CN111979533B - 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 - Google Patents
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- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 title claims abstract description 189
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 131
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 title description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 title description 17
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 252
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 205
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 92
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 claims abstract description 83
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims abstract description 81
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 148
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 148
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 105
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229920000587 hyperbranched polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 10
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims description 9
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 3
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 150000004659 dithiocarbamates Chemical group 0.000 claims 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 171
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract description 36
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 259
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 201
- 239000010408 film Substances 0.000 description 103
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 82
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 36
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 31
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 31
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 23
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 22
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 20
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 17
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 17
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 15
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 15
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 15
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 11
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical group NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 8
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001408 amides Chemical group 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 5
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 5
- NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N (2s)-2-[[4-[2-(2,4-diaminoquinazolin-6-yl)ethyl]benzoyl]amino]-4-methylidenepentanedioic acid Chemical compound C1=CC2=NC(N)=NC(N)=C2C=C1CCC1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CC(=C)C(O)=O)C(O)=O)C=C1 NAWXUBYGYWOOIX-SFHVURJKSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 4
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229920006111 poly(hexamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2,2'-azo-bis-isobutyronitrile Substances N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004956 Amodel Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229930192627 Naphthoquinone Natural products 0.000 description 2
- 229920000571 Nylon 11 Polymers 0.000 description 2
- 229920000299 Nylon 12 Polymers 0.000 description 2
- 229920002292 Nylon 6 Polymers 0.000 description 2
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 2
- 229920000007 Nylon MXD6 Polymers 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical group [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 2
- 239000004088 foaming agent Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)NC(=O)C=C QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006119 nylon 10T Polymers 0.000 description 2
- MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N palladium(2+) Chemical compound [Pd+2] MUJIDPITZJWBSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006128 poly(nonamethylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 125000003156 secondary amide group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006942 ABS/PC Polymers 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N Laurolactam Chemical compound O=C1CCCCCCCCCCCN1 JHWNWJKBPDFINM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229920000577 Nylon 6/66 Polymers 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003776 Reny® Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229920003233 aromatic nylon Polymers 0.000 description 1
