JP6028454B2

JP6028454B2 - 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP6028454B2
Application number: JP2012184965A
Authority: JP
Inventors: 柴崎　聡; 聡柴崎; 知加雄池永
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2012-08-24
Filing date: 2012-08-24
Publication date: 2016-11-16
Anticipated expiration: 2032-08-24
Also published as: JP2014044980A

Description

本発明は、半導体装置を製造するために用いられるリードフレーム及び当該リードフレームを用いた半導体装置の製造方法に関する。

近年、基板実装の高密度化に伴い、基板に実装される半導体装置の小型化・薄型化が要求されてきている。かかる要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、当該リードフレームの搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂にて封止するとともに、下面側にリードの一部分を露出させてなる、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

このようなＱＦＮタイプの半導体装置を製造するためのリードフレームとして、図７及び図８に示すように、上面に半導体素子を搭載するダイパッド２００と、ダイパッド２００に先端部を対向させるようにして当該ダイパッド２００の周囲に並設されている複数のリード３００と、一端部４１０をダイパッド２００の四隅に連続させ、ダイパッド２００を支持する吊りリード４００とを含む単位リードフレームＬＦＵが、縦横に複数マトリックス状に配列されてなるリードフレーム１００が提案されている。そして、このリードフレーム１００において、隣接する単位リードフレームＬＦＵの境界部には、ダイパッド２００の周囲に並設されている複数のリード３００を支持するタイバー５００が設けられている。

かかるリードフレーム１００において、吊りリード４００の他端部４２０は、二股に分岐した、いわゆるフィッシュテール形状をなしており、隣接する単位リードフレームＬＦＵの分岐端部４２０ａ同士が連続している。そして、タイバー５００は、その両端部を吊りリード４００の一の分岐端部４２０ａ（分岐端部４２０ａ，４２０ａ同士の連続部）に連続させて、隣接する単位リードフレームＬＦＵの境界部に設けられている。

このような構成を有するリードフレーム１００においては、吊りリード４００の分岐点４００Ａから分岐端部４２０ａまでの距離Ｄ１００が、分岐端部４２０ａ，４２０ａ同士の連続部４００Ｂから当該連続部４００Ｂの最近傍に位置するリード３００までの距離Ｄ２００以下であって、隣接する各リード３００，３００間の距離Ｄ３００が、分岐端部４２０ａ，４２０ａ同士の連続部４００Ｂから当該連続部４００Ｂの最近傍に位置するリード３００までの距離Ｄ２００よりも短く設計されている（特許文献１参照）。

特許第３８７９４５２号公報

上記のようなリードフレーム１００において、複数のリード３００を支持するタイバー５００は、その両端部のみが吊りリード４００の一の分岐端部４２０ａ（分岐端部４２０ａ，４２０ａ同士の連続部４００Ｂ）に連続した状態で単位リードフレームＬＦＵの境界部に設けられているため、かかるリードフレーム１００の製造工程や当該リードフレーム１００を用いた半導体装置の製造工程におけるハンドリング時等にタイバー５００が揺動することがある。

ここで、タイバー５００と、吊りリード４００の一の分岐端部４２０ａとが交差する点（分岐端部４２０ａ，４２０ａ同士の連続部４００Ｂ）を支点とし、遥動により吊りリード４００に最も近接したリード３００に加わる応力を考える。当該リード３００に加わる応力は、支点（連続部４００Ｂ）から当該リード３００までの距離（支点（連続部４００Ｂ）から当該リード３００までのタイバー５００の長さ）に比例するため、その距離が長いほどリード３００に加わる応力も大きくなる。

