JP7299114B2 - 無電解メッキ抑制組成物及びメッキ部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、無電解メッキ抑制組成物及びメッキ部品の製造方法に関する。

近年、三次元成形回路部品（ＭＩＤ：Ｍｏｌｄｅｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）が、スマートフォン等で実用化されており、今後、自動車分野での応用拡大が期待されている。ＭＩＤは、樹脂成形体の表面に金属膜で回路を形成したデバイスであり、製品の軽量化、薄肉化及び部品点数削減に貢献できる。

樹脂成形体等の絶縁性基材の表面に配線パターン（電気回路）を形成する方法として、レーザー光を使用する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。まず、配線パターンを形成したい部分にレーザー光を照射して基材を粗化する。そして、基材全体に無電解メッキ触媒を付与すると、レーザー光照射部分には、他の部分と比較して無電解メッキ触媒が強固に付着する。次に、基材を洗浄すると、レーザー光照射部分のみに無電解メッキ触媒が残り、他の部分の触媒は容易に除去できる。レーザー光照射部分のみに無電解メッキ触媒が付着した基材に無電解メッキを施すことで、レーザー光照射部分、即ち、所定の配線パターンのみにメッキ膜を形成できる。レーザー光を利用した配線パターンの形成方法は、フォトマスク等を製造するコストや手間が省けるため、配線パターンの変更が容易である。

特許第３２２２６６０号公報

しかし、特許文献１で提案されているレーザー光を利用した配線パターン（電気回路）の形成方法では、基材の種類や表面状態によっては、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分、即ち、配線パターン以外の部分にも無電解メッキ膜が生成する場合があった。例えば、無電解メッキ触媒が付着し易いフィラーを含有する基材、表面粗さが大きい基材、空隙を有する基材等は、無電解メッキ触媒が付着し易いため、洗浄しても無電解メッキ触媒が除去できずに残存し易い。また、無電解メッキ触媒の種類や基材の種類によっては、無電解メッキ触媒が基材の内部に浸透する場合があり、基材に浸透した無電解メッキ触媒を洗浄によって除去することは困難であった。このように所定の配線パターン以外の部分に無電解メッキ触媒が残存した基材に無電解メッキを施すと、当然に配線パターン以外の部分に無電解メッキ膜が生成してしまう。したがって、所定のパターン以外の部分において、より確実に、無電解メッキ膜の生成を抑制できる技術が求められていた。

また、近年のＭＩＤ等のメッキ部品においては、ライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）が小さい配線パターン、アンテナパターン等の微細パターンが要求される。このような微細なパターンを無電解メッキで形成するために、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストを明確にできる技術、即ち、高いメッキ選択性が求められている。また、ＭＩＤ等のメッキ部品は、様々な環境下、例えば、多湿環境下において製造される可能性がある。したがって、多湿環境下においても、同様に高いメッキ選択性が求められている。

本発明は、これらの課題を解決するものであり、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制し、多湿環境下においても高いメッキ選択性を示す無電解メッキ抑制組成物を提供する。

本発明の第１の態様に従えば、無電解メッキ抑制組成物であって、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物である触媒活性妨害剤と、蒸気圧が、０．３ｋＰａ～５ｋＰａの第１溶媒と、蒸気圧が５ｋＰａより大きい第２溶媒と、を含む、無電解メッキ抑制組成物が提供される。

前記無電解メッキ抑制組成物中において、第２溶媒の配合量（Ｂ）が第１溶媒の配合量（Ａ）より多くてもよい。前記無電解メッキ抑制組成物中において、第１溶媒の配合量（Ａ）の、第２溶媒の配合量（Ｂ）に対する質量比（Ａ／Ｂ）が、（Ａ／Ｂ）＝３／９７～３０／７０であってもよい。

前記触媒活性妨害剤が第２溶媒に溶解可能であってもよく、前記触媒活性妨害剤の第２溶媒に対する溶解度が１以上であってもよい。前記触媒活性妨害剤の第２溶媒に対する溶解度が、第１溶媒に対する溶解度以上であってもよい。

第１溶媒がトルエン、シクロヘキサノン及びメチルイソブチルケトンからなる群から選択される少なくとも一つであってもよい。第２溶媒がメチルエチルケトン及びテトラヒドロフランの少なくとも一方であってもよい。第１溶媒がトルエンであり、第２溶媒がメチルエチルケトンであってもよい。

前記触媒活性妨害剤がポリマーであってもよい。前記触媒活性妨害剤の重量平均分子量が１，０００～１，０００，０００であってもよい。前記触媒活性妨害剤が、ハイパーブランチポリマーであってもよく、前記ハイパーブランチポリマーがジチオカルバメート基を有してもよい。前記無電解メッキ抑制組成物中において、前記触媒活性妨害剤の配合量が、０．２質量％～５．０質量％であってもよく、０．３質量％～２．０質量％であってもよい。

本発明の第２に態様に従えば、メッキ部品の製造方法であって、基材の表面に、第１の態様の前記無電解メッキ抑制組成物を付与することと、前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することとを含むメッキ部品の製造方法が提供される。

本発明の無電解メッキ抑制組成物は、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制できる。また、多湿環境下においても高いメッキ選択性を示す。

図１は、実施形態のメッキ部品の製造方法を説明するフローチャートである。

［無電解メッキ抑制組成物］
無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤と、第１溶媒及び第２溶媒の混合溶媒とを含む。無電解メッキ抑制組成物は、メッキ部品の製造方法に用いられる。例えば、無電解メッキ抑制組成物は、メッキ部品の製造において、基材の無電解メッキ膜の形成を予定していない部分に付与され、無電解メッキ膜の生成を抑制する。

触媒活性妨害剤（触媒失活剤）は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物である。触媒活性妨害剤は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物であれば特に限定されないが、ポリマーであることが好ましい。触媒活性妨害剤が、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有するポリマー（以下、適宜「アミド基／アミノ基含有ポリマー」と記載する）である場合、その重量平均分子量は、例えば、１０００～１，０００，０００であってもよい。アミド基／アミノ基含有ポリマーは、メッキ部品の製造方法において、様々な種類の基材の表面をポリマー層（以下適宜、「触媒活性妨害層」、又は「妨害層」と記載する）として均一に覆って、そこに留まることができる。これにより、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の生成を抑制できる。この結果、基材の選択の幅が広がる。尚、触媒活性妨害剤の重量平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算で測定できる。

アミド基／アミノ基含有ポリマーは、アミド基のみを有するポリマーであってもよいし、アミノ基のみを有するポリマーであってもよいし、アミド基及びアミノ基の両方を有するポリマーであってもよい。アミド基／アミノ基含有ポリマーは、任意のものを用いることができるが、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる観点からは、アミド基を有するポリマーが好ましく、また、側鎖を有する分岐ポリマーが好ましい。分岐ポリマーにおいては、側鎖がアミド基及びアミノ基の少なくとも一方を含むことが好ましく、側鎖がアミド基を含むことがより好ましい。

