JP2007073768A - 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 - Google Patents
貼り合わせsoiウェーハの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007073768A JP2007073768A JP2005259759A JP2005259759A JP2007073768A JP 2007073768 A JP2007073768 A JP 2007073768A JP 2005259759 A JP2005259759 A JP 2005259759A JP 2005259759 A JP2005259759 A JP 2005259759A JP 2007073768 A JP2007073768 A JP 2007073768A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- oxide film
- silicon oxide
- bonded
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
【解決手段】少なくとも、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハおよびベースウェーハの少なくとも一方のウェーハの貼り合わせ面となる側の主面にCVD法により第1シリコン酸化膜を形成し、該第1シリコン酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成した後、該貼り合わせウェーハを構成する前記ベースウェーハの貼り合わせ面とは反対側の主面にCVD法により第2シリコン酸化膜を形成し、前記ボンドウェーハを薄膜化した後、前記第1及び第2シリコン酸化膜形成温度よりも高温で結合熱処理を行うことを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
【選択図】図1
Description
これに対して本発明は、BOXとなる第1シリコン酸化膜とは別に、ベースウェーハの貼り合わせ面とは反対側の主面にCVD法により第2シリコン酸化膜を形成する。このため、結合熱処理中は、ベースウェーハの上下面は、第2シリコン酸化膜とBOXに覆われていることになり、BOX厚さが極めて厚いSOIウェーハを製造する場合であっても、ベースウェーハの上下面における熱収縮率の差を小さくすることができる。しかも、高温の結合熱処理を行う前にボンドウェーハを薄膜化しているので、結合熱処理後の冷却過程においてボンドウェーハが収縮する際にベースウェーハに作用する応力は小さくなり、結合熱処理後の反りは抑制され、その結果、スリップ転位の発生を抑制することができる。
さらに、本発明では、第1及び第2シリコン酸化膜の形成をCVD法により行う。このため厚い酸化膜であっても、効率よく短時間で形成することができる。
本発明者らは、先ず、BOXの厚さが極めて厚いSOIウェーハを製造する場合、従来の方法では、SOIウェーハの反りの発生を十分に抑制することができなかった原因を見出すべく、調査、研究を行った。
本発明者らは、この場合、ボンドウェーハの一方の主面に所定厚のCVD酸化膜を堆積した時点ではCVD酸化膜が厚くてもさほど大きな反りにならないが、その後の結合熱処理により極めて大きな反りが発生してしまうことに気がついた。これは、その結合熱処理の温度が、CVD酸化膜の形成温度よりも高い温度で行われるため、CVD酸化膜に大きな収縮が発生することに起因すると考えられる(CVD酸化膜形成温度は通常800℃以下の低温である。)。
一方、特許文献2に記載された方法のように、結合熱処理後に、ベースウェーハの貼り合わせ面とは反対側の主面にCVD酸化膜を形成する手法の場合、前述のように結合熱処理によりウェーハは既に大きく反ってしまっている。このため、その後、ベースウェーハの貼り合わせ面とは反対側の主面にCVD酸化膜を形成したとしても、SOIウェーハの反りを十分に抑制することはできない。しかも、このように、反ってしまっているSOIウェーハを平坦にしようとすると、追加の高温熱処理が必要となり、効率的でないばかりか、既に大きく反っているウェーハに対して改めて逆方向に応力を与えることになるので、スリップ転位が発生しやすく、ウェーハの機械的強度が低下してしまうという問題も生じる。
図1は、本発明の貼り合わせSOIウェーハの製造方法の一例を示す説明図である。
先ず、最初の工程(図1(a)参照)では、シリコン単結晶ウェーハからなるベースウェーハ11とボンドウェーハ14を準備する。
貼り合わせSOIウェーハを例えば光集積デバイスなどにおける光導波路などのような特殊な用途に用いる場合には、4μm以上、あるいは10μm以上といった極めて厚い埋め込み酸化膜が必要になるが、埋め込み酸化膜となる第1シリコン酸化膜の形成を、このようにCVD法により行えば、厚い酸化膜であっても、効率よく短時間で形成することができる。
尚、この時、ボンドウェーハ14ではなく、ベースウェーハ11に第1シリコン酸化膜を形成するようにしても良いし、両ウェーハに形成することもできる。
この場合、ボンドウェーハ14の貼り合わせ面とは反対側の主面が、サセプター12と接触するため、汚染の問題が気になるところである。しかしながら、図1の方法によれば、サセプターと接触する箇所は、その後の薄膜化工程で除去されるので、汚染の問題はそれほど気にする必要がない。
先ず、最初の工程(図2(a)参照)では、シリコン単結晶ウェーハからなるベースウェーハ21とボンドウェーハ24を準備する。そして、ボンドウェーハ24の一方の主面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入する。これにより、ボンドウェーハ24の内部にイオンの平均進入深さにおいて表面に平行なイオン注入層27を形成することができる。この際、ボンドウェーハのイオン注入面には、チャネリング防止のため、あらかじめ薄い酸化膜を形成しておいてもよい。尚、この時のイオン注入層27の深さは、最終的に形成されるSOI層28の厚さに反映される。従って、注入エネルギー等を制御してイオン注入することにより、SOI層の厚さを制御できる。
この時、ボンドウェーハ24ではなく、ベースウェーハ21に第1シリコン酸化膜を形成するようにしても良いし、両ウェーハに形成することもできる。
尚、剥離熱処理が第2シリコン酸化膜の形成温度よりも高温で行われると、シリコン酸化膜に大きな収縮が発生することになるが、図2の方法によれば、ベースウェーハの上下面は、第2シリコン酸化膜と、第1シリコン酸化膜で覆われているので、ベースウェーハ上下面における熱収縮量の差が小さくなる。また、熱処理中にイオン注入層で剥離が発生するため、冷却過程ではすでにボンドウェーハは薄膜化されており、反りの発生を十分に防ぐことができる。
この時も、ベースウェーハ21の上下面は、第2シリコン酸化膜26と、第1シリコン酸化膜23、すなわち埋め込み酸化膜(BOX)とで覆われている。このため、上記図1の方法で説明したのと同様に、結合熱処理中に発生する反りを十分に抑えることができる。
