WO2017154470A1

WO2017154470A1 - メッキ部品の製造方法、メッキ部品、触媒活性妨害剤及び無電解メッキ用複合材料

Info

Publication number: WO2017154470A1
Application number: PCT/JP2017/005177
Authority: WO
Inventors: 直樹臼杵; 朗子鬼頭; 遊佐　敦
Original assignee: 日立マクセル株式会社
Priority date: 2016-03-11
Filing date: 2017-02-13
Publication date: 2017-09-14
Also published as: US20210235587A1; US11013125B2; CN111979533B; CN108699695B; KR20180119583A; US11310918B2; EP3428313B1; US20190008051A1; KR102613934B1; CN111979533A; TWI699454B; JP2017160518A; EP3428313A1; CN108699695A; JP6607811B2; EP3428313A4; TW201800608A

Abstract

簡易な製造プロセスにより、所定パターン以外でのメッキ膜の生成を抑制し、所定パターンのみにメッキ膜を形成できるメッキ部品の製造方法を提供する。メッキ部品の製造方法であって、基材の表面に、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む触媒活性妨害層を形成することと、前記触媒活性妨害層を形成した前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含む。

Description

メッキ部品の製造方法、メッキ部品、触媒活性妨害剤及び無電解メッキ用複合材料

　本発明は、選択的にメッキ膜が形成されたメッキ部品の製造方法、メッキ部品及び触媒活性妨害剤に関する。

　近年、射出成形体等の表面に電気回路を形成する立体回路成形部品は、ＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）と呼称され、その応用範囲が急速に広まっている。ＭＩＤは、小型で複雑形状の成形体の表面に回路を形成できるため、電子部品の軽薄短小のトレンドに合致している。例えば、スマートフォンの筐体の表面にアンテナ等を形成した小型部品は中国で大量生産されている。また、自動車分野でもセンサーや照明部品へのＭＩＤの適用が欧州を中心に活発に検討されている。また、自動車には、現在、大量のケーブルハーネス（ワイヤーハーネス）が使用されている。このケーブルハーネスをＭＩＤに置き換えることにより、軽量化と組み立て工程数削減によるコストダウンが期待できる。

　樹脂成形体等の絶縁性基材の表面に配線パターン（電気回路）を形成する方法として、例えば、以下に説明する方法が提案されている。まず、基材の表面全体に金属層を形成する。次に、形成した金属層をフォトレジストでパターニングし、その後、エッチングにより配線パターン以外の部分の金属層を除去する。これにより、基材表面に残された金属層によって配線パターンを形成できる。

　また、フォトレジストを使用しない配線パターン（電気回路）の形成方法としては、レーザー光を使用する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。まず、配線パターンを形成したい部分にレーザー光を照射して基材を粗化する。そして、基材全体に無電解メッキ触媒を付与すると、レーザー光照射部分には、他の部分と比較して無電解メッキ触媒が強固に付着する。次に、基材を洗浄すると、レーザー光照射部分のみに無電解メッキ触媒が残り、他の部分の触媒は容易に除去できる。レーザー光照射部分のみに無電解メッキ触媒が付着した基材に無電解メッキを施すことで、レーザー光照射部分、即ち、所定の配線パターンのみにメッキ膜を形成できる。レーザー光を利用した配線パターンの形成方法は、フォトマスク等を製造するコストや手間が省けるため、配線パターンの変更が容易である。

　また、他の配線パターン（電気回路）の形成方法として、ＬＤＳ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｒｅｃｔ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）法が実用化されている（例えば、非特許文献１、特許文献２）。ＬＤＳ法では、まず、銅錯体を熱可塑性樹脂に練り込んで射出成形し、該銅錯体を含有した成形体表面にレーザー描画を行う。レーザー光照射により銅錯体が金属化して無電解銅メッキの触媒活性が発現し、レーザー描画部のメッキが可能となる。ＬＤＳ法は、複雑な形状の射出成形体の表面に回路を形成する立体回路成形部品（ＭＩＤ）の製造が可能であり、スマートフォンや自動車の製造において普及している。

　ＬＤＳ法のように触媒を成形体中に練り込む方法とは異なる方法も提案されている（例えば、特許文献３）。特許文献３には、短波長のフェムト秒レーザー光を用いて成形体表面に官能基を付与する方法が開示されている。成形体表面が極性基を有するので、メッキ膜との化学的な接着強度が発現する。

特許第３２２２６６０号公報欧州特許第１２７４２８８号公報特開２０１２－１３６７６９号公報

ウォルフガング・ジョン、「生産コストを削減する３次元コンポーネント」、Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ　Ｌａｓｅｒ　Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ　Ｊａｐａｎ、株式会社イーエクスプレス、２０１１年９月号、ｐ．１８‐２２

　しかし、特許文献１で提案されているレーザー光を利用した配線パターン（電気回路）の形成方法では、基材の種類や表面状態によっては、レーザー光照射部分以外にも無電解メッキ触媒が強固に付着し、洗浄によっても除去できない場合があった。例えば、無電解メッキ触媒が付着し易いフィラーを含有する基材、表面粗さが大きい基材、空隙を有する基材等は、無電解メッキ触媒が付着し易いため、洗浄しても無電解メッキ触媒が残存し易い。また、無電解メッキ触媒の種類や基材の種類によっては、無電解メッキ触媒が基材の内部に浸透する場合があり、基材に浸透した無電解メッキ触媒を洗浄によって除去することは困難であった。そして、このように所定の配線パターン以外の部分に無電解メッキ触媒が残存した基材に無電解メッキを施すと、当然に配線パターン以外の部分に無電解メッキ膜が生成し、問題となっていた。

　また、ＬＤＳ法は、専用樹脂の開発が必要となり、樹脂材料のコストが大幅に増大する問題があった。そして多量の銅錯体を樹脂に練り込むことにより樹脂が着色するため、透明樹脂に適用することは困難であった。また、シート状の薄肉成形体等に適用する場合、専用樹脂を用いる必要があるため少量多品種の量産が困難であった。また、ＬＤＳ法を自動車のケーブルハーネスの代替部品等の大型部品の製造に適用しようとすると、次のような問題が生じる。まず、消費する専用樹脂材料が多くなるため、コストが上昇する。そして、レーザー装置を大型化する必要があり、量産において問題となる。更に、配線パターン同士が同一の基板上に隣接するため、配線パターン間の絶縁性も懸念される。

　一方で、特許文献３では、特殊な樹脂材料を用いずに成形体表面を選択的にメッキすることが検討されている。しかし、レーザー描画のみにより、描画部とそれ以外の部分との成形体の表面特性に明確なコントラストをつけることは難しく、特許文献３の方法により、安定に選択的なメッキを行うことは困難であると考えられる。また、特許文献３の方法は高価な短波長レーザー加工機を必要とし、このことが、該方法の普及の妨げとなっている。

　本発明は、これらの課題を解決するものであり、基材の種類や形状及び状態に依存し難く、簡易な製造プロセスにより所定パターン以外での無電解メッキ膜の生成を抑制し、所定パターンのみに無電解メッキ膜を形成できるメッキ部品の製造方法を提供する。

　本発明の第１の態様に従えば、メッキ部品の製造方法であって、基材の表面に、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む触媒活性妨害層を形成することと、前記触媒活性妨害層を形成した前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含むメッキ部品の製造方法が提供される。

　本態様において、前記ポリマーが側鎖を有する分岐ポリマーであってもよい。また、前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させることとの間に、更に、基材の表面を洗浄することを含んでもよい。

　前記分岐ポリマーが、デンドリティックポリマーであってもよく、ハイパーブランチポリマーであってもよい。また、前記分岐ポリマーの数平均分子量が３,０００～３０,０００であり、重量平均分子量が１０,０００～３００,０００であってもよい。前記分岐ポリマーの側鎖が芳香環を含んでもよい。

　本態様において、前記分岐ポリマーが、更に主鎖を有してもよく、前記分岐ポリマーの主鎖が脂肪族であってもよい。また、前記分岐ポリマーの数平均分子量が１，０００～１００，０００であり、重量平均分子量が１，０００～１０００，０００であってもよい。

　前記分岐ポリマーの側鎖が、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有してもよく、更に、硫黄を含む基を有してもよい。また、前記硫黄を含む基が、スルフィド基又はジチオカルバメート基であってもよい。

　本態様において、前記分岐ポリマーが、下記式（１）又は下記式（３）で表される分岐ポリマーであってもよい。

　式（１）において、Ａ^１は芳香環を含む基であり、Ａ^２は硫黄を含む基又はアミノ基であり、Ｒ¹は炭素数が１～５である置換若しくは無置換のアルキレン基、又は単結合であり、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ、炭素数が1～１０である置換若しくは無置換のアルキル基又は水素であり、ｍ１は１～１０であり、ｎ１は５～１００である。

　式（３）において、Ｒ⁴は、炭素数が１～１０である置換若しくは無置換のアルキル基、硫黄を含む基、アミノ基、カルボキシル基、イミド基及びシラン基からなる群から選択される基、又は水素であり、Ｒ⁵は、炭素数が１～１０である置換若しくは無置換のアルキル基、又は水素であり、ｎ２は、５～１０００である。

