JP2017157814A - Ｓｏｉ基板及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）基板の製造法を提供する。
【解決手段】第１半導体基板を提供する工程、第１ウェーハを形成するために第１半導体基板の上部表面上で第１絶縁層を焼結膨張させる工程、第１ウェーハのある所定の深さで重水素と水素との共ドープ層を埋め込む工程、第２基板を提供する工程、第２ウェーハを形成するために第２半導体基板の上部表面上で第２絶縁層を焼結膨張させる工程、第１ウェーハを第２ウェーハと接合させる工程、第１ウェーハ及び第２ウェーハを焼き鈍す工程、第２ウェーハから第１ウェーハの一部を分離する工程、ならびに重水素と水素との共ドープ半導体層を第２ウェーハ上に形成する工程、を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体基板及び半導体基板の製造方法に関するものであり、特に、絶縁体上シリコン基板、及び絶縁体上シリコン基板の製造方法に関する。
近年、半導体集積回路を製造するため、一片のシリコンウェーハを使用する代わりに多くの産業で絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）基板が使用されてきている。何故ならＳＯＩ基板を使用することにはドレーンと基板との間の寄生容量を低減するという利点があるからであり、それにより半導体集積回路の性能を促進できる。
米国特許第５３７４５６４号（特許文献１）などの半導体装置を製造する方法に関し、ここでは水素イオンをシリコンウェーハにドープし、所定のシリコンウェーハの深さでイオンドープ層を形成する方法が提供されている。次に水素イオンによってドープしたシリコンウェーハを別のシリコンウェーハに結合し、酸化シリコン膜を２枚のシリコンウェーハ間に形成する。次いで、２枚のシリコンウェーハをイオンドープ層において熱処理により分離し、それにより単結晶シリコン膜をイオンドープ層上に形成することが可能になる。
例えば米国特許第５８７２３８７号（特許文献２）は、基板を焼き鈍し、重水素雰囲気でゲート酸化物層を焼結膨張させる方法を提供しており、これによりゲート酸化物と基板との間の未結合手を除去することが可能となる。しかしこの方法は非常に高い重水素圧で進行させる必要があり、半導体装置の製造コストが増大してしまう。
上記の先行技術を考慮すると、少なくとも上記の欠点を解消するＳＯＩ基板を製造するために改善された方法が必要である。
米国特許第５３７４５６４号 米国特許第５８７２３８７号
本発明の出願の目的は、絶縁体上シリコン基板及びその方法を提供することであり、そのＳＯＩ基板はドレーンと基板との間の寄生容量を低減する利点を有し、ＳＯＩ基板の製造コストを削減することが可能になる。
上記課題を解決するため、本発明の出願はＳＯＩ基板の製造法を提供しており、当該方法は、第１半導体基板を提供する工程、第１ウェーハを形成するために第１半導体基板の上部表面上で第１絶縁層を焼結膨張させる工程、第１絶縁層の上部表面からの所定の深さまで重水素と水素との共ドープ層を形成するためにイオンビームで第１半導体基板を照射する工程、第２基板を提供する工程、第２ウェーハを形成するために第２半導体基板の上部表面上で第２絶縁層を焼結膨張させる工程、対面させる態様で第１ウェーハを第２ウェーハと接合させる工程、第１ウェーハ及び第２ウェーハを焼き鈍す工程、第２ウェーハから第１ウェーハの一部を分離する工程、重水素と水素との共ドープ半導体層を第２ウェーハ上に形成する工程、を含む。
本発明の出願は更にＳＯＩ基板を提供し、当該基板は、半導体基板、半導体基板の上部表面上で焼結膨張された絶縁層、及び絶縁層上で焼結膨張された重水素と水素との共ドープ半導体層、を備える。
例示的な実施形態は、以下の詳細な説明を添付図面と併せて読むと更に容易に理解できる。