- TZYHIGCKINZLPD-UHFFFAOYSA-N azepan-2-one;hexane-1,6-diamine;hexanedioic acid Chemical compound NCCCCCCN.O=C1CCCCCN1.OC(=O)CCCCC(O)=O TZYHIGCKINZLPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 239000013527 degreasing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005237 degreasing agent Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010097 foam moulding Methods 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005457 ice water Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002094 inorganic tetrachloropalladate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L palladium(ii) acetate Chemical compound [Pd+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O YJVFFLUZDVXJQI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- JKDRQYIYVJVOPF-FDGPNNRMSA-L palladium(ii) acetylacetonate Chemical compound [Pd+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O JKDRQYIYVJVOPF-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003213 poly(N-isopropyl acrylamide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 description 1
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 125000001749 primary amide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- ABKQFSYGIHQQLS-UHFFFAOYSA-J sodium tetrachloropalladate Chemical compound [Na+].[Na+].Cl[Pd+2](Cl)(Cl)Cl ABKQFSYGIHQQLS-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012265 solid product Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 125000003142 tertiary amide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001302 tertiary amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000005031 thiocyano group Chemical group S(C#N)* 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
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Abstract
本发明提供镀覆部件的制造方法,其能够通过简易的制造工艺,抑制在规定图案以外的镀膜的生成,仅在规定图案上形成镀膜。所述镀覆部件的制造方法包括:在基材的表面形成包含侧链具有酰胺基和氨基中的至少一者的支链聚合物的催化活性妨碍层;将形成了上述催化活性妨碍层的上述基材的表面的一部分进行加热或光照射,形成妨碍层除去部分和妨碍层残存部分;在进行了加热或光照射的上述基材的表面赋予无电解镀催化剂;使无电解镀液与赋予了上述无电解镀催化剂的上述基材的表面接触,在上述妨碍层除去部分形成无电解镀膜。
Description
本发明是申请号为201780013684.0(国际申请号为PCT/JP2017/005177)、申请日为2017年2月13日、发明名称为“镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料”的发明申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及选择性地形成镀膜的镀覆部件的制造方法、镀覆部件以及催化活性妨碍剂。
背景技术
近年来,在注射成型体等的表面形成电路的立体电路成型部件被称为模塑互联器件(Molded Interconnect Device,MID),其应用范围正在迅速扩大。MID可以在小型且复杂形状的成型体的表面形成电路,因此与电子部件的轻薄短小的趋势一致。例如,中国正在大量生产在智能电话的壳体的表面形成了天线等的小型部件。此外,即使在汽车领域,MID在传感器、照明部件中的应用也正在以欧洲为中心被积极地研究。此外,汽车中,现在使用着大量的电缆束(线束)。通过将该电缆束置换为MID,从而可以期待轻量化和组装工序数减少所带来的成本降低。
作为在树脂成型体等绝缘性基材的表面形成配线图案(电路)的方法,例如,提出了以下所说明的方法。首先,在基材的表面整体形成金属层。接下来,将形成的金属层利用光致抗蚀剂进行图案化,然后,通过蚀刻来除去配线图案以外的部分的金属层。由此,可以由残留在基材表面的金属层形成配线图案。
此外,作为不使用光致抗蚀剂的配线图案(电路)的形成方法,提出了使用激光的方法(例如,专利文献1)。首先,对于要形成配线图案的部分照射激光来将基材粗化。然后,如果对基材整体赋予无电解镀催化剂,则与其它部分相比,无电解镀催化剂牢固地附着于激光照射部分。接下来,如果将基材进行洗涤,则仅在激光照射部分残留无电解镀催化剂,其它部分的催化剂可以容易除去。通过对于仅在激光照射部分附着有无电解镀催化剂的基材实施无电解镀,从而可以仅在激光照射部分,即,规定的配线图案上形成镀膜。利用了激光的配线图案的形成方法节省制造光掩模等的成本、功夫,因此配线图案的变更是容易的。
此外,作为其它配线图案(电路)的形成方法,激光直接成型(Laser DirectStructuring,LDS)法已实用化(例如,非专利文献1、专利文献2)。在LDS法中,首先,将铜配位化合物揉进至热塑性树脂而进行注射成型,对于含有该铜配位化合物的成型体表面进行激光描绘。通过激光照射,铜配位化合物金属化而表现出无电解铜镀的催化活性,激光描绘部的镀覆成为可能。LDS法能够制造在复杂的形状的注射成型体的表面形成电路的立体电路成型部件(MID),在智能电话、汽车的制造中正在普及。
还提出了与LDS法那样的将催化剂揉进至成型体中的方法不同的方法(例如,专利文献3)。专利文献3中公开了,使用短波长的飞秒激光对成型体表面赋予官能团的方法。由于成型体表面具有极性基团,因此表现出与镀膜的化学的粘接强度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特许第3222660号公报
专利文献2:欧洲专利第1274288号公报
专利文献3:日本特开2012-136769号公报
非专利文献
非专利文献1:Wolfgang John,“减少生产成本的三维组件”,日本工业激光解决方案(Industrial Laser Solutions Japan),株式会社ex-press,2011年9月号,p.18-22
发明内容
发明所要解决的课题
然而,专利文献1所提出的利用了激光的配线图案(电路)的形成方法中,根据基材的种类、表面状态,有时在激光照射部分以外也会牢固地附无电解镀催化剂,通过洗涤也不能除去。例如,对于含有无电解镀催化剂易于附着的填料的基材、表面粗糙度大的基材、具有空隙的基材等而言,无电解镀催化剂易于附着,因此即使洗涤,也容易残存无电解镀催化剂。此外,根据无电解镀催化剂的种类、基材的种类,有时无电解镀催化剂会渗透至基材的内部,难以通过洗涤来除去渗透至基材的无电解镀催化剂。而且,如果对于这样在规定的配线图案以外的部分残存有无电解镀催化剂的基材实施无电解镀,则当然会在配线图案以外的部分生成无电解镀膜,从而成为问题。
此外,LDS法需要开发专用树脂,存在树脂材料的成本大幅增大的问题。而且由于树脂因将大量铜配位化合物揉进至树脂而着色,因此难以适用于透明树脂。此外,在应用于片状的薄壁成型体等的情况下,需要使用专用树脂,因此难以进行少量多品种的量产。此外,如果要将LDS法应用于汽车的电缆束的代替部件等大型部件的制造,则产生以下那样的问题。首先,消耗的专用树脂材料增多,因此成本上升。而且,需要将激光装置大型化,在量产时会成为问题。进一步,由于配线图案彼此在同一基板上相邻,因此还担心配线图案间的绝缘性。
另一方面,专利文献3中研究了,不使用特殊的树脂材料来选择性地镀覆成型体表面。然而,仅通过激光描绘,描绘部与描绘部以外的部分的成型体的表面特性难以形成明确的对比,可认为通过专利文献3的方法难以稳定地进行选择性的镀覆。此外,专利文献3的方法需要昂贵的短波长激光加工机,这一情况阻碍了该方法的普及。
本发明是解决这些课题的发明,提供一种不易依赖于基材的种类、形状和状态,能够通过简易的制造工艺而抑制在规定图案以外的无电解镀膜的生成,仅在规定图案上形成无电解镀膜的镀覆部件的制造方法。
用于解决课题的方法
根据本发明的第1方式,提供一种镀覆部件的制造方法,其包括:在基材的表面形成包含具有酰胺基和氨基中的至少一者的聚合物的催化活性妨碍层,将形成了上述催化活性妨碍层的上述基材的表面的一部分进行加热或光照射,在进行了加热或光照射的上述基材的表面赋予无电解镀催化剂,以及使无电解镀液与赋予了上述无电解镀催化剂的上述基材的表面接触,在上述表面的加热部分或光照射部分形成无电解镀膜。
在本方式中,上述聚合物可以为具有侧链的支链聚合物。此外,在将上述基材的表面的一部分进行加热或光照射、和使无电解镀液与上述基材的表面接触之间,可以进一步包括将基材的表面进行洗涤。
上述支链聚合物可以为树枝状聚合物,也可以为超支化聚合物。此外,上述支链聚合物的数均分子量可以为3,000~30,000,重均分子量可以10,000~300,000。上述支链聚合物的侧链可以包含芳香环。
在本方式中,上述支链聚合物可以进一步具有主链,上述支链聚合物的主链可以为脂肪族。此外,上述支链聚合物的数均分子量可以为1,000~100,000,重均分子量可以为1,000~1000,000。
上述支链聚合物的侧链可以具有酰胺基和氨基中的至少一者,进一步可以具有含硫基团。此外,上述含硫基团可以为硫醚基或二硫代氨基甲酸酯基。
在本方式中,上述支链聚合物可以为下述式(1)或下述式(3)所示的支链聚合物。
[化1]
式(1)中,A1为含芳香环基团,A2为含硫基团或氨基,R1是碳原子数为1~5的取代或非取代的亚烷基、或单键,R2和R3各自是碳原子数为1~10的取代或非取代的烷基或氢,m1为1~10,n1为5~100。
[化2]
式(3)中,R4是选自由碳原子数为1~10的取代或非取代的烷基、含硫基团、氨基、羧基、酰亚胺基和硅烷基所组成的组中的基团,或氢;R5是碳原子数为1~10的取代或非取代的烷基,或氢;n2为5~1000。
