法 |
| US8012866B2 (en) * | 2008-05-30 | 2011-09-06 | Asm Assembly Automation Ltd | Method of bonding semiconductor devices utilizing solder balls |
| US7927976B2 (en) * | 2008-07-23 | 2011-04-19 | Semprius, Inc. | Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements |
| US7999454B2 (en) | 2008-08-14 | 2011-08-16 | Global Oled Technology Llc | OLED device with embedded chip driving |
| JP4609562B2 (ja) * | 2008-09-10 | 2011-01-12 | 日立電線株式会社 | 微細構造転写用スタンパ及びその製造方法 |
| US8398909B1 (en) | 2008-09-18 | 2013-03-19 | Carnegie Mellon University | Dry adhesives and methods of making dry adhesives |
| WO2010036807A1 (en) | 2008-09-24 | 2010-04-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Arrays of ultrathin silicon solar microcells |
| US7854365B2 (en) * | 2008-10-27 | 2010-12-21 | Asm Assembly Automation Ltd | Direct die attach utilizing heated bond head |
| JP5697842B2 (ja) | 2008-11-18 | 2015-04-08 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びこれに用いるｓｏｑ基板 |
| KR101736722B1 (ko) * | 2008-11-19 | 2017-05-17 | 셈프리어스 아이엔씨. | 전단-보조 탄성 스탬프 전사에 의한 프린팅 반도체 소자 |
| JP5215833B2 (ja) | 2008-12-11 | 2013-06-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法 |
| EP2199082B1 (en) * | 2008-12-19 | 2013-09-04 | Agfa Graphics N.V. | Method for making flexographic printing masters |
| US20120000379A1 (en) | 2009-02-04 | 2012-01-05 | The Governing Council Of The University Of Toronto | Method for producing a stamp for hot embossing |
| JP5435824B2 (ja) | 2009-02-17 | 2014-03-05 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ | マイクロ構造を作製する方法 |
| TWI495704B (zh) | 2009-02-17 | 2015-08-11 | Agency Science Tech & Res | 高縱橫比黏附結構及其形成方法 |
| US7816856B2 (en) | 2009-02-25 | 2010-10-19 | Global Oled Technology Llc | Flexible oled display with chiplets |
| US8854294B2 (en) | 2009-03-06 | 2014-10-07 | Apple Inc. | Circuitry for independent gamma adjustment points |
| WO2010111601A2 (en) | 2009-03-26 | 2010-09-30 | Semprius, Inc. | Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby |
| US8865489B2 (en) * | 2009-05-12 | 2014-10-21 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Printed assemblies of ultrathin, microscale inorganic light emitting diodes for deformable and semitransparent displays |
| US9231328B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-01-05 | Hsio Technologies, Llc | Resilient conductive electrical interconnect |
| CN101923282B (zh) | 2009-06-09 | 2012-01-25 | 清华大学 | 纳米压印抗蚀剂及采用该纳米压印抗蚀剂的纳米压印方法 |
| US8207547B2 (en) | 2009-06-10 | 2012-06-26 | Brudgelux, Inc. | Thin-film LED with P and N contacts electrically isolated from the substrate |
| KR101729799B1 (ko) | 2009-06-16 | 2017-04-24 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | 탈착가능한 접착제 용품 |
| US20110021997A1 (en) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | Kurt Kyvik | Catheter securement device |
| US8261660B2 (en) | 2009-07-22 | 2012-09-11 | Semprius, Inc. | Vacuum coupled tool apparatus for dry transfer printing semiconductor elements |
| JP5356952B2 (ja) | 2009-08-31 | 2013-12-04 | レムセン イノベーション、リミティッド ライアビリティー カンパニー | 表示装置 |
| JP5590837B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2014-09-17 | キヤノン株式会社 | 機能性領域の移設方法 |
| WO2011034586A2 (en) | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semprius, Inc. | High-yield fabrication of large-format substrates with distributed, independent control elements |
| CA2717633C (en) | 2009-10-14 | 2018-06-19 | Simon Fraser University | Biomimetic dry adhesives and methods of production therefor |
| US9209059B2 (en) | 2009-12-17 | 2015-12-08 | Cooledge Lighting, Inc. | Method and eletrostatic transfer stamp for transferring semiconductor dice using electrostatic transfer printing techniques |
| US8502192B2 (en) | 2010-01-12 | 2013-08-06 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | LED with uniform current spreading and method of fabrication |
