JP2017079332A - ダイ積層システムおよび方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】組立処理ステップの簡略化するとともにパッケージコストを低減し、かつ熱放散性を改善したダイ積層システムおよび方法を提供する。【解決手段】ダイ積層システム100は、第一のダイ102と、第一のダイ102に積層された第二のダイ112を含む。第一のダイ102は、パッシベーション領域104と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域106と、第二のダイ112を受容するサイズの伝導性積層ダイ受容領域108とを含んだ表面を有する。【選択図】図1
Description
本発明は、一般的に、ダイ積層に関する。
技術における進歩は、より小型で強力なコンピュータデバイスをもたらした。例えば、最近では、小型、軽量でユーザーが簡単に携行できる携帯無線電話、PDA、ページングデバイス等の無線コンピュータデバイスを含む様々な携帯個人コンピュータデバイスがある。特に、セルラー電話やIP電話のような携帯無線電話により音声やデータパケットを無線ネットワークを介して通信することが出来る。さらに、これらの無線電話の多くには、そこに組み込まれた他のタイプのデバイスが含まれる。例えば、無線電話にはデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルレコーダ、オーディオファイルプレイヤも含まれる。また無線電話は、例えば、ウェブブラウザ用等のソフトウェアを含み、実行可能な指令を処理することが出来、インターネットへのアクセスに用いることが出来る。かくのごとく、これらの無線電話は重要なコンピューティング能力を含むことが出来る。
典型的には、これらデバイスのコンピューティング能力は、各々に特定化回路を保有するダイを含んだ、複数の半導体デバイスによってもたらされる。二つあるいは、それ以上のダイ、例えば、モデム回路を有するダイと通信回路を有するダイとがパッケージ中の基板上に積層される。一つの典型的ダイ積層方法では、ホストのダイと積層ダイの間に伝導性のスペーサ層が用いられる。この伝導性スペーサ層は積層ダイ底部に電気的に接続されるが、ホストのダイの表面にある保護パッシベーション層により、ホストのダイ上部には電気的には接続されない。積層ダイ、伝導性スペーサ層およびホストのダイと、パッケージ基板上の伝導性パッドとの接続にはワイアボンドが用いられる。しかし、この積層方法は組立処理ステップの増加とパッケージコストにより、複雑かつ高価となってしまう。加えて、典型的スペーサ材料、例えばシリコンスペーサ上の伝導性アルミニウム表面層は、ダイ接着材料やモールド化合物等のパッケージ材料とは十分には固着されない。
特別な実施形態において、半導体デバイスが開示されている。半導体デバイスには、パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、広い伝導性領域とを含む表面を有する第一のダイが含まれている。例えば、この広い伝導性領域は少なくとも10,000スクエアミクロンであろう。
他の実施形態において、パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、伝導性積層ダイ受容領域とを含む表面を有する第一のダイが含まれたダイ積層システムが開示されている。伝導性積層ダイ受容領域は、少なくとも第二のダイを受容できるサイズとされている。
他の実施形態において、デバイスには第一のダイが含まれる。第一のダイは、パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、伝導性積層ダイ受容領域とを含む表面を有し、この受容領域は第二のダイに結合される、少なくとも一つの伝導性結合エレメントを受容できるサイズとされている。
他の実施形態において、複数の半導体デバイスを含むパッケージが開示されている。このパッケージは、パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも10,000スクエアミクロンの第一の広い伝導性領域と、少なくとも10,000スクエアミクロンの第二の広い伝導性領域とを含む表面を有する第一のダイが含まれている。パッケージには、少なくとも第一の広い伝導性領域と接する第二のダイも含まれる。このパッケージは、さらに第二の広い伝導性領域の少なくとも一部と接する第三のダイを含む。
他の実施形態において、第二のダイに結合された第一のダイを含むフリップチップ搭載デバイスを含んだシステムが開示されている。このシステムは、第二のダイに結合された第三のダイも含む。この第三のダイは、パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも第四のダイを受容できるサイズの伝導性積層ダイ受容領域とを含む表面を有する。
