JP2016066052A - 光導電体とそれを用いた画像形成方法、光導電体の製造方法および画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】地肌汚れが抑制され、耐久性に優れた光導電体を提供する。【解決手段】導電性支持体上に、表面形状を以下制御した感光層を有する光導電体。表面粗さ・輪郭形状測定機で測定された感光層の凹凸形状の一次元データ配列をウェーブレット変換により多重解像度解析して6個の周波数成分に分離して1/10〜1/100に間引きした一次元データ配列をウェーブレット変換により更に多重解像度解析して追加の6個の周波数成分に分離し得られた合計12個の各周波数成分の算術平均粗さのうち、最低周波数成分を除く合計11個の算術平均粗さWRa(LLL)からWRa(HHH)の対数を結んだ曲線において、WRa(LML)が0.02μｍ以上0.03μｍ以下であり、且つWRa(LHL)が0.006μｍ以上0.01μｍ以下であり、且つWRa(HLH)が0.001μｍ以下にする。【選択図】図９

Description

本発明は、地肌汚れの抑制に優れた光導電体に関し、さらに地肌汚れの極めて少ない高画質画像を出力する光導電体を用いた画像形成方法、光導電体の製造方法および画像形成装置に関する。

一般に電子写真方式のプリンターや複写機、ファクシミリのような画像形成装置は帯電、露光、現像、転写、クリーニングという一連のプロセスで画像形成が行なわれる。このような画像形成を行う手段には少なくとも帯電手段、画像露光手段、現像手段（特に反転現像手段）、転写手段、クリーニング手段および感光体（光導電体）から構成されている。このような構成の画像形成装置は長期連続使用すると地肌が黒ずんで出力画像の品位を落としてしまう性質があり課題となっている。このような地肌汚れが生じた場合、感光体を新しいものに交換して対処している。近年、プリントコストの削減や環境性能の向上に対する関心が強く、感光体の更なる高耐久化が求められている。

画像形成装置のクリーニング手段として用いられるクリーニング部材には、クリーニングブレードが広く用いられている。クリーニングブレードは板状に成形されたゴム板（ブレード）をアルミニウム板や鉄板等の支持体に固定したものであり、一定の荷重（押圧）が掛けられ、ブレードのエッジが感光体に当接するように設置される。
感光体に当接する手段としては、ブレードエッジが光導電体に対して、カウンタ方向（感光体の回転時にブレードエッジが食い込むようになる方向、すなわち感光体の回転方向とは逆の方向）に当接する方法がクリーニング性に優れる場合が多く一般的である。このカウンタ方法のクリーニングブレードには撓み剛性が得られやすい弾性材料が好ましく用いられる。例えば、ドラム形状の感光体を用いた場合、感光体の駆動（回転）方向に対してカウンタとなるように角度θの位置に設置して、感光体にクリーニングブレードを当接させる。さらに先端を食い込ませるように押付けることによって感光体表面に残留しているトナーを掻き取り、クリーニングを行うことができる。

しかし、この接触条件の下で感光体表面の摩擦係数が上昇すると感光体の回転方向に沿ってクリーニングブレードの先端エッジ面が引きずられて引っ張られる状態となり、引っ張られた位置が感光体表面との間で楔状空間を形成する楔形状となる。そして、ブレード先端が感光体に引きずられて楔形状をなし、楔状空間にトナーが溜まると、ブレード先端が感光体に引きずられて変形した際に発生する応力に伴う弾性復元力によって元の形状に戻る動作が生じる。この現象がスティック・スリップ運動である。画像形成装置内で感光体が駆動するとそれに当接するクリーニングブレードは程度の差こそあれ感光体の駆動方向へ引き込まれ、それを契機にスティック・スリップ運動が発生する。

このスティック・スリップ運動は、クリーニングブレードの弾性による復元力がその光導電体に対する最大静止摩擦力より大きくなる時点で一気に復元状態の方向へ移動し、次いで、復元力が弱まるとクリーニングブレードの移動は停止し、再び、感光体の駆動方向へ引きずられる運動と解釈される。特に設計図面の複写に利用される様な広幅用の画像形成装置では、このようなスティックスリップ運動の安定化を図らないと、トナーがすり抜けることにより見かけの地汚れ（地肌汚れ）をきたしてしまい、頻繁にパーツ類の交換を行う必要が生じてしまう。

一方、光導電体の表面性状を制御することにより、特性の向上を図る技術について種々の提案がなされている。
特許文献１では、電子写真感光体表面の凹凸形状を表面粗さ・輪郭形状測定機により測定して得た一次元データ配列を、ウェーブレット変換して高周波数成分から低周波数成分に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析を行い、更に特定の方法で得られる６個の各周波数成分との合計１２個の各周波数成分の個々の算術平均粗さについて特定の関係を有することにより、電子写真感光体の潤滑剤に対する受容性が改良され、電子写真感光体および画像形成装置の寿命が延命しプリントコストの低減を可能とするとしている。
また、特許文献２では、電子写真感光体表面の凹凸形状を表面粗さ・輪郭形状測定機により測定して得た一次元データ配列を、ウェーブレット変換して高周波数成分から低周波数成分に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析を行い、更に特定の方法で得られる６個の各周波数成分との合計１２個の各周波数成分の個々の算術平均粗さについて特定の関係を有することにより、電子写真感光体に潤滑剤を必要なときに必要量だけを供給でき、クリーニング性の高安定化が図られ、高画質の画像が得られるとしている。
また、特許文献３では、電子写真感光体表面の凹凸形状を表面粗さ・輪郭形状測定機により測定して得た一次元データ配列を、ウェーブレット変換して高周波数成分から低周波数成分に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析を行い、更に特定の方法で得られる６個の各周波数成分との合計１２個の各周波数成分の個々の中心線平均粗さについて特定の関係を有することにより、固体潤滑剤の受容性に優れる感光体が得られ、架橋型樹脂表面層の高い耐摩耗性と、優れた重合トナークリーニング性が享受されるとしている。
また、特許文献４では、導電性支持体と、該導電性支持体上に順に積層されてなる感光層、下地表面層および前記循環型表面層と、を備えた電子写真感光体について、下地表面層の凹凸形状を表面粗さ・輪郭形状測定機により測定して得た一次元データ配列を、ウェーブレット変換して高周波数成分から低周波数成分に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析を行い、更に特定の方法で得られる６個の各周波数成分との合計１２個の各周波数成分の個々の算術平均粗さについて特定の関係を有することが開示されている。

しかし、これら従来技術によっても近年の高画質化および高耐久化に対応できる光導電体が得られていないのが現状であり、さらに地肌汚れが抑制され、耐久性に優れた光導電体が求められていた。

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであり、地肌汚れが抑制され、耐久性に優れた光導電体を提供することを目的とする。

本発明者は、上記課題に対し鋭意検討した結果、以下の手段により上記課題を解決できることを見い出し、本発明を完成するに至った。
すなわち上記課題は、導電性支持体上に感光層を有する光導電体であって、該感光層の表面形状は、
（Ｉ）表面粗さ・輪郭形状測定機により凹凸形状を測定して一次元データ配列を作成し、
（II）該一次元データ配列をウェーブレット変換して、最高周波数成分（ＨＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＨＨＬ）、３番目の周波数成分（ＨＭＨ）、４番目の周波数成分（ＨＭＬ）、５番目の周波数成分（ＨＬＨ）および最低周波数成分（ＨＬＬ）に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−１）を行い、
（III）次いで、得られた６個の周波数成分の中で最低周波数成分（ＨＬＬ）の一次元データ配列に対してデータ配列数が１／１０〜１／１００に減少するように間引きした一次元データ配列を作成し、
（IV）該間引きした一次元データ配列に対して更にウェーブレット変換を行って、最高周波数成分（ＬＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＬＨＬ）、３番目の周波数成分（ＬＭＨ）、４番目の周波数成分（ＬＭＬ）、５番目の周波数成分（ＬＬＨ）および最低周波数成分（ＬＬＬ）に至る追加の６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行い、
（Ｖ）前記（II）および（IV）で得られた合計１２個の各周波数成分の算術平均粗さＷＲａのうち、ＷＲａ（ＨＬＬ）を除く合計１１個の算術平均粗さＷＲａ（ＬＬＬ）からＷＲａ（ＨＨＨ）の対数を左から右に順に線で結ぶ、
ことで得られる曲線において、ＷＲａ（ＬＭＬ）が０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＬＨＬ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１μｍ以下であることを特徴とする光導電体により解決される。
ここで、前記算術平均粗さは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１：２００１で定義される算術平均粗さ（略号；Ｒａ）であり、ＷＲａ（ＨＨＨ）からＷＲａ（ＬＬＬ）はそれぞれ以下の帯域におけるＲａを表す。
ＷＲａ（ＨＨＨ）：凹凸の一周期の長さが０μm〜３μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＨＬ）：凹凸の一周期の長さが１μm〜６μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＭＨ）：凹凸の一周期の長さが２μm〜１３μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＭＬ）：凹凸の一周期の長さが４μm〜２５μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＬＨ）：凹凸の一周期の長さが１０μm〜５０μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＨＨ）：凹凸の一周期の長さが２６μm〜１０６μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＨＬ）：凹凸の一周期の長さが５３μm〜１８３μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＭＨ）：凹凸の一周期の長さが１０６μm〜３１８μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＭＬ）：凹凸の一周期の長さが２１４μm〜５５１μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＬＨ）：凹凸の一周期の長さが４３１μm〜９５４μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＬＬ）：凹凸の一周期の長さが８６７μm〜１６５４μmの帯域におけるＲａ

本発明によれば、地肌汚れが抑制され、耐久性に優れた光導電体が提供される。

本発明の光導電体の構成例を示す断面図である。 本発明の光導電体の別の構成例を示す断面図である。 本発明の光導電体のさらに別の構成例を示す断面図である。 本発明に適用した光導電体の表面粗さ評価装置の一構成例を模式的に示す構成図である。 第一回目および第二回目の多重解像度解析結果に対する演算結果を示すグラフである（ａ）、（ｂ）、（ｃ）。 一回目の多重解像度解析における周波数帯域の分離の図である 一回目の多重解像度解析での最低周波数データのグラフである。 二回目の多重解像度解析における周波数帯域の分離の図である。 表面粗さスペクトルの一例を示すグラフである。 本発明の画像形成方法ならびに画像形成装置を説明するための概略図である。 接線力と法線力の関係を表す概念図である。 プロセスカートリッジを使用した電子写真装置の一例を示す図である。

前述のように本発明における光導電体は、導電性支持体上に感光層を有する光導電体であって、該感光層の表面形状は、
（Ｉ）表面粗さ・輪郭形状測定機により凹凸形状を測定して一次元データ配列を作成し、
（II）該一次元データ配列をウェーブレット変換して、最高周波数成分（ＨＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＨＨＬ）、３番目の周波数成分（ＨＭＨ）、４番目の周波数成分（ＨＭＬ）、５番目の周波数成分（ＨＬＨ）および最低周波数成分（ＨＬＬ）に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−１）を行い、
（III）次いで、得られた６個の周波数成分の中で最低周波数成分（ＨＬＬ）の一次元データ配列に対してデータ配列数が１／１０〜１／１００に減少するように間引きした一次元データ配列を作成し、
（IV）該間引きした一次元データ配列に対して更にウェーブレット変換を行って、最高周波数成分（ＬＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＬＨＬ）、３番目の周波数成分（ＬＭＨ）、４番目の周波数成分（ＬＭＬ）、５番目の周波数成分（ＬＬＨ）および最低周波数成分（ＬＬＬ）に至る追加の６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行い、
（Ｖ）前記（II）および（IV）で得られた合計１２個の各周波数成分の算術平均粗さＷＲａのうち、ＷＲａ（ＨＬＬ）を除く合計１１個の算術平均粗さＷＲａ（ＬＬＬ）からＷＲａ（ＨＨＨ）の対数を左から右に順に線で結ぶ、
ことで得られる曲線において、ＷＲａ（ＬＭＬ）が０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＬＨＬ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１μｍ以下であることを特徴とするものである。
ここで、前記算術平均粗さは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１：２００１で定義される算術平均粗さ（略号；Ｒａ）であり、ＷＲａ（ＨＨＨ）からＷＲａ（ＬＬＬ）はそれぞれ以下の帯域におけるＲａを表す。
ＷＲａ（ＨＨＨ）：凹凸の一周期の長さが０μm〜３μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＨＬ）：凹凸の一周期の長さが１μm〜６μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＭＨ）：凹凸の一周期の長さが２μm〜１３μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＭＬ）：凹凸の一周期の長さが４μm〜２５μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＨＬＨ）：凹凸の一周期の長さが１０μm〜５０μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＨＨ）：凹凸の一周期の長さが２６μm〜１０６μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＨＬ）：凹凸の一周期の長さが５３μm〜１８３μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＭＨ）：凹凸の一周期の長さが１０６μm〜３１８μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＭＬ）：凹凸の一周期の長さが２１４μm〜５５１μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＬＨ）：凹凸の一周期の長さが４３１μm〜９５４μmの帯域におけるＲａ
ＷＲａ（ＬＬＬ）：凹凸の一周期の長さが８６７μm〜１６５４μmの帯域におけるＲａ

画像形成装置のクリーニング手段として用いられるクリーニング部材には、クリーニングブレードが広く用いられているが、スティック・スリップ運動の問題が指摘されていた。スティック・スリップ運動は、クリーニングブレードの弾性による復元力がその光導電体に対する最大静止摩擦力より大きくなる時点で一気に復元状態の方向へ移動し、次いで、復元力が弱まるとクリーニングブレードの移動は停止し、再び、感光体の駆動方向へ引きずられる運動と解釈される。特に設計図面の複写に利用される様な広幅用の画像形成装置では、このようなスティックスリップ運動の安定化を図らないと、トナーがすり抜けることにより見かけの地汚れ（地肌汚れ）をきたしてしまい、頻繁にパーツ類の交換を行う必要が生じてしまう。

これに対し、発明者は光導電体の表面に特定の凸部形状を付与することにより、クリーニングブレードの振動は光導電体表面の凸部形状の周期に応じた振動となり、ブレードの当接が安定し、見かけの地汚れが改善されると考えた。そこで、クリーニングブレードと光導電体との当接が安定する光導電体の表面形状を鋭意検討し、上記の特徴的な表面形状を有する光導電体が地汚れ寿命の向上に有利であることを確かめ、本発明を完成するに至った。
なお、本発明における断面曲線のウェーブレット変換による多重解像度解析については、光導電体の構成を説明した後に詳述する。

感光層２５の表面形状は多重解像度解析（ＭＲＡ−１）と多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行って得られる算術平均粗さＷＲａ（ＬＭＬ：凹凸の一周期の長さが２１４μｍ〜５５１μｍの帯域におけるＲａ）が０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であることが好ましい。
感光層２５の表面形状を特定の形状にすることで長期にわたる地肌汚れの抑制に対し、改良が見られる。同時にＷＲａ（ＬＨＬ：凹凸の一周期の長さが５３μｍ〜１８３μｍの帯域におけるＲａ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下の形状にすることで相乗的な効果が得られる。地肌汚れの抑制には機構の異なる複数の原因で地肌汚れが発生しており、これらの形状が有利に作用すると考えられる。光導電体の長さが９００ｍｍ以上に亘る広幅複写機において顕著な効果が認められている。

感光層２５の表面形状は感光体（光導電体）と接触する部材とのトライボロジー特性に影響する。現像剤との濡れ性（接着力）や、一般にゴム板が用いられるクリーニングブレードとの圧縮応力の伴うせん断応力は感光層２５の表面形状によって変化する。これらの良質なトライボロジー特性が加わると地肌汚れの耐性が十分に発揮されることとなる。また、発明者はＷＲａ（ＬＭＬ）が前記０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であることが有利であることを見出した。０．０２μｍ未満ではブレード摩耗を促進してしまい、結果的に装置のクリーニング性を永らえず出力画像の地肌を汚してしまう。他方、０．０３μｍを超えるとクリーニング手段からトナーがすり抜けてしまい出力画像を汚してしまう。このような特徴は凹凸の一周期の長さが５３μｍ〜１８３μｍの帯域におけるＲａについても観測され、ＷＲａ（ＬＨＬ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下であることが極めて有利な形状であることを特定した。また、ＷＲａ（ＨＬＨ）はブレードのせん断力に影響し０．００１μｍ以下が特にクリーニングに優れる特性であることを見出した。これよりも大きいとブレードが巻き込みやすくなり、潤滑剤を併用する等の対処が必要となる。なお、本発明においては、少数点４桁以下を丸めてＷＲａ（ＨＬＨ）の値としている。
このような表面形状は有機感光体で最も一般的な製造方法であるディッピング塗工では形成できない。ディッピング塗工で形成されるＷＲａ（ＬＭＬ）とＷＲａ（ＬＨＬ）はそれぞれ、高くても０．０１μｍ、０．００３μｍ程度である。

以下、光導電体の構成により、本発明を説明する。本発明の光導電体は少なくとも導電性支持体２１上に感光層２５を有し、必要に応じてその他の層、例えば中間層２３や保護層３１等を有していてもよく、中でも中間層２３を有することが好ましい。また、感光層２５は厚み方向に電荷発生層２７および電荷輸送層２９を積層する構成であってもよい。
図１は、本発明の光導電体の構成例を示す断面図であり、導電性支持体２１上に、中間層２３と感光層２５を積層した構成となっている。図１の構成において、感光層２５は電荷発生と電荷輸送との機能が分離されない単層型からなる。
図２は本発明の光導電体の別の構成例を示す断面図であり、導電性支持体２１上に、中間層２３とこの上に電荷発生層２７と電荷輸送層２９を積層した構成をとっている。図２の構成において、感光層２５は電荷発生層２７と電荷輸送層２９とに機能が分離された積層型からなる。
図３は、本発明の光導電体のさらに別の構成例を示す断面図であり、図２に示す構成の電荷輸送層２９の上に保護層３１を設けたものである。

＜導電性支持体＞
導電性支持体２１としては、体積抵抗１０^１０Ω・ｃｍ以下の導電性を示すもの、例えば、アルミニウム、ニッケル、クロム、ニクロム、銅、金、銀、白金などの金属、酸化スズ、酸化インジウムなどの金属酸化物を蒸着またはスパッタリングにより、フィルム状もしくは円筒状のプラスチック、紙に被覆したもの、あるいは、ニッケル、ステンレスなどの板およびそれらを押し出し、引き抜きなどの工法で素管化後、切削、超仕上げ、研磨などの表面処理した管などを使用することができる。
アルミ素管についてはＪＩＳ３００３系、ＪＩＳ５０００系、ＪＩＳ６０００系等のアルミニウム合金を、ＥＩ法、ＥＤ法、ＤＩ法、ＩＩ法など一般的な方法により管状に成形を行なったもの、さらにはダイヤモンドバイト等による表面切削加工や研磨、陽極酸化処理等を行なったものを用いることができる。

また、特公昭５２−３６０１６号公報に開示されたエンドレスニッケルベルト、エンドレスステンレスベルトも導電性支持体２１として用いることができる。また、前述したように導電性支持体のコストダウンのために無切削アルミニウム管が用いられることがある。
このための無切削アルミニウム管としては、特開平３−１９２２６５号公報に記載されているように、アルミニウム円板を深絞り加工してカップ状とした後、外表面をしごき加工によって仕上げたＤＩ管、アルミニウム円板をインパクト加工してカップ状とした後、外表面をしごき加工によって仕上げたＩＩ管、アルミニウム押出管の外表面をしごき加工によって仕上げたＥＩ管、押出加工後冷間引抜き加工したＥＤ管が知られている。
これらの無切削アルミニウム管は、上記したようにモアレ等の異常画像が発生しやすいものであるが、本発明によれば、後記する実施例からも明らかなように、無切削アルミニウム管を使用してもモアレ等の異常画像が発生せず、本発明においてはこれらの無切削アルミニウム管を用いて、高画質で耐久性に優れた光導電体とすることができる。

この他、さらに近年ではプラスチックを加工した支持体上に導電性粉体を適当な結着樹脂に分散して塗工したものも、本発明における導電性支持体２１として用いることができる。この導電性粉体としては、カーボンブラック、アセチレンブラック、またアルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀などの金属粉、あるいは導電性酸化チタン、導電性酸化スズ、ＩＴＯなどの金属酸化物粉などが挙げられる。
また、同時に用いられる結着樹脂には、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂などの熱可塑性、熱硬化性樹脂または光硬化性樹脂が挙げられる。
このような導電性層は、これらの導電性粉体と結着樹脂を適当な溶剤、例えば、テトラヒドロフラン、ジクロロメタン、２−ブタノン、トルエンなどに分散して塗布することにより設けることができる。

さらに、適当な円筒基体上にポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、塩化ゴム、ポリテトラフロロエチレン系フッ素樹脂などの素材に前記導電性粉体を含有させた熱収縮チューブによって導電性層を設けてなるものも、本発明における導電性支持体２１として良好に用いることができる。

＜中間層＞
中間層２３は、金属酸化物とバインダー樹脂（「結着樹脂」、または「樹脂」と呼称することがある。）を溶媒中に含む中間層用塗工液を用いて成膜することができる。中間層２３の造形は中間層用塗工液を塗布した後に適度に乾かしつつ重ね塗りすることで形成することもできる。その際、中間層用塗工液にシクロヘキサノンを混合すると造形しやすく有利であり、このような易造形性はシクロヘキサノンの沸点や粘度が作用していると想定される。

金属酸化物としては、酸化チタン、酸化亜鉛やこれらを表面処理したもの等が挙げられる。
中間層２３は金属酸化物とバインダー樹脂を主成分とするが、これらの樹脂はその上に感光層２５を溶剤で塗布することを考えると、一般の有機溶剤に対して耐溶剤性の高い樹脂であることが望ましい。
このような樹脂としては、ポリビニルアルコール、カゼイン、ポリアクリル酸ナトリウム等の水溶性樹脂、共重合ナイロン、メトキシメチル化ナイロン等のアルコール可溶性樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド−メラミン樹脂、エポキシ樹脂等、三次元網目構造を形成する硬化型樹脂等が挙げられる。

また、金属酸化物と樹脂の重量比は、金属酸化物／樹脂＝３／１〜８／１であることが好ましい。３／１未満であると中間層２３のキャリア輸送能が低下し残留電位が生じたり、光応答性が低下したりするようになる。８／１を超えると中間層２３中の空隙が増大し、中間層２３上に感光層２５を塗工した場合に気泡が生じるようになる。

中間層２３の膜厚は１．０μｍ〜１０μｍが適当である。より好ましくは４μｍ以上から７μｍ以下が適当である。

＜感光層＞
次に感光層２５について説明する。感光層２５は積層構造でも単層構造でもよい。なおここで言う積層構造と単層構造というのは層の数を規定したものではなく、積層構造というのは、感光層が電荷発生機能を有する電荷発生層２７と電荷輸送機能を有する電荷輸送層２９との積層から構成されているもののことを意味する。また、単層構造というのは、感光層２５が電荷発生機能と電荷輸送機能を同時に有する層のもののことを意味する。

−電荷発生層−
電荷発生層２７は少なくとも電荷発生物質と必要に応じて結着樹脂を含有する。
結着樹脂はポリアミド、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリケトン、ポリカーボネート、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルケトン、ポリスチレン、ポリスルホン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリアクリルアミド、ポリビニルベンザール、ポリエステル、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリフェニレンオキシド、ポリアミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等が挙げられる。
結着樹脂の量は電荷発生物質１００重量部に対し０〜５００重量部、好ましくは１０〜３００重量部が適当である。

電荷発生物質は金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン系顔料、アズレニウム塩顔料、スクエアリツク酸メチン顔料、ペリレン系顔料、アントラキノン系または多環キノン系顔料、キノンイミン系顔料、ジフェニルメタンおよびトリフェニルメタン系顔料、ベンゾキノンおよびナフトキノン系顔料、シアニンおよびアゾメチン系顔料、インジゴイド系顔料、ビスベンズイミダゾール系顔料、モノアゾ顔料、ビスアゾ顔料、非対称ジスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、テトラアゾ顔料等のアゾ顔料を用いることができる。

電荷発生層２７は電荷発生層用塗工液（塗工液）を中間層２３上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。塗工液は、少なくとも電荷発生物質および必要に応じて結着樹脂を適当な溶剤中に、ボールミル、アトライター、サンドミル、超音波などを用いて分散して調製することができる。
ここで用いられる溶剤としては、例えば、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、エチルセルソルブ、酢酸エチル、酢酸メチル、ジクロロメタン、ジクロロエタン、モノクロロベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、リグロイン等が挙げられる。
塗工液の塗工法としては、浸漬塗工法、スプレーコート、ビートコート、ノズルコート、スピナーコート、リングコート等の方法を用いることができる。
電荷発生層２７の膜厚は、０.０１μｍ〜５μｍ程度が適当であり、好ましくは０.１μｍ〜２μｍである。

−電荷輸送層−
電荷輸送層２９は電荷輸送物質を主成分としてなる層であり、電荷輸送層用塗工液を電荷発生層２７上に塗布し、乾燥することにより形成することができる。また、電荷輸送層２９は構成材料を変えて２層以上の複数の層として形成することもできる。電荷輸送層用塗工液は、電荷輸送物質およびバインダー樹脂を適当な溶剤中に溶解あるいは分散して調製することができる。
適当な溶剤としては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジオキソラン、アニソール、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン、塩化メチレン、シクロヘキサノン等が挙げられる。

電荷輸送物質には、正孔輸送物質と電子輸送物質とがある。
電子輸送物質としては、例えば、クロルアニル、ブロムアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，４，８−トリニトロチオキサントン、２，６，８−トリニトロ−４Ｈ−インデノ［１，２−ｂ］チオフェン−４−オン、１，３，７−トリニトロジベンゾチオフェン−５，５−ジオキサイド、３，５−ジメチル−３′，５′−ジターシヤリーブチル−４，４′−ジフェノキノン、その他ベンゾキノン誘導体などの公知の電子受容性物質が挙げられる。これらの電子輸送物質は単独または２種以上の混合物として用いることができる。
正孔輸送物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリシラン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、モノアリールアミン誘導体、ジアリールアミン誘導体、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、α−フェニルスチルベン誘導体、ベンジジン誘導体、ジアリールメタン誘導体、トリアリールメタン誘導体、９−スチリルアントラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体、ヒドラゾン誘導体、インデン誘導体、ブタジエン誘導体、ピレン誘導体、ビススチルベン誘導体、エナミン誘導体、チアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェナジン誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チオフェン誘導体などが挙げられ、これらの正孔輸送物質は単独または２種以上の混合物として用いることができる。

電荷輸送層２９に用いられる結着樹脂としては、ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリアリレート、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート（ビスフェノ−ルＡ型、ビスフェノ−ルＺ型等）、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂や、各種ポリカーボネート共重合体（例えば、特開平５−１５８２５０号公報、特開平６−５１５４４号公報等に記載）等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。
本発明では、熱可塑性樹脂が含まれることが好ましい。このうち、ビスフェノールＺ型ポリカーボネートは機械強度に強く、光導電体の帯電性と感度特性に有利に作用し特に有効であるため好ましい。中でも粘度平均分子量４００００以上５００００未満のビスフェノールＺ型ポリカーボネートは光導電体とクリーニングブレードとのトライボロジー特性を改良する表面形状の造形に有利であることから特に好ましい材料である。市販品としては、帝人化学社製ＴＳ−２０４０、三菱エンジニアリングプラスチックス社製ユーピロンＺ４００等が挙げられる。

また、電荷輸送層２９に用いられる結着樹脂としては、結着樹脂としての機能および電荷輸送物質としての機能を有する高分子電荷輸送物質を用いることもできる。このような高分子電荷輸送物質としては、下記のような化合物が例示できる。
（ａ）主鎖および／または側鎖にカルバゾール環を有する重合体（例えば、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、特開昭５０−８２０５６号公報、特開昭５４−９６３２号公報、特開昭５４−１１７３７号公報、特開平４−１８３７１９号公報に記載の化合物など。）
（ｂ）主鎖および／または側鎖にヒドラゾン構造を有する重合体（例えば、特開昭５７−７８４０２号公報、特開平３−５０５５５号公報に記載の化合物など。）
（ｃ）ポリシリレン重合体（例えば、特開昭６３−２８５５５２号公報、特開平５−１９４９７号公報、特開平５−７０５９５号公報に記載の化合物など。）
（ｄ）主鎖および／または側鎖に第３級アミン構造を有する重合体（例えば、Ｎ，Ｎ−ビス（４−メチルフェニル）−４−アミノポリスチレン、特開平１−１３０６１号公報、特開平１−１９０４９号公報、特開平１−１７２８号公報、特開平１−１０５２６０号公報、特開平２−１６７３３５号公報、特開平５−６６５９８号公報、特開平５−４０３５０号公報に記載の化合物など。）
結着樹脂の使用量は、電荷輸送物質１００重量部に対して０〜２００重量部が適当である。

また、電荷輸送層２９には、必要により可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤などを添加することもでき、特に可塑剤を含むことが好ましい。
可塑剤としては、例えば、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフタレン、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、トリクレジルホスフェート等やポリエステル等の重合体および共重合体などが挙げられる。可塑剤の中でも１，４−ビス（２，５−ジメチルベンジル）ベンゼンは光導電体とクリーニングブレードとのトライボロジー特性を改良する表面形状の造形に有利であること、ガスバリア性を高める効果が高く光導電体の耐ガス性の向上に有利であること、光導電体の感度特性に有利に作用することから、本発明ではとりわけ有利な材料である。可塑剤の使用量はバインダー樹脂１００重量部に対して３０重量部以下が適当である。

レベリング剤としては、ジメチルシリコーンオイル、メチルフェニルシリコーンオイルなどのシリコーンオイル類や、側鎖にパーフルオロアルキル基を有するポリマーあるいはオリゴマーが使用され、その使用量は、バインダー樹脂１００重量部に対して１重量部以下が適当である。
また、オゾン・ＮＯｘ等の酸化性ガスに対する耐環境性の改善のため、酸化防止剤を添加することができる。酸化防止剤は、有機物を含む層ならばいずれに添加してもよいが、電荷輸送物質を含む層に添加すると良好な結果が得られる。
酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール系化合物、硫黄系化合物、燐系化合物、ヒンダードアミン系化合物、ピリジン誘導体、ピペリジン誘導体、モルホリン誘導体等の酸化防止剤を使用でき、その使用量は結着樹脂１００重量部に対して５重量部以下が適当である。
このようにして形成される電荷輸送層２９の膜厚は、５〜５０μｍ程度が適当である。好ましくは２０〜４０μｍ、更に好ましくは２５〜３５μｍである。
なお、単層構造の場合は、感光層２５に熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、可塑剤、レベリング剤、酸化防止剤などを添加することができる。

＜保護層＞
保護層３１には、耐摩耗性を向上させる目的でポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素樹脂、シリコーン樹脂、また酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、シリカおよびそれらの表面処理品等の無機材料を添加することができ、さらに電荷輸送物質を加えたものを用いることができる。
保護層３１の形成法としては、通常の塗布法を用いることができる。なお、保護層３１の厚さは０．１μｍ〜１０μｍが適当である。
また、以上の他に真空薄膜作成法にて形成したａ−Ｃ、ａ−ＳｉＣなどの公知の材料も保護層３１として用いることができる。

本発明においては感光層２５と保護層３１との間に別の中間層（図示せず）を設けることも可能である。
前記別の中間層は一般に樹脂を主成分として用いる。これら樹脂としてはポリアミド、アルコール可溶性ナイロン樹脂、水溶性ブチラール樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコール等が挙げられる。前記別の中間層の形成法としては、前述のごとく通常の塗布法を用いることができる。なお、膜厚は０．０５〜２μｍが適当である。

また、本発明において、前記光導電体中にシクロヘキサノンが１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の割合で含有されていることが好ましい。この範囲を満たしている場合、後述する乾燥条件が適正であることを示し、耐久性をより向上させることができる。

＜感光層の表面形状＞
前述のように、本発明の光導電体における感光層２５の表面形状は、以下の手順で測定され解析される。なお、感光層２５が電荷輸送層２９および電荷発生層２７からなる場合において、電荷輸送層２９の表面形状を測定する場合も同様である。
（Ｉ）表面粗さ・輪郭形状測定機により凹凸形状を測定して一次元データ配列を作成する。
（II）該一次元データ配列をウェーブレット変換して、最高周波数成分（ＨＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＨＨＬ）、３番目の周波数成分（ＨＭＨ）、４番目の周波数成分（ＨＭＬ）、５番目の周波数成分（ＨＬＨ）および最低周波数成分（ＨＬＬ）に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−１）を行う。
（III）次いで、得られた６個の周波数成分の中で最低周波数成分（ＨＬＬ）の一次元データ配列に対してデータ配列数が１／１０〜１／１００に減少するように間引きした一次元データ配列を作成する。
（IV）該間引きした一次元データ配列に対して更にウェーブレット変換を行って、最高周波数成分（ＬＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＬＨＬ）、３番目の周波数成分（ＬＭＨ）、４番目の周波数成分（ＬＭＬ）、５番目の周波数成分（ＬＬＨ）および最低周波数成分（ＬＬＬ）に至る追加の６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行う。
（Ｖ）前記（II）および（IV）で得られた合計１２個の各周波数成分の算術平均粗さのうち、ＷＲａ（ＨＬＬ）を除く合計１１個の算術平均粗さＷＲａ（ＬＬＬ）からＷＲａ（ＨＨＨ）の対数を左から右に順に線で結ぶ。
得られた曲線からＷＲａ（ＬＬＨ）、ＷＲａ（ＬＨＨ）を規定する。
上記手順は電荷輸送層２９の表面形状の解析においても同様であり、得られた曲線からＷＲａ（ＬＬＨ）を規定する。

以下に、光導電体の感光層２５における断面曲線の多重解像度解析（電荷輸送層２９の場合も同様）について詳しく説明する。
本発明ではまず、感光層２５の表面形状についてＪＩＳ Ｂ０６０１に定める断面曲線を求め、その断面曲線である一次元データ配列を得る。
この断面曲線である一次元のデータ配列は、表面粗さ・輪郭形状測定機からデジタル信号として得てもよく、あるいは表面粗さ・輪郭形状測定機のアナログ出力をＡ／Ｄ変換して得てもよい。

本発明において、一次元データ配列を得るための断面曲線の測定長さはＪＩＳ規格に定める測定長さであることが好ましく、８ｍｍ以上、２５ｍｍ以下が好ましい。
また、サンプリング間隔は、１μｍ以下がよく、好ましくは０．２μｍ以上、０．５μｍ以下がよい。例えば、測定長１２ｍｍをサンプリング点数３０７２０点で測定する場合、サンプリング間隔は０．３９０６２５μｍとなり、本発明を実施するのに好適である。

前述のように、この一次元データ配列を、ウェーブレット変換（ＭＲＡ−１）して高周波数成分（ＨＨＨ）から低周波数成分（ＨＬＬ）に至る複数の周波数成分［例えば（ＨＨＨ）（ＨＨＬ）（ＨＭＨ）（ＨＭＬ）（ＨＬＨ）（ＨＬＬ）の６成分］に分離する多重解像度解析を行う。
更に、ここで得た最低周波数成分（ＨＬＬ）を間引きした一次元データ配列を作り、この間引きされた一次元データ配列に対して更にウェーブレット変換（ＭＲＡ−２）を行って、高周波数成分から低周波数成分に至る複数の周波数成分［例えば（ＬＨＨ）、（ＬＨＬ）（ＬＭＨ）（ＬＭＬ）（ＬＬＨ）（ＬＬＬ）の６成分］に分離する多重解像度解析を行い、得た各周波数成分（１２成分）に対して、算術平均粗さ（ＷＲａ）を求めたが、一般のＲａと区別するために、本明細書ではこの粗さをＷＲａと称することとする。

本発明においては、実際のウェーブレット変換はソフトウエアＭＡＴＬＡＢを使用している。帯域幅の定義はソフトウエア上の制約であって、この定義する範囲に格別の意味はない。また、ＷＲａは上記の理由（帯域幅の定義の理由）に因るため、帯域幅が変わればそれに応じて係数は変化する。

そして、ＨＭＬ成分とＨＬＨ成分、ＬＨＬ成分とＬＭＨ成分、ＬＭＨ成分とＬＭＬ成分、ＬＭＬ成分とＬＬＨ成分、ＬＬＨ成分とＬＬＬ成分の個々の帯域は、周波数帯域がオーバーラップしているが、オーバーラップの理由は、次のとおりである。
すなわち、ウェーブレット変換では、元の信号を一回目のウェーブレット変換（Ｌｅｖｅｌ １）でＬ（Ｌｏｗ−ｐａｓｓ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）とＨ（Ｈｉｇｈ−ｐａｓｓ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）に分解し、更に、このＬに関して、ウェーブレット変換を施すことでＬＬとＨＬに分解する。ここで、元の信号に含まれる周波数成分ｆが、分離する周波数Ｆと一致した場合は、ｆは丁度分離の境界になるので、分離後は、ＬとＨの両方の、それぞれに分離される。この現象は、多重解像度解析では不可避な現象である。そこで、観察したい周波数帯域がこのようにウェーブレット変換の際に分離されてしまわないように、元の信号に含まれる周波数を設定することも重要である。

［ウェーブレット変換（多重解像度解析）、各周波数波の記号］
本発明では２回のウェーブレット変換を行うが、最初のウェーブレット変換を第一回目のウェーブレット変換（便宜上、ＭＲＡ−１と記すことがある）、その後のウェーブレット変換を第二回目のウェーブレット変換（便宜上、ＭＲＡ−２と記すことがある）と呼ぶことにする。一回目と二回目の変換を区別するため、便宜上、各周波数帯域の略号に接頭語として、Ｈ（一回目）とＬ（二回目）を付ける。
ここで、第一回目、および第二回目のウェーブレット変換に使用するマザーウェーブレット関数としては各種のウェーブレット関数が使用可能であり、例えば、ドビッシー（Ｄａｕｂｅｃｉｅｓ）関数、ハール（ｈａａｒ）関数、メーヤー（Ｍｅｙｅｒ）関数、シムレット（Ｓｙｍｌｅｔ）関数、そしてコイフレット（Ｃｏｉｆｌｅｔ）関数等が使用可能である。ここでＤａｕｂｅｃｉｅｓはドベシィまたはドブシーと表記することがある。本発明ではハール関数を用いているが、必ずしもこれに制約される必要はない。

また、ウェーブレット変換して高周波数成分から低周波数成分に至る複数の周波数成分に分離する多重解像度解析を行う場合、その成分数は４以上、８以下がよく、好ましくは６である。
本発明において、第一回目のウェーブレット変換を行って、複数の周波数成分に分離し、ここで得た最低周波数成分を間引きしつつ取り出（サンプリング）して最低周波数成分データを反映した一次元データ配列を作り、この一次元データ配列に対して第二回目のウェーブレット変換を行って、高周波数成分から低周波数成分に至る複数の周波数成分に分離する多重解像度解析を行う。

ここで、第一回目のウェーブレット変換（ＭＲＡ−１）結果で得た最低周波数成分（ＨＬＬ）に対して行う間引きは、データ配列数を、１／１０から１／１００にすることが特徴である。
データ間引きは、データの周波数を上げる（横軸の対数目盛幅を拡げる）効果があり、例えば、第一回目のウェーブレット変換結果で得た一次元配列の配列数が３００００であった場合、１／１０の間引きを行うと、配列数が３０００になる。
この場合、間引きが１／１０より小さいと、例えば、１／５であると、データの周波数を上げる効果が少なく、第２回のウェーブレット変換を行い、多重解像度解析を行ってもデータはよく分離されない。また、間引きが１／１００より大きいとデータの周波数が高くなりすぎ、第２回のウェーブレット変換を行い、多重解像度解析を行ってもデータは高周波成分に集中してよく分離されない。
間引きの仕方は、例えば、間引きを１／１００とする場合、１００個のデータの平均値を求め、その平均値を代表の１点としている。

図４は本発明に適用した光導電体の表面粗さ評価装置の一構成例を模式的に示す構成図である。図４中、４１は光導電体、４２は表面粗さを測定するプローブ付き治具、４３は上記治具４２を測定対象に沿って移動させる機構（プローブの移動手段）、４４は表面粗さ・輪郭形状測定機（表面粗さ計）、４５は信号解析を行うパーソナルコンピューター（コンピューター）である。図４において、コンピューター４５によって上記の多重解像度解析の計算が行われる。光導電体がシリンダー形状の場合、光導電体の表面粗さ測定は周方向でも長手方向でも適当な方向について計測することができる。

図４は一例として示したものであり、構成は他の構成によってもかまわない。例えば、多重解像度解析はパーソナルコンピューターではなく、専用の数値計算プロセッサで行ってもよい。また、この処理を表面粗さ・輪郭形状測定機自体で行ってもよい。結果の表示は各種の方法が使用可能であり、ＣＲＴや液晶画面に表示してもよく、あるいは印字出力を行ったりしてもよい。また、他の装置に電気信号として送信してもよく、ＵＳＢメモリやＭＯディスクに保存してもよい。

本発明における測定では、表面粗さ・輪郭形状測定機として東京精密社製Ｓｕｒｆｃｏｍ １４００Ｄを使用し、コンピューターにはＩＢＭ社製パーソナルコンピューターを使用し、Ｓｕｒｆｃｏｍ １４００ＤとＩＢＭ製パーソナルコンピューターの間はＲＳ−２３２−Ｃケーブルで接続した。Ｓｕｒｆｃｏｍ １４００Ｄからパーソナルコンピューターに送られた表面粗さデータの処理とその多重解像度解析計算は、本発明者等がＣ言語で作成したソフトウエアで行った。

次に、本発明の光導電体における電荷輸送層の表面形状の多重解像度解析の手順について具体例によって説明する（感光層の表面形状の場合も同様）。
まず、光導電体の表面形状を東京精密製Ｓｕｒｆｃｏｍ １４００Ｄで測定した。
ここで、一回の測定長は１２ｍｍであり、総サンプリング点数は３０７２０であった。一度の測定では、これを四カ所測定した。測定した結果はパーソナルコンピューターに取り込み、これを本発明者等の作成したプログラムにより第一回目のウェーブレット変換と、そこで得た最低周波数成分に対する１／４０の間引き処理、そして、第二回目のウェーブレット変換を行った。
このようにして得た第一回目、および第二回目の多重解像度解析結果に対し、算術平均粗さＲａ、最大高さＲｍａｘ、十点平均粗さＲｚを求めた。演算結果の一例を図５に示す。

図５において、図５（ａ）のグラフはＳｕｒｆｃｏｍ １４００Ｄで測定して得た元のデータであり、粗さ曲線、あるいは断面曲線と呼ぶ場合もある。
図５には１４個のグラフがあるが、縦軸は表面形状の変位であり単位はμｍである。また横軸は長さであり、目盛は付けていないが測定長は１２ｍｍである。
従来の表面粗さ測定では図５（ａ）から算術平均粗さＲａ、最大高さＲｍａｘ、Ｒｚ等を求めていた。

また、図５（ｂ）の６個のグラフは第一回目の多重解像度解析（ＭＲＡ−１）結果であり、最も上にあるのが最高周波成分（ＨＨＨ）のグラフ、最も下にあるのが、最低周波数成分（ＨＬＬ）のグラフである。
ここで、図５（ｂ）において最も上にあるグラフ１０１は一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分であり、本発明ではこれをＨＨＨと呼ぶ。
・グラフ１０２は、一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より１つ低い周波数成分（２番目の周波数成分）であり、本発明ではこれをＨＨＬと呼ぶ。
・グラフ１０３は、一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より２つ低い周波数成分（３番目の周波数成分）であり、本発明ではこれをＨＭＨと呼ぶ。
・グラフ１０４は、一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より３つ低い周波数成分（４番目の周波数成分）であり、本発明ではこれをＨＭＬと呼ぶ。
・グラフ１０５は、一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より４つ低い周波数成分（５番目の周波数成分）であり、本発明ではこれをＨＬＨと呼ぶ。
・グラフ１０６は、一回目の多重解像度解析結果の最低周波数成分であり、本発明ではこれをＨＬＬと呼ぶ。

本発明において、図５（ａ）のグラフはその周波数によって、図５（ｂ）の６個のグラフに分離するが、その周波数分離の状態を図６に示す。
図６の横軸は凹凸の形状が正弦波とした場合の、長さ１ｍｍ当たりに出現する凹凸数である。また、縦軸は、各帯域に分離された場合の割合を示すものである。
図６において、１２１は一回目の多重解像度解析（ＭＲＡ−１）における最高周波成分（ＨＨＨ）の帯域、１２２は一回目の多重解像度解析における最高周波成分より１つ低い周波数成分［２番目の周波数成分］（ＨＨＬ）の帯域、１２３は一回目の多重解像度解析における最高周波成分より２つ低い周波数成分［３番目の周波数成分］（ＨＭＨ）の帯域、１２４は一回目の多重解像度解析における最高周波成分より３つ低い周波数成分［４番目の周波数成分］（ＨＭＬ）の帯域、１２５は一回目の多重解像度解析における最高周波成分より４つ低い周波数成分［５番目の周波数成分］（ＨＬＨ）の帯域、１２６は一回目の多重解像度解析における最低周波数成分（ＨＬＬ）の帯域である。

図６をより詳細に説明すると、１ｍｍ当たりの凹凸数が２０個以下の場合は、すべてグラフ１２６に出現することを示す。例えば、凹凸数が１ｍｍ当たり１１０個の場合、グラフ１２４に最も強く出現し、これは図５（ｂ）においてはＨＭＬに出現する。また、凹凸数が１ｍｍ当たり２２０個の場合、グラフ１２３に最も強く出現し、これは図５（ｂ）においては、ＨＭＨに出現することを示している。また、凹凸数が１ｍｍ当たり３１０個の場合、グラフ１２２と１２３に出現し、これは図５（ｂ）においては、ＨＨＬとＨＭＨの両方に出現することを示している。したがって、表面粗さの周波数によって、図５（ｂ）の６本のグラフでどこに現われるか決まってくる。言い換えると、表面粗さにおいて、細かなザラツキは図５（ｂ）において上の方のグラフに出現し、大きな表面うねりは図５（ｂ）において下の方のグラフに出現する。

本発明ではこのように、表面粗さをその周波数によって分解する。これをグラフとしたものが図５（ｂ）であるが、この周波数帯域ごとグラフからそれぞれの周波数帯域での表面粗さを求める。ここで、表面粗さとしては、算術平均粗さ、最大高さ、十点平均粗さを計算することが可能である。
このようにして、図５（ｂ）では、それぞれのグラフに、算術平均粗さＷＲａ、最大高さＷＲｍａｘ、十点平均粗さＷＲｚを数値で示している。
ウェーブレット変換によって得られた粗さ曲線の算術平均粗さＲａ、最大高さＲｍａｘ、および十点平均粗さＲｚの語頭に一般的な表記と区別するためＷを付加している。
本発明ではこのように表面粗さ・輪郭形状測定機で測定したデータをその周波数によって複数のデータに分離するので、各周波数帯域における凹凸変化量を測定できる。

さらに本発明では、このように周波数によって図５（ｂ）のように分離したデータから、最も低い周波数、すなわちＨＬＬのデータを間引きする。
本発明では間引きをどのようにするか、すなわち何個のデータから取り出すか実験によって決めればよく、間引き数を最適にすることによって図６に示す多重解像度解析における周波数帯域分離を最適化することが可能となり、目的とする周波数をその帯域の中心にとることが可能になる。

図５では４０個から１個のデータを取る間引きを行った。間引きした結果を図７に示す。図７では縦軸は表面凹凸であり、単位はμｍである。また横軸に目盛は付けていないが、長さ１２ｍｍである。

本発明では図７のデータを更に多重解像度解析する。すなわち二回目の多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行う。
図５（ｃ）の６個のグラフは第二回目の多重解像度解析（ＭＲＡ−２）結果であり、最も上にあるグラフ１０７は、二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分であり、これをＬＨＨと呼ぶ。
グラフ１０８は、二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より１つ低い周波数成分（２番目の周波数成分）であり、これをＬＨＬと呼ぶ。
グラフ１０９は、二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より２つ低い周波数成分（３番目の周波数成分）であり、これをＬＭＨと呼ぶ。
グラフ１１０は、二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より３つ低い周波数成分（４番目の周波数成分）であり、これをＬＭＬと呼ぶ。
グラフ１１１は、二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より４つ低い周波数成分（５番目の周波数成分）であり、これをＬＬＨと呼ぶ。
グラフ１１２は、二回目の多重解像度解析結果の最低周波数成分であり、これをＬＬＬと呼ぶ。

本発明において、図５（ｃ）では、その周波数によって、６個のグラフに分離しているが、その周波数分離の状態を図８に示す。
図８に示す横軸は凹凸の形状が正弦波とした場合の、長さ１ｍｍ当たりに出現する凹凸数である。また、縦軸は各帯域に分離された場合の割合を示すものである。

図８において、１２７は二回目の多重解像度解析における最高周波成分（ＬＨＨ）の帯域、１２８は二回目の多重解像度解析における最高周波成分より１つ低い周波数成分［２番目の周波数成分］（ＬＨＬ）の帯域、１２９は二回目の多重解像度解析における最高周波成分より２つ低い周波数成分［２番目の周波数成分］（ＬＭＨ）の帯域、１３０は二回目の多重解像度解析における最高周波成分より３つ低い周波数成分［４番目の周波数成分］（ＬＭＬ）の帯域、１３１は二回目の多重解像度解析における最高周波成分より４つ低い周波数成分［５番目の周波数成分］（ＬＬＨ）の帯域、１３２は二回目の多重解像度解析における最低周波数成分（ＬＬＬ）の帯域である。
図８をより詳細に説明すると、１ｍｍ当たりの凹凸数が０．２個以下の場合は、すべてグラフ１３２に出現することを示す。

例えば、凹凸数が１ｍｍ当たり１１個の場合、グラフ１２８が最も高くなっているが、これは、二回目の多重解像度解析における最高周波成分より１つ低い周波数成分の帯域に最も強く出現することを示しており、図５（ｃ）においては、ＬＭＬに出現することを示している。
したがって、表面粗さの周波数によって、図５（ｃ）の６本のグラフでどこに現われるか決まってくる。
言い換えると、表面粗さにおいて、細かなザラツキは図５（ｃ）において上の方のグラフに出現し、大きな表面うねりは図５（ｃ）において下の方のグラフに出現する。
本発明ではこのように、表面粗さをその周波数によって分解する。これをグラフとしたものが図５（ｃ）であるが、この周波数帯域ごとグラフからそれぞれの周波数帯域での表面粗さを求める。ここで、表面粗さとしては、算術平均粗さＲａ（ＷＲａ）、最大高さＲｍａｘ（ＷＲｍａｘ）、十点平均粗さＲｚ（ＷＲｚ）を計算することが可能である。

このようにして電子写真感光体表面の凹凸形状を表面粗さ・輪郭形状測定機により測定して得た一次元データ配列を、ウェーブレット変換して高周波数成分から低周波数成分に至る複数の周波数成分に分離する多重解像度解析を行い、更に、ここで得た最低周波数成分を間引きした一次元データ配列を作り、この一次元データ配列に対して更にウェーブレット変換を行って、高周波数成分から低周波数成分に至る複数の周波数成分に分離する多重解像度解析を行い、得た各周波数成分に対して、算術平均粗さＲａ（ＷＲａ）、最大高さＲｍａｘ（ＷＲｍａｘ）、十点平均粗さＲｚ（ＷＲｚ）を求めた結果を表１に示す。

先の図５の断面曲線について、本発明の多重解像度解析結果から求めた算術平均粗さ（ＷＲａ）を各信号順にプロットして線で結び、プロファイルを得る。ここで、ＨＬＬ成分は算術上、突出した値になるため、この帯域の多重解像度解析結果から求めた表面粗さを省略している。本発明ではこのプロファイルを表面粗さスペクトルまたは粗さスペクトルと称する。尚、省略するＨＬＬの粗さ曲線を対象にウェーブレット変換したものがＬＨＨ成分かＬＬＬ成分になるため、ＨＬＬに関する情報がＬＨＨ成分かＬＬＬ成分に反映されるため、ＨＬＬ成分を省略しても問題にはならない。
表面粗さスペクトルの一例を図９に示す。本発明では、得られた合計１２個の各周波数成分の算術平均粗さのうち、ＷＲａ（ＨＬＬ）を除く合計１１個の算術平均粗さから、ＷＲａ（ＬＭＬ）とＷＲａ（ＬＨＬ）を評価して表面形状を判断する。感光層２５は、ＷＲａ（ＬＭＬ）が０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＬＨＬ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１μｍ以下であることが必要である。
なお、図９では、ＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１０９７μｍである例が示されているが、数値を丸めることでＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１μｍ以下となり、本発明に含まれるものである。

また、感光層２５が電荷発生層２７および電荷輸送層２９の積層構造である場合、電荷輸送層２９が、感光層２５の表面形状と同様の多重解像度解析（ＭＲＡ−１）と多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行って得られる算術平均粗さＷＲａ（ＬＭＬ）およびＷＲａ（ＬＨＬ）が上記の範囲であることが好ましい。すわなち、電荷輸送層２９における算術平均粗さＷＲａ（ＬＭＬ）が０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＬＨＬ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１μｍ以下であることが好ましい。

＜光導電体の製造方法＞
次に、本発明の光導電体の製造方法について説明する。本発明の光導電体の製造方法は、導電性支持体２１上に感光層用塗工液を塗布し、乾燥させる工程を少なくとも有し、必要に応じてその他の工程を有していてもよい。前述したように、一般的な製造方法であるディッピング塗工では、形成される光導電体のＷＲａ（ＬＭＬ）とＷＲａ（ＬＨＬ）はそれぞれ、高くても０．０１μｍ、０．００３μｍ程度である。そのため、本発明では、光導電体のＷＲａ（ＬＭＬ）とＷＲａ（ＬＨＬ）の所望の値が得られるスプレー塗布により塗工液を塗布し、乾燥させることが好ましい。乾燥させる温度、時間は特に制限はなく、必要に応じて変更することができるが、温度としては４０℃〜２００℃、時間としては５分〜１時間が好ましい。上記の乾燥させる温度、時間および塗工速度によってもたらされる塗工間隔を調節することにより、本発明において、光導電体のＷＲａ（ＬＭＬ）、ＷＲａ（ＬＨＬ）およびＷＲａ（ＨＬＨ）における所望の値に制御することができる。

なお、感光層用塗工液の塗布は、導電性支持体２１上に直接塗布してもよいし、その他の層、例えば中間層２３上に塗布してもよい。また、感光層２５が積層構造である場合、導電性支持体２１上にまず電荷発生層用塗工液をスプレー塗布し、電荷発生層２７を形成した後、電荷輸送層用塗工液をスプレー塗布し、電荷輸送層２９を形成する。

＜画像形成方法および画像形成装置＞
次に、本発明の画像形成方法ならびに画像形成装置について詳しく説明する。なお、画像形成方法は電子写真方法とも称され、画像形成装置は電子写真装置とも称される。
前述のように、本発明の画像形成方法は、光導電体に帯電を施す帯電工程と、帯電した光導電体の表面に静電潜像を書き込む露光工程と、光導電体表面に形成された静電潜像にトナーを供給して現像し、トナー像を形成する現像工程と、光導電体表面のトナー像を被転写体に転写する転写工程と、被転写体上のトナー像を定着させる定着工程とを有し、必要により他の工程を有することができる。
本発明の画像形成方法は、本発明の画像形成装置により実施できる。本発明の画像形成装置は、潜像を担持する光導電体と、光導電体表面に帯電を施す帯電手段と、帯電した該光導電体の表面に静電潜像を書き込む露光手段と、光導電体表面に形成された静電潜像にトナーを供給し現像する現像手段と、光導電体潜像担持体表面に現像されたトナー像を被転写体に転写する転写手段と、被転写体上のトナー像を定着させる定着手段とを備え、必要により他の手段を有することができる。

図１０は、本発明の画像形成方法（電子写真方法）ならびに画像形成装置（電子写真装置）を説明するための概略図であり、下記するような変形例も本発明の範疇に属するものである。図１０において、光導電体（感光体）１はドラム状の形状を示しているが、シート状、エンドレスベルト状のものであってもよい。
帯電手段である帯電チャージャ３、転写前チャージャ７、転写手段である転写チャージャ１０、分離チャージャ１１、クリーニング前チャージャ１３には、コロトロン、スコロトロン、固体帯電器（ソリッド・ステート・チャージャ）、帯電ローラを始めとする公知の手段が用いられる。
転写手段には、一般に上記の帯電器が使用できるが、図に示されるように転写チャージャと分離チャージャを併用したものや転写ローラが効果的である。

また、露光手段である画像露光部５、除電ランプ２等の光源には、蛍光灯、タングステンランプ、ハロゲンランプ、水銀灯、ナトリウム灯、発光ダイオード（ＬＥＤ）、半導体レーザー（ＬＤ）、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）などの発光物全般を用いることができる。
そして、所望の波長域の光のみを照射するために、シャープカットフィルター、バンドパスフィルター、近赤外カットフィルター、ダイクロイックフィルター、干渉フィルター、色温度変換フィルターなどの各種フィルターを用いることもできる。
かかる光源等は、図１０に示される工程の他に光照射を併用した転写工程、除電工程、クリーニング工程、あるいは前露光などの工程を設けることにより、感光体に光が照射される。図１０中、符号４はイレーサ、符号８はレジストローラ、符号１２は分離爪を示す。

現像手段である現像ユニット６により感光体１上に現像されたトナーは、被転写体である被転写紙９に転写されるが、全部が転写されるわけではなく、光導電体（感光体）１上に残存するトナーも生ずる。このようなトナーは、ファーブラシ１４および／またはクリーニングブレード１５により、光導電体（感光体）より除去される。クリーニングは、クリーニングブラシだけで行なわれることもあり、クリーニングブラシにはファーブラシ、マグファーブラシを始めとする公知のものが用いられる。

本発明の画像形成方法においては、クリーニング手段を光導電体に圧接させてクリーニングする工程を備えていてもよく、この場合、クリーニング手段の光導電体表面への圧接力が、１．３Ｎ・ｍ〜１．５Ｎ・ｍであることが好ましい。
また、本発明の画像形成装置においては、光導電体に圧接しクリーニングするクリーニング手段を備えていてもよく、この場合、クリーニング手段の光導電体表面への圧接力が、１．３Ｎ・ｍ〜１．５Ｎ・ｍであることが好ましい。

画像形成装置のクリーニング手段としては板金支持板と、この板金支持板に固定されたゴム板から成るクリーニングブレードが用いられることが多い。この場合、ゴム板の自由端が光導電体表面に所定の圧接力で圧接するように配設される。

クリーニングブレードのゴム板の位置関係について、長さ、幅、厚みに注意すると、幅方向（エア面）ｆｘと厚み方向（カット面）ｆｙの荷重が得られる。この関係を図１１に示す。
クリーニングブレードと光導電体との当接角をθとすると、光導電体の回転駆動方向に対するクリーニングブレードの接線方向の力と垂直方向の力をそれぞれ接線力Ｆｔと法線力Ｆｎとして下記の式（１）および式（２）から算出される。
Ｆｔ＝ｆｘ・ｃｏｓθ−ｆｙ・ｓｉｎθ （１）
Ｆｎ＝ｆｘ・ｓｉｎθ＋ｆｙ・ｃｏｓθ （２）

接線力Ｆｔは光導電体とクリーニングブレードとの剪断力を表し、法線力Ｆｎはこれらの圧縮力を表す。これらの合力は圧接応力として、この大きさはクリーニングブレードが光導電体表面に及ぼす圧接力に相当する。そのベクトル方向は下記式（３）から見積もられる。
ａｒｃｔａｎ（Ｆｔ／Ｆｎ） （３）
なお、以下では、クリーニングブレードを単にブレードということがある。

光導電体に当接するブレードには圧縮応力を伴う剪断応力が生じる。圧縮応力と剪断応力はゴムの圧縮とドラムの回転駆動によって発生する。ブレードは剪断力が強すぎるとめくれてしまう。また、ブレードの剪断応力が弱すぎるとトナー粒子の剪断力にブレードの剪断応力が抵抗できず、すり抜けが生じる。上記の式（３）から合力の向きが５６度以上の場合にブレードはめくれてしまい、３５度以下ではトナーのすり抜けが生じる事例が得られている。
こうした関係は特開２０１４−１３４６０５の段落［００３９］以降に開示される作用力を計測する装置を用いることで確かめられる。

圧接力は図１１におけるＦｔとＦｎの足し合わせ（合力）に相当するものであり、上記関係式により導出することができる。一方、画像形成装置内における以上の関係は、この代用としてブレードが当接された光導電体を回転駆動させるトルク量を光導電体の圧接力として評価するのが実際的である。

トルク量の算出としては、まずモータ電流の実効値をオシロスコープで計測し、モータの定格電流の百分率を算出する。次にモータの定格トルクにこの百分率をかけたものをモータ軸トルクとする。そして、モータからギアを介して光導電体を駆動させるギアの減速比にモータ軸トルクをかけたものをクリーニングブレードの圧接力として算出する。

本発明の光導電体に対して、この圧接力が１．３Ｎ・ｍ〜１．５Ｎ・ｍである場合、地肌汚れと耐摩耗性にきわめて優れた性能が発現される。
なお、クリーニングブレードの圧接力を１．３Ｎ・ｍ〜１．５Ｎ・ｍの範囲にする方法は特に制限されるものではないが、例えばクリーニングブレードを光導電体の表面に圧接させる荷重用ばねの荷重を制御することにより行うことができる。

また、光導電体に正(負)帯電を施し、画像露光を行うと、感光体表面上には正(負)の静電潜像が形成される。これを負(正)極性のトナー（検電微粒子）で現像すれば、ポジ画像が得られるし、また正(負)極性のトナーで現像すれば、ネガ画像が得られる。かかる現像手段には、公知の方法が適用されるし、また、除電手段にも公知の方法が用いられる。

以上の図示した画像形成方法（電子写真方法）は、本発明における実施形態を例示するものであって、もちろん他の実施形態も可能である。例えば、画像形成装置（電子写真装置）を構成する画像形成手段は、複写装置、ファクシミリ、プリンター内にプロセスカートリッジの形でその装置内に組み込まれていてもよい。
プロセスカートリッジとは、感光体を内蔵し、他に帯電手段、露光手段、現像手段、転写手段、クリーニング手段、除電手段を含んだ１つの装置（部品）である。すなわち、プロセスカートリッジは、光導電体と、光導電体上の静電潜像をトナーにより現像する現像手段とを一体に備え、画像形成装置本体に着脱可能に構成することができる。

プロセスカートリッジの形状等は多く挙げられるが、一般的な例として、イマジオＭＦ２００（リコー社製）に使用されているカートリッジを図１２に示す。図１２はプロセスカートリッジを使用した電子写真装置の一例を示す図であり、この装置について以下説明する。図中、符号１０１は光導電体である。
まず、帯電手段である帯電装置１０２により、光導電体が帯電される。光導電体が帯電された後、露光手段である露光装置から露光１０３を受け、露光された部分で、電荷が発生し、感光体表面に静電潜像が形成される。光導電体表面に静電潜像を形成した後、現像手段である現像装置１０４を介して現像剤と接触し、トナー像を形成する。光導電体表面に形成されたトナー像は、転写手段である転写装置１０６により紙などの被転写体１０５へ転写され、定着手段である定着装置１０９を通過してハードコピーとなる。
光導電体１０１上の残留トナーはクリーニングブレード１０７により除去され、残留電荷は除電ランプ１０８で除かれて、次の電子写真サイクルに移る。この装置においては、被転写体１０５、転写装置１０６、除電手段である除電ランプ１０８、定着装置１０９はカートリッジ部分には含まれていない。

一方、光照射工程は、画像露光、クリーニング前露光、除電露光が図示されているが、他に転写前露光、画像露光のプレ露光、およびその他公知の光照射工程を設けて、光導電体に光照射を行うこともできる。

以下、実施例に基づいて本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これら実施例によって制限されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限りこれらの実施例を適宜改変したものも本件の発明の範囲内である。

［実施例１］
肉厚３ｍｍ、長さ９７０ｍｍ、外径Φ８０ｍｍのアルミニウムドラムに、下記組成の中間層塗工液、電荷発生層用塗工液、電荷輸送層用塗工液を順次スプレー塗布乾燥することにより、５μｍの中間層２３、１μｍの電荷発生層２７、３０μｍの電荷輸送層２９を形成した。

〔中間層〕
下記組成分からなる混合物をボールミルで７２時間分散し、中間層用塗工液を作成した。
−中間層用塗工液の組成分−
酸化チタンＴ_１（純度：９９．７％、ルチル化率９９．１％、平均一次粒子径０．２５μｍ）：１２０重量部
酸化チタンＴ_２（純度：９９．８％、アナターゼ型、平均一次粒子径０．４μｍ）：３０重量部
アルキッド樹脂（ベッコライトＭ６４０１−５０−Ｓ（固形分５０％）ＤＩＣ社製）：８４重量部
メラミン樹脂（スーパーベッカミンＧ−８２１−６０（固形分６０％）、ＤＩＣ社製）：４７重量部
メチルエチルケトン：１３３０重量部
シクロヘキサノン：５７０重量部

得られた中間層用塗工液を直径φ８０ｍｍ、長さ９７０ｍｍの切削アルミニウム素管上にスプレー塗布した後、１５０℃で３５分間乾燥して膜厚５μｍの中間層２３を形成した。

〔電荷発生層〕
下記組成分からなるミルベースをボールミルにて２４０時間分散を行った。
〔ミルベースの組成分〕
電荷発生材料Ａ：下記構造式（Ｙ）に示す非対称ジスアゾ顔料、２４重量部

電荷発生材料Ｂ：無金属フタロシアニン顔料、１２重量部
結着樹脂：ポリビニルブチラール（Ｂｕｔｖｅｒ−Ｂ９０）、７重量部
溶剤：シクロヘキサノン、１１２５重量部

分散終了後得られた分散物にシクロヘキサノン１８７５重量部、２−ブタノン９８５重量部を加え３時間分散を行い、電荷発生層用塗工液を作成した。得られた電荷発生層用塗工液を前記中間層上にスプレー塗布し、膜厚１μｍの電荷発生層２７を形成した。

〔電荷輸送層〕
下記組成分を溶解し、電荷輸送層用塗工液を作成した。
−電荷輸送層用塗工液の組成分−
電荷輸送材料：下記構造式（Ｘ）に示す化合物、６．５重量部

結着樹脂：ポリカーボネート樹脂（ＴＳ−２０４０：帝人化学社製、粘度平均分子量４０，０００）、１０重量部
レベリング剤：ＫＦ−５０−１００ＣＳ（信越化学工業社製）、０．００２重量部
酸化防止剤：ＳｕｍｉｌｉｚｅｒＴＰＳ（住友化学社製）、０．０７重量部
可塑剤：１，４−ビス（２，５−ジメチルベンジル）ベンゼン、０．５重量部
溶剤Ａ：テトラヒドロフラン：８１重量部
溶剤Ｂ：シクロヘキサノン：１４６重量部

得られた電荷輸送層用塗工液を前記電荷発生層上に塗布し、１５５℃４０分間加熱乾燥して平均膜厚３０μｍとなるように電荷輸送層２９を形成して光導電体を作製した。

［実施例２］
実施例１における電荷輸送層２９の塗工で、塗工液の重ね塗りに伴う乾燥待ち時間を調節して電荷輸送層２９のＷＲａ（ＬＭＬ）を０．０２μｍから０．０３μｍに調整した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［実施例３］
実施例１における電荷輸送層２９の塗工で、塗工液の重ね塗りに伴う乾燥待ち時間を調節して電荷輸送層２９のＷＲａ（ＬＨＬ）を０．００７μｍから０．０１μｍに調整した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［実施例４］
実施例１における電荷輸送層２９の塗工で、塗工液の重ね塗りに伴う乾燥待ち時間を調節して電荷輸送層２９のＷＲａ（ＬＨＬ）を０．００７μｍから０．００６μｍに調整した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［実施例５］
実施例１における電荷輸送層２９の可塑剤を除き、電荷輸送材料を６．５重量部から７．０重量部に変更した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［実施例６］
実施例１における可塑剤をオレイン酸ブチルに変更した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［実施例７］
実施例１の中間層２３と電荷輸送層２９の加熱乾燥温度を下記の通り変更した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。
・中間層２３の加熱乾燥温度：１５０℃を１３０℃に変更
・電荷輸送層２９の加熱乾燥温度：１５５℃を１３０℃に変更

［実施例８］
実施例１の中間層２３と電荷輸送層２９の加熱乾燥温度を下記の通り変更した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。
・中間層２３の加熱乾燥温度：１５０℃を１６０℃に変更
・電荷輸送層２９の加熱乾燥温度：１５５℃を１６０℃に変更

［実施例９］
実施例１の中間層２３における溶媒および中間層２３と電荷輸送層２９の加熱乾燥温度を下記の通り変更した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。
・メチルエチルケトン：１３３０重量部を５７０重量部に変更
・シクロヘキサノン：５７０重量部を１３３０重量部に変更
・中間層２３の加熱乾燥温度：１５０℃を１３０℃に変更
・電荷輸送層２９の加熱乾燥温度：１５５℃を１３０℃に変更

［実施例１０］
実施例１の中間層２３における溶媒および中間層２３と電荷輸送層２９の加熱乾燥温度を下記の通り変更した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。
・メチルエチルケトン：１３３０重量部を１９００重量部に変更
・シクロヘキサノン：５７０重量部を０重量部に変更
・中間層２３の加熱乾燥温度：１５０℃を１６０℃に変更
・電荷輸送層２９の加熱乾燥温度：１５５℃を１６０℃に変更

［比較例１］
実施例１における電荷輸送層２９の結着樹脂をポリカーボネート樹脂（ＴＳ−２０５０：帝人化学社製、粘度平均分子量５０，０００）、１０重量部に変更した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［比較例２］
実施例１における電荷輸送層用塗工液の組成分を次の様にした以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。
〔電荷輸送層用塗工液の組成分〕
電荷輸送材料：下記構造式（Ｘ）に示す化合物、７重量部

結着樹脂：ポリカーボネート樹脂（ＴＳ−２０４０：帝人化学社製、粘度平均分子量４０，０００）、１０重量部
レベリング剤：ＫＦ−５０−１００ＣＳ（信越化学工業社製）、０．００２重量部
酸化防止剤：４−（１，１−ジメチル−３−フェニル−プロピル）−ビフェニル−２，５−ジオール、０．２重量部
可塑剤：なし
溶剤Ａ：テトラヒドロフラン：８３重量部
溶剤Ｂ：シクロヘキサノン：１５０重量部

［比較例３］
実施例１における電荷輸送層２９の塗工で、塗工液の重ね塗りに伴う乾燥待ち時間を調節して電荷輸送層２９のＷＲａ（ＬＭＬ）を０．０２μｍから０．０１μｍに調整した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［比較例４］
実施例１における電荷輸送層２９の塗工で、塗工液の重ね塗りに伴う乾燥待ち時間を調節して電荷輸送層２９のＷＲａ（ＬＭＬ）を０．０２μｍから０．０４μｍに調整した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［比較例５］
実施例１における電荷輸送層２９の塗工で、塗工液の重ね塗りに伴う乾燥待ち時間を調節して電荷輸送層２９のＷＲａ（ＬＨＬ）を０．００７μｍから０．００５μｍに調整した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［比較例６］
実施例１における電荷輸送層２９の塗工で、塗工液の重ね塗りに伴う乾燥待ち時間を調節して電荷輸送層２９のＷＲａ（ＬＨＬ）を０．００７μｍから０．０１２μｍに調整した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

［比較例７］
実施例１における電荷輸送層２９上に３μｍの下記組成の架橋樹脂電荷輸送層を積層した以外は実施例１と同様にして光導電体を得た。

〔架橋樹脂電荷輸送層〕
・下記構造式（Ｚ）の架橋型電荷輸送物質 ４３質量部

・トリメチロールプロパントリアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＴＭＰＴＡ、日本化薬社製）、２１質量部
・カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＣＡ−１２０、日本化薬社製）、２１質量部
・アクリル基含有ポリエステル変性ポリジメチルシロキサンとプロポキシ変性−２−ネオペンチルグリコールジアクリレート混合物（ＢＹＫ−ＵＶ３５７０、ビックケミー社製）、０．１質量部
・１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（イルガキュア１８４、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）、４質量部
・α−アルミナ（スミコランダムＡＡ−０３、住友化学工業社製）、７質量部
・分散剤（ＢＹＫ−Ｐ１０４、ビックケミー社製）、０．２質量部
・テトラヒドロフラン、５６６質量部

＜試験＞
実施例１〜実施例１０および比較例１〜比較例７で作成した光導電体およびこれを用いた画像形成装置について下記（１）と（２）の試験を行った。評価結果を下記表２に示す。

（１）光導電体の感光層（電荷輸送層）の表面形状測定
光導電体の感光層２５（電荷輸送層２９）の断面曲線測定は、表面粗さ・輪郭形状測定機（東京精密社、Ｓｕｒｆｃｏｍ １４００Ｄ）を用い、ピックアップ：Ｅ−ＤＴ−Ｓ０２Ａを取り付け、測定長さ；１２ｍｍ、総サンプリング点数；３０，７２０、測定速度；０．０６ｍｍ／ｓの条件で行った。感光層２５（電荷輸送層２９）は作製直後の光導電体について、ドラム周方向任意一点についてドラム端部から１９４ｍｍ毎に計測し、断面曲線を測定した。

測定により取得した光導電体の表面形状の一次元データ配列をウェーブレット変換して、ＨＨＨからＨＬＬに至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−１）を行った。更にここで得たＨＬＬの一次元データ配列に対してデータ配列数が１／４０に減少するように間引きした一次元データ配列を作り、該間引きした一次元データ配列に対して更にウェーブレット変換を行って、ＬＨＨからＬＬＬに至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行った。そして、得られた合計１２個の各周波数成分について算術平均粗さを計算した。
前記表面形状の測定を一つの電子写真感光体につき７０ｍｍ間隔で４箇所行い、それぞれの箇所に対して前記各周波数成分についての算術平均粗さの計算を行った。
なお、ウェーブレット変換にはＭＡＴＬＡＢ（Ｔｈｅ ＭａｔｈＷｏｒｋｓ社製）のＷａｖｅｌｅｔ Ｔｏｏｌｂｏｘをそのまま利用した。上述の通り、本発明では２度に分けてウェーブレット変換を行った。
４箇所の各周波数成分の算術平均粗さの平均値を、測定結果の各周波数成分の算術平均粗さ（ＷＲａ）とした。

（２）地肌汚れ試験
以上の通り作製した光導電体をリコー社製ｉｍａｇｉｏ ＭＰ Ｗ７１４０に搭載し、２５℃５５％ＲＨ環境下で画像濃度が６％となるテキスト画像パターンを連続プリントした。試験開始時の光導電体の帯電電位は−８００Ｖとなるよう帯電器のグリッドバイアスで調整した。プリント用紙はＮＢＳリコーＭｙＰａｐｅｒ：８４１ｍｍ×２００ｍを用い、Ａ１サイズ全面に現像した。トナーと現像剤は純正品を使用した。地肌汚れを５段階に分けて、地肌汚れが市場実績から許容されなくなるレベルまでプリントを行った。そこで、地汚れ耐久性の評価は試験が可能だった光導電体走行距離の長さで評価した。

（３）光導電体のシクロヘキサノン含有率分析
光導電体はＡｌ支持体ごと適当な大きさに切り出し測定試料とした。塗膜重量は切り出した試料から、Ａｌ支持体の重量を差し引いたものとした。光導電体に含まれるシクロヘキサノンはガスクロマトグラフ質量分析（ＧＣＭＳ）法〔装置：島津製作所社製ＱＰ−２０１０、カラム：Ｕｌｔｒａ ＡＬＬＯＹ−５ Ｌ＝３０ｍ Ｉ．Ｄ＝０．２５ｍｍ Ｆｉｌｍ＝０．２５μｍ〕により分析した。

上記表２の結果から明らかなように、電荷輸送層の表面形状においてＷＲａ（ＬＭＬ）が０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＬＨＬ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１μｍ以下である本発明の光導電体はいずれも地肌汚れがなく、耐久性に優れ走行距離が４０ｋｍ以上である。また、光導電体中のシクロヘキサノンの含有量によっても地汚れの耐久寿命の違いが見られた。いずれも本願発明の光導電体は高い地汚れ寿命を発現する。

［実施例１１］
実施例１の光導電体をリコー社製デジタル広幅複写機ｉｍａｇｉｏ ＭＰ Ｗ７１４０に搭載し、２５℃５５％ＲＨ環境下で画像濃度が平均５０％となるチェッカーフラグパターンの画像を１０，０００枚連続プリントした。実施例１〜実施例１０と比較例１〜比較例７で使用したデジタル広幅複写機において、複写機内に装着されるクリーニングブレードを光導電体の表面に所定の圧接力で荷重を印加し圧接させる荷重用ばねとしては、６５ｍｍ伸張時の荷重が１３．０Ｎとなる荷重用ばねを用いており、本実施例ではこのばねをそのまま用いた。
試験開始時の光導電体の帯電電位は−８００Ｖとなるよう帯電器のグリッドバイアスで調整した。プリント用紙はＮＢＳリコーＭｙＰａｐｅｒ：８４１ｍｍ×２００ｍを用い、Ａ１サイズ全面に現像した。トナーと現像剤は純正品を使用した。試験終了時に全面白パターンをプリントしたときの地肌汚れの画像面積率を基準に５段階に分けて評価を行った。地肌汚れは６００ｄｐｉのイメージスキャナーで取り込んだプリント画像に対して、画像解析ソフトｉｍａｇｅＪ（米国ＮＩＨ配布）を用いて評価した。評価基準は次の通りとした。

（地肌汚れランク）
ランク５ ：０．１％未満
ランク４ ：０．１％以上０．２％未満
ランク３ ：０．２％以上０．７％未満
ランク２ ：０．７％以上２．９％未満
ランク１ ：２．９％以上

試験開始前にクリーニングブレードを光導電体に圧接させた状態で光導電体を回転駆動させた状態におけるモータ電流をＴｅｋｔｒｏｎｉｋｓ社製オシロスコープＴＤＳ３０５４にＴｅｋｔｒｏｎｉｋｓ社製電流プローブＴＣＰ２０２を用いて実効値を測定した。この実効値をモータの定格電流の百分率として算出し、これにモータの定格トルクをかけたものをモータ軸トルクとした。クリーニングブレードの圧接力はモータからギアを介して光導電体を駆動させるギアの減速比１／６２をモータ軸トルクにかけたものとして算出した。次に、耐久試験に伴う光導電体の摩耗量をＦｉｓｈｅｒ社製Ｆｉｓｈｅｒｓｃｏｐｅ ｍｍｓを用いて測定した。

［実施例１２］
実施例１１で用いた荷重用ばねを６５ｍｍ伸長時に１２．４Ｎとなるばねに変えた以外は実施例１１と同様の試験を行った。

［実施例１３］
実施例１１で用いた荷重用ばねを６５ｍｍ伸長時に１１．０Ｎとなるばねに変えた以外は実施例１１と同様の試験を行った。

［実施例１３］
実施例１１で用いた荷重用ばねを６５ｍｍ伸長時に９．７Ｎとなるばねに変えた以外は実施例１１と同様の試験を行った。

［実施例１４］
実施例１１で用いた荷重用ばねを６５ｍｍ伸長時に９．０Ｎとなるばねに変えた以外は実施例１１と同様の試験を行った。

［比較例８］
実施例１３で搭載する光導電体を比較例１の光導電体に変えた以外は実施例１３と同様の試験を行った。

［比較例９］
実施例１５で搭載する光導電体を比較例１の光導電体に変えた以外は実施例１５と同様の試験を行った。

以上の実施例１１〜実施例１４および比較例８〜比較例９の試験結果を表３に記す。

表３より、実施例１１から実施例１４は地肌汚れの抑制に優れた画像形成装置である。特に実施例１２、実施例１３、実施例１４は光導電体の摩耗速度が低く耐久寿命に有利である。これに対し、実施例１１は光導電体の摩耗速度が大きめである。実施例１５は比較例８、比較例９と比べて地肌汚れ、耐摩耗性に優れるが実施例１２、実施例１３、実施例１４に比べると性能は一段劣る。クリーニング手段と光導電体の圧接力が不十分と考えられる。比較例８と比較例９は実施例１１〜実施例１５のすべてに劣るが、これは光導電体の表面形状が不利に作用しているためと考えられる。比較例８と比較例９に対して、これらと比較対象となる実施例１３と実施例１５の感光体表面はブレードの圧接力を緩和する形状であり、これらの画像形成方法と画像形成装置は感光体の摩耗を抑制するのみならず、地肌汚れの良好な形態であると言える。

以上、本発明の光導電体は、地肌汚れが抑制され、耐久性に優れ長寿命であるため、長期の繰り返し使用でも画像濃度ムラや地汚れ等の異常画像の発生が抑制され、安定して高品質の画像形成が可能である。このような光導電体を用いれば、複写機、レーザープリンターあるいは普通ファクシミリ等の画像形成装置や画像形成方法において強く要請されている高速化、小型化、カラー化、高画質化、易メンテナンス性に対応することができる。

＜図１〜図３の符号について＞
２１ 導電性支持体
２３ 中間層
２５ 感光層
２７ 電荷発生層
２９ 電荷輸送層
３１ 保護層
＜図４の符号について＞
４１ 測定対象である電子写真感光体（電子写真感光体）
４２ 表面粗さを測定するプローブを取り付けた治具（プローブ付き治具）
４３ 上記治具を測定対象に沿って移動させる機構（プローブの移動手段）
４４ 表面粗さ計
４５ 信号解析を行うパーソナルコンピューター（コンピューター）
＜図５の符号について＞
１０１ 一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分
１０２ 一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より一つ低い周波数成分
１０３ 一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より二つ低い周波数成分
１０４ 一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より三つ低い周波数成分
１０５ 一回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より四つ低い周波数成分
１０６ 一回目の多重解像度解析結果の最低周波数成分
１０７ 二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分
１０８ 二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より一つ低い周波数成分
１０９ 二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より二つ低い周波数成分
１１０ 二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より三つ低い周波数成分
１１１ 二回目の多重解像度解析結果の最高周波数成分より四つ低い周波数成分
１１２ 二回目の多重解像度解析結果の最低周波数成分
＜図６の符号について＞
１２１ 一回目の多重解像度解析における最高周波成分の帯域
１２２ 一回目の多重解像度解析における最高周波成分より一つ低い周波数成分の帯域
１２３ 一回目の多重解像度解析における最高周波成分より二つ低い周波数成分の帯域
１２４ 一回目の多重解像度解析における最高周波成分より三つ低い周波数成分の帯域
１２５ 一回目の多重解像度解析における最高周波成分より四つ低い周波数成分の帯域
１２６ 一回目の多重解像度解析における最低周波数成分の帯域
＜図８の符号について＞
１２７ 二回目の多重解像度解析における最高周波成分の帯域
１２８ 二回目の多重解像度解析における最高周波成分より一つ低い周波数成分の帯域
１２９ 二回目の多重解像度解析における最高周波成分より二つ低い周波数成分の帯域
１３０ 二回目の多重解像度解析における最高周波成分より三つ低い周波数成分の帯域
１３１ 二回目の多重解像度解析における最高周波成分より四つ低い周波数成分の帯域
１３２ 二回目の多重解像度解析における最低周波数成分の帯域
＜図１０の符号について＞
１ 光導電体
２ 除電ランプ
３ 帯電チャージャ
４ イレーサ
５ 画像露光部
６ 現像ユニット
７ 転写前チャージャ
８ レジストローラ
９ 被転写紙
１０ 転写チャージャ
１１ 分離チャージャ
１２ 分離爪
１３ クリーニング前チャージャ
１４ ファーブラシ
１５ クリーニングブレード
＜図１２の符号について＞
１０１ 光導電体
１０２ 帯電装置
１０３ 露光
１０４ 現像装置
１０５ 被転写体
１０６ 転写装置
１０７ クリーニングブレード
１０８ 除電ランプ
１０９ 定着装置

特開２０１１−００２４８０号公報 特開２０１２−０６３７２０号公報 特開２０１０−２４４００２号公報 特開２０１２−２０８４６８号公報

Claims (12)

1. 導電性支持体上に感光層を有する光導電体であって、
   該感光層の表面形状は、
   （Ｉ）表面粗さ・輪郭形状測定機により凹凸形状を測定して一次元データ配列を作成し、
   （II）該一次元データ配列をウェーブレット変換して、最高周波数成分（ＨＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＨＨＬ）、３番目の周波数成分（ＨＭＨ）、４番目の周波数成分（ＨＭＬ）、５番目の周波数成分（ＨＬＨ）および最低周波数成分（ＨＬＬ）に至る６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−１）を行い、
   （III）次いで、得られた６個の周波数成分の中で最低周波数成分（ＨＬＬ）の一次元データ配列に対してデータ配列数が１／１０〜１／１００に減少するように間引きした一次元データ配列を作成し、
   （IV）該間引きした一次元データ配列に対して更にウェーブレット変換を行って、最高周波数成分（ＬＨＨ）から、２番目の周波数成分（ＬＨＬ）、３番目の周波数成分（ＬＭＨ）、４番目の周波数成分（ＬＭＬ）、５番目の周波数成分（ＬＬＨ）および最低周波数成分（ＬＬＬ）に至る追加の６個の周波数成分に分離する多重解像度解析（ＭＲＡ−２）を行い、
   （Ｖ）前記（II）および（IV）で得られた合計１２個の各周波数成分の算術平均粗さＷＲａのうち、ＷＲａ（ＨＬＬ）を除く合計１１個の算術平均粗さＷＲａ（ＬＬＬ）からＷＲａ（ＨＨＨ）の対数を左から右に順に線で結ぶ、
   ことで得られる曲線において、ＷＲａ（ＬＭＬ）が０．０２μｍ以上０．０３μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＬＨＬ）が０．００６μｍ以上０．０１μｍ以下であり、且つＷＲａ（ＨＬＨ）が０．００１μｍ以下であることを特徴とする光導電体。
   ここで、前記算術平均粗さは、ＪＩＳ−Ｂ０６０１：２００１で定義される算術平均粗さ（略号；Ｒａ）であり、ＷＲａ（ＨＨＨ）からＷＲａ（ＬＬＬ）はそれぞれ以下の帯域におけるＲａを表す。
   ＷＲａ（ＨＨＨ）：凹凸の一周期の長さが０μm〜３μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＨＨＬ）：凹凸の一周期の長さが１μm〜６μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＨＭＨ）：凹凸の一周期の長さが２μm〜１３μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＨＭＬ）：凹凸の一周期の長さが４μm〜２５μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＨＬＨ）：凹凸の一周期の長さが１０μm〜５０μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＬＨＨ）：凹凸の一周期の長さが２６μm〜１０６μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＬＨＬ）：凹凸の一周期の長さが５３μm〜１８３μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＬＭＨ）：凹凸の一周期の長さが１０６μm〜３１８μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＬＭＬ）：凹凸の一周期の長さが２１４μm〜５５１μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＬＬＨ）：凹凸の一周期の長さが４３１μm〜９５４μmの帯域におけるＲａ
   ＷＲａ（ＬＬＬ）：凹凸の一周期の長さが８６７μm〜１６５４μmの帯域におけるＲａ
2. 前記感光層は、厚み方向に電荷発生層および電荷輸送層を積層してなることを特徴とする請求項１に記載の光導電体。
3. 前記感光層が、熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の光導電体。
4. 前記熱可塑性樹脂が、粘度平均分子量４００００以上の５００００未満のビスフェノールＺ型ポリカーボネートであることを特徴とする請求項３に記載の光導電体。
5. 前記感光層が、可塑剤を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の光導電体。
6. 前記可塑剤が、１，４−ビス（２，５−ジメチルベンジル）ベンゼンであることを特徴とする請求項５に記載の光導電体。
7. 前記光導電体中に、シクロヘキサノンが１０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下の割合で含有されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の光導電体。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の導電性支持体上に感光層を有する光導電体の製造方法であって、
   前記導電性支持体上に感光層用塗工液をスプレー塗布し、乾燥させる工程を少なくとも有することを特徴とする光導電体の製造方法。
9. 光導電体に帯電を施す帯電工程と、
   帯電した光導電体の表面に静電潜像を書き込む露光工程と、
   光導電体表面に形成された静電潜像にトナーを供給して現像し、トナー像を形成する現像工程と、
   光導電体表面のトナー像を被転写体に転写する転写工程と、
   被転写体上のトナー像を定着させる定着工程と、
   を有する画像形成方法であって、
   前記光導電体が、請求項１乃至７のいずれかに記載の光導電体であることを特徴とする画像形成方法。
10. クリーニング手段を光導電体に圧接させてクリーニングする工程を備える請求項９に記載の画像形成方法であって、
    前記クリーニング手段の前記光導電体表面への圧接力が、１．３Ｎ・ｍ〜１．５Ｎ・ｍであることを特徴とする画像形成方法。
11. 潜像を担持する光導電体と、
    光導電体表面に帯電を施す帯電手段と、
    帯電した該光導電体の表面に静電潜像を書き込む露光手段と、
    光導電体表面に形成された静電潜像にトナーを供給し現像する現像手段と、
    光導電体潜像担持体表面に現像されたトナー像を被転写体に転写する転写手段と、
    被転写体上のトナー像を定着させる定着手段と、
    を備える画像形成装置であって、
    前記光導電体が、請求項１乃至７のいずれかに記載の光導電体であることを特徴とする画像形成装置。
12. 光導電体に圧接しクリーニングするクリーニング手段を備える請求項１１に記載の画像形成装置であって、
    前記クリーニング手段の前記光導電体表面への圧接力が、１．３Ｎ・ｍ〜１．５Ｎ・ｍであることを特徴とする画像形成装置。