JPWO2018159576A1 - プライマ層形成用組成物、キット、プライマ層および積層体 - Google Patents
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Abstract
Description
ここで、インプリント法の活発化に伴い、基板とインプリント用硬化性組成物の間の接着性が問題視されるようになってきた。すなわち、インプリント法においては、基板の表面にインプリント用硬化性組成物を塗布し、その表面にモールドを接触させた状態で光照射してインプリント用硬化性組成物を硬化させた後、モールドを剥離するが、このモールドを剥離する工程で、硬化物が基板から剥れてモールドに付着してしまう場合がある。これは、基板と硬化物との接着性が、モールドと硬化物との接着性よりも低いことが原因と考えられる。かかる問題を解決するために、基板と硬化物との接着性を向上させるインプリント用密着層を用いることが検討されている(特許文献1〜3)。
本発明はかかる課題を解決することを目的としたものであって、インプリント性能を維持しつつ、インプリント用硬化性組成物の基板上への濡れ性を向上させることを目的とする。具体的には、上記課題を解決するための、新規なプライマ層形成用組成物、ならびに、キット、プライマ層および積層体を提供することを目的とする。
<1>23℃における粘度が200〜2000mPa・sである重合性化合物および溶剤を含み、かつ、プライマ層を形成するためのプライマ層形成用組成物であって、上記重合性化合物の含有量が、上記組成物に含まれる不揮発性成分中、30質量%以上であり、かつ、上記溶剤の含有量が、上記組成物中、98.0質量%以上であり、上記プライマ層は、上記プライマ層の表面にインプリント用硬化性組成物が適用される際に液膜であり、上記インプリント用硬化性組成物と相互に溶解する、プライマ層形成用組成物。
<2>上記重合性化合物の23℃における表面張力が38mN/m以上である、<1>に記載のプライマ層形成用組成物。
<3>上記重合性化合物が芳香環を含む、<1>または<2>に記載のプライマ層形成用組成物。
<4>上記重合性化合物が芳香環を一分子中に2つ以上含む、<1>または<2>に記載のプライマ層形成用組成物。
<5>さらに、非重合性アルキレングリコール化合物を含む、<1>〜<4>のいずれか1つに記載のプライマ層形成用組成物。
<6>上記重合性化合物中のアルキレンオキシド鎖の割合が30質量%以下である、<1>〜<5>のいずれか1つに記載のプライマ層形成用組成物;但し、アルキレンオキシド鎖の割合とは、(重合性化合物中のアルキレンオキシド鎖の式量)/(重合性化合物の分子量)×100で算出される値である。
<7><1>〜<6>のいずれか1つに記載のプライマ層形成用組成物と、重合性化合物を含むインプリント用硬化性組成物と
を有するキット。
<8>上記インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物のうち、23℃における表面張力が最も小さい重合性化合物が、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物の少なくとも一種よりも、23℃における表面張力が小さい、<7>に記載のキット。
<9>上記インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物のうち、23℃における表面張力が最も小さい重合性化合物が、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物のいずれよりも、23℃における表面張力が小さい、<7>に記載のキット。
<10>上記インプリント用硬化性組成物における溶剤の含有量が上記組成物の5質量%以下である、<7>〜<9>のいずれか1つに記載のキット。
<11><1>〜<6>のいずれか1つに記載のプライマ層形成用組成物から形成されるプライマ層。
<12>上記プライマ層の厚さが5〜20nmである、<11>に記載のプライマ層。
<13><1>〜<6>のいずれか1つに記載のプライマ層形成用組成物から形成されるプライマ層と、上記プライマ層の表面に位置する、重合性化合物を含むインプリント用硬化性組成物から形成される層とを有する積層体。
<14>さらに、プライマ層の上記インプリント用硬化性組成物から形成される層が位置する側とは反対側の表面に密着層を有する、<13>に記載の積層体。
本明細書において、「(メタ)アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表す。
本明細書において、「インプリント」は、好ましくは、1nm〜10mmのサイズのパターン転写をいい、より好ましくは、およそ10nm〜100μmのサイズのパターン転写(ナノインプリント)をいう。
本明細書における基(原子団)の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも包含するものである。
本明細書において、「光」には、紫外、近紫外、遠紫外、可視、赤外等の領域の波長の光や、電磁波だけでなく、放射線も含まれる。放射線には、例えばマイクロ波、電子線、極端紫外線(EUV)、X線が含まれる。また248nmエキシマレーザー、193nmエキシマレーザー、172nmエキシマレーザーなどのレーザー光も用いることができる。これらの光は、光学フィルタを通したモノクロ光(単一波長光)を用いてもよいし、複数の波長の異なる光(複合光)でもよい。
本発明における重量平均分子量(Mw)は、特に述べない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)で測定したものをいう。
また、本発明におけるプライマ層は、上記プライマ層の表面にインプリント用硬化性組成物が適用される際に液膜であり、上記インプリント用硬化性組成物と相互に溶解する。インプリント用硬化性組成物が適用される際に液膜とは、インプリント用硬化性組成物が適用される際のプライマ層が液膜であることをいう。また、プライマ層が、インプリント用硬化性組成物と相互に溶解するとは、プライマ層形成用組成物の不揮発性成分からなるプライマ層成分とインプリント用硬化性組成物が任意の比率で相溶することをいう。好ましくは、プライマ層成分がインプリント用硬化性組成物に溶け込み、硬化後にパターン積層体の一部として存在する。
すなわち、上記範囲の粘度を有し表面張力が高い液体の重合性化合物をインプリント用硬化性組成物直下に塗布することで、インプリント用硬化性組成物の濡れ性を向上させることができる。さらに、プライマ層形成用組成物の一部がインプリント用硬化性組成物中に溶け込んだ際にも、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物の重合性基と、インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の重合性基が架橋構造を形成する。このため、硬化後のインプリント積層体のパターン強度を維持することができ、パターン倒れ欠陥を抑制することができる。
特に、本発明では、インプリント用硬化性組成物をインクジェット(IJ)塗布等離散的に塗布する場合に好ましく用いられる。
以下、本発明のプライマ層形成用組成物について詳細を説明する。
本発明で用いる重合性化合物は、23℃における粘度が200〜2000mPa・sである。上記粘度は、250mPa・s以上が好ましく、300mPa・s以上がより好ましい。また、上記粘度は、1500mPa・s以下が好ましい。上記粘度が200mPa・sを下回るとプライマ層の塗布膜安定性が低下し、膜厚が不均一となり膜凝集も発生しやすい。上記粘度が2000mPa・sを上回るとインプリント用硬化性組成物の濡れ性を向上させる効果が低減する。
上記重合性化合物は、一分子中に重合性基を1つのみ含んでいてもよいし、2つ以上含んでいてもよく、2〜6つ含むことが好ましく、2〜5つ含むことがより好ましく、2〜4つ含むことがさらに好ましい。重合性化合物が一分子中に2つ以上の重合性基を含む場合、2種以上の重合性基を含んでいてもよいし、同じ種類の重合性基を2つ以上含んでいてもよい。
上記重合性化合物は、アルキレンオキシド(AO)鎖の割合が、30質量%以下であることが好ましく、20質量%以下であることがより好ましく、10質量%以下であることがさらに好ましい。但し、アルキレンオキシド鎖の割合とは、(重合性化合物中のアルキレンオキシド鎖の式量)/(重合性化合物の分子量)×100で算出される値である。アルキレンオキシド(AO)鎖の割合を30質量%以下とすることにより、プライマ層形成用組成物の一部がインプリント用硬化性組成物へ溶解した後、モールドの表面と結合を形成してしまうのを効果的に抑制することができ、インプリント用硬化性組成物の離型性をより向上させることが可能になる。
プライマ層形成用組成物に含まれる、上記重合性化合物は、1種であっても、2種以上であってもよい。2種以上含まれる場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明のプライマ層形成用組成物は、溶剤を含む。溶剤を含むことにより、塗布が可能になる。溶剤は、好ましくは、エステル基、カルボニル基、水酸基およびエーテル基のいずれか1つ以上を有する溶剤である。
好ましい溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、エトキシエチルプロピオネート、シクロヘキサノン、2−ヘプタノン、γ−ブチロラクトン、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、乳酸エチル、4−メチル−2−ペンタノールが挙げられる。これらの中でも、PGMEA、γ−ブチロラクトン、シクロヘキサノン、4−メチル−2−ペンタノールがより好ましく、溶剤として、少なくともPGMEAを含むことがさらに好ましい。
プライマ層形成用組成物における、上記溶剤の含有量は、上記組成物中、98.0質量%以上であり、99.0質量%以上であることが好ましい。また、上記溶剤の含有量は、上記組成物中、99.999質量%以下であることが好ましい。
プライマ層を構成する成分および溶剤は、プライマ層形成用組成物に、それぞれ1種のみ含まれていてもよいし、2種以上含まれていてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明のプライマ層形成用組成物は、非重合性アルキレングリコール化合物を含んでいてもよい。特に、上述の通り、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物は、アルキレンオキシド(AO)鎖の割合が、重合性化合物中のアルキレンオキシド鎖の割合が30質量%以下であることが好ましいが、重合性化合物とは別に非重合性アルキレングリコール化合物を配合すると、インプリント用硬化性組成物の濡れをさらに促進する傾向にある。特に、IJ液滴の濡れ性の観点(高表面張力化)からはアルキレンオキシドがあった方が望ましいが、アルキレンオキシド鎖を多く含む重合性化合物をプライマ層として用いるとレジストに溶解した際の離型力が高くなってしまう傾向にある。本発明では、非重合性アルキレングリコール化合物を配合することによって、上記点を効果的に調整することができる。
非重合性アルキレングリコール化合物の重量平均分子量(Mw)は150〜10000が好ましく、200〜5000がより好ましく、300〜3000がさらに好ましく、300〜1000が一層好ましい。
非重合性アルキレングリコール化合物の23℃における表面張力は、38mN/m以上であることが好ましく、40mN/m以上であることがより好ましい。表面張力の上限は特に定めるものではないが、例えば48mN/m以下である。このような化合物を配合することにより、プライマ層の直上に設けるインプリント用硬化性組成物の濡れ性をより向上させることができる。
非重合性アルキレングリコール化合物は、1種のみ用いてもよいし、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
プライマ層形成用組成物は、23℃における粘度が200〜2000mPa・sである重合性化合物以外の重合性化合物を含んでいてもよい。このような化合物を配合することにより、プライマ層形成用組成物がインプリント用硬化性組成物に溶解し形成された硬化後のインプリント積層体の物性を調整することがより容易になる。
他の重合性化合物が有する重合性基の種類は特に定めるものでは無いが、エチレン性不飽和結合含有基、エポキシ基等が例示され、エチレン性不飽和結合含有基が好ましい。エチレン性不飽和結合含有基としては、(メタ)アクリル基、ビニル基等が例示され、(メタ)アクリル基がより好ましく、アクリル基がさらに好ましい。また、(メタ)アクリル基は、(メタ)アクリロイルオキシ基であることが好ましい。
上記重合性化合物は、一分子中に重合性基を1つのみ含んでいてもよいし、2つ以上含んでいてもよく、2〜6つ含むことが好ましく、2〜5つ含むことがより好ましく、2〜4つ含むことがさらに好ましい。重合性化合物が一分子中に2つ以上の重合性基を含む場合、2種以上の重合性基を含んでいてもよいし、同じ種類の重合性基を2つ以上含んでいてもよい。
このような他の重合性化合物の具体例としては、後述するインプリント用硬化性組成物に配合してもよい重合性化合物(特に、第一の実施形態の単官能重合性化合物の例示化合物の第1群および第2群、第二の実施形態の単官能重合性化合物の例示化合物、多官能重合性化合物の例示化合物の第1群および第2群)、トリメチロールトリピロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート等が例示される。
他の重合性化合物は、1種のみ用いてもよいし、2種以上用いてもよい。2種以上用いる場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
本発明のプライマ層形成用組成物は、重合開始剤を実質的に含まない構成とすることもできる。実質的に含まないとは、プライマ層形成用組成物に含まれる不揮発性成分の全量の1質量%以下であることをいい、さらには、0.1質量%以下であることが好ましい。
また、23℃における粘度が200〜2000mPa・sである重合性化合物以外の不揮発性成分をプライマ層形成用組成物が含む場合、不揮発性成分全体の粘度が23℃において200〜2000mPa・sであることが好ましい。
さらに、本発明のプライマ層形成用組成物は、上記所定の粘度の重合性化合物、上記溶剤、上記非重合性アルキレングリコール化合物、および上記他の重合性化合物以外の成分を実質的に含まないことが好ましい。実質的に含まないとは、他の成分の含有量がプライマ層形成用組成物の不揮発性成分の1質量%以下であることをいう。
本発明のキットは、プライマ層形成用組成物と、重合性化合物を含むインプリント用硬化性組成物を含む。プライマ層形成用組成物は、上述のプライマ層形成用組成物と同義であり、好ましい範囲も同様である。
本発明では、インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物のうち、23℃における表面張力が最も小さい重合性化合物が、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物の少なくとも一種よりも、23℃における表面張力が小さいことが好ましい。さらに、本発明では、上記インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物のうち、23℃における表面張力が最も小さい重合性化合物が、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物のいずれよりも、23℃における表面張力が小さいことが好ましい。上記プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物と上記インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の23℃における表面張力の差は、0.1mN/m以上であることが好ましく、1.0mN/m以上であることがより好ましく、3.0mN/m以上であることがさらに好ましく、4.0mN/m以上であることが一層好ましい。上記表面張力の差の上限値は、例えば、20mN/m以下、15mN/m以下、12mN/m以下とすることができる。
次に、本発明で用いるインプリント用硬化性組成物について説明する。
本発明で用いるインプリント用硬化性組成物は、重合性化合物を含む限り、特に定めるものではなく、公知のインプリント用硬化性組成物を用いることができる。
本発明では、毛細管力を利用し、モールドパターンへの高速充填を可能にするため、インプリント用硬化性組成物の粘度は低く、表面張力は高く設計したほうが好ましい。
具体的には、インプリント用硬化性組成物の23℃における粘度は、20.0mPa・s以下であることが好ましく、15.0mPa・s以下であることがより好ましく、11.0mPa・s以下であることがさらに好ましい。上記粘度の下限値としては、特に限定されるものでは無いが、例えば、5.0mPa・s以上とすることができる。
本発明は、所定のプライマ層を用いることにより、毛細管力が高く、モールドパターンへの充填性はよいものの、密着層との濡れ性が悪い、高表面張力のインプリント用硬化性組成物の濡れ性を改善させることができる点で意義が高い。
インプリント用硬化性組成物の23℃における表面張力は、後述する実施例に記載の方法に従って測定される。
また、本発明で用いるインプリント用硬化性組成物は、ポリマー(好ましくは、重量平均分子量が1000を超える、より好ましくは重量平均分子量が2000を超える、さらに好ましくは重量平均分子量が10,000以上のポリマー)を実質的に含有しない態様とすることもできる。ポリマーを実質的に含有しないとは、例えば、ポリマーの含有量がインプリント用硬化性組成物の0.01質量%以下であることをいい、0.005質量%以下が好ましく、全く含有しないことがより好ましい。
本発明で用いるインプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物は、単官能重合性化合物であっても、多官能重合性化合物であっても、両者の混合物であってもよい。また、インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の少なくとも一部は23℃で液体であることが好ましく、インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の15質量%以上が23℃で液体であることがさらに好ましい。
インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物の23℃における表面張力は、25mN/m以上であることが好ましく、29mN/m以上であることがより好ましい。また、45mN/m以下であることが好ましく、41mN/m以下であることがより好ましい。インプリント用硬化性組成物が2種以上の重合性化合物を含む場合、組成物中の少なくとも1種の重合性化合物が上記表面張力を満たすことが好ましく、組成物中の全重合性化合物の90質量%以上が上記表面張力を満たすことがより好ましい。
インプリント用硬化性組成物に用いる単官能重合性化合物の分子量は、100以上が好ましく、200以上がより好ましく、220以上がさらに好ましい。分子量は、また、1000以下が好ましく、800以下がより好ましく、300以下がさらに好ましく、270以下が特に好ましい。分子量の下限値を100以上とすることで、揮発性を抑制できる傾向がある。分子量の上限値を1000以下とすることで、粘度を低減できる傾向がある。
インプリント用硬化性組成物に用いる単官能重合性化合物の667Paにおける沸点は、85℃以上であることが好ましく、110℃以上がより好ましく、130℃以上がさらに好ましい。667Paにおける沸点を85℃以上とすることで、揮発性を抑制することができる。沸点の上限値については、特に定めるものでは無いが、例えば、667Paにおける沸点を200℃以下とすることができる。
本発明における炭化水素鎖とは、アルキル鎖、アルケニル鎖、アルキニル鎖を表し、アルキル鎖、アルケニル鎖が好ましく、アルキル鎖がより好ましい。
本発明において、アルキル鎖とは、アルキル基およびアルキレン基を表す。同様に、アルケニル鎖とは、アルケニル基およびアルケニレン基を表し、アルキニル鎖とはアルキニル基およびアルキニレン基を表す。これらの中でも、直鎖または分岐のアルキル基、アルケニル基がより好ましく、直鎖または分岐のアルキル基がさらに好ましく、直鎖のアルキル基が一層好ましい。
上記直鎖または分岐の炭化水素鎖(好ましくは、アルキル基)は、炭素数4以上であり、炭素数6以上が好ましく、炭素数8以上がより好ましく、炭素数10以上がさらに好ましく、炭素数12以上が特に好ましい。炭素数の上限値については、特に定めるものではないが、例えば、炭素数25以下とすることができる。
上記直鎖または分岐の炭化水素鎖は、エーテル基(−O−)を含んでいてもよいが、エーテル基を含んでいない方が離型性向上の観点から好ましい。
このような炭化水素鎖を有する単官能重合性化合物を用いることで、比較的少ない添加量で、硬化物(パターン)の弾性率を低減し、離型性が向上する。また、直鎖または分岐のアルキル基を有する単官能重合性化合物を用いると、モールドと硬化物(パターン)の界面エネルギーを低減して、さらに離型性を向上することができる。
インプリント用硬化性組成物に用いる単官能重合性化合物が有する好ましい炭化水素基として、(1)〜(3)を挙げることができる。
(1)炭素数8以上の直鎖アルキル基
(2)炭素数10以上の分岐アルキル基
(3)炭素数5以上の直鎖または分岐のアルキル基が置換した脂環または芳香環
炭素数8以上の直鎖アルキル基は、炭素数10以上のものがより好ましく、炭素数11以上がさらに好ましく、炭素数12以上が特に好ましい。また、炭素数20以下が好ましく、炭素数18以下がより好ましく、炭素数16以下がさらに好ましく、炭素数14以下が特に好ましい。
(2)炭素数10以上の分岐アルキル基
上記炭素数10以上の分岐アルキル基は、炭素数10〜20のものが好ましく、炭素数10〜16がより好ましく、炭素数10〜14がさらに好ましく、炭素数10〜12が特に好ましい。
(3)炭素数5以上の直鎖または分岐のアルキル基が置換した脂環または芳香環
炭素数5以上の直鎖または分岐のアルキル基は、直鎖のアルキレン基がより好ましい。上記アルキル基の炭素数は、6以上がさらに好ましく、7以上が一層好ましく、8以上がより一層好ましい。アルキル基の炭素数は、14以下が好ましく、12以下がより好ましく、10以下がさらに好ましい。
脂環または芳香環の環は、単環であっても縮環であってもよいが、単環であることが好ましい。縮環である場合は、環の数は、2つまたは3つが好ましい。環は、3〜8員環が好ましく、5員環または6員環がより好ましく、6員環がさらに好ましい。また、環は、脂環または芳香環であるが、芳香環であることが好ましい。環の具体例としては、シクロヘキサン環、ノルボルナン環、イソボルナン環、トリシクロデカン環、テトラシクロドデカン環、アダマンタン環、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環が挙げられ、これらの中でもシクロヘキサン環、トリシクロデカン環、アダマンタン環、ベンゼン環がより好ましく、ベンゼン環がさらに好ましい。
第一の実施形態の単官能重合性化合物としては、下記第1群および第2群を例示することができる。しかしながら、本発明がこれらに限定されるものでは無いことは言うまでもない。また、第1群の方が第2群よりもより好ましい。
第1群
重合性化合物一分子中の環状構造の数は、1つであっても、2つ以上であってもよいが、1つまたは2つが好ましく、1つがより好ましい。尚、縮合環の場合は、縮合環を1つの環状構造として考える。
本発明では単官能重合性化合物を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
分子量の下限値については、特に定めるものでは無いが、例えば、200以上とすることができる。
インプリント用硬化性組成物に用いる環含有多官能重合性化合物における環の数は、1つであっても、2つ以上であってもよいが、1つまたは2つが好ましく、1つがより好ましい。尚、縮合環の場合は、縮合環を1つとして考える。
インプリント用硬化性組成物に用いる環含有多官能重合性化合物は、(重合性基)−(単結合または2価の連結基)−(環を有する2価の基)−(単結合または2価の連結基)−(重合性基)で表されることが好ましい。ここで、連結基としては、アルキレン基がより好ましく、炭素数1〜3のアルキレン基がさらに好ましい。
Qにおける脂環または芳香環の好ましい範囲は、上述と同様である。
第1群
インプリント用硬化性組成物に用いる他の多官能重合性化合物としては、特開2014−170949号公報に記載の重合性化合物のうち、環を有さない多官能重合性化合物が例示され、これらの内容は本明細書に含まれる。より具体的には、例えば、下記化合物が例示される。
インプリント用硬化性組成物は、多官能重合性化合物を1種のみ含んでいてもよいし、2種以上含んでいてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
インプリント用硬化性組成物には、重合性化合物以外の添加剤を配合してもよい。他の添加剤としては、光重合開始剤が挙げられる。さらに、増感剤、離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、重合禁止剤、溶剤等を含んでいてもよい。具体例としては、後述する実施例で記載の各成分が例示される。
また、光重合開始剤、増感剤、離型剤、酸化防止剤、重合禁止剤、溶剤等については、特開2013−036027号公報、特開2014−090133号公報、特開2013−189537号公報に記載の各成分を用いることができる。含有量等についても、上記公報の記載を参酌できる。
本発明で用いることができるインプリント用硬化性組成物の具体例としては、後述する実施例に記載の組成物、特開2013−036027号公報、特開2014−090133号公報、特開2013−189537号公報に記載の組成物が例示され、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、インプリント用硬化性組成物の調製、膜(パターン形成層)の形成方法についても、上記公報の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
本発明の積層体は、上記プライマ層形成用組成物から形成されるプライマ層と、上記プライマ層の表面に位置する、重合性化合物を含むインプリント用硬化性組成物から形成される層とを有する積層体である。上記積層体は、さらに、プライマ層の上記インプリント用硬化性組成物から形成される層が位置する側とは反対側の表面に密着層を有することが好ましい。プライマ層形成用組成物およびインプリント用硬化性組成物の詳細は、上述のとおりであり、好ましい範囲も同様である。
本発明では、基板表面にプライマ層を直接形成してもよいが、基板上に設けられた密着層の表面にプライマ層が形成されることが好ましい。従って、本発明におけるパターン形成方法においては、基板上に密着層を形成する工程を含むことが好ましい。しかしながら、用意された基板上に密着層が予め形成されたものを用いる場合は、本工程は、必ずしも必須ではない。
図1に示す実施形態では、基板11上に密着層12が形成される。図1では、基板11の表面に密着層12が形成されているが、基板11と密着層12の間に他の層が形成されていてもよい。例えば、基板11の表面に表面処理が施されている場合などが考えられる。
密着層形成用組成物としては、密着層を構成する成分と溶剤を含む組成物が好ましい。
密着層を構成する成分としては、樹脂が好ましく、エチレン性不飽和基を含む樹脂がより好ましく、エチレン性不飽和基を側鎖に有するアクリル樹脂がさらに好ましい。密着層を構成する成分としての樹脂の具体例としては、特開2014−24322号公報に記載の段落0017〜0057に記載の樹脂(A)および樹脂(A2)が例示される。樹脂の重量平均分子量は、3,000〜25,000が好ましい。また、密着層を構成する成分は、樹脂以外の添加剤を含んでいてもよい。しかしながら、本発明における密着層を構成する成分は、好ましくは70質量%以上、より好ましくは80質量%以上が樹脂である。
このような構成とすることにより、密着層とプライマ層が水素結合および/またはイオン間相互作用によって、固定される。そのため、プライマ層の塗布均一性を確保し凝集等の面状荒れを抑制することが可能となる。また、密着層を構成する成分がプライマ層やさらにその上層として設けられるインプリント用硬化性組成物や、インプリント用硬化性組成物の硬化物であるパターンに移動してしまうことをより効果的に抑制できる。この結果、パターンとモールドの間の固着力を高くしうる物質が、パターン付近に存在しにくくなり、パターンのモールド離型性を向上させることができる。
尚、密着層を構成する成分とは、密着層に含まれる成分をいう。例えば、上記密着層形成用組成物から溶剤を除いた成分などがこれに該当する。同様に、プライマ層を構成する成分とは、プライマ層に含まれる成分をいう。例えば、前述のプライマ層形成用組成物から溶剤を除いた成分などがこれに該当する。
なお、本発明における加熱としては、プライマ層を形成する際にプライマ層形成用組成物に含まれる溶剤を乾燥させるための加熱やインプリント用硬化性組成物への光照射の際にインプリント用硬化性組成物の反応性を高めるための加熱等が例示される。加熱温度としては、例えば、50〜200℃であり、80〜150℃が好ましい。
また、本発明で用いる密着層形成用組成物は、密着層を構成する成分を0.001〜2.0質量%と、溶剤を98.0〜99.999質量%含むことが好ましく、密着層を構成する成分を0.05〜0.5質量%と、溶剤を99.95〜99.5質量%含むことがより好ましい。
密着層を構成する成分および溶剤は、密着層形成用組成物に、それぞれ1種のみ含まれていてもよいし、2種以上含まれていてもよい。2種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
密着層形成用組成物の具体例としては、特開2014−24322号公報に記載のエチレン性不飽和基(P)およびノニオン性親水性基(Q)を有する重量平均分子量1,000以上の(メタ)アクリル樹脂(A)と溶剤(B)を含み、上記樹脂(A)の酸価が1.0ミリモル/g未満である、インプリント用下層膜形成組成物が挙げられ、特開2014−24322号公報の内容は本明細書に組み込まれる。
その他、密着層形成用組成物の調製および上記密着層形成用組成物を用いた密着層の形成方法等についても、特開2014−24322号公報の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
本発明では、密着層12の表面に、プライマ層13が形成されることが好ましい。このようなプライマ層を形成することにより、インプリント用硬化性組成物の基板上への充填性をより向上させることができる。
密着層の形成に際し、溶剤を含む密着層形成用組成物を用いる場合、プライマ層は、密着層形成用組成物から溶剤を揮発(乾燥)させてから、および/または、密着層を硬化させてから、プライマ層形成用組成物を適用することが好ましい。このような手順とすることにより、密着層形成用組成物に含まれる溶剤にプライマ層を構成する成分が溶解し、密着層とプライマ層が混じり合うことを効果的に抑制できる。
その他、プライマ層形成用組成物の調製および上記プライマ層形成用組成物から形成されるプライマ層の形成方法等については、密着層形成用組成物の調製、密着層の形成方法と同様に行うことができる。
本発明では、また、上述のとおり、プライマ層を構成する成分の少なくとも1種が、密着層を構成する成分と、水素結合およびイオン間相互作用の少なくとも1つを形成しうる官能基を有することが好ましい。上記プライマ層を構成する成分が有していてもよい官能基としては、ヒドロキシル基、アミノ基、カルボニル基、カルボキシル基等が挙げられ、ヒドロキシル基が好ましい。
このような構成とすることにより、インプリント用硬化性組成物のプライマ層表面への濡れ性を向上させることが可能になる。
上記インプリント用硬化性組成物とプライマ層形成用組成物の好ましい関係は、上述のキットのところで述べた事項と同様である。
本発明では、図1に示すように、プライマ層13の表面にインプリント用硬化性組成物14を適用する工程を含む。インプリント用硬化性組成物の適用方法としては、特に定めるものでは無く、特開2010−109092号公報(対応US出願の公開番号は、US2011/199592)の段落0102の記載を参酌できこの内容は本明細書に組み込まれる。上記適用は、インクジェット法で行うことが好ましい。また、インプリント用硬化性組成物を、多重塗布により塗布してもよい。インクジェット法などによりプライマ層の表面に液滴を配置する方法において、液滴の量は1〜20pL程度が好ましく、液滴間隔をあけてプライマ層表面に配置することが好ましい。液滴間隔としては、10〜1000μmの間隔が好ましい。液滴間隔は、インクジェット法の場合は、インクジェットのノズルの配置間隔とする。
さらに、プライマ層13と、基板上に適用したときの、層状のインプリント用硬化性組成物14の体積比は、1:1〜500であることが好ましく、1:10〜300であることがより好ましく、1:50〜200であることがさらに好ましい。
本発明で実施されるパターン形成方法では、さらに、インプリント用硬化性組成物とプライマ層と密着層を、基板とパターンを有するモールドとの間に挟んだ状態で光照射し、インプリント用硬化性組成物を硬化する工程、および、モールドを剥離する工程を含むことが好ましい。このような工程を経ることにより、例えば、図1に示すように、パターン15が得られる。
具体的には、層状のインプリント用硬化性組成物に所望のパターンを転写するために、層状のインプリント用硬化性組成物の表面にモールドを押接する。これにより、モールドの押圧表面に予め形成された微細なパターンを層状のインプリント用硬化性組成物に転写することができる。
本発明で用いることのできるモールドは、転写されるべきパターンを有するモールドである。上記モールド上のパターンは、例えば、フォトリソグラフィや電子線描画法等によって、所望する加工精度に応じてパターンが形成できるが、本発明では、モールドパターン形成方法は特に制限されない。また、上記パターン形成方法によって形成したパターンをモールドとして用いることもできる。
本発明において用いられる光透過性モールドを構成する材料は、特に限定されないが、ガラス、石英、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、ポリカーボネート樹脂などの光透過性樹脂、透明金属蒸着膜、ポリジメチルシロキサンなどの柔軟膜、光硬化膜、金属膜等が例示される。
本発明において光透過性の基板を用いた場合に使われる非光透過型モールド材としては、特に限定されないが、所定の強度を有するものであればよい。具体的には、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ni、Cu、Cr、Feなどの金属基板、SiC、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの基板などが例示され、特に制約されない。
また、本発明に適用されるインプリントリソグラフィにおいては、光照射の際の基板温度は、通常、室温で行われるが、反応性を高めるために加熱をしながら光照射してもよい。光照射の前段階として、真空状態にしておくと、気泡混入防止、酸素混入による反応性低下の抑制、モールドとインプリント用硬化性組成物との密着性向上に効果があるため、真空状態で光照射してもよい。また、上記パターン形成方法中、光照射時における好ましい真空度は、10-1Paから常圧の範囲である。
露光に際しては、露光照度を1mW/cm2〜500mW/cm2の範囲にすることが望ましい。
上記パターン形成方法においては、光照射により層状のインプリント用硬化性組成物(パターン形成層)を硬化させた後、必要に応じて、硬化させたパターンに熱を加えてさらに硬化させる工程を含んでいてもよい。光照射後にインプリント用硬化性組成物を加熱硬化させるための温度としては、150〜280℃が好ましく、200〜250℃がより好ましい。また、熱を付与する時間としては、5〜60分間が好ましく、15〜45分間がさらに好ましい。
上述のように上記パターン形成方法によって形成されたパターンは、液晶表示装置(LCD)などに用いられる永久膜や、半導体素子製造用のエッチングレジスト(リソグラフィ用マスク)として使用することができる。
また、上記パターン形成方法によって形成されたパターンを利用して液晶表示装置のガラス基板にグリッドパターンを形成し、反射や吸収が少なく、大画面サイズ(例えば55インチ、60インチ超)の偏光板を安価に製造することが可能である。例えば、特開2015−132825号公報やWO2011/132649号に記載の偏光板が製造できる。なお、1インチは25.4mmである。
本発明で形成されたパターンは、具体的には、磁気ディスク等の記録媒体、固体撮像素子等の受光素子、LED(light emitting diode)や有機EL(有機エレクトロルミネッセンス)等の発光素子、液晶表示装置(LCD)等の光デバイス、回折格子、レリーフホログラム、光導波路、光学フィルタ、マイクロレンズアレイ等の光学部品、薄膜トランジスタ、有機トランジスタ、カラーフィルタ、反射防止膜、偏光板、偏光素子、光学フィルム、柱材等のフラットパネルディスプレイ用部材、ナノバイオデバイス、免疫分析チップ、デオキシリボ核酸(DNA)分離チップ、マイクロリアクター、フォトニック液晶、ブロックコポリマーの自己組織化を用いた微細パターン形成(directed self−assembly、DSA)のためのガイドパターン等の作製に好ましく用いることができる。
その後、ウェットエッチングの場合にはフッ化水素等、ドライエッチングの場合にはCF4等のエッチングガスを用いてエッチングすることにより、基板上に所望のパターンを形成することができる。パターンは、特にドライエッチングに対するエッチング耐性が良好である。すなわち、上記パターン形成方法によって形成されたパターンは、リソグラフィ用マスクとして好ましく用いられる。
表1〜3における各成分の割合は、質量比である。
下記表1または2に記載のとおり、各成分を配合し、孔径0.1μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)フィルタでろ過して、実施例1〜11および比較例1〜9に示すプライマ層形成用組成物を調製した。
下記表3に記載のとおり、各成分を混合し、さらに重合禁止剤として4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシルフリーラジカル(東京化成社製)を重合性化合物の合計量に対して200質量ppm(0.02質量%)となるように加えて調製した。これを孔径0.1μmのPTFEフィルタでろ過して、インプリント用硬化性組成物V−1〜V−5を調製した。
シリコンウェハ上に、特開2014−24322号公報の実施例6に示す密着層形成用組成物をスピンコートし、220℃のホットプレートを用いて1分間加熱し、厚さ5nmの密着層を形成した。次いで、密着層の表面に、プライマ層形成用組成物をスピンコートし、100℃のホットプレートを用いて1分間加熱し、下記表1または表2に記載の厚さのプライマ層を形成した。
上記で得られたプライマ層について、任意の5点を測定し平均値を求めた。
さらにプライマ層を形成したシリコンウェハを23℃にて24時間静置し再度膜厚を測定した。静置前後の膜厚差(ΔFT)を確認し、以下の通り評価した。
A:ΔFT≦0.3nm
B:0.3nm<ΔFT≦1.0nm
C:ΔFT>1.0nm
D:測定不可(24時間後に凝集し薄膜となっていないなど。)
各化合物の表面張力は、協和界面科学(株)製、表面張力計 SURFACE TENS−IOMETER CBVP−A3を用い、ガラスプレートを用いて23±0.2℃で行った。単位は、mN/mで示した。
粘度は、東機産業(株)製のE型回転粘度計RE85L、標準コーン・ロータ(1°34’×R24)を用い、回転数を50rpmに設定し、サンプルカップを23±0.2℃に温度調節して測定した。単位は、mPa・sで示した。
上記で得られたプライマ層の表面に、表3に示すインプリント用硬化性組成物であって、23℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物を、富士フイルムダイマティックス社製インクジェットプリンターDMP−2831を用いて、ノズルあたり6pLの液滴量で吐出して、密着層の表面に液滴が約880μm間隔の正方配列となるように塗布した。塗布後、3秒後の液滴形状を撮影し、液滴直径を測定した。
A:IJ液滴の平均直径>350μm
B:250μm<IJ液滴の平均直径≦350μm
C:IJ液滴の平均直径≦250μm
上記で得られたプライマ層の表面に、23℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物V−1〜V−5のいずれかを、富士フイルムダイマティックス社製インクジェットプリンターDMP−2831を用いて、ノズルあたり6pLの液滴量で吐出して、上記プライマ層上に液滴が約100μm間隔の正方配列となるように塗布し、パターン形成層とした。次に、パターン形成層に、石英モールド(線幅20nm、深さ50nmのラインパターン)をHe雰囲気下(置換率90%以上)で押接し、インプリント用硬化性組成物をモールドに充填した。押圧後10秒が経過した時点で、モールド側から高圧水銀ランプを用い、300mJ/cm2の条件で露光した後、モールドを剥離することでパターン形成層にパターンを転写させた。剥離時に必要な離型力を、ロードセルを用いて測定した。
A:離型力≦15N
B:15N<離型力≦20N
C:20N<離型力≦25N
D:離型力>25N
上記で得られたプライマ層の表面に、23℃に温度調整したインプリント用硬化性組成物を、富士フイルムダイマティックス社製、インクジェットプリンターDMP−2831を用いて、ノズルあたり6pLの液滴量で吐出して、上記プライマ層の表面に液滴が約100μm間隔の正方配列となるように塗布し、インプリント用硬化性組成物を層状にした。次に、層状のインプリント用硬化性組成物に、石英基板(パターンなし)をヘリウム雰囲気下(置換率90体積%以上)で押接した。押圧後10秒が経過した時点で、モールド側から高圧水銀ランプを用い、300mJ/cm2の条件で露光した後、モールドを剥離することでインプリント用硬化性組成物の薄膜(膜厚約300nm)を得た。
上記サンプルをエッチング装置(APPLIED MATERIALS社製 Centura−DPS)に導入し、下記条件にてエッチングを行った。
エッチング後の薄膜の表面状態を非接触型干渉顕微鏡にて観察した。
A:膜厚ムラがなく、全面が均一にエッチングされていた。
B:一部領域のIJ液滴境界が過剰にエッチングされ、膜厚ムラが発生していた。
C:全面に渡って、IJ液滴境界が過剰にエッチングされ、膜厚ムラが発生していた。
エッチングガス:CHF3/CF4/O2/Ar混合ガス
エッチング時の基板温度:20℃
エッチングレート:80nm/分
より具体的には、本発明のプライマ層形成用組成物を用いた場合、膜厚安定性に優れたプライマ層が形成でき、かつ、IJ液滴の濡れ性に優れるものであった。さらに、プライマ層の上層に形成したパターンの離型力を小さくすることができ、かつ、エッチング加工耐性に優れたものとすることが可能になった。
特に、プライマ層形成用組成物が芳香環を含む重合性化合物を含む場合、加工耐性により優れることが分かった。
一方、重合性化合物を配合しない場合や、重合性化合物を配合しても含有量が少ない場合(比較例1、比較例9)。エッチング加工耐性が劣っていた。
また、粘度が200〜2000mPa・sの範囲外である重合性化合物を配合した場合(比較例2〜9)、安定したプライマ層が形成できなかったり(比較例3、比較例5、比較例8)、IJ液滴の濡れ性に劣ったり(比較例2、比較例6、比較例7)、パターンの離型力が大きくなってしまった(比較例4)。
12 密着層
13 プライマ層
14 インプリント用硬化性組成物
15 パターン
21 密着層
22 インプリント用硬化性組成物
Claims (14)
- 23℃における粘度が200〜2000mPa・sである重合性化合物および溶剤を含み、かつ、プライマ層を形成するためのプライマ層形成用組成物であって、
前記重合性化合物の含有量が、前記組成物に含まれる不揮発性成分中、30質量%以上であり、かつ、
前記溶剤の含有量が、前記組成物中、98.0質量%以上であり、
前記プライマ層は、前記プライマ層の表面にインプリント用硬化性組成物が適用される際に液膜であり、前記インプリント用硬化性組成物と相互に溶解する、プライマ層形成用組成物。 - 前記重合性化合物の23℃における表面張力が38mN/m以上である、請求項1に記載のプライマ層形成用組成物。
- 前記重合性化合物が芳香環を含む、請求項1または2に記載のプライマ層形成用組成物。
- 前記重合性化合物が芳香環を一分子中に2つ以上含む、請求項1または2に記載のプライマ層形成用組成物。
- さらに、非重合性アルキレングリコール化合物を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載のプライマ層形成用組成物。
- 前記重合性化合物中のアルキレンオキシド鎖の割合が30質量%以下である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のプライマ層形成用組成物;但し、アルキレンオキシド鎖の割合とは、(重合性化合物中のアルキレンオキシド鎖の式量)/(重合性化合物の分子量)×100で算出される値である。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のプライマ層形成用組成物と、
重合性化合物を含むインプリント用硬化性組成物と
を有するキット。 - 前記インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物のうち、23℃における表面張力が最も小さい重合性化合物が、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物の少なくとも一種よりも、23℃における表面張力が小さい、請求項7に記載のキット。
- 前記インプリント用硬化性組成物に含まれる重合性化合物のうち、23℃における表面張力が最も小さい重合性化合物が、プライマ層形成用組成物に含まれる重合性化合物のいずれよりも、23℃における表面張力が小さい、請求項7に記載のキット。
- 前記インプリント用硬化性組成物における溶剤の含有量が前記組成物の5質量%以下である、請求項7〜9のいずれか1項に記載のキット。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のプライマ層形成用組成物から形成されるプライマ層。
- 前記プライマ層の厚さが5〜20nmである、請求項11に記載のプライマ層。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のプライマ層形成用組成物から形成されるプライマ層と、前記プライマ層の表面に位置する、重合性化合物を含むインプリント用硬化性組成物から形成される層とを有する積層体。
- さらに、プライマ層の前記インプリント用硬化性組成物から形成される層が位置する側とは反対側の表面に密着層を有する、請求項13に記載の積層体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Citations (11)
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---|---|---|---|---|
JP2009503139A (ja) * | 2005-07-22 | 2009-01-29 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 材料を相互に接着するための方法及び組成物 |
JP2011508680A (ja) * | 2007-12-04 | 2011-03-17 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 極薄ポリマー接着層 |
WO2013154075A1 (ja) * | 2012-04-09 | 2013-10-17 | 旭硝子株式会社 | 微細パターンを表面に有する物品の製造方法 |
JP2014024322A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-02-06 | Fujifilm Corp | インプリント用下層膜形成組成物およびパターン形成方法 |
JP2014192178A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Fujifilm Corp | インプリント用下層膜形成組成物およびパターン形成方法 |
JP2015511400A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-04-16 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 捕捉される気泡を低減するための表面張力制御方法 |
JP2016028419A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-25 | キヤノン株式会社 | 密着層組成物、ナノインプリントによる膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子機器の製造方法 |
JP2016058663A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 感光性組成物、インプリント方法および層間層 |
JP2016115921A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | キヤノン株式会社 | 密着層形成組成物、密着層の製造方法、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびデバイス部品 |
JP2016146468A (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-12 | キヤノン株式会社 | 密着層形成組成物、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびデバイス部品 |
JP2017152705A (ja) * | 2015-09-08 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | ナノインプリントリソグラフィーにおける充填時間を短縮するための基板の前処理 |
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Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009503139A (ja) * | 2005-07-22 | 2009-01-29 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 材料を相互に接着するための方法及び組成物 |
JP2011508680A (ja) * | 2007-12-04 | 2011-03-17 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 極薄ポリマー接着層 |
JP2015511400A (ja) * | 2012-01-31 | 2015-04-16 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | 捕捉される気泡を低減するための表面張力制御方法 |
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JP2016028419A (ja) * | 2014-07-08 | 2016-02-25 | キヤノン株式会社 | 密着層組成物、ナノインプリントによる膜の製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、および電子機器の製造方法 |
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