| US8480942B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-07-09 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method of forming a patterned layer of a material on a substrate |
| US20120328728A1 (en) * | 2010-01-29 | 2012-12-27 | Hoya Corporation | Mold for imprinting and production method thereof |
| US8334545B2 (en) | 2010-03-24 | 2012-12-18 | Universal Display Corporation | OLED display architecture |
| JP5555025B2 (ja) | 2010-03-25 | 2014-07-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細パターン転写用スタンパ及びその製造方法 |
| WO2011123285A1 (en) | 2010-03-29 | 2011-10-06 | Semprius, Inc. | Selective transfer of active components |
| DE112011101135B4 (de) | 2010-03-29 | 2021-02-11 | X-Celeprint Limited | Elektrisch verbundene Felder von aktiven Bauteilen in Überführungsdrucktechnik |
| FR2959162B3 (fr) | 2010-04-26 | 2012-03-23 | Innopsys | Dispositif et procede de lithographie douce |
| US20110266670A1 (en) | 2010-04-30 | 2011-11-03 | Luke England | Wafer level chip scale package with annular reinforcement structure |
| CN103155114B (zh) | 2010-08-06 | 2016-10-12 | 森普留斯公司 | 用于释放可印刷化合物半导体器件的材料和过程 |
| WO2012027458A1 (en) | 2010-08-26 | 2012-03-01 | Semprius, Inc. | Structures and methods for testing printable integrated circuits |
| US8263435B2 (en) | 2010-10-28 | 2012-09-11 | Stats Chippac, Ltd. | Semiconductor device and method of stacking semiconductor die in mold laser package interconnected by bumps and conductive vias |
| US9899329B2 (en) | 2010-11-23 | 2018-02-20 | X-Celeprint Limited | Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance |
| US9139425B2 (en) | 2010-12-07 | 2015-09-22 | Spts Technologies Limited | Process for manufacturing electro-mechanical systems |
| WO2012087352A2 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | The Regents Of The University Of California | Superhydrophobic and superoleophobic nanosurfaces |
| KR101762173B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2017-08-04 | 삼성전자 주식회사 | 웨이퍼 레벨 발광 소자 패키지 및 그의 제조 방법 |
| US8449285B2 (en) * | 2011-01-21 | 2013-05-28 | Hepregen Corporation | Systems and methods for micro-contact stamping |
| US8803857B2 (en) | 2011-02-10 | 2014-08-12 | Ronald S. Cok | Chiplet display device with serial control |
| JP5754173B2 (ja) | 2011-03-01 | 2015-07-29 | ソニー株式会社 | 発光ユニットおよび表示装置 |
| MX346029B (es) | 2011-05-13 | 2017-03-01 | Mylan Group | Adhesivos secos. |
| US9765934B2 (en) | 2011-05-16 | 2017-09-19 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Thermally managed LED arrays assembled by printing |
| US8889485B2 (en) | 2011-06-08 | 2014-11-18 | Semprius, Inc. | Methods for surface attachment of flipped active componenets |
| US9555644B2 (en) * | 2011-07-14 | 2017-01-31 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Non-contact transfer printing |
| JP2013065725A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| US9412727B2 (en) | 2011-09-20 | 2016-08-09 | Semprius, Inc. | Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion |
| US8691925B2 (en) * | 2011-09-23 | 2014-04-08 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Compositions of neutral layer for directed self assembly block copolymers and processes thereof |
| WO2013048577A1 (en) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | Solarity, Inc. | Substrate and superstrate design and process for nano-imprinting lithography of light and carrier collection management devices |
| GB2495507A (en) | 2011-10-11 | 2013-04-17 | Cambridge Display Tech Ltd | OLED display circuit |
| US8912024B2 (en) * | 2011-11-18 | 2014-12-16 | Invensas Corporation | Front facing piggyback wafer assembly |
| US8573469B2 (en) * | 2011-11-18 | 2013-11-05 | LuxVue Technology Corporation | Method of forming a micro LED structure and array of micro LED structures with an electrically insulating layer |
| US8809875B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-08-19 | LuxVue Technology Corporation | Micro light emitting diode |
| US8646505B2 (en) | 2011-11-18 | 2014-02-11 | LuxVue Technology Corporation | Micro device transfer head |
