TW201800608A - 鍍敷零件之製造方法、鍍敷零件、觸媒活性抑制劑及無電解鍍敷用複合材料 - Google Patents

鍍敷零件之製造方法、鍍敷零件、觸媒活性抑制劑及無電解鍍敷用複合材料 Download PDF

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鬼頭朗子
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Abstract

本發明提供藉由簡易之製造製程而抑制特定圖型以外之鍍敷膜生成、可僅於特定圖型形成鍍敷膜之鍍敷零件之製造方法。
本發明之鍍敷零件之製造方法包含於基材表面形成包含具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物的觸媒活性抑制層，使形成前述觸媒活性抑制層之前述基材表面之一部分加熱或光照射，對經加熱或光照射之前述基材表面賦予無電解鍍敷觸媒，及使經賦予前述無電解鍍敷觸媒之前述基材表面與無電解鍍敷液接觸，而於前述表面之加熱部分或光照射部分形成無電解鍍敷膜。

Description

鍍敷零件之製造方法、鍍敷零件、觸媒活性抑制劑及無電解鍍敷用複合材料
本發明有關選擇性地形成鍍敷膜之鍍敷零件之製造方法、鍍敷零件及觸媒活性抑制劑。
近幾年來，於射出成形體等之表面形成電性電路之立體電路成形零件稱為MID(模製互連裝置(Molded Interconnect Device))，其應用範圍急速擴大。MID由於可於小型且複雜形狀之成形體表面形成電路，故符合電子零件之輕薄短小之趨勢。例如於智慧型手機之框體表面形成天線等之小型零件已於中國大量生產。且，於汽車領域中MID應用於感測器或照明零件也以歐洲為中心活耀地進行檢討。又，目前於汽車已使用大量之電纜線束(Cable Harness)(線束(Wire Harness))。藉由將該電纜線束置換為MID，可期待輕量化及組裝步驟束削減所製之成本降低。
作為於樹脂成形體等之絕緣性基材表面形成配線圖型(電性電路)之方法，提案有例如以下說明之方法。首先，於基材表面全體形成金屬層。其次，藉光阻劑 將形成之金屬層圖型畫，隨後，藉由蝕刻去除配線圖型以外之部分的金屬層。藉此，藉由於基材表面殘存之金屬層可形成配線圖型。
又，作為不使用光阻劑之配線圖型(電性電路)之形成方法，提案有使用雷射光之方法(例如專利文獻1)。首先，對未形成配線圖型之部分照射雷射光使基材粗化。接著，對基材全體賦予無電解鍍敷觸媒時，於雷射光照射部分，與其他部分比較，更強固地附著無電解鍍敷觸媒。其次，洗淨基材時，僅雷射光照射部分殘留無電解鍍敷，可容易地去除其他部分之觸媒。對於僅於雷射光照射部分附著無電解鍍敷觸媒之基材施以無電解鍍敷，可僅於雷射光照射部分亦即僅於特定配線圖型形成鍍敷膜。利用雷射光之配線圖型之形成方法由於節省製造光罩等之成本及手續，故可容易地變更配線圖型。
又，作為其他配線圖型(電性電路)之形成方法，LDS法(雷射引導結構化，Laser Direct Structuring)法已實用化(例如非專利文獻1、專利文獻2)。藉由LDS法，首先於熱塑性樹脂中混練銅錯合物而射出成形，對含有該銅錯合物之成形體表面進行雷射描繪。藉由雷射光照射使銅錯合物金屬化並展現無電解鍍敷之觸媒活性，而可進行雷射描繪部之鍍敷。LDS法可製造於複雜形狀之射出成形體表面形成電路之立體電路成形零件(MID)，於智慧型手機或汽車之製造中正普及。
亦已提案有與如LDS法之於成形體中混練觸 媒之方法不同之方法(例如專利文獻3)。專利文獻3中，揭示使用短波長之飛秒雷射光對成形體表面賦予官能基之方法。由於成形體表面具有極性基，故展現與鍍敷膜之化學接著強度。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第3222660號公報
[專利文獻2]歐洲專利第1274288號公報
[專利文獻3]日本特開2012-136769號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]Wolfgang John，「削減生產成本之3次元組件」，Industrial Laser Solutions Japan，Express股份有限公司，2011年9月號，p.18-22
然而，專利文獻1中提案之利用雷射光之配線圖型(電性電路)之形成方法，根據基材種類或表面狀態而定，而有於雷射光照射部分以外亦強固附著無電解鍍敷觸媒，即使藉由洗淨液無法去除之情況。例如，含有易附著無電解鍍敷觸媒之填充劑之基材、表面粗糙度大之基材、具有空隙之基材等，由於容易附著無電解鍍敷觸媒， 故即使洗淨亦容易殘存無電解鍍敷觸媒。且，依據無電解鍍敷觸媒之種類或基材種類而定，而有無電解鍍敷觸媒浸透至基材內部之情況，浸透於基材之無電解鍍敷觸媒難以藉由洗淨去除。因此，對於如此之特定配線圖型以外之部分殘存無電解鍍敷觸媒之基材施以無電解鍍敷時，當然會於配線圖型以外之部分生成無電解鍍敷膜，而成為問題。
且，LDS法必須開發專用樹脂，而有樹脂材料之成本大幅增大之問題。而且由於於樹脂中混練大量銅錯合物而使樹脂著色，故難以應用於透明樹脂。且，應用於薄片狀之薄壁成形體等時，由於有必要使用專用樹脂，故難以少量多品項地量產。且，LDS法若應用於製造汽車之電纜線束之替代品等之大型零件時，產生如下問題。首先，由於所消耗之專用樹脂材料變多，故成本上升。而且，有必要使雷射裝置大型化，而於量產成為問題。進而，由於配線圖型彼此在同一基板上鄰接，故配線圖型間之絕緣性亦有顧慮。
另一方面，專利文獻3中，探討不使用特殊樹脂材料，而選擇性地鍍敷成形體表面。然而，僅藉由雷射描繪，難以對描繪部與其以外之部分之成形體表面特性賦予明確對比，認為藉由專利文獻3之方法難以安定地進行選擇性鍍敷。且，專利文獻3之方法需要昂貴之短波長雷射加工機，因此阻礙了該方法之普及。
本發明係為了解決該等課題者，而提供難以依存於基材種類或形狀及狀態，而可藉由簡易製造製程抑 制於特定圖型以外之無電解鍍敷膜之生成，可僅於特定圖型形成無電解鍍敷之鍍敷零件之製造方法。
依據本發明之第1樣態，提供一種鍍敷零件之製造方法，其包含於基材表面形成包含具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物的觸媒活性抑制層，使形成前述觸媒活性抑制層之前述基材表面之一部分加熱或光照射，對經加熱或光照射之前述基材表面賦予無電解鍍敷觸媒，及使經賦予前述無電解鍍敷觸媒之前述基材表面與無電解鍍敷液接觸，而於前述表面之加熱部分或光照射部分形成無電解鍍敷膜。
本樣態中，前述聚合物可為具有側鏈之分支聚合物。且對前述基材表面之一部分加熱或光照射、與使前述基材表面與無電解鍍敷液接觸之間，亦可進而包含洗淨基材表面。
前述分支聚合物可為樹枝狀聚合物，亦可為超分支聚合物。且前述分支聚合物之數平均分子量可為3,000~30,000，重量平均分子量可為10,000~300,000。前述分支聚合物之側鏈亦可包含芳香環。
本樣態中，前述分支聚合物可進而具有主鏈，前述分支聚合物之主鏈亦可為脂肪族。且，前述分支聚合物之數平均分子量可為1,000~100,000，重量平均分子量可為1,000~1000,000。
前述分支聚合物之側鏈可具有醯胺基及胺基之至少一者，亦可進而具有含硫之基。且，前述含硫之基係硫醚基或二硫代胺基甲酸酯基。
本樣態中，前述分支聚合物係以下述式(1)或下述式(3)表示之分支聚合物，
Figure TW201800608AD00001
式(1)中，A1為含芳香環之基，A2為含硫之基或胺基，R1為碳數1~5之取代或未取代之伸烷基或單鍵，R2及R3分別為碳數1~10之取代或未取代之烷基或氫，m1為1~10，n1為5~100。
Figure TW201800608AD00002
式(3)中，R4為自碳數1~10之取代或未取代之烷基、含硫之基、胺基、羧基、醯亞胺基及矽烷基所組成之群中選擇之基、或氫，R5為碳數1~10之取代或未取代之烷基或氫，n2為5~1000。
前述分支聚合物可為以式(1)表示之分支聚合物，式(1)中，A1為下述式(2)表示之基，A2為二硫代胺基甲酸酯基，R1為單鍵，R2為氫，R3為異丙基。
Figure TW201800608AD00003
前述分支聚合物可為以式(3)表示之分支聚合物，式(3)中，R4為甲基或下述式(4)表示之基，R5為異丙基。
Figure TW201800608AD00004
本樣態中，前述分支聚合物可具有主鏈，前述主鏈具有醯胺基及胺基之至少一者。前述主鏈可進而具有含醯亞胺基。
本樣態中，前述基材表面之一部分可藉由加熱或光照射，而自前述表面之加熱部分或光照射部分去除前述觸媒活性抑制層。加熱或光照射前述基材表面之一部分可使用雷射光於前述基材表面進行雷射描繪。
依據本發明第2樣態，係提供一種鍍敷零件，其特徵係具有基材、形成於前述基材表面之一部分上之鍍敷膜、形成於前述基材表面之未形成前述鍍敷膜之區域上之含有具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物的樹脂層。
前述基材可為樹脂或絕緣性無機材料。且前述鍍敷零件可為電子零件。
依據本發明第3樣態，係提供一種觸媒活性抑制劑，其係妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觸媒活性抑制劑，其特徵為含有具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物。
依據本發明第4樣態，係提供一種複合材料，其係無電解鍍敷用複合材料，且特徵為具有基材、及形成於前述基材表面之含有具有醯胺基及胺基之至少一者 之聚合物的樹脂層。
本發明係於基材表面之加熱部分或光照射部分形成無電解鍍敷膜，另一方面，於其以外之部分藉由觸媒活性抑制層之存在而抑制無電解鍍敷膜之生成。藉此，本發明之鍍敷零件之製造方法可藉由簡易之製造製程而抑制特定圖型以外之鍍敷膜生成、可僅於特定圖型形成鍍敷膜。且，本發明之方法之基材選擇幅度較廣，亦可實現製造成本之削減。
10‧‧‧基材
10a‧‧‧觸媒活性抑制層去除部分
10b‧‧‧觸媒活性抑制層殘存部分
11‧‧‧觸媒活性抑制層
85‧‧‧無電解鍍敷膜
100‧‧‧鍍敷零件
圖1係顯示實施形態之鍍敷零件之製造方法之流程圖。
圖2(a)~(c)係說明實施形態之鍍敷零件之製造方法之圖。
(1)鍍敷零件之製造方法
依據圖1所示之流程圖，針對於基材上形成特定圖型之鍍敷膜之鍍敷零件之製造方法加以說明。首先，於圖2(a)所示之基材10表面形成包含具有醯胺基及胺基之至少 一者之聚合物的觸媒活性抑制層11(圖1之步驟S1)。基材10之材料並未特別限定，但基於於表面形成無電解鍍敷膜之觀點，較好為絕緣體，可使用例如熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、陶瓷及玻璃等。其中，基於成形之容易性，本實施形態所用之基材10較好為由樹脂形成之樹脂基材。
作為熱塑性樹脂，較好為尼龍6(PA6)、尼龍66(PA66)、尼龍12(PA12)、尼龍11(PA11)、尼龍6T(PA6T)、尼龍9T(PA9T)、10T尼龍、11T尼龍、尼龍MXD6(PAMXD6)、尼龍9T．6T共聚物、尼龍6．66共聚物等之聚醯胺。作為聚醯胺以外之樹脂，可使用聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、非晶聚烯烴、聚醚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚醚酮、ABS系樹脂、聚苯硫醚(PPS)、聚醯胺醯亞胺、聚乳酸、聚己內酯、液晶聚合物、環烯烴聚合物等。
尤其於製造要求焊料回焊耐性之鍍敷零件時，作為兼具耐熱性與成形性兼具之熱塑性樹脂，較好為尼龍6T(PA6T)、尼龍9T(PA9T)、10T尼龍、11T尼龍、尼龍MXD6(PAMXD6)等之芳香族尼龍及包含該等之共聚物。而且，基於尺寸安定性及剛性提高之觀點，該等熱塑性樹脂亦可填充有玻璃填充劑或礦物填充劑等之無機填充劑。具體而言，可使用SOLVAY ADVANCED POLYMER製之AMODEL、KURARAY製之GENESTAR、東洋紡製之VYLOAMIDE、三菱ENPLA東洋紡製之RENY等。 又，於鍍敷零件未要求焊料回焊耐性時，可使用廣泛使用之工程塑膠的ABS樹脂、聚碳酸酯(PC)、ABS樹脂與PC之聚合物合金(ABS/PC)等。又，作為鍍敷零件，於製造高頻用天線時，作為具有適用於高頻用天線之電特性之熱塑性樹脂，較好為聚苯硫醚、液晶聚合物、環烯烴聚合物。且，使用市售之熱塑性樹脂時，為了易於吸收後步驟之雷射光照射步驟之雷射光並發生熱，亦可使用作為黑色等級之市售之黑色熱塑性樹脂。又，該等熱塑性樹脂可單獨使用，亦可混合2種以上使用。
作為熱硬化性樹脂可使用聚矽氧樹脂、環氧樹脂等。藉由使用透明熱硬化性樹脂，可製造透明且具有焊料回焊耐性之裝置(鍍敷零件)。作為光硬化性樹脂可使用丙烯酸樹脂、聚矽氧樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺等。且，作為陶瓷，可使用氧化鋁、氮化鋁、鈦酸鋯酸鉛(PZT)、鈦酸鋇、矽晶圓等。
後步驟之雷射光照射步驟中，為了易於吸收雷射光並發生熱，基材10亦可含有碳等之填充劑、或花青化合物、酞花青化合物、二硫醇金屬錯合物、萘醚化合物、二亞銨化合物、偶氮化合物等之光吸收色素作為光吸收劑。
本實施形態使用之基材10可為市售品，亦可自市售材料成形等而製造。例如，可藉由粉末射出成形方法製造複雜形狀之陶瓷基材。且，可將市售熱塑性樹脂成形為期望形狀，製造樹脂成形體(基材)。作為熱塑性樹脂 之成形方法，可使用廣泛使用之射出成形方法或擠出成形方法。樹脂成形體可為以擠出成形製造之薄片狀之成形體。且基材10亦可使用光硬化性樹脂或熱塑性樹脂藉由3D印表機予以造形。使用3D印表機時，可製造複雜形狀之基材，使用該基材可製造複雜形狀之MID。
本實施形態所用之基材10可為於內部具有發泡微胞之發泡成形體。藉由使用發泡成形體作為基材10，可製造輕量且尺寸晶度高的MID。發泡成形體中之發泡微胞可為獨立氣泡亦可為連續氣泡。發泡成形體可使用化學發泡劑或超臨界流體等之物理發泡劑，使熱塑性樹脂發泡成形而製造。
觸媒活性抑制層11(以下適當記載為「抑制層」)包含具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物(以下適當記載為「含有醯胺基/胺基之聚合物」)。含有醯胺基/胺基之聚合物係作為阻礙(妨礙)或降低後步驟中賦予至抑制層11上之無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觸媒活性抑制劑發揮作用。作為觸媒活性抑制劑發揮作用之含有醯胺基/胺基之聚合物可作為樹脂層(觸媒活性抑制層)均一覆蓋各種基材表面，藉此，可抑制不期望形成鍍敷膜之部分的無電解鍍敷反應。因此，本實施形態之製造方法之基材選擇幅度廣。
含有醯胺基/胺基之聚合物可為僅具有醯胺基之聚合物，亦可僅具有胺基之聚合物，亦可具有醯胺基及胺基兩者之聚合物。含有醯胺基/胺基之聚合物可使用任 意者，但基於妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觀點，較好為具有醯胺基之聚合物，且較好為具有側鏈之分支聚合物。分支聚合物中，較好側鏈包含醯胺基及胺基之至少一者，更好側鏈包含醯胺基。
含有醯胺基/胺基之聚合物妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之機制尚未確定，但推測如下。醯胺基及/或胺基吸附於無電解鍍敷觸媒，進行配位、反應等而形成複合體，藉此使無電解鍍敷觸媒被捕捉於含有醯胺基/胺基之聚合物。尤其，分支聚合物之側鏈所含之醯胺基及/或胺基係自由度高，且分支聚合物1分子中，可含多數醯胺基及/或胺基。因此，分支聚合物藉由複數之醯胺基及/或胺基，可有效且強力地捕捉無電解鍍敷觸媒。例如分支聚合物作為多齒配位子發揮作用，使複數之醯胺基及/或胺基配位於無電解鍍敷觸媒可形成螯合物構造。如此被捕捉之無電解鍍敷觸媒無法發揮觸媒活性。例如鈀等金屬作為無電解鍍敷觸媒賦予至抑制層11上時，分支聚合物之醯胺基及/或胺基將鈀以鈀離子狀態捕捉。鈀離子藉由無電解鍍敷液中所含之還原劑還原成為金屬鈀，發揮無電解鍍敷觸媒活性。然而，捕捉於分支聚合物之鈀離子即使因無電解鍍敷液中所含之還原劑亦未被還原，無法發揮觸媒活性。藉此，於形成抑制層11之基材10表面，抑制了無電解鍍敷膜之形成。惟，該機制僅為推定，本發明不限定於此。
含有醯胺基/胺基之聚合物中所含之醯胺基並 未特別限定，可為1級醯胺基、2級醯胺基、3級醯胺基之任一者，含有醯胺基/胺基之聚合物中所含之胺基並未特別限定，可為1級胺基、2級胺基、3級胺基之任一者。該等醯胺基及胺基於聚合物內可僅含1種，亦可含2種以上。
使用分支聚合物作為含有醯胺基/胺基之聚合物時，基於有效地妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觀點，分支聚合物中所含之醯胺基較好為2級醯胺基，且醯胺基之氮上較好鍵結有異丙基。且，分支聚合物中所含之胺基較好為1級胺基(-NH2)或2級胺基(-NH-)。
分支聚合物之側鏈具有醯胺基及胺基之至少一者，亦可進而具有含硫之基。含硫之基與上述醯胺基及胺基同樣有吸附無電解鍍敷觸媒等之傾向。藉此，分支聚合物促進了妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之效果。含硫之基並未特別限定，可為例如硫醚基、二硫代胺基甲酸酯基、硫氰基，較好為硫醚基或二硫代胺基甲酸酯基。該等含硫之基於分支聚合物側鏈中可僅含1種，亦可含2種以上。
分支聚合物較好為樹枝狀聚合物。樹枝狀聚合物係以頻繁重複規則性分支之分子構造構成之聚合物，分類為樹枝狀聚合物與超分支聚合物。樹枝狀聚合物具有以成為核之分子為中心，規則確實地完全為樹狀分支之構造，為直徑數nm之球形聚合物，超分支聚合物與具有完全樹狀構造之樹枝狀聚合物不同，係具有不完全樹枝分支 之聚合物。樹枝狀聚合物中，超分支聚合物由於合成比較容易且便宜，故作為本實施形態之分支聚合物較佳。
本實施形態中，樹枝狀聚合物及超分支聚合物之成為核之分子以外之部分定義為樹枝狀聚合物及超分支聚合物之側鏈。因此，本實施形態所用之樹枝狀聚合物及超分支聚合物於側鏈且為成為核之分子以外之部分具有醯胺基及胺基之至少一者。樹枝狀聚合物由於自由度高的側鏈部分較多，故易吸附於無電解鍍敷觸媒，可有效地妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性。因此，樹枝狀聚合物即使薄膜化亦可效率良好地作為觸媒活性抑制劑發揮作用。且，由於樹枝狀聚合物之溶液即使為高濃度易為低黏度，故對於複雜形狀之基材，亦可形成均一膜後之抑制層。進而，樹枝狀聚合物之耐熱性高。因此，較適用於要求焊料回焊耐性之鍍敷零件。
樹枝狀聚合物除了醯胺基及/或胺基以外，亦可含有與基材之親和性高的官能基。藉此，增強圖2所示之基材10與抑制層11之密著性。與基材之親和性高的官能基可根據基材種類適當選擇。例如基材為聚苯硫醚、液晶聚合物等之具有芳香環之材料時，樹枝狀聚合物較好含芳香環。基材為玻璃時，樹枝狀聚合物較好含有與玻璃之親和性高的矽烷醇基。
本實施形態之樹枝狀聚合物較好數平均分子量為3,000~30,000，重量平均分子量為10,000~300,000，更好數平均分子量為5,000~30,000，重量平均分子量為 20,000~200,000。數平均分子量及重量平均分子量小於上述範圍時，每1分子之官能基量減少，有作為觸媒活性抑制劑之效率降低之虞。另一方面，數平均分子量及重量平均分子量大於上述範圍時，於例如使用將樹枝狀聚合物溶解於溶劑形成觸媒活性抑制層11之製造方法時，對溶劑之溶解度變不充分，有產生製造上不利之虞。
本實施形態之樹枝狀聚合物較好為下述式(1)表示之分支聚合物。下述式(1)表示之分支聚合物可效率良好地作為觸媒活性抑制劑發揮作用。
Figure TW201800608AD00005
式(1)中，A1為含芳香環之基，A2為含硫之基或胺基，R1為碳數1~5之取代或未取代之伸烷基或單鍵，R2及R3分別為碳數1~10之取代或未取代之烷基或氫。R1、R2及R3分別可為直鏈或分支鏈。且，m1為1~10，n1為5~100， 又，式(1)中，較好A1為下述式(2)表示之基，A2為二硫代胺基甲酸酯基，R1為單鍵，R2為氫，R3為異丙基。
Figure TW201800608AD00006
本實施形態之分支聚合物可為樹枝狀聚合物以外之分支聚合物。該情況下，分支聚合物除了側鏈以外具有主鏈。具有主鏈及側鏈之分支聚合物可於主鏈含有醯胺基及/或胺基，亦可於側鏈含有醯胺基及/或胺基。基於妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觀點，較好於側鏈含有醯胺基及/或胺基。分支聚合物之主鏈亦可包含與基材之親和性高的官能基。藉此，增強圖2所示之基材10與抑制層11之密著性。分支聚合物具有主鏈及側鏈時，較好主鏈含有與基材之親和性高的官能基藉此具有與基材之密著性提高之功能，側鏈含有醯胺基及/或胺基藉此具有觸媒活性抑制功能。藉由如此分離功能，推測可更提高具有醯胺基及/或胺基之側鏈之自由度，分支聚合物變得易於捕捉無電解鍍敷觸媒。與基材之親和性高的官能基與上述樹枝狀聚合物同樣，可根據基材種類適當選擇。
本實施形態之具有主鏈及側鏈之分支聚合物較好數平均分子量為1,000~100,000，重量平均分子量為 1,000~1,000,000，更好數平均分子量為5,000~50,000，重量平均分子量為5,000~200,000。數平均分子量及重量平均分子量小於上述範圍時，每1分子之官能基量減少，有作為觸媒活性抑制劑之效率降低之虞。另一方面，數平均分子量及重量平均分子量大於上述範圍時，於例如使用將分支聚合物溶解於溶劑形成觸媒活性抑制層11之製造方法時，對溶劑之溶解度變不充分，有產生製造上不利之虞。
本實施形態之具有主鏈及側鏈之分支聚合物可為丙烯醯胺系樹脂，較好為下述式(3)表示之分支聚合物。下述式(3)表示之分支聚合物可效率良好地作為觸媒活性抑制劑發揮作用。
Figure TW201800608AD00007
式(3)中，R4為自碳數1~10之取代或未取代之烷基、含硫之基、胺基、羧基、醯亞胺基及矽烷基所組成之群中選擇之基、或氫，R5為碳數1~10之取代或未取代之烷基或氫。R4及R5可為直鏈或分支鏈。且，n2為5~1000。
且，式(3)中，較好R4為甲基或下述式(4)表示之基，R5為異丙基。
Figure TW201800608AD00008
本實施形態所用之含有醯胺基/胺基之聚合物只要為具有醯胺基及/或胺基之聚合物即可，亦可為分支聚合物以外之聚合物。亦即，可為不具有側鏈而由主鏈構成之直鏈聚合物，且主鏈具有醯胺基及胺基之至少一者。含有醯胺基/胺基之聚合物主鏈亦可進而具有醯亞胺基。醯亞胺基與上述醯胺基及胺基同樣有吸附無電解鍍敷觸媒等之傾向。藉此，促進了妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之效果。作為具有醯亞胺基之聚合物舉例為例如聚醯胺醯亞胺。
抑制層11除了含有醯胺基/胺基之聚合物以外，為了易於吸收後步驟之雷射光照射步驟中之雷射光並發生熱，亦可含有碳等之填充劑、或花青化合物、酞花青化合物、二硫醇金屬錯合物、萘醌化合物、二亞銨化合物、偶氮化合物等之光吸收色素作為光吸收劑。光吸收劑可溶解或分散於溶劑等而賦予至抑制層11表面，但基於作業簡便性，較好預先於抑制層11中含有。
抑制層11亦可不含含有醯胺基/胺基之聚合物以外之聚合物，且亦可與含有醯胺基/胺基之聚合物一起含有不妨礙觸媒活性之其他聚合物。基於妨礙觸媒活性之觀點，較好不含含有醯胺基/胺基之聚合物以外之聚合 物，為了提高對基材10之密著性等之其他特性，亦可含其他聚合物。進而，抑制層11亦可根據需要含有界面活性劑等之習知添加劑。
含有醯胺基/胺基之聚合物較好為抑制層11之主成分。抑制層11中之含有醯胺基/胺基之聚合物含有例如30重量%~100重量%，較好含有50重量~100重量%，更好含有70重量~100重量%。藉由以上述範圍於抑制層11中包含含有醯胺基/胺基之聚合物，抑制層11可於基材10上充分抑制鍍敷膜之生成。
抑制層11為了不對基材10之耐熱性等物性或介電率等之電特性造成影響，較薄較佳。抑制層11之厚度較好為例如5000nm以下，更好為1000nm以下，又更好為300nm以下。另一方面，基於妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觀點，例如較好為10nm以上，更好為30nm以上，又更好為50nm以上。又，基於抑制特定圖型以外之無電解鍍敷膜生成之觀點，抑制層11較好形成於後述之無電解鍍敷步驟中至少與無電解鍍敷液接觸之基材10表面之區域，更好形成於基材10表面全面。
於基材10表面形成抑制層11之方法並未特別限定。可例如調製於溶劑中溶解或分散含有醯胺基/胺基之聚合物的聚合物液，使聚合物液與基材10接觸形成抑制層11。作為聚合物液與基材10接觸之方法，可為將聚合物液塗佈於基材10上，亦可將基材10浸漬於聚合物液。作為具體之形成方法，舉例為浸漬塗佈、網版塗佈、 噴霧塗佈等。其中，基於形成之抑制層11之均一性與作業簡便性之觀點，較好為於聚合物液中浸漬基材10之方法(浸漬塗佈)。
抑制層11之形成中使用聚合物液時，聚合物液中之含有醯胺基/胺基之聚合物調配量(含有醯胺基/胺基之聚合物濃度)並未特別限定，可考慮含有醯胺基/胺基之聚合物及溶劑種類、含有醯胺基/胺基之聚合物之分子量、形成之抑制層11之膜厚等適當決定，但可為例如0.01重量%~5重量%，較好為0.1重量%~2重量%。
聚合物液中使用之溶劑(solvent)若為可溶解或分散含有醯胺基/胺基之聚合物之溶劑，且為不使基材10變質之溶劑則未特別限定。較好為例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮類，乙醇、甲醇、異丙醇等之醇類，二丙二醇單甲醚、2-丁氧基乙醇等之二醇醚類，甲苯、苯等之具有芳香環之化合物、N-甲基吡咯烷酮、環己酮、四氫呋暔及此等之混合物。聚合物液除了含有醯胺基/胺基之聚合物、溶劑以外，亦可根據需要含有上述光吸收劑、其他聚合物、界面活性劑等之習知添加劑。聚合物液可藉由習知方法混合該等構成成分而調製。
基材10浸漬於聚合物液時之聚合物液溫度及浸漬時間並未特別限定，可考慮含有醯胺基/胺基之聚合物及溶劑種類、含有醯胺基/胺基之聚合物之分子量、形成之抑制層之膜厚等適當決定。聚合物液溫度為例如0℃~100℃，較好為10℃~50℃，浸漬時間為例如1秒~10分 鐘，較好為5秒~2分鐘。
藉由以上說明之步驟(圖1之步驟S1)，如圖2(a)所示，獲得具有基材10及形成於基材10表面之包含含有醯胺基/胺基之聚合物之樹脂層11的無電解鍍敷用之複合材料50。對複合材料50經過後述之雷射光照射步驟(圖1之步驟S2)、無電解鍍敷賦予步驟(步驟S3)等，藉由施以無電解鍍敷(步驟S4)，可於雷射光照射部分選擇性形成無電解鍍敷膜。
其次，對所得複合材料50表面亦即形成抑制層11之基材10表面之一部分照射光，或加熱基材10表面之一部分(圖1之步驟S2)。照射光之方法並未特別限定，舉例為例如對基材10表面依據特定圖型照射雷射光之方法(雷射描繪)、或遮蔽不照射光之部分後，對基材10表面全體照射光之方法等。藉由對基材10表面之一部分照射光，推測可將光轉換為熱，而加熱基材10之表面。如上述，基材10含有吸收劑時，可將照射至基材10之光有效地轉換為熱。且，作為不對基材10表面照射光而加熱基材10表面之方法，舉例為利用由凸部形成圖型之簡易模具等直接熱加壓基材10表面之方法。藉由雷射描繪加熱基材10由於作業簡便性及加熱部分之選擇性優異、進而圖型變更及微細化容易故而較佳。
可使用雷射光為例如CO2雷射、YVO4雷射、YAG雷射等之雷射裝置進行照射，該等雷射裝置可根據抑制層11所用之含有醯胺基/胺基之聚合物種累而適當選 擇。
本實施形態中，藉由依據特定圖型於基材10表面照射雷射光(雷射描繪)，加熱雷射光照射之部分，去除加熱部分之抑制層11。此處，所謂「去除抑制層11」意指例如加熱部分之抑制層11藉由蒸發而消失。藉由對賦予抑制層11之基材10表面進行特定圖型之雷射描繪，而如圖2(b)所示，可形成特定圖型之抑制層去除部分10a與殘存抑制層11之抑制層殘存部分10b。又，加熱部分的抑制層去除部分10a亦可與抑制層11一起使基材10之表層部分蒸發而消失。且，所謂「去除抑制層11」不僅為使抑制層11完全消失，亦包含使抑制層11殘存至不影響後步驟之無電解鍍敷處理進行之程度之情況。即使殘存抑制層11，若對後步驟之無電解鍍敷處理造成影響，則亦會使妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之作用消失。再者，本實施形態中，即使抑制層11之加熱部分變性或變質而失去作為抑制層11之作用之情況，亦包含於「去除抑制層11」。舉例為例如使含有醯胺基/胺基之聚合物之醯胺基/胺基變性或變質，其結果，含有醯胺基/胺基之聚合物無法捕捉無電解鍍敷觸媒之情況。該情況，由於並非抑制層11之加熱部分完全消失，而是殘存變性物(變質物)。該變性物不妨礙觸媒活性。因此，抑制層11變性或變質之部分亦產生與圖2(b)所示之抑制層11已消失之抑制層去除部分10a相同之作用。
本實施形態中，照射雷射光後，較好洗淨基 材10表面。於藉由雷射光照射而於抑制層去除部分10a殘存抑制層11之變性物(變質物)時，有其變性物(變質物)擴大分散至基材10表面之虞。該變性物(變質物)不會妨礙觸媒活性。因此於抑制層殘存部分10b附著變性物(變質物)時，於後步驟之無電解鍍敷時會於變性物(變質物)附著部分生程度敷膜。照射雷射光後，藉由洗淨基材10表面，可去除飛散於基材10表面之變性物(變質物)。藉此，抑制了雷射光照射部以外之鍍敷膜生成，提高鍍敷選擇性。基材10表面之洗淨較好於加熱或光照射基材10表面之一部分的步驟(圖1之步驟S2)與使基材10表面接觸無電解鍍敷液之步驟(圖1之步驟S4)之間進行。基材10表面之洗淨若在加熱基材10表面等之步驟(圖1之步驟S2)與無電解鍍敷步驟(圖1之步驟S4)之間，則亦可在無電解鍍敷觸媒之賦予步驟(圖1之步驟S)之前進行，亦可之後進行。但，基於提高鍍敷選擇性之觀點，基材10表面之洗淨較好在無電解鍍敷觸媒之賦予步驟之前進行。
洗淨基材10表面之方法若為可去除飛散於基材10表面之抑制層11之變性物(變質物)，則可使用任意方法。例如可於可溶解抑制層11之變性物(變質物)之洗淨液中浸漬經雷射光照射之基材10(浸漬法)。作為洗淨液，可使用例如脫脂劑、表面調整劑、調節劑等之鍍敷用前處理劑；界面活性劑之溶液；及鹼溶液等。
其次，對經照射雷射光之基材10表面賦予無電解鍍敷觸媒(圖1之步驟S3)。作為無電解鍍敷觸媒，只 要具有無電解鍍敷觸媒能者，則可使用任意者，但可使用例如Pd、Ni、Pt、Cu等之金屬微粒子、金屬錯合物、金屬烷氧化物等，其中，較好為包含觸媒活性能高的Pd之無電解鍍敷觸媒。
於基材10表面賦予無電解鍍敷觸媒之方法並未特別限制。例如藉由調製將無電解鍍敷觸媒溶解或分散於溶劑之觸媒液，將該觸媒液塗佈於基材10上，或將基材10浸漬於觸媒液中，而於基材10表面賦予無電解鍍敷觸媒。基於觸媒賦予之均一性之觀點，較好於觸媒液中浸漬基材10之方法。
觸媒液中使用之溶劑若為可溶解或分散觸媒之溶劑則未特別限定，可使用例如水、甲醇、乙醇、丙二醇、異丙醇、丁醇等之醇，己烷、庚烷等之烴等。作為烴可使用市售之高沸點溶劑(Exxon Mobile公司製，ISOPER)等。觸媒液所用之無電解鍍敷觸媒，由於鈀錯合物之鍍敷觸媒活性高故而較佳，具體而言，可使用四氯鈀酸鈉、四氯鈀酸鉀、乙酸鈀、氯化鈀、乙醯乙酮酸鈀(II)、六氟乙醯丙酮酸鈀(II)金屬錯合物等。觸媒液中之無電解鍍敷觸媒之調配量(觸媒濃度)可為例如0.01重量%~5重量%。
作為於基材10表面賦予無電解鍍敷觸媒之其他方法，舉例為使用市售無電解鍍敷用觸媒液之通用方法，例如敏化劑．活化劑法或觸媒．加速劑法。敏化劑．活化劑法係，首先，為了使無電解鍍敷觸媒易於吸附，而以例如含Sn2+之液體處理基材10表面(敏化劑處理)，其 次，將基材10浸漬於無電解鍍敷觸媒(例如Pd2+)之液中(活化劑處理)。觸媒．加速劑法係首先於含無電解鍍敷觸媒之液(例如藉由混合Sn2+與Pd2+而得之鈀膠體液)浸漬基材10(觸媒處理)，其次將基材10浸漬於鹽酸溶液等使鍍敷觸媒之金屬析出於基材10表面(加速劑處理)。
其次，使前述基材10之表面與無電解鍍敷液接觸(圖1之步驟S4)。藉此，如圖2(c)所示，於基材10表面之加熱部分形成無電解鍍敷膜85，可製造選擇性地形成鍍敷膜之鍍敷零件100。作為無電解鍍敷液，可根據目的使用任意通用之無電解鍍敷液，但基於觸媒活性高且液體安定之觀點，較好為無電解鎳磷鍍敷液、無電解銅鍍敷液、無電解鎳鍍敷液。
於無電解鍍敷膜85上，亦可進而形成不同種類之無電解鍍敷膜，亦可藉由電解鍍敷形成電解鍍敷膜。藉由使基材10上之鍍敷膜總厚較厚，於將特定圖型之鍍敷膜作為電性電路使用時，可減小電阻。基於降低鍍敷膜之電阻之觀點，較好層合於無電解鍍敷膜85上之鍍敷膜較好為無電解銅鍍敷膜、電解銅鍍敷膜、電解鎳鍍敷等。又，由於不於電性孤立之電路上進行電解鍍敷，於此情形時，較好藉由無電解鍍敷，增厚基材10上之鍍敷膜總厚。又，為了以可對應於焊料回焊之方式提高鍍敷膜圖型之焊料濡濕性，亦可於鍍敷膜圖型之最表面形成錫、金、銀等之鍍敷膜。
本實施形態中，於基材10表面存在殘存抑制 層11之抑制層殘存部分10b與藉由加熱去除了抑制層11之特定圖型之抑制層去除部分10a。接著，於該基材10表面賦予前述無電解鍍敷觸媒，藉由與無電解鍍敷液接觸，而可僅於特定圖型之抑制層去除部分10a形成無電解鍍敷膜85。本實施形態中，對於各種材質之基材藉由簡易製造製程，抑制於特定圖型以外之鍍敷膜生成，可僅於特定圖型形成鍍敷膜85。
以上說明之本實施形態之鍍敷零件之製造方法係使用含有醯胺基/胺基之聚合物作為觸媒活性抑制劑。因此，可以觸媒活性抑制劑之樹脂層(觸媒活性抑制層)覆蓋各種基材表面，藉此，可抑制不期望鍍敷膜形成之部分的無電解鍍敷反應。因此，本實施形態之製造方法，基材選擇幅度廣。例如於表面粗糙度大之基材、具有空隙之基材、表面有發泡痕之發泡成形體等之表面，均可形成均一膜厚之抑制層。如此，基材選擇幅度廣的本實施形態之鍍敷零件之製造方法，可藉由簡單方法製造以往較困難之透鏡或眼鏡等光學零件或薄壁薄片形狀之立體電路成形體。
且，於以往無電解鍍敷方法中，於無電解鍍敷觸媒賦予步驟與無電解鍍敷步驟之間未進行將基材固定之固定治具的更換，於連續實施該等步驟時，而產生於固定治具上亦形成無電解鍍敷膜之問題。本實施形態中，於對基材形成觸媒活性抑制層之步驟(圖1之步驟S1)中，藉由與基材一起於基材之固定治具上形成觸媒活性抑制層， 而可解決該問題。亦即，藉由於固定治具上形成之觸媒活性抑制層，而抑制了無電解鍍敷膜之形成。因此，並無必要進行基材之固定治具的更換，可改善鍍敷零件之製造效率。
(2)鍍敷零件
圖2(c)顯示本實施形態製造之選擇性形成鍍敷膜之鍍敷零件100。鍍敷零件100具有基材10、形成於基材10表面之一部分上之鍍敷膜85、形成於基材表面之未形成鍍敷膜85之區域的觸媒活性抑制層(樹脂層)11。鍍敷膜85亦可於基材10表面形成特定圖型，該情況下，於除特定圖型以外之基材10表面形成觸媒活性抑制層(樹脂層)11。
觸媒活性抑制層11係含有含醯胺基/胺基之聚合物之樹脂層，抑制層之主成分為含有醯胺基/胺基之聚合物。抑制層11中含有醯胺基/胺基之聚合物含有例如30重量%~100重量%，較好含有50重量%~100重量%，更好含有70重量%~100重量%。且，觸媒活性抑制層11之膜厚較好為例如5000nm以下，更好1000nm以下，又更好為300nm以下。另一方面，基於妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觀點，例如較好為10nm以上，更好為30nm以上，又更好為50nm以上。
特定圖型之鍍敷膜85亦可具有導電性。該情況，特定圖型之鍍敷膜85係作為電性配線圖型、電性電 路、天線圖型等發揮作用，具有特定圖型之鍍敷膜85的鍍敷零件100包含電路零件或天線，作為電子零件發揮作用。且，特定圖型之鍍敷膜85亦可平面地僅形成於基材10之一面上，亦可遍及基材10之複數面，或沿著包含球面等之立體形狀之表面立體地形成。特定圖型之鍍敷膜85遍及基材10之複數面或沿著包含球面等之立體形狀之表面立體地形成且具有導電性時，特定圖型之鍍敷膜85作為立體電性電路或立體天線發揮作用，具有此種特定圖型之鍍敷膜85之鍍敷零件100作為立體電路成形品(MID)或MID天線發揮作用。
包含鍍敷膜85之圖型作為電性配線圖型發揮作用時，鄰接之電性配線間存在觸媒活性抑制層11。藉由該觸媒活性抑制層11提高電性配線間之絕緣性，提高電子零件之配線密度。且，電子零件中，有因電壓施加而自電性配線排出金屬離子之遷移之課題。本實施形態之鍍敷零件100係鄰接之電性配線間之觸媒活性抑制層11捕捉自電性配線排出之金屬離子，亦可期待將配線間之電性短路防範於未然。且，包含鍍敷膜85之圖型為天線圖型時，藉由於天線圖型以外之區域存在絕緣體的觸媒活性抑制層11，而提高天線特性。
<變化例>
以上說明之本實施形態中製造之鍍敷零件100係如圖2(c)所示，具有含有含醯胺基/胺基之聚合物之觸媒活性抑 制層11，但本實施形態不限定於此。本實施形態之製造方法亦可進而包含自基材10表面去除抑制層11之步驟。本變化例係於基材10表面賦予無電解鍍敷觸媒之步驟(圖1之步驟S3)之後，或於形成無電解鍍敷膜85之步驟(圖1之步驟S4)之後，自基材10去除觸媒活性抑制層11。因此，本變化例所製造之鍍敷零件與如圖2(c)所示之鍍敷零件100不同，不具有抑制層11。
作為自基材10去除抑制層11之方法，舉例為藉由以洗淨液洗淨基材10，而將含有醯胺基/胺基之聚合物溶出至洗淨液並去除之方法。洗淨液若可溶解含有醯胺基/胺基之聚合物且不使基材10變質之液，則未特別限定，可根據基材10及含有醯胺基/胺基之聚合物種類適當選擇。例如可使用與上述聚合物液中使用之溶劑(solvent)相同者。
[實施例]
以下藉由實施例及比較例具體說明本發明，但本發明不受下述實施例及比較例之限制。又，表示實驗1~26中所用之聚合物A~F之化學構造式之式(5)~(10)，匯總記載於實驗26之說明之後。
[實驗1]
本實驗中作為觸媒活性抑制層中所含之含有醯胺基/胺基之聚合物係使用以式(5)表示之聚合物A。
(1)聚合物A之合成
於以式(8)表示之市售超分支聚合物(聚合物D)中導入醯胺基，合成以式(5)表示之聚合物A。以式(5)表示之聚合物A係以式(1)表示之聚合物，且式(1)中，A1為以式(2)表示之基，A2為二硫代胺基甲酸酯基，R1為單鍵，R2為氫，R3為異丙基。
首先，將以式(8)表示之超分支聚合物(日產化學工業製，HYPER TECH HPS-200)(1.3g，二硫代胺基甲酸酯基：4.9mmol)、N-異丙基丙烯醯胺(NIPAM)(1.10g，9.8mmol)、α,α-偶氮雙異丁腈(AIBN)(81mg，0.49mmol)、脫水四氫呋喃(THF)(10mL)加入舒倫克管(Schlenk tube)中，進行3次凍結脫氣。隨後，使用油浴於70℃攪拌一晚(18小時)進行反應，反應結束後，以冰水冷卻，以THF適度稀釋。其次，於己烷中再沉澱，所得固體生成物在60℃真空乾燥一晚。進行生成物之NMR(核磁共振)測定及IR(紅外線吸收光譜)測定。其結果，可確認於以式(8)表示之市售超分支聚合物中導入醯胺基，生成以式(5)表示之聚合物A。其次，生成物之分子量以GPC(凝膠滲透層析儀)測定。分子量為數平均分子量(Mn)=9,946，重量平均分子量(Mw)=24,792，超分支構造獨特之數平均分子量(Mn)與重量平均分子量(Mw)為很大差異之值。聚合物A之收率為92%。
(2)樹脂成形體(基材)之成形
使用通用之射出成形機(日本製鋼所製，J180AD-300H)，將玻璃纖維強化聚苯硫醚(PPS)(帝人股份有限公司製，1040G，黑色)成形為4cm×6cm×0.2cm之板狀體。
(3)觸媒活性抑制層之形成
所合成之以式(5)表示之聚合物A溶解於甲基乙基酮中，調製聚合物濃度0.5重量%之聚合物液。將成形之基材於所調製之聚合物液中於室溫浸漬5秒，隨後，於85℃乾燥機中乾燥5分鐘。藉此，於基材表面形成觸媒活性抑制層。
觸媒活性抑制層之膜厚藉由以下說明之方法測定。首先，以與本實驗相同條件製作形成有樹脂層之膜厚測定用試料。膜厚測定用試料之樹脂層之一部分以金屬製刮杓畫傷使基材露出，以雷射顯微鏡(KEYENCE製，VK-9710)測定樹脂層表面與露出之基材表面之階差，該測定值設為觸媒活性抑制層之膜厚。觸媒活性抑制層之膜厚約70nm。
(4)雷射描繪
對形成有觸媒活性抑制層之樹脂成形體，使用雷射描繪裝置(KEYENCE製，MD-V9929WA，YVO4雷射，波長1064nm)，以雷射強度80%、描繪速度500mm/sec、頻率50kHz進行雷射掃描。描繪之圖型為以0.1mm間距並排複 數個5mm×5cm區域之圖型。
(5)無電解鍍敷觸媒之賦予
於進行雷射描繪之成形體表面，藉由使用市售無電解鍍敷用觸媒液之通用方法，賦予無電解鍍敷觸媒。首先，將進行雷射描繪之城形體浸漬於常溫感應性賦予劑(奧野製藥工業製，敏化劑)，照射5分鐘超音波進行敏化劑處理，於成形體表面吸附錫膠體。隨後，自感應性賦予劑取出成形體，充分水洗。其次，將成形體浸漬於常溫之觸媒化處理劑(奧野製造工業製，活化劑)，放置2分鐘進行活化劑處理，於成形體表面吸附鈀。隨後，自觸媒化處理劑取出樹脂成形體，充分水洗。
(6)無電解鍍敷
將賦予無電解鍍敷觸媒之成形體於61℃之無電解銅鍍敷液(奧野製造工業製，OPC-NCA)中浸漬15分鐘，於成形體表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗2]
本實驗除了雷射描繪使用CO2雷射描繪裝置以外，藉由與實驗1同樣之方法製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形及觸媒活性抑制層之形成
藉由與實驗1相同方法，成形作為基材之樹脂成形體(PPS)，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層。
(2)雷射描繪
對形成有觸媒活性抑制層之樹脂成形體，使用CO2雷射描繪裝置(PANASONIC製，LP-310，光源CO2，雷射激振部之輸出：平均12W，發光峰值坡長：10.6μm)，以雷射強度80%，描繪速度500mm/sec進行雷射描繪。描繪圖型與實驗1相同。
(3)無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
對於進行雷射描繪之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗3]
本實驗除了使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法，製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之形成、觸媒活性抑制層之形成、雷射描繪及無電解鍍敷觸媒之賦予
藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)，於 基材表面形成包含聚合物之觸媒活性抑制層。於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行雷射描繪及無電解鍍敷觸媒之賦予。
(2)無電解鍍敷
將賦予無電解鍍敷觸媒之成形體於85℃之無電解鎳磷鍍敷液(KANIGEN製，SE-666)浸漬15分鐘，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。又，本實驗使用之無電解鎳磷鍍敷液與實驗1使用之無電解銅鍍敷液比較，還原劑含量較多。因此，即使無電解鍍敷觸媒(Pd)量少，亦容易進行鍍敷反應。
[實驗4]
本實驗除了使用式(6)表示之聚合物B作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物以外，藉由與實驗1相同方法，製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形
藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。
(2)觸媒活性抑制層之形成
本實驗中，除了代替聚合物A，使用以式(6)表示之聚合物B(FUNAKOSHI股份有限公司製，聚(N-異丙基丙烯 醯胺))(PNIPAM)以外，藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成觸媒活性抑制層。以式(6)表示之聚合物B係以式(3)表示之聚合物，且式(3)中，R4為甲基，R5為異丙基。聚合物B之分子量係重量平均分子量(Mw)=40,000。藉由與實驗1相同方法測定形成之觸媒活性抑制層厚度。觸媒活性抑制層厚度約為80nm。
(3)雷射描繪、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行雷射描繪、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗5]
本實驗除了使用式(7)表示之聚合物C作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物以外，藉由與實驗1相同方法，製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形
藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。
(2)觸媒活性抑制層之形成
本實驗中，除了代替聚合物A，使用以式(7)表示之聚合物C(日本SIGMA ALDRICH製，PNIPAM，胺終端)以 外，藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成觸媒活性抑制層。以式(7)表示之聚合物C係以式(3)表示之聚合物，且式(3)中，R4為以式(4)表示之基，R5為異丙基。聚合物C之分子量係重量平均分子量(Mw)=5,500。藉由與實驗1相同方法測定形成之觸媒活性抑制層厚度。觸媒活性抑制層厚度約為80nm。
(3)雷射描繪、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行雷射描繪、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗6]
本實驗除了於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形、觸媒活性抑制層之形成及雷射描繪
藉由與實驗1相同方法，成形作為基材之樹脂成形體(PPS)，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層，對形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體進行雷射描繪。
(2)樹脂成形體(基材)之洗淨
將進行雷射描繪之樹脂成形體於60℃之市售鍍敷用前處理劑(奧野製藥工業製，CONDICLEAN MA)浸漬15分鐘。隨後，以50℃純水洗淨1次，以室溫之純水洗淨3次。樹脂成形體水洗後未風乾即用於下一步驟。
(3)無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
對進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗7]
本實驗除了雷射描繪時使用CO2雷射描繪裝置，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形作為基材之樹脂成形體(PPS)，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層。其次，藉由與實驗2相同方法，對形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體進行雷射描繪。接著，以與實驗6相同方法進行樹脂成形體之洗淨。對進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗8]
本實驗除了雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層，進行雷射描繪。接著，以與實驗6相同方法進行樹脂成形體之洗淨。對進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同方法進行無電解鎳磷鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗9]
本實驗除了使用以式(6)表示之聚合物B作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)，藉由與實驗4相同方法，於基材表面形成包含聚合物B之觸媒活性抑制層。其次藉由與實驗1相同方法，對形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體進行雷射描繪。接著，以與實驗6相同方法進行樹脂成形體之洗淨。對進 行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗10]
本實驗除了使用以式(7)表示之聚合物C作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)，藉由與實驗5相同方法，於基材表面形成包含聚合物C之觸媒活性抑制層。其次藉由與實驗1相同方法，對形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體進行雷射描繪。接著，以與實驗6相同方法進行樹脂成形體之洗淨。對進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗11]
本實驗除了使用以式(9)表示之聚合物E作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零 件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形
藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。
(2)觸媒活性抑制層之形成
本實驗中，除了代替聚合物A，使用以式(9)表示之胺乙基化丙烯酸聚合物(日本觸媒製，POLYMENT NK-350)(聚合物E)以外，藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成觸媒活性抑制層。聚合物E之分子量係重量平均分子量(Mw)=100,000。藉由與實驗1相同方法測定形成之觸媒活性抑制層厚度。觸媒活性抑制層厚度為80nm。
(3)雷射描繪、樹脂成形體(基材)之洗淨、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪，其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗12]
本實驗除了使用以式(6)表示之聚合物B作為觸媒活 性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪時使用CO2雷射描繪裝置，進而於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗4相同方法，使用以式(6)表示之聚合物B，於基材表面形成觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體，藉由與實驗2相同方法，使用CO2雷射描繪裝置進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗13]
本實驗除了使用以式(7)表示之聚合物C作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪時使用CO2雷射描繪裝置，進而於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗5相同方法，使用以式(7)表示之聚合物C，於基材表面形成觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體，藉由與實驗2相同方法，使用CO2雷射描繪裝置進行雷射描繪。其次，藉由與 實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗14]
本實驗除了使用以式(9)表示之聚合物E作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪時使用CO2雷射描繪裝置，進而於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗11相同方法，使用以式(9)表示之聚合物E，於基材表面形成觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體，藉由與實驗2相同方法，使用CO2雷射描繪裝置進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗15]
本實驗除了使用以式(6)表示之聚合物B作為觸媒活 性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，進而使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗4相同方法，使用以式(6)表示之聚合物B，於基材表面形成觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對於進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同方法，使用無電解鎳磷鍍敷液，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗16]
本實驗除了使用以式(7)表示之聚合物C作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，進而使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗5相同方法，使用以式(7)表示之聚合物C，於基材表面形成觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行 樹脂成形體(基材)之洗淨。對於進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同方法，使用無電解鎳磷鍍敷液，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗17]
本實驗除了使用以式(9)表示之聚合物E作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，進而使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗11相同方法，使用以式(9)表示之聚合物E，於基材表面形成觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之樹脂成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對於進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同方法，使用無電解鎳磷鍍敷液，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗18]
本實驗除了使用以式(10)表示之聚合物F作為觸媒活 性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形
藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。
(2)觸媒活性抑制層之形成
本實驗中，除了代替聚合物A，使用以式(10)表示之聚醯胺醯亞胺(TORAY股份有限公司製)(聚合物F)以外，藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成觸媒活性抑制層。藉由與實驗1相同方法測定形成之觸媒活性抑制層厚度。觸媒活性抑制層厚度約為100nm。
(3)雷射描繪、樹脂成形體(基材)之洗淨、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪，其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗19]
本實驗除了使用以式(10)表示之聚合物F作為觸媒活性抑制層中所含之聚合物，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，進而使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗18相同方法，使用以式(10)表示之聚合物F，於基材表面形成觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對於進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同方法，使用無電解鎳磷鍍敷液，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗20]
本實驗除了使用成形為板狀之聚醯胺作為基材，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形
本實驗中，除了代替PPS而使用聚醯胺(PA)(東洋紡股份有限公司製，VYLOAMIDE)以外，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體。
(2)觸媒活性抑制層之形成、雷射描繪、樹脂成形體(基材)之洗淨、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪，其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗21]
本實驗除了使用成形為板狀之聚醯胺作為基材，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，進而使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗20相同方法，成形樹脂成形體(PA)。其次，藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對於進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同方法，使 用無電解鎳磷鍍敷液，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗22]
本實驗除了使用成形為板狀之聚醯胺作為基材，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形
本實驗中，除了代替PPS而使用聚醯胺(PA)(日本SOLVAY股份有限公司製，AMODEL AS-1566HS)以外，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體。
(2)觸媒活性抑制層之形成、雷射描繪、樹脂成形體(基材)之洗淨、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪，其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗23]
本實驗除了使用成形為板狀之聚醯胺作為基材，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，進而使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗22相同方法，成形樹脂成形體(PA)。其次，藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成包含聚合物A之觸媒活性抑制層。對於形成觸媒活性抑制層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪。其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對於進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同方法，使用無電解鎳磷鍍敷液，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗24]
本實驗除了於基材上形成包含以式(8)表示之聚合物D之樹脂層代替觸媒活性抑制層，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
(1)樹脂成形體(基材)之成形
藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。
(2)樹脂層之形成
本實驗中，除了代替聚合物A，使用以式(8)表示之超分支聚合物(日產化學工業製，HYPER TECH HPS-200)(聚合物D)以外，藉由與實驗1相同方法，於基材表面形成樹脂層。聚合物D之分子量係重量平均分子量(Mw)=23,000。藉由與實驗1相同方法測定形成之樹脂層厚度。樹脂層厚度為80nm。
(3)雷射描繪、樹脂成形體(基材)之洗淨、無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷
對於形成樹脂層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪，其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗25]
本實驗除了於基材上形成包含以式(8)表示之聚合物D之樹脂層代替觸媒活性抑制層，於雷射描繪時使用CO2雷射描繪裝置，進而於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗24相同方法，使用以式(8)表示之聚合物D，於基材表面形成樹脂層。對於形成樹脂層之成形體，藉由與實驗2相同方法，使用CO2雷射描繪裝置進行雷射描繪，其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對於洗淨之基材，藉由與實驗1相同方法，依序進行無電解鍍敷觸媒之賦予及無電解鍍敷。藉此，於基材表面成長1μm之無電解銅鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍敷零件。
[實驗26]
本實驗除了於基材上形成包含以式(8)表示之聚合物D之樹脂層代替觸媒活性抑制層，於雷射描繪後進行樹脂成形體(基材)之洗淨，進而使用無電解鎳磷鍍敷液作為鍍敷液以外，藉由與實驗1相同方法製造鍍敷零件。
首先，藉由與實驗1相同方法，成形樹脂成形體(PPS)。其次，藉由與實驗24相同方法，使用以式(8)表示之聚合物D，於基材表面形成樹脂層。對於形成樹脂層之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行雷射描繪，其次，藉由與實驗6相同方法，進行樹脂成形體(基材)之洗淨。對於進行洗淨之成形體，藉由與實驗1相同方法，進行無電解鍍敷觸媒之賦予，藉由與實驗3相同之方法，使用無電解鎳磷鍍敷液，於成形體表面成長1μm之無電解鎳磷鍍敷膜。藉由以上說明之製造方法，獲得本實驗之鍍 敷零件。
聚合物A
Figure TW201800608AD00009
聚合物B
Figure TW201800608AD00010
聚合物C
Figure TW201800608AD00011
聚合物D
Figure TW201800608AD00012
聚合物E
Figure TW201800608AD00013
聚合物F
Figure TW201800608AD00014
[評價]
目視觀察以上說明之實驗1~26中製造之鍍敷零件，依據以下評價基準評價鍍敷析出性及鍍敷選擇性。結果示於表1。
<鍍敷析出性之評價基準>
○：雷射描繪部成長鍍敷膜。
×：雷射描繪部未成長鍍敷膜。
<鍍敷選擇性之評價基準>
○：僅於雷射描繪部成長鍍敷膜。
△：於雷射描繪部以外亦成長一部分鍍敷膜。
×：於基材全體成長鍍敷膜。
Figure TW201800608AD00015
(1)關於實驗6~19及24~26
實驗6~19及24~26均係基材使用聚苯硫醚(PPS)，於雷射光照射後進行基板洗淨之實驗。針對實驗6~8所用之聚合物A、實驗9、12及15使用之聚合物B、實驗10、13及16使用之聚合物C、實驗24~26使用之聚合物D、 實驗11、14及17使用之聚合物E、及實驗18及19使用之聚合物F之6種聚合物，基於表1所示之鍍敷選擇性之評價結果，依據以下評價基準進行綜合評價。結果示於表2。
<綜合評價之評價基準>
◎：無電解銅鍍敷及無電解鎳磷鍍敷之鍍敷選擇性均為○。
○：無電解銅鍍敷之鍍敷選擇性為○，但無電解鎳磷鍍敷之鍍敷選擇性為×。
△：無電解銅鍍敷之鍍敷選擇性為△，但無電解鎳磷鍍敷之鍍敷選擇性為×。
×：無電解銅鍍敷及無電解鎳磷鍍敷之鍍敷選擇性均為×。
Figure TW201800608AD00016
如表1及表2所示，使用具有醯胺基及胺基 之至少一者之聚合物A~C、E及F製作之鍍敷零件，無電解銅鍍敷之鍍敷析出性及鍍敷選擇性均為良好(綜合評價結果：◎~△)。推測於雷射描繪部，由於觸媒活性抑制層經去除，故生成無電解銅鍍敷膜，另一方面，其以外之部分，藉由觸媒活性抑制層之存在而抑制了無電解銅鍍敷膜之生成。由該結果，可知聚合物A~C、E及F發揮作為觸媒活性抑制劑之作用。推測聚合物A~C、E及F中所含之醯胺基及/或胺基妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性。
其中，使用於側鏈具有醯胺基之分支聚合物的聚合物A~C製作之鍍敷零件，與使用聚合物E及F製作之鍍敷零件比較，無電解銅鍍敷之鍍敷選擇性良好(綜合評價結果：◎或○)。聚合物E係具有胺基之分支聚合物，聚合物F係於直鏈具有醯胺基之聚合物。由該等結果，推測於側鏈具有醯胺基之分支聚合物的聚合物A~C妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活姓之效果高。
進而，使用超分支聚合物的聚合物A製作之鍍敷零件，除了無電解銅鍍敷以外，無電解鎳磷鍍敷之鍍敷選擇性亦良好(綜合評價結果：◎)。無電解鎳磷鍍敷液與無電解銅鍍敷液相比，還原劑含量較多。因此，無電解鎳磷鍍敷與無電解銅鍍敷相比，無電解鍍敷反應容易進行。於如此之無電解鎳磷鍍敷中，聚合物A亦發揮充分作為妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活姓之觸媒活性抑制劑之作用。其原因推測如下。聚合物A由於自由度高的側鏈部分較多，故容易吸附於無電解鍍敷觸媒的鈀(Pd)，發揮作為 多齒配位體之作用而與無電解鍍敷觸媒(鈀離子)形成強固之螯合物構造。藉此，推測於還原劑含量較多之無電解鎳磷鍍敷液中，亦抑制鈀離子之還原，其結果，抑制了無電解鍍敷膜之生成。
另一方面，使用聚合物D製作之鍍敷零件，無電解銅鍍敷及無電解鎳磷鍍敷均係於基材全體成長鍍敷膜，無法形成選擇性鍍敷膜(鍍敷析出性：○，鍍敷選擇性：×，綜合評價：×)。由該結果可知聚合物D並未發揮作為觸媒活性抑制劑之作用。聚合物D係具有含硫之基(二硫代胺基甲酸酯基)之超分支聚合物。二硫代胺基甲酸酯基認為有吸附無電解鍍敷觸媒等之傾向。然而，不具有醯胺基或胺基之聚合物D無法強固地捕捉無電解鍍敷觸媒，因此，推測無法發揮作為觸媒活性抑制劑之作用。
(2)關於實驗1~5
實驗1~5係除了於雷射光照射後未進行基板洗淨以外，分別以與實驗6~10相同條件下進行之實驗。實驗1~5中之鍍敷選擇性評價結果與實驗6~10中之鍍敷選擇性評價結果相比，稍差。由該結果，推測藉由雷射光照射後之基板洗淨，可提高鍍敷選擇性。
(3)關於實驗20~23
實驗20及22係除了使用聚醯胺之樹脂成形體作為基材以外以與實驗6相同條件下進行之實驗，實驗21及23 係除了使用聚醯胺之樹脂成形體作為基材以外以與實驗8相同條件下進行之實驗。實驗20~23中之鍍敷選擇性評價結果亦與實驗6及8中之鍍敷選擇性評價結果同樣良好。由該結果，可確認使用聚醯胺之樹脂成形體亦可選擇性鍍敷。
[產業上之可利用性]
依據本發明之鍍敷零件之製造方法，對於各種材質之基材藉由簡易製造製程，可抑制於特定圖型以外之鍍敷膜之生成，可僅於特定圖型形成鍍敷膜。因此，本發明可利用於製造具有電性電路之電子零件或三次元電路零件(MID：模製互連裝置)。

Claims (25)

  1. 一種鍍敷零件之製造方法，其包含於基材表面形成包含具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物的觸媒活性抑制層，使形成前述觸媒活性抑制層之前述基材表面之一部分加熱或光照射，對經加熱或光照射之前述基材表面賦予無電解鍍敷觸媒，及使經賦予前述無電解鍍敷觸媒之前述基材表面與無電解鍍敷液接觸，而於前述表面之加熱部分或光照射部分形成無電解鍍敷膜。
  2. 如請求項1之鍍敷零件之製造方法，其中前述聚合物為具有側鏈之分支聚合物。
  3. 如請求項1或2之鍍敷零件之製造方法，其中於使前述基材表面的一部分加熱或光照射及使前述基材表面與無電解鍍敷液接觸之間，進而包含洗淨前述基材表面。
  4. 如請求項2或3之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物係樹枝狀聚合物。
  5. 如請求項4之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物係超分支聚合物。
  6. 如請求項4或5之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物之數平均分子量為3,000~30,000，重量平均分子量為10,000~300,000。
  7. 如請求項4~6中任一項之鍍敷零件之製造方法， 其中前述分支聚合物之側鏈包含芳香環。
  8. 如請求項2或3之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物進而具有主鏈。
  9. 如請求項8之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物之主鏈為脂肪族。
  10. 如請求項8或9之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物之數平均分子量為1,000~100,000，重量平均分子量為1,000~1,000,000。
  11. 如請求項2~10中任一項之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物之側鏈具有醯胺基及胺基之至少一者。
  12. 如請求項11之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物之側鏈進而具有含硫之基。
  13. 如請求項12之鍍敷零件之製造方法，其中前述含硫之基係硫醚基或二硫代胺基甲酸酯基。
  14. 如請求項2~13中任一項之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物係以下述式(1)或下述式(3)表示之分支聚合物，
    Figure TW201800608AC00001
     式(1)中，A1為含芳香環之基，A2為含硫之基或胺基，R1為碳數1~5之取代或未取代之伸烷基或單鍵，R2及R3分別為碳數1~10之取代或未取代之烷基或氫，m1為1~10，n1為5~100，
    Figure TW201800608AC00002
     式(3)中R4為自碳數1~10之取代或未取代之烷基、含硫之基、胺基、接基、醯亞胺基及矽烷基所組成之群中選擇之 基、或氫，R5為碳數1~10之取代或未取代之烷基或氫，n2為5~1000。
  15. 如請求項14之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物係以式(1)表示之分支聚合物，式(1)中，A1為下述式(2)表示之基，A2為二硫代胺基甲酸酯基，R1為單鍵，R2為氫，R3為異丙基，
    Figure TW201800608AC00003
  16. 如請求項15之鍍敷零件之製造方法，其中前述分支聚合物係以式(3)表示之分支聚合物，式(3)中，R4為甲基或下述式(4)表示之基，R5為異丙基，
    Figure TW201800608AC00004
  17. 如請求項1之鍍敷零件之製造方法，其中前述聚合物具有主鏈，前述主鏈具有醯胺基及胺基之至少一者。
  18. 如請求項17之鍍敷零件之製造方法，其中前述主鏈進而具有醯亞胺基。
  19. 如請求項1~18中任一項之鍍敷零件之製造方法，其中前述基材表面之一部分藉由加熱或光照射，而自 前述表面之加熱部分或光照射部分去除前述觸媒活性抑制層。
  20. 如請求項1~19中任一項之鍍敷零件之製造方法，其中加熱或光照射前述基材表面之一部分係使用雷射光於前述基材表面進行雷射描繪。
  21. 一種鍍敷零件，其特徵係具有基材、形成於前述基材表面之一部分上之鍍敷膜、形成於前述基材表面之未形成前述鍍敷膜之區域上之含有具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物的樹脂層。
  22. 如請求項21之鍍敷零件，其中前述基材係樹脂或絕緣性無機材料。
  23. 如請求項21或22之鍍敷零件，其中前述鍍敷零件為電子零件。
  24. 一種觸媒活性抑制劑，其係妨礙無電解鍍敷觸媒之觸媒活性之觸媒活性抑制劑，其特徵為含有具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物。
  25. 一種複合材料，其係無電解鍍敷用複合材料，且特徵為具有基材、及形成於前述基材表面之含有具有醯胺基及胺基之至少一者之聚合物的樹脂層。
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