これらの開示された実施形態によりもたらされる一つの特別な利点として、ダイ積層において、スペーサ層を除去することにより、パッケージのサイズと製造コストが削減される。その他の利点は、積層ダイ間の熱伝導率により改良された熱放散によってもたらされる。他の利点は、積層ダイ間の電気的結合がワイアボンディングを必要とせず行えることによりもたらされる。
本開示の他の面、利点、特徴は、以下のセクション:図面の簡単な説明、詳細な説明、特許請求の範囲を含む出願全体のレビュー後、明白となろう。
上面図である図1を参照すると、ダイ積層システムの第一の例示的実施形態が描かれ、一般的に、100で示されている。このシステム100は、例えば代表的ワイアボンド120等のワイアボンド群を介して、第一のダイ102に結合される半導体デバイスパッケージ基板101を含んでいる。この第一のダイ102は、パッシベーション領域104と、代表的ボンドパッド領域106のような伝導性ボンドバッド領域と、第一の積層ダイ受容領域108と、第二の伝導性積層ダイ受容領域110と、を含む表面を有する。
この第一の伝導性積層ダイ受容領域108は、少なくとも第二のダイ112を受容できるサイズとされている。この第二の伝導性積層ダイ受容領域110は、少なくとも第三のダイ114を受容できるサイズとされている。特別な実施形態において、各伝導性積層ダイ受容領域108および110は、ボンドパッド領域106のような従来のボンドパッド領域より広く、少なくとも10,000スクエアミクロンの伝導性領域を有する。一つの例示的例として、一つあるいはそれ以上の伝導性積層ダイ受容領域108および110は実質的に四角形状で両幅がほぼ100ミクロン長であろう。ここに使用した通り、1ミクロン=1マイクロメータ=1μm=0.000001メータである。
特定の実施形態において、パッシベーション領域104は第一のダイ102の上表面を保護する役目を果たし、その表面を電気的に不活性化する。例えば、パッシベーション領域104は酸化物あるいはSiN層を含む。ボンドパッド領域106のような伝導性ボンドパッドと、伝導性積層ダイ受容領域108および110には、第一のダイ102の表面に結合される伝導性物質が含まれ、パッシベーション領域104にある開口を介してアクセス可能となっている。
特定の実施形態において、第一のダイ102は、第二のダイ112、第三のダイ114、あるいはその両方のダイに対するホストのダイとして機能する。第二のダイ112は、少なくとも第一の伝導性積層ダイ受容領域108の一部分内に配置され、これと接することにより、第一のダイ102と電気的に結合される。第二のダイ112は、半導体パッケージ基板101および第一のダイ102にも、それぞれ例えば代表的ワイアボンド122および124を介して結合されうる。例えば、第二のダイ112は、第一の伝導性積層ダイ受容領域108に電気的に結合されている下部伝導体を介してシステムのアースに結合されうる。第二のダイ112は、また例えば代表的ワイアボンド122および124を介してシステムの電源やコントロール信号を受けることが出来る。
第三のダイ114は第二の伝導性積層ダイ受容領域110の少なくとも一部分内に配置され、これと接することにより、第一のダイ102と電気的に結合される。第三のダイ114は、半導体パッケージ基板101および第一のダイ102にも、それぞれ例えば代表的ワイアボンド132および134を介して結合されうる。例えば、第三のダイ114は、第二の伝導性積層ダイ受容領域110に電気的に結合されている下部伝導体を介してシステムのアースに結合されうる。第三のダイ114は、また例えば代表的ワイアボンド132および134を介してシステムの電源やコントロール信号を受けることが出来る。
特定の実施形態において、各ダイ102,112および114は別々の機能を果たすように適合され、それらの機能の相互動作により用途特定のパッケージがもたらされる。例えば、データ処理半導体パッケージにおいては、第一のダイ102には電力管理回路、第二のダイ112にはデータ処理回路を含みうる。移動体環境におけるデータ処理の為には、第三のダイ114は通信回路あるいはモデム回路を含みうる。他の例として、第一のダイは電力管理回路、第二のダイ112はデバイス表示の動作を行う表示回路が含まれうる。
特定の例として、第一のダイ102は、電力管理IC(PMIC)を含みうる。第二および第三のダイ112および114は、コントローラ、あるいは他のプロセッサ、アナログ、デジタル変換器(A/D)、表示コントローラ、あるいはそれらのいかなる組み合わせ、を含みうる。他の例として、システム100は移動体通信を志向し、PMIC、ラジオ周波数(RF)回路、および通信プロセッサを含みうる。
積層ダイ112および114を、パッシベーション領域104の開口を介して、第一ダイ102の伝導性ダイ受容領域108および110に結合することにより、ダイ間をスペーサ層を用いて積層する技術と比べて、パッケージ高が減少される。パッケージの高さの減少については、第二のダイ112に結合された第四のダイ(表示せず)を含む代替的実施形態のような複数積層ダイを有する実施形態において、さらに断言出来る。複数積層ダイを含む実施形態は、図5ないし図6に例示される。
ダイ積層システム100の線2−2に沿った断面図200は、図2に描かれている。特定の実施形態において、第二のダイ112は、電気的伝導性ダイ取り付け材料240を介して、第一の伝導性積層ダイ受容領域108において、第一のダイ102と固着されうる。第三のダイ114も電気的伝導性ダイ取り付け材料242を介して、第二の伝導性積層ダイ受容領域110において、第一のダイ102と固着されうる。ダイ取り付け材料240、242は積層ダイ112および114において発生した熱の放散のために熱伝導性でもありうる。
図3を参照すると、ダイ積層システムの第二の例示的実施形態の上面図が描かれ、一般的に、300で示されている。このシステム300は第一のダイ302に結合されたパッケージ基板301を含む。第二のダイ304は複数伝導性結合エレメント306を介して第一のダイ302に結合される。ダイ積層システム300の線4−4に沿った断面図400が図4に描かれている。
第一のダイ302上表面は、パッシベーション領域308と、少なくとも一つのボンドバッド領域310と、第二のダイ304の一つあるいはそれ以上の伝導性結合エレメント306を受容するサイズの伝導性ダイ受容領域410とを含む。特定の実施形態において、パッシベーション領域308は第一のダイ302の上表面を被覆する。そして開口を形成して、例えば伝導性ボンドパッド領域310のごときボンドパッド領域群を露出する。特定の実施形態において、伝導性ダイ受容領域410は少なくとも10,000スクエアミクロンの広さを有し、一方、伝導性ボンドパッド領域310のような各ボンドパッド領域は、10,000スクエアミクロンより小さく、例えば、500スクエアミクロンから4000スクエアミクロンの広さである。他の実施形態においては、第一のダイ302には、各領域が少なくとも10,000スクエアミクロンの広さの、複数の伝導性ダイ受容領域群が含まれる。
伝導性結合エレメント306は第二のダイ304に取り付けられ、伝導性積層ダイ受容領域401において第一のダイ302と電気的に結合される。伝導性結合エレメント306は導電性配線、パッド、半田球、ピン、スタッド、その他の構造を含みうる。それにより、導電性接続あるいはそれらのいかなる組み合わせも実現される。特定の実施形態において、この伝導性結合エレメント306はフリップチップバンプである。
特定の実施形態において、第一のダイ302は、伝導性ダイ受容領域410に複数の電気的接触エレメント412を有する。電気的接触エレメント412は、第二のダイ304が第一のダイ302にフリップチップ積層ダイ構造で結合される場合、第二のダイ304の伝導性結合エレメント306と接触するように位置決めされる。第一のダイ302と第二のダイ304の間で独立した並行電気経路を可能とするために、電気的接触エレメント412は電気的にお互いに分離されうる。例えば、一つないしはそれ以上の電力供給と複数の電気的信号は、各電気的接触エレメント412が夫々対応する伝導性結合エレメント306の一つと接触する場合、第一のダイ302および第二のダイ304の間で並行して交信しうる。
特定の実施形態において、第一のダイ302および第二のダイ304は異なる歩留まり率を有しうる、例えば、第一のダイ302と第二のダイ304とが異なる製造技術を用いて製造されるような場合、例えば、第一のダイ302は相補型メタルオンシリコン(CMOS)デバイス、絶縁物上シリコン(SOI)デバイス、バルクの半導体デバイス、シリコンゲルマニウム(SiGe)デバイス、あるいはガリウム砒素(GaAs)デバイスでありうる。また、第二のダイ304はこの第一のダイ302とは異なるタイプのデバイスでありうる。特定の例として、第一のダイ302はCMOSタイプのデバイスであり、第二のダイ304は非CMOSタイプのデバイス、例えば、SOIデバイス、SiGeデバイス、GaAsデバイス、あるいは微小電気機械システム(MEMS)デバイスのようなバルクのデバイスで有りうる。特定の実施形態において、パッケージにおけるダイ302および304の積層の順番は、ダイ302と304の歩留まり率に依存して決定される。例えば、全体のパッケージ歩留まり、コスト、製造時間、あるいはそれらの組み合わせを改善するために、高歩留まり率のダイは、低歩留まり率のダイの下側に積層される。
図5を参照すると、ダイ積層システムの第三の例示的実施形態が描かれ、一般的に、500で示されている。フリップチップ搭載デバイス503は、第二のダイ504に結合された第一のダイ508を含む。このシステム500はまた、第二のダイ504に結合され、基板501に搭載されている第三のダイ502を含む。第四のダイ510は第三のダイ502に結合されている。このシステム500の線6−6に沿った断面図600が図6である。