アミド基／アミノ基含有ポリマーが無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げるメカニズムは定かではないが、以下のように推測される。アミド基及び／又はアミノ基は、無電解メッキ触媒に吸着、配位、反応等して複合体を形成し、これにより無電解メッキ触媒は、アミド基／アミノ基含有ポリマーにトラップされる。特に、分岐ポリマーの側鎖に含まれるアミド基及び／又はアミノ基は自由度が高く、また、分岐ポリマー１分子中には、多数のアミド基及び／又はアミノ基を含むことができる。このため、分岐ポリマーは、複数のアミド基及び／又はアミノ基により、無電解メッキ触媒を効率的且つ強力にトラップできる。例えば、分岐ポリマーは多座配位子として作用し、複数のアミド基及び／又はアミノ基が無電解メッキ触媒に配位してキレート構造を形成できる。この様にトラップされた無電解メッキ触媒は、触媒活性を発揮できない。例えば、パラジウム等の金属が無電解メッキ触媒として妨害層上に付与されると、分岐ポリマーのアミド基及び／又はアミノ基がパラジウムをパラジウムイオンの状態でトラップする。パラジウムイオンは無電解メッキ液中に含まれる還元剤によって還元されて金属パラジウムとなり、無電解メッキ触媒活性を発揮する。しかし、分岐ポリマーにトラップされたパラジウムイオンは、無電解メッキ液中に含まれる還元剤によっても還元されず、触媒活性を発揮できない。これにより、触媒活性妨害層か形成された基材の表面では、無電解メッキ膜の形成が抑制される。ただし、このメカニズムは推定に過ぎず、本発明はこれに限定されない。

アミド基／アミノ基含有ポリマーに含まれるアミド基は、特に限定されず、１級アミド基、２級アミド基、３級アミド基のいずれであってもよく、アミド基／アミノ基含有ポリマーに含まれるアミノ基は、特に限定されず、１級アミノ基、２級アミノ基、３級アミノ基のいずれであってもよい。これらのアミド基及びアミノ基は、ポリマー内に１種類のみが含まれてもよいし、２種類以上が含まれてもよい。

アミド基／アミノ基含有ポリマーとして分岐ポリマーを用いる場合、無電解メッキ触媒の触媒活性を効率的に妨害する観点から、分岐ポリマーに含まれるアミド基は、２級アミド基であることが好ましく、また、アミド基の窒素には、イソプロピル基が結合していることが好ましい。また、分岐ポリマーに含まれるアミノ基は、１級アミノ基（‐ＮＨ_２）又は２級アミノ基（‐ＮＨ‐）が好ましい。

分岐ポリマーの側鎖は、アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有し、更に硫黄を含む基を有してもよい。硫黄を含む基は、上述のアミド基及びアミノ基と同様に無電解メッキ触媒を吸着等する傾向がある。これにより、分岐ポリマーが無電解メッキ触媒の触媒活性を妨げる効果が促進される。硫黄を含む基は、特に限定されず、例えば、スルフィド基、ジチオカルバメート基、チオシアン基であり、好ましくは、ジチオカルバメート基である。これらの硫黄を含む基は、分岐ポリマーの側鎖に１種類のみが含まれてもよいし、２種類以上が含まれてもよい。

分岐ポリマーは、デンドリティックポリマーであることが好ましい。デンドリティックポリマーとは、頻繁に規則的な分岐を繰り返す分子構造で構成されたポリマーであり、デンドリマーとハイパーブランチポリマーに分類される。デンドリマーは、核となる分子を中心に、規則正しく完全に樹状分岐した構造をもつ、直径数ｎｍの球形のポリマーであり、ハイパーブランチポリマーは、完全な樹状構造をもつデンドリマーとは異なり、不完全な樹状分岐をもつポリマーである。デンドリティックポリマーの中でも、ハイパーブランチポリマーは、比較的合成が容易で且つ安価であるため、本実施形態の分岐ポリマーとして好ましい。

デンドリティックポリマーは、自由度の高い側鎖部分が多いため、無電解メッキ触媒に吸着し易く、効率的に無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害できる。このため、デンドリティックポリマーは、薄膜化しても触媒活性妨害剤として効率よく作用する。また、デンドリティックポリマーの分散液は高濃度でも低粘度であるため、複雑形状の基材に対しても、均一な膜厚の妨害層を形成できる。更に、デンドリティックポリマーは耐熱性が高い。このため、ハンダリフロー耐性を要求されるメッキ部品に好適である。

デンドリティックポリマーは、アミド基及び／又はアミノ基に加えて、基材との親和性が高い官能基を含んでもよい。これにより、基材と触媒活性妨害層との密着性を強められる。基材との親和性が高い官能基は、基材の種類により適宜選択できる。例えば、基材がポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー等の芳香環を有する材料である場合、デンドリティックポリマーは芳香環を含むことが好ましい。基材がガラスである場合、デンドリティックポリマーは、ガラスと親和性の高いシラノール基を含むことが好ましい。

本実施形態のデンドリティックポリマーは、例えば、国際公開第２０１８／１３１４９２号に記載されている下記式（１）で表されるポリマーであることが好ましい。下記式（１）で表されるポリマーは、触媒活性妨害剤として効率よく作用する。

式（１）において、Ａ^１は芳香環を含む基であり、Ａ^２はアミド基を含む基であり、Ａ^３は硫黄を含む基であり、Ｒ^０は、水素又は炭素数１～１０個の置換若しくは無置換の炭化水素基であり、ｍ１は０．５～１１であり、ｎ１は５～１００である。

Ａ^１は、芳香環を含む基であれば、任意のものを用いることができるが、例えば、下記式（２）で表される基であることが好ましい。

Ａ^１が、式（２）で表される基である場合、本実施形態のハイパーブランチポリマーのハイパーブランチ構造は、スチレン骨格を有する。ハイパーブランチ構造がスチレン骨格を有すると、ハイパーブランチポリマーの耐候性、耐熱性が向上する。

ハイパーブランチポリマーは、複数の末端基を有する。上記式（１）で表されるハイパーブランチポリマーの末端基において、Ａ^２は、アミド基を含む基であり、Ａ^３は、硫黄を含む基である。また、ｍ１は、各末端基におけるアミド基を含む基（Ａ^２）の数（繰り返し数）ｍの平均値である。したがって、ｍ１は整数でなくてもよい。本実施形態のハイパーブランチポリマーは、平均値であるｍ１が０．５～１１であればよく、アミド基を含む基（Ａ^２）を有さない末端基を有してもよい。各末端基におけるアミド基を含む基（Ａ^２）の数（繰り返し数）ｍは、例えば、０～１１である。式（１）のｍ１は、分子内におけるアミド基を含む基（Ａ^２）の総数（分子内におけるｍの合計）を末端基の数で除した商である。ｍ１の値は、ＮＭＲ法や元素分析法により定量できる。