上述支链聚合物可以为式(1)所示的支链聚合物,式(1)中,A1为下述式(2)所示的基团,A2为二硫代氨基甲酸酯基,R1为单键,R2为氢,R3为异丙基。
[化3]
上述支链聚合物可以为式(3)所示的支链聚合物,式(3)中,R4为甲基或下述式(4)所示的基团,R5为异丙基。
[化4]
在本方式中,上述聚合物可以具有主链,上述主链可以具有酰胺基和氨基中的至少一者。上述主链可以进一步具有酰亚胺基。
在本方式中,可以通过将上述基材的表面的一部分进行加热或光照射,从而从上述表面的加热部分或光照射部分除去上述催化活性妨碍层。将上述基材的表面的一部分进行加热或光照射可以是使用激光对上述基材表面进行激光描绘。
根据本发明的第2方式,提供一种镀覆部件,其特征在于,具有:基材,形成于上述基材表面的一部分的镀膜,以及形成于上述基材表面的未形成上述镀膜的区域的、包含具有酰胺基和氨基中的至少一者的聚合物的树脂层。
上述基材可以为树脂或绝缘性的无机材料。此外,上述镀覆部件可以为电子部件。
根据本发明的第3方式,提供一种催化活性妨碍剂,其特征在于,是阻碍无电解镀催化剂的催化活性的催化活性妨碍剂,包含具有酰胺基和氨基中的至少一者的聚合物。
根据本发明的第4方式,提供一种复合材料,其特征在于,是无电解镀用复合材料,具有:基材;以及形成于上述基材表面的、包含具有酰胺基和氨基中的至少一者的聚合物的树脂层。
发明的效果
本发明中,在基材表面的加热部分或光照射部分形成无电解镀膜,另一方面,在除此以外的部分,借助催化活性妨碍层的存在来抑制无电解镀膜的生成。由此,本发明的镀覆部件的制造方法能够通过简易的制造工艺而抑制规定图案以外的无电解镀膜的生成,仅在规定图案上形成无电解镀膜。此外,本发明的方法的基材选择的幅度宽,也实现了制造成本的减少。
附图说明
[图1]为示出实施方式的镀覆部件的制造方法的流程图。
[图2]图2(a)~(c)为说明实施方式的镀覆部件的制造方法的图。
具体实施方式
(1)镀覆部件的制造方法
按照图1所示的流程图,对于在基材上形成有规定图案的镀膜的镀覆部件的制造方法进行说明。首先,在图2(a)所示的基材10的表面形成包含具有酰胺基和氨基中的至少一者的聚合物的催化活性妨碍层11(图1的步骤S1)。基材10的材料不受特别限定,从在表面形成无电解镀膜的观点出发,优选为绝缘体,例如,可以使用热塑性树脂、热固性树脂、光固化性树脂、陶瓷和玻璃等。其中,从成型的容易性出发,本实施方式所使用的基材10优选为由树脂形成的树脂基材。
作为热塑性树脂,可以使用尼龙6(PA6)、尼龙66(PA66)、尼龙12(PA12)、尼龙11(PA11)、尼龙6T(PA6T)、尼龙9T(PA9T)、10T尼龙、11T尼龙、尼龙MXD6(PAMXD6)、尼龙9T/6T共聚物、尼龙6/66共聚物等聚酰胺。作为聚酰胺以外的树脂,可以使用聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、无定形聚烯烃、聚醚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、ABS系树脂、聚苯硫醚(PPS)、聚酰胺酰亚胺、聚乳酸、聚己内酯、液晶聚合物、环烯烃聚合物等。
特别是在制造要求焊料回流耐性的镀覆部件的情况下,作为兼备耐热性和成型性的热塑性树脂,优选为尼龙6T(PA6T)、尼龙9T(PA9T)、10T尼龙、11T尼龙、尼龙MXD6(PAMXD6)等芳香族尼龙及包含它们的共聚物。并且,从尺寸稳定性、刚性提高的观点出发,这些热塑性树脂中可以填充玻璃填料、矿物填料等无机填料。具体而言,可以使用Solvay SpecialtyPolymers制的amodel、kuraray制的genestar、东洋纺制的vyloamide、三菱EngineeringPlastics东洋纺制的reny等。此外,在对于镀覆部件不要求焊料回流耐性的情况下,可以使用作为通用工程塑料的ABS树脂、聚碳酸酯(PC)、ABS树脂与PC的聚合物合金(ABS/PC)等。此外,作为镀覆部件,在制造高频用天线的情况下,作为具有适于高频用天线的电特性的热塑性树脂,优选为聚苯硫醚、液晶聚合物、环烯烃聚合物。此外,在使用市售的热塑性树脂的情况下,可以使用作为黑色等级市售的黑色的热塑性树脂以使得在后续工序的激光照射工序中易于吸收激光而产生热。另外,这些热塑性树脂可以单独使用,也可以将2种以上混合使用。
作为热固性树脂,可以使用有机硅树脂、环氧树脂等。通过使用透明的热固性树脂,从而可以制造透明且具有焊料回流耐性的器件(镀覆部件)。作为光固化性树脂,可以使用丙烯酸系树脂、有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等。此外,作为陶瓷,可以使用氧化铝、氮化铝、锆钛酸铅(PZT)、钛酸钡、硅晶片等。
在后续工序的激光照射工序中,基材10可以含有碳等填料、花菁化合物、酞菁化合物、二硫醇金属配位化合物、萘醌化合物、二亚铵化合物、偶氮化合物等光吸收色素作为光吸收剂,以使得易于吸收激光而产生热。
本实施方式所使用的基材10可以是市售品,也可以由市售的材料通过成型等来制造。例如,可以通过粉末注射成型方法来制造复杂形状的陶瓷基材。此外,可以将市售的热塑性树脂成型为所期望的形状,制造树脂成型体(基材)。作为热塑性树脂的成型方法,可以使用通用的注射成型方法、挤出成型方法。树脂成型体可以为通过挤出成型而制造的片状的成型体。此外,基材10可以使用光固化性树脂或热塑性树脂,通过3D打印机来进行造型。如果使用3D打印机,则可以制造复杂形状的基材,使用该基材可以制造复杂形状的MID。
本实施方式所使用的基材10可以是内部具有发泡单元的发泡成型体。通过使用发泡成型体作为基材10,从而可以制造轻量且尺寸精度高的MID。发泡成型体中的发泡单元可以为独立气泡,也可以为连续气泡。发泡成型体可以通过使用化学发泡剂或超临界流体等物理发泡剂,将热塑性树脂进行发泡成型而制造。
催化活性妨碍层11(以下,适当记载为“妨碍层”)包含具有酰胺基和氨基中的至少一者的聚合物(以下,适当记载为“含有酰胺基/氨基的聚合物”)。含有酰胺基/氨基的聚合物作为在后续工序中阻碍(妨碍)赋予至妨碍层11上的无电解镀催化剂的催化活性或使催化活性降低的催化活性妨碍剂而起作用。作为催化活性妨碍剂而起作用的含有酰胺基/氨基的聚合物可以作为树脂层(催化活性妨碍层)均匀地覆盖各种种类的基材的表面,由此,可以抑制不期望镀膜形成的部分的无电解镀反应。因此,本实施方式的制造方法的基材选择的幅度宽。
含有酰胺基/氨基的聚合物可以是仅具有酰胺基的聚合物,也可以是仅具有氨基的聚合物,还可以是具有酰胺基和氨基这两者的聚合物。含有酰胺基/氨基的聚合物可以使用任意的聚合物,从阻碍无电解镀催化剂的催化活性的观点出发,优选为具有酰胺基的聚合物,此外,优选为具有侧链的支链聚合物。支链聚合物中,侧链优选包含酰胺基和氨基中的至少一者,侧链更优选包含酰胺基。
含有酰胺基/氨基的聚合物阻碍无电解镀催化剂的催化活性的机理还不清楚,但推测如下。酰胺基和/或氨基与无电解镀催化剂吸附、配位、反应等而形成复合体,由此无电解镀催化剂被捕集(trap)至含有酰胺基/氨基的聚合物。特别是,支链聚合物的侧链所包含的酰胺基和/或氨基的自由度高,此外,支链聚合物1分子中可以包含大量的酰胺基和/或氨基。因此,支链聚合物通过多个酰胺基和/或氨基,能够有效且有力地捕集无电解镀催化剂。例如,支链聚合物作为多齿配位体而起作用,多个酰胺基和/或氨基可以与无电解镀催化剂配位而形成螯合结构。这样地被捕集的无电解镀催化剂不能发挥催化活性。例如,如果钯等金属作为无电解镀催化剂而被赋予至妨碍层11上,则支链聚合物的酰胺基和/或氨基将钯以钯离子的状态进行捕集。钯离子会被无电解镀液中所包含的还原剂还原而成为金属钯,发挥无电解镀催化活性。然而,被支链聚合物捕集的钯离子没有被无电解镀液中所包含的还原剂还原,不能发挥催化活性。由此,在形成了妨碍层11的基材10的表面上,抑制无电解镀膜的形成。然而,该机理只不过是推定,本发明不限定于此。
含有酰胺基/氨基的聚合物所包含的酰胺基不受特别限定,可以是伯酰胺基、仲酰胺基、叔酰胺基中的任一者,含有酰胺基/氨基的聚合物所包含的氨基不受特别限定,可以是伯氨基、仲氨基、叔氨基中的任一者。这些酰胺基和氨基在聚合物内可以仅包含1种,也可以包含2种以上。
在使用支链聚合物作为含有酰胺基/氨基的聚合物的情况下,从有效地妨碍无电解镀催化剂的催化活性的观点出发,支链聚合物所包含的酰胺基优选为仲酰胺基,此外,酰胺基的氮优选结合有异丙基。此外,支链聚合物所包含的氨基优选为伯氨基(-NH2)或仲氨基(-NH-)。
支链聚合物的侧链具有酰胺基和氨基中的至少一者,进一步可以具有含硫基团。含硫基团与上述酰胺基和氨基同样地具有吸附无电解镀催化剂等的倾向。由此,促进支链聚合物阻碍无电解镀催化剂的催化活性的效果。含硫基团不受特别限定,例如为硫醚基、二硫代氨基甲酸酯基、硫氰基,优选为硫醚基或二硫代氨基甲酸酯基。关于这些含硫基团,在支链聚合物的侧链可以仅包含1种,也可以包含2种以上。
支链聚合物优选为树枝状聚合物。所谓树枝状聚合物,是指由频繁地重复规则的支链的分子结构构成的聚合物,其分为树枝状高分子和超支化聚合物。树枝状高分子是以作为核的分子为中心,具有有规则地完全地树状分支了的结构,直径数nm的球形的聚合物,超支化聚合物与具有完全的树状结构的树枝状高分子不同,是具有不完全的树状支链的聚合物。在树枝状聚合物中,超支化聚合物的合成比较容易且便宜,因此优选作为本实施方式的支链聚合物。
本实施方式中,将树枝状高分子和超支化聚合物的作为核的分子以外的部分定义为树枝状高分子和超支化聚合物的侧链。因此,本实施方式所使用的树枝状高分子和超支化聚合物在作为侧链的、成为核的分子以外的部分具有酰胺基和氨基中的至少一者。树枝状聚合物中,自由度高的侧链部分多,因此易于吸附于无电解镀催化剂,可以有效地妨碍无电解镀催化剂的催化活性。因此,树枝状聚合物即使进行薄膜化也会作为催化活性妨碍剂高效地起作用。此外,树枝状聚合物的溶液即使为高浓度也是低粘度的,因此即使对于复杂形状的基材,也可以形成均匀的膜厚的妨碍层。进一步,树枝状聚合物的耐热性高。因此,对于要求焊料回流耐性的镀覆部件是适合的。
树枝状聚合物中,除了酰胺基和/或氨基以外,可以包含与基材的亲和性高的官能团。由此,增强图2所示的基材10与妨碍层11的密合性。与基材的亲和性高的官能团可以根据基材的种类来适当选择。例如,在基材为聚苯硫醚、液晶聚合物等具有芳香环的材料的情况下,树枝状聚合物优选包含芳香环。在基材为玻璃的情况下,树枝状聚合物优选包含与玻璃亲和性高的硅烷醇基。
本实施方式的树枝状聚合物优选数均分子量为3,000~30,000,重均分子量为10,000~300,000,更优选数均分子量为5,000~30,000,重均分子量为20,000~200,000。如果数均分子量和重均分子量小于上述范围,则有每1分子的官能团数量减少,作为催化活性妨碍剂的效率降低的担忧。另一方面,如果数均分子量和重均分子量大于上述范围,则例如,使用在溶剂中溶解树枝状聚合物而形成催化活性妨碍层11的制造方法的情况下,有在溶剂中的溶解度变得不充分,产生制造上的不利的担忧。
本实施方式的树枝状聚合物优选为下述式(1)所示的支链聚合物。下述式(1)所示的支链聚合物作为催化活性妨碍剂高效地起作用。
[化5]
式(1)中,A1为含芳香环基团,A2为含硫基团或氨基,R1是碳原子数为1~5的取代或非取代的亚烷基或单键,R2和R3可以相同也可以不同,各自是碳原子数为1~10的取代或非取代的烷基或氢。R1、R2和R3各自可以为直链或支链。此外,m1为1~10,n1为5~100。