(実施例1)
図1の方法にしたがって、貼り合わせSOIウェーハ10を製造した。
先ず、図1(a)に示すように、直径200mm、面方位(100)、p型、10Ωcm、厚さ725μmで、片面鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハからなるベースウェーハ11とボンドウェーハ14を準備した。
次に、図1(b)に示すように、ボンドウェーハ14を、CVD装置のサセプター12に保持し、ボンドウェーハ14の貼り合わせ面となる側(鏡面側)の主面にCVD法により第1シリコン酸化膜13を形成した。第1シリコン酸化膜13の堆積条件は次の通りである。原料ガス:SiH4、O2、 堆積温度:700℃、 堆積圧力:常圧、 堆積膜厚:10μm、 表面研磨:CMPにより研磨代 100nm。尚、第1シリコン酸化膜13を形成した後のボンドウェーハ14の反り量は、30μmであった。
次に、図1(c)に示すように、ボンドウェーハ14の第1シリコン酸化膜13の表面とベースウェーハ11の鏡面とを室温で貼り合わせて貼り合わせウェーハ15を形成した。
次に、図1(e)に示すように、平面研削、表面研磨によりボンドウェーハ14を薄膜化した。この時の平面研削の研削代は、680μm、表面研磨の研磨代は15μmとした。
そして、最後に、図1(f)に示すように、1100℃、2時間、Ar100%雰囲気下で、結合熱処理を行った。この結合熱処理の温度は、前記第1及び第2シリコン酸化膜13,16の形成温度よりも高温である。
このようにして、貼り合わせSOIウェーハ10を製造した。製造した貼り合わせSOIウェーハの反り量は、15μmであった。
ベースウェーハにCVD法により第2シリコン酸化膜を形成しなかったことを除いて、実施例1と同様にして貼り合わせSOIウェーハを製造した。ただし、ボンドウェーハの薄膜化は、結合熱処理後に実施した。
製造した貼り合わせSOIウェーハの反り量は、800μmであった。
これに対して、実施例1では、高温の結合熱処理前に、ベースウェーハにCVD法により第2シリコン酸化膜を形成し、これにより、ベースウェーハの上下面が、それぞれ、第2シリコン酸化膜と第1シリコン酸化膜に覆われており、結合熱処理前に薄膜化を行っているので、高温の結合熱処理中やその冷却過程に発生する反りを十分に抑えることができたことが判る。
図2の方法にしたがって、貼り合わせSOIウェーハを製造した。
先ず、図2(a)に示すように、直径200mm、面方位(100)、p型、10Ωcm、厚さ725μmで、片面鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハからなるベースウェーハ21とボンドウェーハ24を準備した。そして、ボンドウェーハ24の鏡面側の主面から水素イオンを注入してイオン注入層27を形成した。イオン注入条件は次の通りである。注入エネルギー:40keV、注入量:8E16/cm2(8×1016/cm2)、注入角度:7度。
次に、図2(b)に示すように、ボンドウェーハ24を、CVD装置(不図示)のサセプター22に保持し、ボンドウェーハ24の貼り合わせ面となる側(鏡面側)の主面にCVD法により第1シリコン酸化膜23を形成した。第1シリコン酸化膜23の堆積条件は次の通りである。原料ガス:SiH4、O2、堆積温度:400℃、堆積圧力:常圧、堆積膜厚:10μm、表面研磨:CMPにより研磨代 100nm。尚、第1シリコン酸化膜23を形成した後のボンドウェーハ24の反り量は、10μmであった。
次に、図2(c)に示すように、ボンドウェーハ24の第1シリコン酸化膜23の表面とベースウェーハ21の鏡面とを室温で貼り合わせて貼り合わせウェーハ25を形成した。
次に、図2(e)に示すように、ボンドウェーハ24をイオン注入層27で剥離することにより、ボンドウェーハ24を薄膜化した。剥離熱処理の条件は次の通りである。熱処理温度:500℃、熱処理時間:30分、熱処理雰囲気:Ar100%、剥離後SOI層厚:約350nm。
次に、図2(f)に示すように、1100℃、2時間、Ar100%雰囲気下で結合熱処理を行った。この結合熱処理の温度は、前記第1及び第2シリコン酸化膜23,26の形成温度および剥離熱処理温度よりも高温である。
最後に、図2(g)に示すように、SOI層平坦化のための研磨を行った。この時の研磨代は、100nmとした。
このようにして、貼り合わせSOIウェーハ20を製造した。製造した貼り合わせSOIウェーハの反り量は、12μmであった。
ベースウェーハにCVD法により第2シリコン酸化膜を形成しなかったことを除いて、実施例2と同様にして貼り合わせSOIウェーハを製造した。
製造した貼り合わせSOIウェーハの反り量は、790μmであった。
これに対して、実施例2では、剥離熱処理及び結合熱処理前に、ベースウェーハにCVD法により第2シリコン酸化膜を形成しているので、高温の結合熱処理中に発生する反りを十分に抑えることができたことが判る。
12,22…サセプター、 13,23…第1シリコン酸化膜、
14,24…ボンドウェーハ、 15,25…貼り合わせウェーハ、
16,26…第2シリコン酸化膜、 27…イオン注入層、
18,28…SOI層。
Claims (5)
- 貼り合わせSOIウェーハを製造する方法において、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハおよびベースウェーハの少なくとも一方のウェーハの貼り合わせ面となる側の主面にCVD法により第1シリコン酸化膜を形成し、該第1シリコン酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成した後、該貼り合わせウェーハを構成する前記ベースウェーハの貼り合わせ面とは反対側の主面にCVD法により第2シリコン酸化膜を形成し、前記ボンドウェーハを薄膜化した後、前記第1及び第2シリコン酸化膜形成温度よりも高温で結合熱処理を行うことを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
- 貼り合わせSOIウェーハを製造する方法において、少なくとも、シリコン単結晶ウェーハからなるボンドウェーハの一方の主面から水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも一種類を注入してイオン注入層を形成し、該イオン注入層が形成されたボンドウェーハとシリコン単結晶ウェーハからなるベースウェーハの少なくとも一方のウェーハの貼り合わせ面となる側の主面にCVD法により第1シリコン酸化膜を形成し、該第1シリコン酸化膜を介して前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを貼り合わせて貼り合わせウェーハを形成した後、該貼り合わせウェーハを構成する前記ベースウェーハの貼り合わせ面とは反対側の主面にCVD法により第2シリコン酸化膜を形成し、その後、前記ボンドウェーハを前記イオン注入層で剥離することにより、前記ボンドウェーハを薄膜化した後、前記第1及び第2のシリコン酸化膜形成温度よりも高温で結合熱処理することを特徴とする貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
