JP2016529731A - 誘電体ウィンドウ内へのiii−v族成長中の不均一性の成長及びオートドーピングを抑制する方法 - Google Patents
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Abstract
Description
・非天然基質に対するエピタキシャル層の熱膨張係数(CTE)不整合による残留応力の低減(温度)
・より正確なレイヤ制御(圧力及び温度)
・CMOSとの化合物半導体の異種インテグレーションに関するラインオブサイト(非選択)成長が、ウィンドウ内の化合物半導体材料の任意の配置及び大きさを可能にする(圧力)
・シリコン基板、シリコンデバイス層、及び誘電材料からのオートドーピングの抑制又は排除(温度)。
Claims (14)
- 基板の選択部分の上に配置された誘電体層内に形成されたウィンドウを通じて、前記基板の前記選択部分の上にIII−V族材料を堆積する方法であって、
前記ウィンドウに隣接する前記誘電体層の領域の上に単結晶層又は多結晶層を形成することと、
MOCVDによって、前記ウィンドウ内の前記基板の選択部分上へと、前記単結晶層を覆って単結晶III−V族材料を成長させることと
を有する方法。 - 前記多結晶層は多結晶材料として堆積される、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記ウィンドウの形成に先立って、前記誘電体層上に堆積される、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記ウィンドウの形成に先立って、アモルファスに堆積され且つ熱的に再結晶化される、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記ウィンドウの形成後にアモルファスに堆積され、且つ熱的に再結晶化されることで、前記ウィンドウの形成後に露出された前記基板の部分上に単結晶層を提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記ウィンドウの形成後にアモルファスに堆積され、その後に、熱的に再結晶化されて前記ウィンドウの底に単結晶層を提供することで、前記単結晶III−V族材料のための成長テンプレートを提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記ウィンドウの形成後に、前記ウィンドウ内の単結晶材料と前記ウィンドウの外側の前記誘電体層の上の多結晶材料とを合わせたものとして堆積される、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記ウィンドウの形成後且つIII−V族成長の前に、前記ウィンドウ内の単結晶材料と前記ウィンドウの外側の前記誘電体層の上の多結晶材料とを合わせたものとして堆積される、請求項7に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記誘電体層と前記ウィンドウのエッジの側面との上に堆積される、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記誘電体層及び前記ウィンドウの側面の上と、前記基板の露出された前記選択部分の上の前記ウィンドウの底とに、アモルファス材料として堆積され、その後に熱的に再結晶化されて、前記ウィンドウの底にIII−V族層のための単結晶成長テンプレートを提供し、前記ウィンドウの底の外側のアモルファスに堆積された前記多結晶層の残存部分は、再結晶化されて多結晶部分を提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記多結晶層は、前記誘電体層と、前記ウィンドウの側面と、前記ウィンドウの底の前記基板の前記選択部分の上に置かれた残存する誘電体の部分と、の上にアモルファス材料として堆積され、
当該方法は、
前記ウィンドウの底の前記基板の前記選択部分から前記誘電体の部分と前記アモルファス材料とを除去することと、
アモルファスに堆積された前記多結晶層の残りの部分を熱的に再結晶化させることと、
前記ウィンドウの底の前記基板の露出された前記選択部分上に、単結晶材料としてIII−V族材料を成長させることと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記多結晶層は、前記誘電体層と、前記ウィンドウの側面と、前記ウィンドウの底の前記基板の前記選択部分の上に置かれた残存する誘電体の部分と、の上にアモルファス材料として堆積され、
当該方法は、
アモルファスに堆積された前記多結晶層を熱的に再結晶化させることと、
前記ウィンドウの底の前記基板の前記選択部分から前記誘電体の部分と多結晶材料とを除去することと、
前記ウィンドウの底の前記基板の露出された前記選択部分上に、単結晶材料としてIII−V族材料を成長させることと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記多結晶層は、前記誘電体層と、前記ウィンドウの側面と、前記ウィンドウの底の前記基板の前記選択部分の上に置かれた残存する誘電体の部分との上に堆積され、
当該方法は、
前記ウィンドウの底の前記基板の前記選択部分から前記誘電体の部分と多結晶材料とを除去することと、
前記ウィンドウの底の前記基板の露出された前記選択部分上に、単結晶材料としてIII−V族材料を成長させることと
を含む、請求項1に記載の方法。 - 基板の選択部分の上に配置された誘電体層内に形成されたウィンドウを通じて、前記基板の前記選択部分の上にIII−V族材料を堆積する方法であって、
MOCVDによって、前記ウィンドウ内の前記基板の選択部分上に、III−V族材料を単結晶として成長させる一方で、前記ウィンドウに隣接する前記誘電体層の領域の上に、前記III−V族材料を多結晶材料として成長させること
を有する方法。
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