上記式（１）において、Ａ^２はアミド基を含む基であれば特に限定されず、また、Ａ^２に含まれるアミド基は、１級アミド基、２級アミド基、３級アミド基のいずれであってもよい。また、Ａ^２は、アミド基を１個含む基であってもよいし、２個以上含む基であってもよい。Ａ^２は下記式（３）で表される基であることが好ましい。Ａ^２が下記式（３）で表される基であると、本実施形態のハイパーブランチポリマーは、金属捕捉能力がより向上する。これにより、無電解メッキ抑制効果がより高まる。

式（３）において、Ｒ^１は炭素数が１～５である置換若しくは無置換のアルキレン基、又は単結合であり、Ｒ^２及びＲ^３は、それぞれ、炭素数が1～１０である置換若しくは無置換のアルキル基又は水素である。また、式（３）において、Ｒ^１は単結合であることが好ましく、Ｒ^２は水素であることが好ましく、Ｒ^３はイソプロピル基であることが好ましい。

上記式（１）において、Ａ^３は、硫黄を含む基であれば特に限定されず、例えば、ジチオカルバメート基、トリチオカーボネート基、スルフィド基、チオシアン基等が挙げられ、中ででも、ジチオカルバメート基であることが好ましい。Ａ^３がジチオカルバメート基であると、本実施形態のハイパーブランチポリマーは、合成が容易となり、また、金属捕捉能力が向上する。更に、Ａ^３は、下記式（４）で表される基であることが好ましい。

式（４）において、Ｒ^４及びＲ^５は、それぞれ、炭素数が１～５である置換若しくは無置換のアルキル基、又は水素である。また、式（４）において、Ｒ^４及びＲ^５はエチル基であることが好ましい。

上記式（１）において、Ｒ^０は、水素又は炭素数１～１０個の置換若しくは無置換の炭化水素基であれば、任意の炭化水素基を用いることができる。上記炭化水素基は、鎖状若しくは環状の飽和脂肪族炭化水素基、鎖状若しくは環状の不飽和脂肪族炭化水素基、又は芳香族炭化水素基であってもよい。Ｒ^０が、置換の炭化水素基である場合の置換基は、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、ビニル基、アリル基、アリール基、アルコキシ基、ハロゲン基、ヒドロキシ基、アミノ基、イミノ基、ニトロ基、シリル基又はエステル基等であってもよい。また、Ｒ^０は、無置換の炭化水素基であってもよく、例えば、ビニル基又はエチル基であってもよい。

本実施形態のハイパーブランチポリマーは、式（１）において、Ｒ^０が異なるハイパーブランチポリマーの混合物であってもよい。例えば、Ｒ^０が不飽和結合を有する場合、ハイパーブランチポリマーの合成過程において、不飽和結合の一部に何らかの付加反応が生じて飽和結合となる場合がある。この場合、上記式（１）において、Ｒ^０が不飽和炭化水素基のハイパーブランチポリマーと、Ｒ^０が飽和炭化水素基のハイパーブランチポリマーとの混合物が得られる。本実施形態のハイパーブランチポリマーは、上記式（１）において、Ｒ^０がビニル基のハイパーブランチポリマーと、Ｒ^０がエチル基のハイパーブランチポリマーとの混合物であってもよい。

本実施形態のハイパーブランチポリマーは、数平均分子量が、３,０００～３０,０００であり、重量平均分子量が、１０,０００～３００,０００であることが好ましく、数平均分子量が、５，０００～３０，０００であり、重量平均分子量が、１４,０００～２００，０００であることがより好ましい。数平均分子量又は重量平均分子量が上記範囲内であれば、無電解メッキ抑制組成物の安定性と、メッキ抑制効果とを両立できる。尚、ハイパーブランチポリマーの重量平均分子量及び数平均分子量は、例えば、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算で測定できる。

本実施形態のハイパーブランチポリマーの合成方法は、特に限定されず、任意の方法により合成できる。例えば、市販のハイパーブランチポリマーを出発物質として、本実施形態のハイパーブランチポリマーを合成してもよい。また、モノマーの合成、モノマーの重合、末端基修飾等を順に行って、本実施形態のハイパーブランチポリマーを合成してもよい。尚、本実施形態のハイパーブランチポリマーの重量平均分子量及び数平均分子量、式（１）中のｍ１及びｎ１は、合成に用いる試薬の比率、合成条件等を任意の方法で調整することにより、所定の範囲内に調整できる。

無電解メッキ抑制組成物中における、触媒活性妨害剤の配合量は、特に限定されないが、無電解メッキ抑制組成物の安定性とメッキ抑制効果とを両立する観点から、上記配合量は、０．２質量％～５．０質量％が好ましく、０．３質量％～２．０質量％がより好ましい。

第１溶媒は、蒸気圧が、０．３ｋＰａ～５ｋＰａであり、第２溶媒は、蒸発圧が５ｋＰａより大きい。

メッキ部品の製造において、本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は基材上に付与され、溶媒が蒸発することにより基材上に触媒活性妨害層が形成される。このとき、溶媒が急激に蒸発すると周囲の空気が冷却され、空気中の水分が凝結して触媒活性妨害層に混入し、白濁が生じる（ブラッシング、白化）。ブラッシングが生じると、触媒活性妨害層が不均一となり、無電解メッキ膜の生成を十分に抑制できなくなる。この結果、メッキ選択性（メッキ膜有無のコントラスト）が低下する。この現象は、空気中の水蒸気量が多いとき、即ち、多湿環境下において顕著である。一方で、溶媒が蒸発し難いと触媒活性妨害層内に溶媒が残存し、乾燥が不十分となる。乾燥が不十分な場合も、触媒活性妨害層が不均一となりメッキ選択性が低下する。特に、ライン・アンド・スペース（Ｌ／Ｓ）が小さい微細な配線パターン、アンテナパターン等においてメッキ選択性が不十分となり、短絡が生じる虞がある。

本実施形態では、蒸気圧の異なる第１溶媒及び第２溶媒を用いることで、全溶媒（第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒）の蒸発速度を制御する。一般に、溶媒（溶剤）を含む組成物から形成される塗膜（湿潤塗膜）の乾燥プロセスは、次の3つの期間を経る。（Ｉ）溶剤が急激に蒸発し始める温度に達するまで塗膜の温度が上昇する湿潤塗膜の材料予熱期間、（ＩＩ）塗膜から溶剤が蒸発することによって塗膜から奪われる蒸発潜熱と、塗膜が周囲から受け取る熱量との釣合いがほぼ取れている恒率乾燥期間、（ＩＩＩ）塗膜中の溶剤がほぼ無くなった後、塗膜が固化し、塗膜の表面温度が上昇して周囲の温度（例えば、乾燥機内雰囲気の温度）に近づいていく減率乾燥期間。そして、塗膜中の溶媒は、（ＩＩ）恒率乾燥期間に主に蒸発する。一般に、蒸気圧が小さい溶媒は蒸発し難く、蒸気圧が大きい溶媒は蒸発し易い。蒸気圧が比較的小さく蒸発し難い第１溶媒と、蒸気圧が比較的大きく蒸発し易い第２溶媒とを混合することで、（ＩＩ）恒率乾燥期間において主に蒸気圧が大きい第２溶媒が蒸発し、その後の（ＩＩＩ）減率乾燥期間において、蒸気圧が小さい第１溶媒が蒸発する。これにより、ブラッシングを抑制しつつ、混合溶媒を十分に蒸発させることができる。この結果、メッキ抑制組成物は、高いメッキ選択性を示すことができる。本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、ブラッシングが発生し易い多湿環境下においても、同様に高いメッキ選択性を示すことができる。

第１溶媒は、第２溶媒よりも蒸気圧が低い。第１溶媒の蒸気圧は、０．３ｋＰａ～５ｋＰａであり、好ましくは、０．５ｋＰａ～５ｋＰａであってもよい。第１溶媒を含むことにより、ブラッシングを抑制できる。第２溶媒は、第１溶媒よりも蒸気圧が高い。第２溶媒の蒸気圧は、５ｋＰａより大きく、好ましくは、１０ｋＰａ以上であってもよい。また、第２溶媒の蒸気圧の上限値は特に限定されないが、例えば、２５ｋＰａ以下、又は２０ｋＰａ以下であってもよい。尚、本願明細書において、各溶媒の蒸気圧は、常温（例えば、２０～２５℃）における平衡蒸気圧を意味する。

第１溶媒としては、例えば、トルエン（２．９ｋＰａ、２０℃）、シクロヘキサノン（０．６ｋＰａ、２５℃）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）（２．１ｋＰａ、２０℃）、グリコールエーテル、イソプロパノール（ＩＰＡ）（４．４ｋＰａ、２５℃）、酢酸ブチル（１．２ｋＰａ、２０℃）等が挙げられる。グリコールエーテルは、２価アルコールのモノエーテル、又はジエーテルであれば、特に限定されず、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ）（０．９ｋＰａ、２０℃）、エチレングリコールモノメチルエーテル（０．８ｋＰａ、２０℃）、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル（０．３ｋＰａ、２０℃）等が挙げられる。中でも、第１溶媒としては、トルエン、シクロヘキサノン、ＭＩＢＫが好ましく、トルエンがより好ましい。これらの溶媒は、単独で用いても２種類以上を混合して用いてもよい。

第２溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）（１０．３ｋＰａ、２５℃）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（１８．９ｋＰａ、２０℃）、アセトン（２４．７ｋＰａ、２０℃）、１，２－ジメトキシエタン（ＤＭＧ）（６．４ｋＰａ、２０℃）等が挙げられ、中でも、ＭＥＫ、ＴＨＦが好ましく、ＭＥＫがより好ましい。これらの溶媒は、単独で用いても２種類以上を混合して用いてもよい。

第１溶媒の溶解性パラメータと、第２溶媒の溶解性パラメータとの差は、小さい方が好ましい。溶解性パラメータの差が小さければ、第１溶媒と第２溶媒とは相溶性が高まる。これにより、均一な触媒活性妨害層を形成でき、メッキ選択性がより向上する。例えば、第１溶媒の溶解性パラメータと、第２溶媒の溶解性パラメータとの差（差の絶対値）は、０．８以下が好ましく、０．４以下がより好ましい。例えば、第１溶媒が、トルエン、シクロヘキサノン、又はＭＩＢＫであり、第２溶媒が、ＭＥＫ又はＴＨＦであることが好ましい。また、第１溶媒がトルエンであり、第２溶媒がＭＥＫであることがより好ましい。

表１に、主な第１及び第２溶媒の蒸気圧と、溶解性パラメータ（ＳＰ値）を示す。

無電解メッキ抑制組成物中において、第２溶媒の配合量（Ｂ）は第１溶媒の配合量（Ａ）より多いことが好ましい（Ｂ＞Ａ）。即ち、第２溶媒が無電解メッキ抑制組成物の主溶媒であることが好ましい。これにより、無電解メッキ抑制組成物の混合溶媒の蒸発を更に促進できる。また、無電解メッキ抑制組成物中において、第１溶媒の配合量（Ａ）の、第２溶媒の配合量（Ｂ）に対する質量比（Ａ／Ｂ）は、（Ａ／Ｂ）＝３／９７～３５／６５であることが好ましく、３／９７～３０／７０であることがより好ましい。質量比（Ａ／Ｂ）を上記範囲の下限値以上とすることでブラッシングをより抑制でき、上記範囲の上限値以下とすることで混合溶媒の蒸発をより促進できる。この結果、より高いメッキ選択性が得られる。

触媒活性妨害剤は、第２溶媒に溶解可能であることが好ましい。上述のように、第２溶媒は無電解メッキ抑制組成物の主溶媒であることが好ましい。触媒活性妨害剤が主溶媒である第２溶媒に溶解することで、均一な触媒活性妨害層を形成でき、この結果、メッキ選択性がより向上する。触媒活性妨害剤の第２溶媒に対する溶解度は高い方が好ましく、例えば、１（ｇ／１００ｇ）以上が好ましく、５（ｇ／１００ｇ）以上がより好ましい。尚、本願明細書において、溶解度とは、２５℃、常圧（例えば、１気圧）における溶媒１００gに溶ける溶質の質量（飽和溶解量）を意味する。触媒活性妨害剤の第２溶媒に対する溶解度を上記値以上とすることで、蒸発し易い第２溶媒が蒸発して触媒活性妨害剤の濃度が上昇しても、触媒活性妨害剤の凝集を抑制できる。この結果、均一な触媒活性妨害層が形成でき、メッキ選択性が更により向上する。

触媒活性妨害剤は、第１溶媒に溶解可能であるか、又は第１溶媒に分散可能であることが好ましい。主に恒率乾燥期間で蒸気圧が相対的大きい第２溶媒の蒸発が進むと、蒸気圧が相対的小さい蒸発し難い第１溶媒の比率が高まる。触媒活性妨害剤が、第１溶媒に溶解可能、又は分散可能であれば、第１溶媒の比率が高まった場合に触媒活性妨害剤の凝集を抑制でき、均一な触媒活性妨害層が形成できる。この結果、メッキ選択性がより向上する。ここで、分散とは、粒子が溶媒中に、一定時間、凝集、沈降等せずに安定に浮遊又は懸濁している状態をいう。例えば、第１溶媒中の触媒活性妨害剤の平均粒子径が２５０ｎｍ未満、好ましくは、１５０ｎｍ未満であるとき、触媒活性妨害剤は第１溶媒に分散していると判断してもよい。尚、第１溶媒中の触媒活性妨害剤の平均粒子径は、汎用の粒度分布測定装置を用いて室温において測定できる。平均粒子径は、例えば、レーザー回折・散乱粒子径分布測定法により求めた体積基準の平均粒子径（算術平均径）であってもよい。

触媒活性妨害剤の第２溶媒に対する溶解度は、第１溶媒に対する溶解度以上であることが好ましく、第１溶媒に対する溶解度より高いことがより好ましい。触媒活性妨害剤の第２溶媒（主溶媒）に対する溶解度が高いことにより、均一な触媒活性妨害層を形成できる。一方で、触媒活性妨害剤の第１溶媒に対する溶解度は、第２溶媒に対する溶解度より低くてもよい。上述のように、第１溶媒の配合量（Ａ）は第２溶媒の配合量（Ｂ）より低くてもよい。このため、触媒活性妨害剤の第１溶媒に対する溶解度が低くとも、第２溶媒に対する溶解度が十分に高ければ、均一な触媒活性妨害層を形成できる。均一な触媒活性妨害層を形成する観点からは、触媒活性妨害剤は、第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒（全溶媒）に溶解可能であることが好ましい。即ち、触媒活性妨害剤は、無電解メッキ抑制組成物中で溶解していることが好ましい。触媒活性妨害剤が溶解していることで、より均一な触媒活性妨害層が形成でき、メッキ選択性がより向上する。

例えば、上述した式（１）で表されるポリマーを触媒活性妨害剤として用いた場合、触媒活性妨害剤は、第１溶媒であるシクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、第２溶媒であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２－ジメトキシエタン（ＤＭＧ）に溶解可能であり、これらの溶媒に対する触媒活性妨害剤の溶解度は、５．０以上である。一方、式（１）で表されるポリマーを触媒活性妨害剤として用いた場合、第１溶媒であるトルエン、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ）に対する触媒活性妨害剤の溶解度は、０．１以下と低いが、これらの溶媒に対して触媒活性妨害剤は分散可能である。

無電解メッキ抑制組成物中における、第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒（全溶媒）の配合量（Ａ＋Ｂ）は、特に限定されないが、例えば、９５質量％～９９．８質量％、又は、９８質量％～９９．７質量％である。

無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤と、第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒（全溶媒）のみから構成されてもよい。また、本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤及び混合溶媒に加えて、界面活性剤、濡れ性調整剤等、汎用の添加剤を含んでもよい。また、本実施形態の効果を阻害しない範囲で、第１及び第２溶媒以外の有機溶剤等を含んでもよい。

本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、汎用の方法により調製できる。例えば、無電解メッキ抑制組成物は、撹拌機、超音波分散機、ミキサー等汎用の装置を用いて、触媒活性妨害剤と、第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒と、必要により、その他の添加剤とを混合して調製できる。

本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、例えば、以下の効果を奏する。無電解メッキ抑制組成物は、触媒活性妨害剤を含む。メッキ部品の製造方法において、基材の無電解メッキ膜の形成を予定していない部分に、本実施形態の無電解メッキ抑制組成物を付与することにより、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制できる。これにより、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストが明確なメッキ部品を製造できる。

また、無電解メッキ抑制組成物は、第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒を用いることで、ブラッシングを抑制しつつ、溶媒（混合溶媒）を十分に蒸発させることができる。この結果、高いメッキ選択性（メッキ膜有無のコントラスト）が得られる。本実施形態の無電解メッキ抑制組成物は、ブラッシングが発生し易い多湿環境下においても、同様に高いメッキ選択性を示す。

［メッキ部品の製造方法］
図１に示すフローチャートに従って、本実施形態のメッキ部品の製造方法について説明する。本実施形態で製造するメッキ部品は、選択的にメッキ膜が形成されたメッキ部品であり、基材の表面の一部（所定パターン、所定部分）に無電解メッキ膜が形成されており、それ以外の部分には無電解メッキ膜が形成されていない。

まず、基材の表面に、上述した本実施形態の無電解メッキ抑制組成物を付与する（図１のステップＳ１）。基材上に付与された無電解メッキ抑制組成物から溶媒（混合溶媒）が蒸発することにより、基材上に触媒活性妨害層が形成される。

基材の材料は特に限定されないが、表面に無電解メッキ膜を形成する観点から絶縁体が好ましく、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、セラミックス及びガラス等を用いることができる。中でも、成形の容易性から、基材は、樹脂から形成される樹脂基材が好ましい。

熱可塑性樹脂としては、ナイロン６（ＰＡ６）、ナイロン６６（ＰＡ６６）、ナイロン１２（ＰＡ１２）、ナイロン１１（ＰＡ１１）、ナイロン６Ｔ（ＰＡ６Ｔ）、ナイロン９Ｔ（ＰＡ９Ｔ）、１０Ｔナイロン、１１Ｔナイロン、ナイロンＭＸＤ６（ＰＡＭＸＤ６）、ナイロン９Ｔ・６Ｔ共重合体、ナイロン６・６６共重合体等のポリアミドを用いることができる。ポリアミド以外の樹脂としては、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート（ＰＣ）、アモルファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、ＡＢＳ樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド、ポリ乳酸、ポリカプロラクトン、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、シクロオレフィンポリマー等を用いることができる。中でも、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ナイロン６（ＰＡ６）は、汎用性が高いため、基材の材料として好ましい。尚、これらの熱可塑性樹脂は、単独で用いてもよいし、２種類以上を混合して用いてもよい。

熱硬化性樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂等を用いることができる。透明な熱硬化性樹脂を用いることで、透明でハンダリフロー耐性を有するデバイス（メッキ部品）を製造できる。光硬化性樹脂としては、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等を用いることができる。また、セラミックスとしては、アルミナ、窒化アルミ、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸バリウム、シリコンウエハ等を用いることができる。

本実施形態で用いる基材は、市販品であってもよいし、市販の材料から成形等により製造してもよい。また、本実施形態で用いる基材は、内部に発泡セルを有する発泡成形体であってもよい。

基材上に付与された無電解メッキ抑制組成物は、基材上で触媒活性妨害層（妨害層）を形成することが好ましい。妨害層は、基材の耐熱性等の物性や誘電率等の電気特性に影響を与えないように、薄い方が好ましい。妨害層の厚みは、例えば、５０００ｎｍ以下が好ましく、１０００ｎｍ以下がより好ましく、３００ｎｍ以下が更により好ましい。一方で、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する観点からは、例えば、１０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましく、５０ｎｍ以上が更により好ましい。尚、所定パターン以外での無電解メッキ膜の生成を抑制する観点から、妨害層は、後述する無電解メッキ工程において、少なくとも無電解メッキ液と接触する基材表面の領域に形成することが好ましく、基材の表面全面に形成することがより好ましい。

基材の表面に妨害層を形成する方法は、特に限定されない。例えば、無電解メッキ抑制組成物を基材に塗布してもよいし、無電解メッキ抑制組成物に基材を浸漬してもよい。具体的な形成方法としては、ディップコート、スクリーンコート、スプレーコート等が挙げられる。中でも、形成される妨害層の均一性と作業の簡便性の観点から、無電解メッキ抑制組成物に基材を浸漬する方法（ディップコート）が好ましい。

無電解メッキ抑制組成物に基材を浸漬するときの無電解メッキ抑制組成物の温度及び浸漬時間は特に限定されず、触媒活性妨害剤の種類、形成される妨害層の膜厚等を考慮して適宜決定できる。無電解メッキ抑制組成物の温度は、例えば、０℃～１００℃、又は１０℃～５０℃であり、浸漬時間は、例えば、１秒～１０分、又は５秒～２分である。

次に、無電解メッキ抑制組成物を付与した基材の表面の一部を加熱又は光照射する（図１のステップＳ２）。光を照射する方法は、特に限定されず、例えば、レーザー光を基材の表面に所定パターンに従って照射する方法（レーザー描画）や、光を照射しない部分をマスクした後に、基材の表面全体に光を照射する方法等が挙げられる。基材の表面の一部に光を照射することにより、光が熱に変換され、基材の表面は加熱されると推測される。また、基材の表面に光を照射せずに基材の表面を加熱する方法としては、凸部によりパターンが形成された簡易金型等で基材の表面を直接、熱プレスする方法が挙げられる。作業の簡便性及び加熱部分の選択性に優れていること、更に、パターンの変更及び微細化が容易であることから、レーザー描画により基材を加熱することが好ましい。

レーザー光は、例えば、ＣＯ_２レーザー、ＹＶＯ_４レーザー、ＹＡＧレーザー等のレーザー装置を用いて照射でき、これらのレーザー装置は、妨害層に用いる触媒活性妨害剤の種類に応じて適宜選択できる。

加熱又は光照射された基材の表面の一部（加熱部分）において、妨害層は除去される。ここで、「妨害層の除去」とは、例えば、加熱部分の妨害層が、蒸発により消失することを意味する。妨害層が付与された基材の表面に、所定パターンのレーザー描画を行うことにより、所定パターンの妨害層除去部分と、妨害層が残存している妨害層残存部分とを形成できる。尚、加熱部分である妨害層除去部分では、妨害層と共に基材の表層部分が蒸発して消失してもよい。また、「妨害層の除去」とは、妨害層が完全に消失するだけでなく、後工程の無電解メッキ処理の進行に影響がない程度に妨害層が残存する場合も含む。妨害層が残存していても、後工程の無電解メッキ処理に影響なければ、無電解メッキ触媒の触媒活性を妨害する作用が消失したことになる。更に、本実施形態では、妨害層の加熱部分が変性又は変質して妨害層として作用しなくなる場合も、「妨害層の除去」に含める。例えば、触媒活性妨害剤がアミド基／アミノ基含有ポリマーである場合、アミド基及び／又はアミノ基が変性又は変質し、その結果、アミド基／アミノ基含有ポリマーが無電解メッキ触媒をトラップできない場合が挙げられる。この場合、妨害層の加熱部分は完全に消失するのではなく、変性物（変質物）が残存する。この変性物は、触媒活性を妨害しない。このため、妨害層が変性又は変質した部分も、妨害層が消失した妨害層除去部分と同様の作用を生じる。

次に、加熱又は光照射した基材の表面に無電解メッキ触媒を付与する（図１のステップＳ３）。無電解メッキ触媒を基材の表面に付与する方法は、特に限定されない。例えば、センシタイザー・アクチベータ法、キャタライザー・アクセラレータ法等、汎用の方法により、無電解メッキ触媒を基材に付与してもよい。また、例えば、特開２０１７－０３６４８６号公報に開示されている塩化パラジウム等の金属塩を含むメッキ触媒液を用いて、基材の表面に無電解メッキ触媒を付与してもよい。尚、金属塩を含むメッキ触媒液としては、市販のアクチベータ処理液を用いてもよい。

次に、基材の表面に無電解メッキ液を接触させる（図１のステップＳ４）。基材表面には、妨害層が残存している妨害層残存部分と、加熱等により妨害層が除去された、所定パターンの妨害層除去部分が存在する。この基材表面に無電解メッキ触媒を付与して、無電解メッキ液を接触させることにより、所定パターンの妨害層除去部分のみに、無電解メッキ膜を形成できる。

無電解メッキ液としては、目的に応じて任意の汎用の無電解メッキ液を使用しできるが、触媒活性が高く液が安定であるという点から、無電解ニッケルリンメッキ液、無電解銅メッキ液、無電解ニッケルメッキ液が好ましい。

無電解メッキ膜上には、更に、異なる種類の無電解メッキ膜を形成してもよいし、電解メッキにより電解メッキ膜を形成してもよい。基材上のメッキ膜の総厚みを厚くすることにより、所定パターンのメッキ膜を電気回路として用いた場合に電気抵抗を小さくできる。メッキ膜の電気抵抗を下げる観点から、無電解メッキ膜上に積層するメッキ膜は、無電解銅メッキ膜、電解銅メッキ膜、電解ニッケルメッキ膜等が好ましい。また、電気的に孤立した回路には電解メッキを行えないため、このような場合は、無電解メッキにより、基材上のメッキ膜の総厚みを厚くすることが好ましい。また、ハンダリフローに対応できるようメッキ膜パターンのハンダ濡れ性を向上させるために、錫、金、銀等のメッキ膜をメッキ膜パターンの最表面に形成してもよい。

本実施形態のメッキ部品の製造方法は、無電解メッキ抑制組成物を用いることにより、基材の種類、形状及び状態に依存せずに、無電解メッキ膜の形成を予定していない部分での無電解メッキ膜の生成を抑制できる。本実施形態のメッキ部品の製造方法は、メッキ膜を有する部分と、メッキ膜を有さない部分とのコントラストが明確なメッキ部品を製造できる。

また、本実施形態のメッキ部品の製造方法は、無電解メッキ抑制組成物が第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒を含むことで、溶媒の蒸発過程において、ブラッシングを抑制しつつ、溶媒（混合溶媒）を十分に蒸発させることができる。この結果、例えば、ブラッシングが発生し易い多湿環境下においても、高いメッキ選択性（メッキ膜有無のコントラスト）が得られる。

尚、上述したメッキ部品の製造方法では、基材に無電解メッキ抑制組成物を付与し（図１のステップＳ１）、その後、基材の表面の一部を加熱又は光照射する（図１のステップＳ２）。しかし、本実施形態は、これに限定されず、基材の表面の一部を加熱又は光照射し（図１のステップＳ２）、その後、基材に無電解メッキ抑制組成物を付与してもよい。例えば、レーザー描画（光照射）した基材の表面は粗化されるため、その上に無電解メッキ抑制組成物を付与しても、無電解メッキを抑制するのに十分な妨害層が形成されない。このため、レーザー描画部分にのみ、選択的にメッキ膜を形成できる。

以下、実施例及び比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例及び比較例により制限されない。

以下に説明する方法により、試料１～１５（無電解メッキ抑制組成物）を調製した。試料１～１５の組成を表２及び３に示す。尚、試料２～９及び１１～１５の無電解メッキ抑制組成物は本発明の実施例に相当し、試料１及び１０は本発明の比較例に相当する。

［試料１］
触媒活性妨害剤として、下記式（５）で表されるハイパーブランチポリマーを、国際公開第２０１８／１３１４９２号に開示される方法により合成した。

式（５）で表されるハイパーブランチポリマーは、式（１）で表されるポリマーであり、式（１）において、Ａ^１が式（２）で表される基であり；Ａ^２が式（３）で表される基であって、Ｒ¹が単結合であり、Ｒ²が水素であり、Ｒ^３がイソプロピル基であり；Ａ^３が式（４）で表されるジチオカルバメート基であり、Ｒ^４及びＲ^５がエチル基であり、Ｒ^０がビニル基又はエチル基である。

合成したハイパーブランチポリマーの分子量をＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）で測定した。分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）＝９,９４６、重量平均分子量（Ｍｗ）＝２４,７９２であり、ハイパーブランチ構造独特の数平均分子量（Ｍｎ）と重量平均分子量（Ｍｗ）とが大きく異なった値であった。

合成した式（５）で表されるハイパーブランチポリマーと、第２溶媒（ＭＥＫ）とを表２に示す組成比率で混合し、試料１（無電解メッキ抑制組成物）を調製した。

［試料２～９］
試料２～９は、第２溶媒（ＭＥＫ）に加えて第１溶媒（トルエン）を含むこと以外は、試料１と同様の方法により調製した。試料２～９中において、第１溶媒の配合量（Ａ）の、第２溶媒の配合量（Ｂ）に対する質量比（Ａ／Ｂ）は、表２に示す値とした。

［試料１０］
試料１０は、第２溶媒（ＭＥＫ）を含まず、代わりに第１溶媒（トルエン）を含むこと以外は、試料１と同様の方法により調製した。

［試料１１～１４］
試料１１～１４は、第２溶媒（ＭＥＫ）に加えて第１溶媒を含むこと以外は、試料１と同様の方法により調製した。試料１１～１４では、第１溶媒として表３に示す化合物を用い、第１溶媒の配合量（Ａ）の、第２溶媒の配合量（Ｂ）に対する質量比（Ａ／Ｂ）は表３に示す値とした。

［試料１５］
試料１５は、第２溶媒としてＭＥＫに変えてＴＨＦを用い、更に第２溶媒に加えて第１溶媒（トルエン）を含むこと以外は、試料１と同様の方法により調製した。試料１５では、第１溶媒の配合量（Ａ）の、第２溶媒の配合量（Ｂ）に対する質量比（Ａ／Ｂ）は表３に示す値とした。

以上説明した試料１～１５に用いた第１及び第２溶媒に対する、触媒活性妨害剤の溶解度を表２及び表３に併せて示す。第１溶媒として用いたシクロヘキサノン、ＭＩＢＫ、第２溶媒として用いたＭＥＫ及びＴＨＦに対して、触媒活性妨害剤は溶解可能であった。これらの溶媒に対する触媒活性妨害剤の溶解度は、５．０以上であった。一方、第１溶媒であるトルエン、ＰＧＭ、ＩＰＡに対する触媒活性妨害剤の溶解度は、０．１以下と低かったが、ＩＰＡ以外の溶媒、即ち、トルエン及びＰＧＭに対して触媒活性妨害剤は分散可能であった（第１溶媒中の触媒活性妨害剤の平均粒子径が２５０ｎｍ未満）。

［評価方法］
試料１～１５について、以下の評価を行った。評価結果を表２及び３に示す。

（１）ブラッシング（白化）評価
試料１～１５それぞれをディップコーターにより板状のガラス基材（松浪硝子工業社製、大型スライド白縁磨Ｎｏ．２）に温度：２５℃、湿度：８０％の多湿環境下で塗布し（ディップコート）、温度：８０℃で５分間乾燥させ、膜厚約１００ｎｍの触媒活性妨害層をカラス基材上に形成した。触媒活性妨害層を目視により観察し、以下の価基準に基づいてブラッシングを評価した。

＜ブラッシングの評価基準＞
○：目視でブラッシングが認められなかった。
×：目視でブラッシングが認められた。

（２）ヘイズ値の測定
ブラッシング評価で形成した、試料１～１５の触媒活性妨害層それぞれのヘイズ値をヘイズメーター（日本電色工業社製、ＮＤＨ２０００）を用いて測定した。尚、ヘイズ値は、その値が小さい程、触媒活性妨害層において光散乱が生じていない（曇っていない）ことを示す。即ち、ヘイズ値が小さい程、触媒活性妨害層において、ブラッシング及び触媒活性妨害剤の凝集が生じておらず、均一な層が形成されていると判断できる。

（３）無電解メッキ選択性の評価
まず、汎用の射出成形機を用いてポリフェニレンサルファイド（帝人株式会社製、ガラス繊維強化ＰＰＳ １０４０Ｇ、黒色）を５ｃｍ×８ｃｍ×０．２ｃｍの板状体に成形した。この板状体を基材として用いた。試料１～１５それぞれを、温度：２５℃、湿度：８０％の多湿環境下で基材に塗布し（ディップコート）、温度：８０℃で５分間乾燥させた。これにより、膜厚約１００ｎｍの触媒活性妨害層を基材上に形成した。

触媒活性妨害層を形成した基材にＹＶＯ_４レーザー（キーエンス製、ＭＤ－Ｖ９９２９ＷＡ、波長１０６４ｎｍ）を用いて、下記の配線パターンＡ及びＢをレーザー描画した。レーザー描画時のパワーは８０％、周波数は４０ｋＨｚ，線速度は６００ｍｍ／ｓとした。

配線パターンＡ（Ｌ／Ｓ＝０．５ｍｍ／０．５ｍｍ）：０．１ｍｍピッチの格子パターンによって形成されたライン（０．５ｍｍ×５ｍｍ）をスペース０．５ｍｍにて５本描画。

配線パターンＢ（Ｌ／Ｓ＝０．２ｍｍ／０．２ｍｍ）：０．０５ｍｍピッチの格子パターンによって形成されたライン（０．２ｍｍ×５ｍｍ）をスペース０．２ｍｍにて５本描画。