　前記分岐ポリマーが、式（１）で表される分岐ポリマーであり、式（１）において、Ａ^１が下記式（２）で表される基であり、Ａ^２がジチオカルバメート基であり、Ｒ¹が単結合であり、Ｒ²が水素であり、Ｒ^３がイソプロピル基であってもよい。

　前記分岐ポリマーが、式（３）で表される分岐ポリマーであり、式（３）において、Ｒ⁴がメチル基又は下記式（４）で表される基であり、Ｒ⁵がイソプロピル基であってもよい。

　本態様において、前記ポリマーが主鎖を有し、前記主鎖が、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有してもよい。前記主鎖が、更にイミド基を有してもよい。

　本態様において、前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することにより、前記表面の加熱部分又は光照射部分から、前記触媒活性妨害層を除去してもよい。前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することが、レーザー光を用いて前記基材表面にレーザー描画することであってもよい。

　本発明の第２の態様に従えば、メッキ部品であって、基材と、前記基材表面の一部に形成されたメッキ膜と、前記基材表面の前記メッキ膜が形成されていない領域に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とするメッキ部品が提供される。

　前記基材が、樹脂又は絶縁性の無機材料であってもよい。また、前記メッキ部品が電子部品であってもよい。

　本発明の第３の態様に従えば、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる触媒活性妨害剤であって、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含むことを特徴とする触媒活性妨害剤が提供される。

　本発明の第４の態様に従えば、無電解メッキ用複合材料であって、基材と、前記基材表面に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とする複合材料が提供される。

　本発明では、基材表面の加熱部分又は光照射部分には無電解メッキ膜が形成され、一方、それ以外の部分では、触媒活性妨害層の存在により無電解メッキ膜の生成が抑制される。これにより、本発明のメッキ部品の製造方法は、簡易な製造プロセスにより所定パターン以外での無電解メッキ膜の生成を抑制し、所定パターンのみに無電解メッキ膜を形成できる。また、本発明の方法は、基材選択の幅が広く、製造コストの削減も図れる。

実施形態のメッキ部品の製造方法を示すフローチャートである。図２（ａ）～（ｃ）は、実施形態のメッキ部品の製造方法を説明する図である。

（１）メッキ部品の製造方法
　図１に示すフローチャートに従って、基材上に所定パターンのメッキ膜が形成されたメッキ部品の製造方法について説明する。まず、図２（ａ）に示す基材１０の表面にアミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む触媒活性妨害層１１を形成する（図１のステップＳ１）。基材１０の材料は特に限定されないが、表面に無電解メッキ膜を形成する観点から絶縁体が好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、セラミックス及びガラス等を用いることができる。中でも、成形の容易性から、本実施形態で用いる基材１０は、樹脂から形成される樹脂基材が好ましい。

　熱可塑性樹脂としては、ナイロン６（ＰＡ６）、ナイロン６６（ＰＡ６６）、ナイロン１２（ＰＡ１２）、ナイロン１１（ＰＡ１１）、ナイロン６Ｔ（ＰＡ６Ｔ）、ナイロン９Ｔ（ＰＡ９Ｔ）、１０Ｔナイロン、１１Ｔナイロン、ナイロンＭＸＤ６（ＰＡＭＸＤ６）、ナイロン９Ｔ・６Ｔ共重合体、ナイロン６・６６共重合体等のポリアミドを用いることができる。ポリアミド以外の樹脂としては、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、アモルファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ系樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド、ポリ乳酸、ポリカプロラクトン、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等を用いることができる。

　特に、ハンダリフロー耐性を要求されるメッキ部品を製造する場合には、耐熱性と成形性を兼ね備えた熱可塑性樹脂として、ナイロン６Ｔ（ＰＡ６Ｔ）、ナイロン９Ｔ（ＰＡ９Ｔ）、１０Ｔナイロン、１１Ｔナイロン、ナイロンＭＸＤ６（ＰＡＭＸＤ６）等の芳香族ナイロン及びこれらを含む共重合体が好ましい。そして、寸法安定性や剛性向上の観点から、これらの熱可塑性樹脂は、ガラスフィラーやミネラルフィラー等の無機フィラーが充填されてもよい。具体的には、ソルベイ　アドバンスト　ポリマーズ製のアモデル、クラレ製のジェネスタ、東洋紡製のバイロアミド、三菱エンプラ東洋紡製のレニー等を用いることができる。また、メッキ部品にハンダリフロー耐性が要求されない場合には、汎用エンプラであるＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）、ＡＢＳ樹脂とＰＣとのポリマーアロイ（ＡＢＳ／ＰＣ）等を用いることができる。また、メッキ部品として、高周波用アンテナを製造する場合には、高周波用アンテナに適した電気特性を有する熱可塑性樹脂として、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマーが好ましい。また、市販の熱可塑性樹脂を用いる場合、後工程のレーザー光照射工程においてレーザー光を吸収して熱を発生し易いように、黒色グレードとして市販されている黒色の熱可塑性樹脂を用いてもよい。尚、これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。

　熱硬化性樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。透明な熱硬化性樹脂を用いることで、透明でハンダリフロー耐性を有するデバイス（メッキ部品）を製造できる。光硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等を用いることができる。また、セラミックスとしては、アルミナ、窒化アルミ、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム、シリコンウエハ等を用いることができる。

　後工程のレーザー光照射工程において、レーザー光を吸収して熱を発生し易いように、基材１０はカーボン等のフィラーや、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ジチオール金属錯体、ナフトキノン化合物、ジイモニウム化合物、アゾ化合物等の光吸収色素を光吸収剤として含有してもよい。

　本実施形態で用いる基材１０は、市販品であってもよいし、市販の材料から成形等により製造してもよい。例えば、粉末射出成形方法により複雑形状のセラミックス基材を製造してもよい。また、市販の熱可塑性樹脂を所望の形状に成形して、樹脂成形体（基材）を製造してもよい。熱可塑性樹脂の成形方法としては、汎用の射出成形方法や押出成形方法を用いることができる。樹脂成形体は、押出成形で製造するシート状の成形体であってもよい。また、基材１０は、光硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を用いて３Ｄプリンターにより造形してもよい。３Ｄプリンターを用いると、複雑形状の基材が製造でき、この基材を用いて複雑形状のＭＩＤを製造できる。

　本実施形態で用いる基材１０は、内部に発泡セルを有する発泡成形体であってもよい。基材１０として発泡成形体を用いることにより、軽量で寸法精度の高いＭＩＤを製造できる。発泡成形体中の発泡セルは独立気泡であっても連続気泡であってもよい。発泡成形体は、化学発泡剤又は超臨界流体等の物理発泡剤を用いて、熱可塑性樹脂を発泡成形することにより製造できる。

　触媒活性妨害層１１（以下、適宜、「妨害層」と記載する）は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む（以下、適宜「アミド基／アミノ基含有ポリマー」と記載する）。アミド基／アミノ基含有ポリマーは、後工程において妨害層１１上に付与される無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる（妨害する）又は低下させる触媒活性妨害剤として作用する。触媒活性妨害剤として作用する、アミド基／アミノ基含有ポリマーは、様々な種類の基材の表面を樹脂層（触媒活性妨害層）として均一に覆うことができ、これにより、メッキ膜形成を望まない部分の無電解メッキ反応を抑制できる。したがって、本実施形態の製造方法は、基材選択の幅が広い。

　アミド基／アミノ基含有ポリマーは、アミド基のみ有するポリマーであってもよいし、アミノ基のみを有するポリマーであってもよいし、アミド基及びアミノ基の両方を有するポリマーであってもよい。アミド基／アミノ基含有ポリマーは、任意のものを用いることができるが、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる観点からは、アミド基を有するポリマーが好ましく、また、側鎖を有する分岐ポリマーが好ましい。分岐ポリマーにおいては、側鎖がアミド基及びアミノ基の少なくとも一方を含むことが好ましく、側鎖がアミド基を含むことがより好ましい。

　アミド基／アミノ基含有ポリマーが無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げるメカニズムは定かではないが、以下のように推測される。アミド基及び／又はアミノ基は、無電解メッキ触媒に吸着、配位、反応等して複合体を形成し、これにより無電解メッキ触媒は、アミド基／アミノ基含有ポリマーにトラップされる。特に、分岐ポリマーの側鎖に含まれるアミド基及び／又はアミノ基は自由度が高く、また、分岐ポリマー１分子中には、多数のアミド基及び／又はアミノ基を含むことができる。このため、分岐ポリマーは、複数のアミド基及び／又はアミノ基により、無電解メッキ触媒を効率的且つ強力にトラップできる。例えば、分岐ポリマーは多座配位子として作用し、複数のアミド基及び／又はアミノ基が無電解メッキ触媒に配位してキレート構造を形成できる。この様にトラップされた無電解メッキ触媒は、触媒活性を発揮できない。例えば、パラジウム等の金属が無電解メッキ触媒として妨害層１１上に付与されると、分岐ポリマーのアミド基及び／又はアミノ基がパラジウムをパラジウムイオンの状態でトラップする。パラジウムイオンは無電解メッキ液中に含まれる還元剤によって還元されて金属パラジウムとなり、無電解メッキ触媒活性を発揮する。しかし、分岐ポリマーにトラップされたパラジウムイオンは、無電解メッキ液中に含まれる還元剤によっても還元されず、触媒活性を発揮できない。これにより、妨害層１１か形成された基材１０の表面では、無電解メッキ膜の形成が抑制される。ただし、このメカニズムは推定に過ぎず、本発明はこれに限定されない。

　アミド基／アミノ基含有ポリマーに含まれるアミド基は、特に限定されず、１級アミド基、２級アミド基、３級アミド基のいずれであってもよく、アミド基／アミノ基含有ポリマーに含まれるアミノ基は、特に限定されず、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基のいずれであってもよい。これらのアミド基及びアミノ基は、ポリマー内に１種類のみが含まれてもよいし、２種類以上が含まれてもよい。

　アミド基／アミノ基含有ポリマーとして分岐ポリマーを用いる場合、無電解メッキ触媒の触媒活性を効率的に妨害する観点から、分岐ポリマーに含まれるアミド基は、２級アミド基であることが好ましく、また、アミド基の窒素には、イソプロピル基が結合していることが好ましい。また、分岐ポリマーに含まれるアミノ基は、１級アミノ基（‐ＮＨ_２）又は２級アミノ基（‐ＮＨ‐）が好ましい。

　分岐ポリマーの側鎖は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有し、更に硫黄を含む基を有してもよい。硫黄を含む基は、上述のアミド基及びアミノ基と同様に無電解メッキ触媒を吸着等する傾向がある。これにより、分岐ポリマーが無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる効果が促進される。硫黄を含む基は、特に限定されず、例えば、スルフィド基、ジチオカルバメート基、チオシアン基であり、好ましくは、スルフィド基又はジチオカルバメート基である。これらの硫黄を含む基は、分岐ポリマーの側鎖に１種類のみが含まれてもよいし、２種類以上が含まれてもよい。

　分岐ポリマーは、デンドリティックポリマーであることが好ましい。デンドリティックポリマーとは、頻繁に規則的な分岐を繰り返す分子構造で構成されたポリマーであり、デンドリマーとハイパーブランチポリマーに分類される。デンドリマーは、核となる分子を中心に、規則正しく完全に樹状分岐した構造をもつ、直径数ｎｍの球形のポリマーであり、ハイパーブランチポリマーは、完全な樹状構造をもつデンドリマーとは異なり、不完全な樹状分岐をもつポリマーである。デンドリティックポリマーの中でも、ハイパーブランチポリマーは、比較的合成が容易で且つ安価であるため、本実施形態の分岐ポリマーとして好ましい。

　本実施形態において、デンドリマー及びハイパーブランチポリマーの核となる分子以外の部分をデンドリマー及びハイパーブランチポリマーの側鎖と定義する。したがって、本実施形態に用いるデンドリマー及びハイパーブランチポリマーは、側鎖である、核となる分子以外の部分にアミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する。デンドリティックポリマーは、自由度の高い側鎖部分が多いため、無電解メッキ触媒に吸着し易く、効率的に無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害できる。このため、デンドリティックポリマーは、薄膜化しても触媒活性妨害剤として効率よく作用する。また、デンドリティックポリマーの溶液は高濃度でも低粘度であるため、複雑形状の基材に対しても、均一な膜厚の妨害層を形成できる。更に、デンドリティックポリマーは耐熱性が高い。このため、ハンダリフロー耐性を要求されるメッキ部品に好適である。

　デンドリティックポリマーは、アミド基及び／又はアミノ基に加えて、基材との親和性が高い官能基を含んでもよい。これにより、図２に示す基材１０と妨害層１１との密着性を強められる。基材との親和性が高い官能基は、基材の種類により適宜選択することができる。例えば、基材がポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー等の芳香環を有する材料である場合、デンドリティックポリマーは芳香環を含むことが好ましい。基材がガラスである場合、デンドリティックポリマーは、ガラスと親和性の高いシラノール基を含むことが好ましい。

　本実施形態のデンドリティックポリマーは、数平均分子量が、３,０００～３０,０００であり、重量平均分子量が、１０,０００～３００,０００であることが好ましく、数平均分子量が、５，０００～３０，０００であり、重量平均分子量が、２０，０００～２００，０００であることがより好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量が上記範囲より小さいと、１分子あたりの官能基量が減少し、触媒活性妨害剤としての効率が低下する虞がある。一方で、数平均分子量及び重量平均分子量が上記範囲より大きいと、例えば、溶剤にデンドリティックポリマーを溶解して触媒活性妨害層１１を形成する製造方法を用いた場合、溶剤への溶解度が不十分となり、製造上の不利益が生じる虞がある。

　本実施形態のデンドリティックポリマーは、下記式（１）で表される分岐ポリマーであることが好ましい。下記式（１）で表される分岐ポリマーは、触媒活性妨害剤として効率よく作用する。

　式（１）において、Ａ^１は芳香環を含む基であり、Ａ^２は硫黄を含む基又はアミノ基であり、Ｒ¹は炭素数が１～５である置換若しくは無置換のアルキレン基又は単結合であり、Ｒ²及びＲ³は、同一であっても異なっていてもよく、それぞれ、炭素数が1～１０である置換若しくは無置換のアルキル基又は水素である。Ｒ¹、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ、直鎖又は分岐鎖であってもよい。また、ｍ１は１～１０であり、ｎ１は５～１００である。

　また、式（１）において、Ａ^１が下記式（２）で表される基であり、Ａ^２がジチオカルバメート基であり、Ｒ¹が単結合であり、Ｒ²が水素であり、Ｒ^３がイソプロピル基であることが好ましい。

　本実施形態の分岐ポリマーは、デンドリティックポリマー以外の分岐ポリマーであってもよい。この場合、分岐ポリマーは、側鎖に加えて主鎖を有する。主鎖と側鎖とを有する分岐ポリマーは、主鎖がアミド基及び／又はアミノ基を含んでもよいし、側鎖がアミド基及び／又はアミノ基を含んでもよい。無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する観点からは、側鎖がアミド基及び／又はアミノ基を含むことが好ましい。分岐ポリマーの主鎖は、基材との親和性が高い官能基を含んでもよい。これにより、図２に示す基材１０と妨害層１１との密着性を強められる。分岐ポリマーが主鎖と側鎖とを有する場合、主鎖が基材との親和性が高い官能基を含むことにより基材との密着性向上機能を有し、側鎖がアミド基及び／又はアミノ基を含むことにより触媒活性妨害機能を有することが好ましい。このように機能を分離することにより、アミド基及び／又はアミノ基を有する側鎖の自由度がより高まり、分岐ポリマーが無電解メッキ触媒をトラップし易くなると推測される。基材との親和性が高い官能基は、上述したデンドリティックポリマーと同様に、基材の種類により適宜選択することができる。

　本実施形態の主鎖と側鎖とを有する分岐ポリマーは、数平均分子量が１，０００～１００，０００であり、重量平均分子量が１，０００～１，０００，０００であることが好ましく、数平均分子量が、５，０００～５０,０００であり、重量平均分子量が、５,０００～２００，０００であることがより好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量が上記範囲より小さいと、１分子あたりの官能基量が減少し、触媒活性妨害剤としての効率が低下する虞がある。一方で、数平均分子量及び重量平均分子量が上記範囲より大きいと、例えば、溶剤に分岐ポリマーを溶解して触媒活性妨害層１１を形成する製造方法を用いた場合、溶剤への溶解度が不十分となり、製造上の不利益が生じる虞がある。

　本実施形態の主鎖と側鎖とを有する分岐ポリマーは、アクリルアミド系樹脂であってもよく、下記式（３）で表される分岐ポリマーであることが好ましい。下記式（３）で表される分岐ポリマーは、触媒活性妨害剤として効率よく作用する。

　式（３）において、Ｒ⁴は、炭素数が１～１０である置換若しくは無置換のアルキル基、硫黄を含む基、アミノ基、カルボキシル基、イミド基及びシラン基からなる群から選択される基、又は水素であり、Ｒ⁵は、炭素数が１～１０である置換若しくは無置換のアルキル基、又は水素である。Ｒ⁴及びＲ⁵は、直鎖又は分岐鎖であってもよい。また、ｎ２は、５～１０００である。

　また、式（３）において、Ｒ⁴がメチル基又は下記式（４）で表される基であり、Ｒ⁵がイソプロピル基であることが好ましい。

　本実施形態で用いるアミド基／アミノ基含有ポリマーは、アミド基及び／又はアミノ基を有しているポリマーであれば、分岐ポリマー以外のポリマーであってもよい。即ち、側鎖を有さず、主鎖からなる直鎖ポリマーであって、主鎖がアミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有してもよい。アミド基／アミノ基含有ポリマーの主鎖は、更に、イミド基を有してもよい。イミド基は、上述のアミド基及びアミノ基と同様に無電解メッキ触媒を吸着等する傾向がある。これにより、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる効果が促進される。イミド基を有するポリマーとしては、例えば、ポリアミドイミドが挙げられる。

　妨害層１１は、アミド基／アミノ基含有ポリマーに加えて、後工程のレーザー光照射工程においてレーザー光を吸収して熱を発生し易いように、カーボン等のフィラーや、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ジチオール金属錯体、ナフトキノン化合物、ジインモニウム化合物、アゾ化合物等の光吸収色素を光吸収剤として含有してもよい。光吸収剤は、溶剤等に溶解又は分散させて妨害層１１の表面に付与してもよいが、作業の簡便性から妨害層１１中に予め含有させておくことが好ましい。

　妨害層１１は、アミド基／アミノ基含有ポリマー以外のポリマーを含まなくてもよいし、また、アミド基／アミノ基含有ポリマーと共に、触媒活性を妨害しない他のポリマーを含んでもよい。触媒活性を妨害する観点からは、アミド基／アミノ基含有ポリマー以外のポリマーを含まない方が好ましいが、基材１０への密着性等の他の特性を向上させるために、他のポリマーを含んでもよい。更に、妨害層１１は、必要に応じて界面活性剤等の公知の添加剤を含有してもよい。

　アミド基／アミノ基含有ポリマーは、妨害層１１の主成分であることが好ましい。妨害層１１中にアミド基／アミノ基含有ポリマーは、例えば、３０重量％～１００重量％で含まれ、好ましくは、５０重量％～１００重量％で含まれ、より好ましくは、７０重量％～１００重量％で含まれる。上記範囲で妨害層１１中にアミド基／アミノ基含有ポリマーを含むことにより、妨害層１１は、基材１０の上で十分にメッキ膜の生成を抑制できる。

　妨害層１１は、基材１０の耐熱性等の物性や誘電率等の電気特性に影響を与えないように、薄い方が好ましい。妨害層１１の厚みは、例えば、５０００ｎｍ以下が好ましく、１０００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下が更により好ましい。一方で、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する観点からは、例えば、１０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、５０ｎｍ以上が更により好ましい。尚、所定パターン以外での無電解メッキ膜の生成を抑制する観点から、妨害層１１は、後述する無電解メッキ工程において、少なくとも無電解メッキ液と接触する基材１０表面の領域に形成することが好ましく、基材１０の表面全面に形成することがより好ましい。

　基材１０の表面に妨害層１１を形成する方法は、特に限定されない。例えば、溶剤にアミド基／アミノ基含有ポリマーを溶解又は分散させたポリマー液を調製し、ポリマー液を基材１０に接触させて妨害層１１を形成してもよい。ポリマー液を基材１０に接触させる方法としては、ポリマー液を基材１０に塗布してもよいし、ポリマー液に基材１０を浸漬してもよい。具体的な形成方法としては、ディップコート、スクリーンコート、スプレーコート等が挙げられる。中でも、形成される妨害層１１の均一性と作業の簡便性の観点から、ポリマー液に基材１０を浸漬する方法（ディップコート）が好ましい。

　妨害層１１の形成においてポリマー液を用いる場合、ポリマー液中のアミド基／アミノ基含有ポリマーの配合量（アミド基／アミノ基含有ポリマー濃度）は、特に限定されず、アミド基／アミノ基含有ポリマー及び溶剤の種類、アミド基／アミノ基含有ポリマーの分子量、形成される妨害層１１の膜厚等を考慮して適宜決定できるが、例えば、０．０１重量％～５重量％であり、０．１重量％～２重量％であることが好ましい。

　ポリマー液に用いる溶剤（溶媒）は、アミド基／アミノ基含有ポリマーが溶解又は分散可能な溶剤であり、且つ基材１０を変質させない溶剤であれば特に限定されない。例えば、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどケトン類；エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどアルコール類；ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、２－ブトキシエタノールなどグリコールエーテル類；トルエン、ベンゼンなど芳香環を持つ化合物；Ｎ-メチルピロリドン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン及びそれらの混合物が好ましい。ポリマー液は、アミド基／アミノ基含有ポリマー、溶剤に加えて、必要に応じて、上述した光吸収剤、他のポリマー、界面活性剤等の公知の添加剤を含有してもよい。ポリマー液は、これら構成成分を従来公知の方法により混合して調製できる。

　ポリマー液に基材１０を浸漬するときのポリマー液の温度及び浸漬時間は特に限定されず、アミド基／アミノ基含有ポリマー及び溶剤の種類、アミド基／アミノ基含有ポリマーの分子量、形成される妨害層の膜厚等を考慮して適宜決定できる。ポリマー液の温度は、例えば、０℃～１００℃であり、１０℃～５０℃であることが好ましく、浸漬時間は、例えば、１秒～１０分であり、５秒～２分であることが好ましい。

　以上説明した工程（図１のステップＳ１）によって、図２（ａ）に示す、基材１０と、基材１０の表面に形成された、アミド基／アミノ基含有ポリマーを含む樹脂層１１とを有する無電解メッキ用の複合材料５０が得られる。複合材料５０に、後述するレーザー光照射工程（図１のステップＳ２）、無電解メッキ付与工程（ステップＳ３）等を経て、無電解メッキを施すことで（ステップＳ４）、レーザー光照射部分に選択的に無電解メッキ膜を形成することができる。

　次に、得られた複合材料５０の表面、即ち、妨害層１１が形成された基材１０の表面の一部にエネルギーを付与する。エネルギー付与は光を照射するか、又は加熱することにより行う（図１のステップＳ２）。光を照射する方法は、特に限定されず、例えば、レーザー光を基材１０の表面に所定パターンに従って照射する方法（レーザー描画）や、光を照射しない部分をマスクした後に、基材１０の表面全体に光を照射する方法等が挙げられる。基材１０の表面の一部に光を照射することにより、光が熱に変換され、基材１０の表面は加熱されると推測される。上述したように、基材１０が光吸収剤を含有する場合には、基材１０に照射された光を効率的に熱に変換できる。また、基材１０の表面に光を照射せずに基材１０の表面を加熱する方法としては、凸部によりパターンが形成された簡易金型等で基材１０の表面を直接、熱プレスする方法が挙げられる。作業の簡便性及び加熱部分の選択性に優れていること、更に、パターンの変更及び微細化が容易であることから、レーザー描画により基材１０を加熱することが好ましい。

　レーザー光は、例えば、ＣＯ_２レーザー、ＹＶＯ_４レーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザー装置を用いて照射でき、これらのレーザー装置は、妨害層１１に用いるアミド基／アミノ基含有ポリマーの種類に応じて適宜選択できる。

　本実施形態では、レーザー光を基材１０の表面に所定パターンに従って照射すること（レーザー描画）によって、レーザー光の照射された部分が加熱され、加熱部分の妨害層１１は除去される。ここで、「妨害層１１の除去」とは、例えば、加熱部分の妨害層１１が、蒸発により消失することを意味する。妨害層１１が付与された基材１０の表面に所定パターンのレーザー描画を行うことにより、図２（ｂ）に示すように、所定パターンの妨害層除去部分１０ａと、妨害層１１が残存している妨害層残存部分１０ｂとを形成できる。尚、加熱部分である妨害層除去部分１０ａでは、妨害層１１と共に基材１０の表層部分が蒸発して消失してもよい。また、「妨害層１１の除去」とは、妨害層１１が完全に消失するだけでなく、後工程の無電解メッキ処理の進行に影響がない程度に妨害層１１が残存する場合も含む。妨害層１１が残存していても、後工程の無電解メッキ処理に影響なければ、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する作用が消失したことになる。更に、本実施形態では、妨害層１１の加熱部分が変性又は変質して妨害層１１として作用しなくなる場合も、「妨害層１１の除去」に含める。例えば、アミド基／アミノ基含有ポリマーのアミド基及び／又はアミノ基が変性又は変質し、その結果、アミド基／アミノ基含有ポリマーが無電解メッキ触媒をトラップできない場合が挙げられる。この場合、妨害層１１の加熱部分は完全に消失するのではなく、変性物（変質物）が残存する。この変性物は、触媒活性を妨害しない。このため、妨害層１１が変性又は変質した部分も、図２（ｂ）に示す妨害層１１が消失した妨害層除去部分１０ａと同様の作用を生じる。

　本実施形態において、レーザー光を照射した後、基材１０の表面を洗浄することが好ましい。レーザー光照射によって妨害層除去部分１０ａに妨害層１１の変性物（変質物）が残存した場合、その変性物（変質物）が基材１０の表面に広く飛散する虞がある。この変性物（変質物）は触媒活性を妨害しない。このため、妨害層残存部分１０ｂに変性物（変質物）が付着すると、後工程の無電解メッキ時に変性物（変質物）付着部分にメッキ膜が生成してしまう。レーザー光を照射した後、基材１０の表面を洗浄することで、基材１０の表面に飛散した変性物（変質物）を除去できる。これにより、レーザー光照射部以外でのメッキ膜の生成を抑制し、メッキ選択性が向上する。基材１０の表面の洗浄は、基材１０の表面の一部を加熱又は光照射する工程と（図１のステップＳ２）、基材１０の表面に無電解メッキ液を接触させる工程（図１のステップＳ４）との間に行うことが好ましい。基材１０の表面の洗浄は、基材１０の表面を加熱等する工程と（図１のステップＳ２）、無電解メッキ工程（図１のステップＳ４）との間であれば、無電解メッキ触媒の付与工程（図１のステップＳ）の前に行ってもよいし、後に行ってもよい。但し、メッキ選択性を向上させる観点からは、基材１０の表面の洗浄は、無電解メッキ触媒の付与工程の前に行った方が好ましい。

　基材１０の表面を洗浄する方法は、基材１０の表面に飛散した妨害層１１の変性物（変質物）を除去できるのであれば、任意の方法を用いることができる。例えば、妨害層１１の変性物（変質物）を溶解可能な洗浄液に、レーザー光を照射した基材１０を浸漬してもよい（浸漬法）。洗浄液としては、例えば、脱脂剤、表面調整剤、コンディショナー等のメッキ用前処理剤；界面活性剤の溶液；及びアルカリ溶液等を用いることができる。

　次に、レーザー光を照射した基材１０の表面に無電解メッキ触媒を付与する（図１のステップＳ３）。無電解メッキ触媒としては、無電解メッキ触媒能を有するものであれば任意のものを用いることができるが、例えば、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ等の金属微粒子、金属錯体、金属アルコキシド等を用いることができ、中でも、触媒活性能が高いＰｄを含む無電解メッキ触媒が好ましい。

　無電解メッキ触媒を基材１０の表面に付与する方法は、特に限定されない。例えば、無電解メッキ触媒を溶媒に溶解又は分散させた触媒液を調製し、その触媒液を基材１０に塗布する、又は触媒液に基材１０を浸漬することにより、基材１０の表面に無電解メッキ触媒を付与してもよい。触媒付与の均一性の観点からは、触媒液に基材１０を浸漬する方法が好ましい。

　触媒液に用いる溶媒は、触媒を溶解又は分散できる溶媒であれば特に限定されないが、例えば、水、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール、ヘキサン、ヘプタンなどの炭化水素等を用いることができる。炭化水素としては、市販の高沸点溶剤（エクソンモービル社製、アイソパー）等を用いてもよい。触媒液に用いる無電解メッキ触媒は、メッキ触媒活性の高さから、パラジウム錯体が好ましく、具体的には、テトラクロロパラジウム酸ナトリウム、テトラクロロパラジウム酸カリウム、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、アセチルアセトナトパラジウム（ＩＩ）、ヘキサフルオロアセチルアセトナトパラジウム(ＩＩ)金属錯体等を用いることができる。触媒液中の無電解メッキ触媒の配合量（触媒濃度）は、例えば、０．０１重量％～５重量％とすることができる。

　無電解メッキ触媒を基材１０の表面に付与する他の方法としては、市販の無電解メッキ用触媒液を用いた汎用の方法、例えば、センシタイザー・アクチベータ法やキャタライザー・アクセラレータ法が挙げられる。センシタイザー・アクチベータ法では、まず、無電解メッキ触媒が吸着し易くなるように、例えばＳｎ^２+を含む液で基材１０の表面を処理し（センシタイザー処理）、次に、無電解メッキ触媒（例えば、Ｐｄ^２+）を含む液に基材１０を浸漬する（アクチベータ処理）。キャタライザー・アクセラレータ法では、まず、無電解メッキ触媒を含む液（例えば、Ｓｎ^２+とＰｄ^２+の混合によって得られるパラジウムコロイド液）に基材１０を浸漬し（キャタライザー処理）、次に基材１０を塩酸溶液等に浸漬してメッキ触媒の金属を基材１０の表面に析出させる（アクセラレータ処理）。

　次に、前記基材１０の表面に無電解メッキ液を接触させる（図１のステップＳ４）。これにより、図２（ｃ）に示すように、基材１０の表面の加熱部分に無電解メッキ膜８５を形成し、選択的にメッキ膜が形成されたメッキ部品１００を製造できる。無電解メッキ液としては、目的に応じて任意の汎用の無電解メッキ液を使用しできるが、触媒活性が高く液が安定であるという点から、無電解ニッケルリンメッキ液、無電解銅メッキ液、無電解ニッケルメッキ液が好ましい。

　無電解メッキ膜８５上には、更に、異なる種類の無電解メッキ膜を形成してもよいし、電解メッキにより電解メッキ膜を形成してもよい。基材１０上のメッキ膜の総厚みを厚くすることにより、所定パターンのメッキ膜を電気回路として用いた場合に電気抵抗を小さくできる。メッキ膜の電気抵抗を下げる観点から、無電解メッキ膜８５上に積層するメッキ膜は、無電解銅メッキ膜、電解銅メッキ膜、電解ニッケルメッキ等が好ましい。また、電気的に孤立した回路には電解メッキを行えないため、このような場合は、無電解メッキにより、基材１０上のメッキ膜の総厚みを厚くすることが好ましい。また、ハンダリフローに対応できるようメッキ膜パターンのハンダ濡れ性を向上させるために、錫、金、銀等のメッキ膜をメッキ膜パターンの最表面に形成してもよい。

　本実施形態では、妨害層１１が残存している妨害層残存部分１０ｂと、加熱により妨害層１１が除去された、所定パターンの妨害層除去部分１０ａが基材１０の表面に存在する。そして、この基材１０の表面に前記無電解メッキ触媒を付与して、無電解メッキ液を接触させることにより、所定パターンの妨害層除去部分１０ａのみに、無電解メッキ膜８５を形成できる。本実施形態では、様々な材質の基材に対して簡易な製造プロセスにより、所定パターン以外でのメッキ膜の生成を抑制し、所定パターンのみにメッキ膜８５を形成できる。

　以上説明した本実施形態のメッキ部品の製造方法は、触媒活性妨害剤としてアミド基／アミノ基含有ポリマーを用いる。このため、様々な種類の基材の表面を触媒活性妨害剤の樹脂層（触媒活性妨害層）で均一に覆うことができ、これにより、メッキ膜形成を望まない部分の無電解メッキ反応を抑制できる。したがって、本実施形態の製造方法は、基材選択の幅が広い。例えば、表面粗さが大きい基材、空隙を有する基材、表面に発泡痕ある発泡成形体等の表面にも、均一な膜厚の妨害層を形成できる。このように、基材選択の幅が広い本実施形態のメッキ部品の製造方法は、従来では困難であったレンズやメガネ等光学部材や薄肉シート形状の立体回路成形体を簡便な方法により製造可能である。

　また、従来の無電解メッキ方法においては、無電解メッキ触媒付与工程と、無電解メッキ工程との間で基材を固定する固定治具の交換を行わずに、これらの工程を連続して実施すると、固定治具上にも無電解メッキ膜が形成される問題が生じていた。本実施形態では、基材への触媒活性妨害層の形成工程（図１のステップＳ１）において、基材と共に基材の固定治具上にも触媒活性妨害層を形成することにより、この問題を解決できる。即ち、固定治具上に形成された触媒活性妨害層により、無電解メッキ膜の形成が抑制される。したがって、基材の固定治具の交換を行う必要がなく、メッキ部品の製造効率を改善できる。

（２）メッキ部品
　図２（ｃ）に本実施形態で製造する、選択的にメッキ膜が形成されたメッキ部品１００を示す。メッキ部品１００は、基材１０と、基材１０の表面の一部に形成されたメッキ膜８５と、基材表面のメッキ膜８５が形成されていない領域に形成された触媒活性妨害層（樹脂層）１１とを有する。メッキ膜８５は、基材１０の表面に所定パターンを形成してもよく、この場合、所定パターンを除く基材１０の表面に触媒活性妨害層（樹脂層）１１が形成される。

　触媒活性妨害層１１は、アミド基／アミノ基含有ポリマーを含有する樹脂層であり、妨害層の主成分はアミド基／アミノ基含有ポリマーである。妨害層１１中にアミド基／アミノ基含有ポリマーは、例えば、３０重量％～１００重量％で含まれ、好ましくは、５０重量％～１００重量％で含まれ、より好ましくは、７０重量％～１００重量％で含まれる。また、触媒活性妨害層１１の膜厚は、例えば、５０００ｎｍ以下が好ましく、１０００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下が更により好ましい。一方で、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する観点からは、例えば、１０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、５０ｎｍ以上が更により好ましい。

　所定パターンのメッキ膜８５は導電性を有していてもよい。この場合、所定パターンのメッキ膜８５は、電気配線パターン、電気回路、アンテナパターン等として作用し、所定パターンのメッキ膜８５を有するメッキ部品１００は、回路部品やアンテナを含む、電子部品として作用する。また、所定パターンのメッキ膜８５は、基材１０の一面のみに平面的に形成させてもよいし、基材１０の複数の面に亘って、又は球面等を含む立体形状の表面に沿って立体的に形成されてもよい。所定パターンのメッキ膜８５が基材１０の複数の面に亘って、又は球面等を含む立体形状の表面に沿って立体的に形成され、且つ導電性を有する場合、所定パターンのメッキ膜８５は立体電気回路や立体アンテナとして作用し、このような所定パターンのメッキ膜８５を有するメッキ部品１００は、立体回路成形部品（ＭＩＤ）やＭＩＤアンテナとして作用する。

　メッキ膜８５を含むパターンが電気配線パターンとして作用する場合、隣接する電気配線間に触媒活性妨害層１１が存在する。この触媒活性妨害層１１により電気配線間の絶縁性が向上し、電子部品の配線密度を高められる。また、電子部品においては、電圧の印加により電気配線から金属イオンが排出されるマイグレーションという課題がある。本実施形態のメッキ部品１００は、隣接する電気配線間の触媒活性妨害層１１が電気配線から排出される金属イオンをトラップし、配線間での電気ショートを未然に防止することも期待できる。また、メッキ膜８５を含むパターンがアンテナパターンである場合においても、アンテナパターン以外の領域に絶縁体である触媒活性妨害層１１が存在することで、アンテナ特性が向上する。

＜変形例＞
　上で説明した本実施形態において製造されたメッキ部品１００は、図２（ｃ）に示すように、アミド基／アミノ基含有ポリマーを含む触媒活性妨害層１１を有するが、本実施形態はこれに限定されない。本実施形態の製造方法は、更に、基材１０の表面から妨害層１１を除去する工程を含んでもよい。本変形例では、基材１０の表面に無電解メッキ触媒を付与する工程（図１のステップＳ３）の後、又は無電解メッキ膜８５を形成する工程（同、ステップＳ４）の後に、基材１０から触媒活性妨害層１１を除去する。したがって、本変形例で製造されるメッキ部品は、図２（ｃ）に示すメッキ部品１００とは異なり、妨害層１１を有さない。

　基材１０から妨害層１１を除去する方法としては、基材１０を洗浄液で洗浄することによって、アミド基／アミノ基含有ポリマーを洗浄液に溶出させて除去する方法が挙げられる。洗浄液は、アミド基／アミノ基含有ポリマーを溶解させ、かつ基材１０を変質させない液であれば特に限定されず、基材１０及びアミド基／アミノ基含有ポリマーの種類に応じて、適宜、選択できる。例えば、上述したポリマー液に用いる溶剤（溶媒）と同様のものを用いることができる。

　以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例及び比較例により制限されない。尚、実験１～２６に用いたポリマーＡ～Ｆの化学構造式を表す式（５）～（１０）については、実験２６の説明の後にまとめて記載する。

　[実験１]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるアミド基／アミノ基含有ポリマーとして式（５）で表されるポリマーＡを用いた。

（１）ポリマーＡの合成
　式（８）で表される、市販のハイパーブランチポリマー（ポリマーＤ）にアミド基を導入して、式（５）で表されるポリマーＡを合成した。式（５）で表されるポリマーＡは、式（１）で表されるポリマーであり、式（１）において、Ａ^１が式（２）で表される基であり、Ａ^２がジチオカルバメート基であり、Ｒ¹が単結合であり、Ｒ²が水素であり、Ｒ^３がイソプロピル基である。

　まず、式（８）で表されるハイパーブランチポリマー（日産化学工業製、ハイパーテック　ＨＰＳ－２００）（１．３ｇ、ジチオカルバメート基：４．９ｍｍｏｌ）、Ｎ‐イソプロピルアクリルアミド（ＮＩＰＡＭ）（１．１０ｇ、９．８ｍｍｏｌ）、α,α’‐アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）（８１ｍｇ、０．４９ｍｍｏｌ）、脱水テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１０ｍＬ）をシュレンク管へ加え、凍結脱気を３回行った。その後、オイルバスを用いて７０℃で一晩（１８時間）撹拌して反応させ、反応終了後、氷水によって冷却し、ＴＨＦで適度に希釈した。次に、ヘキサン中で再沈殿させ、得られた固体の生成物を６０℃で一晩真空乾燥させた。生成物のＮＭＲ（核磁気共鳴）測定及びＩＲ（赤外吸収スペクトル）測定を行った。この結果、式（８）で表される市販のハイパーブランチポリマーにアミド基が導入されて、式（５）で表されるポリマーＡが生成していることが確認できた。次に、生成物の分子量をＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）で測定した。分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）＝９,９４６、重量平均分子量（Ｍｗ）＝２４,７９２であり、ハイパーブランチ構造独特の数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）とが大きく異なった値であった。ポリマーＡの収率は、９２％であった。

（２）樹脂成形体（基材）の成形
　汎用の射出成形機（日本製鋼所製、Ｊ１８０ＡＤ－３００Ｈ）を用いて、ガラス繊維強化ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）（帝人株式会社製、１０４０Ｇ、黒色）を４ｃｍ×６ｃｍ×０．２ｃｍの板状体に成形した。

（３）触媒活性妨害層の形成
　合成した式（５）で表されるポリマーＡをメチルエチルケトンに溶解して、ポリマー濃度０．５重量％のポリマー液を調製した。成形した基材を調製したポリマー液に室温で５秒間ディッピングし、その後、８５℃乾燥機中で５分間乾燥した。これにより、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。

　触媒活性妨害層の膜厚を以下に説明する方法により測定した。まず、本実験と同一の条件で樹脂層を形成した膜厚測定用試料を作製した。膜厚測定用試料の樹脂層の一部を金属製スパチュラで傷をつけて基材を露出させ、レーザー顕微鏡（キーエンス製、ＶＫ－９７１０）で樹脂層表面と露出した基材表面との段差を測定し、この測定値を触媒活性妨害層の膜厚とした。触媒活性妨害層の膜厚は、約７０ｎｍであった。

（４）レーザー描画
　触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体に、レーザー描画装置（キーエンス製、ＭＤ－Ｖ９９２９ＷＡ、ＹＶＯ_４レーザー、波長１０６４ｎｍ）を用いて、レーザー強度８０％、描画速度５００ｍｍ／ｓｅｃ、周波数５０ｋＨｚでレーザー描画を行った。描画したパターンは、５ｍｍ×５ｃｍ領域を０．１ｍｍピッチで複数個並べたパターンである。

（５）無電解メッキ触媒の付与
　レーザー描画を行った成形体の表面に、市販の無電解メッキ用触媒液を用い汎用の方法により、無電解メッキ触媒を付与した。まず、レーザー描画を行った成形体を常温の感応性付与剤（奥野製薬工業製、センシタイザー）に浸漬し、５分間超音波を照射してセンシタイザー処理を行い、成形体表面にスズコロイドを吸着させた。その後、成形体を感応性付与剤から取り出し、十分に水洗した。次に、成形体を常温の触媒化処理剤（奥野製薬工業製、アクチベータ）に浸漬し、２分間放置してアクチベータ処理を行い、成形体表面にパラジウムを吸着させた。その後、樹脂成形体を触媒化処理剤から取り出し、十分に水洗した。

（６）無電解メッキ
　無電解メッキ触媒を付与した成形体を６１℃の無電解銅メッキ液（奥野製薬工業製、ＯＰＣ－ＮＣＡ）に１５分浸漬して、成形体表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験２]
　本実験では、レーザー描画にＣＯ_２レーザー描画装置を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（１）樹脂成形体（基材）の成形及び触媒活性妨害層の形成
　実験１と同様の方法により、基材として樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形し、基材表面に、ポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成した

（２）レーザー描画
　触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体に、レーザー描画装置として、ＣＯ_２レーザー描画装置（パナソニック製、ＬＰ－３１０、光源ＣＯ_２、レーザー発振部の出力：平均１２Ｗ、発光ピーク波長：１０．６μｍ）を用い、レーザー強度８０％、描画速度５００ｍｍ／ｓｅｃでレーザー描画を行った。描画パターンは、実験１と同様とした。

（３）無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　レーザー描画を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験３]
　本実験では、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（１）樹脂成形体（基材）の成形、触媒活性妨害層の形成、レーザー描画及び無電解メッキ触媒の付与
　実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形し、基材表面に、ポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画及び無電解メッキ触媒の付与をこの順に行った。

（２）無電解メッキ
　無電解メッキ触媒を付与した成形体を８５℃の無電解ニッケルリンメッキ液（カニゼン製、ＳＥ－６６６）に１５分浸漬して、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。尚、本実験で用いた無電解ニッケルリンメッキ液は、実験１で用いた無電解銅メッキ液と比較して、還元剤の含有量が多い。このため、無電解メッキ触媒（Ｐｄ）の量が少なくとも、メッキ反応が進行し易い。

　[実験４]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（６）で表されるポリマーＢを用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（１）樹脂成形体（基材）の成形
　実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。

（２）触媒活性妨害層の形成
　本実験では、ポリマーＡに代えて、式（６）で表されるポリマーＢ（フナコシ株式会社製、ポリ(Ｎ‐イソプロピルアクリルアミド) ）（ＰＮＩＰＡＭ）を用いた以外は実験１と同様の方法により、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。式（６）で表されるポリマーＢは、式（３）で表されるポリマーであり、式（３）において、Ｒ^４がメチル基であり、Ｒ⁵がイソプロピル基である。ポリマーＢの分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）＝４０、０００であった。形成した触媒活性妨害層の厚みを実験１と同様の方法により測定した。触媒活性妨害層の厚みは、約８０ｎｍであった。

（３）レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験５]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（７）で表されるポリマーＣを用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（２）触媒活性妨害層の形成
　本実験では、ポリマーＡに代えて、式（７）で表されるポリマーＣ（シグマ－アルドリッチジャパン製、ＰＮＩＰＡＭ,amine terminated）を用いた以外は実験１と同様の方法により、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。式（７）で表されるポリマーＣは、式（３）で表されるポリマーであり、式（３）において、Ｒ^４が式（４）で表される基であり、Ｒ⁵がイソプロピル基である。ポリマーＣの分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５，５００であった。形成した触媒活性妨害層の厚みを実験１と同様の方法により測定した。触媒活性妨害層の厚みは、約８０ｎｍであった。

　[実験６]
　本実験では、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（１）樹脂成形体（基材）の成形、触媒活性妨害層の形成及びレーザー描画
　実験１と同様の方法により、基材として樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形し、基材表面にポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成し、触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体にレーザー描画を行った。

（２）樹脂成形体（基材）の洗浄
　レーザー描画を行った樹脂成形体を、６０℃の市販のメッキ用前処理剤（奥野製薬工業製、コンディクリーンＭＡ）に１５分間浸漬した。その後、５０℃の純水で１回、室温の純水で３回水洗した。樹脂成形体は、水洗後に風乾せずに次の工程に用いた。

（３）無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験７]
　本実験では、レーザー描画にＣＯ_２レーザー描画装置を用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、基材として樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形し、基材表面にポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成した。次に、実験２と同様の方法により、触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体にレーザー描画を行った。そして、実験６と同様の方法により、樹脂成形体の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験８]
　本実験では、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形し、基材表面にポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成し、レーザー描画を行った。そして、実験６と同様の方法により、樹脂成形体の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキを行った。これにより、基材表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験９]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（６）で表されるポリマーＢを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形し、実験４と同様の方法により基材表面にポリマーＢを含む触媒活性妨害層を形成した。次に、実験１と同様の方法により、触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体にレーザー描画を行った。そして、実験６と同様の方法により、樹脂成形体の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１０]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（７）で表されるポリマーＣを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形し、実験５と同様の方法により基材表面にポリマーＣを含む触媒活性妨害層を形成した。次に、実験１と同様の方法により、触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体にレーザー描画を行った。そして、実験６と同様の方法により、樹脂成形体の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１１]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（９）で表されるポリマーＥを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（２）触媒活性妨害層の形成
　本実験では、ポリマーＡに代えて、式（９）で表されるアミノエチル化アクリルポリマー（日本触媒製、ポリメントＮＫ－３５０）（ポリマーＥ）を用いた以外は実験１と同様の方法により、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。ポリマーＥの分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）＝１００,０００であった。形成した触媒活性妨害層の厚みを実験１と同様の方法により測定した。触媒活性妨害層の厚みは、８０ｎｍであった。

（３）レーザー描画、樹脂成形体（基材）の洗浄、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行い、次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄した基材に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１２]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（６）で表されるポリマーＢを用い、レーザー描画にＣＯ_２レーザー描画装置を用い、更にレーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験４と同様の方法により、式（６）で表されるポリマーＢを用いて、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体に、実験２と同様の方法により、ＣＯ_２レーザー描画装置を用いてレーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄した基材に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１３]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（７）で表されるポリマーＣを用い、レーザー描画にＣＯ_２レーザー描画装置を用い、更にレーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験５と同様の方法により、式（７）で表されるポリマーＣを用いて、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体に、実験２と同様の方法により、ＣＯ_２レーザー描画装置を用いてレーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄した基材に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１４]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（９）で表されるポリマーＥを用い、レーザー描画にＣＯ_２レーザー描画装置を用い、更に、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験１１と同様の方法により、式（９）で表されるポリマーＥを用いて、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した樹脂成形体に、実験２と同様の方法により、ＣＯ_２レーザー描画装置を用いてレーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄した基材に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１５]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（６）で表されるポリマーＢを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、更に、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験４と同様の方法により、式（６）で表されるポリマーＢを用いて、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキ液を用いて、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１６]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（７）で表されるポリマーＣを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、更に、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験５と同様の方法により、式（７）で表されるポリマーＣを用いて、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキ液を用いて、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１７]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（９）で表されるポリマーＥを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、更に、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験１１と同様の方法により、式（９）で表されるポリマーＥを用いて、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキ液を用いて、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験１８]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして、式（１０）で表されるポリマーＦを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（２）触媒活性妨害層の形成
　本実験では、ポリマーＡに代えて、式（１０）で表されるポリアミドイミド（東レ株式会社）（ポリマーＦ）を用いた以外は実験１と同様の方法により、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。形成した触媒活性妨害層の厚みを実験１と同様の方法により測定した。触媒活性妨害層の厚みは、約１００ｎｍであった。

　[実験１９]
　本実験では、触媒活性妨害層に含まれるポリマーとして式（１０）で表されるポリマーＦを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、更に、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験１８と同様の方法により、式（１０）で表されるポリマーＦを用いて、基材表面に触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキ液を用いて、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験２０]
　本実験では、基材として板状に成形したポリアミドを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（１）樹脂成形体（基材）の成形
　本実験では、ＰＰＳに代えてポリアミド（ＰＡ）（東洋紡株式会社製、バイロアミド）を用いた以外は実験１と同様の方法により、樹脂成形体を成形した。

（２）触媒活性妨害層の形成、レーザー描画、樹脂成形体（基材）の洗浄、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　実験１と同様の方法により、基材表面にポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行い、次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄した基材に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験２１]
　本実験では、基材として板状に成形したポリアミドを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、更に、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験２０と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＡ）を成形した。次に、実験１と同様の方法により、基材表面にポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキ液を用いて、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験２２]
　本実験では、基材として板状に成形したポリアミドを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（１）樹脂成形体（基材）の成形
　本実験では、ＰＰＳに代えてポリアミド（ＰＡ）（ソルベイジャパン株式会社製、アモデルＡＳ－１５６６ＨＳ）を用いた以外は実験１と同様の方法により、樹脂成形体を成形した。

　[実験２３]
　本実験では、基材として板状に成形したポリアミドを用い、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、更に、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験２２と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＡ）を成形した。次に、実験１と同様の方法により、基材表面にポリマーＡを含む触媒活性妨害層を形成した。触媒活性妨害層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行った。次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキ液を用いて、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験２４]
　本実験では、触媒活性妨害層に代えて、式（８）で表されるポリマーＤを含む樹脂層を基材上に形成し、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行ったこと以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

（２）樹脂層の形成
　本実験では、ポリマーＡに代えて、式（８）で表されるハイパーブランチポリマー（日産化学工業製、ハイパーテック　ＨＰＳ－２００）（ポリマーＤ）を用いた以外は実験１と同様の方法により、基材表面に樹脂層を形成した。ポリマーＤの分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）＝２３，０００であった。形成した樹脂層の厚みを実験１と同様の方法により測定した。樹脂層の厚みは、８０ｎｍであった。

（３）レーザー描画、樹脂成形体（基材）の洗浄、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキ
　樹脂層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行い、次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄した基材に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験２５]
　本実験では、触媒活性妨害層に代えて、式（８）で表されるポリマーＤを含む樹脂層を基材上に形成し、レーザー描画にＣＯ_２レーザー描画装置を用い、更に、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行った以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験２４と同様の方法により、式（８）で表されるポリマーＤを用いて、基材表面に樹脂層を形成した。樹脂層を形成した樹脂成形体に、実験２と同様の方法により、ＣＯ_２レーザー描画装置を用いてレーザー描画を行い、次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄した基材に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与及び無電解メッキをこの順に行った。これにより、基材表面に無電解銅メッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

　[実験２６]
　本実験では、触媒活性妨害層に代えて、式（８）で表されるポリマーＤを含む樹脂層を基材上に形成し、レーザー描画の後に樹脂成形体（基材）の洗浄を行い、更に、メッキ液として無電解ニッケルリンメッキ液を用いた以外は、実験１と同様の方法によりメッキ部品を製造した。

　まず、実験１と同様の方法により、樹脂成形体（ＰＰＳ）を成形した。次に、実験２４と同様の方法により、式（８）で表されるポリマーＤを用いて、基材表面に樹脂層を形成した。樹脂層を形成した成形体に、実験１と同様の方法により、レーザー描画を行い、次に、実験６と同様の方法により、樹脂成形体（基材）の洗浄を行った。洗浄を行った成形体に、実験１と同様の方法により、無電解メッキ触媒の付与を行い、実験３と同様の方法により、無電解ニッケルリンメッキ液を用いて、成形体表面に無電解ニッケルリンメッキ膜を１μｍ成長させた。以上説明した製造方法により、本実験のメッキ部品を得た。

ポリマーＡ

ポリマーＢ

ポリマーＣ

ポリマーＤ

ポリマーＥ

ポリマーＦ

［評価］
　以上説明した実験１～２６において製造したメッキ部品を目視にて観察し、以下の評価基準に従ってメッキ析出性とメッキ選択性を評価した。結果を表１に示す。

＜メッキ析出性の評価基準＞
　　○：レーザー描画部にメッキ膜が成長している。
　　×：レーザー描画部にメッキ膜が成長していない。

＜メッキ選択性の評価基準＞
　　○：レーザー描画部のみにメッキ膜が成長している。
　　△：レーザー描画部以外にも一部メッキ膜が成長している。
　　×：メッキ膜が基材全体に成長している。

（１）実験６～１９及び２４～２６について
　実験６～１９及び２４～２６は、全て、基材にポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）を用い、レーザー光照射後の基板洗浄を行った実験である。実験６～８で用いたポリマーＡ、実験９、１２及び１５で用いたポリマーＢ、実験１０、１３及び１６で用いたポリマーＣ、実験２４～２６で用いたポリマーＤ、実験１１、１４及び１７で用いたポリマーＥ、及び実験１８及び１９で用いたポリマーＦの６種類のポリマーについて、表１に示すメッキ選択性の評価結果に基づき、以下の評価基準に従って総合評価を行った。結果を表２に示す。

＜総合評価の評価基準＞
　　◎：無電解銅メッキ及び無電解ニッケルリンメッキのメッキ選択性が共に○。
　　○：無電解銅メッキのメッキ選択性は○であるが、無電解ニッケルリンメッキのメッキ選択性が×。
　　△：無電解銅メッキのメッキ選択性は△であるが、無電解ニッケルリンメッキのメッキ選択性が×。
　　×：無電解銅メッキ及び無電解ニッケルリンメッキのメッキ選択性が共に×。

　表１及び表２に示すように、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーＡ～Ｃ、Ｅ及びＦを用いて作製したメッキ部品は、無電解銅メッキのメッキ析出性及びメッキ選択性が共に良好であった（総合評価結果：◎～△）。レーザー描画部においては、触媒活性妨害層が除去されたために無電解銅メッキ膜が生成し、一方、それ以外の部分においては、触媒活性妨害層の存在により無電解銅メッキ膜の生成が抑制されたと推測される。この結果から、ポリマーＡ～Ｃ、Ｅ及びＦが触媒活性妨害剤として作用することがわかった。ポリマーＡ～Ｃ、Ｅ及びＦに含まれるアミド基及び／又はアミノ基が、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害したと推測される。

　中でも、側鎖にアミド基を有する分岐ポリマーであるポリマーＡ～Ｃを用いて作製したメッキ部品は、ポリマーＥ及びＦを用いて作製したメッキ部品と比較して、無電解銅メッキのメッキ選択性が良好であった（総合評価結果：◎又は○）。ポリマーＥは、アミノ基を有する分岐ポリマーであり、ポリマーＦは、直鎖にアミド基を有するポリマーである。この結果から、側鎖にアミド基を有する分岐ポリマーであるポリマーＡ～Ｃは、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する効果が高いと推測される。

　更に、ハイパーブランチポリマーであるポリマーＡを用いて作製したメッキ部品は、無電解銅メッキに加えて、無電解ニッケルリンメッキのメッキ選択性も良好であった（総合評価結果：◎）。無電解ニッケルリンメッキ液は、無電解銅メッキ液と比較して還元剤の含有量が多い。このため、無電解ニッケルリンメッキは、無電解銅メッキと比較して無電解メッキ反応が進み易い。このような無電解ニッケルリンメッキにおいても、ポリマーＡは、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する触媒活性妨害剤として十分に作用した。この原因は、以下のように推測される。ポリマーＡは、自由度の高い側鎖部分が多いため、無電解メッキ触媒であるパラジウム（Ｐｄ）に吸着し易く、多座配位子として作用して無電解メッキ触媒（パラジウムイオン）と強固なキレート構造を形成した推測される。これにより、還元剤の含有量が多い無電解ニッケルリンメッキ液中においても、パラジウムイオンの還元が抑制され、この結果、無電解メッキ膜の生成が抑制されたと推測される。

　一方、ポリマーＤ用いて作製したメッキ部品は、無電解銅メッキ及び無電解ニッケルリンメッキ共に、メッキ膜が基材全体に成長してしまい、選択的なメッキ膜が形成できなかった（メッキ析出性：○、メッキ選択性：×、総合評価：×）。この結果から、ポリマーＤは、触媒活性妨害剤として作用しないことがわかった。ポリマーＤは、硫黄を含む基（ジチオカルバメート基）を有するハイパーブランチポリマーである。ジチオカルバメート基は、無電解メッキ触媒を吸着等する傾向があると考えられる。しかし、アミド基及び／又はアミノ基を有さないポリマーＤは、無電解メッキ触媒を強固にトラップすることができず、このため、触媒活性妨害剤として作用しなかったと推測される。

（２）実験１～５について
　実験１～５は、レーザー光照射後の基板洗浄を行っていないこと以外は、それぞれ、実験６～１０と同様の条件で行った実験である。実験１～５におけるメッキ選択性の評価結果は、実験６～１０におけるメッキ選択性の評価結果と比較して、やや劣っている。この結果から、レーザー光照射後の基板洗浄によって、メッキ選択性が向上すると推測される。

（３）実験２０～２３について
　実験２０及び２２は、基材としてポリアミドの樹脂成形体を用いたこと以外、実験６と同様の条件で行った実験であり、実験２１及び２３は、基材としてポリアミドの樹脂成形体を用いたこと以外、実験８と同様の条件で行った実験である。実験２０～２３におけるメッキ選択性の評価結果も、実験６及び８におけるメッキ選択性の評価結果と同様に良好であった。この結果から、ポリアミドの樹脂成形体を用いても選択的なメッキが可能であることが確認できた。

　本発明のメッキ部品の製造方法によれば、様々な材質の基材に対して簡易な製造プロセスにより、所定パターン以外でのメッキ膜の生成を抑制し、所定パターンのみにメッキ膜を形成できる。したがって、本発明は、電気回路を有する電子部品や、三次元回路部品（ＭＩＤ：Ｍｏｌｄｅｄ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ　Ｄｅｖｉｃｅ）の製造に利用できる。

１０　　　　基材
１０ａ　　　触媒活性妨害層除去部分
１０ｂ　　　触媒活性妨害層残存部分
１１　　　　触媒活性妨害層
５０　　　　無電解メッキ用の複合材料
１００　　　メッキ部品

Claims

　メッキ部品の製造方法であって、
　基材の表面に、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む触媒活性妨害層を形成することと、
　前記触媒活性妨害層を形成した前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、
　加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、
　前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含むメッキ部品の製造方法。
　前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させることとの間に、
　更に、前記基材の表面を洗浄することを含む請求項１に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記ポリマーが側鎖を有する分岐ポリマーであることを特徴とする請求項１又は２に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーが、デンドリティックポリマーであることを特徴とする請求項３に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーが、ハイパーブランチポリマーであることを特徴とする請求項４に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーの数平均分子量が３,０００～３０,０００であり、重量平均分子量が１０,０００～３００,０００であることを特徴とする請求項４又は５に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーの側鎖が芳香環を含むことを特徴とする請求項４～６のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーが、更に主鎖を有することを特徴とする請求項３に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーの主鎖が脂肪族であることを特徴とする請求項８に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーの数平均分子量が１，０００～１００，０００であり、重量平均分子量が１，０００～１，０００，０００であることを特徴とする請求項８又は９に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーの側鎖が、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項３～１０のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーの側鎖が、更に、硫黄を含む基を有することを特徴とする請求項１１に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記硫黄を含む基が、スルフィド基又はジチオカルバメート基である請求項１２に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーが、下記式（１）又は下記式（３）で表される分岐ポリマーであることを特徴とする請求項３～１３のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。

　式（１）において、
　Ａ^１は芳香環を含む基であり、Ａ^２は硫黄を含む基又はアミノ基であり、
　Ｒ¹は炭素数が１～５である置換若しくは無置換のアルキレン基、又は単結合であり、Ｒ²及びＲ³は、それぞれ、炭素数が1～１０である置換若しくは無置換のアルキル基又は水素であり、
　ｍ１は１～１０であり、ｎ１は５～１００である。

　式（３）において、
　Ｒ⁴は、炭素数が１～１０である置換若しくは無置換のアルキル基、硫黄を含む基、アミノ基、カルボキシル基、イミド基及びシラン基からなる群から選択される基、又は水素であり、
　Ｒ⁵は、炭素数が１～１０である置換若しくは無置換のアルキル基、又は水素であり、
　ｎ２は、５～１０００である。
　前記分岐ポリマーが、式（１）で表される分岐ポリマーであり、式（１）において、Ａ^１が下記式（２）で表される基であり、Ａ^２がジチオカルバメート基であり、Ｒ¹が単結合であり、Ｒ²が水素であり、Ｒ^３がイソプロピル基であることを特徴とする請求項１４に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記分岐ポリマーが、式（３）で表される分岐ポリマーであり、式（３）において、Ｒ⁴がメチル基又は下記式（４）で表される基であり、Ｒ⁵がイソプロピル基であることを特徴とする請求項１４に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記ポリマーが主鎖を有し、前記主鎖が、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有することを特徴とする請求項１に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記主鎖が、更にイミド基を有することを特徴とする請求項1７に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することにより、前記表面の加熱部分又は光照射部分から、前記触媒活性妨害層を除去することを特徴とする請求項１～１８のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
　前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することが、レーザー光を用いて前記基材表面にレーザー描画することであることを特徴とする請求項１～１９のいずれか一項に記載のメッキ部品の製造方法。
　メッキ部品であって、
　基材と、
　前記基材表面の一部に形成されたメッキ膜と、
　前記基材表面の前記メッキ膜が形成されていない領域に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とするメッキ部品。
　前記基材が、樹脂又は絶縁性の無機材料であることを特徴とする請求項２１に記載のメッキ部品。
　前記メッキ部品が電子部品であることを特徴とする請求項２１又は２２に記載のメッキ部品。
　無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる触媒活性妨害剤であって、
　アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含むことを特徴とする触媒活性妨害剤。
　無電解メッキ用複合材料であって、
　基材と、
　前記基材表面に形成された、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマーを含む樹脂層とを有することを特徴とする複合材料。