JP4539098B2 - 貼り合わせ基板の製造方法 - Google Patents

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この発明は貼り合わせ基板の製造方法、詳しくは半導体ウェーハに対して低ドーズ量で水素をイオン注入しても、剥離熱処理時に半導体ウェーハをイオン注入ピーク領域から剥離可能な貼り合わせ基板の製造方法に関する。
近年、SOI(Silicon On Insulator)構造を有する貼り合わせSOI基板を製造する方法として、例えば特許文献1に記載されたスマートカット法が開発されている。
スマートカット法は、水素を所定深さ位置にイオン注入した活性層用ウェーハと、支持基板用ウェーハとを埋め込みシリコン酸化膜を介して貼り合わせ、その後、得られた貼り合わせウェーハを熱処理炉に挿入して熱処理し、水素のイオン注入ピーク領域から活性層用ウェーハを剥離することで、埋め込みシリコン酸化膜を介して、支持基板用ウェーハに活性層を形成する方法である。従来、水素イオンの注入量(ドーズ量)は、2.0×1016atoms/cmを超えていた。
特開平5−211128号
しかしながら、従来のスマートカット法では、前述したように2.0×1016atoms/cmを超える多量の水素を、活性層用ウェーハにイオン注入しなければならなかった。このドーズ量を超えないと、その後、例えば400〜700℃、10〜60分間の剥離熱処理を行っても、イオン注入ピーク領域から活性層用ウェーハを剥離することができない。また、2.0×1016atoms/cmを超えるドーズ量の水素をイオン注入した場合でも、400〜700℃の低温剥離を行うと、貼り合わせ界面の結合強度が弱いために、Blisterなどの欠陥が発生する。
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、活性層用ウェーハに水素をイオン注入するだけでなく、水素イオン注入ピーク領域内またはその近傍に酸素をイオン注入すれば、剥離熱処理時に活性層用ウェーハ内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生するとともに、剥離熱処理時の熱により酸素イオン注入ピーク領域に酸素析出物が析出し、これに伴う周辺のシリコン単結晶への歪の発生が、水蒸気バブルによる活性層用ウェーハの剥離(劈開)を増長させることを知見した。また、水素イオンと酸素イオンとを同一ピーク領域内、あるいはその近傍に注入した場合、1000℃未満の剥離熱処理温度では水蒸気バブルは形成されず、1000℃以上の剥離熱処理により剥離現象が発生することを知見した。さらに、水素イオンと酸素イオンを同一ピーク領域内、あるいはその近傍に注入した場合、通常の水素イオン注入のみでは剥離が不可能な2.0×1016atoms/cm以下のドーズ量でも剥離できることを知見し、この発明を完成させた。
この発明は、水素のドーズ量の低減化を図ることができる貼り合わせ基板の製造方法を提供することを目的としている。
請求項1に記載の発明は、活性層用ウェーハに、該活性層用ウェーハの所定深さ位置を注入量のピーク位置として酸素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域を形成する酸素イオン注入工程と、酸素イオン注入後、前記活性層用ウェーハの酸素イオン注入ピーク領域に水素イオン注入ピーク領域が重ね合わさるように、前記活性層用ウェーハに水素イオンを注入する水素イオン注入工程と、両イオンの注入後、前記活性層用ウェーハと、該活性層用ウェーハを支持する支持基板用ウェーハとを貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせ工程と、その後、該貼り合わせウェーハを熱処理し、前記活性層用ウェーハを両イオン注入ピーク領域から剥離する剥離熱処理工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法である。
請求項1に記載の発明によれば、活性層用ウェーハに酸素をイオン注入して、活性層用ウェーハに酸素イオン注入ピーク領域を形成し、その後、酸素イオン注入ピーク領域に水素をイオン注入することで、酸素イオン注入ピーク領域に深さ範囲をオーバーラップさせて、水素イオン注入ピーク領域を形成する。これにより、剥離熱処理時、活性層用ウェーハ内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。しかも、剥離熱処理時の熱により酸素イオン注入ピーク領域に酸素析出物が析出し、これに伴い周辺のシリコン単結晶に歪が発生する。この歪が水蒸気バブルによる活性層用ウェーハの剥離を増長させる。その結果、水素を低ドーズ量(例えば2.0×1016atoms/cm未満)でイオン注入しても、剥離熱処理時に貼り合わせ基板の水素イオン注入ピーク領域から剥離することができる。