| WO2013089867A2 (en) | 2011-12-01 | 2013-06-20 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Transient devices designed to undergo programmable transformations |
| US9368546B2 (en) | 2012-02-15 | 2016-06-14 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Imaging structure with embedded light sources |
| JP2013187380A (ja) * | 2012-03-08 | 2013-09-19 | Nippon Mektron Ltd | 伸縮性フレキシブル回路基板およびその製造方法 |
| EP2830492B1 (en) | 2012-03-30 | 2021-05-19 | The Board of Trustees of the University of Illinois | Appendage mountable electronic devices conformable to surfaces and method of making the same |
| US9548332B2 (en) | 2012-04-27 | 2017-01-17 | Apple Inc. | Method of forming a micro LED device with self-aligned metallization stack |
| US20130309792A1 (en) | 2012-05-21 | 2013-11-21 | Michael A. Tischler | Light-emitting dies incorporating wavelength-conversion materials and related methods |
| US8933433B2 (en) | 2012-07-30 | 2015-01-13 | LuxVue Technology Corporation | Method and structure for receiving a micro device |
| JP2014033051A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-02-20 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2014049658A (ja) * | 2012-08-31 | 2014-03-17 | Toshiba Corp | パターン形成方法及びテンプレート |
| US8835940B2 (en) | 2012-09-24 | 2014-09-16 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US8941215B2 (en) | 2012-09-24 | 2015-01-27 | LuxVue Technology Corporation | Micro device stabilization post |
| US8946052B2 (en) * | 2012-09-26 | 2015-02-03 | Sandia Corporation | Processes for multi-layer devices utilizing layer transfer |
| DE102012217957B4 (de) * | 2012-10-01 | 2014-10-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer Mikro-LED-Matrix |
| US9558721B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-01-31 | Apple Inc. | Content-based adaptive refresh schemes for low-power displays |
| US9178123B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-11-03 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting device reflective bank structure |
| US9029880B2 (en) | 2012-12-10 | 2015-05-12 | LuxVue Technology Corporation | Active matrix display panel with ground tie lines |
| DE102012112030A1 (de) * | 2012-12-10 | 2014-06-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Mikrokontaktprägen |
| US9105714B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-08-11 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging bollards |
| US9166114B2 (en) | 2012-12-11 | 2015-10-20 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including sacrificial release layer and staging cavity |
| US9153171B2 (en) | 2012-12-17 | 2015-10-06 | LuxVue Technology Corporation | Smart pixel lighting and display microcontroller |
| KR20150112945A (ko) * | 2013-01-24 | 2015-10-07 | 소켄 케미칼 앤드 엔지니어링 캄파니, 리미티드 | 광투과형 임프린트용 몰드, 대면적 몰드의 제조방법 |
| JP2014157955A (ja) * | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 微細構造形成方法及び微細構造形成体 |
| US9308649B2 (en) | 2013-02-25 | 2016-04-12 | LuxVue Techonology Corporation | Mass transfer tool manipulator assembly |
| US9252375B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-02-02 | LuxVue Technology Corporation | Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test |
| US9362113B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-06-07 | Semprius, Inc. | Engineered substrates for semiconductor epitaxy and methods of fabricating the same |
| US8791474B1 (en) | 2013-03-15 | 2014-07-29 | LuxVue Technology Corporation | Light emitting diode display with redundancy scheme |
| US20140327132A1 (en) | 2013-05-03 | 2014-11-06 | National Center For Advanced Packaging (Ncap China) | TSV Backside Reveal Structure and Exposing Process |
| US9217541B2 (en) | 2013-05-14 | 2015-12-22 | LuxVue Technology Corporation | Stabilization structure including shear release posts |
| US9484504B2 (en) | 2013-05-14 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Micro LED with wavelength conversion layer |