このとき、上記リードフレーム１００においては、吊りリード４００の分岐点４００Ａから分岐端部４２０ａまでの距離Ｄ１００が、分岐端部４２０ａ，４２０ａ同士の連続部４００Ｂから当該連続部４００Ｂの最近傍に位置するリード３００までの距離Ｄ２００以下である。その結果、上記タイバー５００の揺動により、吊りリード４００の一の分岐端部４２０ａ（分岐端部４２０ａ，４２０ａ同士の連続部４００Ｂ）とタイバー５００の端部との連続部分に対し相対的に大きな応力がかかることになり、当該連続部分の近傍において、タイバー５００の捩れや撓み等の変形が生じてしまうという問題がある。

このようにしてリードフレームや半導体装置の製造過程においてタイバー５００の変形が生じてしまうと、半導体素子の端子と各リード３００との間におけるワイヤーの接続不良が生じたり、半導体装置を製造する際の樹脂封止が困難となったりすることがある。

特に、近年のリードフレーム用基材の薄板化、半導体装置における多ピン化等により、タイバー５００（タイバー５００の端部と吊りリード４００の一の分岐端部４２０ａとの連続部４００Ｂ）にかかる負荷が増大するため、上記のような問題がより顕著に現れることとなってしまう。

上記のような課題に鑑みて、本発明は、吊りリードの他端部とタイバーの端部との連続部近傍におけるタイバーの変形等を防止することのできる多面付リードフレーム及びその製造方法、並びに当該多面付リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部と、一端部が前記半導体素子搭載部に連続し、他端部が二股に分岐する吊りリードと、前記半導体素子搭載部に先端部を対向させるようにして当該半導体素子搭載部の周囲に並設されてなる複数のリードとを有する単位リードフレームが、縦横に複数個マトリックス状に配列されてなる多面付リードフレームであって、前記多面付リードフレームは、隣接する前記単位リードフレーム間の境界部に位置するように格子状に設けられ、前記複数のリードを支持するタイバーを備え、一の前記単位リードフレームにおける前記吊りリードの二股に分岐する各分岐端部は、隣接する他の前記単位リードフレームにおける前記吊りリードの二股に分岐する各分岐端部に連続し、前記タイバーの両端部のそれぞれは、隣接する２つの前記単位リードフレームにおける各吊りリードの分岐端部同士の連続部に連続し、前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が、前記分岐端部同士の連続部から当該連続部の最近傍に位置するリードまでの距離よりも長く、前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が、前記前記半導体素子搭載部に連続する部分から前記吊りリードの分岐点までの距離よりも長いことを特徴とする多面付リードフレームを提供する（発明１）。

上記発明（発明１）においては、前記分岐端部同士の連続部から当該連続部の最近傍に位置するリードまでの距離と、隣接する前記リード間の距離とが同一であるのが好ましく（発明２）、前記半導体搭載部は、肉厚部と、前記肉厚部の周縁に位置する肉薄部とを有し、前記吊りリードの厚さは、前記肉薄部と同一の厚さであるのが好ましく（発明３）、隣接する前記単位リードフレームの前記吊りリードの各分岐端部が前記連続部にて連続することで、前記吊りリードの端部による略方形状の枠部が形成され、前記タイバーは、前記吊りリードの各分岐端部の連続部から前記枠部内に延在され、前記枠部内の略中央で交差するようにして十字状に形成されているのが好ましい（発明４）。

また、本発明は、上記発明（発明１〜４）に係る多面付リードフレームを製造する方法であって、金属基板の上面及び下面のそれぞれに、所定のパターン形状を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、前記レジストパターンが形成された導電性基板に対してエッチング処理を施すエッチング工程とを含み、前記レジストパターン形成工程において、前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が、前記分岐端部同士の連続部から当該連続部の最近傍に位置するリードまでの距離よりも長く、かつ前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が前記半導体素子搭載部に連続する前記一端部から前記吊りリードの分岐点までの距離よりも長くなるように、前記レジストパターンを形成することを特徴とする多面付リードフレームの製造方法を提供する（発明５）。

さらに、本発明は、上記発明（発明１〜４）に係る多面付リードフレームにおける前記半導体素子搭載部の上面に半導体素子を固着する工程と、前記半導体素子の各端子と複数のリードのそれぞれとをワイヤーを介して接続するワイヤーボンディング工程と、前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを封止樹脂にて封止する樹脂封止工程と、前記封止樹脂にて封止されたリードフレームを、前記タイバーに沿って切断し、前記半導体素子ごとに個片化するダイシング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する（発明６）。

本発明によれば、吊りリードの他端部とタイバーの端部との連続部近傍におけるタイバーの変形等を防止することのできる多面付リードフレーム及びその製造方法、並びに当該多面付リードフレームを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る多面付リードフレームの概略構成を示す平面図である。図２は、本発明の一実施形態に係る多面付リードフレームの要部を示す、図１におけるＡ部拡大平面図である。図３は、本発明の一実施形態に係る多面付リードフレームの概略構成を示す、図１におけるＢ−Ｂ線切断端面図である。図４は、本発明の一実施形態に係る多面付リードフレームの製造工程を示す切断端面図（図１におけるＢ−Ｂ線切断端面に相当する端面図）である。図５は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す切断端面図である。図６は、本発明の他の実施形態に係る多面付リードフレームにおける吊りリード他端部近傍を主に示す、拡大平面図である。図７は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置を製造するために用いられる多面付リードフレームの概略構成を示す平面図である。図８は、従来のＱＦＮタイプの半導体装置を製造するために用いられる多面付リードフレームにおけるタイバーの構成を主に示す、図７におけるＸ部拡大平面図である。

本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
〔多面付リードフレーム〕
図１は、本発明の一実施形態に係る多面付リードフレームの概略構成を示す、下面側から見た平面図であり、図２は、同実施形態に係る多面付リードフレームを示す、図１におけるＡ部拡大平面図であり、図３は、同実施形態に係る多面付リードフレームを示す、図１におけるＢ−Ｂ線切断端面図であり、図４は、同実施形態に係る多面付リードフレームの製造工程を示す、図１におけるＢ−Ｂ線切断端面に相当する端面図である。

図１〜３に示すように、本実施形態に係る多面付リードフレーム１は、半導体素子が搭載される上面（搭載面）を有する略方形状の半導体素子搭載部２、半導体素子搭載部２の周囲に、先端部を対向させるようにして並設されてなる複数のリード３及び半導体素子搭載部２の四隅のそれぞれに一端部４１を連続させることにより半導体素子搭載部２を支持する吊りリード４を有する単位リードフレームＬＦＵと、隣接する単位リードフレームＬＦＵの境界部に位置するようにして設けられ、複数のリード３を支持するタイバー５とを備え、隣接する単位リードフレームＬＦＵにおける対向する各吊りリード４の他端部４２を相互に連続させることで、複数の単位リードフレームＬＦＵが、マトリックス状（複数行×複数列）に配列されて構成されている。

半導体素子搭載部２は、肉厚部２１と、当該肉厚部２１の周縁に位置する肉薄部２２とを有する。肉薄部２２の厚さは、肉厚部２１の厚さよりも薄く、好ましくは肉厚部２１の厚さの略半分である（図３参照）。かかる肉薄部２２の厚さは、多面付リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。

複数のリード３は、半導体素子搭載部２の各辺に沿ってそれぞれ並設されている。なお、本実施形態においては、半導体素子搭載部２の各辺に沿ってそれぞれ６個（単位リードフレームＬＦＵあたり合計２４個）のリード３が並設されているが、リード３の数は半導体素子搭載部２の上面に搭載される半導体素子の端子数等に応じて適宜変更することができる。

リード３は、肉厚部３１と、肉厚部３１の先端部及び両側面の一部に連続する肉薄部３２とを有する（図２，３参照）。リード３の肉薄部３２の厚さは、肉厚部３１の厚さよりも薄く、好ましくは肉厚部３１の厚さの略半分である（図３参照）。肉薄部３２の厚さは、多面付リードフレーム１を製造する際に用いられる基材の厚さにもよるが、通常５０〜１２０μｍ程度である。リード３の肉厚部３１は、樹脂封止型半導体装置において下面側に露出し、外部端子としての役割を果たすこととなり、リード３の肉薄部３２は、樹脂封止型半導体装置において当該肉薄部３２の下方に封止樹脂が充填されることでリード３が抜け落ちるのを防止する役割を果たすこととなる。

吊りリード４は、半導体素子搭載部２の四隅のそれぞれに一端部４１を連続させることで、半導体素子搭載部２を支持する。吊りリード４の他端部４２は、所定の分岐点４Ａから二股に分岐してなる分岐端部４２ａ，４２ａを有し、いわゆるフィッシュテール形状をなしている。

吊りリード４の各分岐端部４２ａ，４２ａは、隣接する単位リードフレームＬＦＵの吊りリード４の各分岐端部４２ａ，４２ａに連続し、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂにタイバー５の一の端部が連続している（図２参照）。

吊りリード４の厚さは、半導体素子搭載部２の肉薄部２２（リード３の肉薄部３２）と略同一の厚さである。半導体装置の多ピン化等に伴い、吊りリード４とその最近傍に位置するリード３との間隔が狭くなるが、吊りリード４の厚さが半導体素子搭載部２の肉厚部２１（リード３の肉厚部３１）と略同一の厚さであると、樹脂封止型半導体装置において吊りリード４が下面側から露出し、当該半導体装置をはんだ付け等により配線基板等に搭載する際に、吊りリード４とその最近傍に位置する外部端子（半導体装置の下面側に露出するリード３の肉厚部３１）とが電気的に接続されてしまうおそれがある。しかしながら、吊りリード４の厚さが、半導体素子搭載部２の肉薄部２２（リード３の肉薄部３２）と略同一の厚さであることで、当該リードフレーム１を用いて製造される樹脂封止型半導体装置において、吊りリード４の下面側に封止樹脂が充填され、当該半導体装置の下面側に吊りリード４が露出しない。そのため、当該半導体装置を配線基板等に搭載するにあたり、配線基板等における接続箇所（端子）と外部端子とをはんだ等により接続するときに、吊りリード４とその最近傍に位置する外部端子（リード３）とが電気的に接続されてしまうのを防止することができる。

タイバー５は、隣接する単位リードフレームＬＦＵの境界部に位置するようにして格子状に設けられており、タイバー５の両端部５１，５１のそれぞれは、吊りリード４の分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂに連続している。

本実施形態に係る多面付リードフレーム１において、吊りリード４の分岐点４Ａから当該吊りリード４の分岐端部４２ａまでの距離Ｄ１は、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂから当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂと、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ）よりも長い。距離Ｄ１が距離Ｄ２よりも長いことで、吊りリード４に最も近接したリード３に加わる応力が相対的に低減する。すなわち、タイバー５と吊りリード４の一の分岐端部４２ａの交差する点を支点として、遥動により吊りリード４に最も近接したリード３に加わる応力は、支点からの距離に比例するため、距離Ｄ２が短ければ短いほどリード３に加わる応力が相対的に低減する。

また、本実施形態に係る多面付リードフレーム１において、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂから当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂと、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ）と、隣接するリード３，３間の距離Ｄ３（隣接するリード３，３の短手方向（幅方向）中心を通る線分（軸線）間の長さ）とが同一である。

〔多面付リードフレームの製造方法〕
上述した本実施形態に係る多面付リードフレーム１の製造方法について説明する。
図４（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る多面付リードフレーム１の製造工程を示す切断端面図（図１におけるＡ−Ａ線に相当する位置で切断した端面図）である。

まず、導電性基板６０として、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等の金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を用意する（図４（ａ）参照）。なお、導電性基板６０は、その両面（上面及び下面）に脱脂処理、洗浄処理等を施したものを用いるのが好ましい。

次に、導電性基板６０の上面及び下面に感光性レジストを塗布し、乾燥させ、所望のフォトマスクを介して露光した後に現像してレジストパターン７１，７２を形成する（図４（ｂ）参照）。感光性レジストとしては、従来公知のものを用いることができる。なお、図４（ｂ）において、レジストパターン７１は多面付リードフレーム１における半導体素子搭載部２の上面（肉厚部２１及び肉薄部２２の上面）及びリード３の上面（肉厚部３１及び肉薄部３２の上面）に相当する位置に形成されるものであり、レジストパターン７２は多面付リードフレーム１における半導体素子搭載部２の肉厚部２１の下面及びリード３の肉厚部３１の下面に相当する位置に形成されるものである。また、図示しないが、吊りリード４及びタイバー５の上面に相当する位置にもレジストパターンが形成されている。

導電性基板６０の上面及び下面にレジストパターンを形成する際に、吊りリード４の分岐点４Ａに相当する部位から当該吊りリード４の分岐端部４２ａに相当する部位までの距離Ｄ１（図２参照）が、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂに相当する部位から当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３に相当する部位までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂに相当する部位と、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３に相当する部位の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ，図２参照）よりも長くなるように、かつ分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂに相当する部位から当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３に相当する部位までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂに相当する部位と、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３に相当する部位の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ，図２参照）と、隣接するリード３，３に相当する部位の間の距離Ｄ３（隣接するリード３，３に相当する部位の短手方向（幅方向）中心を通る線分（軸線）間の長さ，図２参照）とが同一になるようにする。

続いて、レジストパターン７１，７２をマスクとして、エッチング液を用いて導電性基板６０にエッチング処理を施す（図４（ｃ）参照）。エッチング処理に用いるエッチング液は、導電性基板６０の材質に応じて適宜選択され得るものであり、例えば、導電性基板６０として銅基板を用いる場合、一般に塩化第二鉄水溶液又は塩化銅水溶液をエッチング液として用い、導電性基板６０の両面（上面及び下面）からエッチング処理を施す。

このとき、導電性基板６０において、多面付リードフレーム１における半導体素子搭載部２の肉薄部２２の下面、リード３の肉薄部３２の下面、吊りリード４の下面及びタイバー５の下面に相当する位置には、レジストパターンが形成されていないため、これらの部分は下面側から切り欠かれた状態、すなわちハーフエッチングされることになる。これにより、半導体素子搭載部２の肉厚部２１及びリード３の肉厚部３１の厚さの略半分の厚さを有する半導体素子搭載部２の肉薄部２２、リード３の肉薄部３２、吊りリード４及びタイバー５を形成することができる。

最後に、導電性基板６０の両面（上面及び下面）に残存するレジストパターン７１，７２を剥離して除去する（図４（ｄ）参照）。これにより、本実施形態に係る多面付リードフレーム１を製造することができる。

〔半導体装置の製造方法〕
本発明の一実施形態における半導体装置の製造方法について説明する。
図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。

まず、図４（ａ）〜（ｄ）に示す工程により作製された多面付リードフレーム１を準備し、当該多面付リードフレーム１の半導体素子搭載部２の上面に、ダイボンド材（図示せず）等により半導体素子１１を固着する（図５（ａ）参照）。

次に、半導体素子搭載部２に半導体素子１１が搭載されたリードフレーム１を、ワイヤーボンディング装置のステージ上に載置し、当該ワイヤーボンディング装置を用いて、半導体素子１１の端子１１ａとリード３又は半導体素子搭載部２の肉薄部２２とをワイヤー１２により接続する（図５（ｂ）参照）。このとき、本実施形態に係る多面付リードフレーム１において、吊りリード４の分岐点４Ａから当該吊りリード４の分岐端部４２ａまでの距離Ｄ１（図２参照）が、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂから当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂと、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ，図２参照）よりも長いことで、吊りリード４に最も近接したリード３に加わる応力が相対的に低減する。すなわち、タイバー５と吊りリード４の一の分岐端部４２ａの交差する点を支点として、遥動により吊りリード４に最も近接したリード３に加わる応力は、支点からの距離に比例するため、距離Ｄ２が短ければ短いほどリード３に加わる応力が相対的に低減する。

そのため、連続部４Ｂ近傍におけるタイバー５の変形が抑制され得る。その結果として、ワイヤー１２とリード３との接続不良が生じるのを抑制することができ、製造される半導体装置１０におけるワイヤー１２の接続信頼性を向上させることができる。

このようにして、半導体素子１１におけるすべての接続すべき端子１１ａと各リード３又は半導体素子搭載部２の肉薄部２２とをワイヤー１２により接続した後、当該リードフレーム１を成形金型内に収容し、半導体素子搭載部２の肉厚部２１及び各リード３の肉厚部３１の下面を外部に露出させるようにして、半導体素子１１、半導体素子搭載部２、リード３、吊りリード４及びワイヤー１２を封止樹脂１３により封止する（図５（ｃ）参照）。

続いて、封止樹脂１３により封止されたリードフレーム１を成形金型から取り出し、リード３の肉厚部３１と吊りリード４とを切断し、半導体装置１０ごとに分離する。具体的には、単位リードフレームＬＦＵ（半導体素子１１）ごとにタイバー５に沿ってダイシングすることにより、各リード３の肉厚部３１及び各吊りリード４（分岐端部４２ａ）を切断し、タイバー５を除去する。このようにして、半導体素子搭載部２と、半導体素子搭載部２の上面に搭載された半導体素子１１と、半導体素子搭載部２と電気的に独立するようにして当該半導体素子搭載部２の周囲に設けられてなる複数の外部端子３０と、半導体素子１１の各端子１１ａと半導体素子搭載部２又は各外部端子３０とを電気的に接続するワイヤー１２と、外部端子３０の下面及び先端部に対向する側面を外部に露出させるようにして、半導体素子搭載部２、各外部端子３０、吊りリード（図５（ｄ）において図示せず）、半導体素子１１及びワイヤー１２を封止する封止樹脂１３とを備える半導体装置１０を得ることができる（図５（ｄ）参照）。

以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。

上記実施形態に係る多面付リードフレーム１においては、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂから当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂと、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ）と、隣接するリード３，３間の距離Ｄ３（隣接するリード３，３に相当する部位の短手方向（幅方向）中心を通る線分（軸線）間の長さ）とが同一であるが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。少なくとも、吊りリード４の分岐点４Ａから当該吊りリード４の分岐端部４２ａまでの距離Ｄ１が、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂから当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂと、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ）よりも長く構成されていれば、吊りリード４に最も近接したリード３に加わる応力が相対的に低減する。よって、分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂから当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３までの距離Ｄ２（分岐端部４２ａ，４２ａ同士の連続部４Ｂと、当該連続部４Ｂの最近傍に位置するリード３の短手方向（幅方向）中心を通る線分との間の長さ）と、隣接するリード３，３間の距離Ｄ３（隣接するリード３，３に相当する部位の短手方向（幅方向）中心を通る線分（軸線）間の長さ）とが同一でなくてもよく、距離Ｄ２が距離Ｄ３よりも長くてもよいし、短くてもよい。

上記実施形態においては、隣接する単位リードフレームＬＦＵの吊りリード４の各分岐端部４２ａ，４２ａが連続部４Ｂにて連続することで、４つの吊りリード４の端部４２による略方形状の枠部が形成され、上記連続部４Ｂに端部５１が連続するタイバー５は当該枠部内に存在しないが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、図６に示すように、吊りリード４の各分岐端部４２ａ，４２ａの連続部４Ｂから上記枠部内にタイバー５が延在し、当該枠部内の略中央で交差するようにして、上記枠部内に十字状のタイバー５が設けられていてもよい。吊りリード４の他端部４２近傍がこのように構成されていることで、吊りリード４の分岐端部４２ａとタイバー５との連続部４Ｂ近傍におけるタイバー５の変形をより抑制することができる。