第三のダイ502は、フリップチップ搭載デバイス503および第四のダイ510に対するホストのダイとして働く。第三のダイ502の上表面はパッシベーション領域514を有し、ダイ表面での望ましくない作用を軽減する。パッシベーション領域514は開口を有し、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域516および伝導性積層ダイ受容領域512へのアクセスがもたらされる。この伝導性積層ダイ受容領域512は少なくとも第四のダイ510を受容できるサイズとされる。特定の実施形態において伝導性積層ダイ受容領域512は複数のダイを受容できるサイズとされる。例えば、伝導性積層ダイ受容領域512は、電源あるいはシステム接地に結合された、大きな電気的かつ熱的伝導性表面を含み、複数のダイの設置に十分な大きさでありうる。
第二のダイ504は、パッシベーション層514の開口を介して第二のダイ504にアクセスできる第二の伝導性積層ダイ受容領域624において、フリップチップバンプのような複数伝導性エレメント506を介して第三のダイ502に結合されている。この第二の伝導性積層ダイ受容領域624は、伝導性結合エレメント506に結合するように配置された複数のコンタクト626を含む。特定の実施形態において、第二のダイ504の下表面は、少なくとも第二の伝導性積層ダイ受容領域624の一部とスペーサ層を用いることなく直接接触している。第二のダイ504はワイアボンドを介しては第三のダイ502と結合していない。代替的実施形態において、複数の伝導性結合エレメント506に加えて、一つあるいはそれ以上のワイアボンドを介して、第二のダイ504はホストのダイと結合されうる。
第一のダイ508は、ダイ取り付け材料622を介して、第二のダイ504に結合されている。特定の実施形態において、ダイ取り付け材料622は熱伝導性の接着材料である。例えば、それぞれワイアボンド520および522であるワイアボンドは、第一のダイ508を第三のダイ502のボンドパッドおよび基板501のボンドパッドに結合する。加えて、第一のダイ508は第二のダイ504にダイ取り付け材料622を介して電気的に結合されうる。例えば、ダイ取り付け材料622は、第二のダイ504の上表面にある伝導性領域と、第一のダイ508の下表面にある伝導性領域との電気的接触をもたらしうる。ダイ取り付け材料の例には、ポリマー接着剤およびダイ取り付け合金が含まれる。
第四のダイ510は、伝導性ダイ取り付け材料620を介して、電気的および機械的に伝導性積層ダイ受容領域512と結合されている。第四のダイ510は、また伝導性パッド領域516のような、第三のダイ502のワイアボンドパッドに、代表的ワイアボンド530のようなワイアボンドを介して結合されている。加えて、第四のダイ510は、また基板501のワイアボンドパッドに、代表的ワイアボンド532のようなワイアボンドを介して結合されている。
図7を参照すると、積層ダイを含む通信デバイスのブロック図が描かれ、一般的に、700で示されている。通信デバイス700はチップセット720を含み、例えば電力管理IC(PMIC)722を含むダイのような、第一のダイを含んでいる。このチップセット720はまた、第一のダイに積層されたデジタル信号プロセッサ(DSP)を含むダイのような第二のダイを少なくとも含んでいる。特定の実施形態において、図1ないし図6に関連して記載されているように、このDSP710はPMIC722の伝導性ダイ受容領域に結合されている。
表示装置コントローラ726は、デジタル信号プロセッサ710および表示装置728に結合することが出来る。加えて、メモリ732は、デジタル信号プロセッサ710に結合されている。また符号器/復号器(CODEC)734も、デジタル信号プロセッサ710に結合されている。スピーカー736およびマイクロホン738はCODEC734に結合することが出来る。さらに、無線コントローラ740は、デジタル信号プロセッサおよび無線アンテナ742に結合することが出来る。モデム760もまたDSP710に結合することが出来る。
特定の実施形態において、このDSP710、表示装置コントローラ726、メモリ732、CODEC734、無線コントローラ740、モデム760、あるいはそれらのいかなる組み合わせも、積層ダイあるいは図1ないし図6に関連して記載されたようなPMICに結合されたフリップチップを含みうる。加えて、通信デバイス700は、一つあるいはそれ以上の複数ダイの積層を含みうる。例えば、DSP710はPMIC722の上に積層しうるし、モデム760はDSP710の上に積層しうる。
特定の実施形態において、電源744および入力デバイス730はPMICに結合されている。さらに、図7に例示される特定の実施形態において、表示装置728、入力デバイス730、スピーカー736、マイクロホン738、無線アンテナ742および電源744は、チップセット720の一つの部品に結合されている。
ここに開示された実施形態と関連して記載された、様々な例示的ロジック図、構成、モジュール、回路およびアルゴリズム工程は、電子的ハードウェア、コンピュータソフトウェア、あるいは両方の組み合わせとして実行されうる、ということを、当業者はさらに理解するであろう。ハードウェアとソフトウェアの互換性を明確に例示するために、上記の様々な例示的部品、ブロック、構成、モジュール、回路、および工程が、一般的にそれらの機能によって記載されている。それらの機能がハードウェアで実行されるか、ソフトウェアで実行されるかは、全体のシステムに課せられた特定の用途および設計制約に依存する。熟練者は、記載された機能を各特定の用途に対し、方法を変えて実行することが出来うる。しかし、そのような実行決定は本開示の範囲から逸脱するようになると解釈してはならない。
ここに開示された実施形態との関係で記載された方法の工程あるいはアルゴリズムは、直接的にハードウェア、プロセッサにより実行されるソフトウェアモジュール、あるいは両者の組み合わせによって実現されうる。ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、PROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROM(登録商標)メモリ、レジスタ、ハードディスク、着脱可ディスク、CD−ROM、あるいは当分野において知られている他の形の記憶媒体の中に存在しうる。例示的記憶媒体はプロセッサに結合され、プロセッサは記憶媒体からの情報読み出しや、情報媒体への情報書き込みが出来る。代わりに、記憶媒体はプロセッサに集積化することも出来る。プロセッサおよび記憶媒体はASICの中に存在しうる。ASICは、コンピュータデバイスあるいはユーザー端末に存在しうる。代替的に、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピュータデバイスあるいはユーザー端末の中で、個別の部品で存在しうる。実施形態にて開示されたこれまでの記述は、本技術分野の当業者が開示された実施形態を作りあるいは使用することが出来るように提供されている。これらの実施形態に対する様々な修正は、それらの当業者にとっては容易に明白であろう。また、ここで規定されている一般的原原理は本開示の精神あるいは範囲から逸脱することなく、他の実施形態に適用しうる。従って、本開示は、ここに示された実施形態に限定されることを意図せず、以下の特許請求の範囲によって規定される原理および新規な特徴と矛盾しない最も広い範囲に一致させるべきである。
ここに開示された実施形態との関係で記載された方法の工程あるいはアルゴリズムは、直接的にハードウェア、プロセッサにより実行されるソフトウェアモジュール、あるいは両者の組み合わせによって実現されうる。ソフトウェアモジュールは、RAMメモリ、フラッシュメモリ、ROMメモリ、PROMメモリ、EPROMメモリ、EEPROM(登録商標)メモリ、レジスタ、ハードディスク、着脱可ディスク、CD−ROM、あるいは当分野において知られている他の形の記憶媒体の中に存在しうる。例示的記憶媒体はプロセッサに結合され、プロセッサは記憶媒体からの情報読み出しや、情報媒体への情報書き込みが出来る。代わりに、記憶媒体はプロセッサに集積化することも出来る。プロセッサおよび記憶媒体はASICの中に存在しうる。ASICは、コンピュータデバイスあるいはユーザー端末に存在しうる。代替的に、プロセッサおよび記憶媒体は、コンピュータデバイスあるいはユーザー端末の中で、個別の部品で存在しうる。実施形態にて開示されたこれまでの記述は、本技術分野の当業者が開示された実施形態を作りあるいは使用することが出来るように提供されている。これらの実施形態に対する様々な修正は、それらの当業者にとっては容易に明白であろう。また、ここで規定されている一般的原原理は本開示の精神あるいは範囲から逸脱することなく、他の実施形態に適用しうる。従って、本開示は、ここに示された実施形態に限定されることを意図せず、以下の特許請求の範囲によって規定される原理および新規な特徴と矛盾しない最も広い範囲に一致させるべきである。
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも第二のダイを受容するサイズの広い伝導性領域とを含む表面を有する第一のダイを具備する半導体デバイス。
[C2]
前記広い伝導性領域は、少なくとも10,000スクエアミクロンであるC1記載のデバイス。
[C3]
さらに、少なくとも10,000スクエアミクロンの、第二の広い伝導性領域を具備するC1記載のデバイス。
[C4]
さらに、前記広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第二のダイと、
前記第二の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第三のダイと