| US8987765B2 (en) | 2013-06-17 | 2015-03-24 | LuxVue Technology Corporation | Reflective bank structure and method for integrating a light emitting device |
| US9111464B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-18 | LuxVue Technology Corporation | LED display with wavelength conversion layer |
| US9367094B2 (en) | 2013-12-17 | 2016-06-14 | Apple Inc. | Display module and system applications |
| US9583533B2 (en) | 2014-03-13 | 2017-02-28 | Apple Inc. | LED device with embedded nanowire LEDs |
| US9690192B2 (en) * | 2014-04-21 | 2017-06-27 | Jsr Corporation | Composition for base, and directed self-assembly lithography method |
| KR102116856B1 (ko) | 2014-06-18 | 2020-06-01 | 엑스-셀레프린트 리미티드 | 마이크로 어셈블리를 위한 gan 및 관련 물질들을 제조하기 위한 시스템들 및 방법들 |
| CN111180381B (zh) | 2014-06-18 | 2021-08-27 | 艾克斯展示公司技术有限公司 | 用于控制可转印半导体结构的释放的系统及方法 |
| US9929053B2 (en) | 2014-06-18 | 2018-03-27 | X-Celeprint Limited | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
| JP5944445B2 (ja) | 2014-07-18 | 2016-07-05 | Ｔｏｗａ株式会社 | 樹脂封止電子部品の製造方法、突起電極付き板状部材、樹脂封止電子部品、及び突起電極付き板状部材の製造方法 |
| US20170207193A1 (en) | 2014-07-20 | 2017-07-20 | X-Celeprint Limited | Apparatus and methods for micro-transfer-printing |
| MY182253A (en) | 2014-07-20 | 2021-01-18 | X Celeprint Ltd | Apparatus and methods for micro-transfer-printing |
| WO2016030422A1 (en) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | X-Celeprint Limited | Micro assembled hybrid displays and lighting elements |
| US9478583B2 (en) | 2014-12-08 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Wearable display having an array of LEDs on a conformable silicon substrate |
| US9640715B2 (en) | 2015-05-15 | 2017-05-02 | X-Celeprint Limited | Printable inorganic semiconductor structures |
| JP6546278B2 (ja) | 2015-05-21 | 2019-07-17 | ゴルテック．インク | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 |
| US9704821B2 (en) | 2015-08-11 | 2017-07-11 | X-Celeprint Limited | Stamp with structured posts |
| US10468363B2 (en) | 2015-08-10 | 2019-11-05 | X-Celeprint Limited | Chiplets with connection posts |
| US10153256B2 (en) | 2016-03-03 | 2018-12-11 | X-Celeprint Limited | Micro-transfer printable electronic component |
| US11062936B1 (en) | 2019-12-19 | 2021-07-13 | X Display Company Technology Limited | Transfer stamps with multiple separate pedestals |
-
2015
- 2015-07-20 MY MYPI2017000080A patent/MY182253A/en unknown
- 2015-07-20 US US14/804,077 patent/US11472171B2/en active Active
- 2015-07-20 CN CN201910398916.XA patent/CN110265344B/zh active Active
- 2015-07-20 US US14/803,997 patent/US9434150B2/en active Active
- 2015-07-20 US US14/803,980 patent/US9358775B2/en active Active
- 2015-07-20 KR KR1020207006010A patent/KR102181010B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-20 JP JP2017502984A patent/JP6453437B2/ja active Active
- 2015-07-20 TW TW104123504A patent/TWI659475B/zh active
- 2015-07-20 EP EP15747992.4A patent/EP3170197B1/en active Active
- 2015-07-20 US US14/804,031 patent/US20160020131A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-20 CN CN201580039312.6A patent/CN106796911B/zh active Active
- 2015-07-20 KR KR1020177004506A patent/KR102085212B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-20 CN CN202010752627.8A patent/CN112331604A/zh active Pending
- 2015-07-20 WO PCT/EP2015/066566 patent/WO2016012409A2/en active Application Filing
- 2015-07-20 CN CN202311161301.8A patent/CN117198902A/zh active Pending
- 2015-07-20 US US14/804,047 patent/US9550353B2/en active Active
- 2015-07-20 CN CN202311161364.3A patent/CN117198903A/zh active Pending
-
2016
- 2016-12-21 US US15/387,389 patent/US10252514B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-15 US US15/705,755 patent/US20180001614A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005099410A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Toshiba Corp | フレキシブルマトリクス基板およびフレキシブル表示装置 |
| JP2008545999A (ja) * | 2005-05-17 | 2008-12-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | カラーアクティブマトリクスディスプレイ |
