JP2015518892A5 - - Google Patents
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Description
より具体的な実施形態を以下に記載する。
本発明の実施形態において、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
式Ｉ
の化合物またはその医薬上許容される塩を作製するためのプロセスであって、前記プロセスは、
（Ａ）金属触媒および塩基の存在下で、式（ｉ）
の化合物を、式（ｉｉ）
の化合物とカップリングして、式（ｉｉｉ）の化合物またはその塩
を得るステップと、
（Ｂ）式（ｉｉｉ）の化合物を脱保護して、式（ｉｖ）
の化合物またはその塩を得るステップと、
（Ｃ）式（ｉｖ）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
と接触させて、式Ｉの化合物を得るステップと
を含み、ここで、
各ＰＧは独立に、アミン保護基であり、
ＹおよびＺは独立に、Ｂｒおよび−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）から選択され、ここで、
Ｙが−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）である場合は、ＺはＢｒであり、
ＹがＢｒである場合は、Ｚは−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）であり、
ＲおよびＲ’は独立に、水素および直鎖または分枝鎖Ｃ １〜８ −アルキルからなる群から選択されるか、
または、ＲおよびＲ’は一緒になって、直鎖もしくは分枝鎖Ｃ １〜８ −アルキレン、Ｃ ３〜８ −シクロアルキレンまたはＣ ６〜１２ −アリーレンを表し、
任意のアルキル、アルキレン、シクロアルキレンまたはアリーレンは、Ｃ １〜６ −アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ １〜６ −アルキル） ２ および−Ｃ（Ｏ）Ｏ（Ｃ １〜６ −アルキル）からなる群から選択される１個または複数の置換基で任意選択で置換されている、プロセス。
（項目２）
Ｙが−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）であり、ＺがＢｒである、項目１に記載のプロセス。
（項目３）
式（ｉ）
の化合物をｉｎ ｓｉｔｕで生成するステップをさらに含む項目２に記載のプロセスであって、前記式（ｉ）の化合物をｉｎ ｓｉｔｕで生成するステップは、第２の塩基の存在下で、式（ａ）
の化合物を、パラジウムの供給源と、次いで、部分
を含むボリル化剤と逐次接触させ、それによって、式（ｉ）の化合物がｉｎ ｓｉｔｕで形成されるステップを含み、Ｘが、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択されるハロゲン化物である、
プロセス。
（項目４）
式（ｉ）の化合物をｉｎ ｓｉｔｕで生成する前記ステップおよびステップ（Ａ）がワンポットで逐次実施される、項目３に記載のプロセス。
（項目５）
前記ボリル化剤が、ビス（ピナコラト）ジボロンおよびビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンから選択される、項目３に記載のプロセス。
（項目６）
前記ボリル化剤が、ビス（ピナコラト）ジボロンである、項目５に記載のプロセス。
（項目７）
前記ボリル化剤が、ビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンである、項目５に記載のプロセス。
（項目８）
ＸがＢｒであり、ＰＧがｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルである、項目４に記載のプロセス。
（項目９）
前記金属触媒が、Ｐｄ（０）またはＰｄ（ＩＩ）化合物である、項目２に記載のプロセス。
（項目１０）
前記金属触媒が、ＰｄＣｌ ２ ［Ｐ（ｔ−Ｂｕ） ２ Ｐｈ］ ２ である、項目９に記載のプロセス。
（項目１１）
前記金属触媒が、Ｐｄ（ＯＡｃ） ２ ／２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−メチルビフェニルである、項目９に記載のプロセス。
（項目１２）
前記金属触媒が、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン付加物である、項目９に記載のプロセス。
（項目１３）
前記第２の塩基が、プロピオン酸塩である、項目３に記載のプロセス。