此外,优选式(1)中,A1为下述式(2)所示的基团,A2为二硫代氨基甲酸酯基,R1为单键,R2为氢,R3为异丙基。
[化6]
本实施方式的支链聚合物可以为树枝状聚合物以外的支链聚合物。在该情况下,支链聚合物除了侧链以外还具有主链。具有主链和侧链的支链聚合物中,主链可以包含酰胺基和/或氨基,侧链可以包含酰胺基和/或氨基。从妨碍无电解镀催化剂的催化活性的观点出发,优选侧链包含酰胺基和/或氨基。支链聚合物的主链可以包含与基材的亲和性高的官能团。由此,增强图2所示的基材10与妨碍层11的密合性。在支链聚合物具有主链和侧链的情况下,优选主链通过包含与基材的亲和性高的官能团而具有与基材的密合性提高功能,侧链通过包含酰胺基和/或氨基而具有催化活性妨碍功能。推测通过如此分离功能,从而具有酰胺基和/或氨基的侧链的自由度进一步提高,支链聚合物易于捕集无电解镀催化剂。与基材的亲和性高的官能团与上述树枝状聚合物同样,可以根据基材的种类来适当选择。
本实施方式的具有主链和侧链的支链聚合物优选数均分子量为1,000~100,000,重均分子量为1,000~1,000,000,更优选数均分子量为5,000~50,000,重均分子量为5,000~200,000。如果数均分子量和重均分子量小于上述范围,则有每1分子的官能团数量减少,作为催化活性妨碍剂的效率降低的担忧。另一方面,如果数均分子量和重均分子量大于上述范围,则例如,在使用溶剂中溶解支链聚合物而形成催化活性妨碍层11的制造方法的情况下,有在溶剂中的溶解度变得不充分,产生制造上的不利的担忧。
本实施方式的具有主链和侧链的支链聚合物可以为丙烯酰胺系树脂,优选为下述式(3)所示的支链聚合物。下述式(3)所示的支链聚合物作为催化活性妨碍剂高效地起作用。
[化7]
式(3)中,R4是选自由碳原子数为1~10的取代或非取代的烷基、含硫基团、氨基、羧基、酰亚胺基和硅烷基所组成的组中的基团,或氢;R5是碳原子数为1~10的取代或非取代的烷基,或氢。R4和R5可以为直链或支链。此外,n2为5~1000。
此外,优选式(3)中,R4为甲基或下述式(4)所示的基团,R5为异丙基。
[化8]
本实施方式所使用的含有酰胺基/氨基的聚合物只要是具有酰胺基和/或氨基的聚合物,则可以是支链聚合物以外的聚合物。即,可以是不具有侧链,由主链形成的直链聚合物,且主链具有酰胺基和氨基中的至少一者。含有酰胺基/氨基的聚合物的主链可以进一步具有酰亚胺基。酰亚胺基与上述酰胺基和氨基同样有吸附无电解镀催化剂等的倾向。由此,促进阻碍无电解镀催化剂的催化活性的效果。作为具有酰亚胺基的聚合物,例如,可举出聚酰胺酰亚胺。
妨碍层11中,除了含有酰胺基/氨基的聚合物以外,可以含有碳等填料、花菁化合物、酞菁化合物、二硫醇金属配位化合物、萘醌化合物、二亚铵化合物、偶氮化合物等光吸收色素作为光吸收剂,以使得在后续工序的激光照射工序中易于吸收激光而产生热。光吸收剂可以溶解或分散于溶剂等而赋予至妨碍层11的表面,但从操作的简便性出发,优选预先包含于妨碍层11中。
妨碍层11可以不含含有酰胺基/氨基的聚合物以外的聚合物,此外,也可以与含有酰胺基/氨基的聚合物一起,包含不妨碍催化活性的其它聚合物。从妨碍催化活性的观点出发,优选不含含有酰胺基/氨基的聚合物以外的聚合物,但为了提高对于基材10的密合性等其它特性,可以包含其它聚合物。进一步,妨碍层11可以根据需要含有表面活性剂等公知的添加剂。
含有酰胺基/氨基的聚合物优选为妨碍层11的主成分。妨碍层11中,含有酰胺基/氨基的聚合物例如,以30重量%~100重量%被包含,优选以50重量%~100重量%被包含,更优选以70重量%~100重量%被包含。通过以上述范围在妨碍层11中包含含有酰胺基/氨基的聚合物,从而妨碍层11能够在基材10上充分地抑制镀膜的生成。
妨碍层11为了不对基材10的耐热性等物性、介电常数等电特性带来影响,优选薄。妨碍层11的厚度例如,优选为5000nm以下,更优选为1000nm以下,进一步更优选为300nm以下。另一方面,从妨碍无电解镀催化剂的催化活性的观点出发,例如,优选为10nm以上,更优选为30nm以上,进一步更优选为50nm以上。另外,从抑制规定图案以外的无电解镀膜的生成的观点出发,在后述的无电解镀工序中,妨碍层11优选在至少与无电解镀液接触的基材10表面的区域形成,更优选在基材10的表面整面形成。
在基材10的表面形成妨碍层11的方法不受特别限定。例如,可以通过调制使含有酰胺基/氨基的聚合物溶解或分散于溶剂而成的聚合物液,且使聚合物液与基材10接触而形成妨碍层11。作为使聚合物液与基材10接触的方法,可以将聚合物液涂布于基材10,也可以在聚合物液中浸渍基材10。作为具体的形成方法,可举出浸渍涂布、筛网涂布(screencoat)、喷涂等。其中,从所形成的妨碍层11的均匀性和操作的简便性的观点出发,优选为在聚合物液中浸渍基材10的方法(浸渍涂布)。
在妨碍层11的形成时使用聚合物液的情况下,聚合物液中的含有酰胺基/氨基的聚合物的配合量(含有酰胺基/氨基的聚合物浓度)不受特别限定,可以考虑含有酰胺基/氨基的聚合物和溶剂的种类、含有酰胺基/氨基的聚合物的分子量、所形成的妨碍层11的膜厚等而适当决定,例如,为0.01重量%~5重量%,优选为0.1重量%~2重量%。
聚合物液所使用的溶剂(溶媒)只要是含有酰胺基/氨基的聚合物能够溶解或分散的溶剂,且不使基材10变质的溶剂,就不受特别限定。优选为例如,甲基乙基酮、甲基异丁基酮等酮类;乙醇、甲醇、异丙醇等醇类;二丙二醇单甲基醚、2-丁氧基乙醇等二醇醚类;甲苯、苯等具有芳香环的化合物;N-甲基吡咯烷酮、环己酮、四氢呋喃及它们的混合物。聚合物液除了含有酰胺基/氨基的聚合物、溶剂以外,可以根据需要含有上述光吸收剂、其它聚合物、表面活性剂等公知的添加剂。聚合物液可以通过将这些构成成分利用以往公知的方法进行混合而调制。
在聚合物液中浸渍基材10时的聚合物液的温度和浸渍时间不受特别限定,可以考虑含有酰胺基/氨基的聚合物和溶剂的种类、含有酰胺基/氨基的聚合物的分子量、所形成的妨碍层的膜厚等而适当决定。聚合物液的温度例如为0℃~100℃,优选为10℃~50℃,浸渍时间例如为1秒~10分钟,优选为5秒~2分钟。
通过以上说明的工序(图1的步骤S1),可获得图2(a)所示的、具有基材10以及形成于基材10的表面的包含含有酰胺基/氨基的聚合物的树脂层11的无电解镀用的复合材料50。通过使复合材料50经由后述的激光照射工序(图1的步骤S2)、无电解镀赋予工序(步骤S3)等,实施无电解镀(步骤S4),从而可以在激光照射部分选择性地形成无电解镀膜。
接下来,对于获得的复合材料50的表面,即,形成有妨碍层11的基材10的表面的一部分赋予能量。能量赋予通过照射光或进行加热来进行(图1的步骤S2)。照射光的方法不受特别限定,例如,可举出按照规定图案将激光照射于基材10的表面的方法(激光描绘);将不照射光的部分进行遮蔽之后,对基材10的表面整体照射光的方法等。推测通过对基材10的表面的一部分照射光,从而光转化为热,基材10的表面被加热。如上述那样,在基材10含有光吸收剂的情况下,能够将照射至基材10的光有效率地转化为热。此外,作为不对基材10的表面照射光而将基材10的表面进行加热的方法,可举出使用通过凸部而形成有图案的简易模具等将基材10的表面进行直接热压的方法。从操作的简便性和加热部分的选择性优异,进而图案的变更和微细化容易考虑,优选通过激光描绘来加热基材10。
激光可以使用例如,CO2激光、YVO4激光、YAG激光等激光装置来照射,这些激光装置可以根据妨碍层11所使用的含有酰胺基/氨基的聚合物的种类来适当选择。
本实施方式中,通过按照规定图案将激光照射于基材10的表面(激光描绘),从而经激光照射的部分被加热,加热部分的妨碍层11被除去。这里,所谓“妨碍层11的除去”,是指例如,加热部分的妨碍层11通过蒸发而消失。通过对赋予了妨碍层11的基材10的表面进行规定图案的激光描绘,从而如图2(b)所示那样,可以形成规定图案的妨碍层除去部分10a,以及残存有妨碍层11的妨碍层残存部分10b。另外,在作为加热部分的妨碍层除去部分10a中,基材10的表层部分可以与妨碍层11一起蒸发而消失。此外,所谓“妨碍层11的除去”,不仅包括妨碍层11完全消失,而且还包括以不对后续工序的无电解镀处理的进行带来影响的程度残存妨碍层11的情况。即使妨碍层11残存,如果对于后续工序的无电解镀处理没有影响,则妨碍无电解镀催化剂的催化活性的作用消失。进一步,本实施方式中,妨碍层11的加热部分发生改性或变质而作为妨碍层11不起作用的情况也包括在“妨碍层11的除去”中。例如,可举出含有酰胺基/氨基的聚合物的酰胺基和/或氨基发生改性或变质,结果含有酰胺基/氨基的聚合物不能捕集无电解镀催化剂的情况。在该情况下,妨碍层11的加热部分没有完全消失,改性物(变质物)残存。该改性物不妨碍催化活性。因此,妨碍层11发生了改性或变质的部分产生与图2(b)所示的妨碍层11消失了的妨碍层除去部分10a同样的作用。
本实施方式中,优选在照射激光之后,洗涤基材10的表面。在激光照射后妨碍层除去部分10a残存有妨碍层11的改性物(变质物)的情况下,有该改性物(变质物)在基材10的表面大面积地飞散的担忧。该改性物(变质物)不妨碍催化活性。因此,如果妨碍层残存部分10b附着改性物(变质物),则会在后续工序的无电解镀时在改性物(变质物)附着部分生成镀膜。通过在照射激光之后,洗涤基材10的表面,从而可以除去飞散在基材10的表面的改性物(变质物)。由此,抑制激光照射部以外的镀膜的生成,镀覆选择性提高。基材10的表面的洗涤优选在将基材10的表面的一部分进行加热或光照射的工序(图1的步骤S2)、和使无电解镀液与基材10的表面接触的工序(图1的步骤S4)之间进行。只要基材10的表面的洗涤在将基材10的表面进行加热等的工序(图1的步骤S2)、和无电解镀工序(图1的步骤S4)之间,则可以在无电解镀催化剂的赋予工序(图1的步骤S)之前进行,也可以在之后进行。然而,从提高镀覆选择性的观点出发,基材10的表面的洗涤优选在无电解镀催化剂的赋予工序之前进行。
洗涤基材10的表面的方法只要可以除去飞散在基材10的表面的妨碍层11的改性物(变质物),就可以使用任意的方法。例如,可以在能够溶解妨碍层11的改性物(变质物)的洗涤液中,浸渍照射了激光的基材10(浸渍法)。作为洗涤液,例如,可以使用脱脂剂、表面调整剂、调节剂(conditioner)等镀覆用前处理剂;表面活性剂的溶液;和碱性溶液等。
接下来,在照射了激光的基材10的表面赋予无电解镀催化剂(图1的步骤S3)。作为无电解镀催化剂,只要具有无电解镀催化能力,就可以使用任意的物质,例如,可以使用Pd、Ni、Pt、Cu等金属微粒、金属配位化合物、金属醇盐等,其中,优选为包含催化活性能高的Pd的无电解镀催化剂。
将无电解镀催化剂赋予至基材10的表面的方法不受特别限定。例如,通过调制使无电解镀催化剂溶解或分散于溶剂而成的催化剂液,且将该催化剂液涂布于基材10,或者将基材10浸渍于催化剂液,从而可以在基材10的表面赋予无电解镀催化剂。从催化剂赋予的均匀性的观点出发,优选将基材10浸渍于催化剂液的方法。
催化剂液所使用的溶剂只要是可以溶解或分散催化剂的溶剂,就不受特别限定,例如,可以使用水、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇等醇,己烷、庚烷等烃等。作为烃,可以使用市售的高沸点溶剂(埃克森美孚公司制,ISOPAR)等。催化剂液所使用的无电解镀催化剂从镀覆催化活性的高度考虑,优选为钯配位化合物,具体而言,可以使用四氯钯酸钠、四氯钯酸钾、乙酸钯、氯化钯、乙酰丙酮钯(II)、六氟乙酰丙酮钯(II)金属配位化合物等。催化剂液中的无电解镀催化剂的配合量(催化剂浓度)可以设为例如,0.01重量%~5重量%。
作为将无电解镀催化剂赋予至基材10的表面的其它方法,可举出使用市售的无电解镀用催化剂液的通用的方法,例如,敏化剂-活性剂法、催化剂-促进剂法。在敏化剂-活性剂法中,首先,为了容易吸附无电解镀催化剂,利用例如包含Sn2+的液体来处理基材10的表面(敏化剂处理),接下来,在包含无电解镀催化剂(例如,Pd2+)的液体中浸渍基材10(活化剂处理)。在催化剂-促进剂法中,首先,在包含无电解镀催化剂的液体(例如,通过Sn2+与Pd2+的混合而得到的钯胶体液)中浸渍基材10(催化剂处理),接下来将基材10浸渍于盐酸溶液等中,使镀覆催化剂的金属析出于基材10的表面(促进剂处理)。
接下来,使无电解镀液与上述基材10的表面接触(图1的步骤S4)。由此,如图2(c)所示那样,可以在基材10的表面的加热部分形成无电解镀膜85,制造选择性地形成有镀膜的镀覆部件100。作为无电解镀液,可以根据目的使用任意的通用的无电解镀液,但从催化活性高且液体稳定这样的方面出发,优选为无电解镍磷镀液、无电解铜镀液、无电解镍镀液。
在无电解镀膜85上可以进一步形成不同种类的无电解镀膜,可以通过电解镀来形成电解镀膜。通过使基材10上的镀膜的总厚度变厚,从而在使用规定图案的镀膜作为电路的情况下,可以减小电阻。从降低镀膜的电阻的观点出发,叠层于无电解镀膜85上的镀膜优选为无电解铜镀膜、电解铜镀膜、电解镍镀等。此外,由于对电隔离了的电路无法进行电解镀,因此在这样的情况下,优选通过无电解镀,使基材10上的镀膜的总厚度变厚。此外,为了提高镀膜图案的焊料润湿性以便可以应对焊料回流,也可以将锡、金、银等的镀膜形成于镀膜图案的最表面。
本实施方式中,残存有妨碍层11的妨碍层残存部分10b,和通过加热而除去了妨碍层11的规定图案的妨碍层除去部分10a存在于基材10的表面。而且,通过对该基材10的表面赋予上述无电解镀催化剂,使其与无电解镀液接触,从而可以仅在规定图案的妨碍层除去部分10a形成无电解镀膜85。本实施方式中,可以对于各种材质的基材通过简易的制造工艺,抑制在规定图案以外的镀膜的生成,仅在规定图案上形成镀膜85。
以上所说明的本实施方式的镀覆部件的制造方法使用含有酰胺基/氨基的聚合物作为催化活性妨碍剂。因此,能够利用催化活性妨碍剂的树脂层(催化活性妨碍层)来均匀地覆盖各种种类的基材的表面,由此,能够抑制不期望镀膜形成的部分的无电解镀反应。因此,本实施方式的制造方法的基材选择的幅度宽。例如,在表面粗糙度大的基材、具有空隙的基材、表面具有发泡痕迹的发泡成型体等的表面也能够形成均匀的膜厚的妨碍层。这样,基材选择的幅度宽的本实施方式的镀覆部件的制造方法能够通过简便的方法来制造以往困难的透镜、眼镜等光学构件、薄壁片形状的立体电路成型体。
此外,在以往的无电解镀方法中,如果在无电解镀催化剂赋予工序与无电解镀工序之间未进行固定基材的固定夹具的更换而将这些工序连续地实施,则会发生在固定夹具上也形成无电解镀膜的问题。本实施方式中,在催化活性妨碍层向基材的形成工序(图1的步骤S1)中,通过与基材一起在基材的固定夹具上也形成催化活性妨碍层,从而可以解决该问题。即,通过形成于固定夹具上的催化活性妨碍层,从而抑制无电解镀膜的形成。因此,不需要进行基材的固定夹具的更换,能够改善镀覆部件的制造效率。
(2)镀覆部件
图2(c)示出由本实施方式制造的,选择性地形成有镀膜的镀覆部件100。镀覆部件100具有基材10、形成于基材10的表面的一部分的镀膜85、以及形成于基材表面的未形成镀膜85的区域的催化活性妨碍层(树脂层)11。镀膜85可以在基材10的表面形成规定图案,在该情况下,在除了规定图案以外的基材10的表面形成催化活性妨碍层(树脂层)11。
催化活性妨碍层11为包含含有酰胺基/氨基的聚合物的树脂层,妨碍层的主成分为含有酰胺基/氨基的聚合物。妨碍层11中,含有酰胺基/氨基的聚合物例如,以30重量%~100重量%被包含,优选以50重量%~100重量%被包含,更优选以70重量%~100重量%被包含。此外,催化活性妨碍层11的膜厚例如,优选为5000nm以下,更优选为1000nm以下,进一步更优选为300nm以下。另一方面,从妨碍无电解镀催化剂的催化活性的观点出发,例如,优选为10nm以上,更优选为30nm以上,进一步更优选为50nm以上。
规定图案的镀膜85可以具有导电性。在该情况下,规定图案的镀膜85用作电气配线图案、电路、天线图案等,具有规定图案的镀膜85的镀覆部件100用作包含电路部件、天线的电子部件。此外,规定图案的镀膜85可以仅在基材10的一面平面地形成,也可以跨越基材10的多个面,或沿着包括球面等的立体形状的表面立体地形成。在规定图案的镀膜85跨越基材10的多个面,或沿着包括球面等的立体形状的表面立体地形成,且具有导电性的情况下,规定图案的镀膜85用作立体电路、立体天线,具有这样的规定图案的镀膜85的镀覆部件100用作立体电路成型部件(MID)、MID天线。
在包含镀膜85的图案用作电气配线图案的情况下,在相邻的电气配线间存在催化活性妨碍层11。通过该催化活性妨碍层11,电气配线间的绝缘性提高,提高电子部件的配线密度。此外,在电子部件中,有因电压的施加而金属离子从电气配线排出的迁移这样的课题。本实施方式的镀覆部件100可以期待,相邻的电气配线间的催化活性妨碍层11捕集从电气配线排出的金属离子,预先防止配线间的电气短路。此外,即使在包含镀膜85的图案为天线图案的情况下,通过在天线图案以外的区域存在作为绝缘体的催化活性妨碍层11,从而天线特性提高。
<变形例>
以上所说明的本实施方式中制造的镀覆部件100如图2(c)所示那样,具有包含含有酰胺基/氨基的聚合物的催化活性妨碍层11,但本实施方式不限定于此。本实施方式的制造方法可以进一步包括从基材10的表面除去妨碍层11的工序。本变形例中,在基材10的表面赋予无电解镀催化剂的工序(图1的步骤S3)之后,或形成无电解镀膜85的工序(图1的步骤S4)之后,从基材10除去催化活性妨碍层11。因此,本变形例所制造的镀覆部件与图2(c)所示的镀覆部件100不同,不具有妨碍层11。
作为从基材10除去妨碍层11的方法,可举出通过将基材10用洗涤液进行洗涤,从而使含有酰胺基/氨基的聚合物在洗涤液中溶出而除去的方法。洗涤液只要是使含有酰胺基/氨基的聚合物溶解,并且不使基材10变质的液体,就不受特别限定,可以根据基材10以及含有酰胺基/氨基的聚合物的种类来适当选择。例如,可以使用与上述聚合物液所使用的溶剂(溶媒)同样的洗涤液。
实施例
以下,通过实施例和比较例来具体地说明本发明,但本发明不被下述实施例和比较例所限制。另外,关于表示实验1~26所使用的聚合物A~F的化学结构式的式(5)~(10),在实验26的说明之后归纳并记载。
[实验1]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的含有酰胺基/氨基的聚合物,使用式(5)所示的聚合物A。
(1)聚合物A的合成
在式(8)所示的市售的超支化聚合物(聚合物D)中导入酰胺基来合成式(5)所示的聚合物A。式(5)所示的聚合物A为式(1)所示的聚合物,式(1)中,A1为式(2)所示的基团,A2为二硫代氨基甲酸酯基,R1为单键,R2为氢,R3为异丙基。
首先,将式(8)所示的超支化聚合物(日产化学工业制,hypertech HPS-200)(1.3g,二硫代氨基甲酸酯基:4.9mmol)、N-异丙基丙烯酰胺(NIPAM)(1.10g,9.8mmol)、α,α’-偶氮二异丁腈(AIBN)(81mg,0.49mmol)、脱水四氢呋喃(THF)(10mL)加入至舒仑克管中,进行3次冷冻脱气。然后,使用油浴,在70℃搅拌一晚(18小时)使其反应,反应结束后,通过冰水来冷却,利用THF适度地稀释。接下来,使其在己烷中再沉淀,使获得的固体的生成物在60℃真空干燥一晚。进行生成物的NMR(核磁共振)测定和IR(红外吸收光谱)测定。其结果,能够确认到式(8)所示的市售的超支化聚合物中导入了酰胺基,生成了式(5)所示的聚合物A。接下来,利用GPC(凝胶渗透色谱)来测定生成物的分子量。分子量中,数均分子量(Mn)=9,946,重均分子量(Mw)=24,792,超支化结构独特的数均分子量(Mn)与重均分子量(Mw)是大不相同的值。聚合物A的收率为92%。
(2)树脂成型体(基材)的成型
使用通用的注射成型机(日本制钢所制,J180AD-300H),将玻璃纤维增强聚苯硫醚(PPS)(帝人株式会社制,1040G,黑色)成型为4cm×6cm×0.2cm的板状体。
(3)催化活性妨碍层的形成
将合成的式(5)所示的聚合物A溶解于甲基乙基酮,调制出聚合物浓度0.5重量%的聚合物液。将成型的基材在调制的聚合物液中在室温下浸渍5秒,然后,在85℃干燥机中干燥5分钟。由此,在基材表面形成催化活性妨碍层。
通过以下所说明的方法来测定催化活性妨碍层的膜厚。首先,制作在与本实验相同的条件下形成了树脂层的膜厚测定用试样。对于膜厚测定用试样的树脂层的一部分利用金属制刮铲使其带有损伤而使基材露出,利用激光显微镜(keyence制,VK-9710)测定树脂层表面与露出的基材表面的高低差,将该测定值作为催化活性妨碍层的膜厚。催化活性妨碍层的膜厚为约70nm。
(4)激光描绘
对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体,使用激光描绘装置(keyence制,MD-V9929WA,YVO4激光,波长1064nm),以激光强度80%、描绘速度500mm/sec,频率50kHz进行激光描绘。描绘的图案是将5mm×5cm区域以0.1mm间距多个并列而成的图案。
(5)无电解镀催化剂的赋予
使用市售的无电解镀用催化剂液,通过通用的方法,在进行了激光描绘的成型体的表面赋予无电解镀催化剂。首先,将进行了激光描绘的成型体浸渍于常温的感应性赋予剂(奥野制药工业制,敏化剂),照射5分钟超声波来进行敏化剂处理,使锡胶体吸附于成型体表面。然后,将成型体从感应性赋予剂中取出,充分地进行水洗。接下来,将成型体浸渍于常温的催化剂化处理剂(奥野制药工业制,活化剂)中,放置2分钟来进行活化剂处理,使钯吸附于成型体表面。然后,将树脂成型体从催化剂化处理剂中取出,充分地进行水洗。
(6)无电解镀
将赋予了无电解镀催化剂的成型体浸渍于61℃的无电解铜镀液(奥野制药工业制,OPC-NCA)中15分钟,使无电解铜镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验2]
本实验中,激光描绘使用CO2激光描绘装置,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型和催化活性妨碍层的形成
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)成型作为基材,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层。
(2)激光描绘
对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体,作为激光描绘装置,使用CO2激光描绘装置(panasonic制,LP-310,光源CO2,激光振荡部的输出:平均12W,发光峰波长:10.6μm),以激光强度80%、描绘速度500mm/sec进行激光描绘。描绘图案与实验1同样。
(3)无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
对于进行了激光描绘的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验3]
本实验中,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型、催化活性妨碍层的形成、激光描绘和无电解镀催化剂的赋予
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行激光描绘和无电解镀催化剂的赋予。
(2)无电解镀
将赋予了无电解镀催化剂的成型体在85℃的无电解镍磷镀液(kanigen制,SE-666)中浸渍15分钟,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。另外,本实验所使用的无电解镍磷镀液与实验1所使用的无电解铜镀液相比,还原剂的含量多。因此,无电解镀催化剂(Pd)的量即使少,镀覆反应也易于进行。
[实验4]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(6)所示的聚合物B,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。
(2)催化活性妨碍层的形成
本实验中,使用式(6)所示的聚合物B(funakoshi株式会社制,聚(N-异丙基丙烯酰胺))(PNIPAM)来代替聚合物A,除此以外,通过与实验1同样的方法,在基材表面形成催化活性妨碍层。式(6)所示的聚合物B为式(3)所示的聚合物,式(3)中,R4为甲基,R5为异丙基。聚合物B的分子量中,重均分子量(Mw)=40,000。通过与实验1同样的方法测定形成的催化活性妨碍层的厚度。催化活性妨碍层的厚度为约80nm。
(3)激光描绘、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行激光描绘、电解镀覆催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验5]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(7)所示的聚合物C,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。
(2)催化活性妨碍层的形成
本实验中,使用式(7)所示的聚合物C(Sigma-Aldrich Japan制,PNIPAM,胺封端(amine terminated))来代替聚合物A,除此以外,通过与实验1同样的方法,在基材表面形成催化活性妨碍层。式(7)所示的聚合物C为式(3)所示的聚合物,式(3)中,R4为式(4)所示的基团,R5为异丙基。聚合物C的分子量中,重均分子量(Mw)=5,500。通过与实验1同样的方法测定形成的催化活性妨碍层的厚度。催化活性妨碍层的厚度为约80nm。
(3)激光描绘、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行激光描绘、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验6]
本实验中,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型、催化活性妨碍层的形成和激光描绘
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型作为基材,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层,对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体进行了激光描绘。
(2)树脂成型体(基材)的洗涤
将进行了激光描绘的树脂成型体在60℃的市售的镀覆用前处理剂(奥野制药工业制,Condiclean MA)中浸渍15分钟。然后,用50℃的纯水水洗1次,用室温的纯水水洗3次。树脂成型体在水洗后不进行风干而直接用于接下来的工序。
(3)无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验7]
本实验中,激光描绘使用CO2激光描绘装置,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型作为基材,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层。接下来,通过与实验2同样的方法,对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体进行激光描绘。而且,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验8]
本实验中,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层,进行激光描绘。而且,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,进行无电解镍磷镀。由此,使无电解镍磷镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验9]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(6)所示的聚合物B,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型,通过与实验4同样的方法,在基材表面形成包含聚合物B的催化活性妨碍层。接下来,通过与实验1同样的方法,对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体进行激光描绘。而且,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验10]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(7)所示的聚合物C,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型,通过与实验5同样的方法,在基材表面形成包含聚合物C的催化活性妨碍层。接下来,通过与实验1同样的方法,对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体进行激光描绘。而且,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验11]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(9)所示的聚合物E,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。
(2)催化活性妨碍层的形成
本实验中,使用式(9)所示的氨基乙基化丙烯酸聚合物(日本触媒制,polymentNK-350)(聚合物E)来代替聚合物A,除此以外,通过与实验1同样的方法,在基材表面形成催化活性妨碍层。聚合物E的分子量中,重均分子量(Mw)=100,000。通过与实验1同样的方法测定形成的催化活性妨碍层的厚度。催化活性妨碍层的厚度为80nm。
(3)激光描绘、树脂成型体(基材)的洗涤、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘,接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验12]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(6)所示的聚合物B,激光描绘使用CO2激光描绘装置,进一步在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验4同样的方法,使用式(6)所示的聚合物B,在基材表面形成催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体,通过与实验2同样的方法,使用CO2激光描绘装置,进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验13]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(7)所示的聚合物C,激光描绘使用CO2激光描绘装置,进一步在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验5同样的方法,使用式(7)所示的聚合物C,在基材表面形成催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体,通过与实验2同样的方法,使用CO2激光描绘装置进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验14]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(9)所示的聚合物E,激光描绘使用CO2激光描绘装置,进一步,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验11同样的方法,使用式(9)所示的聚合物E,在基材表面形成催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的树脂成型体,通过与实验2同样的方法,使用CO2激光描绘装置进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验15]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(6)所示的聚合物B,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,进一步,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验4同样的方法,使用式(6)所示的聚合物B,在基材表面形成催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,使用无电解镍磷镀液,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验16]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(7)所示的聚合物C,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,进一步,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验5同样的方法,使用式(7)所示的聚合物C,在基材表面形成催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,使用无电解镍磷镀液,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验17]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(9)所示的聚合物E,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,进一步,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验11同样的方法,使用式(9)所示的聚合物E,在基材表面形成催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,使用无电解镍磷镀液,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验18]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(10)所示的聚合物F,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。
(2)催化活性妨碍层的形成
本实验中,使用式(10)所示的聚酰胺酰亚胺(东丽株式会社)(聚合物F)代替聚合物A,除此以外,通过与实验1同样的方法,在基材表面形成催化活性妨碍层。通过与实验1同样的方法,测定形成的催化活性妨碍层的厚度。催化活性妨碍层的厚度为约100nm。
(3)激光描绘、树脂成型体(基材)的洗涤、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘,接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验19]
本实验中,作为催化活性妨碍层所包含的聚合物,使用式(10)所示的聚合物F,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,进一步,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验18同样的方法,使用式(10)所示的聚合物F,在基材表面形成催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,使用无电解镍磷镀液,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验20]
本实验中,作为基材,使用成型为板状的聚酰胺,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型
本实验中,使用聚酰胺(PA)(东洋纺株式会社制,vyloamide)来代替PPS,除此以外,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体进行成型。
(2)催化活性妨碍层的形成、激光描绘、树脂成型体(基材)的洗涤、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
通过与实验1同样的方法,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘,接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验21]
本实验中,作为基材,使用成型为板状的聚酰胺,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,进一步,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验20同样的方法,将树脂成型体(PA)进行成型。接下来,通过与实验1同样的方法,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,使用无电解镍磷镀液,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验22]
本实验中,作为基材,使用成型为板状的聚酰胺,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型
本实验中,使用了聚酰胺(PA)(solvay japan株式会社制,amodel AS-1566HS)来代替PPS,除此以外,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体进行成型。
(2)催化活性妨碍层的形成、激光描绘、树脂成型体(基材)的洗涤、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
通过与实验1同样的方法,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘,接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验23]
本实验中,作为基材,使用成型为板状的聚酰胺,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,进一步,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验22同样的方法,将树脂成型体(PA)进行成型。接下来,通过与实验1同样的方法,在基材表面形成包含聚合物A的催化活性妨碍层。对于形成了催化活性妨碍层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘。接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,使用无电解镍磷镀液,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验24]
本实验中,在基材上形成包含式(8)所示的聚合物D的树脂层来代替催化活性妨碍层,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
(1)树脂成型体(基材)的成型
通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。
(2)树脂层的形成
本实验中,使用式(8)所示的超支化聚合物(日产化学工业制,hypertech HPS-200)(聚合物D)来代替聚合物A,除此以外,通过与实验1同样的方法,在基材表面形成树脂层。聚合物D的分子量中,重均分子量(Mw)=23,000。通过与实验1同样的方法,测定形成的树脂层的厚度。树脂层的厚度为80nm。
(3)激光描绘、树脂成型体(基材)的洗涤、无电解镀催化剂的赋予和无电解镀
对于形成了树脂层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘,接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验25]
本实验中,在基材上形成包含式(8)所示的聚合物D的树脂层来代替催化活性妨碍层,激光描绘使用CO2激光描绘装置,进一步,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验24同样的方法,使用式(8)所示的聚合物D,在基材表面形成树脂层。对于形成了树脂层的树脂成型体,通过与实验2同样的方法,使用CO2激光描绘装置来进行激光描绘,接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于洗涤了的基材,通过与实验1同样的方法,依次进行无电解镀催化剂的赋予和无电解镀。由此,使无电解铜镀膜在基材表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
[实验26]
本实验中,在基材上形成包含式(8)所示的聚合物D的树脂层来代替催化活性妨碍层,在激光描绘之后进行树脂成型体(基材)的洗涤,进一步,作为镀液,使用无电解镍磷镀液,除此以外,通过与实验1同样的方法,制造出镀覆部件。
首先,通过与实验1同样的方法,将树脂成型体(PPS)进行成型。接下来,通过与实验24同样的方法,使用式(8)所示的聚合物D,在基材表面形成树脂层。对于形成了树脂层的成型体,通过与实验1同样的方法,进行激光描绘,接下来,通过与实验6同样的方法,进行树脂成型体(基材)的洗涤。对于进行了洗涤的成型体,通过与实验1同样的方法,进行无电解镀催化剂的赋予,通过与实验3同样的方法,使用无电解镍磷镀液,使无电解镍磷镀膜在成型体表面生长1μm。通过以上说明的制造方法,获得本实验的镀覆部件。
聚合物A
[化9]
聚合物B
[化10]
聚合物C
[化11]
聚合物D
[化12]
聚合物E
[化13]
聚合物F
[化14]
[评价]
目视观察以上说明的实验1~26中所制造的镀覆部件,按照以下的评价基准,评价镀覆析出性和镀覆选择性。将结果示于表1中。
<镀覆析出性的评价基准>
○:在激光描绘部,生长了镀膜。
×:在激光描绘部,没有生长镀膜。
<镀覆选择性的评价基准>
○:仅在激光描绘部,生长了镀膜。
△:在激光描绘部以外,也生长了一部分镀膜。
×:在基材整体上生长了镀膜。
[表1]
(1)关于实验6~19和24~26
实验6~19和24~26全部都是基材使用聚苯硫醚(PPS),且进行了激光照射后的基板洗涤的实验。对于实验6~8所使用的聚合物A,实验9、12和15所使用的聚合物B,实验10、13和16所使用的聚合物C,实验24~26所使用的聚合物D,实验11、14和17所使用的聚合物E,以及实验18和19所使用的聚合物F这6种聚合物,基于表1所示的镀覆选择性的评价结果,按照以下的评价基准,进行综合评价。将结果示于表2中。
<综合评价的评价基准>
◎:无电解铜镀和无电解镍磷镀的镀覆选择性都为○。
○:无电解铜镀的镀覆选择性为○,但无电解镍磷镀的镀覆选择性为×。
△:无电解铜镀的镀覆选择性为△,但无电解镍磷镀的镀覆选择性为×。
×:无电解铜镀和无电解镍磷镀的镀覆选择性都为×。
[表2]
如表1和表2所示,使用具有酰胺基和氨基中的至少一者的聚合物A~C、E和F而制作的镀覆部件中,无电解铜镀的镀覆析出性和镀覆选择性都良好(综合评价结果:◎~△)。推测,在激光描绘部,由于催化活性妨碍层被除去,因而生成无电解铜镀膜,另一方面,在除此以外的部分,由于催化活性妨碍层的存在,因而抑制了无电解铜镀膜的生成。由该结果可知,聚合物A~C、E和F作为催化活性妨碍剂而起作用。推测,聚合物A~C、E和F所包含的酰胺基和/或氨基妨碍了无电解镀催化剂的催化活性。
其中,使用作为侧链具有酰胺基的支链聚合物的聚合物A~C而制作的镀覆部件中,与使用聚合物E和F而制作的镀覆部件相比,无电解铜镀的镀覆选择性良好(综合评价结果:◎或○)。聚合物E为具有氨基的支链聚合物,聚合物F为直链具有酰胺基的聚合物。由该结果推测,作为侧链具有酰胺基的支链聚合物的聚合物A~C妨碍无电解镀催化剂的催化活性的效果高。
进一步,使用作为超支化聚合物的聚合物A来制作的镀覆部件中,除了无电解铜镀以外,无电解镍磷镀的镀覆选择性也良好(综合评价结果:◎)。无电解镍磷镀液与无电解铜镀液相比,还原剂的含量多。因此,无电解镍磷镀与无电解铜镀相比,无电解镀反应易于进行。在这样的无电解镍磷镀中,聚合物A作为妨碍无电解镀催化剂的催化活性的催化活性妨碍剂而充分地起到作用。其原因推测如下。推测,聚合物A中,自由度高的侧链部分多,因此易于吸附于作为无电解镀催化剂的钯(Pd),通过用作多齿配位体而形成与无电解镀催化剂(钯离子)的牢固的螯合结构。由此推测,即使在还原剂的含量多的无电解镍磷镀液中,也抑制钯离子的还原,其结果是抑制了无电解镀膜的生成。
另一方面,使用聚合物D而制作的镀覆部件中,无电解铜镀和无电解镍磷镀都会在基材整体上生长镀膜,不能形成选择性的镀膜(镀覆析出性:○,镀覆选择性:×,综合评价:×)。由该结果可知,聚合物D没有作为催化活性妨碍剂而起作用。聚合物D为具有含硫基团(二硫代氨基甲酸酯基)的超支化聚合物。认为二硫代氨基甲酸酯基具有吸附无电解镀催化剂等的倾向。然而,不具有酰胺基和/或氨基的聚合物D不能将无电解镀催化剂牢固地捕集,因此推测,没有作为催化活性妨碍剂而起作用。
(2)关于实验1~5
实验1~5是在激光照射后未进行基板洗涤,除此以外,各自采用与实验6~10同样的条件而进行的实验。实验1~5中的镀覆选择性的评价结果与实验6~10中的镀覆选择性的评价结果相比,稍差。由该结果推测,通过激光照射后的基板洗涤,镀覆选择性提高。
(3)关于实验20~23
实验20和22是使用聚酰胺的树脂成型体作为基材,除此以外,采用与实验6同样的条件而进行的实验,实验21和23是使用聚酰胺的树脂成型体作为基材,除此以外,采用与实验8同样的条件而进行的实验。实验20~23中的镀覆选择性的评价结果也与实验6和8中的镀覆选择性的评价结果同样地良好。由该结果可以确认到,即使使用聚酰胺的树脂成型体也能够选择性的镀覆。
产业可利用性
根据本发明的镀覆部件的制造方法,能够对于各种材质的基材,通过简易的制造工艺,抑制在规定图案以外的镀膜的生成,仅在规定图案上形成镀膜。因此,本发明能够用于具有电路的电子部件、三维电路部件(MID:Molded Interconnect Device)的制造。
符号的说明
10 基材
10a 催化活性妨碍层除去部分
10b 催化活性妨碍层残存部分
11 催化活性妨碍层
50 无电解镀用的复合材料
100 镀覆部件。
Claims (12)
1.一种镀覆部件的制造方法,其包括:
在基材的表面形成包含侧链具有酰胺基和氨基中的至少一者的支链聚合物的催化活性妨碍层,
将形成了所述催化活性妨碍层的所述基材的表面的一部分进行加热或光照射,形成妨碍层除去部分和妨碍层残存部分,
在进行了加热或光照射的所述基材的表面赋予无电解镀催化剂,以及
使无电解镀液与赋予了所述无电解镀催化剂的所述基材的表面接触,在所述妨碍层除去部分形成无电解镀膜。
2.根据权利要求1所述的镀覆部件的制造方法,其特征在于,形成了所述催化活性妨碍层的所述基材的表面由所述催化活性妨碍层的一层构成。
3.根据权利要求1所述的镀覆部件的制造方法,其特征在于,所述支链聚合物为超支化聚合物。
4.根据权利要求1所述的镀覆部件的制造方法,其特征在于,所述支链聚合物的数均分子量为3,000~30,000,重均分子量为10,000~300,000。
5.根据权利要求1所述的镀覆部件的制造方法,其特征在于,所述支链聚合物的侧链包含芳香环。
6.根据权利要求1所述的镀覆部件的制造方法,其特征在于,所述支链聚合物的侧链进一步具有含硫基团。
7.根据权利要求6所述的镀覆部件的制造方法,所述含硫基团为硫醚基或二硫代氨基甲酸酯基。
10.一种镀覆部件,其特征在于,具有:
基材;
无电解镀膜,形成于所述基材表面的一部分;以及
树脂层,形成于所述基材表面的未形成所述无电解镀膜的区域,且包含侧链具有酰胺基和氨基中的至少一者的支链聚合物,
所述镀覆部件由权利要求1~9中任一项所述的镀覆部件的制造方法制得。
11.根据权利要求10所述的镀覆部件,其特征在于,所述基材为树脂或绝缘性的无机材料。
12.根据权利要求10或11所述的镀覆部件,其特征在于,所述镀覆部件为电子部件。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010855552.6A CN111979533B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016048586A JP6607811B2 (ja) | 2016-03-11 | 2016-03-11 | メッキ部品の製造方法、メッキ部品、触媒活性妨害剤及び無電解メッキ用複合材料 |
JP2016-048586 | 2016-03-11 | ||
PCT/JP2017/005177 WO2017154470A1 (ja) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | メッキ部品の製造方法、メッキ部品、触媒活性妨害剤及び無電解メッキ用複合材料 |
CN201780013684.0A CN108699695B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
CN202010855552.6A CN111979533B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780013684.0A Division CN108699695B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111979533A CN111979533A (zh) | 2020-11-24 |
CN111979533B true CN111979533B (zh) | 2023-04-07 |
Family
ID=59789276
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010855552.6A Active CN111979533B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
CN201780013684.0A Active CN108699695B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780013684.0A Active CN108699695B (zh) | 2016-03-11 | 2017-02-13 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11013125B2 (zh) |
EP (1) | EP3428313B1 (zh) |
JP (1) | JP6607811B2 (zh) |
KR (1) | KR102613934B1 (zh) |
CN (2) | CN111979533B (zh) |
TW (1) | TWI699454B (zh) |
WO (1) | WO2017154470A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN114736340A (zh) | 2017-01-13 | 2022-07-12 | 麦克赛尔株式会社 | 超支化聚合物、金属回收剂、金属回收方法和催化活性妨碍剂 |
TW202102718A (zh) * | 2019-03-05 | 2021-01-16 | 日商麥克賽爾控股股份有限公司 | 無電解鍍敷抑制組成物及鍍敷零件之製造方法 |
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JP7224978B2 (ja) * | 2019-03-15 | 2023-02-20 | マクセル株式会社 | メッキ部品の製造方法及び基材の成形に用いられる金型 |
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2016
- 2016-03-11 JP JP2016048586A patent/JP6607811B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-20 TW TW106102171A patent/TWI699454B/zh active
- 2017-02-13 EP EP17762813.8A patent/EP3428313B1/en active Active
- 2017-02-13 WO PCT/JP2017/005177 patent/WO2017154470A1/ja active Application Filing
- 2017-02-13 CN CN202010855552.6A patent/CN111979533B/zh active Active
- 2017-02-13 KR KR1020187024941A patent/KR102613934B1/ko active IP Right Grant
- 2017-02-13 CN CN201780013684.0A patent/CN108699695B/zh active Active
-
2018
- 2018-09-05 US US16/122,404 patent/US11013125B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-13 US US17/228,897 patent/US11310918B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20210235587A1 (en) | 2021-07-29 |
US11013125B2 (en) | 2021-05-18 |
WO2017154470A1 (ja) | 2017-09-14 |
CN108699695B (zh) | 2020-08-21 |
KR20180119583A (ko) | 2018-11-02 |
US11310918B2 (en) | 2022-04-19 |
EP3428313B1 (en) | 2023-01-04 |
US20190008051A1 (en) | 2019-01-03 |
KR102613934B1 (ko) | 2023-12-15 |
CN111979533A (zh) | 2020-11-24 |
TWI699454B (zh) | 2020-07-21 |
JP2017160518A (ja) | 2017-09-14 |
EP3428313A1 (en) | 2019-01-16 |
CN108699695A (zh) | 2018-10-23 |
JP6607811B2 (ja) | 2019-11-20 |
EP3428313A4 (en) | 2019-10-30 |
TW201800608A (zh) | 2018-01-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: Kyoto Japan Applicant after: MAXELL, Ltd. Address before: Kyoto Japan Applicant before: MAXELL HOLDINGS, Ltd. |
|
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |