TWI705543B - 引線架及其製造方法 - Google Patents

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TWI705543B
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林真太郎
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日商新光電氣工業股份有限公司
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Abstract

提供一種引線架，包括：成為半導體裝置的單個區域；及外框部，從周邊對該單個區域進行支撐。該外框部的厚度大於該單個區域的厚度。

Description

引線架及其製造方法
本發明有關一種引線架及其製造方法。
先前技術中熟知的有一種被稱為QFN(Quad Flat Non-leaded package)的無引線半導體裝置。QFN型半導體裝置例如可通過將半導體芯片安裝在引線架上並由樹脂密封後再進行單片化而形成。
QFN型半導體裝置所使用的引線架具有最後成為製品(半導體裝置)的區域以及最後被除去而不成為製品(半導體裝置)的區域。
【先行技術文獻】
[先行技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1](日本)特開2014-44980號公報
然，在從前的引線架中，最後成為製品(半導體裝置)的區域和最後被除去而不成為製品(半導體裝置)的區域具有相同的厚度。為此，如果為了對半導體裝置進行薄型化而對整個引線架的板厚進行薄型化，則剛性可能會下降進而導 致產生變形。所以進行了如下研討，即，通過在引線架本身的形狀方面想辦法或採用更硬的其他材料等確保剛性，以對引線架整體的板厚進行薄型化。
然，如果對引線架的形狀或材料進行了變更，則存在著會對所製成的半導體裝置的性能產生影響的情況。所以這樣的變更實際上並不容易，結果還是難以在維持剛性的前提下對引線架板的厚進行薄型化。
本發明是鑒於上述問題而提出的，其目的在於提供一種在維持剛性的同時可被薄型化的引線架。
本引線架的要件為，具有作為半導體裝置的單片化區域以及從周邊對該單片化區域(以下有時也稱“單個區域”)進行支撐的外框部，該外框部的厚度比該單片化區域的厚度厚。
根據所公開的技術，能夠提供一種在維持剛性的同時可被薄型化的引線架。
10、10S、10U、10V‧‧‧引線架(lead frame)
10B‧‧‧板材
11‧‧‧芯片墊(die pad)
11x、12x‧‧‧段差部(高低部)
12‧‧‧引線
13‧‧‧凹凸部
15‧‧‧連接部
17‧‧‧黏結材
18‧‧‧鍍膜
20‧‧‧半導體芯片
30‧‧‧金屬線
40‧‧‧樹脂部
151‧‧‧外框部
152、152A、152B‧‧‧阻隔條(dam bar)
153‧‧‧支撐條(support bar)
[圖1]第1實施方式的引線架的示例圖。
[圖2]第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其1)。
[圖3]第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其2)。
[圖4]第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其3)。
[圖5]第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其4)。
[圖6]第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其5)。
[圖7]第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其6)。
[圖8]第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其7)。
[圖9]第2實施方式的引線架的示例圖。
[圖10]S比(S ratio)的說明圖。
[圖11]第2實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其1)。
[圖12]第2實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其2)。
[圖13]第2實施方式的引線架的製造步驟的示例圖(其3)。
[圖14]使用了第2實施方式的引線架的導體裝置的製造步驟的示例圖。
[圖15]第1實施方式的變形例1的引線架的示例圖。
[圖16]第1實施方式的變形例2的引線架的示例圖。
[圖17]第1實施方式的變形例3的引線架的製造步驟的示例圖。
[圖18]杯剪切(cup shear)試驗的試驗樣品等的說明圖。
[圖19]實施例1的杯剪切試驗結果的示例圖。
[圖20]實施例2的杯剪切試驗結果的示例圖。
[圖21]實施例3的杯剪切試驗結果的示例圖。
[圖22]基於第2實施方式的另一半導體裝置的截面圖。
以下參照附圖對本發明的實施方式進行說明。需要說明的是，各圖中存在著對相同的構成部分賦予了相同的符號並對其重覆說明進行了省略的情況。
〈第1實施方式〉
〔第1實施方式的引線架結構〕
首先對第1實施方式的引線架結構進行說明。圖1是第1實施方式的引線架的示例圖，圖1的(a)是平面圖，圖1的(b)是沿圖1的(a)的A-A線的截面圖。需要說明的是，在圖1的(a)的平面圖中，為了方便起見，實施了與圖1的(b)的截面圖相對應的陰影處理。
參照圖1，引線架10S是多個(在本申請中，多個是指兩個以上)單片化區域C配置為行列狀，並藉由連接部15進行了連接的結構。各單片化區域C是用於在引線架10S上安裝半導體芯片，並在由樹脂部密封後藉由切割以進行單片化而形成的半導體裝置的一部分的區域。作為引線架10S的材料例如可使用銅(Cu)或銅合金、42合金(Fe和Ni的合金)等金屬材料。在引線架10S的整個表面或一部分表面上可通過電鍍等被覆手段形成Ag膜、Au膜、Ni/Au膜(依次對Ni膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)、Ni/Pd/Au膜(依次對Ni膜、Pd膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)等。
各單片化區域C上設置有用於安裝半導體芯片的芯片墊11(芯片安裝部)和多個引線12(端子部)。另外，芯片墊11的下表面的外周處設置了段差部11x。換言之，芯片墊11的下表面被形成為其面積小於上表面的面積。另外，除了與外框部151或阻隔條152連接的那側之外的引線12的下表面的外周處也設置了段差部12x。換言之，引線12的下表面也被形成為其面積為小於上表面的面積。通過設置段差部11x和12x，在將半導體芯片安裝在引線架10S上並由樹脂部進行 密封時，構成樹脂部的樹脂會流入段差部11x和12x，所以可防止芯片墊11和引線12從樹脂部脫落。
連接部15具有在引線架10S的外周部形成為框架狀並從周邊側對單片化區域C進行支撐的外框部151以及在外框部151的內側於各單片化區域C之間配置為格子狀並與外框部151連接的阻隔條152。另外，連接部15還具有在各單片化區域C內斜著設置的支撐條153。支撐條153的一端與外框部151或阻隔條152連接，另一端與芯片墊11的四角連接，並對芯片墊11進行支撐。支撐條153的裡面進行了半蝕刻，支撐條153的厚度與段差部11x和12x大致相同。在外框部151或阻隔條152的各單片化區域C側以圍繞芯片墊11的方式設置有多個引線12。
在引線架10S中，外框部151和阻隔條152被形成為比芯片墊11、引線12和支撐條153的厚度還厚。外框部151和阻隔條152的厚度t1例如可為200μm左右。芯片墊11和引線12的厚度t2例如可為100μm左右。設置了段差部11x和12x的部分的芯片墊11和引線12的厚度以及支撐條153的厚度t3例如可為50μm左右。
在引線架10S中，外框部151的上表面和阻隔條152的上表面被形成為同面(即，位於同一平面)。芯片墊11的上表面、引線12的上表面以及支撐條153的上表面被形成為同面。段差部11x的下表面、段差部12x的下表面以及支撐條153的下表面被形成為同面。另外，外框部151的下表面、阻隔條152的下表面、芯片墊11的下表面以及引線12的下表 面也被形成為同面。
另外，從外框部151的上表面和阻隔條152的上表面至芯片墊11的上表面、引線12的上表面以及支撐條153的上表面的間隔(深度)大於從外框部151的下表面、阻隔條152的下表面、芯片墊11的下表面以及引線12的下表面至段差部11x的下表面、段差部12x的下表面以及支撐條153的下表面的間隔(深度)。另外，段差部11x、段差部12x以及支撐條153的厚度比芯片墊11和引線12的厚度還薄。
〔第1實施方式的引線架製造方法〕
接下來對第1實施方式的引線架製造方法進行說明。圖2~圖8是第1實施方式的引線架的製造步驟的示例圖。首先在圖2所示的步驟中準備一個具有預定形狀的金屬製板材10B。板材10B具有作為單片化區域C的多個區域。作為板材10B的材料例如可使用銅(Cu)或銅合金、42合金等。板材10B的厚度例如可為200μm左右。需要說明的是，圖2的(a)是平面圖，圖2的(b)是沿圖2的(a)的A-A線的截面圖。在圖2的(a)的平面圖中，為了方便起見，進行了與圖2的(b)的截面圖相對應的陰影處理。
接下來在圖3所示的步驟中，在板材10B的上表面形成感光性光阻300，並在下表面也形成感光性光阻310。之後通過對光阻300和310進行曝光和顯影處理，可在預定位置形成開口部300x和310x。開口部300x和310x是用於在板材10B上形成芯片墊11、引線12、段差部11x、12x、以及連接部15的開口部。
需要說明的是，圖3僅示出了圖2中的一個單片化區域C，圖3的(a)是平面圖，圖3的(b)是沿圖3的(a)的A-A線的截面圖。另外，在圖3的(a)的平面圖中，為了方便起見，進行了與圖3的(b)的截面圖相對應的陰影處理。後述的圖4~圖也同樣。
接下來在圖4所示的步驟中，以光阻300和310為蝕刻掩膜對板材10B進行蝕刻。在開口部300x和310x的平面觀察時重疊形成的部分對板材10B進行貫通，以形成芯片墊11、多個引線12以及連接部15。另外，在平面觀察時僅形成了開口部310x的部分(即，開口部310x的大於開口部300x的部分)僅對板材10B的下表面側進行半蝕刻，以形成段差部11x和12x。另外，作為支撐條153的部分的下表面從開口部310x露出，在該部分僅對板材10B的下表面側進行半蝕刻，以形成厚度與段差部11x和12x大致相同的支撐條153。接下來在圖5所示的步驟中除去圖4所示的光阻300和310。
接下來在圖6所示的步驟中，在板材10B的上表面形成感光性光阻320，並在板材10B的下表面形成感光性光阻330。之後通過對光阻320進行曝光和顯影處理，可在預定位置形成開口部320x。開口部320x是用於對板材10B的上表面側的一部分進行蝕刻以進行薄型化的開口部。需要說明的是，盡管光阻330上不需要形成開口部，然，也可在與圖4所示的開口部310x同樣的位置形成同樣形狀的開口部。
這樣，就可形成露出芯片墊11的上表面、引線12的上表面以及支撐條153的上表面，並覆蓋外框部151和阻隔 條152的上表面的光阻320(第1光阻)。另外，還可形成覆蓋芯片墊11的下表面、引線12的下表面以及連接部15的下表面的光阻330(第2光阻)。
接下來在圖7所示的步驟中，以光阻320和330為蝕刻掩膜對板材10B進行蝕刻。在形成了開口部320x的部分僅對板材10B的上表面側進行蝕刻，這樣，板材10B就可被薄型化並變成引線架10S。具體而言，僅對芯片墊11、引線12和支撐條153進行薄型化，而外框部151和阻隔條152的厚度則與板材10B相等。需要說明的是，通過調整蝕刻條件，可將芯片墊11、引線12和支撐條153蝕刻為任意厚度。接下來在圖8所示的步驟中除去圖7所示的光阻320和330。據此，製成引線架10S。
在圖8的步驟之後，可在引線架10S的所要部分通過電鍍等被覆手段形成Ag膜、Au膜、Ni/Au膜(依次對Ni膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)、Ni/Pd/Au膜(依次對Ni膜、Pd膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)等。例如，為了提高引線鍵合性，可在引線12的上表面進行鍍銀處理。
這樣，在第1實施方式的引線架10S中，最後被除去而不作為製品(半導體裝置)的部分的厚度大於最後作為製品(半導體裝置)的部分的厚度。為此，即可維持較高的剛性，又可對最後作為製品(半導體裝置)的部分進行薄型化。其結果為，可對作為最終製品的半導體裝置進行薄型化。
另外，因為並沒有通過採用使引線架本身的形狀複雜化或採用更硬的其他材料等手段來維持剛性，所以不會對 所製成的半導體裝置的性能產生任何影響。
另外，因為可將最後作為製品(半導體裝置)的部分的厚度蝕刻為任意薄的厚度，所以可製造出具有市場上的非一般厚度(即，具有特殊厚度)的引線架的半導體裝置。
需要說明的是，在本例中，最後被除去而不成為製品(半導體裝置)的部分是外框部151和阻隔條152。而最後作為製品(半導體裝置)的部分則是芯片墊11、引線12和支撐條153。
〈第2實施方式〉
第2實施方式中示出了採用與第1實施方式不同的製造方法對引線架的一部分進行薄型化的例子。需要說明的是，第2實施方式中存在著對與所述實施方式相同的構成部分的說明進行了省略的情況。
〔第2實施方式的引線架結構〕
首先對第2實施方式的引線架結構進行說明。圖9是第2實施方式的引線架的示例圖，圖9的(a)是平面圖，圖9的(b)是沿圖9的(a)的A-A線的截面圖。需要說明的是，在圖9的(a)的平面圖中，為了方便起見，進行了與圖9(b)的截面圖相對應的陰影處理。
參照圖9，在引線架10T中，外框部151和阻隔條152被形成為比芯片墊11、引線12和支撐條153的厚度還厚，這點與引線架10S(參照圖1)同樣。然，在薄型化了的芯片墊11、引線12和支撐條153的各自的上表面、段差部11x和12x的下表面(引線架10的裡面的半蝕刻部分)、支撐條153 的下表面則形成了高密度的凹凸部13，這點與引線架10S(參照圖1)不同。需要說明的是，設置了高密度的凹凸部13的區域在圖9的(a)中以類似梨皮的模樣被進行了表示，而在圖9的(b)中則以波浪線的方式被進行了表示。
高密度的凹凸部13例如是平面形狀為大致圓形的微小的凹部(dimple)高密度縱橫排列的部分。高密度的凹凸部13例如可排列為面心格子等格子狀。另外，高密度的凹凸部13的凹凸(凹部和凸部)規則排列(形成)。
凹部的直徑優選為0.020~0.060mm，較佳為0.020~0.040mm。凹部的間隔(pitch)優選為0.040~0.080mm。凹部的深度優選為引線架10的板厚的35~70%左右，例如可為0.010~0.050mm左右。
然，高密度的凹凸部13中的凹部的平面形狀也可不是大致圓形，例如還可為六邊形等多邊形。此時，多邊形的外接圓的直徑優選為0.020~0.060mm，較佳為0.020~0.040mm。多邊形的外接圓的間距(pitch)優選為0.040~0.080mm。
需要說明的是，在本申請中，高密度的凹凸部是指凹凸部的凹部的平面形狀是直徑為0.02mm以上且0.060mm以下的圓形或者是各頂點與直徑為0.02mm以上且0.060mm以下的外接圓相交的多邊形，並且，凹凸部的S比為1.7以上。這裡，S比是指如圖10所示的在表面積為So的平坦面上形成凹凸部並且該凹凸部的表面積為S的情況下的So和S的比率。即，S比=S/So。
凹部的直徑或多邊形的外接圓的直徑小於 0.020mm或大於0.06mm時，都難以增加S比，不會提高與樹脂部之間的密著性。
這樣，通過設置高密度的凹凸部13，在引線架10T上安裝半導體芯片並由樹脂部進行密封時，由於與樹脂部接觸的部分的表面積增加了，所以會產生固著(anchor)效果，並可提高引線架10T和樹脂部之間的密著性。其結果為，可防止引線架10T和樹脂部的界面剝離。另外，由於段差部11x、段差部12x和支撐條153的下表面也都形成了高密度的凹凸部13，所以還可進一步提高與樹脂部之間的密著性。需要說明的是，因為從前的凹凸部的S比僅為1~1.2左右，所以難以確保具有與樹脂部之間的充分的密著性。
作為引線架10T的材料例如可使用銅(Cu)或銅合金、42合金(Fe和Ni的合金)等，但為了提高引線鍵合性等，有時也會在引線架10T的上表面等處實施鍍銀(Ag)等電鍍處理。銀鍍層的厚度通常為2~6μm左右。由於在實施了銀鍍的情況下高密度的凹凸部13也不會平坦化，所以可維持與實施銀鍍前大致相同的S比。為此，在引線架10T的上表面等處進行了鍍銀(Ag)的情況下，也可提高引線架10T與樹脂部之間的密著性。
另外，即使在取代銀膜以電鍍等被覆手段形成了Au膜、Ni/Au膜(依次對Ni膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)、Ni/Pd/Au膜(依次對Ni膜、Pd膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)等的情況下，仍可提高引線架10T和樹脂部之間的密著性。
在引線架10T中，外框部151的上表面和阻隔條152的上表面被形成為同面。芯片墊11的上表面、引線12的上表面以及支撐條153的上表面被形成為同面。段差部11x的下表面、段差部12x的下表面以及支撐條153的下表面被形成為同面。另外，外框部151的下表面、阻隔條152的下表面、芯片墊11的下表面以及引線12的下表面也被形成為同面。
另外，從外框部151的上表面和阻隔條152的上表面至芯片墊11的上表面、引線12的上表面以及支撐條153的上表面的間隔(深度)大於從外框部151的下表面、阻隔條152的下表面、芯片墊11的下表面以及引線12的下表面至段差部11x的下表面、段差部12x的下表面以及支撐條153的下表面的間隔(深度)。另外，段差部11x、段差部12x以及支撐條153的厚度也比芯片墊11和引線12的厚度還薄。
〔第2實施方式的引線架製造方法〕
接下來對第2實施方式的引線架製造方法進行說明。圖11~圖13是第2實施方式的引線架的製造步驟的示例圖。
首先在圖11所示的步驟中，準備一個具有與圖2同樣的預定形狀的金屬製板材10B，之後在板材10B的上表面形成感光性光阻340，並在板材10B的下表面也形成感光性光阻350。接下來，通過對光阻340和350進行曝光和顯影處理，可在預定位置形成開口部340x和340y以及開口部350x和350y。
開口部340x和350x是用於在板材10B上形成芯片墊11、多個引線12和連接部15的開口部，平面觀察時它們被設置在互相重疊的位置。另外，開口部340y是用於形成高 密度的凹凸部13並對板材10B的上表面側進行薄型化的開口部，被設置在作為芯片墊11、引線12和支撐條153的部分的上表面。另外，開口部350y是用於形成高密度的凹凸部13並對板材10B的下表面側進行薄型化的開口部，被設置在形成段差部11x和12x部分以及形成支撐條153的部分。
開口部340y和350y是例如多個圓形的開口縱橫排列的開口部。圓形開口的直徑優選為0.020~0.060mm，較佳為0.020~0.040mm。圓形開口的間隔(pitch)優選為0.040~0.080mm。單片化區域C是安裝半導體芯片後由樹脂部40(密封樹脂)被覆的被覆區域。高密度的凹凸部13形成在被覆區域的至少一部分上。另外，開口部340y和350y的多個開口的形狀並不限定於圓形，也可為六邊形等多邊形，此時，該多邊形的外接圓的直徑優選為0.020~0.060mm，較佳為0.020~0.040mm。
這樣，就可形成覆蓋作為芯片墊11、引線12和支撐條153的部分的上表面以及作為外框部151和阻隔條152的部分的上表面的光阻340(第1光阻)。這裡需要說明的是，在光阻340的覆蓋作為芯片墊11、引線12和支撐條153的部分的上表面的區域形成開口部340y。
另外，還可形成覆蓋作為芯片墊11、引線12和支撐條153的下表面以及作為外框部151和阻隔條152的部分的下表面的光阻350(第2光阻)。這裡需要說明的是，在光阻350的覆蓋作為段差部11x、段差部12x和支撐條153的部分的下表面的區域形成開口部350y。