（項目１４）
前記プロピオン酸塩が、プロピオン酸カリウムである、項目１３に記載のプロセス。
（項目１５）
式Ｉ
の化合物またはその医薬上許容される塩を作製するプロセスであって、前記プロセスが、
（１）プロピオン酸カリウムの存在下で、式（ａ’）
の化合物を、触媒的に有効な量のＰｄＣｌ ２ ［Ｐ（ｔ−Ｂｕ） ２ Ｐｈ］ ２ およびビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンと逐次接触させて、式（ｉａ）
の化合物を含む反応混合物を得るステップと、
（２）ステップ（１）からの前記反応混合物を、式（ｉｉ’）
の化合物およびリン酸カリウムと接触させて、式（ｉｉｉ’）
の化合物を得、任意選択で式（ｉｉｉ’）の化合物をシュウ酸と接触させて、式（ｉｉｉ’’）
のシュウ酸塩を得るステップと、
（３）式（ｉｉｉ’）または式（ｉｉｉ’’）の化合物を、ＨＣｌと接触させて、式（ｉｖ’）
の化合物を得るステップと、
（４）式（ｉｖ’）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
と接触させて、式Ｉの化合物を得るステップと
を含み、
各場合においてＢｏｃがｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルを表す、プロセス。
（項目１６）
式Ｉ
の化合物またはその医薬上許容される塩もしくは溶媒和物を作製するためのプロセスであって、
（１）プロピオン酸カリウムの存在下で、式（ａ’）
の化合物を、触媒的に有効な量のＰｄＣｌ ２ ［Ｐ（ｔ−Ｂｕ） ２ Ｐｈ］ ２ およびビス（ピナコラト）ジボロンと逐次接触させて、式（ｉｂ）
の化合物を含む反応混合物を得るステップと、
（２）ステップ（１）からの前記反応混合物を、式（ｉｉ’）
の化合物およびリン酸カリウムと接触させて、式（ｉｉｉ’）
の化合物を得、任意選択で式（ｉｉｉ’）の化合物をシュウ酸と接触させて、式（ｉｉｉ’’）
のシュウ酸塩を得るステップと、
（３）式（ｉｉｉ’）または式（ｉｉｉ’’）の化合物を、ＨＣｌと接触させて、式（ｉｖ’）
の化合物を得るステップと、
（４）式（ｉｖ’）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
と接触させて、式Ｉの化合物を得るステップと
を含み、
各場合において、Ｂｏｃが、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルを表す、プロセス。
（項目１７）
ＰＧが、アミン保護基である、式（ｉｉ）
の化合物。
（項目１８）
ＰＧが、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルである、項目１７に記載の化合物。
（項目１９）
式（ｉｉｉ’）
の化合物または式（ｉｉｉ’’）
に記載のそのシュウ酸塩。
（項目２０）
式（ｉｖ’）
の化合物。
（項目２１）
式（ｉｖ’）の化合物が、式
に記載の水和物であり、ｑが、０〜７の間の数、分数またはその他である、項目２０に記載の化合物。
（項目２２）
ｑが、両端値を含む０から６までの数である、項目２１に記載の化合物。
（項目２３）
１．５４０６０Åの波長でのＣｕ−Ｋα放射線を使用して回折計で決定される、以下のピーク：７．１、８．２、１０．８°２θ±０．２°２θを含む、Ｘ線粉末ディフラクトグラムを特徴とする、項目２０に記載の式ｉｖ’の結晶化合物（Ｉ型）。
（項目２４）
前記ディフラクトグラムが、１１．１、１２．８、１４．１、１４．８、１６．１、１８．９、２４．５、２４．９および２５．９°２θ±０．２°２θでのピークをさらに含む、項目２３に記載の結晶Ｉ型。
（項目２５）
前記ディフラクトグラムが、実質的に図１に示されるとおりである、項目２３に記載の結晶Ｉ型。
（項目２６）
１．５４０６０ÅでのＣｕ−Ｋα放射線を使用して２５℃で回折計で決定される、以下のピーク：７．４、９．４および１１．６ ２θ±０．２°２θを含むＸ線粉末ディフラクトグラムを特徴とする、項目２０に記載の式ｉｖ’の結晶化合物（ＩＩ型）。
（項目２７）
前記ディフラクトグラムが、７．５、１４．９、１５．２、２２．５、２３．２および２６．３°２θ±０．２°２θでのピークをさらに含む、項目２６に記載の結晶ＩＩ型。
（項目２８）
前記ディフラクトグラムが、実質的に図２に示されるとおりである、項目２６に記載の結晶ＩＩ型。
本発明の実施形態において、例えば以下の項目が提供される。
（項目１）
式Ｉ
の化合物またはその医薬上許容される塩を作製するためのプロセスであって、前記プロセスは、
（Ａ）金属触媒および塩基の存在下で、式（ｉ）
の化合物を、式（ｉｉ）
