KR101790826B1 - 전자기계 시스템을 제조하기 위한 프로세스 - Google Patents

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Abstract

기계적 장치 및 기판으로 구성되는 나노전자기계 시스템(NEMS) 또는 마이크로전자기계 시스템(MEMS)의 증기 불화수소(VHF) 릴리즈 중에 점착을 회피하는 방법이 기술된다. 기판과 희생 산화물층 사이 및/또는 장치층과 희생 산화물층 사이 및/또는 희생 산화물층으로부터 떨어진 장치층의 측면 상에 질화 규소층이 제공되고, 질화 규소층은 VHF와 함께 보다 두꺼운 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환되며 동시에 희생 산화물의 일부를 제거한다. 암모늄 헥사플루오로실리케이트는 제조 중에 장치 이동을 제한하고 이후 열 및/또는 감소된 압력 하에서 승화에 의해 제거되는 일시적 지지, 쐐기, 웨지 또는 테더로 작용한다.

Description

전자기계 시스템을 제조하기 위한 프로세스{PROCESS FOR MANUFACTURING ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS}
본 발명은 나노 전자기계 시스템(nano-electro-mechanical systems, NEMS) 및 마이크로 전자기계 시스템(micro-electro mechanical systems, MEMS)을 포함하는 전자기계 시스템 제조 분야에 관한 것이다. 보다 상세하게는 본 발명은 증기 불화수소 식각(vapor hydrofluoric etching)을 사용하여 MEMS 및 NEMS를 만드는 방법에 관한 것이다.
NEMS는 하나 이상의 기계적 소자들이 모든 방향에서 1 미크론보다 작은 현대의 기계적 시스템이다. NEMS 및 보다 과거의 기술인 MEMS는 모두가 희생층의 상부에 패터닝되고 하나 이상의 지점에서 하부 기판에 고정되는 대형 판들(large plates)을 지지하는 길고 얇은 빔들(beams)로 구성되는 잘 알려진 장치들이다. 해당 장치가 완성된 후, 희생층은 식각으로 제거되고 판 및 빔들은 고정 지점을 제외하고는 자유롭게 움직인다.
많은 특허들 및 다른 간행물들은 NEMS 및 MEMS를 만드는 다양한 방법을 개시한다. 예를 들어, Mastrangelo U.S. Pat. 5,258,097은 이산화규소와 같이 습식 식각 기술에 의해 제거될 수 있는 희생층을 증착함으로써 실리콘 기판 상에 마이크로구조체를 제조하는 방법을 개시한다. 희생층에는 빈 영역(void areas)이 형성되고 그 후 남은 희생층의 습식 식각 중에 구조층을 위한 지지를 나중에 제공하는 언더컷 영역(undercut area) 및 빈 영역을 채우도록 적어도 하나의 구멍을 통해 희생층 식각액(etchant)에 잘 견디는 컬럼 형성층(column-forming layer)이 증착된다.
다른 간행물들은 MEMS와 관련되지 않은 NEMS와 관련된 문제점들을 다루어 왔는데, 예를 들어 Carley, U.S. Pat. Pub. 2010/0061143은 빔들을 독립적이고 탈착된(unattached) 객체로 구성함으로써 작은 형상비(aspect ratios)를 갖는 빔들을 구성하는 것의 문제를 다뤘다. Rueckes, et al, US 6,911,682는 메모리 셀들에 대하여 자라는 리본들 또는 나노튜브 와이어들의 형상의 통계학적 다양성을 제어하는 것의 문제점을 다뤘다. Beyer et al, US 7,078,352은 구멍을 식각하고 구멍 내 도전성 소재를 증착함으로써 희생 SiO2 층을 분해하기 위하여 불화수소(HF)를 사용하는 에어 캐비티(air cavities)를 사용함으로써 상호연결 라인들 간의 격리에 대한 문제점을 다뤘다.
