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  1. 差動対、電流源、負荷、および第1出力端子を有し、
    前記差動対に入力される第1電位と第2電位とを比較し、比較結果に応じた第3電位を前記第1出力端子から出力する半導体装置であって、
    前記負荷は前記差動対に電気的に接続され、
    前記差動対は第1トランジスタおよび前記第2トランジスタを有し、
    前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタはバックゲートを有し、
    前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタのバックゲートには第4電位が入力され、
    前記電流源は前記差動対に電流を供給し、前記電流源は第3トランジスタを有し、
    前記第3トランジスタのソースには第5電位が入力され、
    前記第1電位、および前記第2電位は前記第5電位よりも低く、
    前記第4電位は前記第5電位よりも高い半導体装置。
  2. 請求項1において、
    前記第2トランジスタのバックゲートには、前記第4電位よりも高い第6電位が入力される半導体装置。
  3. 請求項1または2において、
    前記第3トランジスタはバックゲートを有し、
    前記第3トランジスタのバックゲートには第7電位が入力される半導体装置。
  4. 請求項1または2において、
    前記第3トランジスタはバックゲートを有し、
    前記第3トランジスタのバックゲートは、前記第3トランジスタのゲート、または前記第3トランジスタのドレインに電気的に接続されている半導体装置。
  5. 請求項1乃至4の何れか1項において、
    前記負荷は、第4トランジスタおよび第5トランジスタを有し、
    前記第4トランジスタ、前記第5トランジスタは、それぞれ、ダイオード接続されたトランジスタであり、
    前記第4トランジスタのソースは、前記第1トランジスタのドレインに電気的に接続され
    前記第5トランジスタのソースは、前記第2トランジスタのドレインに電気的に接続され、
    前記第4および前記第5トランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有する半導体装置。
  6. 請求項1乃至5の何れか1項において、
    前記第1乃至前記第3トランジスタのチャネル形成領域は、金属酸化物を有する半導体装置。
  7. 請求項1乃至6の何れか1項において、
    前記第5電位は接地電位である半導体装置。
  8. 第1電位生成部、第2電位生成部、第1電位保持部、電位比較部、制御部、および第2出力端子を有する半導体装置であって、
    前記電位比較部は、請求項1乃至7の何れか1項に記載の半導体装置を有し、
    前記電位比較部の前記差動対の入力端子の一方は、前記第2電位生成部の出力端子に電気的に接続され、他方の入力端子は、前記第2出力端子に電気的に接続され、
    前記第1電位生成部は、前記第2出力端子に負電位を供給し、
    前記第1電位保持部は、前記第2出力端子の電位を保持し、
    前記第2電位生成部は、前記電位比較部の前記第入力1端子に負電位を供給し、
    前記制御部は、前記電位比較部で生成される前記第3電位に応じて前記第1電位生成部を制御する機能を有する半導体装置。
  9. 請求項8において、
    前記制御部は、前記電位比較部で生成される前記第3電位に応じて、前記第1および前記第2電位生成部を制御する半導体装置。
  10. チップおよびリードを有し、
    前記リードは前記チップに電気的に接続され、
    前記チップには、請求項1乃至9の何れか1項に記載の半導体装置が設けられている電子部品。
  11. チップおよびリードを有する電子部品であって、
    前記リードは前記チップに電気的に接続され、
    前記チップには、請求項8または9に記載の半導体装置が設けられ、
    前記チップには、記憶装置、プロセッサコアの少なくとも一方が設けられている電子部品。
  12. チップおよびリードを有する電位部品であって、
    前記リードは前記チップに電気的に接続され、
    前記チップには、請求項8または9に記載の半導体装置が設けられ、
    前記チップには、画素アレイが設けられ、
    前記画素アレイは、行列状に配置された複数の撮像素子を有する電子部品。
  13. 請求項10乃至12の何れか1項に記載の電子部品と、
    表示部、タッチセンサ、マイク、スピーカ、操作キー、及び筐体の少なくとも一と、を有する電子機器。
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