KR20170030579A - 밀착층 조성물, 광경화물 패턴을 형성하는 방법, 광학 부품, 회로 기판, 전자 기기 및 임프린트 몰드의 제조 방법, 및 디바이스 부품 - Google Patents

밀착층 조성물, 광경화물 패턴을 형성하는 방법, 광학 부품, 회로 기판, 전자 기기 및 임프린트 몰드의 제조 방법, 및 디바이스 부품 Download PDF

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도모노리 오타니
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Abstract

나노임프린트 공정에서, 광경화물과 기판과의 밀착성이 불충분하기 때문에, 광경화물은 종종 기판으로부터 박리되어서 몰드에 부착된다. 이는 패턴의 박리 결함을 유발한다. 기판과 광경화성 조성물 사이에 밀착층을 형성하기 위해 사용되는 밀착층 조성물은 적어도 2개의 관능기를 갖는 화합물 (A) 및 용제 (B)를 포함한다. 상기 관능기는, 수산기, 카르복실기, 티올기, 아미노기, 에폭시기, (블록) 이소시아네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택되는, 상기 기판과 결합할 수 있는 적어도 1개의 관능기, 및 상기 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 관능기로서 적어도 1개의 수소 공여성 기를 포함한다.

Description

밀착층 조성물, 나노임프린트에 의한 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법 {ADHESION LAYER COMPOSITION, METHOD FOR FORMING FILM BY NANOIMPRINTING, METHODS FOR MANUFACTURING OPTICAL COMPONENT, CIRCUIT BOARD AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은 밀착층 조성물, 나노임프린트에 의한 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 마이크로전기기계 시스템 (MEMS)의 분야에서는, 미세화의 요구가 증가하고 있다. 이로 인해, 최근에는 종래의 포토리소그래피 기술 외에, 기판 (웨이퍼) 상에 특정한 형상을 갖는 레지스트 (광경화성 조성물) 패턴을 몰드로서 사용하는 미세가공 기술이 주목을 모으고 있다. 이러한 미세가공 기술은, 광 나노임프린트 기술이라고도 불리며, 기판 상에 수 나노미터 오더의 미세한 구조체를 형성할 수 있다 (예를 들어, 특허문헌 1). 광 나노임프린트 기술에서는, 먼저, 기판 상의 패턴 형성 영역에 레지스트를 도포한다 (도포 단계). 이어서, 이 레지스트를 몰드 내의 패턴으로 성형한다 (몰드 접촉 단계). 이어서, 광을 조사해서 레지스트를 경화하고 (조사 단계), 몰드에서 분리한다 (이형 단계). 이들 단계를 거쳐, 특정한 형상을 갖는 수지의 패턴 (광경화물)이 기판 상에 형성된다. 또한, 기판 상의 다른 영역에 대해 상기 단계의 순서를 반복함으로써, 기판 전체 표면에 걸쳐 미세한 구조체가 형성된다.
불행히도, 광경화성 조성물을 광경화시켜 형성된 광경화물과 기판과의 밀착성이 불충분한 경우가 있다. 이로 인해, 광 나노임프린트 공정의 이형 단계에서 몰드를 광경화물로부터 분리하는 때에, 광경화물은 기판으로부터 박리되어서 몰드에 부착되고, 패턴의 박리 결함을 일으킨다. 이와 같은 과제에 대하여, 광경화성 조성물과 기판 사이에 밀착층을 형성함으로써 광경화성 조성물과 기판 사이의 밀착성을 향상시키는 기술이 고안되고 있다 (특허문헌 2).
특허문헌 2에서, 밀착층은, 질소 및 불포화 결합을 함유하는 복소환과 결합하고 티올기 및 유기 화합물과 화학 결합을 형성할 수 있는 반응성 관능기를 갖는 화합물을 함유하는 조성물로 형성된다. 그러나, 이러한 화합물을 함유하는 조성물을 사용한 경우에도, 광경화성 조성물과 기판 사이의 밀착성이 충분히 향상되지 않는 경우가 있고, 패턴 박리 결함이 일어날 수 있다.
일본 특허 공개 제2010-073811호 공보 일본 특허 공개 제2013-153084호 공보
본 발명은 광경화성 조성물을 기판에 단단히 부착시킬 수 있고 패턴 박리 결함의 발생을 억제할 수 있는 밀착층 조성물을 제공한다.
본 발명의 실시형태에 따르면, 기판과 광경화성 조성물 사이에 밀착층을 형성하기 위해 사용되는 밀착층 조성물이 제공된다. 밀착층 조성물은 적어도 2개의 결합성 관능기를 갖는 화합물 (A) 및 용제 (B)를 함유한다. 상기 결합성 관능기는 상기 기판에 결합될 수 있는 적어도 1개의 관능기 및 상기 광경화성 조성물에 결합될 수 있는 적어도 1개의 관능기를 포함한다. 상기 기판에 결합될 수 있는 관능기는, 수산기, 카르복실기, 티올기, 아미노기, 에폭시기, (블록) 이소시아네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 상기 광경화성 조성물에 결합될 수 있는 관능기는 수소 공여성 관능기이다.
본 발명의 실시형태의 밀착층 조성물은 광 나노임프린트 공정에서 기판과 광경화성 조성물을 결합시킨다. 또한, 상기 밀착층 조성물을 사용한 광 나노임프린트법에 의해, 패턴의 박리 결함이 없는 광경화물 패턴의 형성이 가능하고, 이에 따라 패턴 결함이 적은 광학 부품, 회로 기판, 전자 기기를 얻을 수 있다.
본 발명의 추가의 특색은 첨부된 도면을 참조하여 예시적인 실시형태의 하기 설명으로부터 명백해 질 것이다.
도 1의 (a)는 광경화물 패턴의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (b)는 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (c)는 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (d)는 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (e)는 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (f)는 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (g)는 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
도 1의 (h)는 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법, 광학 부품, 회로 기판 및 전자 기기의 제조 방법의 단계를 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것이 아니라, 본 발명의 범주 및 취지 내에서 당업자의 통상 지식에 기초하여 이루어질 수 있는 임의의 변경, 개량 등을 포함한다.
본 발명의 실시형태에 따른 밀착층 조성물은 기판과 광경화성 조성물 사이에 형성되는 밀착층을 위한 것이다. 밀착층 조성물은 적어도 2개의 결합성 관능기를 갖는 화합물 (A) 및 용제 (B)를 함유한다. 상기 결합성 관능기는 탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 직접 결합하고 있고 기판과 결합할 수 있는 적어도 1개의 관능기, 및 탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 직접 결합하고 있고 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 적어도 1개의 관능기를 포함한다. 상기 기판과 결합할 수 있는 관능기는, 수산기, 카르복실기, 티올기, 아미노기, 에폭시기, (블록) 이소시아네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개이며, 상기 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 관능기는 수소 공여성 관능기이다.
본 발명의 조성물은 임프린트용, 특히 광 나노임프린트용으로 사용되는 밀착층 조성물로서 유용하다.
이하, 조성물의 성분에 대해서 상세하게 설명한다.
화합물 (A) 1
화합물 (A)는, 기판과 결합할 수 있는 적어도 1개의 관능기와, 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 적어도 1개의 관능기를 갖는다.
어구 "결합할 수 있는 관능기"란 공유 결합, 이온 결합, 수소 결합, 분자간력에 의한 결합 등의 화학 결합을 형성할 수 있는 관능기이다.
화합물 (A)는 기판과 결합할 수 있는 관능기를 갖는다. 상기 관능기는 탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 직접 결합하고 있으며, 수산기, 카르복실기, 티올기, 아미노기, 에폭시기, (블록) 이소시아네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
또한 본 발명의 화합물 (A)는 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 관능기를 갖는다. 상기 관능기는 탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 결합하고 있는 수소 공여성 기이다. 유리한 수소 공여성 관능기는, 광경화성 조성물과 공유 결합을 쉽게 형성할 수 있는 관능기일 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 이러한 수소 공여성 관능기의 예로서는, 티올기, 알킬아미노기, 수산기 등을 들 수 있다. 티올기나 알킬아미노기가 광경화성 조성물과 공유 결합을 형성하기 더 쉽고 따라서 더 유리하다.
특허문헌 2에 개시된 화합물은, 질소 및 불포화 결합을 함유하는 복소환에 직접 결합하고 있는 반응성 결합기 및 티올기를 갖기 때문에, 화합물을 광 나노임프린트 공정에 사용하는 경우에, 상기 복소환은 광을 흡수한다. 그 원인은 명백하지 않으나, 이 광흡수가 밀착성을 저하시키는 것으로 생각된다. 다른 한편, 본 실시형태의 화합물 (A)의 경우에는, 결합성 관능기는 화합물의 탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 직접 결합하고 있다. 이러한 구조가 광 나노임프린트 공정에서 양호한 밀착성을 나타내는 것으로 생각된다.
화합물 (A)에서, 기판과 결합할 수 있는 관능기와 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 관능기는 동일하거나 상이할 수 있다.
여기서 언급된 용어 "(블록) 이소시아네이트"는 이소시아네이트기 또는 블록 이소시아네이트기를 나타낸다. (알킬)아미노기는 아미노기 또는 알킬 아미노기를 나타내고, (메트)아크릴 화합물은 아크릴 화합물 또는 메타크릴 화합물일 수 있다.
유리하게는, 화합물 (A)는 기판과 결합할 수 있는 복수의 관능기 및/또는 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 복수의 관능기를 갖는다. 복수의 이들 관능기의 존재는 기판이나 광경화성 조성물과의 밀착성을 증가시킨다. 관능기 수는 2개 이상, 예컨대 3개 이상, 바람직하게는 4개 이상일 수 있다.
바람직하게는, 화합물 (A)는 복소환 구조를 갖지 않는다. 복소환 구조를 갖지 않는 화합물 (A)는 UV 흡수로 인한 밀착성의 저하를 억제할 것으로 예상된다.
유리하게는, 화합물 (A)는 4 방향으로 신장하는 직쇄를 갖고, 상기 직쇄의 각각의 말단에 상기 기판과 결합할 수 있는 관능기 또는 상기 광경화성 조성물과 결합할 수 있는 관능기가 결합하고 있다. 4개의 직쇄의 각각의 말단에 결합성 관능기가 결합됨으로써, 기판과 광경화성 조성물을 서로 효율적으로 결합시킬 수 있다. 따라서, 우수한 밀착성이 나타날 수 있다.
화합물 (A)는 후술하는 밀착층 형성 공정에서의 가열 단계에서, 기판 표면에 존재하는 관능기에 의해, 공유 결합, 이온 결합, 수소 결합, 분자간력에 의한 결합 등의 화학 결합을 형성한다. 이어서, 후술하는 조사 단계는, 화합물 (A)와 광경화성 조성물 중에 발생하는 라디칼과의 연쇄 이동 반응을 유발하고, 이에 따라 화합물 (A)와 광경화성 조성물 중의 중합성 화합물과의 공유 결합을 형성한다. 이것이 아마도 기판과 광경화성 조성물 사이의 밀착성이 향상하는 이유이다.
티올기를 갖는 화합물 (A)의 예로서는, 1,6-헥산디티올, 1,8-옥탄디티올, 1,10-데칸디티올, 1,4-부탄디올 비스(티오글리콜레이트), 및 1,4-비스(3-메르캅토부티릴옥시)부탄 등의 2관능 티올 화합물; 1,3,5-트리스(3-메르캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨 트리스(3-메르캅토 부티레이트) 등의 3관능 티올 화합물; 펜타에리트리톨 테트라키스(메르캅토아세테이트), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-메르캅토부티레이트), 및 펜타에리트리톨 테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트) 등의 티올기를 분자 중심에 4개 이상 갖는 4관능 티올 화합물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
(알킬)아미노기를 갖는 화합물 (A)의 예로서는, N-페닐글리신, 1,6-디아미노헥산-N,N,N',N'-테트라아세트산, 디에틸렌트리아민 펜타아세트산, 및 디에틸렌트리아민 펜타아세트산 이무수물 등의 카르복실기 함유 아민 화합물; N,N,N',N'-테트라키스(2-히드록시에틸)에틸렌디아민, N,N,N',N'-테트라키스(2-히드록시프로필)에틸렌디아민, 및 N,N,N',N",N"-펜타키스(2-히드록시프로필)디에틸렌트리아민 등의 수산기 함유 아민 화합물; N,N,N",N"-테트라이소프로필디에틸렌트리아민, 및 N,N,N",N"-테트라부틸디에틸렌트리아민 등의 다관능 아민 화합물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
화합물 (A)는 단일 화합물 또는 복수 화합물의 조합일 수 있다.
화합물 (A)의 밀착층 조성물에서의 함량은 조성물의 점도, 밀착층의 두께 등에 의해 적절히 조정할 수 있으며, 그의 유리한 함량은 0.01 중량% 이상 10 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이상 7 중량% 이하 범위이다.
용제 (B)
밀착층 조성물에서 사용되는 용제 (B)로서는, 화합물 (A)가 용해될 수 있는 한, 임의의 용제가 사용될 수 있다. 바람직하게는, 용제 (B)는 상압 하에서의 비점이 80℃ 내지 200℃ 범위이다. 보다 바람직하게는, 용제 (B)는 에스테르 구조, 케톤 구조, 수산기, 에테르 구조 중 적어도 1개의 구조를 갖는다. 이들 구조는 화합물 (A)의 용해성이나 기판에의 습윤성을 증가시킨다. 용제 (B)의 예로서는, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 시클로헥사논, 2-헵타논, γ-부티로락톤, 및 에틸 락테이트를 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 조합으로 사용될 수 있다. 조성물을 쉽게 도포하는 관점에서, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 또는 그의 혼합 용제가 유리하다.
용제 (B)의 밀착층 조성물에서의 함량은, 예를 들어, 화합물 (A)의 점도나, 용이한 도포성, 밀착층의 두께 등에 의해 적절히 조정할 수 있으며, 그의 유리한 함량은 조성물의 전체 중량에 대하여 70 질량% 이상이다. 보다 유리하게는, 용제 (B)의 함량은 90 질량% 이상, 예컨대 95 질량% 이상이다. 용제 (B)의 함량이 70 질량% 이하인 경우에는, 조성물은 충분한 도포성을 갖지 않을 수 있다.
기타의 첨가제 (C)
밀착층 조성물은, 화합물 (A) 및 용제 (B) 이외에, 그의 용도에 따라, 본 발명의 의도된 효과를 생성하는 범위 내에서, 첨가제 (C)를 추가로 함유할 수 있다. 이러한 첨가제는 계면활성제, 가교제, 중합체 성분, 산화방지제, 중합 개시제 등을 들 수 있다.
밀착층 조성물의 점도
밀착층 조성물의 23℃에서의 점도는 화합물 (A) 및 용제 (B)에 따라 좌우되며, 바람직하게는 0.5 mPa·s 이상 20 mPa·s 이하 범위이고, 보다 바람직하게는 1 mPa·s 이상 10 mPa·s 이하 범위이고, 예컨대 1 mPa·s 이상 5 mPa·s 이하 범위이다.
밀착층 조성물의 점도를 20 mPa·s 이하로 함으로써, 쉽게 도포할 수 있고 그의 코팅의 두께의 제어를 용이하게 한다.
밀착층 조성물 중의 불순물
바람직하게는, 밀착층 조성물은 가능한 한 적은 불순물을 함유한다. 여기서 언급된 불순물이란 화합물 (A), 용제 (B) 및 첨가제 (C) 이외의 성분을 의미한다.
따라서, 밀착층 조성물은 정제되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 밀착층 조성물은 정제를 위해 여과할 수 있다.
이 경우에, 보다 구체적으로는, 화합물 (A), 용제 (B), 및 임의로 기타의 첨가제 (C)의 혼합물을 구멍 직경 0.001 μm 이상 5.0 μm 이하 범위의 필터를 통해 여과할 수 있다. 이러한 여과는 복수 단계에서 행하거나 다수 회 반복할 수 있다. 여과액을 추가로 여과할 수 있다. 구명 직경이 다른 복수의 필터를 사용할 수 있다. 필터는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 불소 수지, 나일론으로 제조될 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
이러한 여과에 의해 밀착층 조성물로부터 미립자 물질 등의 불순물을 제거할 수 있다. 이에 의해, 미립자 물질 등의 불순물에 의해, 밀착층 조성물을 도포한 후에 밀착층에서 유발될 수 있는 예기치 못한 결함을 방지할 수 있다.
본 실시형태의 밀착층 조성물을 반도체 집적 회로를 제조하기 위해서 사용하는 경우에, 금속 불순물이 제품의 동작을 저해하지 않도록 하기 위해서, 금속 원자를 함유하는 금속 불순물로의 오염을 가급적 피하는 것이 바람직하다. 이러한 경우에, 밀착층 조성물 중 금속 불순물의 농도로서는, 10 ppm 이하가 바람직하고, 100 ppb 이하가 보다 바람직하다.
광경화성 조성물
본 실시형태의 밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물은 통상 중합성 화합물 (D) 및 광중합 개시제 (E)를 함유한다.
중합성 화합물 (D) 1
중합성 화합물 (D)는 광중합 개시제 (E)로부터 생성된 라디칼 등의 중합 인자와 반응하고, 이에 따라 연쇄 반응 (중합 반응)에 의해 중합체 막을 형성한다.
중합성 화합물 (D)는 단일 중합성 화합물 또는 복수의 중합성 화합물의 조합일 수 있다.
이러한 중합성 화합물 (D)는 라디칼 중합성 화합물일 수 있다. 라디칼 중합성 화합물은 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 적어도 1개 가질 수 있고, 따라서 (메트)아크릴 화합물일 수 있다.
따라서, 중합성 화합물 (D)는 (메트)아크릴 화합물을 함유하는 것이 유리하고, 중합성 화합물의 주성분이 (메트)아크릴 화합물인 것이 보다 유리하다. 최적으로, 중합성 화합물은 (메트)아크릴 화합물이다. 중합성 화합물 (D)의 주성분이 (메트)아크릴 화합물인 경우에, (메트)아크릴 화합물의 함량은 90 중량% 이상이다.
라디칼 중합성 화합물이 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 각각 적어도 1개 갖는 복수의 화합물의 조합인 경우에는, 라디칼 중합성 화합물이 단관능 (메트)아크릴레이트 단량체와 다관능 (메트)아크릴레이트 단량체를 함유하는 것이 유리하다. 단관능 (메트)아크릴레이트 단량체와 다관능 (메트)아크릴레이트 단량체를 조합함으로써, 강한 경화막이 형성될 수 있다.
아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 1개 갖는 단관능 (메트)아크릴 화합물로서는, 예를 들어, 페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 페녹시-2-메틸에틸 (메트)아크릴레이트, 페녹시에톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 3-페녹시-2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 2-페닐페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 4-페닐페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 3-(2-페닐페닐)-2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, EO-변성 p-쿠밀페놀 (메트)아크릴레이트, 2-브로모페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 2,4-디브로모페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, 2,4,6-트리브로모페녹시에틸 (메트)아크릴레이트, EO-변성 페녹시 (메트)아크릴레이트, PO-변성 페녹시 (메트)아크릴레이트, 폴리옥시에틸렌 노닐페닐 에테르 (메트)아크릴레이트, 이소보르닐 (메트)아크릴레이트, 1-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 2-메틸-2-아다만틸 (메트) 아크릴레이트, 2-에틸-2-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 보르닐 (메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐 (메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐 (메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐 (메트)아크릴레이트, 시클로헥실 (메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실 (메트)아크릴레이트, 아크릴로일모르폴린, 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, 프로필 (메트)아크릴레이트, 이소프로필 (메트)아크릴레이트, 부틸 (메트)아크릴레이트, 아밀 (메트)아크릴레이트, 이소부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, 펜틸 (메트)아크릴레이트, 이소아밀 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 헵틸 (메트)아크릴레이트, 옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, 노닐 (메트)아크릴레이트, 데실 (메트)아크릴레이트, 이소데실 (메트)아크릴레이트, 운데실 (메트)아크릴레이트, 도데실 (메트)아크릴레이트, 라우릴 (메트)아크릴레이트, 스테아릴 (메트)아크릴레이트, 이소스테아릴 (메트)아크릴레이트, 벤질 (메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴 (메트)아크릴레이트, 부톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 모노(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 모노(메트)아크릴레이트, 메톡시에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 에톡시에틸 (메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌 글리콜 (메트)아크릴레이트, 디아세톤(메트)아크릴아미드, 이소부톡시메틸(메트)아크릴아미드, N,N-디메틸(메트)아크릴아미드, t-옥틸(메트)아크릴아미드, 디메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 디에틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, 7-아미노-3,7-디메틸옥틸 (메트)아크릴레이트, N,N-디에틸(메트)아크릴아미드, 및 N,N-디메틸아미노프로필(메트)아크릴아미드 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
일부 단관능 (메트)아크릴 화합물은 시판품이고, 그의 예로서는 아로닉스(Aronix) 시리즈 M101, M102, M110, M111, M113, M117, M5700, TO-1317, M120, M150 및 M156 (각각 도아고세이(Toagosei) 제조); MEDOL 10, MIBDOL 10, CHDOL 10, MMDOL 30, MEDOL 30, MIBDOL 30, CHDOL 30, LA, IBXA, 2-MTA, HPA, 및 비스코트(Biscoat) 시리즈 #150, #155, #158, #190, #192, #193, #220, #2000, #2100 및 #2150 (각각 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리(Osaka Organic Chemical Industry) 제조); 라이트 아크릴레이트(Light Acrylate) BO-A, EC-A, DMP-A, THF-A, HOP-A, HOA-MPE, HOA-MPL, PO-A, P-200A, NP-4EA 및 NP-8EA, 및 에폭시 에스테르 M-600A (각각 교에이샤 케미칼(Kyoeisha Chemical) 제조); KAYARAD TC110S, R-564 및 R-128H (각각 니폰 가야쿠(Nippon Kayaku) 제조); NK 에스테르 AMP-10G 및 AMP-20G (각각 신나카무라 케미칼(Shin-Nakamura Chemical) 제조); FA-511A, 512A 및 513A (각각 히타치 케미칼(Hitachi Chemical) 제조); PHE, CEA, PHE-2, PHE-4, BR-31, BR-31M 및 BR-32 (각각 다이이치 고교 세이야쿠(Dai-ichi Kogyo Seiyaku) 제조); VP (바스프(BASF) 제조); 및 ACMO, DMAA 및 DMAPAA (각각 고진(Kohjin) 제조) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 2개 이상 갖는 다관능 (메트)아크릴 화합물로서는, 예를 들어, 트리메틸올프로판 디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, EO-변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, PO-변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, EO, PO-변성 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸 디아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 테트라에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메트)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸 글리콜 디(메트)아크릴레이트, 1,3-아다만탄디메탄올 디아크릴레이트, 1,9-노난디올 디아크릴레이트, 1,10-데칸디올 디아크릴레이트, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트 트리(메트)아크릴레이트, 트리스(아크릴로일옥시)이소시아누레이트, 비스(히드록시메틸)트리시클로데칸 디(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메트)아크릴레이트, EO-변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판, PO-변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판, 및 EO, PO-변성 2,2-비스(4-((메트)아크릴옥시)페닐)프로판 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
일부 다관능 (메트)아크릴 화합물은 시판품이고, 그의 예로서는 유피머(Yupimer) UV SA1002 및 유피머 UV SA2007 (각각 미츠비시 케미칼(Mitsubishi Chemical) 제조); 비스코트 시리즈 #195, #230, #215, #260, #335HP, #295, #300, #360, #700, GPT 및 3PA (각각 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 제조); 라이트 아크릴레이트 4EG-A, 9EG-A, NP-A, DCP-A, BP-4EA, BP-4PA, TMP-A, PE-3A, PE-4A 및 DPE-6A (각각 교에이샤 케미칼 제조); A-DCP, A-HD-N, A-NOD-N 및 A-DOD-N (각각 신나카무라 케미칼 제조); KAYARAD PET-30, TMPTA, R-604, DPHA, DPCA-20, -30, -60 및 -120, HX-620, D-310, 및 D-330 (각각 니폰 가야쿠 제조); 아로닉스 시리즈 M208, M210, M215, M220, M240, M305, M309, M310, M315, M325 및 M400 (각각 도아고세이 제조); 및 리폭시(Ripoxy) VR-77, 리폭시 VR-60 및 리폭시 VR-90 (각각 쇼와 덴코(Showa Denko) 제조) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
전술한 화합물에서, (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 아크릴레이트와 동일한 알콜 잔기를 갖는 메타크릴레이트를 의미한다. 또한, (메트)아크릴로일기란, 아크릴로일기 또는 아크릴로일기와 동일한 알콜 잔기를 갖는 메타크릴로일기를 의미한다. EO는 에틸렌 옥시드를 나타내고, EO-변성 화합물 A는 화합물 A의 (메트)아크릴산 잔기와 알콜 잔기가 에틸렌 옥시드 블록 구조를 개재해서 서로 결합하고 있는 화합물이다. PO는 프로필렌 옥시드를 나타내고, PO-변성 화합물 B는 화합물 B의 (메트)아크릴산 잔기와 알콜 잔기가 프로필렌 옥시드 블록 구조를 개재해서 서로 결합하고 있는 화합물이다.
광중합 개시제 (E) 1
광중합 개시제 (E)는 특정한 파장의 광을 감지해서 중합 인자 (라디칼)를 생성한다. 보다 구체적으로는, 광중합 개시제는, 광 (적외선, 가시광선, 자외선, 원자외선, X선, 전자선 등의 하전 입자선 등의 방사선)에 의해 라디칼을 생성하는 중합 개시제 (라디칼 발생제)이다. 예를 들어, 광중합 개시제는 150 nm 이상 400 nm 이하 범위의 파장의 광에 의해 라디칼을 생성한다.
광중합 개시제 (E)는 단일 광중합 개시제 또는 복수의 광중합 개시제의 조합일 수 있다.
예시적인 라디칼 발생제로서는, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 및 2-(o- 또는 p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 치환 또는 비치환된 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체; N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논 (미힐러 케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 4-클로로벤조페논, 4,4'-디메톡시벤조페논, 및 4,4'-디아미노벤조페논 등의 벤조페논 및 벤조페논 유도체; 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1 및 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로판-1-온 등의 α-아미노방향족 케톤 유도체; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류; 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 및 벤조인 페닐 에테르 등의 벤조인 에테르 유도체; 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인, 및 프로필벤조인 등의 벤조인 유도체; 벤질 디메틸 케탈 등의 벤질 유도체; 9-페닐아크리딘 및 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체; N-페닐글리신 및 N-페닐글리신 유도체; 3-메틸아세토페논, 아세토페논 벤질 케탈, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 및 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등의 아세토페논 및 아세토페논 유도체; 디에틸티오크산톤, 2-이소프로필티오크산톤, 및 2-클로로티오크산톤 등의 티오크산톤 및 티오크산톤 유도체; 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀 옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀 옥시드, 및 비스-(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀 옥시드 등의 아실포스핀 옥시드 유도체; 1,2-옥탄디온, 1-[4-(페닐티오)-2-(O-벤조일옥심)], 에타논-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(O-아세틸옥심) 등의 옥심 에스테르 유도체; 및 크산톤, 플루오레논, 벤즈알데히드, 플루오렌, 안트라퀴논, 트리페닐아민, 카르바졸, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸프로판-1-온, 및 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
상기 라디칼 발생제는 시판품일 수 있고, 그의 예로서는 이르가큐어(Irgacure) 시리즈 184, 369, 651, 500, 819, 907, 784 및 2959, CGI-1700, -1750 및 -1850, CG24-61, 다로큐어(Darocur) 시리즈 1116 및 1173, 루시린(Lucirin) TPO, LR 8893, 및 LR 8970 (각각 바스프 제조); 및 우베크릴(Ubecryl) P36 (UCB 제조) 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
광중합 개시제 (E)의 비율은, 중합성 화합물 (D)의 전체 중량에 대하여, 0.01 중량% 이상 10 중량% 이하 범위이며, 바람직하게는 0.1 중량% 이상 7 중량% 이하 범위이다.
광중합 개시제 (E)의 비율이 중합성 화합물 (D)의 전체 중량에 대하여 0.01 중량% 이상인 것에 의해, 광경화성 조성물은 경화 속도의 저하를 방지할 수 있고, 이에 따라 반응 효율의 저하를 방지할 수 있다. 광중합 개시제 (E)의 비율이 중합성 화합물 (D)의 전체 중량에 대하여 10.0 중량% 이하인 것에 의해, 광경화성 조성물의 경화막의 기계적 특성이 열화되는 것을 막을 수 있다.
기타의 첨가제 (F) 1
밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물 (D), 광중합 개시제 (E) 이외에, 그의 용도에 따라, 본 발명의 의도된 효과를 생성하는 범위 내에서 기타의 첨가제 (F)를 추가로 함유할 수 있다. 이러한 첨가제로서는 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 용제, 중합체 성분, 상기 광중합 개시제 (E) 이외의 중합 개시제 등을 들 수 있다.
증감제는 중합 반응 촉진이나 반응 전화율의 향상을 위해 임의로 첨가된다. 증감제는 증감 색소일 수 있다.
증감 색소는 특정한 파장의 광을 흡수함으로써 여기되어, 광중합 개시제 (E)와 상호작용하는 화합물이다. 어구 "와 상호작용"이란, 예를 들어, 여기된 증감 색소로부터 광중합 개시제 (E)로의 에너지 이동이나 전자 이동 등을 의미한다.
증감 색소의 예로서는, 안트라센 유도체, 안트라퀴논 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 카르바졸 유도체, 벤조페논 유도체, 티오크산톤 유도체, 크산톤 유도체, 쿠마린 유도체, 페노티아진 유도체, 캄포르퀴논 유도체, 아크리딘계 색소, 티오피릴륨 염계 색소, 멜로시아닌계 색소, 퀴놀린계 색소, 스티릴 퀴놀린계 색소, 케토쿠마린계 색소, 티옥산텐계 색소, 크산텐계 색소, 옥소놀계 색소, 시아닌계 색소, 로다민계 색소, 피릴륨 염계 색소 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
이들 증감제는 단독으로 또는 조합으로 사용할 수 있다.
수소 공여체는 광중합 개시제 (E)로부터 발생한 개시 라디칼이나 쇄 말단 라디칼과 반응하여 더 반응성인 라디칼을 생성할 수 있는 화합물이다. 광중합 개시제 (E)가 광라디칼 발생제인 경우에 수소 공여체를 첨가하는 것이 유리하다.
수소 공여체의 예로서는, n-부틸아민, 디-n-부틸아민, 트리-n-부틸포스핀, 알릴티오우레아, s-벤질이소티오우로늄-p-톨루엔 술포네이트, 트리에틸아민, 디에틸아미노에틸 메타크릴레이트, 트리에틸렌테트라민, 4,4'-비스(디알킬아미노)벤조페논, N,N-디메틸아미노벤조산 에틸 에스테르, N,N-디메틸아미노벤조산 이소아밀 에스테르, 펜틸 4-(디메틸아미노)벤조에이트, 트리에탄올아민, 및 N-페닐글리신 등의 아민 화합물; 및 2-메르캅토-N-페닐벤조이미다졸 및 메르캅토프로피온산 에스테르 등의 메르캅토 화합물 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
이들 수소 공여체는 단독으로 또는 조합으로 사용할 수 있다.
수소 공여체는 증감제로서의 기능을 가질 수 있다.
본 실시형태의 밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물이 기타의 첨가제 (F)로서 증감제나 수소 공여체를 함유하는 경우에, 첨가제 각각의 비율은, 중합성 화합물 (D)의 전체 중량에 대하여, 0.1 중량% 이상 20 중량% 이하, 예컨대 0.1 중량% 이상 5.0 중량% 이하 범위일 수 있고, 바람직하게는 0.2 중량% 이상 2.0 중량% 이하 범위이다. 중합성 화합물 (D)의 전체 중량에 대하여 증감제의 비율이 0.1 중량% 이상이면, 중합을 더 효과적으로 촉진할 수 있다. 또한, 증감제 또는 수소 공여체의 비율을 5.0 중량% 이하로 함으로써, 광경화성 조성물이 충분히 큰 분자량을 갖는 중합체 막으로 경화될 수 있다. 또한, 증감제 또는 수소 공여체의 이러한 양은 용해 불량이나 광경화성 조성물의 보존 안정성의 열화를 억제할 수 있다.
몰드와 레지스트 사이의 계면 결합력, 즉 이형력의 저감을 위해, 광경화성 조성물에 내첨형 이형제를 첨가할 수 있다. 여기서 언급된 내첨형 이형제는, 광경화성 조성물의 적용 또는 배치 단계 전에 광경화 조성물에 첨가되고 있는 이형제이다.
내첨형 이형제는 실리콘계 계면활성제, 불소계 계면활성제 및 탄화수소계 계면활성제일 수 있다. 본 실시형태에서, 내첨형 이형제는 중합성이 아니다.
불소계 계면활성제는, 퍼플루오로알킬기를 갖는 알콜의 폴리알킬렌 옥시드 (폴리에틸렌 옥시드, 폴리프로필렌 옥시드 등) 부가물, 퍼플루오로폴리에테르의 폴리알킬렌 옥시드 (폴리에틸렌 옥시드, 폴리프로필렌 옥시드 등) 부가물일 수 있다. 불소계 계면활성제는 분자의 일부 (예를 들어, 말단기)에 수산기, 알콕시기, 알킬기, 아미노기, 티올기 등을 가질 수 있다.
불소계 계면활성제는 시판품일 수 있다. 시판 불소계 계면활성제로서는, 예를 들어 메가팩(Megafac) 시리즈 F-444, TF-2066, TF-2067 및 TF-2068 (각각 DIC 제조); 플루오라드(Fluorad) 시리즈 FC-430 및 FC-431 (각각 스미토모 3M(Sumitomo 3M) 제조); 서플론(Surflon) S-382 (AGC 제조); EFTOP EF-122A, 122B, 122C, EF-121, EF-126, EF-127 및 MF-100 (각각 토켐 프로덕츠(Tochem Products) 제조); PF-636, PF-6320, PF-656 및 PF-6520 (각각 OMNOVA 솔루션즈(OMNOVA Solutions) 제조); 유니다인(Unidyne) 시리즈 DS-401, DS-403 및 DS-451 (각각 다이킨 인더스트리즈(Daikin Industries) 제조); 및 프터전트(Ftergent) 시리즈 250, 251, 222F 및 208G (각각 네오스(Neos) 제조) 등을 들 수 있다.
내첨형 이형제는 탄화수소계 계면활성제일 수 있다.
탄화수소계 계면활성제는, 탄소수 1 내지 50의 알킬 알콜에 탄소수 2 내지 4의 알킬렌 옥시드를 부가함으로써 제조되는 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물일 수 있다.
알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물로서는, 예를 들어 메틸 알콜 에틸렌 옥시드 부가물, 데실 알콜 에틸렌 옥시드 부가물, 라우릴 알콜 에틸렌 옥시드 부가물, 세틸 알콜 에틸렌 옥시드 부가물, 스테아릴 알콜 에틸렌 옥시드 부가물, 및 스테아릴 알콜 에틸렌 옥시드/프로필렌 옥시드 부가물 등을 들 수 있다. 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물의 말단기는, 단순하게 알킬 알콜에 폴리알킬렌 옥시드를 부가하는 경우에 형성되는 수산기에 한정되지 않는다. 이 수산기가 카르복실기, 아미노기, 피리딜기, 티올기, 실라놀기 등의 극성 관능기나 알킬기, 알콕시기 등의 소수성 관능기로 치환될 수 있다.
시판 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물을 사용할 수 있다. 그의 예로서는 폴리옥시에틸렌 메틸 에테르 (메틸 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) 블라우논(BLAUNON) 시리즈 MP-400, MP-550 및 MP-1000 (각각 아오키 오일 인더스트리얼(Aoki Oil Industrial) 제조); 폴리옥시에틸렌 데실 에테르 (데실 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) 파인서프(FINESURF) 시리즈 D-1303, D-1305, D-1307 및 D-1310 (각각 아오키 오일 인더스트리얼 제조); 폴리옥시에틸렌 라우릴 에테르 (라우릴 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) 블라우논 EL-1505 (아오키 오일 인더스트리얼 제조); 폴리옥시에틸렌 세틸 에테르 (세틸 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) 블라우논 시리즈 CH-305 및 CH-310 (각각 아오키 오일 인더스트리얼 제조); 폴리옥시에틸렌 스테아릴 에테르 (스테아릴 알콜 폴리에틸렌 옥시드 부가물) 블라우논 시리즈 SR-705, SR-707, SR-715, SR-720, SR-730 및 SR-750 (각각 아오키 오일 인더스트리얼 제조); 랜덤 공중합형 폴리옥시에틸렌/폴리옥시프로필렌 스테아릴 에테르 블라우논 시리즈 SA-50/50 1000R 및 SA-30/70 2000R (각각 아오키 오일 인더스트리얼 제조); 폴리옥시에틸렌 메틸 에테르 플루리올(Pluriol) A760E (바스프 제조); 및 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르 에멀겐(EMULGEN) 시리즈 (가오 제조) 등을 들 수 있다.
전술한 탄화수소계 계면활성제 중에서도, 내첨형 이형제로서는, 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물, 특히 장쇄 알킬 알콜 폴리알킬렌 옥시드 부가물이 적합하다.
내첨형 이형제는 단독으로 또는 조합으로 사용할 수 있다.
본 실시형태의 밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물이 첨가제 (F) 중 하나로서 내첨형 이형제를 함유하는 경우에, 내첨형 이형제의 비율은, 중합성 화합물 (D)의 전체 중량에 대하여, 0.001 중량% 이상 10 중량% 이하 범위일 수 있다. 바람직하게는, 0.01 중량% 이상 7 중량% 이하 범위이고, 보다 바람직하게는 0.05 중량% 이상 5 중량% 이하 범위이다.
내첨형 이형제의 비율을 적어도 0.001 중량% 이상 10 중량% 이하 범위로 함으로써, 몰드를 쉽게 박리시킬 수 있고, 광경화성 조성물을 몰드에 우수하게 충전할 수 있다.
광경화성 조성물의 제조 시의 온도
본 실시형태의 밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물을 제조할 때에는, 중합성 화합물 (D), 광중합 개시제 (E)를 0℃ 이상 100℃ 이하 범위의 온도에서 서로 혼합·용해시킨다. 기타의 첨가제 (F)를 함유하는 경우도 동일하다.
광경화성 조성물의 점도
본 실시형태의 밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물의 용제를 제외한 성분의 혼합물의 23℃에서의 점도는, 바람직하게는 1 mPa·s 이상 100 mPa·s 이하 범위이고, 보다 바람직하게는 1 mPa·s 이상 50 mPa·s 이하 범위이고, 예컨대 1 mPa·s 이상 20 mPa·s 이하 범위이다.
광경화성 조성물의 점도를 100 mPa·s 이하로 함으로써, 몰드 내의 미세 패턴의 오목부를 충전하는데 긴 시간이 걸리지 않을 수 있다. 또한, 얻어진 패턴에서 결함을 유발하는 충전 불량이 발생하기 어렵다.
광경화성 조성물의 점도를 1 mPa·s 이상으로 함으로써, 기판 상에 균일하게 도포하기 더 쉬워져 몰드로부터 쉽게 유출되지 않는다.
광경화성 조성물의 표면 장력
본 실시형태의 밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물의, 용제를 제외한 성분의 혼합물에 대해서 23℃에서의 표면 장력은, 바람직하게는 5 mN/m 이상 70 mN/m 이하 범위이고, 보다 바람직하게는 7 mN/m 이상 35 mN/m 이하 범위이고, 예컨대 10 mN/m 이상 32 mN/m 이하 범위이다. 광경화성 조성물의 표면 장력을 5 mN/m 이상으로 함으로써, 몰드 내의 미세 패턴의 오복부를 충전하는데 긴 시간이 걸리지 않을 수 있다.
또한, 광경화성 조성물의 표면 장력을 70 mN/m 이하로 함으로써, 표면 평활성을 갖는 광경화막을 형성할 수 있다.
광경화성 조성물 중의 불순물
밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물은, 밀착층 조성물과 마찬가지로, 가능한 한 불순물을 함유하지 않는 것이 바람직하다.
따라서, 광경화성 조성물은 밀착층 조성물과 마찬가지로 정제되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 광경화성 조성물은 정제를 위해 여과할 수 있다.
이 경우에, 보다 구체적으로는, 중합성 화합물 (D), 광중합 개시제 (E) 및 임의로 기타의 첨가제 (F)의 혼합물을 구멍 직경 0.001 μm 이상 5.0 μm 이하 범위의 필터를 통해 여과할 수 있다. 이러한 여과는 복수 단계에서 행하거나 다수 회 반복할 수 있다. 여과액을 추가로 여과할 수 있다. 구명 직경이 다른 복수의 필터를 사용할 수 있다. 필터는 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 불소 수지, 나일론으로 제조될 수 있다.
이러한 여과에 의해 광경화성 조성물로부터 미립자 물질 등의 불순물을 제거할 수 있다. 이에 의해, 미립자 물질 등의 불순물에 의해, 광경화성 조성물의 광경화에 의해 얻어지는 광경화막에 유발되는 요철로부터 발생하는 예기치 못한 결함을 방지할 수 있다.
광경화성 조성물을 본 실시형태의 밀착층 조성물과 함께 반도체 집적 회로를 제조하기 위해서 사용하는 경우에, 금속 불순물이 제품의 동작을 저해하지 않도록 하기 위해서, 금속 원자를 함유하는 금속 불순물로의 오염을 가급적 피하는 것이 바람직하다. 이러한 경우에, 광경화성 조성물 중 금속 불순물의 농도로서는, 10 ppm 이하가 바람직하고, 100 ppb 이하가 보다 바람직하다.
이하, 본 발명의 실시형태에 따른 패턴 형상을 갖는 막의 형성 방법에 대해서 설명한다.
도 1의 (a) 내지 (h)는 본 발명의 실시형태에 따른 광경화물 패턴을 형성하는 방법을 도시하는 모식 단면도이다.
상기 방법은
(1) 기판 상에 본 발명의 실시형태의 밀착층 조성물을 적용해서 밀착층을 형성하는 단계;
(2) 기판에 전술한 광경화성 조성물을 적용하는 적용 단계;
(3) 광경화성 조성물과 몰드를 접촉시키는 몰드 접촉 단계;
(4) 몰드와 기판을 위치정렬하는 위치정렬 단계;
(5) 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하여 광경화막을 형성하는 조사 단계; 및
(6) 광경화막과 몰드를 분리하는 이형 단계
를 포함한다.
광경화물 패턴을 형성하는 본 방법은 임프린트 기술, 보다 구체적으로 광 나노임프린트법을 포함한다.
본 발명의 실시형태의 방법에 의해 광경화막에서 형성되는 패턴은 1 nm 이상 10 mm 이하, 예컨대 10 nm 이상 100 μm 이하 범위일 수 있다. 일반적으로, 광을 사용해서 나노미터 스케일 (1 nm 이상 100 nm 이하)의 패턴 (요철 구조를 가짐)을 형성하는 방법은 광 나노임프린트법이라고 불리고, 본 발명의 광경화물 패턴을 형성하는 방법은 광 나노임프린트법을 포함한다.
이하, 상기 방법의 공정 단계에 대해서 설명한다.
밀착층 형성 단계 (1)
본 단계 (밀착층 형성 단계)에서는, 도 1의 (a)에 도시한 바와 같이, 전술한 밀착층 조성물을 기판(102) 위로 적용해서 밀착층(101)을 형성한다.
광경화성 조성물(103)을 적용하는 대상인 기판(102) 또는 피가공 기판은 통상 실리콘 웨이퍼이다. 임프린트 몰드를 형성하기 위해, 석영 기판을 기판(102)으로 사용할 수 있다. 이 경우에, 기판(102)으로서의 석영 기판은 그 위에 금속 화합물 층 (경질 마스크 층)이 구비될 수 있다. 실리콘 웨이퍼의 표면에는 실라놀기가 존재하고 있기 때문에, 실리콘 웨이퍼의 표면은 가열 시 화합물 (A)의 수산기, 카르복실기, 티올기, 아미노기, 에폭시기, (블록) 이소시아네이트기 등과 용이하게 반응한다.
그러나, 본 발명에서 사용되는 기판(102)은 실리콘 웨이퍼에 한정되는 것이 아니라, 알루미늄, 티타늄-텅스텐 합금, 알루미늄-규소 합금, 알루미늄-구리-규소 합금, 산화규소, 질화규소로 제조된 기판 등의 반도체 디바이스용 기판일 수 있다. 대안적으로, 기판 상에 스핀-온-글라스 막, 유기물 막, 금속 막, 산화물 막, 질화물 막 등의 1종 이상의 막이 형성된 것일 수도 있다.
밀착층 조성물은, 예를 들어, 잉크젯법, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바코드법, 그라비아 코트법, 익스트루전 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 스캔법 등에 의해 기판 상에 적용할 수 있다. 용이한 도포성, 특히 균일한 두께를 형성하는 관점에서, 스핀 코트법이 적합하다.
밀착층 조성물 도포 후에, 용제 (B)를 제거하면서 동시에 기판과 화합물 (A)를 반응시켜 화학 결합을 형성시키는 것이 유리할 수 있다. 이 작업은 가열에 의해 행할 수 있다. 가열 온도는 화합물 (A)와 기판과의 반응성, 화합물 (A)나 용제 (B)의 비점에 의해 적절히 설정될 수 있지만, 70℃ 이상 250℃ 이하 범위일 수 있다. 바람직하게는, 가열 온도는 100℃ 이상 220℃ 이하, 예컨대 140℃ 이상 220℃ 이하 범위이다. 용제 (B)의 제거와, 기판과 화합물 (A)와의 반응은 다른 온도에서 행할 수 있다.
밀착층 조성물을 기판 상에 적용해서 형성된 밀착층(101)의 두께는 용도에 따라 상이하며, 예를 들어 0.1 nm 이상 100 nm 이하 범위일 수 있다. 바람직하게는, 0.5 nm 이상 60 nm 이하, 예컨대 1 nm 이상 10 nm 이하 범위이다.
밀착층(101)을 형성할 때에, 밀착층 조성물의 적용은 다수 회 반복할 수 있다. 바람직하게는, 얻어진 밀착층(101)은 가능한 한 평탄하다. 밀착층의 표면 거칠기는 바람직하게는 1 nm 이하이다.
적용 단계 (2)
본 단계 (배치 단계)에서는, 도 1의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀착층 조성물과 함께 사용되는 광경화성 조성물(103)을 기판(102) 상에 적용 (배치)한다.
광경화성 조성물은, 예를 들어, 잉크젯법, 딥 코트법, 에어 나이프 코트법, 커튼 코트법, 와이어 바코드법, 그라비아 코트법, 익스트루전 코트법, 스핀 코트법, 슬릿 스캔법 등에 의해 기판 상에 적용할 수 있다. 광 나노임프린트법에서는, 잉크젯법이 특히 적합하다. (패턴이 전사되는) 적용된 광경화성 조성물의 두께는 용도에 따라 상이하며, 예를 들어 0.01 μm 이상 100.0 μm 이하 범위일 수 있다.
몰드 접촉 단계 (3)
이어서, 도 1의 (c)에 도시한 바와 같이, 이전 적용 단계에서 적용된 광경화성 조성물(103)을, 의도된 패턴을 전사하기 위한 원형 패턴을 갖는 몰드(104)와 접촉시킨다. (패턴이 전사되는) 광경화성 조성물(103)에 몰드(104)를 접촉시킴으로써 (도 1의 (c) (c-1)), 몰드(104)의 미세 패턴의 오목부가 광경화성 조성물(103)로 충전되어서, 몰드(104)의 미세 패턴을 충전하는 도포막(105)이 형성된다 (도 1의 (c) (c-2)).
몰드(104)는 다음 조사 단계를 고려해서 광투명성 재료로 구성된다. 예를 들어, 몰드(104)는 유리, 석영, 폴리메틸 메타크릴레이트 (PMMA), 폴리카르보네이트 등의 광투명성 수지, 투명 금속 증착막, 폴리디메틸실록산 등의 유연막, 광경화막, 금속막 등으로 구성될 수 있다. 몰드(104)의 재료로서 광투명성 수지를 사용하는 경우에는, 광투명성 수지는 광경화성 조성물(103)의 임의의 성분에 불용성인 재료이다. 열팽창 계수가 작고 이에 따라 몰드에서 패턴이 변형되기 어렵기 때문에, 석영이 가장 적합하다.
몰드(104)의 표면에서 미세 패턴은 4 nm 이상 200 nm 이하 범위의 높이를 가질 수 있고 패턴의 각 부분은 1 이상 10 이하의 종횡비를 가질 수 있다.
몰드(104)에는, 광경화성 조성물(103)과 몰드(104)를 쉽게 박리시킬 수 있게 하기 위해서, 몰드 접촉 단계 전에 표면 처리할 수 있다. 표면 처리를 위해, 몰드의 표면에 이형제를 도포할 수 있다. 몰드의 표면에 도포하는 이형제로서는, 예를 들어, 실리콘계 이형제, 불소계 이형제, 탄화수소계 이형제, 폴리에틸렌계 이형제, 폴리프로필렌계 이형제, 파라핀계 이형제, 몬탄계 이형제, 카르나우바계 이형제 등을 들 수 있다. 다이킨 인더스트리즈(Daikin Industries) 제조의 옵툴(Optool) DSX 등의 시판되는 도포형 이형제도 유리하게 사용할 수 있다. 이형제는 단독으로 또는 조합으로 사용할 수 있다. 불소계 및 탄화수소계 이형제가 특히 적합하다.
도 1의 (c) (c-1)에 도시한 바와 같이, 몰드(104)와 광경화성 조성물(103)을 접촉시킬 때, 광경화성 조성물(103)에 가해지는 압력은 통상 0 MPa 이상 100 MPa 이하 범위이지만, 이들에 한정되지 않는다. 압력은 0 MPa 이상 50 MPa 이하 범위인 것이 바람직하고, 0 MPa 이상 30 MPa 이하, 예컨대 0 MPa 이상 20 MPa 이하 범위인 것이 보다 바람직하다.
몰드(104)를 광경화성 조성물(103)에 접촉시키는 기간은 통상 0.1초 이상 600초 이하 범위이고, 0.1초 이상 300초 이하 범위인 것이 바람직하고, 0.1초 이상 180초 이하, 예컨대 0.1초 이상 120초 이하 범위인 것이 보다 바람직하다.
몰드 접촉 단계는 대기 분위기 하에서, 감압 분위기 하에서, 불활성 가스 분위기 하 등의 어떤 분위기 하에서도 행할 수 있지만, 산소나 수분에 의한 경화 반응에의 영향을 방지하는 관점에서, 몰드 접촉 단계를 감압 분위기나 불활성 가스 분위기 하에서 행하는 것이 유리하다. 본 단계에서 사용할 수 있는 불활성 가스로서는, 질소, 이산화탄소, 헬륨, 아르곤, 클로로플루오로카본 가스 및 이들 가스의 혼합물을 들 수 있다. 몰드 접촉 단계를 대기의 경우를 포함한 특정한 가스의 분위기 하에서 행하는 경우에, 가스의 압력은 0.0001 기압 이상 10 기압 이하 범위일 수 있다.
몰드 접촉 단계는 응축성 가스를 함유하는 분위기 (이하, 응축성 가스 분위기로 지칭함) 하에서 행할 수 있다. 여기서 언급된 응축성 가스는, 몰드 접촉 단계 (도 1의 (c) (c-1))에서 (패턴이 전사되는) 광경화성 조성물(103)과 몰드(104)가 접촉하기 전에 분위기 중에 기체 형태로 존재하고, 광경화성 조성물(103)과 몰드(104)가 접촉하여, 몰드(104)의 미세 패턴의 오목부 및 몰드와 기판과의 간극에 얻어진 도포막(105) 및 분위기 중의 가스가 충전되었을 때, 광경화성 조성물(103)에 가해지는 압력에 의해 발생하는 모세관력에 의해 액체로 응축된다.
응축성 가스 분위기 하에서 몰드 접촉 단계를 행하면, 미세 패턴의 오목부에 충전된 가스가 액화함으로써 기포가 소멸한다. 그 결과, 광경화성 조성물은 몰드의 오목부를 우수하게 충전할 수 있다. 응축성 가스는 광경화성 조성물 중에 용해될 수 있다.
응축성 가스의 비점은 분위기 온도 이하이며, -10℃ 내지 23℃, 예컨대 10℃ 내지 23℃ 범위일 수 있다. 응축성 가스의 비점이 이 범위라면, 몰드를 우수하게 충전할 수 있다.
응축성 가스의 몰드 접촉 단계의 분위기 온도에서의 증기압은, 몰드 접촉 단계에서 몰드에 가해지는 압력 이하이며, 0.1 MPa 내지 0.4 MPa 범위일 수 있다. 응축성 가스의 증기압이 이 범위라면, 몰드를 우수하게 충전할 수 있다. 분위기 온도에서의 증기압이 0.4 MPa보다 크면, 기포는 예상한 바와 같이 제거되기 어렵다. 반대로, 분위기 온도에서의 증기압이 0.1 MPa보다 작으면, 감압이 필요해진다. 이는 복잡한 장치를 필요로 한다.
몰드 접촉 단계의 분위기 온도는 20℃ 내지 25℃ 범위일 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
응축성 가스로서, 예를 들어, 트리클로로플루오로메탄 등의 클로로플루오로카본 (CFC); 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판 (CHF2CH2CF3, HFC-245fa, PFP) 등의 히드로플루오로카본 (HFC) 및 히드로클로로플루오로카본 (HCFC); 및 펜타플루오로에틸 메틸 에테르 (CF3CF2OCH3, HFE-245mc) 등의 히드로플루오로 에테르 (HFE) 등의 플루오로카본 (FC)을 들 수 있다.
몰드 접촉 단계의 분위기 온도가 20℃ 내지 25℃에서 몰드의 충전성이 우수한 관점에서, 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판 (23℃에서의 증기압: 0.14 MPa, 비점: 15℃), 트리클로로플루오로메탄 (23℃에서의 증기압: 0.1056 MPa, 비점: 24℃) 및 펜타플루오로에틸 메틸 에테르가 유리하다. 안전성이 높기 때문에 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판이 특히 유리하다.
응축성 가스는 단독으로 또는 조합으로 사용할 수 있다. 상기 응축성 가스는, 공기, 질소, 이산화탄소, 헬륨, 아르곤 등의 비응축성 가스와 혼합할 수 있다. 응축성 가스와 혼합하는 비응축성 가스로서는, 몰드를 우수하게 충전하는 관점에서, 헬륨이 보다 적합하다. 몰드(104) 내의 미세 패턴의 오목부에 도포막(105)과 함께 가스 (응축성 가스 및 헬륨)가 충전되었을 때, 응축성 가스가 액화하는 동시에 헬륨이 몰드를 통과할 수 있다. 따라서, 헬륨은 몰드를 우수하게 충전하는 것을 돕는다.
위치정렬 단계 (4)
다음 단계, 도 1의 (d)에 도시한 바와 같이, 몰드 상의 위치결정 마크(106)와, 피가공 기판 상의 위치결정 마크(107)가 서로 정렬하도록 몰드 또는 피가공 기판의 적어도 어느 하나의 위치를 조정한다.
조사 단계 (5)
이어서, 도 1의 (e) (e-1)에 도시한 바와 같이, 몰드와 기판이 위치정렬된 상태에서, 광경화성 조성물과 상기 몰드와의 접촉 부분에, 또는 몰드(104)의 패턴에 충전된 도포막(105)에, 몰드(104)를 개재해서 광을 조사한다. 이에 의해, 몰드(104)의 미세 패턴에 충전된 도포막(105)의 일부는, 광(108)에 의해 광경화물(109)로 경화된다 (도 1의 (e) (e-2)).
몰드의 미세 패턴에 충전된 도포막(105)을 형성하는 광경화성 조성물(103)에 조사하는 광은, 광경화성 조성물의 감도 파장에 따라서 적절히 선택되며, 상기 광으로서는, 예를 들어, 150 nm 이상 400 nm 이하 파장의 자외광이나, X선, 전자선 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 광경화성 조성물(103)에 조사하는 광 (조사광(108))으로서 자외광이 보다 적합하다. 이것은, 시판 경화제 (광중합 개시제) 중 다수가 자외광에 감도를 갖기 때문이다. 자외광을 발하는 광원으로서는, 고압 수은등, 초고압 수은등, 저압 수은등, 딥-UV 램프, 탄소 아크등, 케미컬 램프, 메탈 할라이드 램프, 크세논 램프, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, F2 엑시머 레이저 등을 들 수 있다. 초고압 수은 등이 유리하다. 광원의 수는 1개 이상일 수 있다. 몰드의 미세 패턴에 충전된 도포막(105)을 부분적으로 또는 전체적으로 조사할 수 있다.
조사는 기판의 전체 영역에 걸쳐 단속적으로 다수 회 또는 연속적으로 행할 수 있다. 대안적으로, 제1 조사 과정에서 영역 A를 조사할 수 있고, 제2 조사 과정에서 영역 A와는 상이한 영역 B를 조사할 수 있다.
본 조사 단계에서의 광경화성 조성물에의 노광량은 90 mJ/cm2 이하일 수 있다. 바람직하게는, 노광량은 76 mJ/cm2 이하, 예컨대 30 mJ/cm2 이하만큼 낮다.
이형 단계 (6)
이어서, 광경화물(109)과 몰드(104)를 분리한다. 이때, 기판(102) 위로 특정한 패턴을 갖는 광경화막(110)이 광경화물 패턴으로서 형성된다.
본 이형 단계에서는, 도 1의 (f)에 도시한 바와 같이, 광경화물(109)과 몰드(104)를 분리하여, 몰드(104)의 미세 패턴의 반전 패턴을 갖는 광경화막(110)이 얻어진다.
몰드 접촉 단계를 응축성 가스 분위기 하에서 행한 경우에, 광경화물(109)과 몰드(104)를 분리함으로써 광경화물(109)과 몰드(104)와의 계면에서 압력이 저하하는 것에 수반하여 응축성 가스가 증발한다. 이는 몰드를 적은 힘으로 분리하는 것을 돕는다
이형 조건을 포함하여 광경화물(109)과 몰드(104)를 어떻게 분리하는지는 광경화물(109)이 물리적으로 파손되지 않으면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 몰드(104)를 고정된 피가공 기판(102)으로부터 멀어지게 이동시킬 수 있거나, 기판(102)을 고정된 몰드(104)로부터 멀어지게 이동시킬 수 있다. 대안적으로, 몰드(104) 및 기판(102)을 반대 방향으로 인장하여 서로 분리되게 할 수 있다.
단계 (1) 내지 (6)을 포함하는 전술한 공정에 의해, 몰드(104)의 요철 패턴에 연유하는 원하는 요철 패턴을 갖는 광경화막을 원하는 위치에 형성한다. 얻어진 광경화막은, 예를 들어, 프레넬 렌즈나 회절 격자 등의 광학 부재 또는 광학 부재 중의 부재로서 사용할 수 있다. 이러한 경우에, 광학 부재는 적어도 기판(102)과, 이 기판(102) 상의 패턴 형상을 갖는 광경화막(110)을 포함한다.
본 실시형태의 방법에서는, 일련의 단계 (1) 내지 (6)을 포함한 반복 단위 (샷)를 동일한 기판에 대해 다수 회 반복할 수 있다. 단계 (1) 내지 (6)을 포함한 반복 단위 (샷)를 다수 회 반복함으로써, 복수의 원하는 위치에 몰드(104)의 요철 패턴에 연유하는 원하는 패턴을 갖는 광경화막을 얻을 수 있다.
광경화막의 일부를 제거하는 불필요부 제거 단계 (7)
단계 (6) 또는 이형 단계에 의해 얻어지는 광경화막은 특정한 패턴을 갖지만, 이것이 이 패턴 형상이 형성되는 영역 이외의 영역에서도 존재할 수 있다 (이하 광경화막의 이러한 부분을 불필요부라고 지칭할 수 있음). 이러한 경우에는, 불필요부를 그 하부에 있는 밀착층과 함께 제거해서 (몰드(104)의 요철 패턴에 연유하는) 원하는 요철 패턴을 갖는 광경화물 패턴(111)을 얻을 수 있다.
본 단계에서, 광경화막(110)의 불필요부는, 예를 들어, 광경화막(110)의 패턴의 오목부에서 기판(102)의 표면을 노출시키도록 에칭함으로써 제거할 수 있다.
광경화막(110)의 오목부에 있는 불필요부 및 그 하부에 있는 밀착층을 에칭에 의해 제거할 경우에, 특별한 한정 없이 임의의 기술을 적용할 수 있고, 공지의 기술, 예컨대 건식 에칭을 행할 수 있다. 건식 에칭에는, 공지의 건식 에칭 장치를 사용할 수 있다. 건식 에칭시의 소스 가스는, 에칭되는 경화막의 원소 조성에 따라 적절히 선택되며, 그의 예로서는, CF4, C2F6, C3F8, CCl2F2, CCl4, CBrF3, BCl3, PCl3, SF6, Cl2 등의 할로겐 함유 가스; O2, CO, CO2 등의 산소 함유 가스; He, N2, Ar 등의 불활성 가스; H2, NH3 등을 들 수 있다. 이들 가스의 혼합 가스를 사용할 수 있다.
단계 (1) 내지 (7)을 포함한 전술한 공정에 의해, (몰드(104)의 요철 패턴에 연유하는) 원하는 요철 패턴을, 원하는 위치에 갖는 광경화물 패턴(111)을 얻을 수 있고, 이에 따라 광경화물 패턴을 갖는 물품을 얻을 수 있다. 광경화물 패턴(111)을 사용해서 기판(102)을 가공하는 경우에는, 후술하는 기판에 대해 가공 단계 (단계 (8))를 행한다.
대안적으로, 광경화물 패턴(111)을 회절 격자나 편광판 등의 광학 부재 (또는 광학 부재의 일부)로서 광학 부품에 사용할 수 있다. 이러한 경우에, 광학 부품은 적어도 기판(102)과, 이 기판(102) 상의 광경화물 패턴(111)을 포함한다.
기판 가공 단계 (8)
본 발명의 실시형태의 광경화물 패턴을 형성하는 방법에 의해 얻어지는, 요철 패턴을 갖는 광경화물 패턴(111)은, LSI, 시스템 LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, D-RDRAM 등의 반도체 디바이스의 층간 절연막으로서, 또는 반도체 제조 공정에서 사용되는 레지스트막으로서 사용할 수 있다.
광경화물 패턴(111)을 레지스트막으로서 사용하는 경우에, 단계 (7)의 불필요부 제거 단계에 의해 노출된 기판의 부분 (도 1의 (g)에서 112로 나타낸 영역)에 대하여, 에칭 또는 이온 주입 등을 행한다. 이러한 경우에, 광경화물 패턴(111)은 에칭 마스크로서 기능한다. 그 외에, 전자 부재를 기판(102)에 제공할 수 있다. 따라서, 광경화물 패턴(111)의 프로파일에 따라 회로 구조(113) (도 1의 (h))를 기판(102) 상에 형성한다. 이에 의해, 반도체 디바이스 등에서 사용되는 회로 기판을 제조할 수 있다. 얻어진 회로 기판과 회로 기판의 제어 기구를 접속함으로써, 디스플레이, 카메라, 의료 장치 등의 전자 부품을 형성할 수 있다.
마찬가지로, 광학 부품이나 마이크로플루이딕스의 유로 구조, 패턴 형상을 갖는 미디어의 구조체 등의 디바이스 부품의 제조 공정에서 광경화물 패턴(111)을 레지스트막으로서 사용하여, 에칭 또는 이온 주입 등을 행할 수 있다.
대안적으로, 광경화물 패턴(111)을 마스크로 사용하여 석영 기판에 에칭을 행함으로써 임프린트 몰드(104)를 몰드 복제물로서 제조할 수 있다. 이러한 경우에, 기판(102) 또는 석영 기판은 광경화물 패턴(111)을 마스크로 사용하여 직접 에칭할 수 있다. 석영 기판 상의 경질 마스크를, 광경화물 패턴(111)을 마스크로 사용하여 에칭할 수 있고, 이어서 석영 기판을 경질 마스크 재료의 전사 패턴을 마스크로 사용하여 에칭한다. 대안적으로, 제2 광경화물을 광경화물 패턴(111)의 오목부 내에 제2 경화성 조성물로 형성할 수 있고, 석영 기판을 제2 광경화물을 마스크로 사용하여 에칭한다. 본 실시형태에서, 에칭 및 이온 주입을 광경화물 패턴(111)을 마스크로 사용하여 기판(102)을 에칭하는 방법으로 설명하였지만, 방법은 이들에 한정되지 않는다. 예를 들어, 광경화물 패턴(111)이 구비된 기판(102)에 도금을 행할 수도 있다. 회로부 기판이나 전자 부품을 제작하는 공정에서는, 최종적으로는, 광경화물 패턴(111)을 기판으로부터 제거할 수 있거나, 디바이스의 부재로서 남길 수도 있다.
실시예
이하, 실시예를 참조해서 본 발명에 추가로 상세하게 설명한다. 그러나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에서, "부" 및 "%"는 달리 명시하지 않는 한 중량 기준이다.
밀착층 조성물의 제조
하기 화합물 (A) 각각을 용제 (B)로서 프로필렌 글리콜 모노메틸 아세테이트 (도쿄 케미칼 인더스트리(Tokyo Chemical Industry) 제조)를 배합해서 용제 (B) 중 0.1 중량% 화합물 (A)의 혼합 용액을 얻었다.
얻어진 혼합 용액을 구명 직경이 0.2 μm인 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터에서 여과했다. 이에 의해, 표 1에 나타내는 밀착층 조성물 1 내지 6을 제조했다.
화합물 (A) 2
(A-1): 1,3,5-트리스(3-메르캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 쇼와 덴코 제조의 카렌츠(Karenz) MT NR-1 (상품명)
(A-2): 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트) (도쿄 케미칼 인더스트리 제조)
(A-3): 펜타에리트리톨 테트라키스(3-메르캅토부틸레이트) 및 펜타에리트리톨 트리스(3-메르캅토 부틸레이트)의 혼합물, 쇼와 덴코 제조의 카렌츠 MT PE-1 (상품명)
(A-4): 펜타에리트리톨 테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트) (도쿄 케미칼 인더스트리 제조)
(A-5): N-페닐글리신 (도쿄 케미칼 인더스트리 제조)
(A-6): N,N,N',N",N"-펜타키스(2-히드록시프로필)디에틸렌트리아민 (도쿄 케미칼 인더스트리 제조)
(A-7): 트리티오시아누르산 (비교예용) (도쿄 케미칼 인더스트리 제조)
(A-8): 6-(디부틸아미노)-1,3,5-트리아진-2,4-디티올 (비교예용) (도쿄 케미칼 인더스트리 제조)
<표 1>
Figure pct00001
광경화성 조성물의 제조
이하에 나타내는 중합성 화합물 (D), 광중합 개시제 (E), 기타의 첨가제 (F)를 표 2에 나타내는 비율에 따라 배합해서 혼합 용액을 얻었다. 표 2 중의 숫자는 함량을 중량부로 나타낸다.
얻어진 혼합 용액 각각을 구멍 크기가 0.2 μm인 폴리에틸렌제 필터에서 여과했다. 이에 의해, 광경화성 조성물 1 내지 3을 제조했다.
중합성 화합물 (D) 2
(D-1): 이소보르닐 아크릴레이트 IB-XA (상품명, 교에이샤 케미칼 제조)
(D-2): 벤질 아크릴레이트 V #160 (상품명, 오사카 오가닉 케미칼 인더스트리 제조)
(D-3): 네오펜틸 글리콜 디아크릴레이트 NP-A (상품명, 교에이샤 케미칼 제조)
(D-4): 디메틸올트리시클로데칸 디아크릴레이트 DCP-A (상품명, 교에이샤 케미칼 제조)
광중합 개시제 (E) 2
(E-1): 루시린 TPO (바스프 제조)
기타의 첨가제 (F) 2
(F-1): 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논 (도쿄 케미칼 인더스트리 제조)
(F-2): 블라우논 SR-730 (아오키 오일 인더스트리얼 제조)
<표 2> (숫자는 중량부를 나타냄)
Figure pct00002
밀착성의 평가
하기와 같이 기판과 광경화성 조성물과의 밀착성을 평가했다.
(1. 밀착층의 형성)
제조한 밀착층 조성물 1 내지 6을 각각 실리콘 웨이퍼 위로 1500 rpm의 회전 속도로 30초 동안 스핀 코트하고, 이어서 핫 플레이트 상에서 160℃에서 5분 동안 가열하여 도포하였다. 이에 의해, 두께 1 nm 이하의 밀착층을 형성했다.
(2. 광경화성 조성물의 경화)
밀착층이 형성된 실리콘 웨이퍼 상에 제조한 광경화성 조성물을 2 μL를 적하하였다. 이어서, 광경화성 조성물에 두께 1 mm의 석영 유리를 씌우고, 35 mm × 25 mm의 영역을 충전시켰다.
이어서, 샘플에, 초고압 수은 진공 램프를 구비한 UV 광원으로부터 방출된 광을 간섭 필터를 통과시켜서 석영 유리를 통해서 200초 동안 조사했다. 간섭 필터는 VPF-25C-10-15-31300 (시그마고키(Sigmakoki) 제조)이며, 자외광이나 조사광은 313 ± 5 nm의 단일 파장을 갖고, 조도를 1 mW/cm2로 했다.
(3. 밀착성 평가)
조사 후, 석영 유리를 강제로 떼고, 광경화막의 박리를 육안으로 확인했다. 35 mm × 25 mm의 영역 전체면에서 박리가 발생하지 않은 샘플을 양호한 것으로 평가하였고, 35 mm × 25 mm의 영역 일부에서 박리가 발생한 샘플을 불량한 것으로 평가했다.
그 결과를 통합해서 표 3에 나타낸다.
<표 3>
Figure pct00003
실시예 1 내지 10의 밀착층은, 광경화막의 박리를 발생하지 않고 광경화성 조성물과 기판 사이에서 충분한 밀착성을 나타냈다. 다른 한편, 밀착층 없음의 비교예 1 내지 3의 샘플에서는, 광경화성 조성물 1 내지 3 중 어느 것을 사용한 경우에도 광경화막의 박리가 발생했다. 화합물 (A)로서 화합물 A-7, A-8을 함유한 밀착층 조성물 7 또는 8을 사용한 경우에는, 광경화성 조성물 1 내지 3 중 어느 것을 사용한 경우에도 광경화막의 박리가 발생했다. 이것은 아마도 각각 질소 및 불포화 결합을 함유하는 화합물 A-7, A-8의 복소환이 광을 흡수하기 때문에 밀착성이 저하된 것으로 생각된다. 이에 의해, 본 발명의 실시형태의 밀착층을 사용함으로써 패턴의 박리를 유발하는 것이 어려운 광경화물을 제공하는데 유용할 것으로 예상된다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참조하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태에 한정되지 않는 것이 이해되어야 한다. 하기 청구범위의 범주는 모든 이러한 변경 및 등가의 구조 및 기능을 포괄하도록 가장 넓은 해석에 따라야 한다.
본 출원은 2014년 7월 8일 출원된 일본 특허 출원 제2014-140907호의 이익을 주장하며, 이는 이로써 그 전문이 여기서 참조로 포함된다.

Claims (27)

  1. 기판과 광경화성 조성물 사이에 밀착층을 형성하기 위한 밀착층 조성물이며,
    탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 직접 결합되어 있고 상기 기판에 결합될 수 있는 1개 이상의 관능기, 및 탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 직접 결합되어 있고 상기 광경화성 조성물에 결합될 수 있는 1개 이상의 관능기를 포함한 2개 이상의 결합성 관능기를 함유하는 화합물 (A); 및
    용제 (B)를 포함하며,
    상기 기판에 결합될 수 있는 관능기는, 수산기, 카르복실기, 티올기, 아미노기, 에폭시기, (블록) 이소시아네이트기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1개 이상이며, 상기 광경화성 조성물에 결합될 수 있는 관능기는 수소 공여성 관능기인, 밀착층 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 수소 공여성 관능기는 티올기 또는 알킬아미노기인, 밀착층 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 화합물 (A)는 분자 중에 3개 이상의 수소 공여성 관능기를 함유하는, 밀착층 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판에 결합될 수 있는 관능기는 수산기 및 티올기 중 1개 이상인, 밀착층 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화합물 (A)는 복소환 구조를 갖지 않는, 밀착층 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 화합물 (A)는 4 방향으로 신장하는 직쇄를 갖고, 상기 직쇄의 각각의 말단에 상기 기판에 결합될 수 있는 관능기 또는 상기 광경화성 조성물에 결합될 수 있는 관능기가 결합되어 있는, 밀착층 조성물.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화합물 (A)는 분자 중에 4개 이상의 티올기를 함유하는, 밀착층 조성물.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화합물 (A)는, 1,3,5-트리스(3-메르캅토부티릴옥시에틸)-1,3,5-트리아진-2,4,6(1H,3H,5H)-트리온, 트리메틸올프로판 트리스(3-메르캅토프로피오네이트), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-메르캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨 트리스(3-메르캅토부틸레이트), 펜타에리트리톨 테트라키스(3-메르캅토프로피오네이트), N-페닐글리신, 및 N,N,N',N",N"-펜타키스(2-히드록시프로필)디에틸렌트리아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인, 밀착층 조성물.
  9. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 용제 (B)는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트이거나 또는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트를 함유하는, 밀착층 조성물.
  10. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광경화성 조성물은 중합성 화합물 및 광중합 개시제를 함유하는, 밀착층 조성물.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 중합성 화합물은 (메트)아크릴레이트 단량체인, 밀착층 조성물.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀착층 조성물은 임프린트용으로 사용되는, 밀착층 조성물.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 밀착층 조성물은 UV 나노임프린트용으로 사용되는, 밀착층 조성물.
  14. 기판 상에 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 밀착층 조성물을 적용해서 밀착층을 형성하는 단계와,
    상기 밀착층을 갖는 상기 기판에 광경화성 조성물을 적용하는 단계와,
    전사하기 위한 원형 패턴(original pattern)을 갖는 몰드와, 상기 광경화성 조성물을 접촉시키는 단계와,
    광경화물을 형성하기 위해 상기 광경화성 조성물에 광을 조사하는 단계; 및
    상기 광경화물로부터 상기 몰드를 제거하는 단계를 포함하는, 광경화물 패턴을 형성하는 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 조사하는 단계는 자외광을 이용하여 행해지는, 광경화물 패턴을 형성하는 방법.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 기판은 표면에 수산기를 갖는, 광경화물 패턴을 형성하는 방법.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 몰드는 석영으로 제조되는, 광경화물 패턴을 형성하는 방법.
  18. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 광경화물 패턴을 형성하는 방법에 의해 기판 상에 패턴 형상을 갖는 막을 형성하는 단계를 포함하는, 광학 부품의 제조 방법.
  19. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 광경화물 패턴을 형성하는 방법에 의해 패턴 형상을 갖는 막을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴 형상을 갖는 막을 마스크로 사용하여 기판에 에칭 또는 이온 주입을 행하는 단계를 포함하는, 광학 부품의 제조 방법.
  20. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 광경화물 패턴을 형성하는 방법에 의해 패턴 형상을 갖는 막을 형성하는 단계와,
    상기 패턴 형상을 갖는 막을 마스크로 사용하여 기판에 에칭 또는 이온 주입을 행하는 단계; 및
    전자 부재를 형성하는 단계를 포함하는, 회로 기판의 제조 방법.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 회로 기판은 반도체 소자인, 회로 기판의 제조 방법.
  22. 제20항 또는 제21항에 기재된 회로 기판의 제조 방법에 의해 회로 기판을 제조하는 단계; 및
    상기 회로 기판과, 상기 회로 기판을 제어하도록 구성된 제어 기구를 접속하는 단계를 포함하는, 전자 기기의 제조 방법.
  23. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광경화성 조성물을 접촉시키는 단계는 응축성 가스를 함유하는 분위기에서 행해지는, 광경화물 패턴을 형성하는 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 응축성 가스는 1,1,1,3,3-펜타플루오로프로판인, 광경화물 패턴을 형성하는 방법.
  25. 제23항 또는 제24항에 있어서,
    상기 응축성 가스를 함유하는 분위기는 헬륨 가스와 상기 응축성 가스의 혼합물인, 광경화물 패턴을 형성하는 방법.
  26. 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 광경화물 패턴을 형성하는 방법에 의해 기판 상에 광경화물 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 광경화물 패턴을 사용하여 상기 기판을 에칭하는 단계를 포함하는, 임프린트 몰드의 제조 방법.
  27. 기판과,
    상기 기판 상에 요철 패턴을 갖는, 광경화성 조성물로 제조되는 광경화물; 및
    상기 기판과 상기 광경화물 사이의 밀착층
    을 포함하는 디바이스 부품이며,
    상기 밀착층은, 상기 기판에 결합될 수 있는 관능기 및 상기 광경화성 조성물에 결합될 수 있는 관능기를 포함한 2개 이상의 결합성 관능기를 함유하는 화합물 (A)를 포함하고,
    상기 기판에 결합될 수 있는 관능기는, 탄화수소에 결합되어 있고 수산기, 카르복실기, 티올기로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 상기 광경화성 조성물에 결합될 수 있는 관능기는, 탄화수소 또는 방향족 탄화수소에 결합되어 있는 1개 이상의 수소 공여성 관능기인, 디바이스 부품.
KR1020177003372A 2014-07-08 2015-06-26 밀착층 조성물, 광경화물 패턴을 형성하는 방법, 광학 부품, 회로 기판, 전자 기기 및 임프린트 몰드의 제조 방법, 및 디바이스 부품 KR101900629B1 (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200003912A (ko) * 2017-06-14 2020-01-10 후지필름 가부시키가이샤 키트, 적층체, 적층체의 제조 방법, 경화물 패턴의 제조 방법 및 회로 기판의 제조 방법
KR20200058096A (ko) * 2018-11-19 2020-05-27 (주)케이에프엠 패턴화된 단일 코팅구조의 이형필름, 이의 제조방법 및 이로부터 제조된 점착테이프

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10134588B2 (en) * 2016-03-31 2018-11-20 Canon Kabushiki Kaisha Imprint resist and substrate pretreatment for reducing fill time in nanoimprint lithography
US10754244B2 (en) * 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10829644B2 (en) * 2016-03-31 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754245B2 (en) * 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10754243B2 (en) * 2016-03-31 2020-08-25 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
US10883006B2 (en) 2016-03-31 2021-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method as well as production methods for processed substrate, optical component, circuit board, electronic component and imprint mold
TW201825617A (zh) * 2016-09-16 2018-07-16 日商富士軟片股份有限公司 壓印用底漆層形成用組成物、壓印用底漆層及積層體
TW201817582A (zh) * 2016-09-16 2018-05-16 日商富士軟片股份有限公司 圖案形成方法及半導體元件的製造方法
JP7011386B2 (ja) * 2016-11-16 2022-01-26 キヤノン株式会社 密着層形成組成物および物品製造方法
KR20180057814A (ko) * 2016-11-22 2018-05-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치에 포함되는 윈도우 부재의 제조 방법
JP6712673B2 (ja) * 2017-02-28 2020-06-24 富士フイルム株式会社 インプリント用密着膜形成用組成物、密着膜、積層体、硬化物パターンの製造方法および回路基板の製造方法
JP6741855B2 (ja) * 2017-02-28 2020-08-19 富士フイルム株式会社 プライマ層形成用組成物、キット、プライマ層および積層体
JP7328888B2 (ja) * 2017-03-08 2023-08-17 キヤノン株式会社 硬化物パターンの製造方法、光学部品、回路基板および石英モールドレプリカの製造方法、ならびにインプリント前処理コート用材料およびその硬化物
CN107633896A (zh) * 2017-08-30 2018-01-26 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种高雾度的透明导电薄膜及其制备方法
TWI783115B (zh) * 2018-02-14 2022-11-11 日商富士軟片股份有限公司 試劑盒、壓印用下層膜形成組成物、圖案形成方法、半導體器件的製造方法
US11739177B2 (en) 2018-04-20 2023-08-29 Adaptive 3D Technologies Sealed isocyanates
US11697706B2 (en) 2018-04-20 2023-07-11 Adaptive 3D Technologies Sealed isocyanates
WO2020066442A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 富士フイルム株式会社 インプリント用下層膜形成用組成物、下層膜、パターン形成方法および半導体素子の製造方法
US11911956B2 (en) 2018-11-21 2024-02-27 Adaptive 3D Technologies Using occluding fluids to augment additive manufacturing processes
US10780682B2 (en) 2018-12-20 2020-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Liquid adhesion composition, multi-layer structure and method of making said structure
CN114555750A (zh) * 2019-08-02 2022-05-27 布鲁尔科技公司 永久性粘结和图案化材料
CN113156765B (zh) * 2020-01-07 2022-09-27 北京化工大学 一种紫外纳米压印用光刻胶组合物及其制备与应用
CN112892627B (zh) * 2021-02-05 2022-04-05 浙江大学 一种基于弹性支撑体的光固化微流控芯片及其制备方法和应用
CN113204169A (zh) * 2021-04-12 2021-08-03 新沂崚峻光电科技有限公司 一种新型压印膜的制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073811A (ja) 2008-09-17 2010-04-02 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物、並びに、液晶表示装置用部材
JP2013153084A (ja) 2012-01-25 2013-08-08 Dainippon Printing Co Ltd パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55125631A (en) 1979-03-23 1980-09-27 Fuji Electric Co Ltd Coating of photoresist
JPH1069093A (ja) 1996-08-29 1998-03-10 Toray Ind Inc 水なし平版印刷版原版
EP1477511A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-17 DSM IP Assets B.V. Radiation curable thiol-ene composition
US7579134B2 (en) 2005-03-15 2009-08-25 E. I. Dupont De Nemours And Company Polyimide composite coverlays and methods and compositions relating thereto
US8808808B2 (en) * 2005-07-22 2014-08-19 Molecular Imprints, Inc. Method for imprint lithography utilizing an adhesion primer layer
WO2007119714A1 (ja) 2006-04-12 2007-10-25 Toyo Boseki Kabushiki Kaisha 活性光線硬化型ハイパーブランチポリマー
JP5435879B2 (ja) * 2008-02-14 2014-03-05 株式会社ダイセル ナノインプリント用硬化性樹脂組成物
KR101690643B1 (ko) * 2008-12-05 2016-12-28 리퀴디아 테크놀로지스 인코포레이티드 패턴 재료 제조 방법
SG186226A1 (en) 2010-06-11 2013-01-30 Hoya Corp Substrate with adhesion promoting layer, method for producing mold, and method for producing master mold
JP5644339B2 (ja) 2010-10-01 2014-12-24 Jsr株式会社 レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターン形成方法
JP5218521B2 (ja) 2010-10-21 2013-06-26 大日本印刷株式会社 インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤
JP5565277B2 (ja) 2010-11-09 2014-08-06 デクセリアルズ株式会社 異方性導電フィルム
JP5679850B2 (ja) 2011-02-07 2015-03-04 キヤノン株式会社 インプリント装置、および、物品の製造方法
KR101593560B1 (ko) 2011-03-30 2016-02-15 후지필름 가부시키가이샤 프린트 배선기판 및 그 제조방법, 그리고 금속 표면 처리액
EP2762517A4 (en) 2011-09-29 2015-05-06 Nissan Chemical Ind Ltd LIGHT-CURING RESIN COMPOSITION
JP5827180B2 (ja) * 2012-06-18 2015-12-02 富士フイルム株式会社 インプリント用硬化性組成物と基板の密着用組成物およびこれを用いた半導体デバイス

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010073811A (ja) 2008-09-17 2010-04-02 Fujifilm Corp ナノインプリント用硬化性組成物、これを用いた硬化物、並びに、液晶表示装置用部材
JP2013153084A (ja) 2012-01-25 2013-08-08 Dainippon Printing Co Ltd パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200003912A (ko) * 2017-06-14 2020-01-10 후지필름 가부시키가이샤 키트, 적층체, 적층체의 제조 방법, 경화물 패턴의 제조 방법 및 회로 기판의 제조 방법
KR20200058096A (ko) * 2018-11-19 2020-05-27 (주)케이에프엠 패턴화된 단일 코팅구조의 이형필름, 이의 제조방법 및 이로부터 제조된 점착테이프

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