- 前記イオン注入層での剥離は、前記第2シリコン酸化膜の形成温度よりも高温で熱処理を加えることにより行うことを特徴とする請求項2に記載された貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
- 前記第1シリコン酸化膜の厚さを4μm以上とすることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載された貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
- 前記第2シリコン酸化膜の厚さと前記第1シリコン酸化膜の厚さの差を1μm以内にすることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載された貼り合わせSOIウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005259759A JP4802624B2 (ja) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005259759A JP4802624B2 (ja) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073768A true JP2007073768A (ja) | 2007-03-22 |
JP4802624B2 JP4802624B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=37934953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005259759A Active JP4802624B2 (ja) | 2005-09-07 | 2005-09-07 | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4802624B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277702A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi基板の製造方法及びsoi基板 |
WO2008149487A1 (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Soiウェーハのシリコン酸化膜形成方法 |
JP2009033124A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板及び半導体基板の作製方法、半導体装置、電子機器 |
JP2010000500A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Commiss Energ Atom | フレキシブルキャリア上に堆積された金属膜から彫刻欠陥を除去する方法 |
JP2011029594A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-02-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ |
WO2011132654A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | 住友電気工業株式会社 | 複合基板の製造方法 |
WO2016047534A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | エア・ウォーター株式会社 | SiC層を備えた半導体装置 |
CN109690733A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-04-26 | 信越半导体株式会社 | 贴合式soi晶圆的制造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000331899A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ |
JP2003068593A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体積層基板およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-09-07 JP JP2005259759A patent/JP4802624B2/ja active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000331899A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法およびsoiウェーハ |
JP2003068593A (ja) * | 2001-08-22 | 2003-03-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体積層基板およびその製造方法 |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101675499B (zh) * | 2007-05-07 | 2012-06-13 | 信越半导体股份有限公司 | Soi基板的制造方法及soi基板 |
WO2008139684A1 (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-20 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Soi基板の製造方法及びsoi基板 |
JP2008277702A (ja) * | 2007-05-07 | 2008-11-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soi基板の製造方法及びsoi基板 |
KR101486779B1 (ko) * | 2007-05-07 | 2015-01-28 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | Soi 기판의 제조 방법 및 soi기판 |
US8709911B2 (en) | 2007-05-07 | 2014-04-29 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for producing SOI substrate and SOI substrate |
WO2008149487A1 (ja) | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Soiウェーハのシリコン酸化膜形成方法 |
US8053334B2 (en) | 2007-05-29 | 2011-11-08 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for forming silicon oxide film of SOI wafer |
JP2009033124A (ja) * | 2007-06-22 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体基板及び半導体基板の作製方法、半導体装置、電子機器 |
JP2010000500A (ja) * | 2008-06-23 | 2010-01-07 | Commiss Energ Atom | フレキシブルキャリア上に堆積された金属膜から彫刻欠陥を除去する方法 |
JP2011029594A (ja) * | 2009-06-22 | 2011-02-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Soiウェーハの製造方法及びsoiウェーハ |
US8664085B2 (en) | 2010-04-20 | 2014-03-04 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing composite substrate |
WO2011132654A1 (ja) * | 2010-04-20 | 2011-10-27 | 住友電気工業株式会社 | 複合基板の製造方法 |
EP2562789A4 (en) * | 2010-04-20 | 2015-03-04 | Sumitomo Electric Industries | PROCESS FOR PRODUCING COMPOSITE SUBSTRATE |
US9252207B2 (en) | 2010-04-20 | 2016-02-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Composite substrate |
WO2016047534A1 (ja) * | 2014-09-24 | 2016-03-31 | エア・ウォーター株式会社 | SiC層を備えた半導体装置 |
CN109690733A (zh) * | 2016-09-27 | 2019-04-26 | 信越半导体株式会社 | 贴合式soi晶圆的制造方法 |
CN109690733B (zh) * | 2016-09-27 | 2022-10-18 | 信越半导体株式会社 | 贴合式soi晶圆的制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4802624B2 (ja) | 2011-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10964535B2 (en) | Polycrystalline ceramic substrate and method of manufacture | |
US7221038B2 (en) | Method of fabricating substrates and substrates obtained by this method | |
JP4802624B2 (ja) | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 | |
US7253080B1 (en) | Silicon-on-insulator semiconductor wafer | |
JP6179530B2 (ja) | 貼り合わせsoiウェーハの製造方法 | |
JP3900741B2 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
JPS61296709A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP1868230B1 (en) | Manufacting method of soi wafer and soi wafer manufactured by this method | |
JPH0719738B2 (ja) | 接合ウェーハ及びその製造方法 | |
KR20100017407A (ko) | Soi 웨이퍼의 실리콘 산화막 형성 방법 | |
TWI430339B (zh) | 用於製備一多層結晶結構之方法 | |
WO2016203677A1 (ja) | Soiウェーハの製造方法 | |
CN111180317A (zh) | 贴合soi晶圆的制造方法 | |
JP2003224247A (ja) | Soiウエーハ及びsoiウエーハの製造方法 | |
EP3485505A1 (en) | Method of a donor substrate undergoing reclamation | |
JPWO2009011152A1 (ja) | Soi基板およびsoi基板を用いた半導体装置 | |
JP5113182B2 (ja) | 欠陥クラスタを有する基板内に形成された薄層の転写のための改善された方法 | |
JP2003347176A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
JP5292810B2 (ja) | Soi基板の製造方法 | |
US20080268621A1 (en) | Method for manufacturing compound material wafer and corresponding compound material wafer | |
JP5053252B2 (ja) | 半導体材料の少なくとも1つの厚い層を含むヘテロ構造の製造方法 | |
JP5703853B2 (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
US20180019169A1 (en) | Backing substrate stabilizing donor substrate for implant or reclamation | |
JP3864886B2 (ja) | Soiウエーハ | |
JP4539098B2 (ja) | 貼り合わせ基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070816 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110316 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110712 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4802624 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |