JPH09237976A - 多層配線板の製造方法 - Google Patents
多層配線板の製造方法Info
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 層間絶縁層とめっき導電層との密着性に優
れ、高耐熱性であり、信頼性の高い多層配線基板の製造
方法を安価に提供する。 【解決手段】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めのバイアホールを設けてなる多層配線板の製造方法に
おいて、前記バイアホールを設けるに際し、層間絶縁層
上に耐サンドブラスト性を有する被膜をパターン形成
し、次いでサンドブラスト処理を施すことにより層間絶
縁層を選択的に除去してバイアホールを形成した後、耐
サンドブラスト性を有する被膜を除去し、しかる後に無
電解めっき処理を施すことにより前記バイアホール内に
導電層を設けることを特徴とする、多層配線板の製造方
法。
れ、高耐熱性であり、信頼性の高い多層配線基板の製造
方法を安価に提供する。 【解決手段】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めのバイアホールを設けてなる多層配線板の製造方法に
おいて、前記バイアホールを設けるに際し、層間絶縁層
上に耐サンドブラスト性を有する被膜をパターン形成
し、次いでサンドブラスト処理を施すことにより層間絶
縁層を選択的に除去してバイアホールを形成した後、耐
サンドブラスト性を有する被膜を除去し、しかる後に無
電解めっき処理を施すことにより前記バイアホール内に
導電層を設けることを特徴とする、多層配線板の製造方
法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線板の製造方
法に係り、さらに詳しくは、層間絶縁層を選択的に除去
して複数層の導電性パターンを互いに電気的に接続する
ためのバイアホールを有するビルドアップ型の多層配線
板の製造方法に関する。
法に係り、さらに詳しくは、層間絶縁層を選択的に除去
して複数層の導電性パターンを互いに電気的に接続する
ためのバイアホールを有するビルドアップ型の多層配線
板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子技術の進歩に伴い、コンピュ
ーター等の電子機器に対する高密度化や演算機能の高速
化が進められている。多層配線板においても例外でな
く、高密度配線や高密度実装が可能な多層配線板が要求
されており、このような多層配線板として上層配線パタ
ーンと下層配線パターンとを電気的に接続するためのバ
イアホールを有するビルドアップ工法による多層配線板
が知られている。
ーター等の電子機器に対する高密度化や演算機能の高速
化が進められている。多層配線板においても例外でな
く、高密度配線や高密度実装が可能な多層配線板が要求
されており、このような多層配線板として上層配線パタ
ーンと下層配線パターンとを電気的に接続するためのバ
イアホールを有するビルドアップ工法による多層配線板
が知られている。
【0003】このビルドアップ工法による多層配線板
は、従来、例えば図2、図3に示すように、基板21上
に導電性物質からなる下層の配線パターン22を設け、
この上に絶縁性を有するセラミックペースト組成物をス
クリーン印刷法等によりパターン印刷したり、感光性樹
脂層(層間絶縁層)23を設けた後、層間絶縁層23を
ホトリソグラフィーにより露光、現像、エッチングして
選択的に除去してバイアホール25を形成し、次いで無
電解めっき処理を施すことによって、バイアホール25
内に導電層26を設けるか、あるいは該バイアホール2
5内と層間絶縁層23上に導電層26を一体的に設け、
しかる後に上層配線パターン(図示せず)を形成し、こ
の上層の配線パターンと下層の配線パターン22をそれ
ぞれ電気的に接続するという方法により製造されてい
た。
は、従来、例えば図2、図3に示すように、基板21上
に導電性物質からなる下層の配線パターン22を設け、
この上に絶縁性を有するセラミックペースト組成物をス
クリーン印刷法等によりパターン印刷したり、感光性樹
脂層(層間絶縁層)23を設けた後、層間絶縁層23を
ホトリソグラフィーにより露光、現像、エッチングして
選択的に除去してバイアホール25を形成し、次いで無
電解めっき処理を施すことによって、バイアホール25
内に導電層26を設けるか、あるいは該バイアホール2
5内と層間絶縁層23上に導電層26を一体的に設け、
しかる後に上層配線パターン(図示せず)を形成し、こ
の上層の配線パターンと下層の配線パターン22をそれ
ぞれ電気的に接続するという方法により製造されてい
た。
【0004】しかしながら上記従来の方法により製造さ
れた多層配線板は、層間絶縁層としてセラミック材を用
いたものは高精度のものを得ることができず、また感光
性樹脂層を用いた場合、図2に示すようにバイアホール
の側壁が垂直の矩形状の断面形状をなすか、あるいは図
3に示すようにホトリソグラフィー時に現像液によるサ
イドエッチング30が現れやすい。これらいずれの場合
においても、無電解めっき法などによりバイアホール2
5内や層間絶縁層23上に導電層26を設ける場合、図
2、3に示すように、めっき付き回りが良好でなく、導
通不良を起こすことがあった(図中、A)。これに対し
ては、短絡を防ぐために無電解めっき量を増やすことが
考えられるが、基板の重量増加が免れ得ず、高密度、高
精細な多層配線板を得ることが困難であった。従来法に
よる問題点はセラミック材に代わる耐熱性と高い信頼性
に欠けることにあり、半導体デバイスチップを直接配線
板に取り付ける超高密度の多層配線板に使用した場合、
温度が100℃以上、部分的には150℃程度まで上昇
し、層間絶縁層の変質、分解が起き、実用的ではなかっ
た。
れた多層配線板は、層間絶縁層としてセラミック材を用
いたものは高精度のものを得ることができず、また感光
性樹脂層を用いた場合、図2に示すようにバイアホール
の側壁が垂直の矩形状の断面形状をなすか、あるいは図
3に示すようにホトリソグラフィー時に現像液によるサ
イドエッチング30が現れやすい。これらいずれの場合
においても、無電解めっき法などによりバイアホール2
5内や層間絶縁層23上に導電層26を設ける場合、図
2、3に示すように、めっき付き回りが良好でなく、導
通不良を起こすことがあった(図中、A)。これに対し
ては、短絡を防ぐために無電解めっき量を増やすことが
考えられるが、基板の重量増加が免れ得ず、高密度、高
精細な多層配線板を得ることが困難であった。従来法に
よる問題点はセラミック材に代わる耐熱性と高い信頼性
に欠けることにあり、半導体デバイスチップを直接配線
板に取り付ける超高密度の多層配線板に使用した場合、
温度が100℃以上、部分的には150℃程度まで上昇
し、層間絶縁層の変質、分解が起き、実用的ではなかっ
た。
【0005】そこで、少ない無電解めっき量で信頼性の
高い多層配線板を形成するために、酸化剤に対して難溶
性の感光性樹脂層中に酸化剤に対して可溶性の樹脂粒子
を含有させ、酸化剤により可溶性樹脂粒子を溶出させる
ことにより層間絶縁層の表面を粗化処理し、層間絶縁層
と導電層との密着性を改善させた技術が、例えば特開平
6−215623号公報に記載されている。しかしなが
ら、特開平6−215623号公報に記載のものは、層
間絶縁層表面粗化処理の酸化剤としてクロム酸等の強酸
を用いるため、人体、基材等へ及ぼす影響の点からも好
ましくない。
高い多層配線板を形成するために、酸化剤に対して難溶
性の感光性樹脂層中に酸化剤に対して可溶性の樹脂粒子
を含有させ、酸化剤により可溶性樹脂粒子を溶出させる
ことにより層間絶縁層の表面を粗化処理し、層間絶縁層
と導電層との密着性を改善させた技術が、例えば特開平
6−215623号公報に記載されている。しかしなが
ら、特開平6−215623号公報に記載のものは、層
間絶縁層表面粗化処理の酸化剤としてクロム酸等の強酸
を用いるため、人体、基材等へ及ぼす影響の点からも好
ましくない。
【0006】さらに、近年の環境への配慮から、現像液
として希アルカリ水溶液を用い得る感光性樹脂が求めら
れており、例えば特開平6−196856号公報におい
ては、感光性樹脂中にカルボキシル基を導入して希アル
カリ水溶液により現像可能としたものが提案されている
が、これらは絶縁抵抗値や耐熱性が低下する傾向がみら
れ、場合によっては短絡を起こすという問題があり、信
頼性の高い多層配線板を形成することが困難であるとい
う問題がある。また、層間絶縁層として上記感光性樹脂
を用いた場合、140℃程度が耐熱性の限界であり、ピ
ール強度の大きなものも得ることが難しいため、近年の
高密度配線基板にあっては層間絶縁層の損傷による剥れ
や欠け等の問題を有していた。
として希アルカリ水溶液を用い得る感光性樹脂が求めら
れており、例えば特開平6−196856号公報におい
ては、感光性樹脂中にカルボキシル基を導入して希アル
カリ水溶液により現像可能としたものが提案されている
が、これらは絶縁抵抗値や耐熱性が低下する傾向がみら
れ、場合によっては短絡を起こすという問題があり、信
頼性の高い多層配線板を形成することが困難であるとい
う問題がある。また、層間絶縁層として上記感光性樹脂
を用いた場合、140℃程度が耐熱性の限界であり、ピ
ール強度の大きなものも得ることが難しいため、近年の
高密度配線基板にあっては層間絶縁層の損傷による剥れ
や欠け等の問題を有していた。
【0007】この他に、層間絶縁層として無機質充填材
を混練した熱硬化型の耐熱性エポキシ樹脂を用い、YA
Gレーザーやエキシマレーザー等の高出力レーザーによ
ってバイアホールを形成する方法も考えられたが、装置
が高価であり、形成されたバイアホールの形状も矩形状
となり、バイアホール内に導電層を設ける際に導通不良
を起こすことがあり、またバイアホール側壁が平滑とな
り導電層の密着性が悪くなり、好ましくなかった。
を混練した熱硬化型の耐熱性エポキシ樹脂を用い、YA
Gレーザーやエキシマレーザー等の高出力レーザーによ
ってバイアホールを形成する方法も考えられたが、装置
が高価であり、形成されたバイアホールの形状も矩形状
となり、バイアホール内に導電層を設ける際に導通不良
を起こすことがあり、またバイアホール側壁が平滑とな
り導電層の密着性が悪くなり、好ましくなかった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑みてなされたもので、その課題は、層間絶縁層とめ
っき導電層との密着性に優れ、高耐熱性であり、信頼性
の高い多層配線基板の製造方法を安価に提供することに
ある。
に鑑みてなされたもので、その課題は、層間絶縁層とめ
っき導電層との密着性に優れ、高耐熱性であり、信頼性
の高い多層配線基板の製造方法を安価に提供することに
ある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、従来のホトリ
ソグラフィーによる方法に代えて、サンドブラスト処理
によって層間絶縁層を選択的に除去しバイアホールを形
成することにより、該バイアホール内に導電層をめっき
処理等により設ける際に強い密着強度を得ることがで
き、これにより層間絶縁層や導電層を薄く作成し、軽量
かつ信頼性の高い多層配線基板を提供し得ることを見出
し、本発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、従来のホトリ
ソグラフィーによる方法に代えて、サンドブラスト処理
によって層間絶縁層を選択的に除去しバイアホールを形
成することにより、該バイアホール内に導電層をめっき
処理等により設ける際に強い密着強度を得ることがで
き、これにより層間絶縁層や導電層を薄く作成し、軽量
かつ信頼性の高い多層配線基板を提供し得ることを見出
し、本発明を完成するに至った。
【0010】すなわち本発明は、基板の少なくとも一方
の面上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、
該層間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電
気的に接続するためのバイアホールを設けてなる多層配
線板の製造方法において、前記バイアホールを設けるに
際し、層間絶縁層上に耐サンドブラスト性を有する被膜
をパターン形成し、次いでサンドブラスト処理を施すこ
とにより層間絶縁層を選択的に除去してバイアホールを
形成した後、耐サンドブラスト性を有する被膜を除去
し、しかる後に無電解めっき処理を施すことにより前記
バイアホール内に導電層を設けることを特徴とする多層
配線板の製造方法を提供するものである。
の面上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、
該層間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電
気的に接続するためのバイアホールを設けてなる多層配
線板の製造方法において、前記バイアホールを設けるに
際し、層間絶縁層上に耐サンドブラスト性を有する被膜
をパターン形成し、次いでサンドブラスト処理を施すこ
とにより層間絶縁層を選択的に除去してバイアホールを
形成した後、耐サンドブラスト性を有する被膜を除去
し、しかる後に無電解めっき処理を施すことにより前記
バイアホール内に導電層を設けることを特徴とする多層
配線板の製造方法を提供するものである。
【0011】また本発明は、基板の少なくとも一方の面
上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層
間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電気的
に接続するための導通部を設けてなる多層配線板の製造
方法において、前記導通部を断面視すり鉢状に形成し、
しかる後に前記導通部に導電材を埋めることを特徴とす
る多層配線板の製造方法を提供するものである。
上に、複数層の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層
間絶縁層の所定箇所に前記配線パターンを互いに電気的
に接続するための導通部を設けてなる多層配線板の製造
方法において、前記導通部を断面視すり鉢状に形成し、
しかる後に前記導通部に導電材を埋めることを特徴とす
る多層配線板の製造方法を提供するものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の多層配線板の製
造方法の一例を、図1を参照して説明する。
造方法の一例を、図1を参照して説明する。
【0013】図1は本発明による多層配線板の製造方法
を説明した工程図である。
を説明した工程図である。
【0014】まず図1(a)に示すように、基板1上
に、厚さ1〜200μm程度の配線パターン2を形成
し、この上にさらに層間絶縁層3を設ける。
に、厚さ1〜200μm程度の配線パターン2を形成
し、この上にさらに層間絶縁層3を設ける。
【0015】基板1は、ガラス−エポキシ樹脂積層板、
ガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂積層板、
ガラスクロス−ポリイミド樹脂積層板、紙−フェノール
樹脂積層板、紙−クレゾール樹脂積層板、紙−フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂積層板、紙−クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂積層板等の絶縁基板が用いられ
るが、これらに限定されるものでない。
ガラスクロス−ビスマレイミドトリアジン樹脂積層板、
ガラスクロス−ポリイミド樹脂積層板、紙−フェノール
樹脂積層板、紙−クレゾール樹脂積層板、紙−フェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂積層板、紙−クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂積層板等の絶縁基板が用いられ
るが、これらに限定されるものでない。
【0016】配線パターン2は、例えばCu、Al、A
g、Au、Fe、Ni、Ti等の導電性物質からなり、
公知の手段により設けられる。本発明においては、ある
程度弾性を有し、安価なCu、Alがサンドブラスト処
理時に食刻されにくいため、好ましく用いることができ
る。
g、Au、Fe、Ni、Ti等の導電性物質からなり、
公知の手段により設けられる。本発明においては、ある
程度弾性を有し、安価なCu、Alがサンドブラスト処
理時に食刻されにくいため、好ましく用いることができ
る。
【0017】層間絶縁層3は、絶縁層形成のための材料
を3本ロールミル、ボールミル、サンドミル等でよく溶
解、分散、混練した後、基板上にスクリーン印刷、バー
コータ、ロールコータ、リバースコータ、カーテンフロ
ーコータ等で乾燥膜厚10〜100μm程度に塗布す
る。塗布後、室温または温風ヒーター、赤外線ヒーター
中で乾燥させた後、超高圧水銀灯、ケミカルランプ等で
活性エネルギー線を照射させるか、あるいは温風ヒータ
ー、赤外線ヒーター中で温度120〜200℃程度で加
熱して硬化することにより基板1上に設けられる。
を3本ロールミル、ボールミル、サンドミル等でよく溶
解、分散、混練した後、基板上にスクリーン印刷、バー
コータ、ロールコータ、リバースコータ、カーテンフロ
ーコータ等で乾燥膜厚10〜100μm程度に塗布す
る。塗布後、室温または温風ヒーター、赤外線ヒーター
中で乾燥させた後、超高圧水銀灯、ケミカルランプ等で
活性エネルギー線を照射させるか、あるいは温風ヒータ
ー、赤外線ヒーター中で温度120〜200℃程度で加
熱して硬化することにより基板1上に設けられる。
【0018】該層間絶縁層3を形成するための材料とし
ては、一般に、バインダー樹脂、熱または光重合開始剤
あるいは架橋剤、および熱または光重合性モノマーを含
む組成物が用いられる。バインダー樹脂中に光または熱
により重合あるいは架橋可能な基が存在している場合に
はモノマーを除いた組成であってよい。
ては、一般に、バインダー樹脂、熱または光重合開始剤
あるいは架橋剤、および熱または光重合性モノマーを含
む組成物が用いられる。バインダー樹脂中に光または熱
により重合あるいは架橋可能な基が存在している場合に
はモノマーを除いた組成であってよい。
【0019】上記バインダー樹脂としては、例えばメチ
ルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリ
レート、エチルメタクリレート、n−ブチルアクリレー
ト、n−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレー
ト、イソブチルメタクリレート、2−エチルヘキシルア
クリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、ベン
ジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルモノアクリレート、エチレング
リコールモノメチルエーテルメタクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルメタクリレート、グリセ
ロールモノアクリレート、グリセロールモノメタクリレ
ート、アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、メタ
クリル酸ジメチルアミノエチルエステル、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタ
クリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、
アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等から選ばれ
たモノマーを共重合させたものや、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタク
リレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメ
タクリレート、カルドエポキシジアクリレート、カルド
エポキシジメタクリレート、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノ
ール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒド
との縮合物によるエポキシ化樹脂、尿素樹脂、メラミン
樹脂、トリス−(2,3−ジエポキシプロピル)イソシ
アヌレート等のトリアジン樹脂、ダウ・ケミカル(株)
製のサイクロテン樹脂、ポリフェノール樹脂、ポリノボ
ラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を挙げ
ることができる。中でも、エポキシ樹脂、ポリフェノー
ル樹脂、ポリノボラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂は、150〜200℃程度の高温状態でも変質
や分解することがなく、ピール強度で1kgを超える引
っ張り強度を有し、耐熱性や耐薬品性に優れるため好適
に用いられる。
ルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリ
レート、エチルメタクリレート、n−ブチルアクリレー
ト、n−ブチルメタクリレート、イソブチルアクリレー
ト、イソブチルメタクリレート、2−エチルヘキシルア
クリレート、2−エチルヘキシルメタクリレート、ベン
ジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルメタクリレート、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルモノアクリレート、エチレング
リコールモノメチルエーテルメタクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルアクリレート、エチレン
グリコールモノエチルエーテルメタクリレート、グリセ
ロールモノアクリレート、グリセロールモノメタクリレ
ート、アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、メタ
クリル酸ジメチルアミノエチルエステル、テトラヒドロ
フルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタ
クリレート、アクリル酸アミド、メタクリル酸アミド、
アクリロニトリル、メタアクリロニトリル等から選ばれ
たモノマーを共重合させたものや、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタク
リレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメ
タクリレート、カルドエポキシジアクリレート、カルド
エポキシジメタクリレート、ビスフェノールA型エポキ
シ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノ
ールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキ
シ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノ
ール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒド
との縮合物によるエポキシ化樹脂、尿素樹脂、メラミン
樹脂、トリス−(2,3−ジエポキシプロピル)イソシ
アヌレート等のトリアジン樹脂、ダウ・ケミカル(株)
製のサイクロテン樹脂、ポリフェノール樹脂、ポリノボ
ラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂等を挙げ
ることができる。中でも、エポキシ樹脂、ポリフェノー
ル樹脂、ポリノボラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂は、150〜200℃程度の高温状態でも変質
や分解することがなく、ピール強度で1kgを超える引
っ張り強度を有し、耐熱性や耐薬品性に優れるため好適
に用いられる。
【0020】上記モノマーを共重合させる場合にあって
は、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロ
トン酸、アンジェリカ酸、チグリン酸、2−エチルアク
リル酸、3−プロピルアクリル酸、3−イソプロピルア
クリル酸、コハク酸モノヒドロキシエチルアクリレー
ト、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、ジヒ
ドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、テト
ラヒドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、
ヘキサヒドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレー
ト、アクリル酸ダイマー、アクリル酸トリマーなどカル
ボキシル基を有するモノマーと共重合させることもでき
るが、得られた樹脂の耐熱性や耐薬品性、絶縁抵抗値等
が低下することがある。
は、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロ
トン酸、アンジェリカ酸、チグリン酸、2−エチルアク
リル酸、3−プロピルアクリル酸、3−イソプロピルア
クリル酸、コハク酸モノヒドロキシエチルアクリレー
ト、フタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、ジヒ
ドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、テト
ラヒドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレート、
ヘキサヒドロフタル酸モノヒドロキシエチルアクリレー
ト、アクリル酸ダイマー、アクリル酸トリマーなどカル
ボキシル基を有するモノマーと共重合させることもでき
るが、得られた樹脂の耐熱性や耐薬品性、絶縁抵抗値等
が低下することがある。
【0021】上記熱または光重合開始剤としては、例え
ば1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,
2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オ
ン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕
−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル
−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニ
ル)−ブタン−1−オン、2−ヒドロキシ−2−メチル
−1−フェニルプロパン−1−オン、2,4,6−トリ
メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、1−
〔4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル〕−2−ヒ
ドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2,
4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキント
ン、2,4−ジメチルチオキサントン、3,3−ジメチ
ル−4−メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、1
−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、1−(4−
イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル
プロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−
2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−
ベンゾイル−4’−メチルジメチルスルフィド、4−ジ
メチルアミノ安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸メ
チル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチ
ルアミノ安息香酸ブチル、4−ジメチルアミノ安息香酸
−2−エチルヘキシル、4−ジメチルアミノ安息香酸−
2−イソアミル、2,2−ジエトキシアセトフェノン、
ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエ
チルアセタール、1−フェニル−1,2−プロパンジオ
ン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、o−ベ
ンゾイル安息香酸メチル、ビス(4−ジメチルアミノフ
ェニル)ケトン、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾ
フェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、ベンジ
ル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、p−ジメチル
アミノアセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロ
ロアセトフェノン、p−tert−ブチルジクロロアセ
トフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサント
ン、2−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロ
ン、α,α−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノ
ン、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート等を挙
げることができる。これら熱または光重合開始剤は、層
間絶縁層中の熱または活性光線により硬化する性質を有
する樹脂およびモノマー100重量部中に、0.1〜4
0重量部の範囲で含有することができる。
ば1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,
2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オ
ン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕
−2−モルフォリノプロパン−1−オン、2−ベンジル
−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニ
ル)−ブタン−1−オン、2−ヒドロキシ−2−メチル
−1−フェニルプロパン−1−オン、2,4,6−トリ
メチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、1−
〔4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル〕−2−ヒ
ドロキシ−2−メチル−1−プロパン−1−オン、2,
4−ジエチルチオキサントン、2−クロロチオキント
ン、2,4−ジメチルチオキサントン、3,3−ジメチ
ル−4−メトキシベンゾフェノン、ベンゾフェノン、1
−クロロ−4−プロポキシチオキサントン、1−(4−
イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル
プロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−
2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−
ベンゾイル−4’−メチルジメチルスルフィド、4−ジ
メチルアミノ安息香酸、4−ジメチルアミノ安息香酸メ
チル、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチ
ルアミノ安息香酸ブチル、4−ジメチルアミノ安息香酸
−2−エチルヘキシル、4−ジメチルアミノ安息香酸−
2−イソアミル、2,2−ジエトキシアセトフェノン、
ベンジルジメチルケタール、ベンジル−β−メトキシエ
チルアセタール、1−フェニル−1,2−プロパンジオ
ン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、o−ベ
ンゾイル安息香酸メチル、ビス(4−ジメチルアミノフ
ェニル)ケトン、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾ
フェノン、4,4’−ジクロロベンゾフェノン、ベンジ
ル、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾイ
ンエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、
ベンゾイン−n−ブチルエーテル、ベンゾインイソブチ
ルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、p−ジメチル
アミノアセトフェノン、p−tert−ブチルトリクロ
ロアセトフェノン、p−tert−ブチルジクロロアセ
トフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサント
ン、2−イソプロピルチオキサントン、ジベンゾスベロ
ン、α,α−ジクロロ−4−フェノキシアセトフェノ
ン、ペンチル−4−ジメチルアミノベンゾエート等を挙
げることができる。これら熱または光重合開始剤は、層
間絶縁層中の熱または活性光線により硬化する性質を有
する樹脂およびモノマー100重量部中に、0.1〜4
0重量部の範囲で含有することができる。
【0022】上記架橋剤としては、ジシアンジアミド;
2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、2,4−ジ
アミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1)]−
エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−
[2’−エチル−4−メチルイミダゾリル−(1)]−
エチル−s−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2−
メチル−イミダゾール、1−フェニル−2−メチル−イ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキ
シメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;2,4
−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン−イソシアヌ
ル酸付加物、2−ビニル−4,6−ジアミノ−s−トリ
アジン、2−メトキシエチル−4,6−ジアミン−s−
トリアジン、2−o−シアノフェニル−4,6−ジアミ
ノ−s−トリアジン等のトリアジン化合物;3−(3,
4−ジクロロフェニル)−1,1’−ジメチルウレア、
1,1’−イソホロン−ビス(3−メチル−3−ヒドロ
キシエチルウレア)、1,1’−トリレン−ビス(3,
3−ジメチルウレア)等のウレア化合物;4,4’−ジ
アミノ−ジフェニルメタン等の芳香族アミン化合物;ト
リフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアン
チモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホ
スフェート、2,4−シクロペンタジェン−1−イル−
[(1−メチルエチル)−ベンゼン]−Fe−ヘキサフ
ルオロホスフェート(「イルガキュアー261」;チバ
・ガイギー(株)製、など)等の光カチオン重合触媒等
を挙げることができる。これらの中でも、ジシアンジア
ミド、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾ
リル−(1)]−エチル−s−トリアジン、2−エチル
−4−メチルイミダゾール、1,1’−イソホロン−ビ
ス(3−メチル3−ヒドロキシエチルウレア)、1,
1’−トリレン−ビス(3,3−ジメチルウレア)、3
−(3,4−ジクロロフェニル)−1,1’−ジメチル
ウレアおよび光カチオン重合触媒の市販品(「SP−1
50」、「SP−170」;いずれも旭電化(株)
製)、等)が好適に用いられる。
2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチ
ル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、2,4−ジ
アミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1)]−
エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−
[2’−エチル−4−メチルイミダゾリル−(1)]−
エチル−s−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2−
メチル−イミダゾール、1−フェニル−2−メチル−イ
ミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキ
シメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物;2,4
−ジアミノ−6−ビニル−s−トリアジン−イソシアヌ
ル酸付加物、2−ビニル−4,6−ジアミノ−s−トリ
アジン、2−メトキシエチル−4,6−ジアミン−s−
トリアジン、2−o−シアノフェニル−4,6−ジアミ
ノ−s−トリアジン等のトリアジン化合物;3−(3,
4−ジクロロフェニル)−1,1’−ジメチルウレア、
1,1’−イソホロン−ビス(3−メチル−3−ヒドロ
キシエチルウレア)、1,1’−トリレン−ビス(3,
3−ジメチルウレア)等のウレア化合物;4,4’−ジ
アミノ−ジフェニルメタン等の芳香族アミン化合物;ト
リフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモ
ネート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロホスフ
ェート、トリフェニルセレニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアン
チモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホ
スフェート、2,4−シクロペンタジェン−1−イル−
[(1−メチルエチル)−ベンゼン]−Fe−ヘキサフ
ルオロホスフェート(「イルガキュアー261」;チバ
・ガイギー(株)製、など)等の光カチオン重合触媒等
を挙げることができる。これらの中でも、ジシアンジア
ミド、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾ
リル−(1)]−エチル−s−トリアジン、2−エチル
−4−メチルイミダゾール、1,1’−イソホロン−ビ
ス(3−メチル3−ヒドロキシエチルウレア)、1,
1’−トリレン−ビス(3,3−ジメチルウレア)、3
−(3,4−ジクロロフェニル)−1,1’−ジメチル
ウレアおよび光カチオン重合触媒の市販品(「SP−1
50」、「SP−170」;いずれも旭電化(株)
製)、等)が好適に用いられる。
【0023】上記熱または光重合性モノマーとしては、
例えば2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルメタクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルメタクリレート、グリセロールアクリレ
ート、グリセロールメタクリレート、アクリル酸アミ
ド、メタクリル酸アミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、イソ
ブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、2−
エチルヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタ
クリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリ
レート等の単官能モノマーや;エチレングリコールジア
クリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、トリエチレング
リコールジメタクリレート、テトラエチレングリコール
ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリ
レート、ブチレングリコールジメタクリレート、プロピ
レングリコールジアクリレート、プロピレングリコール
ジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラ
メチロールプロパンテトラメタクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリス
リトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジア
クリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、カルドエポキシジアクリレート等の多官能モノマー
を使用することができる。これら熱または光重合性モノ
マーを添加する場合にあっては、感光性樹脂固形分10
0重量部中に50重量部までの範囲で配合することが好
ましい。
例えば2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロ
キシエチルメタクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノメ
チルエーテルメタクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルアクリレート、エチレングリコールモノ
エチルエーテルメタクリレート、グリセロールアクリレ
ート、グリセロールメタクリレート、アクリル酸アミ
ド、メタクリル酸アミド、アクリロニトリル、メタクリ
ロニトリル、メチルアクリレート、メチルメタクリレー
ト、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、イソ
ブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、2−
エチルヘキシルアクリレート、2−エチルヘキシルメタ
クリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリ
レート等の単官能モノマーや;エチレングリコールジア
クリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、トリエチレング
リコールジメタクリレート、テトラエチレングリコール
ジアクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリ
レート、ブチレングリコールジメタクリレート、プロピ
レングリコールジアクリレート、プロピレングリコール
ジメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラ
メチロールプロパンテトラメタクリレート、ペンタエリ
スリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、
ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタ
エリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリス
リトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサメタクリレート、1,6−ヘキサンジオールジア
クリレート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレー
ト、カルドエポキシジアクリレート等の多官能モノマー
を使用することができる。これら熱または光重合性モノ
マーを添加する場合にあっては、感光性樹脂固形分10
0重量部中に50重量部までの範囲で配合することが好
ましい。
【0024】さらに、寸法安定性や耐薬品性、耐熱性、
絶縁性を保持するために、シリカ、アルミナ、マイカ、
タルク等の無機フィラーや、サンドブラスト処理後に形
成されたバイアホールが容易に識別できるようにフタロ
シアニングリーンなどの耐熱性有機着色顔料を添加した
ものであってもよい。
絶縁性を保持するために、シリカ、アルミナ、マイカ、
タルク等の無機フィラーや、サンドブラスト処理後に形
成されたバイアホールが容易に識別できるようにフタロ
シアニングリーンなどの耐熱性有機着色顔料を添加した
ものであってもよい。
【0025】前記フィラーの粒径は0.01〜500μ
m程度の範囲で選ばれるが、サンドブラスト処理後、導
電層を形成する際に、層間絶縁層と導電層との密着強度
を上げるために上記粒径範囲内で粒径、形状の異なるフ
ィラーを複数、選択的に含有することが好ましい。
m程度の範囲で選ばれるが、サンドブラスト処理後、導
電層を形成する際に、層間絶縁層と導電層との密着強度
を上げるために上記粒径範囲内で粒径、形状の異なるフ
ィラーを複数、選択的に含有することが好ましい。
【0026】さらに層間絶縁層3をスクリーン印刷、デ
ィップコーター、ロールコーター、スピンコーター、カ
ーテンコーター、スプレーコーター等で塗布する際、均
一にコーティングするためにレベリング剤、消泡剤、溶
剤等を含有したものであってもよい。
ィップコーター、ロールコーター、スピンコーター、カ
ーテンコーター、スプレーコーター等で塗布する際、均
一にコーティングするためにレベリング剤、消泡剤、溶
剤等を含有したものであってもよい。
【0027】上記溶剤としては、メチルエチルケトン、
アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、
シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール
モノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、3−メトキシブチルアセテート、4−メトキシ
ブチルアセテート、2−メチル−3−メトキシブチルア
セテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテー
ト、3−エチル−3−メトキシブチルアセテート、2−
エトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート等を挙げることができ、この
中でも特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
エチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート等の溶剤が、人体に対する安全性が高く、塗布
性が良好であるため好適に用いられる。
アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、
シクロヘキサノン、エチレングリコールモノメチルエー
テル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレ
ングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコール
モノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテ
ル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピ
レングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
メチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、3−メトキシブチルアセテート、4−メトキシ
ブチルアセテート、2−メチル−3−メトキシブチルア
セテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテー
ト、3−エチル−3−メトキシブチルアセテート、2−
エトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート等を挙げることができ、この
中でも特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノ
エチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテート等の溶剤が、人体に対する安全性が高く、塗布
性が良好であるため好適に用いられる。
【0028】また、層間絶縁層3形成用組成物の中に含
硫黄有機化合物を触媒毒として添加することができる。
このような含硫黄有機化合物としては、2−メルカプト
ベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、N
−tert−ブチル−2−ベンゾチアゾリルスルフェン
アミド、テトラメチルチウラムジスルフィド等を挙げる
ことができる。これらの触媒毒を含有させることによ
り、層間絶縁層3に、後述のようにバイアホールを形成
した後、無電解めっき処理によりバイアホール内に導電
層を設ける際に、層間絶縁層上に導電層が付着すること
を防ぐことができる。
硫黄有機化合物を触媒毒として添加することができる。
このような含硫黄有機化合物としては、2−メルカプト
ベンゾチアゾール、ジベンゾチアジルジスルフィド、N
−tert−ブチル−2−ベンゾチアゾリルスルフェン
アミド、テトラメチルチウラムジスルフィド等を挙げる
ことができる。これらの触媒毒を含有させることによ
り、層間絶縁層3に、後述のようにバイアホールを形成
した後、無電解めっき処理によりバイアホール内に導電
層を設ける際に、層間絶縁層上に導電層が付着すること
を防ぐことができる。
【0029】次いで、図1(b)に示すように層間絶縁
層3上に耐サンドブラスト性を有する被膜4を設ける。
層3上に耐サンドブラスト性を有する被膜4を設ける。
【0030】耐サンドブラスト性を有する被膜4を設け
るにあたっては、スクリーン印刷、バーコータ、ロール
コータ、リバースコータ、カーテンフローコータなどに
より所要のパターンを印刷する方法、耐サンドブラスト
性を有する感光性樹脂を層間絶縁層3上に塗布、あるい
はドライフィルム状としたものを貼り付けた後、ホトリ
ソグラフィーによって所要のパターンを得る方法などが
挙げられる。感光性樹脂を用いた場合、塗布または貼り
付け後、ネガマスクを介して、超高圧水銀灯、ケミカル
ランプ等で活性エネルギー線により露光を行い、スプレ
ーガン、浸漬法等によって現像が行われる。現像液とし
ては、水またはアルカリ水溶液が好ましく、現像液に用
いるアルカリ成分の例としては、リチウム、ナトリウ
ム、カリウム等アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、重炭
酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、ベンジルアミン、ブチ
ルアミン等の第1級アミン、ジメチルアミン、ジベンジ
ルアミン、ジエタノールアミン等の第2級アミン、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミ
ン等の第3級アミン、モルホリン、ピペラジン、ピリジ
ン等の環状アミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレン
ジアミン等のポリアミン、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキ
シド、トリメチルフェニルベンジルアンモニウムヒドロ
キシド、コリン等のアンモニウムヒドロキシド類、トリ
メチルスルホニウムヒドロキシド、ジエチルメチルスル
ホニウムヒドロキシド、ジメチルベンジルスルホニウム
ヒドロキシド等のスルホニウムヒドロキシド類、その他
これらの緩衝液等が挙げられる。
るにあたっては、スクリーン印刷、バーコータ、ロール
コータ、リバースコータ、カーテンフローコータなどに
より所要のパターンを印刷する方法、耐サンドブラスト
性を有する感光性樹脂を層間絶縁層3上に塗布、あるい
はドライフィルム状としたものを貼り付けた後、ホトリ
ソグラフィーによって所要のパターンを得る方法などが
挙げられる。感光性樹脂を用いた場合、塗布または貼り
付け後、ネガマスクを介して、超高圧水銀灯、ケミカル
ランプ等で活性エネルギー線により露光を行い、スプレ
ーガン、浸漬法等によって現像が行われる。現像液とし
ては、水またはアルカリ水溶液が好ましく、現像液に用
いるアルカリ成分の例としては、リチウム、ナトリウ
ム、カリウム等アルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、重炭
酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、ベンジルアミン、ブチ
ルアミン等の第1級アミン、ジメチルアミン、ジベンジ
ルアミン、ジエタノールアミン等の第2級アミン、トリ
メチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミ
ン等の第3級アミン、モルホリン、ピペラジン、ピリジ
ン等の環状アミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレン
ジアミン等のポリアミン、テトラエチルアンモニウムヒ
ドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキ
シド、トリメチルフェニルベンジルアンモニウムヒドロ
キシド、コリン等のアンモニウムヒドロキシド類、トリ
メチルスルホニウムヒドロキシド、ジエチルメチルスル
ホニウムヒドロキシド、ジメチルベンジルスルホニウム
ヒドロキシド等のスルホニウムヒドロキシド類、その他
これらの緩衝液等が挙げられる。
【0031】上記耐サンドブラスト性を有する被膜は、
サンドブラスト処理に対する保護膜の役目を果たし得る
ものであれば特に限定されるものでないが、特には、例
えば特開昭55−103554号公報に記載されている
ような不飽和ポリエステルと不飽和モノマーおよび光重
合開始剤からなる感光性樹脂組成物や、特開平2−69
754号公報に記載されているようなポリビニルアルコ
ールとジアゾ樹脂からなる感光性樹脂組成物、ウレタン
(メタ)アクリレートオリゴマー、水溶性セルロース樹
脂、光重合開始剤、および(メタ)アクリレートモノマ
ーを含有してなる感光性樹脂を挙げることができるが、
中でもウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、水溶
性セルロース樹脂、光重合開始剤、および(メタ)アク
リレートモノマーを含有してなる感光性樹脂は層間絶縁
層との密着性や柔軟性に優れるため好ましく用いること
ができる。またこれら耐サンドブラスト性を有する被膜
の形成に用いる感光性樹脂はドライフィルム状であって
もよい。
サンドブラスト処理に対する保護膜の役目を果たし得る
ものであれば特に限定されるものでないが、特には、例
えば特開昭55−103554号公報に記載されている
ような不飽和ポリエステルと不飽和モノマーおよび光重
合開始剤からなる感光性樹脂組成物や、特開平2−69
754号公報に記載されているようなポリビニルアルコ
ールとジアゾ樹脂からなる感光性樹脂組成物、ウレタン
(メタ)アクリレートオリゴマー、水溶性セルロース樹
脂、光重合開始剤、および(メタ)アクリレートモノマ
ーを含有してなる感光性樹脂を挙げることができるが、
中でもウレタン(メタ)アクリレートオリゴマー、水溶
性セルロース樹脂、光重合開始剤、および(メタ)アク
リレートモノマーを含有してなる感光性樹脂は層間絶縁
層との密着性や柔軟性に優れるため好ましく用いること
ができる。またこれら耐サンドブラスト性を有する被膜
の形成に用いる感光性樹脂はドライフィルム状であって
もよい。
【0032】耐サンドブラスト性を有する被膜4を設け
た後、例えばサンドブラスト処理を行い、図1(c)に
示すように層間絶縁層3を選択的に除去して断面視すり
鉢状のバイアホール5を形成する。
た後、例えばサンドブラスト処理を行い、図1(c)に
示すように層間絶縁層3を選択的に除去して断面視すり
鉢状のバイアホール5を形成する。
【0033】サンドブラスト処理に用いるブラスト材と
してはガラスビーズ、アルミナ、シリカ、炭化珪素、酸
化ジルコニウム等の粒径0.1〜150μm程度の微粒
子が用いられ、ブラスト圧0.5〜5kg/cm2 の範
囲で吹き付けることによりサンドブラスト処理が行われ
る。耐サンドブラスト性を有する被膜4は、通常の感光
性樹脂に比べ弾性、柔軟性が高く、サンドブラスト処理
による耐摩耗性が高いため、目的の深さの彫食刻が終了
する前に摩耗してしまうということはない。
してはガラスビーズ、アルミナ、シリカ、炭化珪素、酸
化ジルコニウム等の粒径0.1〜150μm程度の微粒
子が用いられ、ブラスト圧0.5〜5kg/cm2 の範
囲で吹き付けることによりサンドブラスト処理が行われ
る。耐サンドブラスト性を有する被膜4は、通常の感光
性樹脂に比べ弾性、柔軟性が高く、サンドブラスト処理
による耐摩耗性が高いため、目的の深さの彫食刻が終了
する前に摩耗してしまうということはない。
【0034】本発明によれば、バイアホール5の形状を
すり鉢状としたことにより、従来のホトリソグラフィー
による方法と異なり、サイドエッチングの発生を防ぐこ
とができ、後工程の無電解めっき処理において導電層が
バイアホール側壁に効率よく付着することができ、ピー
ル強度を大幅に改善することができ、断線やクラックの
起こりにくい信頼性の高い多層配線板を製造することが
できる。
すり鉢状としたことにより、従来のホトリソグラフィー
による方法と異なり、サイドエッチングの発生を防ぐこ
とができ、後工程の無電解めっき処理において導電層が
バイアホール側壁に効率よく付着することができ、ピー
ル強度を大幅に改善することができ、断線やクラックの
起こりにくい信頼性の高い多層配線板を製造することが
できる。
【0035】サンドブラスト処理後、図1(d)に示す
ように、耐サンドブラスト性を有する被膜4は、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、あるいは有機アミン類等
のpH12〜14程度の水溶液により剥離除去される。
ように、耐サンドブラスト性を有する被膜4は、水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、あるいは有機アミン類等
のpH12〜14程度の水溶液により剥離除去される。
【0036】次いで図1(e)に示すように無電解めっ
き処理を行うことにより、バイアホール5内導電層7を
形成する。無電解めっき液の組成としては、硫酸銅/ホ
ルムアルデヒド/EDTA/水酸化ナトリウムなどが一
例として挙げられ、これに基板を10分〜10時間程度
浸漬することによって形成することができる。また、導
電性ペースト組成物をスクリーン印刷法等により所要部
分に塗布、あるいは充填することにより形成することも
できる。
き処理を行うことにより、バイアホール5内導電層7を
形成する。無電解めっき液の組成としては、硫酸銅/ホ
ルムアルデヒド/EDTA/水酸化ナトリウムなどが一
例として挙げられ、これに基板を10分〜10時間程度
浸漬することによって形成することができる。また、導
電性ペースト組成物をスクリーン印刷法等により所要部
分に塗布、あるいは充填することにより形成することも
できる。
【0037】層間絶縁層3に触媒毒が添加されている場
合には、図1(e’)に示すようにバイアホール5内に
のみ導電層7が形成される。
合には、図1(e’)に示すようにバイアホール5内に
のみ導電層7が形成される。
【0038】以後、層間絶縁層上3に新たに上層配線パ
ターンを形成し、さらにその上に層間絶縁層、バイアホ
ール、導電層を形成(以上、いずれも図示せず)するこ
とにより、多層配線板を形成することができる。
ターンを形成し、さらにその上に層間絶縁層、バイアホ
ール、導電層を形成(以上、いずれも図示せず)するこ
とにより、多層配線板を形成することができる。
【0039】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれによってなんら限定されるもの
でない。
明するが、本発明はこれによってなんら限定されるもの
でない。
【0040】実施例1〜3、比較例1〜3 層間絶縁層を形成するための成分として、表1に示す配
合組成に従って各成分を3本ロールミルを用いて混練
し、インキ状組成物を得た。このインキ状組成物を10
0メッシュ/インチのポリエステル製スクリーンを用い
て、あらかじめ銅配線パターンが形成された、厚さ1m
mのガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚
が50μmとなるようにスクリーン印刷後、実施例1お
よび2については150℃で50分間加熱硬化させ、実
施例3については塗膜を80℃、50分間予備乾燥し、
超高圧水銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック
(株)製)を用いて500mJ/cm2 の露光量で紫外
線を全面照射し、さらに150℃で50分間加熱硬化さ
せた。
合組成に従って各成分を3本ロールミルを用いて混練
し、インキ状組成物を得た。このインキ状組成物を10
0メッシュ/インチのポリエステル製スクリーンを用い
て、あらかじめ銅配線パターンが形成された、厚さ1m
mのガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚
が50μmとなるようにスクリーン印刷後、実施例1お
よび2については150℃で50分間加熱硬化させ、実
施例3については塗膜を80℃、50分間予備乾燥し、
超高圧水銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック
(株)製)を用いて500mJ/cm2 の露光量で紫外
線を全面照射し、さらに150℃で50分間加熱硬化さ
せた。
【0041】
【表1】 なお、表1中の商品名は、以下の各組成を示す。 ・「N−673」:o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂 (DIC(株)製) ・「エピコート828」:ビスフェノールA型エポキシ樹脂 (シェル化学(株)製) ・「TEPIC−SP」:トリグリシジルエーテルイソシアヌレート (日産化学(株)製) ・「TCR1025」: トリフェニルメタン型エポキシアクリレート酸無水 物付加物(酸価100 、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテ ート25重量%、スワゾール1500(後述)10重量%含有) (日本化薬(株)製) ・「DPHA」:ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート (日本化薬(株)製) ・「TMPTA」:トリメチロールプロパントリアクリレート (日本化薬(株)製) ・「DICY」:ジシアンジアミド(エポキシ硬化剤) (日本カーバイド(株)製) ・「2MZ・A」:2−メチルイミダゾールアジン(エポキシ硬化剤) (四国化成(株)製) ・「イルガキュアー907」:2−メチル−[4−(メチルチオ)]フェニル −2−モルホリノ−1−プロパン (チバ・ガイギー(株)製) ・「カヤキュアーDTEX」:ジエチルチオキサントン(日本化薬(株)製) ・「DPM」:ジプロピレングコールモノメチルエーテル (ダウ・ケミカル(株)製) ・「スワゾール1500」:ソルベントナフサ (丸善石油化学(株)製) ・「ジグリコールアセテート」:ジエチレングリコールモノエチルエーテル アセテート (ダイセル化学(株)製) ・「PGMAc」:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート (ダウ・ケミカル(株)製) ・「KS−66」:シリコーンオイル (信越化学(株)製) ・「モダフロー」:レベリング剤 (モンサント(株)製) ・「リオノールグリーン2YS」:着色顔料 (東洋インキ製造(株)製) ・「ミクロエースP−4」:タルク(無機フィラー)(日本タルク(株)製) ・「アエロジル#200」:微粉末シリカ (日本アエロジル(株)製) ・「硫酸バリウムB−31」:無機フィラー (堺化学(株)製) その後、層間絶縁層上に耐サンドブラスト性を有する被
膜として、感光性ドライフィルム「ORDYL BF−
603」(東京応化工業(株)製)を70℃で熱圧着さ
せた。次いで、所要のマスクパターンを介して、上述の
超高圧水銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック
(株)製)を用いて300mJ/cm2 の露光量で紫外
線を照射し、30℃、0.2%炭酸ナトリウム水溶液に
て40秒間、1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレ
ー現像した。
膜として、感光性ドライフィルム「ORDYL BF−
603」(東京応化工業(株)製)を70℃で熱圧着さ
せた。次いで、所要のマスクパターンを介して、上述の
超高圧水銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック
(株)製)を用いて300mJ/cm2 の露光量で紫外
線を照射し、30℃、0.2%炭酸ナトリウム水溶液に
て40秒間、1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレ
ー現像した。
【0042】その後、サンドブラスト機「SC−20
2」(不二製作所製)を使用して、粒径25μmの炭化
珪素を研削材として、ブラスト圧2.5kg/cm2 で
6分間サンドブラスト処理を行い、3重量%水酸化ナト
リウム水溶液を用い45℃、2分間スプレーすることに
より、耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離した。
2」(不二製作所製)を使用して、粒径25μmの炭化
珪素を研削材として、ブラスト圧2.5kg/cm2 で
6分間サンドブラスト処理を行い、3重量%水酸化ナト
リウム水溶液を用い45℃、2分間スプレーすることに
より、耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離した。
【0043】耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離し
た後、粒径25μmの炭化珪素を研削材として、上述の
サンドブラスト機を使用して、ブラスト圧2.5kg/
cm2 で1分間サンドブラスト処理を行い、層間絶縁層
表面を粗化し、得られた基板をSHIPLEY サーキ
ュポジット200MLBプロセスに従い、デスミア処理
を行った後、無電解めっき処理液「SHIPLEY キ
ュポジット250」(シプレイ(株)製)に5時間浸漬
することにより厚さ25μmの導電層を形成した。
た後、粒径25μmの炭化珪素を研削材として、上述の
サンドブラスト機を使用して、ブラスト圧2.5kg/
cm2 で1分間サンドブラスト処理を行い、層間絶縁層
表面を粗化し、得られた基板をSHIPLEY サーキ
ュポジット200MLBプロセスに従い、デスミア処理
を行った後、無電解めっき処理液「SHIPLEY キ
ュポジット250」(シプレイ(株)製)に5時間浸漬
することにより厚さ25μmの導電層を形成した。
【0044】比較例1〜3については、厚さ1mmのガ
ラス−エポキシ樹脂積層基板上に乾燥後の膜厚が50μ
mとなるようにスクリーン印刷後、塗膜を80℃、50
分間予備乾燥し、マスクパターンを介して超高圧水銀灯
露光機「HTE102S」(ハイテック(株)製)を用
いて500mJcm2 の露光量で紫外線を照射した。次
に、30℃、1%炭酸ナトリウム水溶液にて40秒間、
1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレー現像した
後、上述の超高圧水銀灯露光機を用い、5J/cm2 の
紫外線を照射し、150℃で50分間加熱硬化させ、得
られた基板を上述の無電解めっき処理液に浸漬すること
により無電解めっきし、厚さ25μmの導電層を形成し
た。
ラス−エポキシ樹脂積層基板上に乾燥後の膜厚が50μ
mとなるようにスクリーン印刷後、塗膜を80℃、50
分間予備乾燥し、マスクパターンを介して超高圧水銀灯
露光機「HTE102S」(ハイテック(株)製)を用
いて500mJcm2 の露光量で紫外線を照射した。次
に、30℃、1%炭酸ナトリウム水溶液にて40秒間、
1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレー現像した
後、上述の超高圧水銀灯露光機を用い、5J/cm2 の
紫外線を照射し、150℃で50分間加熱硬化させ、得
られた基板を上述の無電解めっき処理液に浸漬すること
により無電解めっきし、厚さ25μmの導電層を形成し
た。
【0045】得られた基板について、バイアホール形
状、アンダーカット、絶縁抵抗値、はんだ耐熱性、絶縁
抵抗値、ピール強度、および表面硬度を評価した。結果
を表2に示す。評価方法 : [バイアホール形状]基板を切断し、バイアホールの断
面形状を観察した。 [アンダーカット]切断した基板のバイアホールについ
て、層間絶縁層と配線パターンとの接面部分のバイアホ
ールの状態を観察した。 [はんだ耐熱性]フラックスを塗布後、260℃のはん
だ浴中に10秒間浸漬を5回繰り返した後の感光性樹脂
層の状態を観察し、下記基準により評価した。 (評価基準) 良好:はんだ浴を5回行った後もまったく変化がみられ
なかった 不良:はんだ浴を1回行った後、硬化した感光性樹脂層
の一部にハガレが発生した。 [絶縁抵抗値]得られた基板を85℃、湿度90%、D
C100Vの条件で1000時間曝した後、「ハイ・レ
ジスタンス・メーター(High Resistance Meter )43
39A」(ヒューレットパッカード(株)製)を用いて
抵抗値を測定した。
状、アンダーカット、絶縁抵抗値、はんだ耐熱性、絶縁
抵抗値、ピール強度、および表面硬度を評価した。結果
を表2に示す。評価方法 : [バイアホール形状]基板を切断し、バイアホールの断
面形状を観察した。 [アンダーカット]切断した基板のバイアホールについ
て、層間絶縁層と配線パターンとの接面部分のバイアホ
ールの状態を観察した。 [はんだ耐熱性]フラックスを塗布後、260℃のはん
だ浴中に10秒間浸漬を5回繰り返した後の感光性樹脂
層の状態を観察し、下記基準により評価した。 (評価基準) 良好:はんだ浴を5回行った後もまったく変化がみられ
なかった 不良:はんだ浴を1回行った後、硬化した感光性樹脂層
の一部にハガレが発生した。 [絶縁抵抗値]得られた基板を85℃、湿度90%、D
C100Vの条件で1000時間曝した後、「ハイ・レ
ジスタンス・メーター(High Resistance Meter )43
39A」(ヒューレットパッカード(株)製)を用いて
抵抗値を測定した。
【0046】>1012:1×1012Ω・cmを超える絶
縁抵抗値を有する <1011:1×1011Ω・cm未満の絶縁抵抗値であっ
た [ピール強度]JIS H 8646に準じて測定し
た。
縁抵抗値を有する <1011:1×1011Ω・cm未満の絶縁抵抗値であっ
た [ピール強度]JIS H 8646に準じて測定し
た。
【0047】
【表2】 実施例4 実施例1において、層間絶縁層を形成するための成分と
して、さらに触媒毒として2−メルカプトベンゾチアゾ
ール10重量部を加えて3本ロールミルを用いて混練
し、インキ状組成物を得た。このインキ状組成物を10
0メッシュ/インチのポリエステル製スクリーンを用い
て、あらかじめ銅配線パターンが形成された厚さ1mm
のガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が
25μmとなるようにスクリーン印刷後、サンドブラス
ト処理時間を3分間とした以外は、以下、実施例1と同
様にして、層間絶縁層の所要箇所にバイアホールを形成
した。次に、得られた基板をSHIPLEY サーキュ
ポジット200MLBプロセスに従い、デスミア処理を
行った後、無電解めっき処理液「SHIPLEY キュ
ポジット250」(シプレイ(株)製)に5時間浸漬す
ることにより無電解めっきし、バイアホール部分に厚さ
25μmの導電層を充填形成することができた。層間絶
縁層表面には無電解めっきによる銅の付着や変色はみら
れず、きわめて平坦な表面が得られた。
して、さらに触媒毒として2−メルカプトベンゾチアゾ
ール10重量部を加えて3本ロールミルを用いて混練
し、インキ状組成物を得た。このインキ状組成物を10
0メッシュ/インチのポリエステル製スクリーンを用い
て、あらかじめ銅配線パターンが形成された厚さ1mm
のガラス−エポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が
25μmとなるようにスクリーン印刷後、サンドブラス
ト処理時間を3分間とした以外は、以下、実施例1と同
様にして、層間絶縁層の所要箇所にバイアホールを形成
した。次に、得られた基板をSHIPLEY サーキュ
ポジット200MLBプロセスに従い、デスミア処理を
行った後、無電解めっき処理液「SHIPLEY キュ
ポジット250」(シプレイ(株)製)に5時間浸漬す
ることにより無電解めっきし、バイアホール部分に厚さ
25μmの導電層を充填形成することができた。層間絶
縁層表面には無電解めっきによる銅の付着や変色はみら
れず、きわめて平坦な表面が得られた。
【0048】実施例5 実施例1において、インキ状組成物を100メッシュ/
インチのポリエステル製スクリーンを用いて、あらかじ
め銅配線パターンが形成された厚さ1mmのガラス−エ
ポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が20μmとな
るようにスクリーン印刷後、150℃で50分間加熱硬
化させて層間絶縁層を形成し、耐サンドブラスト性を有
する被膜として、感光性ドライフィルム「ORDYL
BF−603」(東京応化工業(株)製)を70℃で熱
圧着させた。次いで、20μmパターン/20μmスペ
ースの線幅を再現し得るマスクパターンを介して、上述
の超高圧水銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック
(株)製)を用いて300mJ/cm2 の露光量で紫外
線を照射し、30℃、0.2%炭酸ナトリウム水溶液に
て40秒間、1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレ
ー現像した。
インチのポリエステル製スクリーンを用いて、あらかじ
め銅配線パターンが形成された厚さ1mmのガラス−エ
ポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が20μmとな
るようにスクリーン印刷後、150℃で50分間加熱硬
化させて層間絶縁層を形成し、耐サンドブラスト性を有
する被膜として、感光性ドライフィルム「ORDYL
BF−603」(東京応化工業(株)製)を70℃で熱
圧着させた。次いで、20μmパターン/20μmスペ
ースの線幅を再現し得るマスクパターンを介して、上述
の超高圧水銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック
(株)製)を用いて300mJ/cm2 の露光量で紫外
線を照射し、30℃、0.2%炭酸ナトリウム水溶液に
て40秒間、1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレ
ー現像した。
【0049】その後、サンドブラスト機「SC−20
2」(不二製作所製)を使用して、粒径5μmの炭化珪
素を研削材として、ブラスト圧2.5kg/cm2 で2
分間サンドブラスト処理を行い、3重量%水酸化ナトリ
ウム水溶液を用い45℃、2分間スプレーすることによ
り、耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離した。
2」(不二製作所製)を使用して、粒径5μmの炭化珪
素を研削材として、ブラスト圧2.5kg/cm2 で2
分間サンドブラスト処理を行い、3重量%水酸化ナトリ
ウム水溶液を用い45℃、2分間スプレーすることによ
り、耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離した。
【0050】耐サンドブラスト性を有する被膜を剥離し
た後、粒径5μmの炭化珪素を研削材として、上述のサ
ンドブラスト機を使用して、ブラスト圧2.5kg/c
m2で10秒間サンドブラスト処理を行い、層間絶縁層
表面を粗化し、得られた基板をSHIPLEY サーキ
ュポジット200MLBプロセスに従い、デスミア処理
を行った後、無電解めっき処理液「SHIPLEY キ
ュポジット250」(シプレイ(株)製)に1時間浸漬
することにより厚さ5μmの導電層を形成した。層間絶
縁層に欠けや剥れはみられず、また導通部には断線によ
る導通不良や短絡はみられなかった。
た後、粒径5μmの炭化珪素を研削材として、上述のサ
ンドブラスト機を使用して、ブラスト圧2.5kg/c
m2で10秒間サンドブラスト処理を行い、層間絶縁層
表面を粗化し、得られた基板をSHIPLEY サーキ
ュポジット200MLBプロセスに従い、デスミア処理
を行った後、無電解めっき処理液「SHIPLEY キ
ュポジット250」(シプレイ(株)製)に1時間浸漬
することにより厚さ5μmの導電層を形成した。層間絶
縁層に欠けや剥れはみられず、また導通部には断線によ
る導通不良や短絡はみられなかった。
【0051】比較例4 比較例1において、インキ状組成物を100メッシュ/
インチのポリエステル製スクリーンを用いて、あらかじ
め銅配線パターンが形成された厚さ1mmのガラス−エ
ポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が20μmとな
るようにスクリーン印刷後、塗膜を80℃、50分間予
備乾燥し、20μmパターン/20μmスペースの線幅
を再現し得るマスクパターンを介して、上述の超高圧水
銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック(株)製)
を用いて500mJ/cm2 の露光量で紫外線を照射し
た。次に、30℃、1%炭酸ナトリウム水溶液にて40
秒間、1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレー現像
したが、層間絶縁層に部分的に欠けがみられた。上述の
超高圧水銀灯露光機を用い2J/cm2 の紫外線を照射
した後、150℃で50分間加熱硬化させ、得られた基
板を上述の無電解めっき処理液に1時間浸漬することに
より無電解めっきし、厚さ5μmの導電層を形成した
が、導通部以外に一部短絡がみられた。
インチのポリエステル製スクリーンを用いて、あらかじ
め銅配線パターンが形成された厚さ1mmのガラス−エ
ポキシ樹脂積層基板上に、乾燥後の膜厚が20μmとな
るようにスクリーン印刷後、塗膜を80℃、50分間予
備乾燥し、20μmパターン/20μmスペースの線幅
を再現し得るマスクパターンを介して、上述の超高圧水
銀灯露光機「HTE102S」(ハイテック(株)製)
を用いて500mJ/cm2 の露光量で紫外線を照射し
た。次に、30℃、1%炭酸ナトリウム水溶液にて40
秒間、1.2kg/cm2 のスプレー圧でスプレー現像
したが、層間絶縁層に部分的に欠けがみられた。上述の
超高圧水銀灯露光機を用い2J/cm2 の紫外線を照射
した後、150℃で50分間加熱硬化させ、得られた基
板を上述の無電解めっき処理液に1時間浸漬することに
より無電解めっきし、厚さ5μmの導電層を形成した
が、導通部以外に一部短絡がみられた。
【0052】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明に本発明方
法によれば、無電解めっき処理に適したバイアホール形
状とすることができ、層間絶縁層とめっき導電層との密
着性に優れ、高耐熱性であり、信頼性の高い多層配線板
を安価に提供することができるという効果を奏する。
法によれば、無電解めっき処理に適したバイアホール形
状とすることができ、層間絶縁層とめっき導電層との密
着性に優れ、高耐熱性であり、信頼性の高い多層配線板
を安価に提供することができるという効果を奏する。
【図1】本発明の多層配線板の製造方法の工程説明図で
ある。
ある。
【図2】従来の多層配線板の製造方法を示す説明図であ
る。
る。
【図3】従来の多層配線板の製造方法を示す説明図であ
る。
る。
1、21 基板 2、22 配線パターン 3、23 層間絶縁層 4 耐サンドブラスト性を有する被膜 5、25 バイアホール 7、26 導電層 30 サイドエッチング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 城山 泰祐 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めのバイアホールを設けてなる多層配線板の製造方法に
おいて、前記バイアホールを設けるに際し、層間絶縁層
上に耐サンドブラスト性を有する被膜をパターン形成
し、次いでサンドブラスト処理を施すことにより層間絶
縁層を選択的に除去してバイアホールを形成した後、耐
サンドブラスト性を有する被膜を除去し、しかる後に無
電解めっき処理を施すことにより前記バイアホール内に
導電層を設けることを特徴とする、多層配線板の製造方
法。 - 【請求項2】 耐サンドブラスト性を有する被膜が感光
性樹脂である、請求項1に記載の多層配線板の製造方
法。 - 【請求項3】 耐サンドブラスト性を有する被膜が、ウ
レタン(メタ)アクリレートオリゴマー、水溶性セルロ
ース樹脂、光重合開始剤、および(メタ)アクリレート
モノマーを含有する感光性樹脂である、請求項1または
2に記載の多層配線板の製造方法。 - 【請求項4】 層間絶縁層中に、含硫黄有機化合物を含
有してなる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の多層
配線板の製造方法。 - 【請求項5】 耐サンドブラスト性を有する被膜を除去
後、層間絶縁層表面にサンドブラスト処理を施すことに
より層間絶縁層表面を粗化し、しかる後に無電解めっき
処理を施すことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか
1項に記載の多層配線板の製造方法。 - 【請求項6】 層間絶縁層がエポキシ樹脂、ポリフェノ
ール樹脂、ポリノボラック樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ
イミド樹脂から選ばれた少なくとも1種である、請求項
1〜5のいずれか1項に記載の多層配線板の製造方法。 - 【請求項7】 基板の少なくとも一方の面上に、複数層
の配線パターンと層間絶縁層を有し、該層間絶縁層の所
定箇所に前記配線パターンを互いに電気的に接続するた
めの導通部を設けてなる多層配線板の製造方法におい
て、前記導通部を断面視すり鉢状に形成し、しかる後に
前記導通部に導電材を埋めることを特徴とする、多層配
線板の製造方法。 - 【請求項8】 前記導通部の断面視すり鉢状に形成する
手段が、サンドブラスト処理である、請求項7に記載の
多層配線板の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6908396A JPH09237976A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 多層配線板の製造方法 |
TW086102413A TW322680B (ja) | 1996-02-29 | 1997-02-27 | |
EP97103255A EP0793406B1 (en) | 1996-02-29 | 1997-02-27 | Process for producing multilayer wiring boards |
DE69734947T DE69734947T2 (de) | 1996-02-29 | 1997-02-27 | Verfahren zur Herstellung von mehrschichtigen Leiterplatten |
US08/807,504 US6010956A (en) | 1996-02-29 | 1997-02-27 | Process for producing multilayer wiring boards |
KR1019970006666A KR100429443B1 (ko) | 1996-02-29 | 1997-02-28 | 다층배선판의제조방법 |
US09/273,265 US6228465B1 (en) | 1996-02-29 | 1999-03-22 | Process for producing multilayer wiring boards |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6908396A JPH09237976A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09237976A true JPH09237976A (ja) | 1997-09-09 |
Family
ID=13392350
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6908396A Pending JPH09237976A (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09237976A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6040106A (en) * | 1998-03-16 | 2000-03-21 | Nec Corporation | Porous photoreceptor and method for manufacturing the same |
JP2007005593A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
US7237331B2 (en) | 2002-12-24 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Electronic part manufacturing method and electronic part |
JP2019006981A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物層 |
CN111979533A (zh) * | 2016-03-11 | 2020-11-24 | 麦克赛尔控股株式会社 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
JP2021093447A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板、実装基板、および配線基板の製造方法 |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP6908396A patent/JPH09237976A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6040106A (en) * | 1998-03-16 | 2000-03-21 | Nec Corporation | Porous photoreceptor and method for manufacturing the same |
US7237331B2 (en) | 2002-12-24 | 2007-07-03 | Tdk Corporation | Electronic part manufacturing method and electronic part |
JP2007005593A (ja) * | 2005-06-24 | 2007-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 配線基板及び配線基板の製造方法 |
CN111979533A (zh) * | 2016-03-11 | 2020-11-24 | 麦克赛尔控股株式会社 | 镀覆部件的制造方法、镀覆部件、催化活性妨碍剂及无电解镀用复合材料 |
JP2019006981A (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-17 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物層 |
JP2021093447A (ja) * | 2019-12-10 | 2021-06-17 | 大日本印刷株式会社 | 配線基板、実装基板、および配線基板の製造方法 |
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---|---|---|---|
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