JP2002116459A

JP2002116459A - 配線の形成方法

Info

Publication number: JP2002116459A
Application number: JP2000307858A
Authority: JP
Inventors: Hitoshi Watanabe; 仁渡辺
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Current assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 2000-10-06
Filing date: 2000-10-06
Publication date: 2002-04-19

Abstract

(57)【要約】【課題】パターンが微細化しても、設計上突出したほ
ぼ９０°の角部や凹んだほぼ９０°の角部を有する配線
の形状を設計上の形状に近い形状とする。【解決手段】露光マスク３２は、薄膜トランジスタの
ほぼＬ字状のドレイン電極および直線状のソース電極な
どを形成するためのフォトレジスト膜を形成する際に使
用するものである。この場合、斜線部は遮光部であり、
ドレイン電極用のほぼＬ字状の遮光部３２ｂの折曲部内
側の角部の内側には補助透過部３３ｄが設けられ、同遮
光部３２ｂの先端部両側の角部の外側には補助遮光部３
２ｅが設けられ、ソース電極用の直線状の遮光部３２ｃ
の所定の先端部両側の角部の外側には補助遮光部３２ｆ
が設けられている。そして、補助透過部３３ｄでは光が
入り込まない現象が緩和され、補助遮光部３２ｅ、３２
ｆでは光が回り込む現象が緩和される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は配線の形成方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば液晶表示装置では、スイッチング
素子としての薄膜トランジスタを形成するとき、ゲート
電極上にゲート絶縁膜などを介してソース電極およびド
レイン電極などの配線を形成することがある。

【０００３】図１５は従来のこのような液晶表示装置の
一例の一部の透過平面図を示し、図１６は図１５のＹ−
Ｙ線に沿う断面図を示したものである。この液晶表示装
置はガラス基板５１を備えている。ガラス基板５１の上
面の所定の箇所にはゲート電極５２を含む走査線５３が
設けられている。走査線５３は図１５において左右方向
に延びて設けられている。ゲート電極５２は走査線５３
から方形状に延出された部分を有する。

【０００４】ゲート電極５２および走査線５３を含むガ
ラス基板５１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶
縁膜５４が設けられている。ゲート電極５２上における
ゲート絶縁膜５４の上面の所定の箇所には真性アモルフ
ァスシリコンからなる半導体薄膜５５が設けられてい
る。半導体薄膜５５のチャネル長方向ほぼ中央部の上面
には窒化シリコンからなるチャネル保護膜５６が設けら
れている。チャネル保護膜５６の上面のチャネル長方向
両側およびその両側における半導体薄膜５５の上面には
ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタク
ト層５７、５８が設けられている。

【０００５】一方のオーミックコンタクト層５７の上面
およびゲート絶縁膜５４の上面の所定の箇所にはドレイ
ン電極５９を含むデータ線６０が設けられている。デー
タ線６０は図１５において上下方向に延びて設けられて
いる。ドレイン電極５９はデータ線６０からほぼＬ字状
に延出されている。他方のオーミックコンタクト層５８
の上面にはソース電極６１が設けられている。ソース電
極６１は直線状となっている。そして、ゲート電極５
２、ゲート絶縁膜５４、半導体薄膜５５、チャネル保護
膜５６、オーミックコンタクト層５７、５８、ドレイン
電極５９およびソース電極６１により、薄膜トランジス
タ６２が構成されている。

【０００６】薄膜トランジスタ６２などを含むゲート絶
縁膜５４の上面には窒化シリコンからなるオーバーコー
ト膜６３が設けられている。オーバーコート膜６３の上
面の所定の箇所には画素電極６４が設けられている。画
素電極６４は、オーバーコート膜６３に設けられたコン
タクトホール６５を介してソース電極６１に接続されて
いる。

【０００７】次に、この液晶表示装置の製造方法につい
て、図１７〜図２１を順に参照して説明する。まず、図
１７に示すように、ガラス基板５１の上面の所定の箇所
にアルミニウム系金属などからなる金属膜７１を成膜す
る。次に、金属膜７１の上面の所定の箇所にフォトレジ
スト膜７２を形成する。この場合、フォトレジスト膜７
２は、ゲート電極５２を含む走査線５３を形成するため
のものである。次に、フォトレジスト膜７２をマスクと
して金属膜７１をエッチングすると、図１８に示すよう
に、フォトレジスト膜７２下にゲート電極５２を含む走
査線５３が形成される。次に、フォトレジスト膜７２を
剥離する。