の化合物とカップリングして、式（ｉｉｉ）の化合物またはその塩
を得るステップと、
（Ｂ）式（ｉｉｉ）の化合物を脱保護して、式（ｉｖ）
の化合物またはその塩を得るステップと、
（Ｃ）式（ｉｖ）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
と接触させて、式Ｉの化合物を得るステップと
を含み、ここで、
各ＰＧは独立に、アミン保護基であり、
ＹおよびＺは独立に、Ｂｒおよび−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）から選択され、ここで、
Ｙが−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）である場合は、ＺはＢｒであり、
ＹがＢｒである場合は、Ｚは−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）であり、
ＲおよびＲ’は独立に、水素および直鎖または分枝鎖Ｃ １〜８ −アルキルからなる群から選択されるか、
または、ＲおよびＲ’は一緒になって、直鎖もしくは分枝鎖Ｃ １〜８ −アルキレン、Ｃ ３〜８ −シクロアルキレンまたはＣ ６〜１２ −アリーレンを表し、
任意のアルキル、アルキレン、シクロアルキレンまたはアリーレンは、Ｃ １〜６ −アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ １〜６ −アルキル） ２ および−Ｃ（Ｏ）Ｏ（Ｃ １〜６ −アルキル）からなる群から選択される１個または複数の置換基で任意選択で置換されている、プロセス。
（項目２）
Ｙが−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）であり、ＺがＢｒである、項目１に記載のプロセス。
（項目３）
式（ｉ）
の化合物をｉｎ ｓｉｔｕで生成するステップをさらに含む項目２に記載のプロセスであって、前記式（ｉ）の化合物をｉｎ ｓｉｔｕで生成するステップは、第２の塩基の存在下で、式（ａ）
の化合物を、パラジウムの供給源と、次いで、部分
を含むボリル化剤と逐次接触させ、それによって、式（ｉ）の化合物がｉｎ ｓｉｔｕで形成されるステップを含み、Ｘが、Ｃｌ、ＢｒおよびＩから選択されるハロゲン化物である、
プロセス。
（項目４）
式（ｉ）の化合物をｉｎ ｓｉｔｕで生成する前記ステップおよびステップ（Ａ）がワンポットで逐次実施される、項目３に記載のプロセス。
（項目５）
前記ボリル化剤が、ビス（ピナコラト）ジボロンおよびビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンから選択される、項目３に記載のプロセス。
（項目６）
前記ボリル化剤が、ビス（ピナコラト）ジボロンである、項目５に記載のプロセス。
（項目７）
前記ボリル化剤が、ビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンである、項目５に記載のプロセス。
（項目８）
ＸがＢｒであり、ＰＧがｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルである、項目４に記載のプロセス。
（項目９）
前記金属触媒が、Ｐｄ（０）またはＰｄ（ＩＩ）化合物である、項目２に記載のプロセス。
（項目１０）
前記金属触媒が、ＰｄＣｌ ２ ［Ｐ（ｔ−Ｂｕ） ２ Ｐｈ］ ２ である、項目９に記載のプロセス。
（項目１１）
前記金属触媒が、Ｐｄ（ＯＡｃ） ２ ／２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−メチルビフェニルである、項目９に記載のプロセス。
（項目１２）
前記金属触媒が、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン付加物である、項目９に記載のプロセス。
（項目１３）
前記第２の塩基が、プロピオン酸塩である、項目３に記載のプロセス。
（項目１４）
前記プロピオン酸塩が、プロピオン酸カリウムである、項目１３に記載のプロセス。
（項目１５）
式Ｉ
の化合物またはその医薬上許容される塩を作製するプロセスであって、前記プロセスが、
（１）プロピオン酸カリウムの存在下で、式（ａ’）
の化合物を、触媒的に有効な量のＰｄＣｌ ２ ［Ｐ（ｔ−Ｂｕ） ２ Ｐｈ］ ２ およびビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンと逐次接触させて、式（ｉａ）
の化合物を含む反応混合物を得るステップと、
（２）ステップ（１）からの前記反応混合物を、式（ｉｉ’）
の化合物およびリン酸カリウムと接触させて、式（ｉｉｉ’）
の化合物を得、任意選択で式（ｉｉｉ’）の化合物をシュウ酸と接触させて、式（ｉｉｉ’’）
のシュウ酸塩を得るステップと、
（３）式（ｉｉｉ’）または式（ｉｉｉ’’）の化合物を、ＨＣｌと接触させて、式（ｉｖ’）
の化合物を得るステップと、
（４）式（ｉｖ’）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
を含み、
各場合においてＢｏｃがｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルを表す、プロセス。
（項目１６）
式Ｉ
の化合物またはその医薬上許容される塩もしくは溶媒和物を作製するためのプロセスであって、
（１）プロピオン酸カリウムの存在下で、式（ａ’）
の化合物を、触媒的に有効な量のＰｄＣｌ ２ ［Ｐ（ｔ−Ｂｕ） ２ Ｐｈ］ ２ およびビス（ピナコラト）ジボロンと逐次接触させて、式（ｉｂ）
の化合物を含む反応混合物を得るステップと、
（２）ステップ（１）からの前記反応混合物を、式（ｉｉ’）
の化合物およびリン酸カリウムと接触させて、式（ｉｉｉ’）
の化合物を得、任意選択で式（ｉｉｉ’）の化合物をシュウ酸と接触させて、式（ｉｉｉ’’）
のシュウ酸塩を得るステップと、
（３）式（ｉｉｉ’）または式（ｉｉｉ’’）の化合物を、ＨＣｌと接触させて、式（ｉｖ’）
の化合物を得るステップと、
（４）式（ｉｖ’）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
と接触させて、式Ｉの化合物を得るステップと
を含み、
各場合において、Ｂｏｃが、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルを表す、プロセス。
（項目１７）
ＰＧが、アミン保護基である、式（ｉｉ）
の化合物。
（項目１８）
ＰＧが、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルである、項目１７に記載の化合物。
（項目１９）
式（ｉｉｉ’）
の化合物または式（ｉｉｉ’’）
に記載のそのシュウ酸塩。
（項目２０）
式（ｉｖ’）
の化合物。
（項目２１）
式（ｉｖ’）の化合物が、式
に記載の水和物であり、ｑが、０〜７の間の数、分数またはその他である、項目２０に記載の化合物。
（項目２２）
ｑが、両端値を含む０から６までの数である、項目２１に記載の化合物。
（項目２３）
１．５４０６０Åの波長でのＣｕ−Ｋα放射線を使用して回折計で決定される、以下のピーク：７．１、８．２、１０．８°２θ±０．２°２θを含む、Ｘ線粉末ディフラクトグラムを特徴とする、項目２０に記載の式ｉｖ’の結晶化合物（Ｉ型）。
（項目２４）
前記ディフラクトグラムが、１１．１、１２．８、１４．１、１４．８、１６．１、１８．９、２４．５、２４．９および２５．９°２θ±０．２°２θでのピークをさらに含む、項目２３に記載の結晶Ｉ型。
（項目２５）
前記ディフラクトグラムが、実質的に図１に示されるとおりである、項目２３に記載の結晶Ｉ型。
（項目２６）
１．５４０６０ÅでのＣｕ−Ｋα放射線を使用して２５℃で回折計で決定される、以下のピーク：７．４、９．４および１１．６ ２θ±０．２°２θを含むＸ線粉末ディフラクトグラムを特徴とする、項目２０に記載の式ｉｖ’の結晶化合物（ＩＩ型）。
（項目２７）
前記ディフラクトグラムが、７．５、１４．９、１５．２、２２．５、２３．２および２６．３°２θ±０．２°２θでのピークをさらに含む、項目２６に記載の結晶ＩＩ型。
（項目２８）
前記ディフラクトグラムが、実質的に図２に示されるとおりである、項目２６に記載の結晶ＩＩ型。
Claims (26)
- 式Ｉ
（Ａ）金属触媒および塩基の存在下で、式（ｉ）
（Ｂ）式（ｉｉｉ）の化合物を脱保護して、式（ｉｖ）
（Ｃ）式（ｉｖ）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
を含み、ここで、
各ＰＧは独立に、アミン保護基であり、
ＹおよびＺは独立に、Ｂｒおよび−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）から選択され、ここで、
Ｙが−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）である場合は、ＺはＢｒであり、
ＹがＢｒである場合は、Ｚは−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）であり、
ＲおよびＲ’は独立に、水素および直鎖または分枝鎖Ｃ１〜８−アルキルからなる群から選択されるか、
または、ＲおよびＲ’は一緒になって、直鎖もしくは分枝鎖Ｃ１〜８−アルキレン、Ｃ３〜８−シクロアルキレンまたはＣ６〜１２−アリーレンを表し、
任意のアルキル、アルキレン、シクロアルキレンまたはアリーレンは、Ｃ１〜６−アルキル、−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｃ１〜６−アルキル）２および−Ｃ（Ｏ）Ｏ（Ｃ１〜６−アルキル）からなる群から選択される１個または複数の置換基で任意選択で置換されている、プロセス。 - Ｙが−Ｂ（ＯＲ）（ＯＲ’）であり、ＺがＢｒである、請求項１に記載のプロセス。
- 式（ｉ）
プロセス。 - 式（ｉ）の化合物をｉｎ ｓｉｔｕで生成する前記ステップおよびステップ（Ａ）がワンポットで逐次実施される、請求項３に記載のプロセス。
- 前記ボリル化剤が、ビス（ピナコラト）ジボロンおよびビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンから選択される、請求項３に記載のプロセス。
- 前記ボリル化剤が、ビス（ピナコラト）ジボロンである、請求項５に記載のプロセス。
- 前記ボリル化剤が、ビス（ネオペンチルグリコラト）ジボロンである、請求項５に記載のプロセス。
- ＸがＢｒであり、ＰＧがｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルである、請求項４に記載のプロセス。
- 前記金属触媒が、Ｐｄ（０）またはＰｄ（ＩＩ）化合物である、請求項２に記載のプロセス。
- 前記金属触媒が、ＰｄＣｌ２［Ｐ（ｔ−Ｂｕ）２Ｐｈ］２である、請求項９に記載のプロセス。
- 前記金属触媒が、Ｐｄ（ＯＡｃ）２／２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’−メチルビフェニルである、請求項９に記載のプロセス。
- 前記金属触媒が、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン付加物である、請求項９に記載のプロセス。
- 前記第２の塩基が、プロピオン酸塩である、請求項３に記載のプロセス。
- 前記プロピオン酸塩が、プロピオン酸カリウムである、請求項１３に記載のプロセス。
- 式Ｉ
（１）プロピオン酸カリウムの存在下で、式（ａ’）
（２）ステップ（１）からの前記反応混合物を、式（ｉｉ’）
（３）式（ｉｉｉ’）または式（ｉｉｉ’’）の化合物を、ＨＣｌと接触させて、式（ｉｖ’）
（４）式（ｉｖ’）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
を含み、
各場合においてＢｏｃがｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルを表す、プロセス。 - 式Ｉ
（１）プロピオン酸カリウムの存在下で、式（ａ’）
（２）ステップ（１）からの前記反応混合物を、式（ｉｉ’）
（３）式（ｉｉｉ’）または式（ｉｉｉ’’）の化合物を、ＨＣｌと接触させて、式（ｉｖ’）
（４）式（ｉｖ’）の化合物を、（Ｓ）−２−（メトキシカルボニルアミノ）−３−メチルブタン酸
を含み、
各場合において、Ｂｏｃが、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルを表す、プロセス。 - 式（ｉｉｉ’）
- 式（ｉｖ’）
- 式（ｉｖ’）の化合物が、式
- ｑが、両端値を含む０から６までの数である、請求項１９に記載の化合物。
- １．５４０６０Åの波長でのＣｕ−Ｋα放射線を使用して回折計で決定される、以下のピーク：７．１、８．２、１０．８°２θ±０．２°２θを含む、Ｘ線粉末ディフラクトグラムを特徴とする、請求項１８に記載の式ｉｖ’の結晶化合物（Ｉ型）。
- 前記ディフラクトグラムが、１１．１、１２．８、１４．１、１４．８、１６．１、１８．９、２４．５、２４．９および２５．９°２θ±０．２°２θでのピークをさらに含む、請求項２１に記載の結晶Ｉ型。
- 前記ディフラクトグラムが、実質的に図１に示されるとおりである、請求項２１に記載の結晶Ｉ型。
- １．５４０６０ÅでのＣｕ−Ｋα放射線を使用して２５℃で回折計で決定される、以下のピーク：７．４、９．４および１１．６ ２θ±０．２°２θを含むＸ線粉末ディフラクトグラムを特徴とする、請求項１８に記載の式ｉｖ’の結晶化合物（ＩＩ型）。
- 前記ディフラクトグラムが、７．５、１４．９、１５．２、２２．５、２３．２および２６．３°２θ±０．２°２θでのピークをさらに含む、請求項２４に記載の結晶ＩＩ型。
- 前記ディフラクトグラムが、実質的に図２に示されるとおりである、請求項２４に記載の結晶ＩＩ型。
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