需要說明的是，圖11僅示出了圖9中的一個單片化區域C，圖11的(a)是平面圖，圖11的(b)是沿圖11的(a)的A-A線的截面圖，圖11的(c)是圖11的(b)的B的部分擴大截面圖，圖11的(d)是圖11的(b)的B的局部擴大平面圖。另外，在圖11的(a)和圖11的(d)中，為了方便起見，進行了與圖11的(b)的截面圖相對應的陰影處理。另外，設置了用於形成高密度的凹凸部13的開口部340y的區域在圖11的(a)中以類似梨皮的模樣被進行了表示，而在圖11的(b)中則以波浪線的方式被進行了表示。後述的圖12和圖13也同樣。
接下來在圖12所示的步驟中，以光阻340和350為蝕刻掩膜對板材10B進行蝕刻(例如，濕蝕刻)。之後在圖13所示的步驟中除去圖12所示的光阻340和350。據此，製成引線架10T。
藉由蝕刻，在開口部340x和350x的平面觀察時重疊形成的部分對板材10B進行貫通。
另外，就形成了開口部340y的部分而言，由於在蝕刻的初期蝕刻液被限製進入各圓形開口的周圍(形成了光阻340的部分)，所以不會對板材10B進行部分蝕刻。之後，從蝕刻的中期至後期，蝕刻液會從周圍進入，整個開口部340y都被腐食。其結果為，各圓形開口的周圍與各圓形開口的內部相比蝕刻深度較淺，所以各圓形開口的內部與各圓形開口的周圍相比更凹陷，變成平面形狀為圓形的凹部，這樣就形成了高密度的凹凸部13，並且整體厚度也變薄了。
即，形成了開口部340y的芯片墊11、引線12和支撐條153的各自的上表面都比沒有形成開口部的外框部151和阻隔條152的上表面更凹陷，所以芯片墊11、引線12和支撐條153的部分被進行了薄型化。
另外，就形成了開口部350y的部分而言，與形成了開口部340y的部分同樣地，也形成了高密度的凹凸部13，並且厚度也變薄了。即，形成了開口部350y的段差部11x、段差部12x和支撐條153的各自的下表面比沒有形成開口部的部分的下表面更凹陷，這樣，不僅可形成段差部11x和12x，還可對支撐條153的部分進行薄型化。這樣，就在段差部11x、段差部12x和支撐條153的各自的下表面形成了高密度的凹凸部13。
在開口部340y和開口部350處通過改變開口的平面形狀和/或大小、間隔等，可形成具有各種各樣的形狀和/或深度的凹部的高密度的凹凸部13。另外，在開口部340y和開口部350y處通過改變開口的平面形狀和/或大小、間隔等，蝕刻量也會發生變化，所以可將芯片墊11、引線12、段差部11x、段差部12x和支撐條153薄型化至任意厚度。
另外，在開口部350y處通過改變開口的平面形狀和/或大小、間隔等，可在段差部11x、段差部12x和支撐條153的下表面形成平坦的半蝕刻面。即，不形成高密度的凹凸部13就可進行半蝕刻。例如，通過將開口部350y處理成後述的如圖17的(b)所示的市松模樣(checkered pattern)的光阻圖案，就可形成平面為平坦的半蝕刻面。
需要說明的是，圖13的(c)中盡管高密度的凹 凸部13的各凹部的截面被表示為矩形形狀，然實際上也可形成為凹部底面向下灣曲的曲面狀的截面。
在圖13的步驟之後，可在引線架10T的所要部分藉由電鍍等被覆手段形成Ag膜、Au膜、Ni/Au膜(依次對Ni膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)、Ni/Pd/Au膜(依次對Ni膜、Pd膜和Au膜進行層疊而得的金屬膜)等。例如，為了提高引線鍵合性，可在引線12的上表面實施銀鍍處理。
需要說明的是，引線12的上表面的進行引線鍵合的區域也可形成高密度的凹凸部13，此時也不會對引線鍵合產生任何障礙。此時，在引線12的上表面的進行引線鍵合的區域的高密度的凹凸部13上，為了提高引線鍵合性也可實施銀鍍處理等。在實施了銀鍍等的情況下，也可確保具有與樹脂部之間的密著性。
繼續對半導體裝置的製作步驟進行說明。首先在圖14的(a)所示的步驟中，以面朝上(face up)的狀態將半導體芯片20安裝在各單片化區域C的芯片墊11上。半導體芯片20例如可藉由芯片黏結薄膜(die attach film)等黏結材(圖中未示)安裝在芯片墊11上(die bonding(芯片鍵合))。此時，通過加熱至預定溫度可使芯片黏結薄膜硬化。也可以使用糊(paste)狀的黏結材取代芯片黏結薄膜，以將半導體芯片20安裝在芯片墊11。
需要說明的是，通過在芯片墊11的上表面設置高密度的凹凸部13，就在芯片墊11的上表面藉由黏結材進行了芯片鍵合的半導體芯片20的結合強度而言，黏結材的固著效 果可使其進一步提高。
接下來在圖14的(b)所示的步驟中，將半導體芯片20的上表面側所形成的電極端子藉由金屬線30與引線12電氣連接。金屬線30例如可通過引線鍵合與半導體芯片20的電極端子和引線12連接。此時，為了提高金屬線30的結合性(配線鍵合性)，也可在引線12的引線鍵合部實施銀鍍等(圖中未示)處理。
需要說明的是，在本實施方式中，引線12的上表面的與金屬線連接的區域也形成了高密度的凹凸部13。然，根據與金屬線30的連接條件(引線鍵合的條件)的不同，不存在高密度的凹凸部13的情況有時也為優選，在這種情況下，引線12的上表面的與金屬線30連接的區域也可不形成高密度的凹凸部13。
接下來在圖14的(c)所示的步驟中，形成對引線架10T、半導體芯片20和金屬線30進行密封的樹脂部40。作為樹脂部40例如可使用使環氧樹脂含有填料的所謂的模壓樹脂等。樹脂部40例如可通過傳遞模壓(transfer mold)法或直接模壓(compression mold)法等形成。
需要說明的是，在形成樹脂部40時，為了不使樹脂流至引線架10T的下表面，可在引線架10T的下表面貼上保護膠帶等。由於引線架10T的下表面沒有形成高密度的凹凸部13，可在引線架10T的下表面無間隙地貼上保護膠帶等，進而可確實地防止樹脂流至該處。
然，由於只要能確實地貼上保護膠帶等即可，所 以例如也可僅使芯片墊11的下表面的外周部成為平坦面，並在其內側形成高密度的凹凸部13。此時，在完成了半導體裝置1的製作後進行實裝時，具有可提高芯片墊11的下表面和芯片墊11的下表面所設置的焊料等結合材之間的密著性的效果。
之後，沿切割線對圖14的(c)所示的結構體進行切割，使其單片化為各單片化區域C，據此可完成多個圖14的(d)所示的半導體裝置的製作。切割例如可通過切割機(slicer)等來進行。
需要說明的是，圖14的(d)所示的半導體裝置中示出了將半導體芯片20安裝至芯片墊11(芯片鍵合)時所使用的黏結材17以及為了提高金屬線30的結合性(配線鍵合性)而在引線12的引線鍵合部所實施的鍍膜18。
這樣，在引線架10T的製造步驟中，就可在通過蝕刻板材10B以形成芯片墊11和/或引線12等時所使用的蝕刻掩膜上製作用於形成高密度的凹凸部13的預定圖案。據此，通過進行一次蝕刻，不僅可形成芯片墊11和/或引線12等，而且還可對形成了高密度的凹凸部13用的預定圖案的部分進行薄型化。即，由於可在形成芯片墊11和/或引線12等的步驟中也對預定部分進行薄型化，所以可提高製造步驟的效率，並可降低製造成本。
另外，由於使用1個蝕刻掩膜就可同時形成芯片墊11和/或引線12等以及高密度的凹凸部13，所以從理論上來說這些部件之間不會發生位置偏差。因此，可在芯片墊11和/或引線12等的預期的位置形成高密度的凹凸部13。
需要說明的是，就如以往那樣在與形成芯片墊11和/或引線12的蝕刻步驟不同的步驟中實施對表面進行粗化的蝕刻的方法而言，其製造步驟複雜，成本也高，並且粗化區域的位置精度也較差。
另外，通過在芯片墊11的上表面和/或引線12的上表面、支撐條153的上表面形成高密度的凹凸部13，除了具有第1實施方式所述的效果之外，還具有如下效果，即，在使用引線架10T形成了半導體裝置時，由於增加了與芯片墊11和/或引線12、支撐條153的樹脂部40相接觸的部分的表面積，所以會產生固著效果，進而可提高引線架10T和樹脂部40之間的密著性。其結果為，可防止引線架10T和樹脂部40的界面剝離。
基於第2實施方式的另一半導體裝置的例子如下。圖22示出了該另一半導體裝置的截面圖。圖22所示的該另一半導體裝置包括引線12，但並沒有包括芯片墊和支撐條。半導體芯片20以芯片倒裝(flip chip bonding)的方式安裝在引線架10上，以使半導體芯片20的電極端子藉由連接端子50(連接部件)與引線12的上表面12a相連。該連接端子50例如可為焊料隆起(solder bump)、金隆起(gold bump)、或銅隆起(copper bump)等金屬隆起。此時，半導體芯片20的背面(圖22中的上表面)可暴露於樹脂40的上表面，據此，可降低半導體裝置的厚度，並可提高半導體芯片20的散熱性。然，半導體芯片20的背面也可被樹脂40所覆蓋。
〈第1實施方式的變形例1〉
在第1實施方式的變形例1中示出了對阻隔條進行薄型化的例子。需要說明的是，在第1實施方式的變形例1中存在著對與所述實施方式相同的構成部分的說明進行了省略的情況。
圖15是第1實施方式的變形例1的引線架的示例圖，圖15的(a)是平面圖，圖15的(b)是沿圖15的(a)的A-A線的截面圖。需要說明的是，在圖15的(a)的平面圖中，為了方便起見，進行了與圖15的(b)的截面圖相對應的陰影處理。
參照圖15，在引線架10U中，阻隔條152被置換為阻隔條152A，這點與引線架10S(參照圖1)不同。阻隔條152A的下表面側進行了半蝕刻，整體上比阻隔條152還被進行了薄型化。
在引線架10U中，外框部151的上表面和阻隔條152A的上表面被形成為同面。芯片墊11的上表面、引線12的上表面和支撐條153的上表面被形成為同面。段差部11x的下表面、段差部12x的下表面、阻隔條152A的下表面和支撐條153的下表面被形成為同面。另外，外框部151的下表面、芯片墊11的下表面和引線12的下表面也被形成為同面。
另外，從外框部151的上表面和阻隔條152A的上表面至芯片墊11的上表面、引線12的上表面和支撐條153的上表面為止的間隔(深度)大於從外框部151的下表面、芯片墊11的下表面和引線12的下表面至段差部11x的下表面、段差部12x的下表面、阻隔條152A的下表面和支撐條153的下表面為止的間隔(深度)。另外，段差部11x、段差部12x和 支撐條153的厚度薄於芯片墊11和引線12的厚度。另外，阻隔條152A的厚度比外框部151的厚度薄但比芯片墊11和引線12的厚度厚。
對阻隔條152A進行薄型化時，例如可在第1實施方式的圖3所示的步驟中，在光阻310上追加設置使作為阻隔條152A的部分的下表面露出的開口部，之後再執行與圖4相同的步驟即可。據此，可形成芯片墊11和/或引線12等，並可同時形成下表面側被進行了半蝕刻的阻隔條152A。
引線架10U的阻隔條152A被進行了薄型化，但其外框部151卻沒有被進行薄型化，所以可維持引線架10U整體的剛性。通過對阻隔條152A的下表面側進行薄型化，可降低對引線架10U使用切割刀沿切割線進行切割以將其單片化為各單片化區域C時的應力。另外，不僅可降低引線架10U的切割部產生毛刺(burr)的可能性，而且還可延長切割刀中所使用的刀片的壽命。
需要說明的是，也可在第2實施方式中增加同樣的變形。此時，例如可在第2實施方式的圖11所示的步驟中，在光阻350上追加設置使作為阻隔條152A的部分的下表面露出的開口部，之後再執行與圖12相同的步驟即可。據此，可形成芯片墊11和/或引線12等，並可同時形成下表面側被進行了半蝕刻的阻隔條152A。
或者，可在第2實施方式的圖11所示的步驟中，在光阻350的作為阻隔條152A的部分追加設置與開口部340y同樣的開口部，之後再執行與圖12同樣的步驟即可。據此， 可形成芯片墊11和/或引線12等，並可同時形成下表面側被進行了半蝕刻的阻隔條152A。此時，阻隔條152A的下表面可形成高密度的凹凸部13。
在該方法中，通過調整用於形成高密度的凹凸部13的光阻的開口的平面形狀和/或大小、間隔等，可改變蝕刻量。據此，可將阻隔條152A蝕刻為具有與其他薄型化部分不同的任意厚度。
〈第1實施方式的變形例2〉
在第1實施方式的變形例2中示出了對阻隔條進行薄型化的其他例子。需要說明的是，在第1實施方式的變形例2中存在著對與所述實施方式相同的構成部分的說明進行了省略的情況。
圖16是第1實施方式的變形例2的引線架的示例圖，圖16的(a)是平面圖，圖16的(b)是沿圖16的(a)的A-A線的截面圖。需要說明的是，在圖16的(a)的平面圖中，為了方便起見，進行了與圖16(b)的截面圖相對應的陰影處理。
參照圖16，在引線架10V中，阻隔條152被置換為阻隔條152B，這點與引線架10S(參照圖1)不同。阻隔條152B的上表面側進行了半蝕刻，整體上比阻隔條152還被進行了薄型化。
在引線架10V中，芯片墊11的上表面、引線12的上表面、阻隔條152B的上表面和支撐條153的上表面被形成為同面。段差部11x的下表面、段差部12x的下表面和支撐 條153的下表面被形成為同面。另外，外框部151的下表面、阻隔條152B的下表面、芯片墊11的下表面和引線12的下表面也被形成為同面。
另外，從外框部151的上表面至芯片墊11的上表面、引線12的上表面、阻隔條152B的上表面和支撐條153的上表面為止的間隔(深度)大於從外框部151的下表面、阻隔條152B的下表面、芯片墊11的下表面和引線12的下表面至段差部11x的下表面、段差部12x的下表面和支撐條153的下表面為止的間隔(深度)。另外，段差部11x、段差部12x和支撐條153的厚度薄於芯片墊11和引線12的厚度。另外，阻隔條152B的厚度比外框部151的厚度薄但與芯片墊11和引線12的厚度相等。
對阻隔條152B進行薄型化時，例如可在第1實施方式的圖6所示步驟中形成光阻320的開口部320x，以使作為阻隔條152B的部分的上表面露出，之後再執行與圖7同樣的步驟即可。據此可與芯片墊11和/或引線12同樣地對阻隔條152B進行薄型化。
引線架10V的阻隔條152B被進行了薄型化，但其外框部151卻沒有被進行薄型化，所以可維持引線架10V整體的剛性。通過對阻隔條152B的上表面側進行薄型化，可降低對引線架10V使用切割刀沿切割線進行切割以將其單片化為各單片化區域C時的應力。另外，不僅可降低引線架10V的切割部產生毛刺的可能性，而且還可延長切割刀中所使用的刀片的壽命。
需要說明的是，在第2實施方式中也可增加同樣的變形。此時，例如可在第2實施方式的圖11所示的步驟中，在光阻340上追加設置使作為阻隔條152B的部分的上表面露出的開口部，之後再執行與圖12同樣的步驟即可。據此，可形成芯片墊11和/或引線12等，還可同時形成上表面側被進行了半蝕刻的阻隔條152B。
或者，可在第2實施方式的圖11所示的步驟中，在光阻340的作為阻隔條152B的部分追加設置與開口部340y同樣的開口部，之後再執行與圖12同樣的步驟即可。據此，可形成芯片墊11和/或引線12等，並可同時形成上表面側被進行了半蝕刻的阻隔條152B。在此情況下，可在阻隔條152B的上表面形成高密度的凹凸部13。
在該方法中，通過調整用於形成高密度的凹凸部13的光阻的開口的平面形狀和/或到小、間隔等，可改變蝕刻量。據此，可將阻隔條152B蝕刻為具有與其他薄型化部分不同的任意厚度。
〈第1實施方式的變形例3〉
在第1實施方式的變形例3中示出了用於獲得第1實施方式的引線架10S的其他製造方法的例子。需要說明的是，在第1實施方式的變形例3中存在著對與所述實施方式相同的構成部分的說明進行了省略的情況。
圖17是第1實施方式的變形例3的引線架的製造步驟的示例圖，圖17的(a)、圖17的(c)和圖17的(d)示出了與圖3的(b)相對應的截面。另外，圖17的(b)是 圖17的(a)的D的局部擴大平面圖。
首先，在圖17的(a)所示的步驟中與圖2所示的步驟同樣地準備具有預定形狀的金屬製板材10B，之後在板材10B的上表面形成感光性光阻360，並在下表面也形成感光性光阻370。接下來，通過對光阻360和370進行曝光和顯影，可在預定位置形成開口部360x和360y以及開口部370x和370y。
開口部360x和370x是在板材10B上用於形成芯片墊11、多個引線12和連接部15開口部。即，是用於對板材10B進行蝕刻而對其進行貫通的開口部。另外，開口部360y和370y是用於對半蝕刻的深度進行控制的開口部，例如，可如圖17的(b)所示，設計成市松模樣(checkered pattern)的光阻圖案。開口部360y分別形成在作為芯片墊11、引線12和支撐條153的部分的上表面。另外，開口部360y分別形成在作為段差部11x和12x的部分的下表面以及作為支撐條153的部分的下表面。
接下來，在圖17的(c)所示的步驟中以光阻360和370為蝕刻掩膜對板材10B進行蝕刻(例如，濕蝕刻)。之後，在圖17的(d)所示的步驟中除去圖17的(c)所示的光阻360和370。據此，製成引線架10S。
通過進行蝕刻，在開口部360x和370x的平面觀察時重疊形成的部分對板材10B進行貫通，在形成了開口部360y的部分僅對板材10B的上表面側進行半蝕刻而進行薄型化，並在形成了開口部370y的部分僅對板材10B的下表面側進行半蝕刻而進行薄型化。據此，可形成上表面側被薄型化了 的芯片墊11、引線12和支撐條153，可在下表面側形成段差部11x和12x，並可對支撐條153的下表面側與段差部11x和12x同樣地進行薄型化。
需要說明的是，在圖17的(b)所示的光阻圖案中，通過對構成開口部360y和370y的各開口的形狀和/或間隔進行適當的設計，可在芯片墊11、引線12和支撐條153的上表面以及/或者段差部11x和12x和支撐條153的下表面形成平面平坦的半蝕刻面。
這樣，通過在圖17所示的製造步驟中對圖17的(b)所示的光阻圖案進行適當的設計，僅實施一次蝕刻就可形成引線架10S。據此，不僅可提高製造步驟的效率，還可降低製造成本。
〈實施例1〉
首先，製作圖18所示的試驗樣品。具體而言，在由銅構成的平坦的金屬板即引線架材100的上表面，形成凹部的平面形狀為直徑0.02mm以上且0.060mm以下的圓即凹凸部。之後，不對凹凸部的表面實施電鍍等被覆處理，而僅在凹凸部上依據表1所示的製作條件形成樹脂杯140。需要說明的是，針對6個種類的S比分別製作了6個的試驗樣品，並進行了6次測定。這裡，S比=1表示沒有形成凹凸部的試驗樣品(比較例：以往的樣品)。另外，求S比時的表面積的測定是通過使用3維測定激光顯微鏡(Olympus公式制LEXT OLS4100)進行的。
需要說明的是，如表1所示，作為熱歷史，在氮氣環境氣體中將試驗樣品置於175℃的溫度下一個小時，之後 在大氣中將其置於230℃的溫度下10分鐘，據此對該試驗樣品進行了加熱。該熱歷史是假設了從引線架至半導體裝置的製作步驟中的在由樹脂部對半導體芯片等進行密封前所進行的半導體芯片安裝步驟(芯片粘結步驟)和引線鍵合步驟中的加熱的熱歷史。
Figure 105132522-A0101-12-0027-1
即，藉由這些步驟中的加熱，存在著不少引線架氧化所導致的對樹脂部和引線架之間的密著力的影響。為此，在本試驗中，也是在對試驗樣品的引線架材100施加了相當於實際芯片粘結步驟和引線鍵合步驟的加熱的熱歷史之後，再形成樹脂杯140。據此，可獲得高可信度的試驗結果。
接下來，按照SEMI標準G69-0996所規定的步驟進行了杯剪切試驗。具體而言，將測量儀(gauge)(圖中未示)按在各試驗樣品的樹脂杯140上，以使其沿圖18的(b)的箭頭方向移動，由此對剪切強度進行了測定。試驗是在室溫(約25℃)下測量儀的高度為20μm、速度為200μm/秒的條件下進行的。
結果示於圖19。由圖19可知，比較例的試驗樣品(S比=1)的剪切強度平均值為13〔K gf〕左右，而S比為1.8 以上的試驗樣品的剪切強度平均值為17〔K gf〕以上。即，S比為1.8以上時，與以往相比可大幅度地提高引線架和樹脂之間的密著性。需要說明的是，如果S比為2.5左右，則剪切強度的上升會達到飽和狀態，其原因在於，在發生引線框和樹脂的界面剝離之前，樹脂的一部分已經發生了剝離(即，發生了破壞)。
〈實施例2〉
在由銅構成的引線架材100的上表面形成與實施例1同樣的凹凸部，並在凹凸部的表面實施銀鍍，然後在實施了銀鍍的凹凸部上再形成樹脂杯140，除此之外均與實施例1相同，並進行了杯剪切試驗。需要說明的是，銀鍍膜的厚度約為6μm。
結果示於圖20。由圖20可知，比較例的試驗樣品(S比=1)的剪切強度平均值為13〔K gf〕左右，而S比為1.7以上的試驗樣品的剪切強度平均值為17〔K gf〕以上。即，S比為1.7以上時，與以往相比可大幅度提高引線架上所形成的銀鍍膜和樹脂之間的密著性。
〈實施例3〉
在由銅構成的引線架材100的上表面形成與實施例1同樣的凹凸部，並在凹凸部的表面實施鍍Ni/Pd/Au處理，之後在實施了鍍Ni/Pd/Au的凹凸部上再形成樹脂杯140，除此之外均與實施例1相同，並進行了杯剪切試驗。
需要說明的是，鍍Ni/Pd/Au是指在引線架材100的上表面依次層疊鍍鎳膜、鍍鈀膜和鍍金膜。在本實施例中，鍍鎳膜的厚度約為0.8μm，鍍鈀膜的厚度約為0.03μm，鍍金膜的厚度約為0.006μm。
結果示於圖21。由圖21可知，比較例的試驗樣品(S比=1)的剪切強度平均值為6〔K gf〕左右，而S比為1.8以上的試驗樣品的剪切強度平均值為17〔K gf〕以上。即，S比為1.8以上時，與以往相比可大幅度提高引線架上所形成的鍍Ni/Pd/Au膜和樹脂之間的密著性。
〈實施例的總結〉
藉由在由銅構成的引線架的上表面形成凹部的平面形狀是直徑為0.02mm以上且0.060mm以下的圓且S比為1.7以上的凹凸部、即、高密度的凹凸部，可增加與樹脂部相接觸的部分的表面積。由此會產生固著效果，進而可提高引線架和樹脂部之間的密著性。
另外，高密度的凹凸部在實施了鍍銀或鍍Ni/Pd/Au之後也可維持一定以上的S比，所以即使在電鍍後的表面形成了樹脂部的情況下，也可提高引線架和樹脂部之間的密著性。
另外，S比為1.7~2.5左右是較佳的可使用範圍，從密著力的提高效果和/或密著力的提高會達到飽和的角度來看，S比的更好的範圍為1.8~2.0左右。
需要說明的是，在凹凸部的凹部的平面形狀是各頂點都與直徑為0.02mm以上且0.060mm以下的外接圓相交的多邊形的情況下，也確認到了同樣的效果。
以上對較佳實施方式等進行了詳細說明，但本發明並不限定於上述實施方式等，在權利要求書所記載的範圍內還可對上述實施方式等進行各種各樣的變形和置換。
例如，上述實施方式中盡管示出了在引線架上將 多個單片化區域配置為行列狀的例子，但也可將多個單片化區域配置為1列。另外，引線架還可由1個單片化區域和從周邊側對該單片化區域進行支撐的外框部構成。
另外，在上述實施方式中盡管以QFN型引線架為例進行了說明，但本發明也可應用於其他類型的引線架。作為其他類型的例子可列舉出QFP(Quad Flat Package)型、LOC(Lead On Chip)型等。
另外，上述實施方式中盡管示出了QFN型引線架具有芯片墊的例子，但在QFN型引線架中也存在著不設置芯片墊的情況，本發明同樣也可應用於該情況。
另外，在第2實施方式以外的實施方式中也可與第2實施方式同樣地將半導體芯片安裝在引線架上，並由此製作半導體裝置。
基於上述，本發明的一方面提供一種引線架，包括：成為半導體裝置的單個區域；及外框部，從所述單個區域的周邊對所述單個區域進行支撐。所述外框部的厚度大於所述單個區域的厚度。
其中，所述單個區域包括由密封樹脂覆蓋的被覆區域，在所述被覆區域內形成包括多個凹部的凹凸部，所述多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，在將所述凹凸部形成於平面的情況下，所述凹凸部的表面積相對於所述平面的表面積的比為1.7以上。
其中，所述被覆區域包括與金屬線連接的連接區域，及所述凹凸部形成在所述連接區域內。
其中，對所述凹凸部的表面實施鍍膜，所述凹凸部的表面積為所述凹凸部的所述鍍膜表面的面積。
本發明的另一方面提供一種引線架，包括：成為半導體裝置的多個單個區域；外框部，具有框架形狀並對所述多個單個區域進行包圍和支撐；及阻隔條，與所述外框部連接並位於所述外框部內的所述多個單個區域之間。所述外框部的厚度大於所述多個單個區域的厚度。
其中，所述外框部的厚度大於所述阻隔條的厚度。
其中，所述多個單個區域的每一個包括由密封樹脂覆蓋的被覆區域，在所述多個單個區域的每一個的所述被覆區域內形成包括多個凹部的凹凸部，所述多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，在將所述凹凸部形成於平面的情況下，所述凹凸部的表面積相對於所述平面的表面積的比為1.7以上。
其中，所述多個單個區域的每一個的所述被覆區域包括與金屬線連接的連接區域，所述所述凹凸部形成在所述連接區域內。
其中，對所述凹凸部的表面實施鍍膜，所述凹凸部的表面積為所述凹凸部的所述鍍膜表面的面積。
所述引線架還包括多個支撐條，每個支撐條分別設置於所述多個單個區域的一個單個區域，並與所述外框部和 所述阻隔條中的至少一個連接。所述外框部的厚度大於所述多個支撐條的厚度。
其中，所述外框部的厚度等於所述阻隔條的厚度。
本發明的另一方面提供一種半導體裝置，包括；引線架，包括引線；半導體芯片，安裝於所述引線架；及密封樹脂，對所述引線架和所述半導體芯片進行密封。在所述引線的表面形成包括多個凹部的凹凸部，所述多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，在將所述凹凸部形成於平面的情況下，所述凹凸部的表面積相對於所述平面的表面積的比為1.7以上。
所述半導體裝置還包括連接部件，對所述半導體芯片和所述引線的表面進行電連接，並被所述密封樹脂所密封。
其中，所述連接部件為金屬線或金屬隆起。
所述半導體裝置還包括金屬線，對所述半導體芯片和所述引線的表面進行電連接，並被所述密封樹脂所密封。所述引線架還包括芯片墊，所述半導體芯片安裝在所述芯片墊的表面。
其中，所述凹凸部還形成在所述芯片墊的表面。
本發明的另一方面提供一種引線架的製造方法，具有：在金屬製的板材上形成成為半導體裝置的單個區域以及從周邊對所述單個區域進行支撐的外框部的步驟；形成使所述單個區域的上表面露出並覆蓋所述外框部的上表面的第1光阻 以及覆蓋所述單個區域的下表面和所述外框部的下表面的第2光阻的步驟；及以所述第1光阻和所述第2光阻為蝕刻掩膜進行蝕刻，使所述單個區域薄於所述外框部的步驟。
本發明的另一方面提供一種引線架的製造方法，具有：在金屬製的板材上形成覆蓋成為形成半導體裝置的單個區域的部分的上表面和成為從周邊對所述單個區域進行支撐的外框部的部分的上表面的第1光阻、以及覆蓋成為所述單個區域的部分的下表面和成為所述外框部的部分的下表面的第2光阻的第一步驟；及以所述第1光阻和所述第2光阻為蝕刻掩膜進行蝕刻，形成所述單個區域和所述外框部，並使所述單個區域薄於所述外框部的步驟。在形成所述第1光阻和所述第2光阻的步驟中，在所述第1光阻的覆蓋成為所述單個區域的部分的上表面的區域內縱橫地形成多個開口部。
其中，在使所述單個區域薄於所述外框部的步驟中，在所述單個區域的上表面形成包括多個凹部的凹凸部，所述多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，在將所述凹凸部形成於平面的情況下，所述凹凸部的表面積相對於所述平面的表面積的比為1.7以上。
其中，在形成所述單個區域和所述外框部的步驟中，形成多個所述單個區域；在多個所述單個區域的周邊被形成為框架狀的所述外框部；在所述外框部的內側設置於每個所述單個區域之間並與所述外框部連接的阻隔條；及設置在每個 所述單個區域內並與所述外框部或所述阻隔條連接的支撐條。在使所述單個區域薄於所述外框部的步驟中，使所述支撐條薄於所述外框部。