본 발명의 목적은 NEMS 또는 MEMS 제조 중에 장치층의 이동부들을 고정하는 방법을 제공하는 것이다. 본 발명의 다른 목적은 희생 산화물의 제거 중 또는 이후에 점착(stiction)되지 않는 NEMS 또는 MEMS의 제조 방법을 제공하는 것이다. 다른 목적은 종래 기술의 방법들을 통해 달성할 수 없는 크기, 모양 및/또는 위치의 특성들을 포함하는 MEMS 및 NEMS를 제공하는 것이다.
이어지는 내용 및 도면들로부터 분명해질 이러한 목적들, 그리고 다른 목적들은 일 측면에서 MEMS 또는 NEMS의 제조 중에 장치층의 이동부들을 고정하는 방법 및 그에 따른 MEMS 또는 NEMS를 포함하는 본 발명에 의해 달성된다. 질화 규소층은 기판 및 희생 산화물층 사이 및/또는 장치층 및 희생 산화물층 및/또는 희생 산화물층로부터 떨어진 장치층의 측면 상에 제공되며, 증기 불화수소(vapor hydrofluoride, VHF)와 함께 보다 두꺼운 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환되는 동시에 희생 산화물의 일부를 제거한다. 암모늄 헥사플루오로실리케이트는 제조 중 장치 이동을 제한하고 이후 열 및/또는 감소된 압력 하에서 승화에 의해 제거되는 일시적 지지, 쐐기(shim), 웨지(wedge) 또는 테더(tether)로 작용한다. 몇몇 실시예에서 질화 규소는 하나 이상의 중간 단계가 수행되는 이후까지 승화에 의해 제거되지 않는데, 중간 단계들은 다이싱(dicing), 패키징 및 금속화 중에서 선택되며, 그에 따라 하나 이상의 중간 단계 중에이동을 방지한다.
일반적으로 VHF 식각은, 특히 점착이 관건일 때, 작은 MEMS 또는 NEMS에 대한 습식 에칭에 대한 개선된 방법으로 사용된다. 두 개의 평평하고 작은 부분들의 표면(들) 상에서 잔여 물(residual water)이 서로 접촉하여 끌어당길 때 점착이 일어나는데 그 후 반데르발스 힘이 그것들을 결합시킬 수 있다. 큰 희생 산화물 갭(> 1 um)에 대하여 압력, 온도 및 반응비와 같은 VHF 프로세스 파라미터들은 점착 효과를 최소화 또는 제거하는 것을 도울 수 있다. 하지만, NEMS와 같이 희생 산화물층들이 매우 얇을 때 및/또는 빔들 및스프링들과 같은 컴플라이언트 특징들 간의 갭이 매우 좁을 때, 점착을 방지하는 레벨까지 물을 제거하는데 제한이 존재할 수 있다. 하나의 중요한 이유는 VHF 식각 반응의 부산물이 물이라는 것이다. 따라서 해당 프로세스에서 물이 존재하지 않는 것은 물리적으로 불가능하다. 오직 반응 속도를 감소시킴으로써 생성되는 물의 흐름(flux)을 감소시킬 수 있으며, 그에 따라 에칭 속도를 감소시킬 수 있다. VHF는 알려진 공식들 및 방법들에 따라 이루어지고 도입되며 불화수소산 및 알콜 또는 물을 포함한다.
본 발명은 또다른 표준 반도체 소재, 질화 규소(Si3N4)에 대한 VHF 식각 프로세스를 사용할 때 발생하는 두 가지 독특한 현상을 이용한다. VHF 프로세싱 중의 질화 규소는 반응할 수 있으며 불화암모늄 [NH4]F 및/또는 규불화암모늄 [NH4]2SiF6으로 변환될 수 있다. 이들은 불화염(fluoride salts)이고 이 염들의 변환된 층은 보다 두꺼워지는 경향이 있으며, 시작 질화 규소 소재보다 큰 그레인 크기(grain size)를 갖는다. 결합된 이중 소재 필름(질화 규소 위의 규불화 암모늄)은 식각 프로세스에 노출될 때 두꺼워진다. 변환된 질화 규소 염들의 다른 현상은 그것들이 아래 식에 따라 상대적으로 낮은 옴도 및 진공 압력에서 승화될 수 있다는 것이다.
(NH4)2SiF6(s) → NH4HF2(s) + SiF4(g) + NH3(g)
본 발명은 VHF 릴리즈(release) 중에 또는 VHF 릴리즈 다음의 임의의 프로세싱 중에 장치층의 이동부들을 고정하는 새로운 방법을 발전시키기 위하여 이 현상들 모두를 이용한다. 이는 희생 산화물층에 인접한 또는 2 이상의 이동부들을 가로지르는 하나 이상의 질화물층에 의해 이루어진다. 장치 및 산화물층 사이 및/또는 산화물 및 기판층들 사이에 질화물층이 존재하는 실시예들에서, 질화물층의 두께는 변환 시, 그것의 마지막 두께가 희생 산화물층이 식각된 이후 장치층 및 기판 사이의 갭과 비슷하지만 완전히 채우지는 않도록 선택된다. 이는 초기에 질화/희생 산화물 스택에 의해 지지되었던 장치가 이제 규불화 암모늄층 또는 층들에 의해 지지되는 것을 보장한다. 이 실시예들에서 장치층 위에 부가적인 질화물층이 배치될 수 있어 그것이 변환됨에 따라 장치층 아래의 질화물층의 벤딩력(bending force)에 대응한다. 질화물층이 장치층 위에서 테더(tether)로 사용되는 실시예들에서, 질화물은 규불화 암모늄 및 테더들, 빔들, 스프링들 또는 장치층의 다른 부분들로 변환되어 그것들은 이후의 프로세싱 중에 손상되지 않는다. 몇몇 실시예에서 장치층은 서로에 대한 또는 기판에 대하여 이동하도록 계획되는 영역들에 포함되는데, 여기서 질화 규소층은 제조 중에 서로에 대하여 영역들의 이동을 제한하기 위하여 테더 형태로 제공되며, 질화 규소 테더는 서로에 대한 영역들의 이동이 허용될 때 승화에 의해 제거된다.
그 후 해당 구조는 승화 곡선 아래의 온도 및 압력 조건에서 진공 베이크(vacuum bake)에 노출되고, 그에 따라 규불화 암모늄 지지 구조를 승화시켜 해당 장치가 릴리즈 프로세스의 일부로서 물 없이 릴리즈된다.
장치층은 해당 분야에서 사용되는 임의의 적절한 소재일 수 있으며, 예컨대 무정형 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘-게르마늄, 알루미늄, 텅스텐, 티타늄, 질화티타늄, 알루미늄, 텅스텐 및 티타늄의 합금, 그들의 조합 및 금속 산화 규소(metal-silicon oxide) 스택들을 포함한다.
본 발명의 다른 목적들 및 장점들은 이어지는 상세한 기술을 읽음으로써 그리고 수반되는 도면들의 참조에 따라 분명해질 것이다.
도 1a-1j는 세 개의 질화 규소층을 포함하는 기판 상에 층들을 증착하는 단계, 스택을 패터닝하는 단계, VHF 식각 단계 및 승화 단계에 의해 NEMS 스택을 쌓는 과정을 나타내는 본 발명에 따른 NEMS 스택의 일련의 횡단면도이다.
도 2a-2d는 두 개의 질화 규소층을 포함하는 패터닝된 NEMS 스택의 VHF 식각 단계 및 승화 단계의 과정을 나타내는 본 발명에 따른 NEMS의 일련의 횡단면도이다.
도 3a-3d는 오직 하나의 질화 규소층을 갖는 패터닝된 NEMS 스택, VHF에 의한 부분적 처리, 완료된 VHF 단계 및 장치층을 릴리즈하기 위한 승화의 일련의 횡단면도이다.
도 4a-4d는 VHF 식각 및 이어지는 프로세스 단계 중에 이동으로부터 장치층 부분들을 유지하도록 기능하고, 승화 단계 중에 제거되는 질화 규소 테더층을 포함하는 패터닝된 NEMS 스택의 부분적 횡단면도를 포함하는 일련의 투시도이다.