本発明は、ＱＦＮタイプ等のような樹脂封止型半導体装置を製造するためのリードフレームとして有用である。

１…多面付リードフレーム
２…半導体素子搭載部
２１…肉厚部
２２…肉薄部
３…リード
３１…肉厚部
３２…肉薄部
４…吊りリード
４２ａ…分岐端部
５…タイバー
１０…半導体装置
１１…半導体素子
１１ａ…端子
１２…ワイヤー
１３…封止樹脂
３０…外部端子

Claims

上面に半導体素子が搭載される半導体素子搭載部と、一端部が前記半導体素子搭載部に連続し、他端部が二股に分岐する吊りリードと、前記半導体素子搭載部に先端部を対向させるようにして当該半導体素子搭載部の周囲に並設されてなる複数のリードとを有する単位リードフレームが、縦横に複数個マトリックス状に配列されてなる多面付リードフレームであって、
前記多面付リードフレームは、隣接する前記単位リードフレーム間の境界部に位置するように格子状に設けられ、前記複数のリードを支持するタイバーを備え、
一の前記単位リードフレームにおける前記吊りリードの二股に分岐する各分岐端部は、隣接する他の前記単位リードフレームにおける前記吊りリードの二股に分岐する各分岐端部に連続し、
前記タイバーの両端部のそれぞれは、隣接する２つの前記単位リードフレームにおける各吊りリードの分岐端部同士の連続部に連続し、
前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が、前記分岐端部同士の連続部から当該連続部の最近傍に位置するリードまでの距離よりも長く、
前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が、前記半導体素子搭載部に連続する前記一端部から前記吊りリードの分岐点までの距離よりも長いことを特徴とする多面付リードフレーム。
前記分岐端部同士の連続部から当該連続部の最近傍に位置するリードまでの距離と、隣接する前記リード間の距離とが同一であることを特徴とする請求項１に記載の多面付リードフレーム。
前記半導体素子搭載部は、肉厚部と、前記肉厚部の周縁に位置する肉薄部とを有し、
前記吊りリードの厚さは、前記肉薄部と同一の厚さであることを特徴とする請求項１又は２に記載の多面付リードフレーム。
前記多面付リードフレームの平面視において、前記複数のリードは、実質的に直線形状を有しており、
前記複数のリードのそれぞれの長手方向は、当該リードを支持する前記タイバーの長手方向に直交することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多面付リードフレーム。
請求項１〜４のいずれかに記載の多面付リードフレームを製造する方法であって、
金属基板の上面及び下面のそれぞれに、所定のパターン形状を有するレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンが形成された導電性基板に対してエッチング処理を施すエッチング工程と
を含み、
前記レジストパターン形成工程において、前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が、前記分岐端部同士の連続部から当該連続部の最近傍に位置するリードまでの距離よりも長く、かつ前記吊りリードの分岐点から当該吊りリードの分岐端部までの距離が前記半導体素子搭載部に連続する前記一端部から前記吊りリードの分岐点までの距離よりも長くなるように、前記レジストパターンを形成することを特徴とする多面付リードフレームの製造方法。
請求項１〜４のいずれかに記載の多面付リードフレームにおける前記半導体素子搭載部の上面に半導体素子を固着する工程と、
前記半導体素子の各端子と複数のリードのそれぞれとをワイヤーを介して接続するワイヤーボンディング工程と、
前記半導体素子、前記半導体素子搭載部、前記複数のリード及び前記ワイヤーを封止樹脂にて封止する樹脂封止工程と、
前記封止樹脂にて封止されたリードフレームを、前記タイバーに沿って切断し、前記半導体素子ごとに個片化するダイシング工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。