其中，在使所述單個區域薄於所述外框部的步驟中，使所述支撐條和所述阻隔條薄於所述外框部。
10S‧‧‧引線架
11‧‧‧芯片墊
12‧‧‧引線
11x、12x‧‧‧段差部
15‧‧‧連接部
151‧‧‧外框部
152‧‧‧阻隔條
153‧‧‧支撐條
t1、t2、t3‧‧‧厚度
A‧‧‧斷面線
C‧‧‧單片化區域

Claims (21)

  1. 一種引線架，包括：成為半導體裝置的單個區域；及外框部，從該單個區域的周邊對該單個區域進行支撐，其中，該外框部的厚度大於該單個區域的厚度；其中，該單個區域係包括，自該外框部的上表面朝該外框部的下表面方向凹陷，薄於該外框部的第1部分；及自該外框部的上表面朝該外框部的下表面方向凹陷且自該外框部的下表面朝該外框部的上表面方向凹陷，薄於該外框部以及該第1部分的第2部分。
  2. 根據申請專利範圍第1項之引線架，其中：該單個區域包括由密封樹脂覆蓋的被覆區域，在該被覆區域內形成包括多個凹部的凹凸部，該多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，及在將該凹凸部形成於平面的情況下，該凹凸部的表面積相對於該平面的表面積的比為1.7以上。
  3. 根據申請專利範圍第2項之引線架，其中：該被覆區域包括與半導體芯片連接的連接區域，及該凹凸部形成在該連接區域內。
  4. 根據申請專利範圍第2項之引線架，其中：對該凹凸部的表面實施鍍膜，及 該凹凸部的表面積為該凹凸部的該鍍膜表面的面積。
  5. 一種引線架，包括：成為半導體裝置的多個單個區域；外框部，具有框架形狀並對該多個單個區域進行包圍和支撐；及阻隔條，與該外框部連接並位於該外框部內的該多個單個區域之間，其中，該外框部的厚度大於該多個單個區域的厚度；其中，該單個區域係包括，自該外框部的上表面朝該外框部的下表面方向凹陷，薄於該外框部的第1部分；及自該外框部的上表面朝該外框部的下表面方向凹陷且自該外框部的下表面朝該外框部的上表面方向凹陷，薄於該外框部以及該第1部分的第2部分。
  6. 根據申請專利範圍第5項之引線架，其中：該外框部的厚度大於該阻隔條的厚度。
  7. 根據申請專利範圍第5項之引線架，其中：該多個單個區域的每一個包括由密封樹脂覆蓋的被覆區域，在該多個單個區域的每一個的該被覆區域內形成包括多個凹部的凹凸部，該多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，及 在將該凹凸部形成於平面的情況下，該凹凸部的表面積相對於該平面的表面積的比為1.7以上。
  8. 根據申請專利範圍第7項之引線架，其中：該多個單個區域的每一個的該被覆區域包括與半導體芯片連接的連接區域，及該凹凸部形成在該連接區域內。
  9. 根據申請專利範圍第7項之引線架，其中：對該凹凸部的表面實施鍍膜，及該凹凸部的表面積為該凹凸部的該鍍膜表面的面積。
  10. 根據申請專利範圍第5項之引線架，還包括：多個支撐條，每個支撐條分別設置於該多個單個區域的一個單個區域，並與該外框部和該阻隔條中的至少一個連接，其中，該外框部的厚度大於該多個支撐條的厚度。
  11. 根據申請專利範圍第5項之引線架，其中：該外框部的厚度等於該阻隔條的厚度。
  12. 一種半導體裝置，包括；引線架，包括引線；半導體芯片，安裝於該引線架；及密封樹脂，對該引線架和該半導體芯片進行密封，其中，在該引線的表面形成包括多個凹部的凹凸部，其中，該多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，及其中，在將該凹凸部形成於平面的情況下，該凹凸部的表 面積相對於該平面的表面積的比為1.7以上。
  13. 根據申請專利範圍第12項之半導體裝置，還包括；連接部件，對該半導體芯片和該引線的表面進行電連接，並被該密封樹脂所密封。
  14. 根據申請專利範圍第13項之半導體裝置，其中：該連接部件為金屬線或金屬隆起。
  15. 根據申請專利範圍第12項之半導體裝置，還包括：金屬線，對該半導體芯片和該引線的表面進行電連接，並被該密封樹脂所密封，其中，該引線架還包括芯片墊，該半導體芯片安裝在該芯片墊的表面。
  16. 根據申請專利範圍第15項之半導體裝置，其中：該凹凸部還形成在該芯片墊的表面。
  17. 一種引線架的製造方法，具有：在金屬製的板材上形成成為半導體裝置的單個區域以及從周邊對該單個區域進行支撐的外框部的步驟；形成使該單個區域的上表面露出並覆蓋該外框部的上表面的第1光阻以及覆蓋該單個區域的下表面和該外框部的下表面的第2光阻的步驟；及以該第1光阻和該第2光阻為蝕刻掩膜進行蝕刻，使該單個區域薄於該外框部的步驟；在使該單個區域薄於該外框部的步驟中，形成自該外框部的上表面朝該外框部的下表面方向凹陷，薄於該外框部的第1部分；及 自該外框部的上表面朝該外框部的下表面方向凹陷且自該外框部的下表面朝該外框部的上表面方向凹陷，薄於該外框部以及該第1部分的第2部分。
  18. 一種引線架的製造方法，具有：在金屬製的板材上形成覆蓋成為形成半導體裝置的單個區域的部分的上表面和成為從周邊對該單個區域進行支撐的外框部的部分的上表面的第1光阻、以及覆蓋成為該單個區域的部分的下表面和成為該外框部的部分的下表面的第2光阻的第一步驟；及以該第1光阻和該第2光阻為蝕刻掩膜進行蝕刻，形成該單個區域和該外框部，並使該單個區域薄於該外框部的步驟，其中，在形成該第1光阻和該第2光阻的步驟中，在該第1光阻的覆蓋成為該單個區域的部分的上表面的區域內縱橫地形成多個開口部。
  19. 根據申請專利範圍第18項之引線架的製造方法，其中：在使該單個區域薄於該外框部的步驟中，在該單個區域的上表面形成包括多個凹部的凹凸部，該多個凹部的每一個的平面形狀為圓形或多邊形，該圓形的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，該多邊形的外接圓的直徑為0.020mm以上且0.060mm以下，及在將該凹凸部形成於平面的情況下，該凹凸部的表面積相對於該平面的表面積的比為1.7以上。
  20. 根據申請專利範圍第18或19項之引線架的製造方法，其 中：在形成該單個區域和該外框部的步驟中，形成多個該單個區域；在多個該單個區域的周邊被形成為框架狀的該外框部；在該外框部的內側設置於每個該單個區域之間並與該外框部連接的阻隔條；及設置在每個該單個區域內並與該外框部或該阻隔條連接的支撐條，在使該單個區域薄於該外框部的步驟中，使該支撐條薄於該外框部。
  21. 根據申請專利範圍第20項之引線架的製造方法，其中：在使該單個區域薄於該外框部的步驟中，使該支撐條和該阻隔條薄於該外框部。
TW105132522A 2015-10-23 2016-10-07 引線架及其製造方法 TWI705543B (zh)

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