JP2016006864A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (4)

1. 絶縁体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、島状の半導体と、を有し、
   前記第１の導電体は、前記半導体の上面と接する領域を有し、
   前記第１の導電体は、前記半導体の側面と接する領域を有さず、
   前記第２の導電体は、前記半導体の前記上面と接する領域を有し、
   前記第２の導電体は、前記半導体の側面と接する領域を有さず、
   前記第３の導電体は、前記半導体と前記第３の導電体とが、前記絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、
   前記第１の導電体は、第１の側面と、第２の側面と、第３の側面と、を有し、
   前記第２の導電体は、第４の側面を有し、
   前記第１の導電体および前記第２の導電体は、前記第１の側面と前記第４の側面とが、互いに向かい合うように配置され、
   前記第１の導電体は、前記第１の側面と前記第２の側面との間にある第１の角部と、前記第２の側面と前記第３の側面との間にある第２の角部と、を有し、
   前記第１の角部は、前記第２の角部よりも曲率半径の小さい部分を有することを特徴とする半導体装置。
2. 第１の絶縁体と、第２の絶縁体と、第１の導電体と、第２の導電体と、第３の導電体と、第４の導電体と、半導体と、を有し、
   前記半導体は、前記第１の絶縁体の上面と接する領域を有し、
   前記第１の導電体は、前記半導体の上面と接する領域を有し、
   前記第２の導電体は、前記半導体の前記上面と接する領域を有し、
   前記第２の絶縁体は、前記半導体の前記上面と接する領域を有し、
   前記第３の導電体は、前記半導体と前記第３の導電体とが、前記第２の絶縁体を介して互いに重なる領域を有し、
   前記半導体および前記第１の絶縁体は、前記第４の導電体に達する開口部を有し、
   前記第１の導電体は、前記開口部を介して前記第４の導電体と接する領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記半導体は、短手方向の長さが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下となる領域を有することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記半導体は、第１の半導体と、第２の半導体と、を有し、
   前記第１の半導体は、前記第２の半導体よりも電子親和力が大きいことを特徴とする半導体装置。