【０００８】次に、図１９に示すように、ゲート電極５
２などを含むガラス基板５１の上面全体に窒化シリコン
からなるゲート絶縁膜５４および真性アモルファスシリ
コンからなる半導体薄膜５５を連続して成膜する。次
に、ゲート電極５２上における半導体薄膜５５の上面の
所定の箇所に窒化シリコンからなるチャネル保護膜５６
を形成する。次に、チャネル保護膜５６を含む半導体薄
膜５５の上面全体にｎ型アモルファスシリコンからなる
オーミックコンタクト層形成用層７３およびクロムやア
ルミニウム系金属などからなる金属膜７４を連続して成
膜する。

【０００９】次に、金属膜２４の上面の各所定の箇所に
フォトレジスト膜７５、７６を形成する。この場合、フ
ォトレジスト膜７５はドレイン電極５９を含むデータ線
６０を形成するためのものであり、フォトレジスト膜７
６はソース電極６１を形成するためのものである。次
に、フォトレジスト膜７５、７６をマスクとして金属膜
７４をエッチングすると、図２０に示すように、フォト
レジスト膜７５下にドレイン電極５９を含むデータ線６
０が形成され、フォトレジスト膜７６下にソース電極６
１が形成される。

【００１０】次に、フォトレジスト膜７５、７６、ドレ
イン電極５９およびソース電極６１などをマスクとして
オーミックコンタクト層形成用層７３および半導体薄膜
５５をエッチングすると、図２１に示すように、ドレイ
ン電極５９下に一方のオーミックコンタクト層５７が形
成され、ソース電極６１下に他方のオーミックコンタク
ト層５８が形成される。また、両オーミックコンタクト
層５７、５８下およびチャネル保護膜５６下に半導体薄
膜５５が残存される。次に、フォトレジスト膜７５、７
６を剥離する。

【００１１】次に、図１６に示すように、薄膜トランジ
スタ６２などを含むゲート絶縁膜５４の上面全体に窒化
シリコンからなるオーバーコート膜６３を成膜する。次
に、オーバーコート膜６３のソース電極６１の所定の箇
所に対応する部分にコンタクトホール６５を形成する。
次に、オーバーコート膜６３の上面の所定の箇所に画素
電極６４をコンタクトホール６５を介してソース電極４
１に接続させて形成する。かくして、図１５および図１
６に示す液晶表示装置が得られる。

【００１２】ところで、図１７に示すフォトレジスト膜
７２を形成するとき、図２２に示す露光マスク８１を用
いて露光している。この場合、図２２における斜線部
は、ゲート電極５２を含む走査線５３の設計上の形状に
対応した形状の遮光部であり、直線状の遮光部８１ａ
と、この遮光部８１ａから延出された方形状の遮光部８
１ｂとからなっている。このうち遮光部８１ｂの根元部
両側の角部はほぼ９０°の角度で凹まされており、遮光
部８１ｂの先端部両側の角部はほぼ９０°の角度で突出
されている。

【００１３】このような露光マスク８１を用いて露光す
る場合、パターンが微細化するに従い、遮光部８１ｂの
根元部両側の凹んだ角部において光が入り込まない現象
が生じ、遮光部８１ｂの先端部両側の突出した角部にお
いて光が回り込む現象が生じる。この結果、この露光マ
スク８１を用いて形成されたフォトレジスト膜７２は、
図２３に示すようになる。すなわち、直線状の遮光部８
１ａに対応する部分７２ａは直線状となり、方形状の遮
光部８１ｂに対応する部分７２ｂの根元部両側は比較的
大きな二等辺直角三角形状（ただし、底辺は円弧状に凹
んでいる。以下、同じ。）に突出され、同部分７２ｂの
先端部両側は比較的大きな円弧状に切り欠かれる。

【００１４】また、図１９に示すフォトレジスト膜７
５、７６を形成するとき、図２４に示す露光マスク８２
を用いて露光している。この場合、図２４における斜線
部は、ドレイン電極５９を含むデータ線６０およびソー
ス電極６１の設計上の形状に対応した形状の遮光部であ
り、直線状の遮光部８２ａと、この遮光部８２ａから延
出されたほぼＬ字状の遮光部８２ｂと、この遮光部８２
ｂの先端部に対向して設けられた直線状の遮光部８２ｃ
とからなっている。このうち遮光部８２ｂの根元部両側
の角部および遮光部８２ｂの折曲部内側の角部はほぼ９
０°の角度で凹まされており、遮光部８２ｂの折曲部外
側の角部および遮光部８２ｂの先端部両側の角部はほぼ
９０°の角度で突出されている。遮光部８２ｃの４つの
角部はほぼ９０°の角度で突出されている。