| JP2007027693A (ja) * | 2005-06-02 | 2007-02-01 | Board Of Trustees Of The Univ Of Illinois | エラストマースタンプへの接着の動的コントロールによるパターン転送印刷 |
| JP2007067381A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
| US20120115262A1 (en) * | 2010-03-29 | 2012-05-10 | Semprius, Inc. | Laser assisted transfer welding process |
| WO2012121377A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| C. A. BOWER、外２名: "Transfer Printing: An Approach for Massively Parallel Assembly of Microscale Devices", 2008 58TH ELECTRONIC COMPONENTS AND TECHNOLOGY CONFERENCE [ONLINE], JPN6018033447, 24 June 2008 (2008-06-24), pages 1105 - 1109, ISSN: 0003867307 * |
| M. M. R. HOWLADER、外３名: "Nanobonding Technology Toward Electronic, Fluidic, and Photonic Systems Integration", IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS [ONLINE], vol. 第１７巻，第３号(MAY/JUNE 2011), JPN6018033450, 9 November 2010 (2010-11-09), pages 689 - 703, ISSN: 0003867308 * |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020520821A (ja) * | 2017-09-26 | 2020-07-16 | エルジー・ケム・リミテッド | ディスプレイ画素転写用パターンフィルムおよびこれを用いたディスプレイの製造方法 |
| WO2019065398A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物およびその硬化物 |
| JPWO2019065398A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2020-11-05 | 信越化学工業株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン粘着剤組成物およびその硬化物 |
| US11180680B2 (en) | 2017-09-29 | 2021-11-23 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | UV curable silicone adhesive composition and cured product thereof |
| JP2021503713A (ja) * | 2017-11-20 | 2021-02-12 | 廈門市三安光電科技有限公司 | マイクロデバイスのマストランスファー方法 |
| JP2020174128A (ja) * | 2019-04-10 | 2020-10-22 | 大日本印刷株式会社 | 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法 |
| JP7228130B2 (ja) | 2019-04-10 | 2023-02-24 | 大日本印刷株式会社 | 保持部材、転写部材、転写部材の製造方法及び発光基板の製造方法 |
| WO2023063358A1 (ja) * | 2021-10-14 | 2023-04-20 | 信越化学工業株式会社 | レセプター基板、レセプター基板の製造方法、移載方法、ｌｅｄパネルの製造方法及びスタンパ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110265344A (zh) | 2019-09-20 |
| US20160020127A1 (en) | 2016-01-21 |
| TW201612991A (en) | 2016-04-01 |
| CN106796911A (zh) | 2017-05-31 |
| CN117198902A (zh) | 2023-12-08 |
| WO2016012409A2 (en) | 2016-01-28 |
| US20160020130A1 (en) | 2016-01-21 |
| KR20200024368A (ko) | 2020-03-06 |
| US9358775B2 (en) | 2016-06-07 |
| US20160020131A1 (en) | 2016-01-21 |
| EP3170197B1 (en) | 2021-09-01 |
| EP3170197A2 (en) | 2017-05-24 |
| KR102181010B1 (ko) | 2020-11-20 |
| CN117198903A (zh) | 2023-12-08 |
| CN106796911B (zh) | 2021-01-01 |
| US20170103964A1 (en) | 2017-04-13 |
| US9550353B2 (en) | 2017-01-24 |
| WO2016012409A3 (en) | 2016-03-24 |
| US20160020120A1 (en) | 2016-01-21 |
| TWI659475B (zh) | 2019-05-11 |
| MY182253A (en) | 2021-01-18 |
| KR102085212B1 (ko) | 2020-03-05 |
| US20160016399A1 (en) | 2016-01-21 |
| JP6453437B2 (ja) | 2019-01-16 |
| CN110265344B (zh) | 2023-09-12 |
| US9434150B2 (en) | 2016-09-06 |
| KR20170063528A (ko) | 2017-06-08 |
| CN112331604A (zh) | 2021-02-05 |
| US10252514B2 (en) | 2019-04-09 |
| US20180001614A1 (en) | 2018-01-04 |
| US11472171B2 (en) | 2022-10-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6453437B2 (ja) | マイクロ転写印刷のための装置および方法 | |
| US10347535B2 (en) | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures | |
| US20170207193A1 (en) | Apparatus and methods for micro-transfer-printing | |
| US9929053B2 (en) | Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180613 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180613 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180613 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180816 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180828 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181015 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181210 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181212 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6453437 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |