JP2017522276A5

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Publication number: JP2017522276A5
Application number: JP2016570832A
Authority: JP
Filing date: 2015-05-28
Publication date: 2018-07-05
Anticipated expiration: 2035-05-28

Description

本発明のなお別の局面は、式Ｉ−１：

の化合物の固体形態を提供する。
本発明の他の局面は、本明細書中に記載される。
一実施形態において、例えば、以下の項目が提供される。
（項目１）
式Ｉ−Ａ：

の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体であって、式Ｉ−Ａにおいて：
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７の各々は独立して、水素またはジュウテリウムであり；ただし、Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７のうちの少なくとも１つはジュウテリウムであり；
Ｘ ^１、Ｘ ^２、およびＸ ^４の各々は独立して、 ^１２Ｃまたは ^１３Ｃから選択され；そして
Ｘ ^３は独立して、− ^１２Ｃ（Ｏ）−または− ^１３Ｃ（Ｏ）−から選択される、
化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
（項目２）
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、およびＹ ^４は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；
そしてＹ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７はジュウテリウムである、項目１に記載の化合物。
（項目３）
Ｙ ^１およびＹ ^２は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；そしてＹ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７はジュウテリウムである、項目１に記載の化合物。
（項目４）
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；そしてＹ ^３およびＹ ^４はジュウテリウムである、項目１に記載の化合物。
（項目５）
Ｙ ^１、Ｙ ^３、およびＹ ^４は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；そしてＹ ^２、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７はジュウテリウムである、項目１に記載の化合物。
（項目６）
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７は水素であり；そしてＸ ^４は ^１３Ｃである、項目１に記載の化合物。
（項目７）
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７は水素であり；そしてＸ ^１およびＸ ^４は ^１３Ｃである、項目１に記載の化合物。
（項目８）
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７は水素であり；そしてＸ ^３は− ^１３Ｃ（Ｏ）−である、項目１に記載の化合物。
（項目９）
Ｙ ^１、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７は水素であり；Ｙ ^２はジュウテリウムであり；そしてＸ ^４は ^１３Ｃである、項目１に記載の化合物。
（項目１０）
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、およびＹ ^４は水素であり；Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７はジュウテリウムであり；そしてＸ ^１は ^１３Ｃである、項目１に記載の化合物。
（項目１１）
Ｙ ^１、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７は水素であり；Ｙ ^２はジュウテリウムであり；そしてＸ ^１は ^１３Ｃである、項目１に記載の化合物。
（項目１２）
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７は水素であり；Ｙ ^４はジュウテリウムであり；そしてＸ ^１は ^１３Ｃである、項目１に記載の化合物。
（項目１３）
Ｙ ^１は水素であり；Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７はジュウテリウムであり；Ｘ ^２は ^１３Ｃであり；そしてＸ ^３は− ^１３Ｃ（Ｏ）−である、項目１に記載の化合物。
（項目１４）
式Ｉ−１：

の化合物を調製するためのプロセスであって、式６ｂ：

の化合物を、式１１：

の化合物と、適切な条件下で反応させて、アミド結合を形成する工程を包含する、プロセス。
（項目１５）
式１１：

の化合物を調製する工程であって、式９：

の化合物を、式１０：

の化合物と、適切な金属触媒クロスカップリング条件下で反応させて、保護されたアミン基を含む付加体を形成すること；および
得られた付加体を適切な脱保護条件に供すること
による、工程をさらに包含する、項目１４に記載のプロセス。
（項目１６）
式９：

の化合物を、式８：

の化合物を適切なハロゲン化条件下で反応させることによって調製する工程をさらに包含する、項目１５に記載のプロセス。
（項目１７）
式８：

の化合物を、式７：

の化合物を適切な条件下で反応させて保護されたアミン基を生成することによって調製する工程をさらに包含する、項目１６に記載のプロセス。
（項目１８）
式Ｉ−１：

の化合物の固体形態であって、該形態は、化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基、化合物Ｉ−１の水和物、または化合物Ｉ−１酒石酸からなる群より選択される、固体形態。
（項目１９）
前記形態は、結晶性の化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基である、項目１８に記載の固体形態。
（項目２０）
ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約９．９°、１２．８°、１５．４°、１７．０°、２３．１°、２７．８°、２９．０°、および３０．１°の１つまたはより多くのピークによって特徴付けられる、項目１９に記載の固体形態。
（項目２１）
図１ａに示されるものと実質的に同じＸ線粉末回折パターンを有すると特徴付けられる、項目１９に記載の固体形態。
（項目２２）
前記形態は、結晶性の化合物Ｉ−１の水和物である、項目１８に記載の固体形態。
（項目２３）
前記結晶性の化合物Ｉ−１の水和物は、１：３の、化合物Ｉ−１対水の比を有する、項目２２に記載の固体形態。
（項目２４）
約４０℃〜約１００℃の温度範囲で約１２．６％からの減量によって特徴付けられる、項目２２に記載の固体形態。
（項目２５）
ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約２７．５°、２０．６°、および９．７°の１つまたはより多くのピークによって特徴付けられる、項目２２に記載の固体形態。
（項目２６）
図１ｂに示されるものと実質的に同じＸ線粉末回折パターンを有すると特徴付けられる、項目２２に記載の固体形態。
（項目２７）
前記形態は、結晶性の化合物Ｉ−１酒石酸である、項目１８に記載の固体形態。
（項目２８）
前記結晶性の化合物Ｉ−１酒石酸は、１：１の、化合物Ｉ−１対酒石酸を有する、項目２７に記載の固体形態。
（項目２９）
ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約７．１°、１８．３°、および１３．２°の１つまたはより多くのピークによって特徴付けられる、項目２７に記載の固体形態。
（項目３０）
図１ｃに示されるものと実質的に同じＸ線粉末回折パターンを有すると特徴付けられる、項目２７に記載の固体形態。

Claims

式Ｉ−Ａ：

の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体であって、式Ｉ−Ａにおいて：
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７の各々は独立して、水素またはジュウテリウムであり；ただし、Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７のうちの少なくとも１つはジュウテリウムであり；
Ｘ^１、Ｘ^２、およびＸ^４の各々は独立して、^１２Ｃまたは^１３Ｃから選択され；そして
Ｘ^３は独立して、−^１２Ｃ（Ｏ）−または−^１３Ｃ（Ｏ）−から選択される、
化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；
そしてＹ^５、Ｙ^６、およびＹ^７はジュウテリウムである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１およびＹ^２は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；そしてＹ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７はジュウテリウムである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；そしてＹ^３およびＹ^４はジュウテリウムである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１、Ｙ^３、およびＹ^４は独立して、ジュウテリウムまたは水素から選択され；そしてＹ^２、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７はジュウテリウムである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｘ ^４は^１３Ｃである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｘ ^１およびＸ^４は^１３Ｃである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｘ ^３は−^１３Ｃ（Ｏ）−である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７は水素であり；Ｙ^２はジュウテリウムであり；そしてＸ^４は^１３Ｃである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、およびＹ^４は水素であり；Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７はジュウテリウムであり；そしてＸ^１は^１３Ｃである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７は水素であり；Ｙ^２はジュウテリウムであり；そしてＸ^１は^１３Ｃである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１、Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７は水素であり；Ｙ^４はジュウテリウムであり；そしてＸ^１は^１３Ｃである、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｙ^１は水素であり；Ｙ^２、Ｙ^３、Ｙ^４、Ｙ^５、Ｙ^６、およびＹ^７はジュウテリウムであり；Ｘ^２は^１３Ｃであり；そしてＸ^３は−^１３Ｃ（Ｏ）−である、請求項１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
式Ｉ−１：

の化合物を調製するためのプロセスであって、式６ｂ：

の化合物を、式１１：

の化合物と、適切な条件下で反応させて、アミド結合を形成する工程を包含する、プロセス。
式１１：

の前記化合物を調製する工程であって、式９：

（式中、Ｘはハロゲンである）
の化合物を、式１０：

の化合物と、適切な金属触媒クロスカップリング条件下で反応させて、保護されたアミン基を含む付加体を形成すること；および
得られた付加体を適切な脱保護条件に供すること
を含む、工程をさらに包含する、請求項１４に記載のプロセス。
式９：

（式中、Ｘはハロゲンである）
の化合物を調製する工程であって、式８：

の化合物を適切なハロゲン化条件下で反応させることを含む、工程をさらに包含する、請求項１５に記載のプロセス。
式８：

の化合物を調製する工程であって、式７：

の化合物を適切な条件下で反応させて保護されたアミン基を生成することを含む、工程をさらに包含する、請求項１６に記載のプロセス。
式Ｉ−１：

の化合物の固体形態であって、該形態は、化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基、化合物Ｉ−１の水和物、または化合物Ｉ−１酒石酸からなる群より選択される、固体形態。
前記形態は、結晶性の化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基である、請求項１８に記載の固体形態。
ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約９．９°、１２．８°、１５．４°、１７．０°、２３．１°、２７．８°、２９．０°、および３０．１°の１つまたはより多くのピークによって特徴付けられる、請求項１９に記載の固体形態。
図１ａに示されるものと実質的に同じＸ線粉末回折パターンを有すると特徴付けられる、請求項１９に記載の固体形態。
前記形態は、結晶性の化合物Ｉ−１の水和物である、請求項１８に記載の固体形態。
前記結晶性の化合物Ｉ−１の水和物は、１：３の、化合物Ｉ−１対水の比を有する、請求項２２に記載の固体形態。
約４０℃〜約１００℃の温度範囲で約１２．６％からの減量によって特徴付けられる、請求項２２に記載の固体形態。
ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約２７．５°、２０．６°、および９．７°の１つまたはより多くのピークによって特徴付けられる、請求項２２に記載の固体形態。
図１ｂに示されるものと実質的に同じＸ線粉末回折パターンを有すると特徴付けられる、請求項２２に記載の固体形態。
前記形態は、結晶性の化合物Ｉ−１酒石酸である、請求項１８に記載の固体形態。
前記結晶性の化合物Ｉ−１酒石酸は、１：１の、化合物Ｉ−１対酒石酸比を有する、請求項２７に記載の固体形態。
ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約７．１°、１８．３°、および１３．２°の１つまたはより多くのピークによって特徴付けられる、請求項２７に記載の固体形態。
図１ｃに示されるものと実質的に同じＸ線粉末回折パターンを有すると特徴付けられる、請求項２７に記載の固体形態。
式Ｉ−Ａ：

の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体であって、式Ｉ−Ａにおいて：
Ｙ ^１、Ｙ ^２、Ｙ ^３、Ｙ ^４、Ｙ ^５、Ｙ ^６、およびＹ ^７の各々は水素であり；
Ｘ ^１、Ｘ ^２、およびＸ ^４の各々は独立して、 ^１２Ｃまたは ^１３Ｃから選択され；
Ｘ ^３は、− ^１２Ｃ（Ｏ）−または− ^１３Ｃ（Ｏ）−から選択され；そして、ここで、
Ｘ ^４は ^１３Ｃである；あるいは
Ｘ ^１およびＸ ^４は ^１３Ｃである；あるいは
Ｘ ^３は、− ^１３Ｃ（Ｏ）−である、
化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｘ ^４は ^１３Ｃである、請求項３１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｘ ^１およびＸ ^４は ^１３Ｃである、請求項３１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
Ｘ ^３は− ^１３Ｃ（Ｏ）−である、請求項３１に記載の化合物またはその薬学的に受容可能な塩もしくは誘導体。
式６ｂの化合物を、式１１の化合物と反応させる前記工程は、溶媒および有機塩基の存在下で起こる、請求項１４に記載のプロセス。
前記溶媒は、ＮＭＰ、ＤＭＦまたはアニソールから選択される、請求項３５に記載のプロセス。
前記有機塩基は、脂肪族アミンである、請求項３５に記載のプロセス。
前記脂肪族アミンは、トリエチルアミンまたはＤＩＰＥＡから選択される、請求項３７に記載のプロセス。
適切な金属触媒クロスカップリング条件は、金属触媒、適切な溶媒、および適切な塩基
を含む、請求項１５に記載のプロセス。
前記金属触媒は、パラジウム触媒である、請求項３９に記載のプロセス。
前記パラジウム触媒は、ＰｄＣｌ _２（ＰＰｈ _３） _２、Ｐｄ（Ｐｈ _３） _４、およびＰｄＣｌ _２（ｄｐｐｆ）から選択される、請求項４０に記載のプロセス。
前記適切な塩基は、リン酸カリウム、Ｋ _２ＣＯ _３、ｔＢｕＯＫおよびＮａ _２ＣＯ _３の１つまたはより多くを含む、請求項３９に記載のプロセス。
前記適切な溶媒は、ＤＭＥ、テトラヒドロフラン、トルエン、およびエタノールの１つまたはより多くを含む、請求項３９に記載のプロセス。
化合物Ｉ−１を適切な条件下で処理して、結晶性の化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基を提供する工程をさらに含む、請求項１４に記載のプロセス。
前記結晶性の化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基は、ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約９．９°、１２．８°、１５．４°、１７．０°、２３．１°、２７．８°、２９．０°、および３０．１°の１つまたはより多くのピークを有することによって特徴付けられる、請求項４４に記載のプロセス。
結晶性の化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基を適切な条件下で処理して、結晶性の化合物Ｉ−１の水和物を提供する工程をさらに含む、請求項４４に記載のプロセス。
前記結晶性の化合物Ｉ−１の水和物は、ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約２７．５°、２０．６°、および９．７°の１つまたはより多くのピークを有することによって特徴付けられる、請求項４６に記載のプロセス。
結晶性の化合物Ｉ−１の無水物遊離塩基を適切な条件下で処理して、結晶性の化合物Ｉ−１酒石酸を提供する工程をさらに含む、請求項４４に記載のプロセス。
前記結晶性の化合物Ｉ−１酒石酸は、ＣｕＫα放射線を使用して得られるＸ線粉末回折パターンにおいて、２θ±０．２で表される、約７．１°、１８．３°、および１３．２°の１つまたはより多くのピークを有することによって特徴付けられる、請求項４８に記載のプロセス。