JP2016207840A5 - - Google Patents
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| US10847374B2 (en) * | 2017-10-31 | 2020-11-24 | Lam Research Corporation | Method for etching features in a stack |
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| JP7204348B2 (ja) * | 2018-06-08 | 2023-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法およびエッチング装置 |
| KR102554014B1 (ko) * | 2018-06-15 | 2023-07-11 | 삼성전자주식회사 | 저온 식각 방법 및 플라즈마 식각 장치 |
| JP7175239B2 (ja) * | 2018-06-22 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 制御方法、プラズマ処理装置、プログラム及び記憶媒体 |
| US10720337B2 (en) * | 2018-07-20 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Pre-cleaning for etching of dielectric materials |
| US10720334B2 (en) | 2018-07-20 | 2020-07-21 | Asm Ip Holding B.V. | Selective cyclic dry etching process of dielectric materials using plasma modification |
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| JP7229033B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
| CN111584360B (zh) * | 2019-02-18 | 2024-04-19 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法 |
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| JP7390134B2 (ja) * | 2019-08-28 | 2023-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法およびエッチング処理装置 |
| TW202126840A (zh) | 2019-08-30 | 2021-07-16 | 美商蘭姆研究公司 | 低壓下的高密度、模數、及硬度之非晶碳膜 |
| CN112786441A (zh) * | 2019-11-08 | 2021-05-11 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法及等离子体处理装置 |
| WO2021090516A1 (ja) | 2019-11-08 | 2021-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| SG10202010798QA (en) * | 2019-11-08 | 2021-06-29 | Tokyo Electron Ltd | Etching method and plasma processing apparatus |
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| US11848176B2 (en) | 2020-07-31 | 2023-12-19 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power |
| TWI895472B (zh) * | 2020-08-17 | 2025-09-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 蝕刻方法及蝕刻裝置 |
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| US11901157B2 (en) | 2020-11-16 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| US11798790B2 (en) | 2020-11-16 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for controlling ion energy distribution |
| JP7565763B2 (ja) * | 2020-11-17 | 2024-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理システム |
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| US11694876B2 (en) | 2021-12-08 | 2023-07-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing |
| JP2025517703A (ja) * | 2022-05-19 | 2025-06-10 | ラム リサーチ コーポレーション | 極低温および昇温における高アスペクト比の誘電体エッチング用ハードマスク |
| JP2025520076A (ja) * | 2022-06-02 | 2025-07-01 | ラム リサーチ コーポレーション | ドープ酸化ケイ素の低温エッチング |
| US11972924B2 (en) | 2022-06-08 | 2024-04-30 | Applied Materials, Inc. | Pulsed voltage source for plasma processing applications |
| US12315732B2 (en) | 2022-06-10 | 2025-05-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber |
| JP7756056B2 (ja) * | 2022-08-25 | 2025-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びプラズマ処理装置 |
| US12272524B2 (en) | 2022-09-19 | 2025-04-08 | Applied Materials, Inc. | Wideband variable impedance load for high volume manufacturing qualification and on-site diagnostics |
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Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772346A (en) | 1980-10-24 | 1982-05-06 | Toshiba Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH0722149B2 (ja) | 1983-11-28 | 1995-03-08 | 株式会社日立製作所 | 平行平板形ドライエッチング装置 |
| JPH07104927B2 (ja) | 1985-08-30 | 1995-11-13 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置 |
| US5279705A (en) * | 1990-11-28 | 1994-01-18 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Gaseous process for selectively removing silicon nitride film |
| JP2758754B2 (ja) * | 1991-12-05 | 1998-05-28 | シャープ株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| JP3179872B2 (ja) * | 1991-12-19 | 2001-06-25 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JPH0722393A (ja) | 1993-06-23 | 1995-01-24 | Toshiba Corp | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| JPH0722149A (ja) | 1993-06-28 | 1995-01-24 | Yazaki Corp | 電線の接続装置及び接続方法 |
| JP2956524B2 (ja) | 1995-04-24 | 1999-10-04 | 日本電気株式会社 | エッチング方法 |
| JP3524763B2 (ja) * | 1998-05-12 | 2004-05-10 | 株式会社日立製作所 | エッチング方法 |
| US7432207B2 (en) * | 2001-08-31 | 2008-10-07 | Tokyo Electron Limited | Method for etching object to be processed |
| CN101154569B (zh) * | 2002-06-27 | 2014-05-14 | 东京毅力科创株式会社 | 等离子体处理方法 |
| JP2008028022A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 |
| JP2010205967A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP5719648B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2015-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、およびエッチング装置 |
| US8598040B2 (en) * | 2011-09-06 | 2013-12-03 | Lam Research Corporation | ETCH process for 3D flash structures |
| WO2013118660A1 (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| JP5968130B2 (ja) * | 2012-07-10 | 2016-08-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP5878091B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| JP6154820B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2017-06-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP6211947B2 (ja) * | 2013-07-31 | 2017-10-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6140575B2 (ja) * | 2013-08-26 | 2017-05-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP6423643B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 多層膜をエッチングする方法 |
| US9728422B2 (en) * | 2015-01-23 | 2017-08-08 | Central Glass Company, Limited | Dry etching method |
| JP6339963B2 (ja) * | 2015-04-06 | 2018-06-06 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
| US9613824B2 (en) * | 2015-05-14 | 2017-04-04 | Tokyo Electron Limited | Etching method |
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