TWI738977B - 壓印用密接膜形成用組成物、密接膜、積層體、硬化物圖案之製造方法及電路基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種密接性及潤濕性優異之壓印用密接膜形成用組成物、密接膜、積層體、硬化物圖案之製造方法及電路基板之製造方法。該壓印用密接膜形成用組成物包含具有聚合性基之樹脂及溶劑，上述樹脂具有至少一種來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元，在25℃下的上述樹脂對水的溶解度係1質量%以上，其中，ClogP值係指表示有機化合物相對於水和1-辛醇之親和性之係數。

Description

壓印用密接膜形成用組成物、密接膜、積層體、硬化物圖案之製造方法及電路基板之製造方法

本發明關於一種壓印用密接膜形成用組成物、密接膜、積層體、硬化物圖案之製造方法及電路基板之製造方法。

壓印法係如下技術，亦即，將發展了在光碟製作中周知之壓花技術而形成凹凸圖案之模具原器（通常稱為模具、壓模及模板）壓製成阻劑而使其力學變形而精密地轉印為細微圖案。一旦製作模具，藉由該技術能夠簡單地反覆成形奈米結構等細微結構而經濟的同時，有害的廢棄/排出物少，因此近年來期待在各種領域中有所應用。

壓印法係通過透光性模具或透光性基板進行光照射而使硬化性組成物光硬化之後，藉由剝離模具而將細微圖案轉印到光硬化物者。該方法能夠進行在室溫下的壓印，因此能夠應用於半導體積體電路的製作等超微細圖案的精密加工領域。最近，亦報道了組合了該兩者的長處之奈米鑄造（nanocasting）法和製作三維積層結構之反轉壓印（reversal imprint）法等新的展開。

該等壓印法中，係用於將所形成之圖案作為遮罩，藉由蝕刻等方法加工基板之用途者。該等技術中藉由高精度的位置對準及高積體化，代替習知之微影技術能夠用於高密度半導體積體電路的製作或液晶顯示器的晶體管的製作、稱為圖案媒體之下一代硬碟的磁性體加工等。近年來，與該等應用有關之壓印法的實用化的研究變得活躍。

另一方面，隨著壓印法的活躍，基板與壓印用硬化性組成物之間的密接性逐漸成為問題。亦即，壓印法在基板的表面塗佈壓印用硬化性組成物，以使模具與該表面接觸之狀態進行光照射而使壓印用硬化性組成物硬化之後，剝離模具，但在剝離該模具之步驟中，有時硬化物從基板剝落而附著於模具。認為這是由於，基板與硬化物之間的密接性低於模具與硬化物之間的密接性。為了解決該等問題，正在研究使用提高基板與硬化物之間的密接性之壓印用密接組成物之壓印用密接膜的利用（專利文獻1、專利文獻2）。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2014-24322號公報、 [專利文獻2]日本特表2011-508680號公表

近年來，壓印用密接膜中，不僅要求基板與硬化物（硬化物圖案）之間的密接性，亦要求設置於密接膜的表面之壓印用硬化性組成物的填充性。 尤其，當藉由噴墨（IJ）法應用壓印用硬化性組成物時，如圖2所示，例如若在密接膜21的表面以等間隔滴加壓印用硬化性組成物22的液滴，則上述液滴在密接膜21上擴展而成為層狀的壓印用硬化性組成物22。但是，若壓印用硬化性組成物的潤濕性較低，則壓印用硬化性組成物在密接膜21上無法擴展，有時在密接膜21上殘留未被填充壓印用硬化性組成物22之部分。亦即，要求改善壓印用硬化性組成物在密接膜21上之潤濕性。 本發明的目的在於解決該等課題，且其目的在於提供一種密接性及潤濕性優異之壓印用密接膜形成用組成物、密接膜、積層體、硬化物圖案之製造方法及電路基板之製造方法。

基於上述課題發現，藉由將具有聚合性基與親水性較高之基團之樹脂用於壓印用密接膜形成用組成物能夠解決上述課題。具體而言，藉由下述方法＜1＞（藉由＜2＞～＜19＞為較佳），上述課題得到了解決。 ＜1＞一種壓印用密接膜形成用組成物，其包含具有聚合性基之樹脂及溶劑，上述樹脂具有至少一種來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元，在25℃下的上述樹脂對水的溶解度係1質量%以上，其中，ClogP值係指表示有機化合物相對於水和1-辛醇之親和性之係數。 ＜2＞如＜1＞所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述壓印用密接膜形成用組成物中以85.0～99.9質量%的比例含有上述溶劑。 ＜3＞如＜1＞或＜2＞所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述聚合性基係（甲基）丙烯酸基。 ＜4＞如＜1＞～＜3＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述聚合性化合物包含-伸烷基-氧原子-結構。 ＜5＞如＜1＞～＜4＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述聚合性化合物包含陰離子結構及陽離子結構中的至少一種。 ＜6＞如＜1＞～＜5＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述聚合性化合物包含胺基結構。 ＜7＞如＜1＞～＜6＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述壓印用密接膜形成用組成物包含非聚合性的烷二醇化合物。 ＜8＞如＜1＞～＜7＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述溶劑包含水。 ＜9＞如＜1＞～＜8＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述溶劑包含有機溶劑。 ＜10＞如＜1＞～＜9＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中上述樹脂係（甲基）丙烯酸樹脂。 ＜11＞如＜1＞～＜10＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其還包括：具有聚合性基且不具有來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元之樹脂；及不具有聚合性基且具有來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元之樹脂中的至少一種。 ＜12＞一種密接膜，其由＜1＞～＜11＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物形成。 ＜13＞如＜12＞所述之密接膜，其中上述密接膜的臨界表面張力係45mN/m以上。 ＜14＞一種積層體，其具有基板及位於上述基板的表面上之密接膜，上述密接膜係＜12＞或＜13＞所述之密接膜。 ＜15＞如＜14＞所述之積層體，其中上述密接膜與上述基板進行基於選自包括共價鍵、離子鍵及氫鍵之群組中的至少一種之相互作用。 ＜16＞如＜14＞或＜15＞所述之積層體，其中還在上述密接膜的表面，以上述基板、上述密接膜、由壓印用硬化性組成物形成之層的順序具有上述由壓印用硬化性組成物形成之層。 ＜17＞如＜14＞或＜15＞所述之積層體，其中還在上述密接膜的表面，以上述基板、上述密接膜、硬化物圖案的順序具有由壓印用硬化性組成物形成之上述硬化物圖案。 ＜18＞一種硬化物圖案之製造方法，其具有：密接膜形成步驟，在基板上應用＜1＞～＜11＞中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物而形成密接膜；應用步驟，在上述密接膜的表面應用壓印用硬化性組成物；模具接觸步驟，使上述壓印用硬化性組成物與具有用於轉印圖案形狀之圖案之模具接觸；光照射步驟，向上述壓印用硬化性組成物照射光而作為硬化物；及脫模步驟，分離上述硬化物與上述模具。 ＜19＞一種電路基板之製造方法，其包含藉由＜18＞所述之製造方法獲得硬化物圖案之步驟。 [發明效果]

藉由本發明，能夠提供一種基板與硬化物（硬化物圖案）的密接性及壓印用硬化性組成物的潤濕性優異之密接膜之壓印用密接膜形成用組成物，以及能夠提供一種密接膜、積層體、硬化物圖案之製造方法及電路基板之製造方法。

以下，對本發明的內容進行詳細說明。另外，本說明書中，“～”係以將其前後所記載之數值作為下限值及上限值而包含之含義來使用。 本說明書中，“（甲基）丙烯酸酯”表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。 本說明書中，“壓印”為較佳指1nm～10mm尺寸的圖案轉印，為更佳指大致10nm～100μm尺寸的圖案轉印（奈米壓印）。 本說明書中之基（原子團）的標記中，未記載有經取代及未經取代之標記包含不具有取代基者，並且還包含具有取代基者。例如，“烷基”不僅包含不具有取代基之烷基（未經取代之烷基），還包含具有取代基之烷基（經取代之烷基）。 本說明書中，“光”中不僅包含紫外、近紫外、遠紫外、可見、紅外等區域的波長的光和電磁波，而且還包含放射線。放射線中例如包含微波、電子束、極端紫外線（EUV）、X射線。又，亦能夠使用248nm準分子雷射、193nm準分子雷射、172nm準分子雷射等雷射。該等光可以使用透過了濾光器之單色光（單一波長光），亦可以係複數個波長不同之光（複合光）。 本發明中之重量平均分子量（Mw）只要沒有特別敘述，則指利用凝膠滲透層析（GPC）測定者。

本發明的壓印用密接膜形成用組成物（以下，有時簡稱為“密接膜形成用組成物”）的特徵為，包含具有聚合性基之樹脂及溶劑，上述樹脂具有至少一種來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元，在25℃下的上述樹脂對水的溶解度係1質量%以上。其中，ClogP值係指表示有機化合物相對於水和1-辛醇之親和性之係數。 藉由設為該等結構，能夠實現基板與藉由壓印用硬化性組成物形成之硬化物之間的密接性的同時，能夠提高應用於密接膜表面之壓印用硬化性組成物的潤濕性。其原因在於，藉由樹脂具有聚合性基，密接膜的強度提高，不僅其膜薄，且在模具脫模時不會被破壞而能夠維持基板與硬化物的密接性。進而可推測，藉由使用包含來自於ClogP值係0以下之聚合性化合物之重複單元之樹脂，能夠提高壓印用硬化性組成物相對於密接膜的潤濕性。結果即使不存在如底漆層那樣的層，亦能夠實現密接性及潤濕性。 以下，對本發明進行詳細說明。

＜樹脂＞ 本發明的密接膜形成用組成物包含具有聚合性基且具有至少一種來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元之樹脂（以下，有時稱為“樹脂A”）。樹脂A可以包含來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物且包含聚合性基之重複單元（重複單元a），亦可以包含未來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物且具有聚合性基之重複單元（重複單元b）及不具有聚合性基且來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元（重複單元c）。另外，亦可以包含上述重複單元a、重複單元b、重複單元c全部。 樹脂A可以僅包含重複單元a、重複單元b、重複單元c中的一種，亦可以包含兩種以上。 更具體而言，樹脂A係以下的樹脂為較佳。 （1）重複單元a佔總重複單元的90莫耳%以上之樹脂 （2）重複單元b與重複單元c的總計佔總重複單元的90莫耳%以上之樹脂 （3）重複單元a、重複單元b、重複單元c的總計佔總重複單元的90莫耳%以上之樹脂

上述樹脂A在25℃下的上述樹脂對水的溶解度係1質量%以上，5質量%以上為較佳，10質量%以上為更佳。上述溶解度的上限值並無特別限定，但是例如可以為90質量%以下。藉由將溶解度設為1質量%以上，存在臨界表面張力變大，潤濕性提高之傾向。 樹脂A係主鏈藉由碳-碳鍵而形成之樹脂為較佳，（甲基）丙烯酸樹脂為更佳。

＜＜聚合性基＞＞ 作為本發明中所使用之聚合性基，可例示乙烯性不飽和基，乙烯性不飽和基為較佳。作為乙烯性不飽和基的具體例，可舉出（甲基）丙烯酸基（（甲基）丙烯醯氧基、（甲基）丙烯醯基胺基）、順丁烯二醯亞胺基、烯丙基、乙烯醚基及乙烯基，（甲基）丙烯酸基為較佳，（甲基）丙烯醯氧基為更佳。本發明的樹脂可以在主鏈的末端包含聚合性基，但是包含在重複單元內為較佳。作為包含聚合性基之重複單元，可以是後述的來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元，亦可以是其他重複單元。 包含聚合性基之重複單元以10～90莫耳%的比例包含在構成樹脂A中之總重複單元為較佳，以20～70莫耳%的比例包含為更佳，以30～50莫耳%的比例包含為進一步較佳。 包含在樹脂A中之聚合性基可以是一種，亦可以是兩種以上。在兩種以上的情況下，總計量成為上述範圍為較佳。 又，1個重複單元內亦可以包含2個以上的聚合性基。

＜＜ClogP值係0以下的聚合性化合物＞＞ 樹脂A包含來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元。來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元以10～90莫耳%的比例包含在構成樹脂A之總重複單元中為較佳，以30～80莫耳%的比例包含為更佳，以50～70莫耳%的比例包含為進一步較佳。 包含在樹脂A中之聚合性基可以是一種，亦可以是兩種以上。在兩種以上的情況下，總計量成為上述範圍為較佳。

“logP值”係指表示有機化合物相對於水和1-辛醇之親和性之係數。作為1-辛醇/水的分配係數之P係微量的化合物作為溶質溶解於1-辛醇與水的二液相的溶劑中時的分配平衡，並且各自溶劑中的化合物的平衡濃度之比，並以10為底的對數logP表示。亦即，“logP值”係1-辛醇/水的分配係數的對數值，並且已知為表示分子的親水性/疏水性之重要的參數。 “ClogP值”係指藉由計算而算出之LogP值。ClogP值能夠藉由片段法或原子接近法等計算。更具體而言，計算ClogP值時，可以使用文獻（C.Hansch及A.Leo、“Substituent Constants for Correlation Analysis in Chemistry and Biology”（John Wiley & Sons, New York, 1969））中所記載之片段法或下述市售的套裝軟體1或2。 套裝軟體1：MedChem Software（Release 3.54,1991年8月､Medicinal Chemistry Project, Pomona College，Claremont，CA） 套裝軟體2：Chem Bio Draw Ultra ver.13.0.2.3021（CambridgeSoft Corporation,USA） 本說明書中所記載之ClogP值的數值設為使用套裝軟體2計算之“ClogP值”。 上述ClogP值係0.0～-15.0為較佳，-1.0～-10為更佳，-2.0～-10為進一步較佳。

上述ClogP值係0以下的聚合性化合物的第一實施形態係包含-伸烷基-氧原子-結構之化合物。 伸烷基係直鏈或支鏈的伸烷基為較佳，直鏈伸烷基為更佳。伸烷基可以具有取代基，亦可以不具有取代基，不具有取代基者為較佳。又，伸烷基係碳數1～6的伸烷基為較佳，亞甲基、伸乙基、伸丙基為更佳，伸乙基為進一步較佳。 由-伸烷基-氧原子-結構構成之重複單元的數n（例如，相當於後述之實施例中的樹脂A-1的n之數）係2～90為較佳，5～90為更佳，8～90為進一步較佳。

上述ClogP值係0以下的聚合性化合物的第二實施形態係包含陰離子結構及陽離子結構中的至少一種之化合物。 作為陰離子結構，可例示磺酸離子、膦酸離子（例如，-O-P（=O）（-O^- ）O-）、羧酸離子及鹵素離子，磺酸離子、膦酸離子及羧酸離子為較佳。又，作為陽離子結構，四級銨離子為較佳。 上述陰離子結構及陽離子結構經由伸烷基鍵結為較佳。具體而言，伸烷基係直鏈或支鏈的伸烷基為較佳，直鏈伸烷基為更佳。構成伸烷基之碳數係2～8為較佳，2～6為更佳，2～4為進一步較佳。伸烷基可以具有取代基，亦可以不具有取代基，不具有取代基者為較佳。 作為上述陰離子結構及陽離子結構經由伸烷基鍵結之化合物的具體例，可例示具有-陰離子結構-伸烷基-陽離子結構且陽離子結構位於化合物的末端之化合物、具有-陽離子結構-伸烷基-陰離子結構且陰離子結構位於化合物的末端之化合物。 又，ClogP值係0以下的聚合性化合物僅包含陰離子結構及陽離子結構中的其中一者，抗衡陽離子或抗衡陰離子可以與ClogP值係0以下的聚合性化合物的陰離子結構或陽離子結構離子鍵，ClogP值係0以下的聚合性化合物亦可以包含陰離子結構及陽離子結構這兩者。

又，ClogP值係0以下的聚合性化合物的第三實施形態係包含胺基結構之化合物。在此的胺基係二級胺基、三級胺基、四級銨離子為較佳。作為胺基結構的具體例，可例示以下的基團。 [化學式1]

上述中，*係與其他部位的鍵結位置。R分別獨立地係氫原子、甲基、乙基，甲基為較佳。

上述又，ClogP值係0以下的聚合性化合物的第四實施形態係包含羥基之形態。

包含ClogP值係0以下之基團之重複單元以10～90莫耳%的比例包含在構成樹脂A中之總重複單元中為較佳，以20～90莫耳%的比例包含為更佳，以50～90莫耳%的比例包含為進一步較佳。 包含在樹脂A中之ClogP值係0以下之基團可以是一種，亦可以是兩種以上。在兩種以上的情況下，總計量成為上述範圍為較佳。 又，1個重複單元中亦可以含有2個以上ClogP值係0以下之基團。

另外，樹脂A包含一種或兩種以上下述式（I）所表示之重複單元、式（II）所表示之重複單元及式（III）所表示之重複單元為較佳。 [化學式2]

式（I）～式（III）中，R分別獨立地表示氫原子、甲基或羥甲基，T分別獨立地表示單鍵、*-C（=O）O-或*-C（=O）NH-，在*側與主鏈鍵結，L分別獨立地表示單鍵或2價的連結基，P分別獨立地表示聚合性基，Q係2價的連結基或1價的取代基；其中，構成上述重複單元之成為原料之聚合性化合物係ClogP值係0以下。

R係氫原子或甲基為較佳。 T表示單鍵、*-C（=O）O-或*-C（=O）NH-，*-C（=O）O-或*-C（=O）NH-為較佳，*-C（=O）O-為更佳。 L表示單鍵或2價的連結基，單鍵、取代或未經取代的烴基（伸烷基及伸芳基為較佳）、-NH-、C（=O）-、-O-、-S-、-C（=O）O-、-C（=O）NH-或該等組合為較佳，具有將單鍵、伸烷基、羥基作為取代基之伸烷基為更佳。構成伸烷基之碳數係1～5為較佳，2～4為更佳。又，伸烷基係直鏈伸烷基為較佳。 P表示聚合性基，乙烯性不飽和基為更佳，（甲基）丙烯酸基為進一步較佳，丙烯酸基為更進一步較佳。

Q中，第一實施形態係包含-伸烷基-氧原子-結構之1價的取代基或2價的連結基。 伸烷基係直鏈或支鏈的伸烷基為較佳，直鏈伸烷基為更佳。伸烷基可以具有取代基，亦可以不具有取代基，不具有取代基者為較佳。又，伸烷基係碳數1～6的伸烷基為較佳，亞甲基、伸乙基、伸丙基為更佳，伸乙基為進一步較佳。 由-伸烷基-氧原子-結構構成之重複單元的數n（例如，相當於後述之實施例中的樹脂A-1的n）係2～90為較佳，8～90為更佳，13～90為進一步較佳。 在Q位於樹脂A的側鏈的末端之情況下，亦即，係1價的取代基之情況下，Q由-（伸烷基-氧原子）_n -氫原子（末端側）表示為較佳。

Q的第二實施形態係包含陰離子結構及陽離子結構中的至少一種之1價的取代基或2價的連結基。 作為陰離子結構，可例示磺酸離子、膦酸離子（例如，-O-P（=O）（-O^- ）O-）、羧酸離子及鹵素離子，磺酸離子、膦酸離子及羧酸離子為較佳。又，作為陽離子結構，四級銨離子為較佳。 上述陰離子結構及陽離子結構經由伸烷基鍵結為較佳。具體而言，伸烷基係直鏈或支鏈的伸烷基為較佳，直鏈伸烷基為更佳。構成伸烷基之碳數係2～8為較佳，2～6為更佳，2～4為進一步較佳。伸烷基可以具有取代基，亦可以不具有取代基，不具有取代基者為較佳。 作為上述陰離子結構及陽離子結構經由伸烷基鍵結之形態的具體例，可例示-陰離子結構-伸烷基-陽離子結構（末端側）、-陽離子結構-伸烷基-陰離子結構（末端側）之態樣。 又，僅包含陰離子結構及陽離子結構中的其中一者，另一個亦可以作為重複單元的抗衡陽離子或抗衡陰離子而離子鍵。

Q的第三實施形態係包含胺基結構之1價的取代基或2價的連結基。在此的胺基係二級胺基、三級胺基、四級銨離子為較佳。作為胺基結構的具體例，可例示以下的基團。 [化學式3]

上述中，*係與其他部位的鍵結位置。R分別獨立地係氫原子、甲基、乙基，甲基為較佳。

Q的第四實施形態係包含羥基之1價的取代基或2價的連結基。

本發明中的樹脂A的第一實施形態係包含式（I）所表示之重複單元及式（II）所表示之重複單元之樹脂。第一實施形態係式（I）所表示之重複單元及式（II）所表示之重複單元的總計佔總重複單元的90莫耳%以上為較佳。第一實施形態中，式（I）所表示之重複單元與式（II）所表示之重複單元的莫耳比係1～99:99～1為較佳。 本發明中的樹脂A的第二實施形態係包含式（I）所表示之重複單元及式（III）所表示之重複單元之樹脂。第二實施形態係式（I）所表示之重複單元及式（III）所表示之重複單元的總計佔總重複單元的90莫耳%以上為較佳。第二實施形態中，式（I）所表示之重複單元與式（III）所表示之重複單元的莫耳比係5～90:95～10為較佳。 本發明中的樹脂A的三實施形態係包含式（II）所表示之重複單元之樹脂。第三實施形態係式（II）所表示之重複單元佔總重複單元的90莫耳%以上為較佳。 上述第一實施形態～第三實施形態中，式（I）～式（III）所表示之重複單元可以分別僅為一種，亦可以是兩種以上。

樹脂A亦可以包含除了上述重複單元a、重複單元b、重複單元c以外的重複單元。具體而言，可例示主鏈上包含-伸烷基-氧原子-結構之重複單元、主鏈上包含陰離子結構與陽離子結構中的至少一種之結構，主鏈上包含-伸烷基-氧原子-結構之重複單元為較佳。上述-伸烷基-氧原子-結構及陰離子結構及陽離子結構的詳細內容，可例示以上述ClogP值係0以下的聚合性化合物的第一實施形態敘述之-伸烷基-氧原子-結構及以上述ClogP值係0以下的聚合性化合物的第二實施形態敘述之陰離子結構及陽離子結構。 包含上述伸烷基-氧原子-結構或除了陰離子結構與陽離子結構中的至少一種之結構以外的主鏈結構，可例示可以具有取代基之伸烷基、羰基、氧原子及該等組合。 在包含除了上述重複單元a、重複單元b、重複單元c以外的重複單元之情況下，其比例以莫耳比係5～20莫耳%為較佳。

又，樹脂A可以包含在末端基包含陰離子結構與陽離子結構中的至少一種之結構，另外，亦可以包含在末端基包含陰離子結構及陽離子結構這兩者之結構。 上述陰離子結構及陽離子結構的詳細內容可例示以上述ClogP值係0以下的聚合性化合物的第二實施形態敘述之陰離子結構及陽離子結構。

作為樹脂A的具體例，可例示後述之實施例中所使用之樹脂A-1～A-26。

樹脂A的重量平均分子量係1,000以上為較佳，3,000以上為更佳，4,500以上為進一步較佳。又，樹脂A的重量平均分子量係200,000以下為較佳，180,000以下為更佳，100,000以下為進一步較佳。

包含在本發明的密接膜形成用組成物中之樹脂A的含量，在包含在上述密接膜形成用組成物中之固體成分中，30質量%以上為較佳，50質量%以上為更佳，70質量%以上為進一步較佳，89質量%以上為更進一步較佳。又，上述樹脂A的含量包含在上述密接膜形成用組成物之固體成分中係100質量%以下。 包含在密接膜形成用組成物中之樹脂A可以是一種，亦可以是兩種以上。在包括兩種以上之情況下，總計量成為上述範圍為較佳。 密接膜形成用組成物亦可以包含除了樹脂A以外的樹脂。在密接膜形成用組成物包含除了樹脂A以外的樹脂之情況下，亦即含量大於組成物中的0質量%之情況下，除了樹脂A以外的樹脂的含量在密接膜形成用組成物所包含之總樹脂中係50質量%以下為較佳，30質量%以下為更佳，20質量%以下為進一步較佳。 又，在密接膜形成用組成物包含除了樹脂A以外的樹脂之情況下，密接膜形成用組成物中，作為除了樹脂A以外的樹脂，包含具有聚合性基且不具有來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元之樹脂及不具有聚合性基且具有來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元之樹脂中的至少一種為較佳。

＜溶劑＞ 本發明的密接膜形成用組成物包含溶劑。溶劑可以是水，可以是有機溶劑，亦可以是水與有機溶劑的混合物。 溶劑係水或具有酯基、羰基、羥基及醚基中的1個以上之溶劑為較佳。

作為溶劑的具體例，可選擇水、丙二醇單烷基醚羧酸酯、丙二醇單烷基醚、乳酸酯、乙酸酯、烷氧基丙酸酯、鏈狀酮、環狀酮、內酯及伸烷基碳酸酯。

作為丙二醇單烷基醚羧酸酯，選自包括丙二醇單甲基醚乙酸酯、丙二醇單甲基醚丙酸酯及丙二醇單乙基醚乙酸酯之群組中之至少1個為較佳，丙二醇單甲基醚乙酸酯尤為佳。

又，作為丙二醇單烷基醚，丙二醇單甲基醚或丙二醇單乙基醚為較佳。 作為乳酸酯，乳酸乙酯、乳酸丁酯或乳酸丙酯為較佳。 作為乙酸酯，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸異丁酯、乙酸丙酯、乙酸異戊酯、甲酸甲酯、甲酸乙酯、甲酸丁酯、甲酸丙酯或乙酸3-甲氧基丁酯為較佳。 丁酸丁酯亦為較佳。 作為烷氧基丙酸酯，3-甲氧基丙酸甲酯（MMP）或3-乙氧基丙酸乙酯（EEP）為較佳。 作為鏈狀酮，1-辛酮、2-辛酮、1-壬酮、2-壬酮、丙酮、4-庚酮、1-己酮、2-己酮、二異丁基酮、苯基丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙醯丙酮、丙酮基丙酮、紫羅蘭酮、二丙酮基醇、乙醯甲醇、苯乙酮、甲基萘基酮或甲基戊基酮為較佳。 作為環狀酮，甲基環己酮、異佛爾酮或環己酮為較佳。 作為內酯，γ-丁內酯為較佳。 作為伸烷基碳酸酯，伸丙基碳酸酯為較佳。

除了上述成分以外，使用碳數7以上（7～14為較佳，7～12為更佳，7～10為進一步較佳），並且雜原子數2以下的酯系溶劑為較佳。

作為碳數7以上且雜原子數2以下的酯系溶劑的較佳的例，可舉出乙酸戊酯、乙酸2-甲基丁酯、乙酸1-甲基丁酯、乙酸己酯、丙酸戊酯、丙酸己酯、丙酸丁酯、異丁酸異丁酯、丙酸庚酯、丁酸丁酯等，使用乙酸異戊酯尤為佳。

又，使用閃點（以下，亦稱為fp）係37℃以上者亦為較佳。作為該等成分（M2），丙二醇單甲基醚（fp：47℃）、乳酸乙酯（fp：53℃）、3-乙氧基丙酸乙酯（fp：49℃）、甲基戊基酮（fp：42℃）、環己酮（fp：44℃）、乙酸戊酯（fp：45℃）、2-羥基異丁酸甲酯（fp：45℃）、γ-丁內酯（fp：101℃）或伸丙基碳酸酯（fp：132℃）為較佳。該等中，丙二醇單乙基醚、乳酸乙酯、乙酸戊酯或環己酮為進一步較佳，丙二醇單乙基醚或乳酸乙酯尤為佳。另外，在此“閃點”係指Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.或Sigma-Aldrich Co.LLC.的試薬產品目錄中所記載之值。

作為為更佳的溶劑，選自包括水、丙二醇單甲基醚乙酸酯（PGMEA）、乙氧基乙基丙酸酯、環己酮、2-庚酮、γ-丁內酯、乙酸丁酯、丙二醇單甲基醚（PGME）、乳酸乙酯及4-甲基-2-戊醇之群組中之至少1個，選自包括PGMEA、PGME及水之群組中之至少1個為進一步較佳。 密接膜形成用組成物中的上述溶劑的含量在上述組成物中係85.0質量%以上為較佳，88.0質量%以上為更佳。又，上述溶劑的含量在上述組成物中係99.9質量%以下為較佳，亦可以是95.0質量%以下。 溶劑在密接膜形成用組成物中可以僅含有一種，亦可以包含兩種以上。在包含兩種以上之情況下，總計量成為上述範圍為較佳。

＜非聚合性的烷二醇化合物＞ 本發明的密接膜形成用組成物可以包含與上述樹脂A不同的非聚合性的烷二醇化合物。從不具有聚合性基之方面而言，在此所指之非聚合性的烷二醇化合物與上述樹脂A進行區別。

非聚合性的烷二醇化合物具有3～1000個烷二醇構成單元為較佳，具有4～500個為更佳，具有5～100個為進一步較佳，具有5～50個為更進一步較佳。 非聚合性的烷二醇化合物的重量平均分子量（Mw）係150～10000為較佳，200～5000為更佳，300～3000為進一步較佳，300～1000為更進一步較佳。 非聚合性的烷二醇化合物可例示聚乙二醇、聚丙二醇、該等單或二甲基醚、單或二辛基醚、單或二壬基醚、單或二癸基醚、單硬脂酸酯、單油酸酯、單己二酸酯、單琥珀酸酯可例示，聚乙二醇、聚丙二醇為較佳。 非聚合性的烷二醇化合物的在25℃下的表面張力係38mN/m以上為較佳，40mN/m以上為更佳。表面張力的上限並無特別限定，例如係48mN/m以下。藉由摻合該等化合物，能夠更提高設置於密接膜的正上方之壓印用硬化性組成物的潤濕性。

在含有非聚合性的烷二醇化合物之情況下係密接膜形成用組成物的固體成分的40質量%以下，30質量%以下為較佳，20質量%以下為更佳，5～15質量%為進一步較佳。 非聚合性的烷二醇化合物可以僅使用一種，亦可以使用兩種以上。在使用兩種以上之情況下，總計量成為上述範圍為較佳。

密接膜形成用組成物除了上述以外，在不脫離本發明的宗旨之範圍內，亦可以包含界面活性劑等添加劑。然而，本發明的密接膜形成用組成物實質上不包含除了樹脂A、溶劑及非聚合性的烷二醇化合物以外的成分為較佳。實質上不包含係指含量係密接膜形成用組成物的固體成分的0.001質量%以下。 本發明的密接膜形成用組成物亦可以包含聚合起始劑，但是亦能夠設為實質上不包含聚合起始劑之結構。實質上不包含係指含量係密接膜形成用組成物的固體成分的0.001質量%以下。

本發明的密接膜形成用組成物包含構成樹脂A等密接膜之成分0.1～20質量%及溶劑80.0～99.9質量%為較佳。

作為本發明中所使用之密接膜形成用組成物的容納容器，能夠使用以往公知的容納容器。又，作為容納容器，以抑制雜質混入到原材料或組成物中為目的，使用由6種6層的樹脂構成容器內壁之多層瓶或將6種樹脂設為7層結構之瓶亦較佳。作為該等容器，例如可舉出日本特開2015-123351號公報所記載之容器。

＜硬化物圖案之製造方法＞ 本發明的硬化物圖案之製造方法具有：在基板上應用本發明的壓印用密接膜形成用組成物而形成密接膜之密接膜形成步驟；在上述密接膜的表面應用壓印用硬化性組成物之應用步驟；使上述壓印用硬化性組成物與具有用於轉印圖案形狀之圖案之模具接觸之模具接觸步驟；向上述壓印用硬化性組成物照射光而作為硬化物之光照射步驟；及分離上述硬化物與上述模具之脫模步驟。 以下，依據圖1的（1）～（7），對形成硬化物圖案之方法（硬化物圖案之製造方法）進行說明。本發明的構成當然並不限定於圖1的（1）～（7）。

＜＜密接膜形成步驟＞＞ 密接膜形成步驟中，例如如圖1的（1）～（2）所示，在基板1上應用本發明的壓印用密接膜形成用組成物而形成密接膜2。對基板1的表面亦可以實施表面處理。

作為密接膜形成用組成物在基板上的應用方法，並無特別限定，能夠參閱日本特開2010-109092號公報（對應US申請的公開號係US2011/199592）的0102段的記載，該內容被併入本說明書中。本發明中，旋塗法或噴墨法為較佳。 又，在基板上應用密接膜形成用組成物之後，藉由熱或光照射揮發（乾燥）溶劑而形成薄膜亦即密接膜為較佳。

作為基板的材質並無特別限定，能夠參閱日本特開2010-109092號公報（對應US申請的公開番號為US2011/199592）的0103段的記載，該等內容被併入本說明書中。又，除了上述以外，可舉出藍寶石基板、碳化矽（silicon carbide）基板、氮化鎵基板、鋁基板、非晶氧化鋁基板、多晶氧化鋁基板及由GaAsP、GaP、AlGaAs、InGaN、GaN、AlGaN、ZnSe、AlGaInP或ZnO構成之基板。另外，作為玻璃基板的具體的材料例，可舉出鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸玻璃、鋇硼矽酸玻璃。本發明中，矽基板為較佳。

本發明的密接膜如上所述由本發明的密接膜形成用組成物形成。密接膜的臨界表面張力係45mN/m以上為較佳，46mN/m以上為更佳，48mN/m以上為進一步較佳。關於上限值，並無特別限定，但是例如亦能夠設為60mN/m以下、55mN/m以下、進而50mN/m以下。 密接膜的厚度係0.1nm以上為較佳，0.5nm以上為更佳，1nm以上為進一步較佳。又，密接膜的厚度係20nm以下為較佳，15nm以下為更佳，10nm以下為進一步較佳。 因此，本發明的積層體具有上述基板及位於上述基板的表面之密接膜，上述密接膜係由本發明的密接膜形成用組成物形成之密接膜。本發明中，密接膜與上述基板進行相互作用為較佳。作為在此的相互作用，可例示選自包括共價鍵、離子鍵及氫鍵之群組中之至少一種。

＜＜應用步驟＞＞ 應用步驟中，例如如圖1的（3）所示，在上述密接膜2的表面應用壓印用硬化性組成物3。 作為壓印用硬化性組成物的應用方法，並無特別限定，能夠參閱日本特開2010-109092號公報（對應US申請的公開號係US2011/199592）的0102段記載，該內容被併入本說明書中。上述應用利用噴墨法來進行為較佳。又，亦可以藉由多重塗佈來塗佈壓印用硬化性組成物。在藉由噴墨法等在密接膜的表面配置液滴之方法中，液滴的量係1～20pL左右為較佳，隔開液滴間隔配置於密接膜表面為較佳。作為液滴間隔，10～1000μm的間隔為較佳。在噴墨法的情況下，液滴間隔設為噴墨的噴嘴的配置間隔。 另外，密接膜2與應用於基板上時的層狀的壓印用硬化性組成物3的體積比係1:1～500為較佳，1:10～300為更佳，1:50～200為進一步較佳。 壓印用硬化性組成物的詳細內容將在後面進行敘述。

＜＜模具接觸步驟＞＞ 模具接觸步驟中，例如如圖1的（4）所示，使上述壓印用硬化性組成物3與具有用於轉印圖案形狀之圖案之模具4接觸。藉由經過該等步驟，可獲得所期望的硬化物圖案（壓印圖案）。 具體而言，為了將所希望之圖案轉印到層狀的壓印用硬化性組成物，將模具4壓接在層狀的壓印用硬化性組成物3的表面。

模具可以係透光性的模具，亦可以係非透光性的模具。當使用透光性的模具時，從模具側照射光為較佳。另一方面，當使用非透光性的模具時，使用透光性基板作為基板，並從基板側照射光為較佳。本發明中，使用透光性模具，並從模具側照射光為更佳。 本發明中能夠使用之模具係具有應被轉印之圖案之模具。上述模具所具有之圖案例如藉由光微影或電子束描繪法等能夠依據所期望之加工精度形成圖案，但是本發明中，對模具圖案製造方法並無特別限制。又，亦能夠將使用藉由本發明的硬化物圖案製造方法形成之圖案作為模具。 構成本發明中所使用之透光性模具之材料並無特別限定，可例示出玻璃、石英、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚碳酸酯樹脂等透光性樹脂、透明金屬蒸鍍膜、聚二甲基矽氧烷等柔軟膜、光硬化膜、金屬膜等，石英為較佳。 作為本發明中使用透光性的基板時所使用之非透光性模具材料並無特別限定，只要係具有規定的強度者即可。具體而言，可例示出陶瓷材料、蒸鍍膜、磁性膜、反射膜、Ni、Cu、Cr、Fe等金屬基板、SiC、矽、氮化矽、多晶矽、氧化矽、非晶矽等基板等，沒有特別的制約。

上述硬化物圖案製造方法中，使用壓印用硬化性組成物進行壓印微影時，將模具壓力設為10氣壓以下為較佳。藉由將模具壓力設為10氣壓以下，具有模具或基板不易變形，圖案精確度得到提高之傾向。又，從具有加壓較低而能夠縮小裝置之傾向之觀點而言亦較佳。模具壓力在模具凸部的壓印用硬化性組成物的殘膜變少之範圍內，從能夠確保模具轉印的均勻性之範圍選擇為較佳。 又，在氦氣或凝縮性氣體或者包含氦氣與凝縮性氣體這兩者之環境下進行壓印用硬化性組成物與模具的接觸亦為較佳。

＜＜光照射步驟＞＞ 光照射步驟中，向上述壓印用硬化性組成物照射光而作為硬化物。光照射步驟中的光照射的照射量充分大於硬化所需的最小限的照射量即可。硬化所需的照射量可以調查壓印用硬化性組成物的不飽和鍵的消耗量等來適當決定。 照射之光的種類並無特別限定，但是可例示紫外光。 又，應用於本發明之壓印微影中，光照射時的基板溫度通常在室溫下進行，為了提高反應性，可以一邊進行加熱一邊進行光照射。作為光照射的前階段，若設為真空狀態，則對防止氣泡混入、抑制由氧混入引起之反應性下降、提高模具與壓印用硬化性組成物的密接性有效果，因此可以在真空狀態下進行光照射。又，上述硬化物圖案製造方法中，光照射時的較佳的真空度為10^-1 Pa至常壓的範圍。 在進行曝光時，將曝光照度設在1mW/cm² ～500mW/cm² 的範圍為較佳。 在上述硬化物圖案製造方法中，可以包含以下製程：藉由光照射使層狀的壓印用硬化性組成物（圖案形成層）硬化之後，根據需要對硬化之圖案進行加熱而使其進一步硬化之製程。作為光照射後用於使壓印用硬化性組成物加熱硬化之溫度，150～280℃為較佳，200～250℃為更佳。又，作為賦予熱之時間，5～60分鐘為較佳，15～45分鐘為進一步較佳。

＜＜脫模步驟＞＞ 脫模步驟中，分離上述硬化物與上述模具。所獲得之硬化物圖案如以下所述能夠用於各種用途。 亦即，本發明中揭示，在上述密接膜的表面以上述基板、上述密接膜、上述硬化物圖案的順序還具有由壓印用硬化性組成物形成之硬化物圖案之積層體。 另外，如以下所述，亦能夠進行蝕刻等。

＜硬化物圖案與其應用＞ 如上所述，藉由上述硬化物圖案之製造方法形成之硬化物圖案能夠用作用於液晶顯示裝置（LCD）等之永久膜或半導體元件製造用蝕刻阻劑（微影用遮罩）。 尤其，本發明中揭示一種電路基板之製造方法，其包含藉由本發明的硬化物圖案之製造方法獲得硬化物圖案之步驟。另外，本發明的電路基板之製造方法中，亦可以具有藉由上述硬化物圖案之製造方法將硬化物圖案作為遮罩在基板上進行蝕刻或離子植入之步驟及形成電子構件之步驟。上述電路基板係半導體元件為較佳。另外，本發明中揭示一種電子機器之製造方法，其具有藉由上述電路基板之製造方法獲得電路基板之步驟及連接上述電路基板與控制上述電路基板之控制機構之步驟。 又，利用藉由上述硬化物圖案製造方法形成之圖案，在液晶顯示裝置的玻璃基板上形成柵格圖案，能夠廉價地製造反射或吸收較少、大畫面尺寸（例如超過55英吋、60英吋）的偏光板。例如，能夠製造日本特開2015-132825號公報或WO2011/132649號中所記載之偏光板。另外，1英吋為25.4mm。 本發明中所形成之硬化物圖案如圖1的（5）～（7）所示，亦作為蝕刻阻劑（微影用遮罩）而有用。當將硬化物圖案用作抗蝕刻膜時，首先，使用例如形成有SiO₂ 等薄膜之矽基板（矽晶片等）等作為基板，藉由上述硬化物圖案製造方法，在基板上例如形成奈米或微米級的微細硬化物圖案。本發明中，在尤其能夠形成奈米級的微細圖案，進而亦能夠形成尺寸為50nm以下、尤其係30nm以下的圖案之觀點上有益。對於利用上述硬化物圖案製造方法形成之硬化物圖案的尺寸的下限值並無特別限定，例如能夠設為1nm以上。 又，本發明中還揭示一種壓印用模具之製造方法，其具有在基板上藉由本發明的硬化物圖案之製造方法獲得硬化物圖案之步驟及使用所獲得之上述硬化物圖案在上述基板進行蝕刻之步驟。 在濕式蝕刻的情況下使用氟化氫等，在乾式蝕刻的情況下使用CF₄ 等蝕刻氣體進行蝕刻，藉此能夠在基板上形成所希望之硬化物圖案。硬化物圖案尤其對乾式蝕刻之蝕刻耐性良好。亦即，藉由上述硬化物圖案製造方法形成之圖案較佳地用作微影用遮罩。

具體而言，本發明中所形成之圖案能夠較佳地用於磁盤等記錄媒體、固體攝像元件等受光元件、LED（light emitting diode）或有機EL（有機電發光）等發光元件、液晶顯示裝置（LCD）等光器件、繞射光柵、浮雕全息圖（relief hologram）、光波導、濾光器、微透鏡陣列等光學組件、薄膜電晶體、有機電晶體、濾色器、防反射膜、偏光板、偏光元件、光學膜、柱材料等平板顯示器用組件、奈米生物（nanobiology）器件、免疫分析晶片（immunoassay chip）、去氧核糖核酸（DNA）分離晶片、微反應器（micro reactor）、光子液晶、用於進行使用了嵌段共聚物的自組織化之微細圖案形成（定向自組裝：directed self-assembly，DSA）之引導圖案（guide pattern）等的製作。

＜壓印用硬化性組成物＞ 接著，對本發明中所使用之壓印用硬化性組成物進行說明。 本發明中所使用之壓印用硬化性組成物並無特別限定，能夠使用公知的壓印用硬化性組成物，至少包含聚合性化合物為較佳。 本發明中，利用毛細管力，能夠對模具圖案進行高速填充，因此設計成壓印用硬化性組成物的黏度低且表面張力高為較佳。 具體而言，壓印用硬化性組成物在23℃下的黏度係20.0mPa･s以下為較佳，15.0mPa･s以下為更佳，11.0mPa･s以下為進一步較佳。作為上述黏度的下限值並無特別限定，例如能夠設為5.0mPa･s以上。

又，壓印用硬化性組成物在25℃下之表面張力係30mN/m以上為較佳，32mN/m以上為更佳。藉由使用表面張力高的壓印用硬化性組成物，毛細管力上升，能夠將壓印用硬化性組成物高速填充於模具圖案。作為上述表面張力的上限值，並無特別限定，賦予噴墨適合性之類的觀點而言，40mN/m以下為較佳，38mN/m以下為更佳。 本發明藉由使用特定的密接膜，毛細管力較高，對模具圖案之填充性良好，但在能夠改善與密接膜之間的潤濕性差的、高表面張力的壓印用硬化性組成物的潤濕性之觀點上有重大的意義。 壓印用硬化性組成物在25℃下之表面張力按照後述之實施例中所記載之方法進行測定。

本發明中，壓印用硬化性組成物中的溶劑的含量係壓印用硬化性組成物的5質量%以下為較佳，3質量%以下為更佳，1質量%以下為進一步較佳。 又，本發明中所使用之壓印用硬化性組成物亦能夠設為實質上不含聚合物（較佳為重量平均分子量超過1000、更佳為重量平均分子量超過2000、進一步較佳為重量平均分子量為10,000以上的聚合物）之態樣。實質上不含聚合物係指，例如聚合物的含量為壓印用硬化性組成物的0.01質量%以下，0.005質量%以下為較佳，完全不含有為更佳。

＜＜聚合性化合物＞＞ 本發明中所使用之壓印用硬化性組成物中所包含之聚合性化合物可以係單官能聚合性化合物，亦可以係多官能聚合性化合物，亦可以係兩者的混合物。又，包含在壓印用硬化性組成物中之聚合性化合物的至少一部分在25℃下係液體為較佳，包含在壓印用硬化性組成物中之聚合性化合物的15質量%以上係在25℃下係液體為進一步較佳。

壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物的種類只要不脫離本發明的宗旨，則並無特別限定。 壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物的分子量係100以上為較佳，200以上為更佳，220以上為進一步較佳。又，分子量係1000以下為較佳，800以下為更佳，300以下為進一步較佳，270以下尤為佳。藉由將分子量的下限值設為100以上，具有能夠抑制揮發性之傾向。藉由將分子量的上限值設為1000以下，具有能夠降低黏度之傾向。 壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物在667Pa下之沸點係85℃以上為較佳，110℃以上為更佳，130℃以上為進一步較佳。藉由將在667Pa下之沸點設為85℃以上，能夠抑制揮發性。對於沸點的上限值並無特別限定，例如能夠將在667Pa下之沸點設為200℃以下。

壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物所具有之聚合性基的種類並無特別限定，可以例示出含有乙烯性不飽和鍵之基團、環氧基等，含有乙烯性不飽和鍵之基團為較佳。作為含有乙烯性不飽和鍵之基團，可以例示出（甲基）丙烯酸基、乙烯基等，（甲基）丙烯酸基為更佳，丙烯酸基為進一步較佳。又，（甲基）丙烯酸基係（甲基）丙烯醯氧基為較佳。

構成壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物之原子的種類並無特別限定，僅由選自碳原子、氧原子、氫原子及鹵素原子中之原子構成為較佳，僅由選自碳原子、氧原子及氫原子中之原子構成為更佳。

壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物的較佳的第一實施形態係具有碳數4以上的直鏈或支鏈的烴基鏈之化合物。 本發明中之烴鏈表示烷基鏈、烯基鏈、炔基鏈，烷基鏈、烯基鏈為較佳，烷基鏈為更佳。 本發明中，烷基鏈表示烷基及伸烷基。同樣地，烯基鏈表示烯基及伸烯基，炔基鏈表示炔基及伸炔基。在該等之中，直鏈或分支的烷基、烯基為更佳，直鏈或分支的烷基為進一步較佳，直鏈的烷基為更進一步較佳。 上述直鏈或分支的烴鏈（較佳為烷基）的碳數為4以上，碳數6以上為較佳，碳數8以上為更佳，碳數10以上為進一步較佳，碳數12以上為特佳。對於碳數的上限值並無特別限定，例如能夠設為碳數25以下。 上述直鏈或分支的烴鏈可以包含醚基（-O-），但從提高脫模性之觀點而言，不含醚基為較佳。 藉由使用具有該種烴鏈之單官能聚合性化合物，以比較少的添加量降低硬化物（圖案）的彈性模數，脫模性得到提高。又，若使用具有直鏈或分支的烷基之單官能聚合性化合物，則能夠降低模具與硬化物（圖案）的界面能量而進一步提高脫模性。 作為壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物所具有之較佳的烴基，能夠舉出（1）～（3）。 （1）碳數8以上的直鏈烷基 （2）碳數10以上的分支烷基 （3）碳數5以上的直鏈或分支的烷基所取代之脂環或芳香環

（1）碳數8以上的直鏈烷基 碳數8以上的直鏈烷基係碳數10以上者為更佳，碳數11以上為進一步較佳，碳數12以上尤為佳。又，碳數20以下為較佳，碳數18以下為更佳，碳數16以下為進一步較佳，碳數14以下尤為佳。 （2）碳數10以上的支鏈烷基 上述碳數10以上的支鏈烷基係碳數10～20者為較佳，碳數10～16為更佳，碳數10～14為進一步較佳，碳數10～12尤為佳。 （3）碳數5以上的直鏈或支鏈的烷基所取代之脂環或芳香環 碳數5以上的直鏈或支鏈的烷基係直鏈的伸烷基為更佳。上述烷基的碳數係6以上為進一步較佳，7以上為進一步較佳，8以上為更進一步較佳。烷基的碳數係14以下為較佳，12以下為更佳，10以下為進一步較佳。 脂環或芳香環的環可以是單環亦可以是稠環，單環為較佳。在稠環之情況下，環的數量係2個或3個為較佳。環係3～8員環為較佳，5員環或6員環為更佳，6員環為進一步較佳。又，環為脂環或芳香環，但芳香環為較佳。作為環的具體例，可舉出環己烷環、降莰烷環、異莰烷環、三環癸烷環、四環十二烷環、金剛烷環、苯環、萘環、蒽環、茀環，在該等之中，環己烷環、三環癸烷環、金剛烷環、苯環為更佳，苯環為進一步較佳。

壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物係碳數4以上的直鏈或分支的烴鏈和聚合性基直接或經由連接基鍵結之化合物為較佳，上述（1）～（3）的基團中的任意1個和聚合性基直接鍵結之化合物為更佳。作為連接基，可以例示出-O-、-C（=O）-、-CH₂ -或該等的組合。作為本發明中所使用之單官能聚合性化合物，（1）碳數8以上的直鏈烷基和（甲基）丙烯醯氧基直接鍵結之直鏈烷基（甲基）丙烯酸酯為特佳。 作為第一實施形態的單官能聚合性化合物，能夠例示下述第1群組及第2群組。然而，但本發明當然並不限定於該等。又，第1群組比第2群組為更佳。 第1群組 [化學式4]

第2群組 [化學式5]

壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物的較佳的第二實施形態係具有環狀結構之化合物。作為環狀結構，3～8員環的單環或縮合環為較佳。構成上述縮合環之環的數係2個或3個為較佳。環狀結構係5員環或6員環為更佳，6員環為進一步較佳。又，單環為更佳。 聚合性化合物一分子中的環狀結構的數可以是1個，亦可以是2個以上，但是1個或2個為較佳，1個為更佳。另外，在縮合環的情況下，將縮合環設為1個環狀結構來考慮。

作為第二實施形態的單官能聚合性化合物，能夠例示下述化合物。然而，本發明當然並不限定於該等。 [化學式6]

本發明中，只要不脫離本發明的趣旨，則可以使用上述單官能聚合性化合物以外的單官能聚合性化合物，可以例示出日本特開2014-170949號公報中所記載之聚合性化合物中的單官能聚合性化合物，該等內容包含於本說明書中。

壓印用硬化性組成物中所使用之單官能聚合性化合物的相對於壓印用硬化性組成物中的總聚合性化合物之含量，在含有之情況下，6質量%以上為較佳，8質量%以上為更佳，10質量%以上為進一步較佳，12質量%以上尤為佳。又，上述含量係60質量%以下為更佳，亦可以是55質量%以下。 本發明中，可以僅包含一種單官能聚合性化合物，亦可以包含兩種以上。在包含兩種以上之情況下，總計量成為上述範圍為較佳。

另一方面，壓印用硬化性組成物中所使用之多官能聚合性化合物並無特別限定，但是包含脂環及芳香環中的至少一種為較佳，包含芳香環為更佳。有時將包含脂環及芳香環中的至少一種之化合物，在以下的說明中有時稱為含有環的多官能聚合性化合物。本發明中，藉由使用含有環的多官能聚合性化合物，能夠抑制蝕刻加工特性，尤其能夠更有效地抑制蝕刻後的圖案斷線。推定其原因在於，蝕刻加工時的與加工對象（例如，Si、Al、Cr或該等的氧化物等）之蝕刻選擇比進一步得到提高。

壓印用硬化性組成物中所使用之含有環的多官能聚合性化合物的分子量係1000以下為較佳，800以下為更佳，500以下為進一步較佳，350以下為更進一步較佳。藉由將分子量的上限值設為1000以下，具有能夠降低黏度之傾向。 對於分子量的下限值並無特別限定，例如能夠設為200以上。

壓印用硬化性組成物中所使用之含有環的多官能聚合性化合物所具有之聚合性基的數係2以上，2～7為較佳，2～4為更佳，2或3為進一步較佳，2尤為佳。

壓印用硬化性組成物中所使用之含有環之多官能聚合性化合物所具有之聚合性基的種類並無特別限定，可以例示出含有乙烯性不飽和鍵之基團、環氧基等，含有乙烯性不飽和鍵之基團為較佳。作為含有乙烯性不飽和鍵之基團，可以例示出（甲基）丙烯酸基、乙烯基等，（甲基）丙烯酸基為更佳，丙烯酸基為進一步較佳。又，（甲基）丙烯酸基係（甲基）丙烯醯氧基為較佳。在1個分子中可以包含兩種以上的聚合性基，亦可以包含2個以上的相同種類的聚合性基。

構成壓印用硬化性組成物中所使用之含有環之多官能聚合性化合物之原子的種類並無特別限定，僅由選自碳原子、氧原子、氫原子及鹵素原子中之原子構成為較佳，僅由選自碳原子、氧原子及氫原子中之原子構成為更佳。

壓印用硬化性組成物中所使用之含有環之多官能聚合性化合物中所包含之環可以係單環亦可以係稠環，但單環為較佳。在稠環之情況下，環的數量係2個或3個為較佳。環係3～8員環為較佳，5員環或6員環為更佳，6員環為進一步較佳。又，環可以係脂環亦可以係芳香環，但芳香環為較佳。作為環的具體例，可以舉出環己烷環、降莰烷環、異莰烷環、三環癸烷環、四環十二烷環、金剛烷環、苯環、萘環、蒽環、茀環，在該等之中，環己烷環、三環癸烷環、金剛烷環、苯環為更佳，苯環為進一步較佳。 壓印用硬化性組成物中所使用之含有環之多官能聚合性化合物中之環的數量可以為1個 ，亦可以為2個以上，但1個或2個為較佳，1個為更佳。另外，在縮合環的情況下，將縮合環設為1個來考慮。 壓印用硬化性組成物中所使用之含有環之多官能聚合性化合物由（聚合性基）-（單鍵或2價的連接基）-（具有環之2價的基）-（單鍵或2價的連接基）-（聚合性基）表示為較佳。在此，作為連接基，伸烷基為更佳，碳數1～3的伸烷基為進一步較佳。

壓印用硬化性組成物中所使用之含有環的多官能聚合性化合物係下述式（1）所表示為較佳。 [化學式7]

（1）中，Q表示具有脂環或芳香環之2價基。 Q中的脂環或芳香環的較佳的範圍與上述相同。

作為壓印用硬化性組成物中所使用之多官能聚合性化合物，能夠例示下述第1群組及第2群組。但是，本發明當然並不限定於該等。第1群組為更佳。 第1群組 [化學式8]

第2群組 [化學式9]

壓印用硬化性組成物亦可以包含除了上述含有環的多官能聚合性化合物以外的其他多官能聚合性化合物。 作為壓印用硬化性組成物中所使用之其他多官能聚合性化合物，可以例示出在日本特開2014-170949號公報中所記載之聚合性化合物中不具有環之多官能聚合性化合物，該等內容包含於本說明書中。 [化學式10]

多官能聚合性化合物相對於壓印用硬化性組成物中的總聚合性化合物，含有30質量%以上為較佳，45質量%以上為更佳，50質量%以上為進一步較佳，55質量%以上為進一步較佳，亦可以是60質量%以上，還可以是70質量%以上。又，上限值係小於95質量%為較佳，90質量%以下為進一步較佳，亦能夠設為85質量%以下。尤其，藉由將上述含有環的多官能聚合性化合物的含量設為總聚合性化合物的30質量%以上，提高蝕刻加工時的與加工對象（例如，Si、Al、Cr或該等氧化物等）的蝕刻選擇比，能夠抑制蝕刻加工後的圖案的斷線等。 壓印用硬化性組成物可以僅包含一種多官能聚合性化合物，亦可以包含兩種以上。在包含兩種以上之情況下，總計量成為上述範圍為較佳。

本發明中所使用之壓印用硬化性組成物中，組成物的85質量%以上係聚合性化合物為較佳，90質量%以上係聚合性化合物為更佳，93質量%以上係聚合性化合物為進一步較佳。

＜其他成分＞ 壓印用硬化性組成物還可以含有除了聚合性化合物以外的添加劑。作為其他添加劑，可舉出光聚合起始劑。另外，還可以含有增感劑、脫模劑、抗氧化劑、聚合抑制劑、溶劑等。 關於光聚合起始劑、增感劑、脫模劑、抗氧化劑、聚合抑制劑、溶劑等，除了能夠使用後述之實施例中所記載之成分以外，亦能夠使用日本特開2013-036027號公報、日本特開2014-090133號公報、日本特開2013-189537號公報中所記載之各成分。關於含量等，亦能夠參閱上述公報的記載。 作為本發明中能夠使用之壓印用硬化性組成物的具體例，可以例示出後述之實施例中所記載之組成物、日本特開2013-036027號公報、日本特開2014-090133號公報、日本特開2013-189537號公報中所記載之組成物，該等內容被併入本說明書中。又，關於壓印用硬化性組成物的製備、膜（圖案形成層）的形成方法，亦能夠參閱上述公報的記載，該等內容被併入本說明書中。

作為本發明中所使用之壓印用硬化性組成物的容納容器，能夠使用以往公知的容納容器。又，作為容納容器，以抑制雜質混入原材料或組成物中為目的，使用由6種6層的樹脂構成容器內壁之多層瓶或將6種樹脂設為7層結構之瓶亦較佳。作為該種容器，例如可以舉出日本特開2015-123351號公報中所記載之容器。 [實施例]

以下，舉出實施例對本發明進行進一步具體的說明。以下實施例所示之材料、使用量、比例、處理內容、處理步驟等，只要不脫離本發明的趣旨，則能夠適當變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下所示之具體例。

＜合成例1＞ 樹脂A-1的中間體的合成 向氮氣（N₂ ）流動之1L的三口燒瓶加入丙二醇1-單甲基醚2-乙酸鹽（PGMEA）（32.4g），在90℃下進行了加溫。將Brenmer GS（NOF CORPORATION.製造，7.1g（49.9mmol））、Brenmer PME-400（NOF CORPORATION.製造，24.8g（49.9mmol））及V-601（光自由基聚合起始劑，Wako Pure Chemical Industries,Ltd.製造，1.0g（4.3mmol））溶解於PGMEA（32.4g），在上述燒瓶的內溫小於95℃之溫度下經2小時滴加所獲得之混合物，進而在90℃下進行了4小時熟化。之後，冷卻到25℃。向另一個1L的三口燒瓶加入二異丙基醚（DIPE）（435.5g）及異丙基醇（IPA）（186.6g），冷卻到-20℃並進行了攪拌。在低於-15℃之溫度下經30分鐘向其滴加上述燒瓶的反應液，並攪拌了1小時。之後，靜置1小時，去除了上清液。藉由減壓乾燥所獲得之黏性的液體，從而合成了目的的中間體。

樹脂A-1的合成 向氮氣（N₂ ）流動之1L的三口燒瓶加入樹脂A-1的中間體（25.9g（81.1mmol））及PGMEA（77.6g）而進行了溶解。將丙烯酸（3.2g（44.4mmol））、四乙基溴化銨（TEAB，0.6g（2.9mmol））、4-羥基-2,2,6,6-四甲基呱啶-1-氧自由基（4-OH-TEMPO，0.026g（0.15mmol））加入到上述燒瓶中，進而在90℃下進行了8小時熟化。之後，冷卻到25℃。向另一個1L的三口燒瓶加入DIPE(100g)、IPA(443g)、蒸餾水(23g)，冷卻到-20℃並進行了攪拌。在低於-15℃之溫度下經30分鐘向其滴加上述燒瓶的反應液，並攪拌了1小時。之後，靜置1小時，去除了上清液。藉由減壓乾燥所獲得之黏性的液體，從而合成了目的的樹脂。

所獲得之樹脂A-1的重量平均分子量係25,000。

<合成例2>

關於樹脂A-2~樹脂A-23、樹脂H-1~H-4，依據合成例1進行了合成。

<其他的原材料>

樹脂A-24：Eastman Chemical Company製造，CA-320S NF/EP

化合物B-1：NOF CORPORATION.製造，M-550

以下示出各樹脂及化合物的結構。樹脂A-1、A-2、A-4~A-14、A-24、樹脂H-1及樹脂H-2中，左側的重複單元與右側的重複單元的莫耳比率均為50：50。另外，樹脂A-23中，左側的重複單元、中央的重複單元及右側的重複單元的莫耳比率係40：50：10。

*係與其他重複單元的鍵結部位。又，各n係平均值。

上述樹脂A-1中，n係8。

[化學式12]

上述樹脂A-3中，n係4.5。

[化學式13]

上述樹脂A-5中，n係2。上述樹脂A-7中，n係8。 [化學式14]

上述樹脂A-8中，n係12。 上述樹脂A-9中，n係12。 [化學式15]

上述樹脂A-10中，n係90。

[化學式16]

上述樹脂A-13中，n係8。 上述樹脂A-14中，n係4.5。

[化學式17]

上述樹脂A-15中，n係12。

[化學式18]

上述樹脂A-19中，n係13.2。

[化學式19]

上述樹脂A-20中，n係10。 上述樹脂A-21中，n係10。

[化學式20]

上述樹脂A-22中，n係8。 上述樹脂A-23中，n係23。 上述樹脂A-24中，R中，H的比例係66.7莫耳%。

[化學式21]

上述樹脂A-25中，n係90。又，左側的重複單元、中央的重複單元及右側的重複單元的莫耳比率係80:10:10。 上述樹脂A-26中，n係90。又，左側的重複單元與右側的重複單元的莫耳比率係60:40。在末端具有由陰離子及陽離子構成之基團。

[化學式22]

化合物B-1中，R係甲基。n係11.8。 成為上述化合物B-1的原料之化合物的ClogP值係-2.0。

[化學式23]

[化學式24]

上述樹脂H-4中，n係23。

＜溶劑＞ PGMEA：丙二醇單甲基醚乙酸酯 PGME：丙二醇單甲基醚 水

＜ClogP值＞ ClogP值使用套裝軟體2（Chem Bio Draw Ultra ver．13.0.2.3021（CambridgeSoft Corporation，USA））來進行了計算。

＜在25℃下的對水的溶解度＞ 關於各樹脂，測量了在25℃下的對水的溶解度。如下述進行了區分。 A：≥1質量% B：1質量%＞溶解度≥0.1質量% C：＜0.1質量%

將上述結果示於下述表1。 [表1]

樹脂A-10的※係-7.0以下，無法計算。 上述表1中，左側係指上述樹脂A-1～H-4中記載於最左側之重複單元。重複單元係一種的情況下，僅記載於左側的欄中。重複單元係兩種的情況下，僅記載於左側與右側的欄中。

＜重量平均分子量＞ 在以下的條件下進行了測量。 1．管柱 Tosoh Corporation製造 TSK guard column MP（XL）（#M0019） TSK gel Multipore Hxl-M（#M0072） TSK gel Multipore Hxl-M（#M0071） TSK gel Multipore Hxl-M（#M0070） 2．溫度：40℃ 3．展開溶劑及濃度：100%THF（Tetrahydrofuran） 4．展開溶劑的流速 Sample pump：1.00mL/分鐘 Reference pump：0.33mL/分鐘 5．檢測器：RI（紅外線） ＜測量條件＞ Recorder range：256uRIU Recorder balance：0% Polarity：+（positive） Intensity balance：0% Intensity range：256uRIU Response：0.5秒鐘 溫度：40℃ 6．注入量：10μL 7．裝置：Tosoh Corporation製造，HLC-8320GPC 8．樣品稀釋液：THF（Tetrahydrofuran） 9．樣品濃度：0.5質量% 10．標準曲線基礎樹脂：Tosoh Corporation製造 TSKstandard POLYSTYRENE Mol．Wt．；1090000，355000，186000，96400，37900，16700，10200，5570，2630，1010，590，580，578，474，370

＜壓印用密接膜形成用組成物的製備＞ 如下述表2～4中所記載，摻合各成分，藉由0.1μm的聚四氟乙烯（PTFE）過濾器進行過濾，從而製備了各實施例及各比較例所示之壓印用密接膜形成用組成物。

[表2]

[表3]

[表4]

上述表2～4中的重量平均分子量表示各樹脂的重量平均分子量。

＜壓印用硬化性組成物的製備＞ 作為聚合性化合物，混合LIGHT ACRYLATE NP-A（丙氧化新戊二醇二丙烯酸酯，Kyoeisha chemical Co.,Ltd.製造）48質量份、下述化合物M-3 48質量份、LIGHT ACRYLATE L-A（月桂醇丙烯酸酯，Kyoeisha chemical Co.,Ltd.製造）2質量份、IRGACURE907（BASF公司製造）2質量份，作為聚合抑制劑還加入相對於聚合性化合物成為200質量ppm（0.02質量%）的4-羥基-2,2,6,6-四甲基呱啶-1-氧自由基（Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.製造）而進行了製備。將其藉由0.1μm的PTFE（聚四氟乙烯）製過濾器進行過濾，從而製備了壓印用硬化性組成物V1。 [化學式25]

＜臨界表面張力＞ 在基板上旋塗密接膜形成用組成物，使用100℃的加熱板加熱1分鐘，進而，使用180℃的加熱板加熱1分鐘，藉此形成了厚度5nm的密接膜。 關於所獲得之密接膜，測量了臨界表面張力。 在密接膜的表面分別滴加表面張力不同之溶劑2μL，噴落液滴後，測量了500m秒鐘時刻的接觸角θ。將接觸角成為2°以上之結果（接觸角θ）標繪在xy平面上（由x：溶劑的表面張力、y：接觸角θ計算出之cosθ），藉由最小二乘法計算近似上述測定結果之一次函數，將cosθ=1時之上述一次函數的外插值作為密接膜的臨界表面張力（單位：mN/m）。 作為溶劑，使用了水（表面張力72.9mN/m）、甘油（63.2）、甲醯胺（58.5）、乙二醇（50.2）、γ-丁內酯（44.1）、油酸（32.2）、環己酮（34.1）、乙酸甲酯（25.0）。 使用Kyowa Interface Science Co.,Ltd.製造之DMs-401在25℃下進行了接觸角的測定。以n=3測定液滴著落後500m秒後的值，將其平均值作為接觸角。

＜膜面狀＞ 對密接膜的膜面狀如下進行了評價。 使用原子力顯微鏡（AFM、Bruker AXS製造Dimension Icon），掃描10μm見方的上述中獲得之密接膜，測量了算術平均表面粗糙度（Ra）。結果示於下述表5。 A：Ra＜0.4nm B：0.4nm≤Ra

＜膜厚變化＞ 密接膜的膜厚變化如以下進行了評價。 使用反射分光膜厚計（Otsuka Electronics Co.,Ltd.製造，FE-3000），測量了上述中所獲得之密接膜的剛製作密接膜之後和在25℃下經過2週之後的膜厚。結果示於下述表5。

＜密接力＞ 對基板與密接膜之間的密接力如下進行了評價。 在製膜於矽晶圓上之SOC（Spun On Carbon）表面及石英晶圓表面，分別旋塗上述密接膜形成用組成物，在100℃的加熱板上加熱1分鐘乾燥了溶劑。進而，在180℃的加熱板上加熱5分鐘，藉此使密接膜形成用組成物硬化而形成了密接膜。硬化後的密接膜的膜厚係5nm。 在設置於矽晶圓上之密接膜的表面，使用FUJIFILM Dimatix公司製噴墨打印機DMP-2831，以每噴嘴1pL的液滴量吐出將溫度調整為25℃之壓印用硬化性組成物V1，並在上述密接膜上以液滴成為約100μm間隔的正方排列的方式進行了塗佈。 從上以密接層側與壓印用硬化性組成物層接觸的方式載置石英晶圓，並從石英晶圓側使用高壓水銀燈在300mJ/cm² 的條件下進行了曝光。曝光後分離石英晶圓，測量了此時的剝離力。 該剝離力相當於密接力F（單位：N）。剝離力以日本特開2011-206977號公報的0102～0107段中記載之比較例之剝離力的測量方法為基準進行了測量。亦即，依上述公報的圖5的剝離步驟1～6及16～18而進行了測量。 A：F≥45N B：45N＞F≥20N C：20N＞F

＜潤濕性＞ 關於壓印用硬化性組成物相對於密接膜的潤濕性，依以下的方法進行了測量。 在製膜於矽晶圓上之SOC（Spun On Carbon）表面旋塗上述密接膜形成用組成物，在100℃的加熱板上加熱1分鐘乾燥了溶劑。進而，在180℃的加熱板上加熱5分鐘，藉此使密接膜形成用組成物硬化而形成了密接膜。硬化後的密接膜的膜厚係5nm。 在設置於矽晶圓上之密接膜的表面，使用FUJIFILM Dimatix公司製噴墨打印機DMP-2831，以每噴嘴1pL的液滴量吐出將溫度調整為25℃之壓印用硬化性組成物V1，並在上述密接膜上以液滴成為約100μm間隔的正方排列的方式進行了塗佈。測量了著液5秒鐘後的接觸角θ。 A：θ≤3° B：θ＞3°

＜缺陷＞ 對所獲得之圖案的缺陷如下進行了評價。 在製膜於矽晶圓上之SOG（Spin On Glass）表面旋塗上述密接膜形成用組成物，在100℃的加熱板上加熱1分鐘乾燥了溶劑。進而，在180℃的加熱板上加熱5分鐘，藉此使密接膜形成用組成物硬化而形成了密接膜。硬化後的密接膜的膜厚係5nm。 在上述中獲得之密接膜表面，使用FUJIFILM Dimatix公司製噴墨打印機DMP-2831，以每噴嘴1pL的液滴量吐出將溫度調整為25℃之壓印用硬化性組成物V1，並在上述密接膜上以液滴成為約100μm間隔的正方排列的方式進行了塗佈，設為圖案形成層。接著，在圖案形成層上壓接石英模具（矩形線與空間圖案（1/1）、線寬60nm、槽深度100nm、線邊緣粗糙度3.5nm），將圖案形成層（壓印用硬化性組成物）填充於模具。進而，從模具側使用高壓水銀燈，在300mJ/cm² 的條件下進行曝光之後，剝離模具，藉此使圖案轉印到圖案形成層。

使用光學顯微鏡（Olympus Corporation製STM6-LM）觀察轉印到上述圖案形成層之圖案，對圖案形成層的剝離故障進行了評價。 A：剝離故障小於全圖案面積的1%。 B：全圖案面積的1%以上中存在剝離故障。

[表5]

從上述結果明確可知，本發明的密接膜形成用組成物的膜面狀優異，膜厚變化小，基板與密接膜與硬化物的密接力以及潤濕性優異，進而所獲得之圖案的缺陷亦少。 相對於此，樹脂在本發明的範圍外之情況下，基板與密接膜與硬化物的密接力以及潤濕性差，進而所獲得之圖案上發現了缺陷。

1‧‧‧基板2‧‧‧密接膜3‧‧‧壓印用硬化性組成物4‧‧‧模具21‧‧‧密接膜22‧‧‧壓印用硬化性組成物

圖1的（1）～（7）係表示硬化物圖案的形成及將所獲得之硬化物圖案用於基於蝕刻之基板的加工時的製造製程的一例。 圖2係表示藉由噴墨法在潤濕性低的密接膜的表面塗佈壓印用硬化性組成物時的、壓印用硬化性組成物的擴展潤濕的狀態之概略圖。

Claims (15)

1. 一種壓印用密接膜形成用組成物，其包含具有聚合性基之樹脂及溶劑，該樹脂具有至少一種來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元，在25℃下的該樹脂對水的溶解度係1質量%以上，其中，ClogP值係指表示有機化合物相對於水和1-辛醇之親和性之係數，該聚合性化合物係包含選自-伸烷基-氧原子-結構、陰離子結構及陽離子結構中的至少一種、以及胺基結構所組之組群的至少1種結構的化合物，在該壓印用密接膜形成用組成物中以85.0~99.9質量%的比例含有該溶劑，在包含在該壓印用密接膜形成用組成物中之固體成分中，以30~100質量%的比例含有該樹脂。
2. 如申請專利範圍第1項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中該聚合性基係(甲基)丙烯酸基。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中該壓印用密接膜形成用組成物包含非聚合性的烷二醇化合物。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中該溶劑包含水。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中該溶劑包含有機溶劑。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其中該樹脂係(甲基)丙烯酸樹脂。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之壓印用密接膜形成用組成物，其還包括：具有聚合性基且不具有來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元之樹脂；及不具有聚合性基且具有來自於ClogP值係0以下的聚合性化合物之重複單元之樹脂中的至少一種。
8. 一種密接膜，其由申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物形成。
9. 如申請專利範圍第8項所述之密接膜，其中該密接膜的臨界表面張力係45mN/m以上。
10. 一種積層體，其具有基板及位於該基板的表面上之密接膜，該密接膜係申請專利範圍第8項或第9項所述之密接膜。
11. 如申請專利範圍第10項所述之積層體，其中該密接膜與該基板進行基於選自包括共價鍵、離子鍵及氫鍵之群組中之至少一種之相互作用。
12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之積層體，其中還在該密接膜的表面，以該基板、該密接膜、由壓印用硬化性組成物形成之層的順序具有該由壓印用硬化性組成物形成之層。
13. 如申請專利範圍第10項或第11項所述之積層體，其中 還在該密接膜的表面，以該基板、該密接膜、硬化物圖案的順序具有由壓印用硬化性組成物形成之該硬化物圖案。
14. 一種硬化物圖案之製造方法，其具有：密接膜形成步驟，在基板上應用申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之壓印用密接膜形成用組成物而形成密接膜；應用步驟，在該密接膜的表面應用壓印用硬化性組成物；模具接觸步驟，使該壓印用硬化性組成物與具有用於轉印圖案形狀之圖案之模具接觸；光照射步驟，向該壓印用硬化性組成物照射光而作為硬化物；及脫模步驟，分離該硬化物與該模具。
15. 一種電路基板之製造方法，其包含藉由申請專利範圍第14項所述之製造方法獲得硬化物圖案之步驟。

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