JP2017084880A5 - - Google Patents
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Description
本リードフレームは、半導体装置となる個片化領域と、前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部と、を有し、前記個片化領域は、前記外枠部の上面から前記外枠部の下面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、前記外枠部の下面から前記外枠部の上面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、を含み、前記外枠部の厚さは、前記個片化領域の厚さよりも厚いことを要件とする。
Claims (11)
- 半導体装置となる個片化領域と、
前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部と、を有し、
前記個片化領域は、
前記外枠部の上面から前記外枠部の下面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、
前記外枠部の下面から前記外枠部の上面方向に窪み、前記外枠部より薄型化された部分と、を含み、
前記外枠部の厚さは、前記個片化領域の厚さよりも厚いリードフレーム。 - 複数の前記個片化領域が配置され、
複数の前記個片化領域の周辺側に額縁状に形成された前記外枠部と、
前記外枠部の内側において夫々の前記個片化領域間に配置され、前記外枠部と連結するダムバーと、
夫々の前記個片化領域内に設けられ、前記外枠部又は前記ダムバーと連結されるサポートバーと、を有し、
前記外枠部の厚さは、前記サポートバーの厚さよりも厚い請求項１に記載のリードフレーム。 - 前記外枠部の厚さは、前記サポートバー及び前記ダムバーの厚さよりも厚い請求項２に記載のリードフレーム。
- 前記個片化領域は、封止樹脂による被覆領域を有し、
前記被覆領域には凹凸部が形成され、
前記凹凸部における凹部の平面形状は直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の円、又は、直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の外接円に接する多角形であり、
表面積がＳ０の平坦面に凹凸部を形成し、凹凸部の表面積がＳであった場合のＳ０とＳとの比率Ｓ／Ｓ０が１．７以上である請求項１乃至３の何れか一項に記載のリードフレーム。 - 前記リードフレームは、金属線の接続領域を備え、
前記接続領域に、前記凹凸部が形成されている請求項４に記載のリードフレーム。 - 前記凹凸部上にめっき膜が形成され、
前記めっき膜が形成された前記凹凸部の前記比率Ｓ／Ｓ０が１．７以上である請求項４又は５に記載のリードフレーム。 - 金属製の板材に、半導体装置となる個片化領域、及び前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部を形成する工程と、
前記個片化領域の上面を露出し、前記外枠部の上面を被覆する第１レジストと、前記個片化領域の下面及び前記外枠部の下面を被覆する第２レジストと、を形成する工程と、
前記第１レジスト及び前記第２レジストをエッチングマスクとしてエッチングし、前記個片化領域を前記外枠部よりも薄型化する工程と、を有するリードフレームの製造方法。 - 金属製の板材に、半導体装置を形成する個片化領域となる部分の上面及び前記個片化領域を周辺側から支持する外枠部となる部分の上面を被覆する第１レジストと、前記個片化領域となる部分の下面及び前記外枠部となる部分の下面を被覆する第２レジストと、を形成する工程と、
前記第１レジスト及び前記第２レジストをエッチングマスクとしてエッチングし、前記個片化領域及び前記外枠部を形成すると共に、前記個片化領域を前記外枠部よりも薄型化する工程と、を有し、
前記第１レジスト及び前記第２レジストを形成する工程では、前記第１レジストの前記個片化領域となる部分の上面を被覆する領域には、複数の開口部が縦横に形成されるリードフレームの製造方法。 - 前記薄型化する工程では、前記個片化領域の上面に凹凸部が形成され、
前記凹凸部における凹部の平面形状は直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の円、又は、直径０．０２ｍｍ以上０．０６０ｍｍ以下の外接円に接する多角形であり、
表面積がＳ０の平坦面に凹凸部を形成し、凹凸部の表面積がＳであった場合のＳ０とＳとの比率Ｓ／Ｓ０が１．７以上である請求項８に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記個片化領域及び前記外枠部を形成する工程では、
複数の前記個片化領域と、
複数の前記個片化領域の周辺側に額縁状に形成された前記外枠部と、
前記外枠部の内側において夫々の前記個片化領域間に配置され、前記外枠部と連結するダムバーと、
夫々の前記個片化領域内に設けられ、前記外枠部又は前記ダムバーと連結されるサポートバーと、が形成され、
前記薄型化する工程では、前記サポートバーを前記外枠部よりも薄型化する請求項８又は９に記載のリードフレームの製造方法。 - 前記薄型化する工程では、前記サポートバー及び前記ダムバーを前記外枠部よりも薄型化する請求項１０に記載のリードフレームの製造方法。
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