도 5a-5d는 VHF 식각 및 이어지는 프로세스 단계 중에 이동으로부터 장치층 부분들을 유지하도록 기능하고, 승화 단계 중에 제거되는 도 4a-4d와 다른 실시예인 질화 규소 테더층을 포함하는 패터닝된 NEMS 스택의 부분적 횡단면도를 포함하는 일련의 투시도이다.
본 발명의 NEMS 측면의 몇몇 실시예들이 이하에서 상세히 나타나지만, 나노 전자기계 시스템(NEMS)뿐만 아니라 다른 마이크로 전자기계 시스템(MEMS)에도 본 발명이 적용된다는 것이 당업자에 의해 이해되어야 하고 이해될 것인데, 이는 VHF를 통한 릴리즈 중에 점착을 피하는 문제 및 프로세스 단계 중에 빔, 스프링 등과 같은 장치 부재들의 이동을 방지하는 문제가 양 포맷들에 적용되기 때문이다.
먼저 도 1a-1j를 참조하면, 본 발명에 따른 프로세스의 실시예가 도시되는데 여기서는 NEMS 스택이 쌓이고 궁극적으로 일련의 단계에서 릴리즈된다. 도 1a에는 시작 기판(10)이 도시된다. 실시예에 따라 하나 이상의 질화 규소층이 증착된다. 도 1b는 제1 질화 규소층(11)을 나타내며, 희생 산화물층(12)의 증착(도 1c), 중간 질화 규소층(13)(도 1d), 구조 또는 장치층(14)(도 1e), 및 상부 질화물층(도 1f)으로 이어진다. 도시된 실시예에서 SiN 층들의 두께는 200 옹스트롬(Angstroms)이며 산화물층의 두께는 500 옹스트롬이다. 해당 분야에서 알려진 바와 같이 구조 또는 장치층들의 두께는, 심지어 특정 스택 내에서, 변할 수 있다. 도시된 실시예에서, 장치층(14)의 두께는 500 옹스트롬이다.
도 1g는 층들(15, 14, 13)을 개별적인 섹션들(15a 및 15b, 14a 및 14b, 13a 및13b)로 나누는, 희생 산화물층(12)의 식각 없이 식각되는 패턴을 나타낸다. 도 1h는 약간의 희생 산화물(12)을 제거하는 동시에 질화 규소(11, 13a, 13b, 15a, 15b) 중 약간을 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17a, 17b, 17c) 또는 VHF 단계 이전에 존재하는 질화 규소보다 큰 부피를 차지하는 관련 화학 작용으로 변환하는 부분적인 VHF 프로세스 릴리즈 단계의 결과를 나타낸다. VHF는 불화수소(HF) 및 알콜 또는 수증기를 포함하며, 질소와 함께 도입된다. 이 실시예에서 VHF 단계는 45C 및 100 토르(Torr)에서 수행되나, 다른 실시예들에서는 약 20-100C의 온도 및 10 토르에서 대기압(760 토르)의 압력이 적절하다. 점착으로 인해 빔이 기판 위로 붕괴되는 것을 방지하기 위하여 팽창된 SiN/암모늄 헥사플루오로실리케이트 층들이 서로 근접할 때까지 산화물층이 제거되는 만큼 암모늄헥사플루오로실리케이트를 형성하도록 이 릴리즈 단계 중에 SiN층들(17b 및 17c)은 HF와 반응하여 팽창한다. 팽창된 SiN/암모늄헥사플루오로실리케이트(17a)는 그것이 형성하는 만큼 층(17b)에 의해 주어진 임의의 힘에 대응하는 역할을 한다.
도 1i는 완료된 VHF 릴리즈 이후의 NEMS 스택을 도시하는데 여기서 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17a)는 빔들(14a, 14b)을 상부로부터 지지하고, 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17b)는 장치층(14a, 14b)의 하부 상에 존재하며, 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17c)는 기판(10)의 상부 상에 존재한다. 미반응된(unreacted) 질화 규소 부분들(16a 및 16c) 및 미반응된 희생 산화물(16b)로부터 앵커(anchor)가 형성된다. 이 실시예에서 앵커(16a, 16b, 16c)는 장치 부분(14a)을 지지하고, 승화 단계 이후 제자리에 남는데 이는 도 1j에 도시된 최종 장치 스택으로 이어진다. 도 1j는 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17a, 17b, 17c)가 승화 단계에 의해 제거된 것을 나타낸다.
도 2a-2d는 두 개의 질화 규소층(11 및 13a-13b)을 포함하는 패터닝된 NEMS 스택의 VHF 식각 단계 및 승화 단계의 과정을 나타내는 본 발명에 따른 NEMS의 일련의 횡단면도이다. 패터닝된 스택(2a)은 부분적으로 VHF로 처리되어 각각의 질화 규소층(11 및 13a-13b)의 일부를 확장된 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17b, 17c)로 변환하며, 동시에 희생 산화물(12)의 일부를 제거한다. 도 2c는 미반응된 질화 규소(16a, 16c) 및 미반응된 희생 산화물(16b)로 구성되는 빔(14b)을 위한 앵커를 남기는, 원하는 모든 희생 산화물(12)(도 2a)의 릴리즈 및 제거 이후의 스택을 도시한다. 빔(14b)은 더 이상 지지되지 않으며 이제 계획된 바와 같이 이동이 자유롭다.
도 3a-3d는 오직 하나의 질화 규소층(11)을 갖는 스택을 나타낸다. 도 3a에서 패터닝된 장치층은 시작 기판(10)의 상부 상에 질화 규소층(11) 이후에 증착되는 희생 산화물층(12)에 의해 지지되는, 장치층의 다른 부재(14a) 및 빔(14b)이 된다. 도 3b는 부분적인 VHF 릴리즈의 결과를 나타내며, 도 3c는 미반응된 질화 규소(16b) 및 미반응된 산화물(16a)로 구성되는 앵커와 함께하는 완료된 VHF 릴리즈를 나타내는데, 여기서 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17)는 빔(14b) 및 부재(14a)를 지지하는 질화 규소의 확장된 형태이다. 암모늄 헥사플루오로실리케이트는 승화 단계에서 무수적으로(anhydrously) 제거되어 도 3d에 나타난 바와 같이 완전히 릴리즈된 NEMS 장치가 된다.
도 4a-4d는 증기 HF 릴리즈 단계 중에 장치층(13)의 섹션들을 고정하기 위하여 미리 패터닝된 장치층(13) 위로 질화 규소 스트립(15)이 증착되는 본 발명의 또 다른 실시예를 도시한다. 질화 규소(15)는 암모늄 헥사플루오로실리케이트(17)로 변환되며 희생 산화물(12)의 일부는 VHF 처리 단계 중에 제거되어 도 4b에 나타난 중간 스택이 된다. 도 4c의 희생 산화물(12)의 계획된 일부는 제거되지 않으며 도 4d에 나타난 바와 같이 승화 이후 최종 장치의 장치층의 부재들(13) 또는 섹션들을 지지하는 앵커(16)로 기능한다.
