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本発明の第1の態様に従えば、メッキ部品の製造方法であって、基材の表面に、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む触媒活性妨害層を形成することと、前記触媒活性妨害層を形成した前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含み、前記ポリマーが側鎖を有する分岐ポリマーであり、前記分岐ポリマーが、デンドリティックポリマーであることを特徴とするメッキ部品の製造方法が提供される。
本態様において、前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させることとの間に、更に、基材の表面を洗浄することを含んでもよい。
前記分岐ポリマーが、ハイパーブランチポリマーであってもよい。また、前記分岐ポリマーの数平均分子量が3,000〜30,000であり、重量平均分子量が10,000〜300,000であってもよい。前記分岐ポリマーの側鎖が芳香環を含んでもよい。
本態様において、前記分岐ポリマーが、下記式(1)で表される分岐ポリマーであってもよい。
本発明の第2の態様に従えば、メッキ部品であって、基材と、前記基材表面の一部に形成されたメッキ膜と、前記基材表面の前記メッキ膜が形成されていない領域に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するデンドリティックポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とするメッキ部品が提供される。
本発明の第3の態様に従えば、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる触媒活性妨害剤であって、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するデンドリティックポリマーを含むことを特徴とする触媒活性妨害剤が提供される。
本発明の第4の態様に従えば、無電解メッキ用複合材料であって、基材と、前記基材表面に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するデンドリティックポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とする複合材料が提供される。
Figure 2017160518

Claims (17)

  1. メッキ部品の製造方法であって、
    基材の表面に、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む触媒活性妨害層を形成することと、
    前記触媒活性妨害層を形成した前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、
    加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、
    前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含み、
    前記ポリマーが側鎖を有する分岐ポリマーであり、
    前記分岐ポリマーが、デンドリティックポリマーであることを特徴とするメッキ部品の製造方法。
  2. 前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させることとの間に、
    更に、前記基材の表面を洗浄することを含む請求項1に記載のメッキ部品の製造方法。
  3. 前記分岐ポリマーが、ハイパーブランチポリマーであることを特徴とする請求項1又は2に記載のメッキ部品の製造方法。
  4. 前記分岐ポリマーの数平均分子量が3,000〜30,000であり、重量平均分子量が10,000〜300,000であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
  5. 前記分岐ポリマーの側鎖が芳香環を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
  6. 前記分岐ポリマーの側鎖が、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
  7. 前記分岐ポリマーの側鎖が、更に、硫黄を含む基を有することを特徴とする請求項に記載のメッキ部品の製造方法。
  8. 前記硫黄を含む基が、スルフィド基又はジチオカルバメート基である請求項に記載のメッキ部品の製造方法。
  9. 前記分岐ポリマーが、下記式(1)で表される分岐ポリマーであることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。

    Figure 2017160518
    式(1)において、
    は芳香環を含む基であり、Aは硫黄を含む基又はアミノ基であり、
    1は炭素数が1〜5である置換若しくは無置換のアルキレン基、又は単結合であり、R2及びR3は、それぞれ、炭素数が1〜10である置換若しくは無置換のアルキル基又は水素であり、
    m1は1〜10であり、n1は5〜100である。
  10. (1)において、Aが下記式(2)で表される基であり、Aがジチオカルバメート基であり、R1が単結合であり、R2が水素であり、Rがイソプロピル基であることを特徴とする請求項に記載のメッキ部品の製造方法。
    Figure 2017160518
  11. 前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することにより、前記表面の加熱部分又は光照射部分から、前記触媒活性妨害層を除去することを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
  12. 前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することが、レーザー光を用いて前記基材表面にレーザー描画することであることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
  13. メッキ部品であって、
    基材と、
    前記基材表面の一部に形成されたメッキ膜と、
    前記基材表面の前記メッキ膜が形成されていない領域に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するデンドリティックポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とするメッキ部品。
  14. 前記基材が、樹脂又は絶縁性の無機材料であることを特徴とする請求項13に記載のメッキ部品。
  15. 前記メッキ部品が電子部品であることを特徴とする請求項13又は14に記載のメッキ部品。
  16. 無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる触媒活性妨害剤であって、
    アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するデンドリティックポリマーを含むことを特徴とする触媒活性妨害剤。
  17. 無電解メッキ用複合材料であって、
    基材と、
    前記基材表面に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するデンドリティックポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とする複合材料。
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