本発明の１実施形態に従って絶縁体上シリコン基板を製造する方法のフローチャートである。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。 絶縁体上シリコン基板を製造するプロセスの断面図である。
本開示及びその利点を更に完全に理解するため、添付図面と併せて以下の説明を述べる。ここでは同系列の参照番号は同様の特徴を示す。当業者は、例示的な実施形態を実施するための他の変形例が本明細書に記載の変形例も包含していることを理解しているものとする。
図１は本発明の１実施形態に従って絶縁体上シリコン基板を製造する方法を提供しており、当該製造方法は以下の工程を含む。
工程１０１（Ｓ１０１）：第１半導体基板を提供する工程。
工程１０２（Ｓ１０２）：第１ウェーハを形成するために第１半導体基板の下部表面上で第１絶縁層を焼結膨張させる工程。
工程１０３（Ｓ１０３）：重水素及び水素を原料ガスに使用し、また、第１絶縁層の上部表面からの所定の深さまで重水素と水素との共ドープ層を形成するために、重水素及び水素イオン共ビームで第１半導体基板を照射する工程。
工程１０４（Ｓ１０４）：第２半導体基板を提供する工程。
工程１０５（Ｓ１０５）：第２ウェーハを形成するために第２半導体基板の上部表面上で第２絶縁層を焼結膨張させる工程。
工程１０６（Ｓ１０６）：対面させる態様で第１ウェーハを第２ウェーハと接合させる工程。
工程１０７（Ｓ１０７）：第１ウェーハ及び第２ウェーハを焼き鈍す工程。
工程１０８（Ｓ１０８）：第２ウェーハから第１ウェーハの一部を分離する工程。
工程１０９（Ｓ１０９）：重水素と水素との共ドープ半導体層を第２ウェーハ上に形成する工程。
工程１１０（Ｓ１１０）：第１ウェーハの分離した一部を再利用する工程。
絶縁体上シリコンの製造方法をより具体的に説明するために、図２Ａ〜２Ｇは絶縁体上シリコン基板を製造するためのプロセスの断面図を提供する。
第１工程を図２Ａに示す。第１半導体基板１００を提供しており、ここでは第１半導体基板１００の材料はＩＶ族元素、ＳｉＧｅ、ＩＩＩ〜Ｖ族化合物、ＩＩＩ族元素‐窒素化合物、又はＩＩ〜ＶＩ族化合物としてもよい。
１実施形態では、第１半導体基板１００の材料は単結晶シリコンである。別の実施形態では、第１半導体基板１００の材料はＳｉＧｅであり、ゲルマニウムの重量百分率は５〜９０％である。
次のプロセスを図２Ｂに示す。第１ウェーハ１０６を形成するために第１半導体基板１００の上部表面１０２上で第１絶縁層１０４を焼結膨張させる。ここでは第１絶縁層１０４の材料には二酸化シリコン、窒化シリコン又は窒化アルミニウムが挙げられる。１実施形態では、第１絶縁層の材料は二酸化シリコンであり、第１絶縁層１０４の厚さは０．１〜５００ｎｍとしてもよい。
次のプロセスを図２Ｃに示す。水素及び重水素は水素プラズマ及び重水素プラズマを生成するための電界で処理することが可能であり、水素プラズマの水素イオン及び重水素プラズマの重水素イオンを利用することで水素及び重水素イオン共ビームの生成が可能になる。重水素と水素との共ドープ層１１２を第１絶縁層１１０の上部表面１１０からの所定の深さＨで埋め込むため、第１ウェーハ１０６を水素及び重水素イオン共ビーム１０８で照射する。
所定の深さＨは、水素及び重水素イオン共ビーム１０８の加速エネルギーならびに水素及び重水素イオン共ビーム１０８の入射角で制御し、水素及び重水素イオン共ビーム１０８の加速エネルギーは加速電圧及びドープ濃度で制御してもよい。１実施形態では、所定の深さＨは０．１〜５μｍであり、水素及び重水素イオン共ビーム１０８の加速電圧は１〜２００ｋｅＶであり、水素及び重水素イオン共ビーム１０８のドープ量はイオン１０１６個〜２×１０１７個／ｃｍ２である。
次の工程を図２Ｄに示す。第２半導体基板２００を提供しており、ここでは第２半導体基板２００の材料にはＩＶ族元素、シリコン‐ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ＩＩＩ〜Ｖ族化合物、ＩＩＩ族元素‐窒素化合物、又はＩＩ〜ＶＩ族化合物が挙げられる。１実施形態では、第２半導体基板２００の材料は単結晶シリコンである。
次のプロセスを図２Ｅに示す。第２ウェーハ２０６を形成するために第２半導体基板２００の上部表面２０２上で第２絶縁層２０４を焼結膨張させる。ここでは第２絶縁層２０４の材料には二酸化シリコン、窒化シリコン又は窒化アルミニウムが挙げられる。１実施形態では、第２絶縁層２０４の材料は二酸化シリコンであり、第２絶縁層２０４の厚さは０．０５〜１０ｎｍとしてもよい。
次の工程を図２Ｆに示す。第１ウェーハ１０６を第２ウェーハ２０６と対面させて接合する。１実施形態では、第１ウェーハ１０６は親水性接合プロセスにより第２ウェーハ２０６と接合する。ここでは第１ウェーハ１０６は摂氏２００〜４００度の温度で第２ウェーハ２０６と接合する。
親水性接合プロセスの詳細な工程には更に、第１絶縁層１０４及び第２絶縁層２０４を湿潤させる工程、湿潤した第１絶縁層１０４を湿潤した第２絶縁層２０４に接触させる工程、第１絶縁層１０４を第２絶縁層２０４と緊密に接合するために第１絶縁層１０４及び第２絶縁層２０４を押圧する工程、が含まれる。
次の工程を図２Ｇに示す。第１ウェーハ１０６及び第２ウェーハ２０６を焼き鈍す。焼き鈍しプロセスには、第１ウェーハ１０６及び第２ウェーハ２０６を摂氏６００〜９００度の温度に加熱する工程、第１ウェーハ１０６及び第２ウェーハ２０６を摂氏４００〜６００度の温度に冷却する工程、が含まれる。ここで第１ウェーハ１０６及び第２ウェーハ２０６を冷却する時間は３０〜１２０分である。第１ウェーハ１０６及び第２ウェーハ２０６を焼き鈍した後、重水素と水素との共ドープ層１１２は複数の重水素と水素との共ドープ気泡３００に移行する。
次の工程を図２Ｈに示す。重水素と水素との共ドープ半導体層４００を形成するため、第１ウェーハ１０６の一部を第２ウェーハ２０６から分離し、重水素と水素との共ドープ半導体層４００を第１絶縁層１０４と接合する。重水素と水素との共ドープ半導体層４００の厚さは５０〜５００００Åであり、重水素と水素との共ドープ気泡３００は重水素と水素との共ドープ半導体層４００の内部にある。
経費節約のために第１ウェーハ１０６の分離した部分を再使用できるよう、第１ウェーハ１０６の分離した部分が更に化学‐機械研磨（ＣＭＰ）に供して洗浄できることは注目に値する。重水素と水素との共ドープ半導体層４００と接合した第２ウェーハ２０６は更に摂氏１００００度まで加熱してもよく、第２ウェーハ２０６を加熱する時間は３０分〜８時間である。
未結合手は高い活性を有することから、電子が電子正孔と再度結合するように捕獲中心を生成してもよい。従ってホットキャリア効果に対する半導体装置の復元力が減少する。
本発明は半導体装置を製造するためのＳＯＩ基板を提供する。ＳＯＩ基板は半導体装置のドレーンとソースとの間の寄生容量を減少させることが可能であり、ＳＯＩ基板上でゲート酸化物を焼結膨張させた後に、ＳＯＩ基板にドープした重水素原子（又は重水素イオン）をゲート酸化物とＳＯＩ基板との間の界面に拡散させてもよく、未結合手を排除し、ホットキャリア効果に対する半導体装置の復元力を増加させるため、重水素原子（又は重水素イオン）を半導体原子に共有結合させる。更に、ＳＯＩ基板の製造方法には左程高い重水素圧は必要ではなく、ＳＯＩ基板の製造コストは実質的に削減可能である。
開示した原理に一致する多様な実施形態が上述されているが、これらは例示にすぎず、限定するものではないことを理解すべきである。従って、例示的な実施形態（単数又は複数）の幅及び範囲は上述したいかなる実施形態にも限定すべきではなく、請求項、及び本開示から提示されたその等価物と一致する場合のみ規定すべきである。更に、記載した実施形態で上記利点及び特徴を提供しているが、このような提示された請求項の用途を、上記利点の一部又は全てを達成するプロセス及び構造に限定するものではない。

Claims (10)

  1. 絶縁体上シリコン基板の製造方法であって、
    第１半導体基板を提供する工程、
    第１ウェーハを形成するために前記第１半導体基板の上部表面上で第１絶縁層を焼結膨張させる工程、
    前記第１絶縁層の上部表面からの所定の深さまで重水素と水素との共ドープ層を形成するためにイオンビームで前記第１半導体基板を照射する工程、
    第２基板を提供する工程、
    第２ウェーハを形成するために前記第２半導体基板の上部表面上で第２絶縁層を焼結膨張させる工程、
    対面させる態様で前記第１ウェーハを前記第２ウェーハと接合させる工程、
    前記第１ウェーハ及び第２ウェーハを焼き鈍す工程、
    前記第２ウェーハから前記第１ウェーハの一部を分離する工程、ならびに、
    重水素と水素との共ドープ半導体層を前記第２ウェーハ上に形成する工程、を含むことを特徴とする、
    方法。
  2. 水素及び重水素イオン共ビームにより前記重水素と水素との共ドープ層を前記第１半導体基板に埋め込み、前記水素及び重水素イオン共ビームの加速電圧は１〜２００ｋｅＶであり、前記水素及び重水素イオン共ビームのドープ量はイオン１０１６個〜２×１０１７個／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  3. 摂氏２００〜４００度の温度で前記第１ウェーハを前記第２ウェーハと対面させて接合することを特徴とする請求項１に記載の方法。
  4. 前記第１ウェーハを前記第２ウェーハと接合する工程には更に、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を湿潤させる工程、前記第１絶縁層を前記第２絶縁層に接触させる工程、ならびに前記第１絶縁層を前記第２絶縁層に接合するために前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層を押圧する工程が含まれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  5. 前記第１ウェーハ及び前記第２ウェーハを焼き鈍す工程には更に、前記第１ウェーハ及び前記第２ウェーハを摂氏６００〜９００度の温度に加熱する工程、ならびに前記第１ウェーハ及び前記第２ウェーハを摂氏４００〜６００度の温度に冷却する工程が含まれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  6. 前記第１ウェーハ及び前記第２ウェーハを冷却する時間は３０〜１２０分であることを特徴とする請求項５に記載の方法。
  7. 前記重水素と水素との共ドープ半導体層の厚さは５０〜５００００Åであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
  8. 前記第１ウェーハの一部を前記第２ウェーハから分離した後、前記第２ウェーハを再度摂氏１００００度まで加熱する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  9. 絶縁体上シリコン基板であって、
    半導体基板、
    前記半導体基板の上部表面上で焼結膨張させた絶縁層、及び、
    前記絶縁層の上部表面上で焼結膨張させた重水素と水素との共ドープ半導体層、を備えることを特徴とする、
    絶縁体上シリコン基板。
  10. 前記重水素と水素との共ドープ半導体層の厚さは５０〜５００００Åであることを特徴とする請求項９に記載の絶縁体上シリコン基板。
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