を具備するC3記載のデバイス。
[C5]
パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも第二のダイを受容するサイズの伝導性積層ダイ受容領域とを含む表面を有する第一のダイを具備するシステム。
[C6]
さらに、前記伝導性積層ダイ受容領域内に配置された第二のダイを具備するC5記載のシステム。
[C7]
さらに、前記第二のダイが電気的に前記第一のダイに結合されているC6記載のシステム。
[C8]
前記第二のダイが、前記伝導性積層ダイ受容領域を介して電気的に前記第一のダイに結合されている複数の導電性エレメントを含む、C5記載のシステム。
[C9]
前記複数の導電性エレメントが、パッド、半田球、ピン、あるいはそれらのいかなる組み合わせを含む、C8記載のシステム。
[C10]
パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、第二のダイに結合される少なくとも一つの伝導性結合エレメントを受容するサイズの伝導性ダイ受容領域とを含む表面を有する第一のダイを具備するデバイス。
[C11]
前記少なくとも一つの伝導性結合エレメントが、導電性リード、導電性パッド、あるいは導電性半田球を含む、C10記載のデバイス。
[C12]
前記伝導性ダイ受容領域が、前記第二のダイに結合される複数の伝導性結合エレメントを受容するように適合されており、前記複数の伝導性結合エレメントはフリップチップバンプを含むC10記載のデバイス。
[C13]
さらに、各領域が少なくとも10,000スクエアミクロンの面積を有する、複数の伝導性ダイ受容領域を具備するC10記載のデバイス。
[C14]
前記少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域が10,000スクエアミクロンより小さいC10記載のデバイス。
[C15]
さらに前記第二のダイに結合された第三のダイを具備し、前記第二のダイが、前記少なくとも一つの伝導性結合エレメントを介して前記第一のダイに結合されている、C10記載のデバイス。
[C16]
前記第一のダイが、CMOSデバイス、絶縁物上シリコン(SOI)デバイス、バルク半導体デバイス、シリコンゲルマニウムデバイス、およびガリウム砒素デバイスの内の一つであり、前記第二のダイは前記第一のダイとは異なるタイプのデバイスである、C10記載のデバイス。
[C17]
前記第一のダイがCMOSであり、前記第二のダイが非CMOSタイプのデバイスである、C16記載のデバイス。
[C18]
前記第一のダイが第一の歩留まり率を有し、前記第二のダイが第二の歩留まり率を有する、C10記載のデバイス。
[C19]
複数の半導体デバイスを含むパッケージであり、パッシベーション領域、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域、少なくとも10,000スクエアミクロンの第一の広い伝導性領域、および、少なくとも10,000スクエアミクロンの第二の広い伝導性領域を含む表面を有する第一のダイと、
前記第一の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第二のダイと、
前記第二の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第三のダイと
を具備するパッケージ。
[C20]
前記第一のダイが電力管理回路を含み、前記第二のダイがデータ処理回路を含む、C19記載のパッケージ。
[C21]
前記第三のダイが通信回路を含む、C19記載のパッケージ。
[C22]
さらに、前記第二のダイに結合された第四のダイを具備するC19記載のパッケージ。
[C23]
前記第一のダイが電力管理回路を含み、前記第二のダイが表示回路を含む、C19記載のパッケージ。
[C24]
第二のダイに結合された第一のダイを含むフリップチップ搭載デバイスと、
前記第二のダイに結合され、パッシベーション領域、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域、および少なくとも第四のダイを受容するサイズの伝導性積層ダイ受容領域を含む表面を有する第三のダイと
を具備するシステム。
[C25]
前記第二のダイが、スペーサ層を用いることなく、前記伝導性積層ダイ受容領域の少なくとも一部分に直接接触する表面を有する、C24記載のデバイス。
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも第二のダイを受容するサイズの広い伝導性領域とを含む表面を有する第一のダイを具備する半導体デバイス。
[C2]
前記広い伝導性領域は、少なくとも10,000スクエアミクロンであるC1記載のデバイス。
[C3]
さらに、少なくとも10,000スクエアミクロンの、第二の広い伝導性領域を具備するC1記載のデバイス。
[C4]
さらに、前記広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第二のダイと、
前記第二の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第三のダイと
を具備するC3記載のデバイス。
[C5]
パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも第二のダイを受容するサイズの伝導性積層ダイ受容領域とを含む表面を有する第一のダイを具備するシステム。
[C6]
さらに、前記伝導性積層ダイ受容領域内に配置された第二のダイを具備するC5記載のシステム。
[C7]
さらに、前記第二のダイが電気的に前記第一のダイに結合されているC6記載のシステム。
[C8]
前記第二のダイが、前記伝導性積層ダイ受容領域を介して電気的に前記第一のダイに結合されている複数の導電性エレメントを含む、C5記載のシステム。
[C9]
前記複数の導電性エレメントが、パッド、半田球、ピン、あるいはそれらのいかなる組み合わせを含む、C8記載のシステム。
[C10]
パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、第二のダイに結合される少なくとも一つの伝導性結合エレメントを受容するサイズの伝導性ダイ受容領域とを含む表面を有する第一のダイを具備するデバイス。
[C11]
前記少なくとも一つの伝導性結合エレメントが、導電性リード、導電性パッド、あるいは導電性半田球を含む、C10記載のデバイス。
[C12]
前記伝導性ダイ受容領域が、前記第二のダイに結合される複数の伝導性結合エレメントを受容するように適合されており、前記複数の伝導性結合エレメントはフリップチップバンプを含むC10記載のデバイス。
[C13]
さらに、各領域が少なくとも10,000スクエアミクロンの面積を有する、複数の伝導性ダイ受容領域を具備するC10記載のデバイス。
[C14]
前記少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域が10,000スクエアミクロンより小さいC10記載のデバイス。
[C15]
さらに前記第二のダイに結合された第三のダイを具備し、前記第二のダイが、前記少なくとも一つの伝導性結合エレメントを介して前記第一のダイに結合されている、C10記載のデバイス。
[C16]
前記第一のダイが、CMOSデバイス、絶縁物上シリコン(SOI)デバイス、バルク半導体デバイス、シリコンゲルマニウムデバイス、およびガリウム砒素デバイスの内の一つであり、前記第二のダイは前記第一のダイとは異なるタイプのデバイスである、C10記載のデバイス。
[C17]
前記第一のダイがCMOSであり、前記第二のダイが非CMOSタイプのデバイスである、C16記載のデバイス。
[C18]
前記第一のダイが第一の歩留まり率を有し、前記第二のダイが第二の歩留まり率を有する、C10記載のデバイス。
[C19]
複数の半導体デバイスを含むパッケージであり、パッシベーション領域、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域、少なくとも10,000スクエアミクロンの第一の広い伝導性領域、および、少なくとも10,000スクエアミクロンの第二の広い伝導性領域を含む表面を有する第一のダイと、
前記第一の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第二のダイと、
前記第二の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第三のダイと
を具備するパッケージ。
[C20]
前記第一のダイが電力管理回路を含み、前記第二のダイがデータ処理回路を含む、C19記載のパッケージ。
[C21]
前記第三のダイが通信回路を含む、C19記載のパッケージ。
[C22]
さらに、前記第二のダイに結合された第四のダイを具備するC19記載のパッケージ。
[C23]
前記第一のダイが電力管理回路を含み、前記第二のダイが表示回路を含む、C19記載のパッケージ。
[C24]
第二のダイに結合された第一のダイを含むフリップチップ搭載デバイスと、
前記第二のダイに結合され、パッシベーション領域、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域、および少なくとも第四のダイを受容するサイズの伝導性積層ダイ受容領域を含む表面を有する第三のダイと
を具備するシステム。
[C25]
前記第二のダイが、スペーサ層を用いることなく、前記伝導性積層ダイ受容領域の少なくとも一部分に直接接触する表面を有する、C24記載のデバイス。
Claims (25)
- パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも第二のダイを受容するサイズの広い伝導性領域とを含む表面を有する第一のダイを具備する半導体デバイス。