レーザー描画した基材に、市販の無電解メッキ用触媒液（奥野製薬工業製、センシタイザー、アクチベータ）を用い汎用の方法により、無電解メッキ触媒を付与した（センシタイザー・アクチベータ法）。次に、無電解メッキ触媒を付与した基材を６０℃に調整した無電解ニッケルリンメッキ液（奥野製薬工業製、トップニコロンＬＰＨ－Ｌ、ｐＨ６．５）に１０分間浸漬した。これにより、試料１～１５それぞれを用いて作製したメッキ部品を得た。

作製したメッキ部品それぞれの表面を目視およびマイクロスコープ顕微鏡にて観察し、以下の評価基準に従って無電解メッキの選択性を評価した。

＜無電解メッキ選択性の評価基準＞
○：配線パターンＡ及びＢ両方において、隣接する配線間の短絡（繋がり）が無かった。
△：配線パターンＡ（Ｌ／Ｓ＝０．５ｍｍ／０．５ｍｍ）では、配線間の短絡（繋がり）が無いが、配線パターンＢ（Ｌ／Ｓ＝０．２ｍｍ／０．２ｍｍ）では、一部の隣接する配線間に短絡が認められた。
×：配線パターンＡ及びＢ両方において、一部の隣接する配線間に短絡（繋がり）が認められた。

表２及び３に示すように、試料２～９及び１１～１５（無電解メッキ抑制組成物）は、いずれも、多湿環境下での触媒活性妨害層の形成においてブラッシングが生じず、高いメッキ選択性（メッキ膜有無のコントラスト）を示した（評価結果：〇又は△）。また、試料２～９及び１１～１５の触媒活性妨害層のヘイズ値は、２．０％以下と低かった。これから、試料２～９及び１１～１５の触媒活性妨害層は、ブラッシング及び触媒活性妨害剤の凝集が生じておらず、均一であると判断できる。

中でも、質量比（Ａ／Ｂ）＝３／９７～３０／７０を満たす試料２～８及び１１～１５は、より高いメッキ選択性を示した（評価結果：〇）。試料２～８及び１１～１５と比較して、試料９のメッキ選択性がやや低い（評価結果：△）原因は、質量比（Ａ／Ｂ）がやや高いため（（Ａ／Ｂ）＝３５／６５）、混合溶媒の乾燥が不十分となり触媒活性妨害層が不均一となったためと推測される。

尚、試料２～９及び１１～１５では第２溶媒が主溶媒であり、第２溶媒に対する触媒活性妨害剤の溶解度は５．０（ｇ／１００ｇ）以上であった。試料２～９及び１１～１５において、触媒活性妨害剤は第１溶媒と第２溶媒との混合溶媒中に溶解していた。

一方、第１溶媒を含まない試料１では、ブラッシングが生じ、この結果、メッキ選択性が低下した。試料１の触媒活性妨害層のヘイズ値が高い原因は、ブラッシング（白化）である。また、第２溶媒を含まない試料１０では、ブラッシングは生じなかったが、メッキ選択性が低かった。この原因は、第２溶媒を含まないため溶媒の乾燥が不十分だったためと推測される。試料１０の触媒活性妨害層は、ブラッシングが生じていないがヘイズ値が高かった。この原因は、触媒活性妨害層中で触媒活性妨害剤が分散しているためである。

本発明の無電解メッキ抑制組成物は、高いメッキ選択性を示す。このため、スマートフォン、自動車分野等で用いられるＭＩＤ等のメッキ部品の製造に利用可能である。

Claims (16)

1. 無電解メッキ抑制組成物であって、
   アミド基及びアミノ基の少なくとも一方を有する化合物である触媒活性妨害剤と、
   蒸気圧が、０．３ｋＰａ～５ｋＰａの第１溶媒と、
   蒸気圧が５ｋＰａより大きい第２溶媒と、を含み、
   前記蒸気圧は、常温（２０～２５℃）における蒸気圧である、無電解メッキ抑制組成物。
2. 前記無電解メッキ抑制組成物中において、第２溶媒の配合量（Ｂ）が第１溶媒の配合量（Ａ）より多い、請求項１に記載の無電解メッキ抑制組成物。
3. 前記無電解メッキ抑制組成物中において、第１溶媒の配合量（Ａ）の、第２溶媒の配合量（Ｂ）に対する質量比（Ａ／Ｂ）が、（Ａ／Ｂ）＝３／９７～３０／７０である、請求項２に記載の無電解メッキ抑制組成物。
4. 前記触媒活性妨害剤が第２溶媒に溶解可能である、請求項１～３のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。
5. 前記触媒活性妨害剤の第２溶媒に対する２５℃における溶解度が１（ｇ／１００ｇ）以上である、請求項４に記載の無電解メッキ抑制組成物。
6. 前記触媒活性妨害剤の第２溶媒に対する溶解度が、第１溶媒に対する溶解度以上である、請求項１～５のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。
7. 第１溶媒がトルエン、シクロヘキサノン及びメチルイソブチルケトンからなる群から選択される少なくとも一つである、請求項１～６のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。
8. 第２溶媒がメチルエチルケトン及びテトラヒドロフランの少なくとも一方である、請求項１～７のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。
9. 第１溶媒がトルエンであり、第２溶媒がメチルエチルケトンである、請求項１～８のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。
10. 前記触媒活性妨害剤がポリマーである、請求項1～９のいずれか一項に記載の無電解メ
    ッキ抑制組成物。
11. 前記触媒活性妨害剤の重量平均分子量が１，０００～１，０００，０００である、請求項１０に記載の無電解メッキ抑制組成物。
12. 前記触媒活性妨害剤が、ハイパーブランチポリマーである、請求項１０又は１１に記載の無電解メッキ抑制組成物。
13. 前記ハイパーブランチポリマーがジチオカルバメート基を有する、請求項１２に記載の無電解メッキ抑制組成物。
14. 前記無電解メッキ抑制組成物中において、前記触媒活性妨害剤の配合量が、０．２質量％～５．０質量％である、請求項１～１３のいずれか一項に記載の無電解メッキ抑制組成物。
15. 前記無電解メッキ抑制組成物中において、前記触媒活性妨害剤の配合量が、０．３質量％～２．０質量％である、請求項１４に記載の無電解メッキ抑制組成物。
16. メッキ部品の製造方法であって、
    基材の表面に、請求項１～１５のいずれか一項に記載の前記無電解メッキ抑制組成物を付与することと、
    前記基材の表面の一部を加熱又は光照射することと、
    加熱又は光照射した前記基材の表面に無電解メッキ触媒を付与することと、
    前記無電解メッキ触媒を付与した前記基材の表面に無電解メッキ液を接触させ、前記表面の加熱部分又は光照射部分に無電解メッキ膜を形成することと、を含むメッキ部品の製造方法。

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