活性層用ウェーハおよび支持基板用ウェーハの種類は限定されない。例えば、単結晶シリコンウェーハ、ガリウム・ヒ素ウェーハなどを採用することができる。
酸素のイオン注入量は、例えば2.0×1017atoms/cm以下、生産性を考えると、1.0×1017atoms/cm以下が好ましい。
活性層用ウェーハのイオン注入面からの酸素のイオン注入深さは、例えばイオン注入面に形成される酸化膜の厚さにもよるが、薄膜の活性層(0.3μm以下)を有する貼り合わせ基板の場合には0.1〜0.4μmである。
酸素のイオン注入時の加速電圧は、例えば45〜200keV、酸素イオン注入時の加熱温度は200〜500℃、好ましくは250〜350℃である。200℃未満では、注入時のビーム電流が高い場合、活性層用ウェーハが破損するおそれがある。
水素のイオン注入量は、例えば4.0×1016atoms/cm以下、好ましくは1.0〜3.0×1016atoms/cmである。生産性を考えると、ドーズ量はより少ない方が好ましいが、1.0×1016atoms/cm未満では水蒸気バブルが発生しないおそれがある。
水素イオン注入ピーク領域とは、活性層用ウェーハに注入された水素イオンの領域のうち、水素イオンが高密度に存在する領域をいう。また、酸素イオン注入ピーク領域とは、活性層用ウェーハに注入された酸素イオンの領域のうち、酸素イオンが高密度に存在する領域をいう。
水素イオン注入ピーク領域は、酸素イオン注入ピーク領域に対して、各イオン注入のピーク位置(イオン注入量の最大位置)の深さを一致させて形成してもよい。また、酸素イオン注入ピーク深さに対して、水素イオン注入のピーク位置を深い方にずらしてもよい。この場合、酸素イオン注入のピーク位置と水素イオン注入のピーク位置との差は、50nm以内とする。
具体的な活性層用ウェーハのイオン注入面からの水素イオンの注入深さは、例えば酸素イオンの注入深さが0.1〜0.4μmの場合、0.1〜0.45μmである。
水素のイオン注入時の加速電圧は、例えば酸素イオン注入時の加速電圧を45〜200keVとした場合、10〜45keVである。
請求項2に記載の発明は、活性層用ウェーハに、該活性層用ウェーハの所定深さ位置を注入量のピーク位置として水素をイオン注入し、水素イオン注入ピーク領域を形成する水素イオン注入工程と、水素イオン注入後、前記活性層用ウェーハの水素イオン注入ピーク領域に酸素イオン注入ピーク領域が重ね合わさるように、前記活性層用ウェーハに酸素イオンを注入する酸素イオン注入工程と、両イオンの注入後、前記活性層用ウェーハと、該活性層用ウェーハを支持する支持基板用ウェーハとを貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせ工程と、その後、該貼り合わせウェーハを熱処理し、前記活性層用ウェーハを両イオン注入ピーク領域から剥離する剥離熱処理工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法である。
請求項2に記載の発明によれば、活性層用ウェーハに水素をイオン注入し、その後、水素イオン注入ピーク領域に酸素をイオン注入することで、水素イオン注入ピーク領域に深さ範囲をオーバーラップさせて、酸素イオン注入ピーク領域を形成すれば、剥離熱処理時、活性層用ウェーハ内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。しかも、剥離熱処理時の熱により酸素イオン注入ピーク領域に酸素析出物が析出し、これに伴い周辺のシリコン単結晶に歪が発生する。その結果、水蒸気バブルによる活性層用ウェーハの剥離を増長させる。よって、水素を低ドーズ量でイオン注入しても、剥離熱処理時に貼り合わせ基板の水素イオン注入ピーク領域から剥離することができる。
酸素イオン注入ピーク領域は、水素イオン注入ピーク領域に対してその深さ方向のピーク位置を一致させて形成してもよい。また、水素イオン注入のピーク位置に対して、酸素イオン注入のピーク位置を浅く注入してもよい。この場合、酸素イオン注入のピーク位置と水素イオン注入のピーク位置との差は、50nm以内とする。具体的な活性層用ウェーハのイオン注入面からの酸素イオンの注入深さは、例えば水素イオンの注入深さが0.1〜0.45μmの場合、0.1〜0.4μmである。
請求項3に記載の発明は、前記水素イオンのドーズ量が、4.0×1016atoms/cm以下である請求項1または請求項2に記載の貼り合わせ基板の製造方法である。
請求項4に記載の発明は、前記酸素イオンのドーズ量が、2.0×1017atoms/cm以下である請求項1〜請求項3のうち、何れか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法である。
請求項5に記載の発明は、前記貼り合わせ工程では、前記活性層用ウェーハと、該活性層用ウェーハを支持する支持基板用ウェーハとを、これらの間に絶縁層を介在して貼り合わせる請求項1〜請求項4のうち、何れか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法である。
活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの間に絶縁層を介在して貼り合わせることで、貼り合わせSOI基板が得られる。
絶縁層としては、例えばシリコン酸化膜を採用することができる。絶縁層の厚さは、例えば0.1〜0.5μmである。活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとを貼り合わせることで、絶縁膜は埋め込み絶縁膜となる。
請求項6に記載の発明は、前記剥離熱処理工程の処理温度が、1000℃以上である請求項1〜請求項5のうち、何れか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法である。
剥離熱処理の好ましい温度は、1100〜1200℃である。1000℃未満では、水素イオンと酸素イオンとを同一ピーク領域内、あるいはその近傍に注入したとき、剥離熱処理により水蒸気バブルが形成されないおそれがある。
請求項1および請求項2に記載の貼り合わせ基板の製造方法によれば、活性層用ウェーハに水素と酸素とをイオン注入することで、剥離熱処理時、活性層用ウェーハ内で水蒸気バブルが発生するとともに、酸素イオン注入ピーク領域における酸素析出物の析出が、水蒸気バブルによる活性層用ウェーハの剥離を増長させる。その結果、水素のドーズ量の低減化を図ることができる。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
図1のフローシートを参照し、実施例1の貼り合わせ基板の製造方法(ここでは、貼り合わせSOI基板の製造方法)を説明する。
図1に示すように、ボロンが所定量添加されたp型の単結晶シリコンインゴットをCZ法により引き上げる。その後、単結晶シリコンインゴットに、ブロック切断、スライス、面取り、鏡面研磨などを施す。これにより、厚さ725μm、直径200mm(8インチ)、比抵抗20Ωcm、p型の表裏両面が鏡面仕上げされた活性層用ウェーハ10と、支持基板用ウェーハ20とがそれぞれ得られる。
その後、酸素ガス雰囲気での950℃の熱酸化処理により、活性層用ウェーハ10の露出面全域に、厚さ150nmのシリコン酸化膜10bが形成される(図1(a))。
次に、作製された活性層用ウェーハ10の表面(デバイス形成面)から、中電流イオン注入装置を使用し、180keVの加速電圧で、1.0×1016atoms/cmの酸素イオンを注入する。これにより、ウェーハ表面から深さ0.4μmの位置に酸素イオン注入ピーク領域10aが形成される。次いで、酸素イオンが注入された活性層用ウェーハ10を別の中電流イオン注入装置に挿入し、40keVの加速電圧で、1.0×1016atoms/cmの水素イオンを注入する(図1(b))。これにより、両イオンの活性層用ウェーハ10の注入深さ方向における最大イオン注入量の位置が略同一になる(図2)。その結果、酸素イオン注入ピーク領域10aと水素イオン注入ピーク領域10dとが略合致する。
次いで、活性層用ウェーハ10の表面(イオン注入面)と、支持基板用ウェーハ20の鏡面とを室温で貼り合わせ、貼り合わせウェーハ30を得る(図1(c))。このとき、活性層用ウェーハ10と支持基板用ウェーハ20との間のシリコン酸化膜10bの部分が、埋め込みシリコン酸化膜10cとなる。
続いて、貼り合わせウェーハ30を図示しない剥離熱処理装置に挿入し、1100℃の炉内温度、窒素ガスの雰囲気で20分間、剥離熱処理する(図1(d))。これにより、活性層用ウェーハ10内で水素と酸素とが反応し、水蒸気バブルが発生する。しかも、剥離熱処理時の熱により酸素イオン注入ピーク領域10aに酸素析出物が析出し、これに伴い周辺のシリコン単結晶に歪が発生する。この歪が水蒸気バブルによる活性層用ウェーハ10の剥離を増長させる。すなわち、水素を低ドーズ量でイオン注入しても、剥離熱処理時において、酸素イオン注入ピーク領域10aと重なった水素イオン注入ピーク領域10dから剥離することができる。
次に、SOI構造を有する貼り合わせウェーハ30は、活性層10Aの外周部に残ったシリコン酸化膜10bを外周研削後、図示しない研磨装置により、活性層10Aの表面を研磨する(図1(e))。こうして、貼り合わせSOI基板が作製される。
このように、酸素と水素とのイオン注入工程では、対応するイオンの注入深さ方向における酸素イオンの最大イオン注入量の位置と、水素イオンの最大イオン注入量の位置とを同一としたので、酸素イオン注入ピーク領域10aと水素イオン注入ピーク領域10dとを略一致させることができる。その結果、剥離熱処理時に、活性層用ウェーハ10内での水蒸気バブルの発生と、酸素析出物による活性層用ウェーハ10の剥離の増長とを促進させることができる。
次に、図3のフローシートを参照し、実施例2の貼り合わせ基板の製造方法を説明する。
実施例2では表面に酸化膜を形成した活性層用ウェーハ10に対して、まず水素をイオン注入し(図3(a))、その後、酸素をイオン注入する(図3(b))。
また、活性層用ウェーハ10に対するシリコン酸化膜10bの形成時には、酸素ガス雰囲気で950℃、60分間の熱酸化処理を施し、活性層用ウェーハ10の露出面の全域に、厚さ150nmのシリコン酸化膜10bを形成している。
その他の構成、作用および効果は、第1の実施例と同じであるので説明を省略する。
この発明の実施例1に係る貼り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。 この発明の実施例1に係る貼り合わせ基板の製造方法における酸素イオンと水素イオンとの注入位置を示す拡大断面図である。 この発明の実施例2に係る貼り合わせ基板の製造方法を示すフローシートである。
符号の説明
10 活性層用ウェーハ、
10a 酸素イオン注入ピーク領域、
10d 水素イオン注入ピーク領域、
20 支持基板用ウェーハ、
30 貼り合わせウェーハ。

Claims (6)

  1. 活性層用ウェーハに、該活性層用ウェーハの所定深さ位置を注入量のピーク位置として酸素をイオン注入し、酸素イオン注入ピーク領域を形成する酸素イオン注入工程と、
    酸素イオン注入後、前記活性層用ウェーハの酸素イオン注入ピーク領域に水素イオン注入ピーク領域が重ね合わさるように、前記活性層用ウェーハに水素イオンを注入する水素イオン注入工程と、
    両イオンの注入後、前記活性層用ウェーハと、該活性層用ウェーハを支持する支持基板用ウェーハとを貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせ工程と、
    その後、該貼り合わせウェーハを熱処理し、前記活性層用ウェーハを両イオン注入ピーク領域から剥離する剥離熱処理工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法。
  2. 活性層用ウェーハに、該活性層用ウェーハの所定深さ位置を注入量のピーク位置として水素をイオン注入し、水素イオン注入ピーク領域を形成する水素イオン注入工程と、
    水素イオン注入後、前記活性層用ウェーハの水素イオン注入ピーク領域に酸素イオン注入ピーク領域が重ね合わさるように、前記活性層用ウェーハに酸素イオンを注入する酸素イオン注入工程と、
    両イオンの注入後、前記活性層用ウェーハと、該活性層用ウェーハを支持する支持基板用ウェーハとを貼り合わせ、貼り合わせウェーハを形成する貼り合わせ工程と、
    その後、該貼り合わせウェーハを熱処理し、前記活性層用ウェーハを両イオン注入ピーク領域から剥離する剥離熱処理工程とを備えた貼り合わせ基板の製造方法。
  3. 前記水素イオンのドーズ量が、4.0×1016atoms/cm以下である請求項1または請求項2に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
  4. 前記酸素イオンのドーズ量が、2.0×1017atoms/cm以下である請求項1〜請求項3のうち、何れか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
  5. 前記貼り合わせ工程では、前記活性層用ウェーハと、該活性層用ウェーハを支持する支持基板用ウェーハとを、これらの間に絶縁層を介在して貼り合わせる請求項1〜請求項4のうち、何れか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
  6. 前記剥離熱処理工程の処理温度が、1000℃以上である請求項1〜請求項5のうち、何れか1項に記載の貼り合わせ基板の製造方法。
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