도 5a-5d는 VHF 식각 및 이어지는 프로세스 단계 중에 이동으로부터 장치층 부분들을 유지하도록 기능하는, 패터닝된 NEMS 스택의 테더로서 적어도 부분적으로 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환되는, 질화 규소 사용의 또 다른 실시예를 도시하는, 부분적 횡단면도를 포함하는 일련의 투시도이다. 이 실시예에서, 장치층(13)은 도 5a에 도시된 바와 같이 기판(10) 상에 있는 희생 산화 규소층(!2) 상에 패터닝된다. 식각 구멍들(18)을 갖는 질화 규소층(15)은 장치층의 세 개의 이동 빔 부재들(13)을 완전히 커버한다. 도 5b에 나타난 바와 같이, 부분적인 VHF 식각은 약간의 희생 산화물층을 제거하고 질화 규소층 상부의 약간을 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환한다. 도 5c는 산화 규소의 남은 섹션 또는 일부인 앵커(16)를 남기는, 완료된 산화 식각을 도시한다. 도 5d는 액체 형성을 방지하는 온도 및 기압 조건 하에서 승화의 결과를 도시한다. 이 실시예에서, 이동 빔 부재들(13)(도 5c)은 다이싱, 패키징, 금속화 및/또는 장치 특성들(features)의 보호를 필요로 하는 임의의 단계 중에 테더에 의해 보호된다. 빔들뿐만 아니라, 부재들(13)은 스프링 및/또는 MEMS 또는 NEMS의 다른 이동 부분들일 수 있다.
본 발명의 방법은 개선되고 유일한 MEMS 및 NEMS로 귀결되는데, 이는 그것이 릴리즈 단계들, 다이싱, 패키징, 금속화와 같은 단계 중에 일반적으로 점착 또는 손상의 대상이 되는, 서로에 대해 및/또는 기판에 가까운 부분들, 보다 작은 부분들의 계획를 가능하게 하기 때문이다.
규소로 이루어진 기판들 및 기계적 빔들로 구성되는 나노 마이크로전자기계 시스템을 제조하는 본 발명의 방법은 빔의 하나 또는 두 개의 측면, 기판의 하나 또는 두 개의 측면, 또는 빔 및 기판 중 적어도 하나의 측면 상에 질화 규소의 얇은 층을 증착하고 산화 규소 희생층을 증착하는 단계를 포함하는데, 질화 규소는 증기 불화수소("VHF")와 함께 수행되는 식각 단계 중에 희생 산화 규소층이 제거될 때 지지를 필요로 하는 기판 또는 빔의 위치 상에 증착되며, VHF 식각 단계 중에 질화 규소를 불화 암모늄 및/또는 암모늄 규불화물(silicofluoride)로 변환함으로써 지지 구조 잔여물이 형성되고, 드라이(dry) 릴리즈 단계, 지지 구조 잔여물은 드라이 릴리징 중에 빔 또는 기판을 다른 빔 또는 기판으로부터 분리하도록 구성된다.
따라서 본 발명은 거기에 내재하는 다른 것들뿐만 아니라, 언급된 장점들 및 목표들에 이르고 목적들을 수행하는데 매우 적합하다. 본 발명의 특정한 바람직한 실시예들을 참조함으로써 본 발명이 정의되고 기술되고 묘사되는 반면에, 그러한 참조들은 본 발명에 대한 제한을 암시하지 않으며, 그러한 제한에 도달하지 않는다. 당업자에게 떠오르는 바와 같이, 본 발명은 상당한 수정, 개조 및 형태와 기능면에서의 등가물이 가능하다. 묘사되고 기술된 본 발명의 바람직한 실시예들은 단지 예시적이며 본 발명의 범위를 총망라하지 않는다. 따라서, 본 발명은 오직 첨부된 청구항들의 정신 및 범위에 의해서만 제한되며, 모든 면에서 등가물들에 대한 완전한 인지를 제공한다.

Claims (14)

  1. 기계적 장치 및 기판으로 구성되는 마이크로전자기계 시스템(MEMS) 또는 나노전자기계 시스템(NEMS)를 제조하는 방법에 있어서,
    a) 상기 기계적 장치 및 상기 기판 사이에 희생 산화 규소를 증착하는 단계;
    b) 하기 i), ii), iii)으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 위치에 질화 규소를 제공하는 단계
    i) 상기 기판 및 상기 희생 산화 규소 사이;
    ii) 상기 희생 산화 규소 및 상기 장치 사이; 및
    iii) 상기 장치 위;
    c) 하기 i), ii)를 동시에 수행하는 조건 하에서 증기 불화수소(Vaper Hydrofluoride, VHF)를 도입하는 단계
    i) 상기 희생 산화 규소의 적어도 일부를 제거함; 및
    ii) 상기 질화 규소의 적어도 일부를 장치 이동을 제한하는 일시적 지지, 쐐기(shim), 웨지(wedge) 또는 테더(tether)를 제공하기 위한 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환함;
    d) 액체 형성을 방지하는 기압 및 온도 조건 하에서 상기 암모늄 헥사플루오로실리케이트를 승화시키는 단계를 포함하되,
    상기 일시적 지지, 쐐기(shim), 웨지(wedge) 또는 테더(tether)를 제공하기 위한 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환하는 것은, 하나 이상의 중간 단계들이 수행되는 이후까지 승화에 의해 제거되지 않고, 상기 중간 단계들은 다이싱, 패키징 및 금속화로부터 선택되며, 그에 따라 하나 이상의 중간 단계 중에 이동을 방지하는 것을 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 무정형 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘-게르마늄, 알루미늄, 텅스텐, 티타늄, 질화티타늄, 알루미늄, 텅스텐 및 티타늄의 합금, 그들의 조합 및 금속 산화 규소(metal-silicon oxide) 스택들로 구성되는 그룹으로부터 선택되는
    방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 VHF는 불화수소산 및 알콜 또는 물을 포함하는
    방법.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 장치, 기판, 산화 규소 및 질화 규소는 상기 MEMS 또는 NEMS의 제조 중에 층들로서 제공되고, 질화 규소층들은 장치층의 각 측면 상에 제공되는
    방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 장치, 기판, 산화 규소 및 질화 규소는 상기 MEMS 또는 NEMS의 제조 중에 층들로서 제공되고, 제1 질화 규소층은 장치층을 향하는 기판층의 측면 상에 제공되며 제2 질화 규소층은 상기 기판층을 향하는 상기 장치층의 측면 상에 제공되고, 산화 규소층은 상기 제1 질화 규소층 및 상기 제2 질화 규소층 사이에 제공되는
    방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 장치, 기판, 산화 규소 및 질화 규소는 상기 MEMS 또는 NEMS의 제조 중에 층들로서 제공되고, 장치 층은 서로에 대해 또는 상기 기판에 대해 이동하도록 계획되는 영역들로 구성되며, 질화 규소층은 제조 중에 서로에 대한 영역들의 이동을 제한하기 위하여 테더 형태로 제공되며, 질화 규소 테더는 서로에 대한 영역들의 이동이 허용될 때 승화에 의해 제거되는
    방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 희생 산화 규소의 일부는 제거되지 않고 앵커 역할을 하는
    방법.
  9. 삭제
  10. 제1항에 있어서,
    상기 질화 규소 중 적어도 일부를 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환하는 중에, 형성된 상기 암모늄 헥사플루오로실리케이트는 상기 질화 규소 부분보다 큰 부피를 갖는
    방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 질화 규소와 함께 상기 VHF의 작용에 의해 형성된 상기 암모늄 헥사플루오로실리케이트의 양 및 위치는 상기 질화 규소의 위치 및 두께의 선택에 의해 제어되는
    방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 무정형 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘-게르마늄, 알루미늄, 텅스텐, 티타늄, 질화티타늄, 알루미늄, 텅스텐 및 티타늄의 합금, 그들의 조합 및 금속 산화 규소(metal-silicon oxide) 스택들로 구성되는 그룹으로부터 선택되고, 상기 VHF는 불화수소산 및 알콜 또는 물을 포함하고, 상기 희생 산화 규소의 일부는 제거되지 않고 앵커 역할을 하고, 상기 질화 규소 중 적어도 일부를 암모늄 헥사플루오로실리케이트로 변환하는 중에, 형성된 상기 암모늄 헥사플루오로실리케이트는 상기 질화 규소 부분보다 큰 부피를 갖는
    방법.
  13. MEMS에 있어서,
    제1항 또는 제12항의 방법에 의해 만들어지는
    MEMS.
  14. NEMS에 있어서,
    제1항 또는 제12항의 방법에 의해 만들어지는
    NEMS.
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