JP2016028419A - 密着層組成物、ナノインプリントによる膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子機器の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 光硬化性組成物と基材との間の密着性が十分であり、パターン剥がれ欠陥の発生を抑制できる密着層組成物を提供することを目的とする。【解決手段】 基板と光硬化性組成物との間に密着層を形成するための密着層組成物であって、二官能基以上の結合性官能基を有する化合物（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、を少なくとも有しており、前記化合物（Ａ）の、前記基板と結合する官能基は、水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、エポキシ基、（ブロック）イソシアネート基の群から選ばれる少なくとも１つであり、前記光硬化性組成物と結合する官能基は、水素供与性官能基であり、前記基板と結合する官能基および前記光硬化性組成物と結合する官能基は、それぞれ独立して炭化水素または芳香族炭化水素に直接結合していることを特徴とする密着層組成物。【選択図】 図１

Description

本発明は、密着層組成物、ナノインプリントによる膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子機器の製造方法に関する。

半導体デバイスやＭＥＭＳ等においては、微細化の要求が進んでいる。このため、最近では従来のフォトリソグラフィー技術に加え、基板（ウエハ）の上に形成され所定の形状を有するレジスト（光硬化性組成物）のパターンを型（モールド）として利用する微細加工技術が注目を集めている。この技術は、光ナノインプリント技術とも呼ばれ、基板上に数ナノメートルオーダーの微細な構造体を形成することができる技術である（例えば、特許文献１を参照）。光ナノインプリント技術では、まず、基板上のパターン形成領域にレジストを塗布する（配置工程）。次に、このレジストをパターンが形成された型を用いて成形する（型接触工程）。そして、光を照射してレジストを硬化（光照射工程）させたうえで引き離す（離型工程）。これらの工程を実施することにより、所定の形状を有する樹脂のパターン（光硬化物）が基板上に形成される。さらに、基板上の他の位置において上記の全工程を繰り返すことで、基板全体に微細な構造体を形成することができる。

しかしながら、上述の光ナノインプリント技術の離型工程において、光硬化性組成物を光硬化させた光硬化物からモールドを引き離す際に、光硬化物と基板との密着性が十分ではないことがあった。このため、光硬化物が基板から剥がれてモールド側へ付着し、パターンの剥がれ欠陥を生じるという課題があった。

このような課題に対して、光硬化性組成物と基板との間の密着性を向上させる技術として、光硬化性組成物と基板との間に、光硬化性組成物と基板とを密着させるための層である密着層を形成する技術が提案されている（特許文献２）。

特開２０１０−０７３８１１号公報 特開２０１３−１５３０８４号公報

特許文献２には、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環に、チオール基および有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基が結合した化合物を含有する組成物を用いて密着層を形成する技術が開示されている。しかしながら、このような化合物を含む組成物を用いた場合でも、光硬化性組成物と基板との間の密着性を十分に向上させることができず、パターン剥がれ欠陥が発生してしまう場合があった。

そこで本発明は上述の課題に鑑み、光硬化性組成物と基板との間の密着性が十分であり、パターン剥がれ欠陥の発生を抑制できる密着層組成物を提供することを目的とする。

上記課題に鑑み、本発明に係る密着層組成物は、
基板と光硬化性組成物との間に密着層を形成するための密着層組成物であって、
二官能基以上の結合性官能基を有する化合物（Ａ）と、
溶剤（Ｂ）と、を少なくとも有しており、
前記化合物（Ａ）の、
前記基板と結合する官能基は、水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、エポキシ基、（ブロック）イソシアネート基の群から選ばれる少なくとも１つであり、
前記光硬化性組成物と結合する官能基は、水素供与性官能基であり、
前記基板と結合する官能基および前記光硬化性組成物と結合する官能基は、それぞれ独立して炭化水素または芳香族炭化水素に直接結合していることを特徴とする。

本発明によれば、光ナノインプリント技術において利用可能な基板と光硬化性組成物を結合させることができる密着層組成物を提供することができる。また、前記密着層組成物を用いた光ナノインプリント方法により、パターンの剥がれ欠陥が少ない硬化物パターン、光学部品、回路基板、電子機器を得ることができる。

硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、電子機器の製造方法における各工程を示す断面図である。

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対して適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に含まれる。

本発明の密着層組成物は、基板と光硬化性組成物との間に密着層を形成するための密着層組成物であって、二官能基以上の結合性官能基を有する化合物（Ａ）と、溶剤（Ｂ）と、を少なくとも有しており、前記化合物（Ａ）の、前記基板と結合する官能基は、水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、エポキシ基、（ブロック）イソシアネート基の群から選ばれる少なくとも１つであり、前記光硬化性組成物と結合する官能基は、水素供与性官能基であり、前記基板と結合する官能基および前記光硬化性組成物と結合する官能基は、それぞれ独立して炭化水素または芳香族炭化水素に直接結合していることを特徴とする。

本発明の組成物は、インプリント用密着層組成物として有用であり、特に詳述する光ナノインプリント用密着組成物として用いることができる。

以下、各成分について、詳細に説明する。

＜化合物（Ａ）＞
本発明の化合物（Ａ）は、少なくとも１つの基板と結合する官能基と、少なくとも１つの光硬化性組成物と結合する官能基とを有する。

ここで「結合する官能基」とは、共有結合、イオン結合、水素結合、分子間力などの化学結合を生じる官能基をいう。

本発明の化合物（Ａ）は、基板と結合する官能基として、炭化水素または芳香族炭化水素に直接結合しており、かつ、水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、エポキシ基、（ブロック）イソシアネート基のいずれかから選ばれる少なくとも一つの官能基を有する。

また本発明の化合物（Ａ）は、光硬化性組成物と結合する官能基として、炭化水素または芳香族炭化水素に結合している水素供与性官能基を有する。水素供与性官能基であれば特に制限はないが、光硬化性組成物と共有結合を形成しやすいものが好ましい。このような水素供与性官能基としては、チオール基、アルキルアミノ基、水酸基、などが挙げられる。これらの中でも、光硬化性組成物と共有結合を形成しやすいチオール基やアルキルアミノ基が好ましい。

特許文献２に記載の化合物は、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環に直接チオール基と反応性結合基が結合しているため、光ナノインプリントに適用した場合に、前記複素環による光吸収が起こる。詳細は明らかではないが、この光吸収が原因で密着性の低下が起こると考えられる。一方、本発明の化合物（Ａ）の結合性官能基は、炭化水素または芳香族炭化水素に直接結合しているため、光ナノインプリントにおいても良好な密着性を示すと考えられる。

本発明の化合物（Ａ）において、基板と結合する官能基と光硬化性組成物と結合する官能基は同一であっても異なっていても構わない。

本明細書において、（ブロック）イソシアネート基は、イソシアネート基又はブロックイソシアネート基を示す。また、（アルキル）アミノ基は、アミノ基又はアルキルアミノ基を示し、同様に（メタ）アクリル化合物は、アクリル化合物又はメタクリル化合物を示す。

さらに、化合物（Ａ）は分子中に前記官能基をそれぞれまたはいずれか複数有することが好ましい。前記官能基を複数有することで、基板や光硬化性組成物との密着性にさらに優れる。前記官能基数としては、好ましくは２つ以上、より好ましくは３つ以上、さらに好ましくは４つ以上である。

また、化合物（Ａ）は、複素環構造を有さない化合物であることが好ましい。複素環構造を有さないことで、紫外線吸収による密着性の低下を抑制できると考えられる。

また、化合物（Ａ）は、４方向に伸びる直鎖構造を有し、該直鎖構造のそれぞれの末端に前記基板と結合する官能基または前記光硬化性組成物と結合する官能基が結合していることが好ましい。４方向に伸びた直鎖構造の末端に結合性官能基を有することで、基板と光硬化性組成物を効率良く結合させることが可能となる。これにより優れた密着性を示すと考えられる。

化合物（Ａ）は後述する密着層形成工程における加熱プロセスにおいて、基板表面に存在する官能基により、共有結合、イオン結合、水素結合、分子間力などのいずれかの化学結合を生じる。次に、化合物（Ａ）は後述する光照射工程において、光硬化性組成物中に発生するラジカルとの連鎖移動反応を生じて、光硬化性組成物中の重合性化合物と共有結合を生じる。これにより、基板と光硬化性組成物との密着性が向上すると考えられる。

チオール基を有する化合物（Ａ）の具体例としては、１，６−ヘキサンジチオール、１，８−オクタンジチオール、１，１０−デカンジチオール、１，４−ブタンジオールビス（チオグリコレート）、１，４−ビス（３−メルカプトブチリルオキシ）ブタン等の２官能チオール化合物；１，３，５−トリス（３−メルカプトブチリルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールトリス（３−メルカプトブチレート）等の３官能チオール化合物；ペンタエリトリトールテトラキス（メルカプトアセタート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）等のチオール基を分子中に少なくとも４つ有する４官能チオール化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。

（アルキル）アミノ基を有する化合物（Ａ）の具体例としては、Ｎ−フェニルグリシン、１，６−ジアミノヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸二無水物等のカルボキシル基含有アミン化合物；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペンタキス（２−ヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミン等の水酸基含有アミン化合物；Ｎ，Ｎ，Ｎ”，Ｎ”−テトライソプロピルジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ”，Ｎ”−テトラブチルジエチレントリアミン等の多官能アミン化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。

化合物（Ａ）は、一種類で構成されていても良く、複数種類で構成されていても良い。

化合物（Ａ）の密着層組成物における配合割合は、組成物の粘度、膜厚などによって適宜調整することができるが、組成物の全量に対して、０．０１重量％以上１０重量％以下であり、好ましくは、０．１重量％以上７重量％以下である。

＜溶剤（Ｂ）＞
本発明の溶剤（Ｂ）は、化合物（Ａ）が溶解する溶剤であれば、特に制限なく用いることができる。好ましい溶剤としては常圧における沸点が８０〜２００℃の溶剤である。さらに好ましくは、エステル構造、ケトン構造、水酸基、エーテル構造のいずれかを少なくとも１つ有する溶剤であり、これらは化合物（Ａ）の溶解性や基板への濡れ性などに優れる。具体的には、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、乳酸エチルから選ばれる単独、あるいはこれらの混合溶剤である。この中でもプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート単独、あるいは混合溶剤が、塗布性の観点で特に好ましい。

本発明の溶剤（Ｂ）の密着層組成物における配合割合は、化合物（Ａ）の粘度や塗布性、密着層の膜厚などによって適宜調整することができるが、組成物の全量に対して７０質量％以上が好ましい。より好ましくは９０質量％以上、さらに好ましくは９５質量％以上である。７０質量％未満では十分な塗布性が得られない場合がある。

＜その他の成分（Ｃ）＞
本発明の密着層組成物は、前述した、化合物（Ａ）及び溶剤（Ｂ）の他に、種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、更なる添加成分（Ｃ）を含有していてもよい。このような添加成分としては、界面活性剤、架橋剤、ポリマー成分、酸化防止剤、重合禁止剤等が挙げられる。

＜密着層組成物の粘度＞
本発明の密着層組成物の２３℃での粘度は、化合物（Ａ）及び溶剤（Ｂ）によって異なるが、好ましくは、０．５ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下であり、より好ましくは、１ｍＰａ・ｓ以上１０ｍＰａ・ｓ以下であり、さらに好ましくは、１ｍＰａ・ｓ以上５ｍＰａ・ｓ以下である。

密着層組成物の粘度を２０ｍＰａ・ｓ以下とすることにより、塗布性に優れ、膜厚の調整などが容易に行える。

＜密着層組成物に混入している不純物＞
本発明の密着層組成物は、できる限り不純物を含まないことが好ましい。ここで記載する不純物とは、前述した化合物（Ａ）、溶剤（Ｂ）及びその他の成分（Ｃ）以外のものを意味する。

したがって、密着層組成物は、精製工程を経て得られたものであることが好ましい。このような精製工程としては、フィルタを用いた濾過等が好ましい。

フィルタを用いた濾過を行う際には、具体的には、前述した化合物（Ａ）、溶剤（Ｂ）及び必要に応じて添加するその他の成分（Ｃ）を混合した後、例えば、孔径０．００１μｍ以上５．０μｍ以下のフィルタで濾過することが好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることがさらに好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。孔径の異なるフィルタを複数用いて濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。

このような精製工程を経ることで、密着層組成物に混入したパーティクル等の不純物を取り除くことができる。これにより、パーティクル等の不純物によって、密着層組成物を塗布した後に得られる密着層に不用意に欠陥が発生することを防止することができる。

尚、本発明の密着層組成物を、半導体集積回路を製造するために使用する場合、製品の動作を阻害しないようにするため、密着層組成物中に金属原子を含有する不純物（金属不純物）が混入することを極力避けることが好ましい。このような場合、密着層組成物に含まれる金属不純物の濃度としては、１０ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることがさらに好ましい。

＜光硬化性組成物＞
本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物は、通常、重合性化合物（Ｄ）及び光重合開始剤（Ｅ）を含有する。

（重合性化合物（Ｄ））
重合性化合物である（Ｄ）成分は、光重合開始剤（Ｅ）から発生した重合因子（ラジカル等）と反応し、連鎖反応（重合反応）によって高分子化合物からなる膜を形成する化合物である。

重合性化合物（Ｄ）は、重合性化合物で構成されていれば、一種類の重合性化合物で構成されていても良く、複数種類の重合性化合物で構成されていても良い。

このような重合性化合物としては、例えば、ラジカル重合性化合物が挙げられる。ラジカル重合性化合物としては、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する化合物、すなわち、（メタ）アクリル化合物であることが好ましい。

したがって、重合性化合物は、（メタ）アクリル化合物を含むことが好ましく、重合性化合物の主成分が（メタ）アクリル化合物であることがより好ましく、（メタ）アクリル化合物であることが最も好ましい。なお、ここで記載する重合性化合物の主成分が（メタ）アクリル化合物であるとは、重合性化合物の９０重量％以上が（メタ）アクリル化合物であることを示す。

ラジカル重合性化合物が、アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ以上有する複数種類の化合物で構成される場合には、単官能（メタ）アクリレートモノマーと多官能（メタ）アクリレートモノマーを含むことが好ましい。これは、単官能（メタ）アクリレートモノマーと多官能（メタ）アクリレートモノマーを組み合わせることで、強度が強い硬化膜が得られるからである。

アクリロイル基又はメタクリロイル基を１つ有する単官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシ−２−メチルエチル（メタ）アクリレート、フェノキシエトキシエチル（メタ）アクリレート、３−フェノキシ−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、４−フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、３−（２−フェニルフェニル）−２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性ｐ−クミルフェノールの（メタ）アクリレート、２−ブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４−ジブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、２，４，６−トリブロモフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ＥＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性フェノキシ（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−メチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、２−エチル−２−アダマンチル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、４−ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、アクリロイルモルホリン、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、へキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、メトキシエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ジアセトン（メタ）アクリルアミド、イソブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、ｔ−オクチル（メタ）アクリルアミド、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、７−アミノ−３，７−ジメチルオクチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノプロピル（メタ）アクリルアミド等が挙げられるが、これらに限定されない。

上記単官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、アロニックス（登録商標）Ｍ１０１、Ｍ１０２、Ｍ１１０、Ｍ１１１、Ｍ１１３、Ｍ１１７、Ｍ５７００、ＴＯ−１３１７、Ｍ１２０、Ｍ１５０、Ｍ１５６（以上、東亞合成製）、ＭＥＤＯＬ１０、ＭＩＢＤＯＬ１０、ＣＨＤＯＬ１０、ＭＭＤＯＬ３０、ＭＥＤＯＬ３０、ＭＩＢＤＯＬ３０、ＣＨＤＯＬ３０、ＬＡ、ＩＢＸＡ、２−ＭＴＡ、ＨＰＡ、ビスコート＃１５０、＃１５５、＃１５８、＃１９０、＃１９２、＃１９３、＃２２０、＃２０００、＃２１００、＃２１５０（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレートＢＯ−Ａ、ＥＣ−Ａ、ＤＭＰ−Ａ、ＴＨＦ−Ａ、ＨＯＰ−Ａ、ＨＯＡ−ＭＰＥ、ＨＯＡ−ＭＰＬ、ＰＯ−Ａ、Ｐ−２００Ａ、ＮＰ−４ＥＡ、ＮＰ−８ＥＡ、エポキシエステルＭ−６００Ａ（以上、共栄社化学製）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標） ＴＣ１１０Ｓ、Ｒ−５６４、Ｒ−１２８Ｈ（以上、日本化薬製）、ＮＫエステルＡＭＰ−１０Ｇ、ＡＭＰ−２０Ｇ（以上、新中村化学工業製）、ＦＡ−５１１Ａ、５１２Ａ、５１３Ａ（以上、日立化成製）、ＰＨＥ、ＣＥＡ、ＰＨＥ−２、ＰＨＥ−４、ＢＲ−３１、ＢＲ−３１Ｍ、ＢＲ−３２（以上、第一工業製薬製）、ＶＰ（ＢＡＳＦ製）、ＡＣＭＯ、ＤＭＡＡ、ＤＭＡＰＡＡ（以上、興人製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

アクリロイル基又はメタクリロイル基を２つ以上有する多官能（メタ）アクリル化合物としては、例えば、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ＥＯ，ＰＯ変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−へキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−アダマンタンジメタノールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロイルオキシ）イソシアヌレート、ビス（ヒドロキシメチル）トリシクロデカンジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ＥＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン、ＥＯ，ＰＯ変性２，２−ビス（４−（（メタ）アクリロキシ）フェニル）プロパン等が挙げられるが、これらに限定されない。

上記多官能（メタ）アクリル化合物の市販品としては、ユピマー（登録商標）ＵＶ ＳＡ１００２、ＳＡ２００７（以上、三菱化学製）、ビスコート＃１９５、＃２３０、＃２１５、＃２６０、＃３３５ＨＰ、＃２９５、＃３００、＃３６０、＃７００、ＧＰＴ、３ＰＡ（以上、大阪有機化学工業製）、ライトアクリレート４ＥＧ−Ａ、９ＥＧ−Ａ、ＮＰ−Ａ、ＤＣＰ−Ａ、ＢＰ−４ＥＡ、ＢＰ−４ＰＡ、ＴＭＰ−Ａ、ＰＥ−３Ａ、ＰＥ−４Ａ、ＤＰＥ−６Ａ（以上、共栄社化学製）、Ａ−ＤＣＰ、Ａ−ＨＤ−Ｎ、Ａ−ＮＯＤ−Ｎ、Ａ−ＤＯＤ−Ｎ（以上、新中村化学工業製）、ＫＡＹＡＲＡＤ（登録商標） ＰＥＴ−３０、ＴＭＰＴＡ、Ｒ−６０４、ＤＰＨＡ、ＤＰＣＡ−２０、−３０、−６０、−１２０、ＨＸ−６２０、Ｄ−３１０、Ｄ−３３０（以上、日本化薬製）、アロニックス（登録商標）Ｍ２０８、Ｍ２１０、Ｍ２１５、Ｍ２２０、Ｍ２４０、Ｍ３０５、Ｍ３０９、Ｍ３１０、Ｍ３１５、Ｍ３２５、Ｍ４００（以上、東亞合成製）、リポキシ（登録商標）ＶＲ−７７、ＶＲ−６０、ＶＲ−９０（以上、昭和電工製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

尚、上述した化合物群において、（メタ）アクリレートとは、アクリレートまたはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリレートを意味する。（メタ）アクリロイル基とは、アクリロイル基またはそれと同等のアルコール残基を有するメタクリロイル基を意味する。ＥＯは、エチレンオキサイドを示し、ＥＯ変性化合物Ａとは、化合物Ａの（メタ）アクリル酸残基とアルコール残基がエチレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。また、ＰＯは、プロピレンオキサイドを示し、ＰＯ変性化合物Ｂとは、化合物Ｂの（メタ）アクリル酸残基とアルコール残基がプロピレンオキサイド基のブロック構造を介して結合している化合物を示す。

（光重合開始剤（Ｅ））
光重合開始剤（Ｅ）とは、所定の波長の光を感知して重合因子（ラジカル）を発生させる化合物である。具体的には、光重合開始剤は、光（赤外線、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線等の荷電粒子線等、放射線）によりラジカルを発生する重合開始剤（ラジカル発生剤）であり、より具体的には、例えば、１５０以上４００ｎｍ以下の波長の光によりラジカルを発生する重合開始剤である。

光重合開始剤（Ｅ）は、一種類の光重合開始剤で構成されていても良く、複数種類の光重合開始剤で構成されていても良い。

ラジカル発生剤としては、例えば、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−又はｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の置換基を有してもよい２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン誘導体；２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−プロパン−１−オン等のα―アミノ芳香族ケトン誘導体；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナンタラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル誘導体；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン、プロピルベンゾイン等のベンゾイン誘導体；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；Ｎ−フェニルグリシン等のＮ−フェニルグリシン誘導体；アセトフェノン、３−メチルアセトフェノン、アセトフェノンベンジルケタール、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体；チオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン等のチオキサントン誘導体；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド誘導体；１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（Ｏ−アセチルオキシム）等のオキシムエステル誘導体；キサントン、フルオレノン、ベンズアルデヒド、フルオレン、アントラキノン、トリフェニルアミン、カルバゾール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン等が挙げられるが、これらに限定されない。

上記ラジカル発生剤の市販品として、Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４、３６９、６５１、５００、８１９、９０７、７８４、２９５９、ＣＧＩ−１７００、−１７５０、−１８５０、ＣＧ２４−６１、Ｄａｒｏｃｕｒ（登録商標） １１１６、１１７３、Ｌｕｃｉｒｉｎ（登録商標） ＴＰＯ、ＬＲ８８９３、ＬＲ８９７０（以上、ＢＡＳＦ製）、ユベクリルＰ３６（ＵＣＢ製）等が挙げられるが、これらに限定されない。

光重合開始剤（Ｅ）の光硬化性組成物における配合割合は、重合性化合物（Ｄ）の全量に対して、０．０１重量％以上１０重量％以下であり、好ましくは、０．１重量％以上７重量％以下である。

光重合開始剤の配合割合が重合性化合物（Ｄ）の全量に対して０．０１重量％以上であることにより、硬化速度の低下による反応効率の低下を防ぐことができ、光重合開始剤の配合割合が重合性化合物（Ｄ）の全量に対して１０．０重量％以下であることにより、光硬化性組成物の硬化膜の機械的特性の劣化を防げる場合が多いからである。

（その他の成分（Ｆ））
本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物は、前述した、重合性化合物（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）の他に、種々の目的に応じて、本発明の効果を損なわない範囲で、更なる添加成分（Ｆ）を含有していてもよい。このような添加成分としては、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、溶剤、ポリマー成分、前記光重合開始剤（Ｅ）でない重合開始剤、等が挙げられる。

増感剤は、重合反応促進や反応転化率の向上を目的として、適宜添加される化合物である。増感剤として、例えば、増感色素等が挙げられる。

増感色素は、特定の波長の光を吸収することにより励起され、光重合開始剤（Ｅ）と相互作用する化合物である。尚、ここで記載する相互作用とは、励起状態の増感色素から光重合開始剤（Ｅ）へのエネルギー移動や電子移動等である。

増感色素の具体例としては、アントラセン誘導体、アントラキノン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾフェノン誘導体、チオキサントン誘導体、キサントン誘導体、クマリン誘導体、フェノチアジン誘導体、カンファキノン誘導体、アクリジン系色素、チオピリリウム塩系色素、メロシアニン系色素、キノリン系色素、スチリルキノリン系色素、ケトクマリン系色素、チオキサンテン系色素、キサンテン系色素、オキソノール系色素、シアニン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム塩系色素等が挙げられるが、これらに限定されない。

増感剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。

水素供与体は、光重合開始剤（Ｅ）から発生した開始ラジカルや、重合生長末端のラジカルと反応し、より反応性が高いラジカルを発生する化合物である。光重合開始剤（Ｅ）が光ラジカル発生剤である場合に添加することが好ましい。

このような水素供与体の具体例としては、ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、アリルチオ尿素、ｓ−ベンジルイソチウロニウム−ｐ−トルエンスルフィネート、トリエチルアミン、ジエチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレンテトラミン、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸イソアミルエステル、ペンチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、トリエタノールアミン、Ｎ−フェニルグリシンなどのアミン化合物、２−メルカプト−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾール、メルカプトプロピオン酸エステル等のメルカプト化合物、等が挙げられるが、これらに限定されない。

水素供与体は、一種類を単独で用いてもよいし二種類以上を混合して用いてもよい。

水素供与体は、増感剤としての機能を有してもよい。

本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物が、その他の成分（Ｆ）として、増感剤や水素供与体を含む場合、これらの含有量はそれぞれ、重合性化合物（Ｄ）の全量に対して、好ましくは、０．１重量％以上２０重量％以下であり、より好ましくは、０．１重量％以上５．０重量％以下であり、さらに好ましくは、０．２重量％以上２．０重量％以下である。重合性化合物（Ｄ）の全量に対して、増感剤が０．１重量％以上含まれていれば、重合促進効果をより効果的に発現することができる。また、増感剤もしくは水素供与体の含量を５．０重量％以下とすることにより、作製される光硬化膜を構成する高分子化合物の分子量が十分に高くなると共に、光硬化性組成物への溶解不良や光硬化性組成物の保存安定性の劣化を抑制することができる。

モールドとレジストとの間の界面結合力の低減、すなわち離型工程における離型力の低減を目的として、光硬化性組成物に内添型離型剤を添加することができる。本明細書において、内添型とは、光硬化性組成物の配置工程の前に予め光硬化組成物に添加されていることを意味する。

内添型離型剤としては、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤及び炭化水素系界面活性剤等の界面活性剤等を使用できる。本発明において、内添型離型剤は、重合性を有さない。

フッ素系界面活性剤としては、パーフルオロアルキル基を有するアルコールのポリアルキレンオキサイド（ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等）付加物、パーフルオロポリエーテルのポリアルキレンオキサイド（ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド等）付加物等が含まれる。尚、フッ素系界面活性剤は、分子構造の一部（例えば、末端基）に、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アルキル基、アミノ基、チオール基等を有してもよい。

フッ素系界面活性剤としては、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、メガファック（登録商標）Ｆ−４４４、ＴＦ−２０６６、ＴＦ−２０６７、ＴＦ−２０６８（以上、ＤＩＣ製）、フロラード ＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１（以上、住友スリーエム製）、サーフロン（登録商標） Ｓ−３８２（ＡＧＣ製）、ＥＦＴＯＰ ＥＦ−１２２Ａ、１２２Ｂ、１２２Ｃ、ＥＦ−１２１、ＥＦ−１２６、ＥＦ−１２７、ＭＦ−１００（以上、トーケムプロダクツ製）、ＰＦ−６３６、ＰＦ−６３２０、ＰＦ−６５６、ＰＦ−６５２０（以上、ＯＭＮＯＶＡ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ製）、ユニダイン（登録商標）ＤＳ−４０１、ＤＳ−４０３、ＤＳ−４５１（以上、ダイキン工業製）、フタージェント（登録商標） ２５０、２５１、２２２Ｆ、２０８Ｇ（以上、ネオス製）等が挙げられる。

また、内添型離型剤は、炭化水素系界面活性剤でもよい。

炭化水素系界面活性剤としては、炭素数１〜５０のアルキルアルコールに炭素数２〜４のアルキレンオキサイドを付加した、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物等が含まれる。

アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物としては、メチルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、デシルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、ラウリルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、セチルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールポリエチレンオキサイド付加物、ステアリルアルコールポリエチレンオキサイド／ポリプロピレンオキサイド付加物等が挙げられる。尚、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物の末端基は、単純にアルキルアルコールにポリアルキレンオキサイドを付加して製造できるヒドロキシル基に限定されない。このヒドロキシル基が他の置換基、例えば、カルボキシル基、アミノ基、ピリジル基、チオール基、シラノール基等の極性官能基やアルキル基、アルコキシ基等の疎水性官能基に変換されていてもよい。

アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物は、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、青木油脂工業製のポリオキシエチレンメチルエーテル（メチルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＭＰ−４００、ＭＰ−５５０、ＭＰ−１０００）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンデシルエーテル（デシルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＦＩＮＥＳＵＲＦ（登録商標） Ｄ−１３０３、Ｄ−１３０５、Ｄ−１３０７、Ｄ−１３１０）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンラウリルエーテル（ラウリルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＥＬ−１５０５）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンセチルエーテル（セチルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＣＨ−３０５、ＣＨ−３１０）、青木油脂工業製のポリオキシエチレンステアリルエーテル（ステアリルアルコールエチレンオキサイド付加物）（ＢＬＡＵＮＯＮ ＳＲ−７０５、ＳＲ−７０７、ＳＲ−７１５、ＳＲ−７２０、ＳＲ−７３０、ＳＲ−７５０）、青木油脂工業製のランダム重合型ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンステアリルエーテル（ＢＬＡＵＮＯＮ ＳＡ−５０／５０ １０００Ｒ、ＳＡ−３０／７０ ２０００Ｒ）、ＢＡＳＦ製のポリオキシエチレンメチルエーテル（Ｐｌｕｒｉｏｌ（登録商標） Ａ７６０Ｅ）、花王製のポリオキシエチレンアルキルエーテル（エマルゲンシリーズ）等が挙げられる。

これらの炭化水素系界面活性剤の中でも内添型離型剤としては、アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることが好ましく、長鎖アルキルアルコールポリアルキレンオキサイド付加物であることがより好ましい。

内添型離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。

本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物が、その他の成分（Ｆ）として、内添型離型剤を含む場合、この内添型離型剤の含有量は、重合性化合物（Ｄ）の全量に対して、例えば、０．００１重量％以上１０重量％以下である。好ましくは、０．０１重量％以上７重量％以下であり、より好ましくは、０．０５重量％以上５重量％以下である。

少なくとも０．００１重量％以上１０重量％以下とすることで、離型力低減効果及び充填性に優れる。

＜光硬化性組成物の配合時の温度＞
本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物を調製する際には、少なくとも重合性化合物（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）を所定の温度条件下で混合・溶解させる。具体的には、０℃以上１００℃以下の範囲で行う。その他の成分（Ｆ）を含有する場合も同様である。

＜光硬化性組成物の粘度＞
本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物の溶剤を除く成分の混合物の２３℃での粘度は、好ましくは、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下であり、より好ましくは、１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であり、さらに好ましくは、１ｍＰａ・ｓ以上２０ｍＰａ・ｓ以下である。

光硬化性組成物の粘度を１００ｍＰａ・ｓ以下とすることにより、光硬化性組成物をモールドに接触する際に、モールド上の微細パターンのうち凹部に光硬化性組成物が充填するのにかかる時間が長時間とならずに済む。また、充填不良によるパターン欠陥が生じにくい。

また、粘度を１ｍＰａ・ｓ以上とすることにより、光硬化性組成物を基板上に塗布する際に塗りムラが生じにくくなり、光硬化性組成物をモールドに接触する際に、モールドの端部から光硬化性組成物が流出しにくくなる。

＜光硬化性組成物の表面張力＞
本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物の表面張力は、溶剤を除く成分の混合物について２３℃での表面張力が、好ましくは、５ｍＮ／ｍ以上７０ｍＮ／ｍ以下であり、より好ましくは、７ｍＮ／ｍ以上３５ｍＮ／ｍ以下であり、さらに好ましくは、１０ｍＮ／ｍ以上３２ｍＮ／ｍ以下である。ここで、表面張力を５ｍＮ／ｍ以上とすることにより、光硬化性組成物をモールドに接触させる際にモールド上の微細パターンのうち凹部に光硬化性組成物が充填するのにかかる時間が長時間とならずにすむ。

また、表面張力を７０ｍＮ／ｍ以下とすることにより、光硬化性組成物を光硬化して得られる光硬化膜が表面平滑性を有する光硬化膜となる。

＜光硬化性組成物に混入している不純物＞
本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物は、密着層組成物と同様にできる限り不純物を含まないことが好ましい。

したがって、光硬化性組成物は、密着層組成物と同様に精製工程を経て得られたものであることが好ましい。このような精製工程としては、フィルタを用いた濾過等が好ましい。

フィルタを用いた濾過を行う際には、具体的には、前述した重合性化合物（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）及び必要に応じて添加するその他の成分（Ｆ）を混合した後、例えば、孔径０．００１μｍ以上５．０μｍ以下のフィルタで濾過することが好ましい。フィルタを用いた濾過を行う際には、多段階で行ったり、多数回繰り返したりすることがさらに好ましい。また、濾過した液を再度濾過してもよい。孔径の異なるフィルタを複数用いて濾過してもよい。濾過に使用するフィルタとしては、ポリエチレン樹脂製、ポリプロピレン樹脂製、フッ素樹脂製、ナイロン樹脂製等のフィルタを使用することができるが、特に限定されるものではない。

このような精製工程を経ることで、光硬化性組成物に混入したパーティクル等の不純物を取り除くことができる。これにより、パーティクル等の不純物によって、光硬化性組成物を光硬化した後に得られる光硬化膜に不用意に凹凸が生じてパターンの欠陥が発生することを防止することができる。

尚、本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物を、半導体集積回路を製造するために使用する場合、製品の動作を阻害しないようにするため、密着層組成物と同様に、光硬化性組成物中に金属原子を含有する不純物（金属不純物）が混入することを極力避けることが好ましい。このような場合、光硬化性組成物に含まれる金属不純物の濃度としては、１０ｐｐｍ以下が好ましく、１００ｐｐｂ以下にすることがさらに好ましい。

次に、本発明の硬化物パターンの製造方法について説明する。

図１は、本発明の硬化物パターンの製造方法の例を示す模式断面図である。

本発明の硬化物パターンの製造方法は、
［１］基板上に、前述の本発明の密着層組成物を適用する密着層形成工程と、
［２］基板上に、前述の本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物を配置する工程と、
［３］前記光硬化性組成物とモールドとを接触させる型接触工程と、
［４］モールドと基板の位置を合わせる位置合わせ工程と、
［５］前記光硬化性組成物に光を照射する光照射工程と、
［６］［５］の工程によって得られた光硬化膜とモールドとを引き離す離型工程と、
を有する。

硬化物パターンの製造方法は、インプリント方法を利用した作製方法であり、光ナノインプリント方法として知られている。

本発明の硬化物パターンの製造方法によって得られる光硬化膜は、１ｎｍ以上１０ｍｍ以下のサイズのパターンを有する膜であることが好ましく、１０ｎｍ以上１００μｍ以下のサイズのパターンを有する膜であることがより好ましい。なお、一般に、光を利用してナノサイズ（１ｎｍ以上１００ｎｍ以下）のパターン（凹凸構造）を有する膜を作製するパターン形成技術は、光ナノインプリント法と呼ばれており、本発明の硬化物パターンの製造方法は、光ナノインプリント法を利用している。

以下、各工程について説明する。

＜密着層形成工程［１］＞
本工程（密着層形成工程）では、図１（ａ）に示す通り、前述した本発明の密着層組成物を基板１０２上に適用して密着層１０１を形成する。

光硬化性組成物１０３を配置する対象である基板１０２は、被加工基板であり、通常、シリコンウエハが用いられる。

また、本実施形態に係る硬化物パターンの製造方法を利用してインプリント用モールドを製造する際には、基板１０２として石英基板を用いることができる。

なお、インプリント用モールドを作製する際には、石英基板上に金属化合物層（ハードマスク材料層）が形成された基板を基板１０２として用いてもよい。

シリコンウエハの表面はシラノール基が存在しているため、加熱処理により化合物（Ａ）の水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、エポキシ基、（ブロック）イソシアネート基などと容易に化学結合を形成すると考えられる。

ただし本発明において、基板１０２はシリコンウエハに限定されるものではなく、アルミニウム、チタン−タングステン合金、アルミニウム−ケイ素合金、アルミニウム−銅−ケイ素合金、酸化ケイ素、窒化ケイ素等の半導体デバイス用基板として知られているものの中からも任意に選んで用いてもよい。前記の基板上にスピン・オン・グラス、有機物、金属、酸化物、窒化物など１種類あるいは複数種類を成膜したものを用いてもよい。

密着層組成物を基板上に適用する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。塗布性、特に膜厚均一性の観点から、スピンコート法が特に好ましい。

密着層組成物塗布後は、溶剤（Ｂ）を乾燥させながら、同時に基板と化合物（Ａ）とを反応させ、結合を形成させるとよい。このときには加熱することが好ましい。好ましい温度は、化合物（Ａ）と基板との反応性、化合物（Ａ）や溶剤（Ｂ）の沸点により適宜選択されるが、７０℃以上２５０℃以下である。より好ましくは、１００℃以上２２０℃以下であり、さらに好ましくは１４０℃以上２２０℃以下である。また、溶剤（Ｂ）の乾燥と、基板と化合物（Ａ）とを反応を別々の温度で行ってもよい。

本発明の密着層組成物を基板上に適用して形成された密着層１０１の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。より好ましくは、０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、さらに好ましくは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。

尚、本発明の密着層組成物を基板上に適用して密着層１０１を形成する際に、多重塗布により形成してもよい。また、形成された密着層１０１はできる限り平坦であることが好ましい。好ましくは、表面の粗さが１ｎｍ以下である。

＜配置工程［２］＞
本工程（配置工程）では、図１（ｂ）に示す通り、前述した本発明の密着層組成物と一緒に用いられる光硬化性組成物１０３を基板１０２上に配置（塗布）して塗布膜を形成する。

本発明において、光硬化性組成物を被加工基板上に配置する方法としては、例えば、インクジェット法、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スピンコート法、スリットスキャン法等を用いることができる。光ナノインプリント法においては、インクジェット法が特に好ましい。尚、被形状転写層（塗布膜）の膜厚は、使用する用途によっても異なるが、例えば、０．０１μｍ以上１００．０μｍ以下である。

＜型接触工程［３］＞
次に、図１（ｃ）に示すように、前工程（配置工程）で形成された光硬化性組成物１０３からなる塗布膜にパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールド１０４を接触させる。本工程で、光硬化性組成物１０３（被形状転写層）にモールド１０４を接触させる（図１（ｃ−１））ことにより、モールド１０４が表面に有する微細パターンの凹部に光硬化性組成物１０３からなる塗布膜（の一部）が充填されて、モールドの微細パターンに充填された塗布膜１０５となる（図１（ｃ−２））。

モールド１０４は、次の工程（光照射工程）を考慮して光透過性の材料で構成される必要がある。モールド１０４の構成材料としては、具体的には、ガラス、石英、ＰＭＭＡ、ポリカーボネート樹脂等の光透明性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサン等の柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が好ましい。ただし、モールド１０４の構成材料として光透明性樹脂を使用する場合は、光硬化性組成物１０３に含まれる成分に溶解しない樹脂を選択する必要がある。熱膨張係数が小さくパターン歪みが小さいことから、石英であることが特に好ましい。

モールド１０４が表面に有する微細パターンは、４ｎｍ以上２００ｎｍ以下のパターン高さおよび１以上１０以下のアスペクト比を有することが好ましい。

モールド１０４には、光硬化性組成物１０３とモールド１０４の表面との剥離性を向上させるために、光硬化性組成物とモールドとの型接触工程である本工程の前に表面処理を行ってもよい。表面処理の方法としては、モールドの表面に離型剤を塗布して離型剤層を形成する方法が挙げられる。ここで、モールドの表面に塗布する離型剤としては、シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤、炭化水素系離型剤、ポリエチレン系離型剤、ポリプロピレン系離型剤、パラフィン系離型剤、モンタン系離型剤、カルナバ系離型剤等が挙げられる。例えば、ダイキン工業（株）製のオプツール（登録商標）ＤＳＸ等の市販の塗布型離型剤も好適に用いることができる。尚、離型剤は、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用して用いてもよい。これらの中でも、フッ素系および炭化水素系の離型剤が特に好ましい。

本工程（型接触工程）において、図２（ｃ−１）に示すように、モールド１０４と光硬化性組成物１０３とを接触させる際に、光硬化性組成物１０３に加える圧力は特に限定されないが、通常、０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下である。その中でも０ＭＰａ以上５０ＭＰａ以下であることが好ましく、０ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下であることがより好ましく、０ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。

また、本工程においてモールド１０４を光硬化性組成物１０３に接触させる時間は、特に限定されないが、通常、０．１秒以上６００秒以下であり、０．１秒以上３００秒以下であることが好ましく、０．１秒以上１８０秒以下であることがより好ましく、０．１秒以上１２０秒以下であることが特に好ましい。

本工程は、大気雰囲気下、減圧雰囲気下、不活性ガス雰囲気下のいずれの条件下でも行うことができるが、酸素や水分による硬化反応への影響を防ぐことができるため、減圧雰囲気や不活性ガス雰囲気とすることが好ましい。不活性ガス雰囲気下で本工程を行う場合に使用することができる不活性ガスの具体例としては、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン、各種フロンガス等、あるいはこれらの混合気体が挙げられる。大気雰囲気下を含めて特定のガスの雰囲気下で本工程を行う場合、好ましい圧力は、０．０００１気圧以上１０気圧以下である。

型接触工程は、凝縮性ガスを含む雰囲気（以下、凝縮性ガス雰囲気）下で行ってもよい。本発明および本明細書において、凝縮性ガスとは、型接触工程で光硬化性組成物１０３（被形状転写層）とモールド１０４とが接触する前（図２（ｃ−１））は雰囲気中に気体として存在し、光硬化性組成物１０３（被形状転写層）とモールド１０４とが接触して、モールド１０４上に形成された微細パターンの凹部、およびモールドと基板との間隙に塗布膜（の一部）１０５と一緒に雰囲気中のガスが充填されたとき、充填時の圧力により発生する毛細管圧力で凝縮して液化するガスとして定義する。

凝縮性ガス雰囲気下で型接触工程を行うと、微細パターンの凹部に充填されたガスが液化することで気泡が消滅するため、充填性が優れる。凝縮性ガスは、光硬化性組成物中に溶解してもよい。

凝縮性ガスの沸点は、型接触工程の雰囲気温度以下であれば制限がないが、−１０℃〜２３℃が好ましく、さらに好ましくは１０℃〜２３℃である。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。

凝縮性ガスの型接触工程の雰囲気温度での蒸気圧は、型接触工程で押印するときのモールド圧力以下であれば制限がないが、０．１〜０．４ＭＰａが好ましい。この範囲であれば、充填性がさらに優れる。雰囲気温度での蒸気圧が０．４ＭＰａより大きいと、気泡の消滅の効果を十分に得ることができない傾向がある。一方、雰囲気温度での蒸気圧が０．１ＭＰａよりも小さいと、減圧が必要となり、装置が複雑になる傾向がある。

型接触工程の雰囲気温度は、特に制限がないが、２０℃〜２５℃が好ましい。

凝縮性ガスとして、具体的には、トリクロロフルオロメタン等のクロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）、フルオロカーボン（ＦＣ）、ハイドロクロロフルオロカーボン（ＨＣＦＣ）、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（ＣＨＦ_２ＣＨ_２ＣＦ_３、ＨＦＣ−２４５ｆａ、ＰＦＰ）等のハイドロフルオロカーボン（ＨＦＣ）、ペンタフルオロエチルメチルエーテル（ＣＦ_３ＣＦ_２ＯＣＨ_３、ＨＦＥ−２４５ｍｃ）等のハイドロフルオロエーテル（ＨＦＥ）等のフロン類が挙げられる。

これらのうち、型接触工程の雰囲気温度が２０℃〜２５℃での充填性が優れるという観点から、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパン（２３℃での蒸気圧０．１４ＭＰａ、沸点１５℃）、トリクロロフルオロメタン（２３℃での蒸気圧０．１０５６ＭＰａ、沸点２４℃）、およびペンタフルオロエチルメチルエーテルが好ましく、さらに安全性が優れるという観点から、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンが特に好ましい。

凝縮性ガスは、一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を混合して用いてもよい。またこれら凝縮性ガスは、空気、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン等の非凝縮性ガスと混合して用いてもよい。凝縮性ガスと混合して混合気体にする非凝縮性ガスとしては、充填性の観点から、ヘリウムが好ましい。ヘリウムであると、型接触工程でモールド１０４上に形成された微細パターンの凹部に塗布膜（の一部）１０５と一緒に雰囲気中のガス（凝縮性ガス及びヘリウム）が充填されたとき、凝縮性ガスが液化するとともにヘリウムがモールドを透過することができるため、充填性が優れる。

＜位置合わせ工程［４］＞
次に、図２（ｄ）に示すように、モールド側位置決めマーク１０６と、被加工基板の位置決めマーク１０７が一致するように、モールドおよび／もしくは被加工基板の位置を調整する。

＜光照射工程［５］＞
次に、図２（ｅ）に示すように、［４］の工程により、位置を合わせた状態で、光硬化性組成物の前記モールドとの接触部分に、より詳細には、モールドの微細パターンに充填された塗布膜１０５に、モールド１０４を介して光を照射する（図２（ｅ−１））。これにより、モールド１０４の微細パターンに充填された塗布膜１０５は、照射される光１０８によって光硬化して光硬化物１０９となる（図２（ｅ−２））。

ここで、モールドの微細パターンに充填された塗布膜１０５を構成する光硬化性組成物１０３に照射する光は、光硬化性組成物１０３の感度波長に応じて選択されるが、具体的には、１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の波長の紫外光や、Ｘ線、電子線等を適宜選択して使用することが好ましい。

これらの中でも、光硬化性組成物１０３に照射する光（照射光１０８）は、紫外光が特に好ましい。これは、硬化助剤（光重合開始剤）として市販されているものは、紫外光に感度を有する化合物が多いからである。ここで紫外光を発する光源としては、例えば、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、低圧水銀灯、Ｄｅｅｐ−ＵＶランプ、炭素アーク灯、ケミカルランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ_２エキシマレーザ等が挙げられるが、超高圧水銀灯が特に好ましい。また使用する光源の数は１つでもよいし又は複数であってもよい。また、光照射を行う際には、モールドの微細パターンに充填された塗布膜１０５の全面に行ってもよく、一部領域にのみ行ってもよい。

また、光照射は、基板上の全領域に断続的に複数回行ってもよいし、全領域に連続照射してもよい。さらに、第一の照射過程で一部領域Ａを照射し、第二の照射過程で領域Ａとは異なる領域Ｂを照射してもよい。

本発明において、本工程における硬化性組成物への露光量は、９０ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが好ましく、低露光量であることがより好ましく、３０ｍＪ／ｃｍ^２以下であることが最も好ましい。本明細書中において、低露光量とは７６ｍＪ／ｃｍ^２以下であることを意味する。

＜離型工程［６］＞
次に、光硬化物１０９とモールド１０４と引き離す。このとき基板１０２上に所定のパターン形状を有する光硬化膜１１０が硬化物パターンとして形成されている。

本工程（離型工程）では、図１（ｆ）に示すように、光硬化物１０９とモールド１０４とを引き離し、工程［５］（光照射工程）において、モールド１０４上に形成された微細パターンの反転パターンとなる硬化物パターン１１０が得られる。

また、型接触工程を凝縮性ガス雰囲気下で行った場合、離型工程で光硬化物１０９とモールド１０４とを引き離す際に、光硬化物１０９とモールド１０４とが接触する界面の圧力が低下することに伴って凝縮性ガスが気化することで、離型力低減効果を奏する傾向がある。

光硬化物１０９とモールド１０４とを引き離す方法としては、引き離す際に光硬化物１０９の一部が物理的に破損しなければ特に限定されず、各種条件等も特に限定されない。例えば、基板１０２（被加工基板）を固定してモールド１０４を基板１０２から遠ざかるように移動させて剥離してもよく、モールド１０４を固定して基板１０２をモールドから遠ざかるように移動させて剥離してもよく、これらの両方を正反対の方向へ引っ張って剥離してもよい。

以上の工程［１］〜工程［６］を有する一連の工程（製造プロセス）によって、所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を、所望の位置に有する光硬化膜を得ることができる。得られた光硬化膜は、例えば、フレネルレンズや回折格子などの光学部材（光学部材の一部材として用いる場合を含む。）として利用することもできる。このような場合、少なくとも、基板１０２と、この基板１０２の上に配置されたパターン形状を有する光硬化膜１１０と、を有する光学部材とすることができる。

本発明の硬化物パターンの製造方法では、工程［１］〜工程［６］からなる繰り返し単位（ショット）を、同一の被加工基板上で繰り返して複数回行うことができる。工程［１］〜工程［６］からなる繰り返し単位（ショット）を複数回繰り返すことで、被加工基板の所望の位置に複数の所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を有する光硬化膜を得ることができる。

＜光硬化膜の一部を除去する残膜除去工程［７］＞
工程［６］である離型工程により得られる光硬化膜は、特定のパターン形状を有するものの、このパターン形状が形成される領域以外の領域においても光硬化膜の一部が残る場合がある（以降の記載において、このような光硬化膜の一部を残膜と呼ぶことがある）。そのような場合は、図１（ｇ）に示すように、得られたパターン形状を有する光硬化膜のうちの除去すべき領域にある光硬化膜（残膜）及びその下部にある密着層を除去して所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を有する光硬化物パターン１１１（残膜除去後の硬化物パターン）を得ることができる。

ここで、残膜及びその下部にある密着層を除去する方法としては、例えば、光硬化膜１１０の凹部である光硬化膜（残膜）をエッチングなどの方法により取り除き、光硬化膜１１０が有するパターンの凹部において基板１０２の表面を露出させる方法が挙げられる。

光硬化膜１１０の凹部にある硬化物及びその下部にある密着層をエッチングにより除去する場合、その具体的な方法としては、特に限定されるものではなく、従来公知の方法、例えば、ドライエッチングを用いることができる。ドライエッチングには、従来公知のドライエッチング装置を用いることができる。そして、ドライエッチング時のソースガスは、エッチングに供される硬化物の元素組成によって適宜選択されるが、ＣＦ_４、Ｃ_２Ｆ_６、Ｃ_３Ｆ_８、ＣＣｌ_２Ｆ_２、ＣＣｌ_４、ＣＢｒＦ_３、ＢＣｌ_３、ＰＣｌ_３、ＳＦ_６、Ｃｌ_２等のハロゲン系ガス、Ｏ_２、ＣＯ、ＣＯ_２等の酸素原子を含むガス、Ｈｅ、Ｎ_２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｈ_２、ＮＨ_３のガス等を使用することができる。尚、これらのガスは混合して用いることもできる。

以上の工程［１］〜工程［７］の製造プロセスによって、所望の凹凸パターン形状（モールド１０４の凹凸形状に因むパターン形状）を、所望の位置に有する光硬化物パターン１１１を得ることができ、光硬化物パターンを有する物品を得ることができる。更に、得られた光硬化物パターン１１１を利用して基板１０２を加工する場合は、後述する基板の加工工程（工程［８］）を行う。

一方、得られた光硬化物パターン１１１を回折格子や偏光板などの光学部材（光学部材の一部材として用いる場合を含む）として利用し、光学部品を得ることもできる。このような場合、少なくとも、基板１０２と、この基板１０２の上に配置された光硬化物パターン１１１と、を有する光学部品とすることができる。

＜基板加工工程［８］＞
本発明の硬化物パターンの製造方法によって得られる、凹凸パターン形状を有する光硬化物パターン１１１は、例えば、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭ等の半導体素子に代表される電子部品に含まれる層間絶縁膜用膜として利用することも可能であり、半導体素子製造時におけるレジスト膜として利用することも可能である。

光硬化物パターン１１１をレジスト膜として利用する場合、工程［７］である残膜除去工程にて表面が露出した基板の一部分（図１（ｇ）における符号１１２の領域）に対して、エッチング又はイオン注入等を行う。尚、この際、光硬化物パターン１１１は、エッチングマスクとして機能する。これに加えて、電子部材を形成することにより、光硬化物パターン１１１のパターン形状に基づく回路構造１１３（図１（ｈ））を基板１０２に形成することができる。これにより、半導体素子等で利用される回路基板を製造することができる。また、この回路基板と回路基板の回路制御機構などとを接続することにより、ディスプレイ、カメラ、医療装置などの電子機器を形成することもできる。

また、同様に、光硬化物パターン１１１をレジスト膜として利用して、エッチング又はイオン注入等を行い、光学部品やマイクロフルイディクスの流路構造、パターンドメディアの構造体等のデバイス部品を得ることもできる。

あるいは、硬化物パターン１１０を用いて基板１０２である石英基板をエッチングすることにより、インプリント用モールドを製造することもできる。この場合、硬化物パターン１１０をマスクとして用いて基板１０２である石英基板を直接エッチングしてもよい。または、硬化物パターン１１０をマスクとして用いてハードマスク材料層をエッチングし、これにより転写されたハードマスク材料からなるパターンをマスクとして用いて石英基板をエッチングしてもよい。あるいは、硬化物パターン１１０の凹部に第２の硬化性材料による第２の硬化物を形成し、該第２の硬化物をマスクとして用いて石英基板をエッチングしてもよい。

硬化物パターン１１０をマスクとして用いて基板１０２を加工する方法としてエッチングおよびイオン注入について述べたが、これに限定はされない。例えば、基板１０２上に硬化物パターン１１０が形成された状態で、めっき処理等を行うこともできる。

尚、回路付基板や電子部品を作製する場合、最終的には、加工された基板から光硬化物パターン１１１を除去してもよいが、素子を構成する部材として残す構成としてもよい。

以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明の技術的範囲は以下の実施例に限定されるものではない。尚、以下に使用される「部」及び「％」は特に示さない限りすべて重量基準である。

＜密着層組成物の調製＞
下記に示す化合物（Ａ）及び溶剤（Ｂ）としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（東京化成工業製）を配合して化合物（Ａ）の含有量が０．１重量％の混合溶液を得た。

次に、得られた混合溶液を、フィルタの目の粗さが０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルタにてろ過した。これにより、表１に示すような密着層組成物１〜６を調製した。

（化合物（Ａ））
（Ａ−１）１，３，５−トリス（３−メルカプトブチリルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン（昭和電工製、商品名：カレンズＭＴ ＮＲ−１）
（Ａ−２）トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピオネート）（東京化成工業製）
（Ａ−３）ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）とペンタエリスリトールトリス（３−メルカプトブチレート）の混合物（昭和電工製、商品名：カレンズＭＴ ＰＥ−１）
（Ａ−４）ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）（東京化成工業製）
（Ａ−５）Ｎ−フェニルグリシン（東京化成工業製）
（Ａ−６）Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペンタキス（２−ヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミン（東京化成工業製）
（Ａ−７）トリチオシアヌル酸（比較例用）（東京化成工業製）
（Ａ−８）６−（ジブチルアミノ）−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール（比較例用）（東京化成工業製）

＜光硬化性組成物の調製＞
以下に示す重合性化合物（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）、その他の成分（Ｆ）を表２に示す比率で配合して混合溶液を得た。表２中の数字は重量部を表わす。

次に、得られた混合溶液を、フィルタの目の粗さが０．２μｍの超高分子量ポリエチレン製フィルタにてろ過した。これにより、光硬化性組成物１〜３を調製した。

（重合性化合物（Ｄ））
（Ｄ−１）イソボルニルアクリレート（共栄社化学製、商品名：ＩＢ−ＸＡ）
（Ｄ−２）ベンジルアクリレート（大阪有機化学工業製、商品名：Ｖ＃１６０）
（Ｄ−３）ネオペンチルグリコールジアクリレート（共栄社化学製、商品名：ＮＰ−Ａ）
（Ｄ−４）ジメチロールトリシクロデカンジアクリレート（共栄社化学製、商品名：ＤＣＰ−Ａ）

（光重合開始剤（Ｅ））
（Ｅ−１）Ｌｕｃｉｒｉｎ（登録商標） ＴＰＯ（ＢＡＳＦ製）

（その他の成分（Ｆ））
（Ｆ−１）４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン（東京化成工業製）
（Ｆ−２）ＢＬＡＵＮＯＮ ＳＲ−７３０（青木油脂工業製）

＜密着性の評価＞
次に、下記に示す方法により、基板と光硬化性組成物の密着性を評価した。

（１）密着層の形成
調製した密着層組成物１〜６をそれぞれシリコンウエハ上に１５００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコートし、ホットプレート上において１６０℃で５分間加熱して、膜厚１ｎｍ以下の密着層を形成した。

（２）光硬化性組成物の硬化
上記方法により密着層が形成されたシリコンウエハ上に、調製した光硬化性組成物を２μＬ滴下し、上から厚さ１ｍｍの石英ガラスを被せ、３５ｍｍ×２５ｍｍの領域を光硬化性組成物で充填させた。

次に、石英ガラス上から、超高圧水銀ランプを備えたＵＶ光源から出射された光を、後述する干渉フィルタを通した上で石英ガラスを通して２００秒照射した。光照射の際に使用した干渉フィルタはＶＰＦ−２５Ｃ−１０−１５−３１３００（シグマ光機製）であり、このとき照射光である紫外光の波長を３１３±５ｎｍの単一波長光とし、照度を１ｍＷ／ｃｍ^２とした。

（３）密着性評価
光照射後、石英ガラスを引き剥がし、光硬化膜の剥がれの有無を目視で確認した。尚、３５ｍｍ×２５ｍｍの領域全面で光硬化膜の剥がれが生じない場合を○、３５ｍｍ×２５ｍｍの領域の一部でも剥がれが生じた場合を×として評価した。

その結果をまとめて表３に示す。

実施例１〜１０に記載の密着層は、光硬化膜の剥がれを生じることなく光硬化性組成物と基板との間で十分な密着性を示した。一方、密着層なしの比較例１〜３は、光硬化性組成物１〜３すべての場合において光硬化膜の剥がれが生じた。また、化合物（Ａ）としてＡ−７、Ａ−８を用いた密着層組成物７、８においても同様に、光硬化性組成物１〜３すべての場合で光硬化膜の剥がれが生じた。これはＡ−７、Ａ−８の窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環が、光を吸収して密着性が低下したと考えられる。これにより、各実施例の密着層を用いることで、パターンの剥がれ欠陥が低減された光硬化物を提供することが期待される。

１０１ 密着層
１０２ 基板
１０３ 光硬化性組成物
１０４ モールド
１０５ 塗布膜
１０６ モールド側位置合わせマーク
１０７ 基板側位置合わせマーク
１０８ 照射光
１０９ 光硬化物
１１０ パターン形状を有する光硬化膜
１１１ 光硬化物パターン
１１２ 表面が露出した基板の一部分
１１３ 回路構造

Claims (27)

1. 基板と光硬化性組成物との間に密着層を形成するための密着層組成物であって、
   二官能基以上の結合性官能基を有する化合物（Ａ）と、
   溶剤（Ｂ）と、を少なくとも有しており、
   前記化合物（Ａ）の、
   前記基板と結合する官能基は、水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、エポキシ基、（ブロック）イソシアネート基の群から選ばれる少なくとも１つであり、
   前記光硬化性組成物と結合する官能基は、水素供与性官能基であり、
   前記基板と結合する官能基および前記光硬化性組成物と結合する官能基は、それぞれ独立して炭化水素または芳香族炭化水素に直接結合していることを特徴とする密着層組成物。
2. 前記水素供与性官能基が、チオール基またはアルキルアミノ基であることを特徴とする請求項１に記載の密着層組成物。
3. 化合物（Ａ）が前記水素供与性官能基を分子中に３つ以上有することを特徴とする請求項１または２に記載の密着層組成物。
4. 前記基板と結合する官能基が水酸基またはチオール基のいずれかから選ばれる少なくとも１つの官能基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の密着層組成物。
5. 前記化合物（Ａ）が、複素環構造を有さない化合物である請求項１〜４のいずれか１項に記載の密着層組成物。
6. 前記化合物（Ａ）が、４方向に伸びる直鎖構造を有し、該直鎖構造のそれぞれの末端に前記基板と結合する官能基または前記光硬化性組成物と結合する官能基が結合している請求項１に記載の密着層組成物。
7. 前記化合物（Ａ）が、前記チオール基を分子中に少なくとも４つ有する請求項１〜６のいずれかに記載の密着層組成物。
8. 前記化合物（Ａ）が、１，３，５−トリス（３−メルカプトブチリルオキシエチル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン、トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピオネート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトブチレート）、ペンタエリスリトールトリス（３−メルカプトブチレート）、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ”，Ｎ”−ペンタキス（２−ヒドロキシプロピル）ジエチレントリアミン、の中から選択される少なくとも一種である請求項１から７のいずれか１項に記載の密着層組成物。
9. 前記溶剤（Ｂ）がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートまたはそれを含有する溶剤のいずれかであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の密着層組成物。
10. 前記光硬化性組成物が重合性化合物及び光重合開始剤を少なくとも有することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の密着層組成物。
11. 前記重合性化合物が（メタ）アクリレートモノマーであることを特徴とする請求項１０に記載の密着層組成物。
12. 前記密着層組成物が、インプリント用である請求項１〜１１のいずれか１項に記載のインプリント用密着層組成物。
13. 前記密着層組成物が、光ナノインプリント用であることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の密着層組成物。
14. 基板上に、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の密着層組成物を適用して密着層を形成する密着層形成工程と、
    前記密着層が形成された基板上に、光硬化性組成物を配置する配置工程と、
    前記光硬化性組成物とパターン形状を転写するための原型パターンを有するモールドとを接触させる型接触工程と、
    前記光硬化性組成物に光を照射して硬化物とする光照射工程と、
    前記硬化物と前記モールドとを引き離す離型工程と、
    を有する硬化物パターンの製造方法。
15. 前記照射する光がＵＶ光である請求項１４に記載の硬化物パターンの製造方法。
16. 前記基板の表面が水酸基を有してなることを特徴とする請求項１４または１５に記載の硬化物パターンの製造方法。
17. 前記モールドが石英であることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれか１項に記載の硬化物パターンの製造方法。
18. 請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の膜の製造方法により基板上に硬化物パターンを得る工程を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
19. 請求項１４〜１８のいずれか１項に記載の膜の製造方法により硬化物パターンを得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、を有することを特徴とする光学部品の製造方法。
20. 請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の膜の製造方法により硬化物パターンを得る工程と、得られた膜のパターン形状をマスクとして基板にエッチング又はイオン注入を行う工程と、電子部材を形成する工程と、を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
21. 前記回路基板が半導体素子である請求項２０に記載の回路基板の製造方法。
22. 請求項２０または２１に記載の回路基板の製造方法により回路基板を得る工程と、前記回路基板と前記回路基板を制御する制御機構とを接続する工程と、を有することを特徴とする電子機器の製造方法。
23. 型接触工程が、凝縮性ガスを含む雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項１４〜１７のいずれか１項に記載の硬化物パターンの製造方法。
24. 前記凝縮性ガスが、１，１，１，３，３−ペンタフルオロプロパンであることを特徴とする、請求項２３に記載の硬化物パターンの製造方法。
25. 凝縮性ガスを含む雰囲気が、ヘリウムと凝縮性ガスとの混合気体であることを特徴とする、請求項２３または２４のいずれか１項に記載の硬化物パターンの製造方法。
26. 基板上に、請求項１４乃至請求項１７のいずれか一項に記載の硬化物パターンの製造方法により硬化物パターンを得る工程と、
    得られた前記硬化物パターンを用いて前記基板にエッチングを行う工程と、を有することを特徴とするインプリント用モールドの製造方法。
27. 基板と、光硬化性組成物から形成され、該基板上に凹凸パターンを有する光硬化物と、を有するデバイス部品であって、
    前記基板と前記光硬化物との間に密着層を有し、
    該密着層が、前記基板と結合する官能基として、水酸基、カルボキシル基、チオール基、アミノ基、エポキシ基、（ブロック）イソシアネート基のいずれかから選ばれる少なくとも１つの官能基と、前記光硬化性組成物と結合する官能基として、少なくとも１つの水素供与性官能基と、を有する、二官能基以上の結合性官能基を有する化合物（Ａ）を有し、前記基板と結合する官能基および前記光硬化性組成物と結合する官能基は、それぞれ独立して炭化水素または芳香族炭化水素に直接結合している、デバイス部品。

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