TWI752441B - 印刷配線板的製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種印刷配線板的製造方法，有效地抑制圖案不良，且對於微細電路的形成性也佳。該印刷配線板的製造方法，包含：準備具備粗化面的絕緣基材的步驟；在絕緣基材的粗化面進行無電解鍍膜，形成厚度未滿1.0μm的無電解鍍膜層的步驟，無電解鍍膜具有以JIS B0601-2001為準據測定到的算術平均起伏Wa為0.10μm以上0.25μm以下，且以ISO25178為準據測定到的谷部的空隙容積Vvv為0.010μm3 /μm2 以上0.028μm3 /μm2 以下的表面；在無電解鍍膜層的表面層積光阻的步驟；對光阻進行曝光及顯影，形成光阻圖案的步驟；對無電解鍍膜層施予電鍍的步驟；將光阻圖案剝離的步驟；將無電解鍍膜層的不要部分藉由蝕刻除去，形成配線圖案的步驟。

Description

印刷配線板的製造方法
本發明係有關於印刷配線板的製造方法。
伴隨近年印刷配線板要求的小型化及高密度化，要求電路的微細化(微距化)。作為適合電路的微細化的印刷配線板的製造工法，半添加法(SAP法)廣泛地被採用。SAP法為適合形成極微細的電路的方法，作為其一例使用附載體粗化處理銅箔進行。例如，如圖10及11所示，將粗化處理銅箔110，在於基底基材111a具備下層電路111b的絕緣樹脂基板111上使用預浸物112及底塗層113進行加壓使其密著(步驟(a))，剝離載體(圖未示)後，因應必要藉由雷射穿孔形成通孔114(步驟(b))。接著，將粗化處理銅箔110藉由蝕刻除去，使賦予粗化表面輪廓的底塗層113露出(步驟(c))。在該粗化表面施予無電解鍍銅115(步驟(d))後，藉由使用乾薄膜116的曝光及顯影以預定的圖案遮蔽(步驟(e))，施予電鍍銅117(步驟(f))。除去乾薄膜116形成配線部分117a(步驟(g))後，將相鄰配線部分117a、117a間不要的無電解鍍銅115藉由蝕刻除去(步驟(h))，得到以預定圖案形成的配線118。
藉此利用粗化處理銅箔的SAP法，粗化處理銅箔自體在雷射穿孔後藉由蝕刻除去(步驟(c))。接著，在除去粗化處理銅箔的層積體表面因為轉印了粗化處理銅箔的粗化處理面的凹凸形狀，在之後的步驟中能夠確保絕緣層(例如底塗層113或沒有其時為預浸物112)與鍍膜電路(例如配線118)的密著性。不過，適合提升與鍍膜電路的密著性的表面輪廓，因為有概略成為粗的凹凸的傾向，在步驟(h)中相對於無電解鍍銅的蝕刻性容易降低。亦即，為了消除無電解鍍銅侵蝕入粗凹凸的部分、殘留銅，需要更多的蝕刻。
在此，藉由使粗化粒子變小，且使其具有縮窄形狀，用於SAP法時，提案有確保必要的鍍膜電路密著性同時能夠實現良好的蝕刻性的手法。例如，專利文獻1(國際公開第2016/158775號)揭示在至少一側具有粗化處理面的粗化處理銅箔，粗化處理面具備由銅粒子構成的複數略球狀突起，略球狀突起的平均高度為2.60μm以下。又，專利文獻2(國際公開第2018/211951號)揭示在至少一側具有粗化處理面的粗化處理銅箔，具備粗化處理面具有縮窄部分的一次粗化粒子、及一次粗化粒子表面上的二次粗化粒子，粗化處理面的十點平均粗度Rz為1.7μm以下的低粗度。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 國際公開第2016/158775號 [專利文獻2] 國際公開第2018/211951號
隨著近年SAP法要求的電路的更加微細化，為了實現優良的蝕刻性，如同上述，考慮使用表面平滑，且具備小的粗化粒子的銅箔，對絕緣基材賦予粗化表面輪廓。又，在賦予粗化表面輪廓的絕緣基材的表面，若能夠將無電解鍍膜薄形成(例如未滿1.0μm)，因為能降低蝕刻量達到電路的更加微細化而適合。但是，在SAP法中，使用表面平滑，且具備小粗化粒子的銅箔，嘗試將無電解鍍膜薄形成而進行電路形成時，判明可能會有在形成的電路產生短路或凸部的圖案不良的問題。
本發明者，現今得到藉由對具備粗化面的絕緣基材施予無電解鍍膜，形成具有預定表面參數的厚度未滿1.0μm的無電解鍍膜層，能夠提供一種有效地抑制圖案不良，且對於微細電路的形成性也佳的印刷配線板的製造方法的見解。
因此，本發明的目的為提供一種印刷配線板的製造方法，有效地抑制圖案不良，且對於微細電路的形成性也佳。
根據本發明的一態樣，提供一種印刷配線板的製造方法，具備： (a)準備具備粗化面的絕緣基材的步驟； (b)在前述絕緣基材的粗化面進行無電解鍍膜，形成厚度未滿1.0μm的無電解鍍膜層的步驟，前述無電解鍍膜具有以JIS B0601-2001為準據測定到的算術平均起伏Wa為0.10μm以上0.25μm以下，且以ISO25178為準據測定到的谷部的空隙容積Vvv為0.010μm3 /μm2 以上0.028μm3 /μm2 以下的表面； (c)在前述無電解鍍膜層的表面層積光阻的步驟； (d)對前述光阻進行曝光及顯影，形成光阻圖案的步驟； (e)通過前述光阻圖案對前述無電解鍍膜層施予電鍍的步驟； (f)將前述光阻圖案剝離的步驟；及 (g)將剝離前述光阻圖案所露出的前述無電解鍍膜層的不要部分藉由蝕刻除去，形成配線圖案的步驟。
定義
用來特定本發明的參數的定義如以下所示。
本說明書中，「算術平均起伏Wa」為以 JIS B0601-2001為準據測定到的作為輪廓曲線的起伏曲線的基準長度的算術平均高度。起伏曲線，並非由粗度曲線表示的微細凹凸，而是表示更大的刻度的凹凸(亦即起伏)者。算術平均起伏Wa能夠藉由市售的雷射顯微鏡測定粗化面的預定的測定長度(例如64.124μm的一維區域)的表面輪廓來算出。
本說明書中「峰度Sku」指的是以ISO25178為準據測定的表示高度分佈的銳度的參數，也為尖度。Sku=3意味著高度分佈為常態分佈，若為Sku＞3則代表在表面銳利的峰及谷多，若Sku＜3則代表表面平坦。峰度Sku能夠藉由市售的雷射顯微鏡測定粗化面的預定的測定面積(例如6811.801μm2 的二維區域)的表面輪廓來算出。
本說明書中，「最大高度Sz」指的是以ISO25178為準據測定的表示從表面的最高點到最低點的距離的參數。最大高度Sz能夠藉由市售的雷射顯微鏡測定粗化面的預定的測定面積(例如6811.801μm2 的二維區域)的表面輪廓來算出。
本說明書中「面的負荷曲線」(以下，單稱「負荷曲線」)指的是以ISO25178為準據測定的表示負荷面積率從0%成為100%的高度的曲線。負荷面積率如圖7所示為表示某高度c以上的區域的面積的參數。在高度c的負荷面積率相當於圖7中的Smr(c)。如圖8所示，使負荷面積率從0%沿著負荷曲線將負荷面積率之差設為40%減去的負荷曲線的割線，從負荷面積率0%開始移動，將割線的傾斜最緩的位置稱為負荷曲線的中央部分。相對於該中央部分，將縱軸方向的偏差的二次和成為最小的直線稱為等價直線。將從等價直線的負荷面積率0%到100%的高度範圍中包含的部分稱為核心部。將比核心部還高的部分稱為突出峰部，將比核心部還低的部分稱為突出谷部。核心部表示初期磨耗結束後與其他物體接觸的區域的高度。又，本說明書中「分離突出谷部與核心部的負荷面積率Smr2」如圖8所示，指的是以ISO25178為準據測定的表示核心部的下部的高度與負荷曲線的交點的負荷面積率(亦即分離核心部與突出谷部的負荷面積率)的參數。該值越大意味著突出谷部所占的比例越大。
本說明書中「谷部的空隙容積Vvv」指的是以ISO25178為準據測定的表示突出谷部的空間的容積的參數。Vvv如圖9所示，表示從負荷面積率Smr2到負荷面積率100%的負荷曲線算出的空間部分的容積。谷部的空隙容積Vvv能夠藉由市售的雷射顯微鏡測定粗化面的預定測定面積(例如6811.801μm2 的二維區域)的表面輪廓算出。在本說明書中，將分離突出谷部與核心部的負荷面積率Smr2指定成80%，算出谷部的空隙容積Vvv。
印刷配線板的製造方法 本發明係有關於印刷配線板的製造方法。本發明的方法包含(a)絕緣基材的準備、(b)無電解鍍膜層的形成、(c)光阻的層積、(d)光阻圖案的形成、(e)電鍍層的形成、(f)光阻圖案的剝離、及(g)配線圖案的形成的各步驟。
以下，參照圖1~5，說明關於步驟(a)～(g)的各者。
(a)絕緣基材的準備 如圖1(a)所示，準備具備粗化面20a的絕緣基材20。絕緣基材20在兩側具有粗化面20a也可以、僅在一側具有粗化面20a者也可以。絕緣基材20較佳為含有絕緣性樹脂。又，絕緣基材20較佳為預浸物及/或樹脂片。預浸物為合成樹脂板、玻璃板、玻璃織布、玻璃不織布、紙等基材浸於合成樹脂的複合材料之總稱。作為含浸於預浸物的絕緣性樹脂較佳的例子，有環氧樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂(BT樹脂)、聚苯醚樹脂、酚醛樹脂等。此外，作為構成樹脂片的絕緣性樹脂的例子有環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚酯纖維樹脂等的絕緣樹脂。絕緣基材20在從提升絕緣性等的觀點來看，也可以含有由二氧化矽、氧化鋁等各種無機粒子所構成的填料粒子。絕緣基材20的厚度沒有特別限定，但較佳為1μm以上1000μm以下、更佳為2μm以上400μm以下、再更佳為3μm以上200μm以下。絕緣基材20由複數的層構成即可。
絕緣基材20的粗化面20a可以由任何手法形成，但典型為藉由將表面處理銅箔的處理表面的凹凸形狀轉印至絕緣基材20表面形成。根據本發明的較佳態樣，使用表面處理銅箔的粗化面20a的形成，藉由(a-1)準備具有預定處理表面的表面處理銅箔，(a-2)在表面處理銅箔的處理表面層積絕緣基材，將處理表面的表面形狀轉印至絕緣基材的表面後，(a-3)藉由蝕刻除去表面處理銅箔，得到具備粗化面的絕緣基材進行。各步驟的具體順序如以下所示。
(a-1)表面處理銅箔的準備 如圖3(a-1)所示，準備在至少一側具有處理表面10a的表面處理銅箔10。處理表面10a為施予任何表面處理的面，典型為粗化處理面。處理表面10a典型具備複數凸起(例如粗化粒子)而形成。不管如何，表面處理銅箔10可以是在兩側具有處理表面10a者、僅在一側具有處理表面10a者也可以。在兩側具有處理表面10a時，用於SAP法時因為雷射照射側的面(與密著在絕緣基材的面相反側的面)也進行表面處理，雷射吸收性提高的結果，也能夠使雷射穿孔性提升。又，表面處理銅箔10是附載體銅箔的形態也可以。此時，附載體銅箔典型為具備載體、設於該載體上的剝離層、在該剝離層上將處理表面10a作為外側設置的表面處理銅箔10而成者。此外，附載體銅箔除了使用表面處理銅箔10以外，也能採用公知的層結構。
表面處理銅箔10的處理表面10a，算術平均起伏Wa為0.20μm以上0.35μm以下較佳、更佳為0.25μm以上0.32μm以下。又，表面處理銅箔10的處理表面10a，最大高度Sz為3.0μm以上4.0μm以下較佳、更佳為3.1μm以上3.9μm以下。再來，表面處理銅箔10的處理表面10a，谷部的空隙容積Vvv為0.030μm3 /μm2 以上0.050μm3 /μm2 以下較佳、更佳為0.035μm3 /μm2 以上0.045μm3 /μm2 以下。具有這種表面參數的處理表面10a，可說是起伏大，且凸部(例如粗化粒子)小的形狀。使用具有相關的處理表面10a的表面處理銅箔10對絕緣基材20賦予凹凸形狀，將具有後述特有的表面參數的無電解鍍膜層22形成於絕緣基材20的粗化面20a變得容易。具有上述表面參數的處理表面10a，能夠藉由對銅箔表面以公知及所期望的條件施予表面處理(典型為粗化處理)而形成。又，選擇地入手具有滿足上述諸條件的處理表面10a的市售的銅箔也可以。
(a-2)向絕緣基材的凹凸形狀的轉印 如圖3(a-2)所示，在表面處理銅箔10的處理表面10a層積絕緣基材20’(亦即未形成粗化面20a的絕緣基材20)，作為覆銅層積板12。藉此，能夠將處理表面10a的表面形狀轉印至絕緣基材20’的表面。絕緣基材20’的層積伴隨著熱加壓加工較佳，該熱加壓加工的加工溫度及加工時間，能夠因應層積絕緣基材20’的種類等，基於公知的條件適宜決定。關於絕緣基材20’的較佳種類等，與絕緣基材20有關如同上述。此外，絕緣基材20’隔介著在預先表面處理銅箔10的處理表面10a塗佈的底塗層(圖未示)層積於表面處理銅箔10也可以。此時，底塗層視為構成絕緣基材的一部分者。底塗層以樹脂構成較佳、該樹脂包含絕緣性樹脂較佳。適其需要，在次步驟的表面處理銅箔10的除去前，對覆銅層積板12藉由雷射穿孔形成通孔(圖未示)也可以。
(a-3)表面處理銅箔的除去 如圖3(a-3)所示，藉由蝕刻除去覆銅層積板12的表面處理銅箔10，得到具備粗化面20a的絕緣基材20。表面處理銅箔10的蝕刻，使用例如硫酸-過氧化氫系的蝕刻液等依照在印刷配線板的製造中一般使用的蝕刻手法及條件即可，沒有特別限定。
(b)無電解鍍膜層的形成 如圖1(b)所示，在絕緣基材20的粗化面20a進行無電解鍍膜(例如無電解鍍銅)，形成厚度未滿1.0μm的無電解鍍膜層22。無電解鍍膜，使用市售的無電解鍍膜液依照在印刷配線板的製造中一般使用的手法及條件進行即可，沒有特別限定。無電解鍍膜層22的表面，算術平均起伏Wa為0.10μm以上0.25μm以下，且谷部的空隙容積Vvv為0.010 μm3 /μm2 以上0.028μm3 /μm2 以下。藉此，藉由對具備粗化面20a的絕緣基材20施予無電解鍍膜，形成具有上述預定表面參數的厚度未滿1.0μm的無電解鍍膜層22，能夠提供一種有效地抑制圖案不良，且對於微細電路的形成性也佳的印刷配線板的製造方法。
如同上述，隨著近年SAP法要求的電路的更加微細化，為了實現優良的蝕刻性，考慮使用表面平滑，且具備小粗化粒子的銅箔，對絕緣基材賦予粗化表面輪廓。又，在賦予粗化表面輪廓的絕緣基材的表面，若能夠將無電解鍍膜薄形成(例如1.0μm未滿)，因為能降低蝕刻量達到電路的更加微細化而適合。但是，在SAP法中，使用表面平滑，且具備小粗化粒子的銅箔，嘗試將無電解鍍膜薄形成而進行電路形成時，判明可能會有在形成的電路產生短路或凸部的圖案不良的問題。雖該圖案不良產生的機制未必定調，但推測是以下原因。
亦即，使用表面處理銅箔在絕緣基材轉印表面形狀時，絕緣基材的粗化面概略反映表面處理銅箔的表面輪廓。接著，對該絕緣基材的粗化面將無電解鍍膜以未滿1.0μm的薄度形成時，無電解鍍膜層的表面形狀成為概略反映絕緣基材的粗化面的表面形狀者。因此，作為用來在絕緣基材轉印表面輪廓的銅箔，用表面平滑，且具備小的粗化粒子的銅箔(換言之為具有細的凹凸形狀的銅箔)時，在無電解鍍膜層的表面難以賦予充分的凹凸形狀。此外，在一般的印刷配線板的製造步驟，為了以預定的圖案形成電路，如圖4(i)～(iv)所示，在絕緣基材20上層積的無電解鍍膜層22表面再層積光阻24(例如乾薄膜光阻24a及支持薄膜24b)，進行曝光及顯影，形成光阻圖案26。其中，如圖4(i)所示，在光阻24的層積時至曝光時，在光阻24的表面會引起異物F(例如包含光阻表面的灰塵及損傷、或光阻層積時的空氣侵入等)的附著還有混入。此點，若對在未賦予充分的凹凸形狀的無電解鍍膜層22表面層積的光阻24進行曝光，則如圖4(ii)所示，相對於層積體的主面從垂直方向入射的曝光入射光I，會在無電解鍍膜層22被反射，在與曝光入射光I呈180°相反的方向，作為曝光反射光R出射。因此，本來應被曝光的光阻24(例如乾薄膜光阻24a)的異物F正下方的部分一樣未曝光(圖4(iii)參照)，顯影後會形成孔H(圖4(iv)參照)。其結果，在本來不應形成電路的處所被施予電鍍，該不要的電鍍部分成為上述電路的短路及凸部的原因，會產生圖案不良的問題。
本發明者著目於該點，就無電解鍍膜層表面與異物引起的未曝光部的關係、及無電解鍍膜層表面與微細電路的形成性的關係進行檢討。其結果，發現在無電解鍍膜層的表面的算術平均起伏Wa為0.10μm以上0.25μm以下，且谷部的空隙容積Vvv為0.010μm3 /μm2 以上0.028 μm3 /μm2 以下，有效地抑制了圖案不良，且能夠良好地形成微細的電路，而完成本發明。這種圖案不良的抑制與優良的微細電路的形成性為藉由以下的方式實現者。亦即，將無電解鍍膜層22表面的算術平均起伏Wa設為0.10μm以上，且將谷部的空隙容積Vvv設為0.010μm3 /μm2 以上，無電解鍍膜層22表面成為具有充分的凹凸形狀者(圖5(i)參照)。因此，在曝光時，相對於層積體的主面從垂直方向入射的曝光入射光I，在到達無電解鍍膜層22表面時，因無電解鍍膜層22表面的起伏會引起漫射(圖5(ii)參照)。又，若曝光入射光I侵入無電解鍍膜層22表面的凹凸的谷深處，則強光變得難以返回，藉由將無電解鍍膜層22表面的谷部的空隙容積Vvv設為0.028μm3 /μm2 以下，無電解鍍膜層22表面的凹凸的谷變淺。因此，曝光入射光I在無電解鍍膜層22表面的谷淺的部分能夠進行漫射，確保曝光反射光R的光強度為強。換言之，具有上述參數的無電解鍍膜層22，因為具有起伏大，谷淺的(無大的孔)表面，可說是能夠使曝光入射光I維持強的光強度進行漫射。其結果，曝光反射光R能夠將光阻24(例如乾薄膜光阻24a)的異物F正下方的部分有效地曝光。因此，有效地防止因異物F引起的光阻24的未曝光部的形成(圖5(iii)參照)，抑制了顯影所致的不要的孔H的形成(圖5(iv)參照)。因此，成為在電路難以產生短路及凸部產生這種圖案不良的問題者。另一方面，可說是無電解鍍膜層22表面具有粗的凹凸形狀時，相對於無電解鍍膜層22的蝕刻性容易降低。此點，藉由將無電解鍍膜層22的厚度以未滿1.0μm薄形成，同時將無電解鍍膜層22表面的算術平均起伏Wa設為0.25μm以下，能夠確保相對於無電解鍍膜層22的良好的蝕刻性，也能夠提升微細電路的形成性。
根據上述觀點，無電解鍍膜層22的表面，算術平均起伏Wa為0.10μm以上0.25μm以下、較佳為0.20μm以上0.25μm以下。又，無電解鍍膜層22的表面，谷部的空隙容積Vvv為0.010μm3 /μm2 以上0.028μm3 /μm2 以下較佳、更佳為0.017μm3 /μm2 以上0.025μm3 /μm2 以下。
無電解鍍膜層22的表面，峰度Sku為2.0以上3.5以下較佳、更佳為3.0以上3.5以下。藉此，抑制了無電解鍍膜層22表面的凹凸的谷的銳度，作為結果能夠更加將曝光反射光R的光強度保持於強狀態，且將微細電路的形成性更加提升。
具有上述特有的表面參數的無電解鍍膜層22，能夠藉由在絕緣基材20的粗化面20a上將無電解鍍膜以未滿1.0μm這樣的薄度形成而形成。如同上述，無電解鍍膜層22的表面形狀，可說是概略反映絕緣基材20的粗化面20a的表面形狀者。接著，該粗化面20a，藉由將具有例如上述(a)所述的表面參數的表面處理銅箔10的表面形狀轉印至絕緣基材20而能夠較佳地形成。
無電解鍍膜層22的厚度未滿1.0μm、較佳為0.3μm以上且未滿1.0μm。若是這種厚度，能夠減少配線圖案形成時的蝕刻量，極適合用來形成微細的電路。
(c)光阻的層積 如圖1(c)所示，在無電解鍍膜層22的表面層積光阻24。層積光阻24時的層合速度雖沒有特別限定，但典型為1.0m/分以上2.0m/分以下。光阻24可以使用在印刷配線板的製造一般公知的材料。光阻24是負型及正型的任一者都可以、薄膜態樣及液狀態樣的任一者也可以。較佳為光阻24包含乾薄膜光阻24a。又，光阻24為感光性薄膜較佳，例如感光性乾薄膜。如圖1(c)所示，光阻24為在作為感光層的乾薄膜光阻24a再層積聚對苯二甲酸(PET)薄膜等的支持薄膜24b也可以。光阻24乃至乾薄膜光阻24a的厚度為2μm以上35μm以下較佳、更佳為5μm以上24μm以下。
(d)光阻圖案的形成 如圖2(d)所示，藉由對光阻24進行曝光及顯影，形成光阻圖案26。曝光及顯影，依照在印刷配線板的製造中一般使用的公知的手法及條件進行即可，沒有特別限定。例如，作為曝光方法，除了使用負或正的遮罩圖案的遮罩曝光法以外，能夠採用Laser Direct Imaging(LDI)曝光法及Digital Light Processing(DLP)曝光法這種直接描繪曝光法等。曝光時的曝光量為5mJ/cm2 以上150mJ/cm2 以下較佳。另一方面，作為顯影方法，可以是濕式顯影及乾式顯影的任一者。濕式顯影時，作為使用的顯影液可以是碳酸鈉、氫氧化鈉、胺系水溶液等的顯影液。此外，光阻24包含支持薄膜24b時，在除去支持薄膜24b後進行顯影較佳。
(e)電鍍層的形成 通過光阻圖案26對無電解鍍膜層22施予電鍍(例如電鍍銅)。藉此，如圖2(e)所示，能夠在光阻圖案26間形成電鍍層28。電鍍，依照例如在硫酸銅鍍膜液及吡咯啉酸銅鍍膜液等的印刷配線板的製造中一般使用的各種圖案鍍膜手法及條件進行即可沒有特別限定。
(f)光阻圖案的剝離 在該步驟中，將光阻圖案26剝離。其結果，如圖2(f)所示，電鍍層28以配線圖案狀留下，未形成無電解鍍膜層22的配線圖案的不要部分會露出。光阻圖案26的剝離採用氫氧化鈉水溶液、及胺系溶液乃至其水溶液等，依照印刷配線板一般使用的各種剝離手法及條件進行即可沒有特別限定。
(g)配線圖案的形成 將由光阻圖案26的剝離露出的無電解鍍膜層22的不要部分(亦即未形成配線圖案的部分)藉由蝕刻除去，形成配線圖案30。無電解鍍膜層22的不要部分的蝕刻，使用例如硫酸-過氧化氫系的蝕刻液等依照在印刷配線板的製造中一般使用的蝕刻手法及條件即可，沒有特別限定。配線圖案30的厚度(亦即電路高度)較佳為2μm以上30μm以下。配線圖案30的配線間距在從10μm(例如線/空間=5μm/5μm)到20μm(例如線/空間=10μm/10μm)的範圍內較佳。藉由在具有前述預定的表面參數的厚度未滿1.0μm的無電解鍍膜層22上進行電路形成，藉此能夠形成高度微細化的配線圖案。又，上述範圍內的配線間距的配線圖案，雖可說是容易產生短路及凸部的產生的圖案不良的問題，但如同前述，根據本發明的方法能夠有效地解決相關的問題。
因應必要，在配線圖案30上，將絕緣層及第n配線圖案(n為2個以上的整數)交互形成作為多層配線板也可以。構成多層配線板的各配線圖案，能夠將配線圖案30作為第一配線圖案，依序稱為第二配線圖案、第三配線圖案、･･･、第n配線圖案。以第一配線圖案、第n配線圖案及絕緣層構成的逐次層積構造一般稱為積層層乃至積層配線層。關於第二配線圖案以後的積層層的形成方法的工法，除了上述SAP法以外，可以使用改良的半加成法(MSAP(modified-semi-additive process))法、全添加法、半添加法等。又，在積層層的最表面的配線圖案上，因應必要，形成焊料光阻、及柱等的實裝用的凸塊等也可以。無論如何，能夠將一般印刷配線板中採用的公知的工法適宜追加進行，並沒有特別限定。 [實施例]
利用以下例來更進一步具體說明本發明。
例1～6 準備6種類表面處理銅箔，使用表面處理銅箔在絕緣基材轉印表面形狀。在得到的絕緣基材的粗化面施予無電解鍍膜製作評價用層積體，進行各種評價。具體如以下所述。
(1)表面處理銅箔的準備 將具有表1所示的各參數的處理表面10a在至少一面具備的表面處理銅箔10以6種類準備。該等表面處理銅箔10之中幾種為市售品，其他為基於公知的方法特別製作者。準備的表面處理銅箔10的處理表面10a的各參數的測定乃至算出方法如同以下。
(算術平均起伏Wa) 利用雷射顯微鏡(股份公司基恩斯製，VK-X200)，使用150倍的對物透鏡，以倍率3000倍、有傾斜補正、有DCL/BCL所致的雜訊除去、無截止、評價長度64.124μm的條件，以JIS B0601-2001為準據測定銅箔表面的算術平均起伏Wa。
(最大高度Sz及谷部的空隙容積Vvv) 利用雷射顯微鏡(股份公司基恩斯製，VK-X200)，使用150倍的對物透鏡，以倍率3000倍、有起伏除去(強度5)、無DCL/BCL所致的雜訊除去、有S濾波器(0.25μm)及L濾波器(0.025mm)所致的截止、評價區域6811.801μm2 的條件，以ISO25178為準據測定銅箔表面的最大高度Sz及谷部的空隙容積Vvv。
(2)評價用層積體的製作 層積2枚預浸物(三菱瓦斯化學股份公司製，GHPL-830NSF，厚度100μm)，如圖3所示，將在上述(1)準備的表面處理銅箔10，對該絕緣基材20’以處理表面10a抵接的方式層積，以加壓溫度220℃加壓時間90分、加壓壓力40 kgf/cm2 的條件進行加壓，得到覆銅層積板12。將該覆銅層積板12的表面處理銅箔10以硫酸-過氧化氫系蝕刻液全部除去，得到具有轉印處理表面10a的表面形狀的粗化面20a的絕緣基材20。對該絕緣基材20，使用無電解鍍銅液(上村工業股份公司製的直通杯PEA)進行無電解鍍銅，在粗化面20a側形成厚度0.7μm的無電解鍍膜層22。藉此，在SAP法中得到層積光阻之前的層積體(以下，稱為評價用層積體)。
(3)評價用層積體的表面輪廓測定 將上述得到的評價用層積體的無電解鍍膜層22側表面的各參數的測定如同以下進行。結果顯示於表1。
(算術平均起伏Wa) 利用雷射顯微鏡(股份公司基恩斯製，VK-X200)，使用150倍的對物透鏡，以倍率3000倍、有傾斜補正、有DCL/BCL所致的雜訊除去、無截止、評價長度64.124μm的條件，以JIS B0601-2001為準據測定評價用層積體的無電解鍍膜層22側表面的算術平均起伏Wa。
(峰度Sku及谷部的空隙容積Vvv) 利用雷射顯微鏡(股份公司基恩斯製，VK-X200)，使用150倍的對物透鏡，以倍率3000倍、有起伏除去(強度5)、有DCL/BCL所致的雜訊除去、有S濾波器(0.25μm)及L濾波器(0.025mm)所致的截止、評價區域6811.801μm2 的條件，以ISO25178為準據測定評價用層積體的無電解鍍膜層22側表面的峰度Sku及谷部的空隙容積Vvv。
(4)評價用層積體的評價 關於上述得到的評價用層積體，將各種特性的評價如以下進行。
＜灰塵檢出數＞ 灰塵檢出數的評價由接下來的方式進行。首先，在上述得到的評價用層積體的無電解鍍膜層22側表面將厚度19μm的負型光阻24(日立化成股份公司製，RY-5319)以1.5m/分的層合速度層積後，如圖6(i)所示，在光阻24的表面層積玻璃遮罩25。此外，在玻璃遮罩25，於以100μm×100μm畫分的各區域的中心部，設置想定灰塵等異物的圓形狀的遮光部B(直徑6μm、7μm、8μm或9μm各200個)。因此，未設置玻璃遮罩25的遮光部B的部分光會透過，另一方面設置玻璃遮罩25的遮光部B的部分光不會透過。對玻璃遮罩25層積後的評價用層積體，進行曝光(70mJ/cm2 )及顯影，形成光阻圖案26。將顯影後的評價用層積體的光阻圖案26側的表面以倍率50倍的條件藉由數位顯微鏡(奧林巴斯股份公司製，DSX510)進行觀察，如圖6(ii)所示，計數形成於光阻圖案26的孔H的個數，作為灰塵檢出數。結果顯示於表1。此外，灰塵檢出數越多(亦即解析性佳)，在本來不應形成電路的處所施予不要的電鍍的風險高，可說是容易產生圖案不良。
＜電路形成性＞ 電路形成性的評價由接下來的方式進行。如圖1所示，在上述得到的評價用層積體的無電解鍍膜層22側表面將厚度15μm的負型光阻24(旭化成股份公司製UFG-155)以1.5m/分的層合速度進行層積後，以目標的電路寬度成為7μm的方式，在光阻24上將線/空間(L/S)=9μm/6μm的遮罩層積。如圖2所示，對遮罩層積後的評價用層積體，進行曝光(70mJ/cm2 )及顯影，形成光阻圖案26。對光阻圖案26形成後的評價用層積體，以公知的條件進行電鍍銅，在光阻圖案26間形成電鍍層28。對電鍍層28形成後的評價用層積體，進行光阻圖案26的剝離，將藉此露出的無電解鍍膜層22的不要部分藉由使用硫酸-過氧化氫系蝕刻液的蝕刻除去，形成電路高度11μm的配線圖案30。此時的蝕刻量，預先測定無電解鍍膜層22的蝕刻速度，再藉由所謂的適量蝕刻(相當0.7μm)再蝕刻至相當於0.3μm，以所謂的過蝕刻的條件進行。將這樣得到的配線圖案30的電路寬度以倍率5000倍的條件以SEM觀察。該電路寬度，將SEM的1視野內的配線圖案30的電路最大寬度以1μm間隔進行10點量測，藉由算出該等的平均值來決定。將得到的電路寬度依以下基準評價。結果顯示於表1。 -評價A：6.6μm以上 -評價B：5.6μm以上且未滿6.6μm -評價C：4.6μm以上且未滿5.6μm ‐評價D：未滿4.6μm
Figure 02_image001
20a:粗化面 20:絕緣基材 22:無電解鍍膜層 24:光阻 24a:乾薄膜光阻 24b:支持薄膜 26:光阻圖案 28:電鍍層 30:配線圖案 10a:處理表面 10:表面處理銅箔 12:覆銅層積板 20’:絕緣基材 25:玻璃遮罩 110:粗化處理銅箔 111a:基底基材 111b:下層電路 111:絕緣樹脂基板 112:預浸物 113:底塗層 114:通孔 115:無電解鍍銅 117:電鍍銅 116:乾薄膜 117a:配線部分 118:配線
[圖1] 表示本發明的製造方法的一例中的前半的步驟(步驟(a)～(c))的步驟流程圖。 [圖2] 表示本發明的製造方法的一例中的後半的步驟(步驟(d)～(g))的步驟流程圖。 [圖3] 表示準備具備粗化面的絕緣基材的順序的一例的步驟流程圖。 [圖4] 用來說明在無電解鍍膜後的表面無充分的凹凸形狀時的曝光及顯影時的表面異物的影響的圖。 [圖5] 用來說明在無電解鍍膜後的表面有充分的凹凸形狀時的曝光及顯影時的表面異物的影響的圖。 [圖6] 用來說明實施例中的灰塵檢出數評價的順序的圖。 [圖7] 用來說明以ISO25178為準據決定的負荷曲線及負荷面積率的圖。 [圖8] 用來說明分離以ISO25178為準據決定的突出谷部與核心部的負荷面積率Smr2的圖。 [圖9] 用來說明以ISO25178為準據決定的谷部的空隙容積Vvv的圖。 [圖10] 用來說明SAP法的步驟流程圖，表示前半步驟(從步驟(a)~步驟(d))的圖。 [圖11] 用來說明SAP法的步驟流程圖，表示後半步驟(從步驟(e)~步驟(h))的圖。
20:絕緣基材
20a:粗化面
22:無電解鍍膜層
24:光阻
24a:乾薄膜光阻
24b:支持薄膜

Claims (8)

  1. 一種印刷配線板的製造方法，包含： (a)準備具備粗化面的絕緣基材的步驟； (b)在前述絕緣基材的粗化面進行無電解鍍膜，形成厚度未滿1.0μm的無電解鍍膜層的步驟，前述無電解鍍膜具有以JIS B0601-2001為準據測定到的算術平均起伏Wa為0.10μm以上0.25μm以下，且以ISO25178為準據測定到的谷部的空隙容積Vvv為0.010μm3 /μm2 以上0.028μm3 /μm2 以下的表面； (c)在前述無電解鍍膜層的表面層積光阻的步驟； (d)對前述光阻進行曝光及顯影，形成光阻圖案的步驟； (e)通過前述光阻圖案對前述無電解鍍膜層施予電鍍的步驟； (f)將前述光阻圖案剝離的步驟；及 (g)將剝離前述光阻圖案所露出的前述無電解鍍膜層的不要部分藉由蝕刻除去，形成配線圖案的步驟。
  2. 如請求項1記載的方法，其中，前述步驟(a)包含下述步驟： (a-1)準備表面處理銅箔，其具有以JIS B0601-2001為準據測定到的算術平均起伏Wa為0.20μm以上0.35μm以下，且以ISO25178為準據測定到的谷部的空隙容積Vvv為0.030μm3 /μm2 以上0.050μm3 /μm2 以下的處理表面； (a-2)在前述表面處理銅箔的前述處理表面層積絕緣基材，將前述處理表面的表面形狀轉印至前述絕緣基材的表面後；及 (a-3)藉由蝕刻除去前述表面處理銅箔，得到具備前述粗化面的絕緣基材。
  3. 如請求項1或2記載的方法，其中，前述無電解鍍膜層的表面的前述算術平均起伏Wa為0.20μm以上0.25μm以下。
  4. 如請求項1或2記載的方法，其中，前述無電解鍍膜層的表面的前述谷部的空隙容積Vvv為0.017μm3 /μm2 以上0.025μm3 /μm2 以下。
  5. 如請求項1或2記載的方法，其中，前述無電解鍍膜層的厚度為0.3μm以上且未滿1.0μm。
  6. 如請求項1或2記載的方法，其中，前述光阻包含乾薄膜光阻。
  7. 如請求項6記載的方法，其中，前述乾薄膜光阻的厚度為2μm以上35μm以下。
  8. 如請求項1或2記載的方法，其中，前述配線圖案的厚度為2μm以上30μm以下。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117279218B (zh) * 2023-10-16 2024-05-24 江苏皓越真空设备有限公司 一种多层覆铜陶瓷基板的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012033642A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Kyocer Slc Technologies Corp 配線基板の製造方法
JP2017038043A (ja) * 2015-08-06 2017-02-16 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
TW201800608A (zh) * 2016-03-11 2018-01-01 日立麥克賽爾股份有限公司 鍍敷零件之製造方法、鍍敷零件、觸媒活性抑制劑及無電解鍍敷用複合材料
TW201908346A (zh) * 2017-07-18 2019-03-01 日商味之素股份有限公司 樹脂組成物

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY186266A (en) * 2015-03-31 2021-07-01 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Roughened copper foil, copper foil provided with carrier, copper-clad laminated sheet, and printed wiring board
WO2017179416A1 (ja) * 2016-04-14 2017-10-19 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
KR102297790B1 (ko) * 2017-05-19 2021-09-06 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 캐리어를 구비한 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012033642A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Kyocer Slc Technologies Corp 配線基板の製造方法
JP2017038043A (ja) * 2015-08-06 2017-02-16 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
TW201800608A (zh) * 2016-03-11 2018-01-01 日立麥克賽爾股份有限公司 鍍敷零件之製造方法、鍍敷零件、觸媒活性抑制劑及無電解鍍敷用複合材料
TW201908346A (zh) * 2017-07-18 2019-03-01 日商味之素股份有限公司 樹脂組成物

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