- 前記広い伝導性領域は、少なくとも10,000スクエアミクロンである請求項1記載のデバイス。
- さらに、少なくとも10,000スクエアミクロンの、第二の広い伝導性領域を具備する請求項1記載のデバイス。
- さらに、前記広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第二のダイと、
前記第二の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第三のダイと
を具備する請求項3記載のデバイス。 - パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、少なくとも第二のダイを受容するサイズの伝導性積層ダイ受容領域とを含む表面を有する第一のダイを具備するシステム。
- さらに、前記伝導性積層ダイ受容領域内に配置された第二のダイを具備する請求項5記載のシステム。
- さらに、前記第二のダイが電気的に前記第一のダイに結合されている請求項6記載のシステム。
- 前記第二のダイが、前記伝導性積層ダイ受容領域を介して電気的に前記第一のダイに結合されている複数の導電性エレメントを含む、請求項5記載のシステム。
- 前記複数の導電性エレメントが、パッド、半田球、ピン、あるいはそれらのいかなる組み合わせを含む、請求項8記載のシステム。
- パッシベーション領域と、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域と、第二のダイに結合される少なくとも一つの伝導性結合エレメントを受容するサイズの伝導性ダイ受容領域とを含む表面を有する第一のダイを具備するデバイス。
- 前記少なくとも一つの伝導性結合エレメントが、導電性リード、導電性パッド、あるいは導電性半田球を含む、請求項10記載のデバイス。
- 前記伝導性ダイ受容領域が、前記第二のダイに結合される複数の伝導性結合エレメントを受容するように適合されており、前記複数の伝導性結合エレメントはフリップチップバンプを含む請求項10記載のデバイス。
- さらに、各領域が少なくとも10,000スクエアミクロンの面積を有する、複数の伝導性ダイ受容領域を具備する請求項10記載のデバイス。
- 前記少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域が10,000スクエアミクロンより小さい請求項10記載のデバイス。
- さらに前記第二のダイに結合された第三のダイを具備し、前記第二のダイが、前記少なくとも一つの伝導性結合エレメントを介して前記第一のダイに結合されている、請求項10記載のデバイス。
- 前記第一のダイが、CMOSデバイス、絶縁物上シリコン(SOI)デバイス、バルク半導体デバイス、シリコンゲルマニウムデバイス、およびガリウム砒素デバイスの内の一つであり、前記第二のダイは前記第一のダイとは異なるタイプのデバイスである、請求項10記載のデバイス。
- 前記第一のダイがCMOSであり、前記第二のダイが非CMOSタイプのデバイスである、請求項16記載のデバイス。
- 前記第一のダイが第一の歩留まり率を有し、前記第二のダイが第二の歩留まり率を有する、請求項10記載のデバイス。
- 複数の半導体デバイスを含むパッケージであり、パッシベーション領域、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域、少なくとも10,000スクエアミクロンの第一の広い伝導性領域、および、少なくとも10,000スクエアミクロンの第二の広い伝導性領域を含む表面を有する第一のダイと、
前記第一の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第二のダイと、
前記第二の広い伝導性領域の少なくとも一部分と接触する第三のダイと
を具備するパッケージ。 - 前記第一のダイが電力管理回路を含み、前記第二のダイがデータ処理回路を含む、請求項19記載のパッケージ。
- 前記第三のダイが通信回路を含む、請求項19記載のパッケージ。
- さらに、前記第二のダイに結合された第四のダイを具備する請求項19記載のパッケージ。
- 前記第一のダイが電力管理回路を含み、前記第二のダイが表示回路を含む、請求項19記載のパッケージ。
- 第二のダイに結合された第一のダイを含むフリップチップ搭載デバイスと、
前記第二のダイに結合され、パッシベーション領域、少なくとも一つの伝導性ボンドパッド領域、および少なくとも第四のダイを受容するサイズの伝導性積層ダイ受容領域を含む表面を有する第三のダイと
を具備するシステム。 - 前記第二のダイが、スペーサ層を用いることなく、前記伝導性積層ダイ受容領域の少なくとも一部分に直接接触する表面を有する、請求項24記載のデバイス。
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