【００１５】このような露光マスク８２を用いて露光す
る場合も、パターンが微細化するに従い、遮光部８２ｂ
の根元部両側の凹んだ角部および遮光部８２ｂの折曲部
内側の凹んだ角部において光が入り込まない現象が生
じ、遮光部８２ｂの折曲部外側の突出した角部、遮光部
８２ｂの先端部両側の突出した角部および遮光部８２ｃ
の４つの突出した角部において光が回り込む現象が生じ
る。この結果、この露光マスク８２を用いて形成された
フォトレジスト膜７５、７６は、図２５に示すようにな
る。すなわち、直線状の遮光部８２ａに対応する部分７
５ａは直線状となり、ほぼＬ字状の遮光部８２ｂに対応
する部分７５ｂの根元部両側および折曲部内側は比較的
大きな二等辺直角三角形状に突出され、同部分７５ｂの
折曲部外側および先端部両側は比較的大きな円弧状に切
り欠かれる。また、直線状の遮光部８２ｃに対応するフ
ォトレジスト膜７６の４つの角部は比較的大きな円弧状
に切り欠かれる。

【００１６】そして、図２３に示すフォトレジスト膜７
２をマスクとして金属膜７１をエッチングすると、フォ
トレジスト膜７２下に金属膜７１がフォトレジスト膜７
２と同形状もしくは相似形状に残存される。また、図２
５に示すフォトレジスト膜７５、７６をマスクとして金
属膜７４をエッチングすると、フォトレジスト膜７５、
７６下に金属膜７４がフォトレジスト膜７５、７６と同
形状もしくは相似形状に残存される。この結果、ゲート
電極５２を含む走査線５３、ドレイン電極５９を含むデ
ータ線６０およびソース電極６１の実際の形状は、図２
６に示すようになる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、露光マスク
８１、８２を用いて露光するとき、図２６において上下
方向にアライメントずれが生じることがある。例えば、
露光マスク８２を用いて露光するとき、図２６において
アライメントずれが下側に向かって生じた場合には、例
えば図２７に示すように、ドレイン電極５９を含むデー
タ線６０およびソース電極６１が下側にずれることにな
る。このような場合には、ドレイン電極５９の先端部両
側の比較的大きな円弧状に切り欠かれた部分がチャネル
保護膜５６の下辺と重なり合い、この部分におけるチャ
ネル幅がソース電極６１側におけるチャネル幅よりも小
さくなり、所定の電気特性が得られなくなってしまう。

【００１８】一方、露光マスク８２を用いて露光すると
き、図２６においてアライメントずれが上側に向かって
生じた場合には、例えば図２８に示すように、ドレイン
電極５９を含むデータ線６０およびソース電極６１が上
側にずれることになる。このような場合には、ドレイン
電極５９の折曲部内側の比較的大きな二等辺直角三角形
状に突出された部分がチャネル保護膜５６の下辺と重な
り合い、この部分におけるチャネル幅がソース電極６１
側におけるチャネル幅よりも大きくなり、これまた所定
の電気特性が得られなくなってしまう。この発明の課題
は、設計上突出した角部や凹んだ角部を有する配線を形
成するためのフォトレジスト膜を形成する際における露
光時に、配線の設計上突出した角部や凹んだ角部に対応
する部分における光が回り込む現象や光が入り込まない
現象を緩和することである。

【００１９】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、配線形成用膜上に形成されたフォトレジスト膜をマ
スクとして前記配線形成用膜をエッチングして設計上突
出した角部および凹んだ角部を有する配線を形成するに
際し、前記フォトレジスト膜を形成するための露光マス
クとして、前記配線の設計上突出した角部に対応する部
分の外側に補助遮光部を有し、且つ、前記配線の設計上
凹んだ角部に対応する部分の内側に補助透過部を有する
ものを用いることを特徴とするものである。請求項２に
記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記配
線の設計上突出した角部および凹んだ角部の角度がほぼ
９０°であることを特徴とするものである。請求項３に
記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記配
線が、薄膜トランジスタのほぼＬ字状のドレイン電極お
よび直線状のソース電極であることを特徴とするもので
ある。請求項４に記載の発明は、配線形成用膜上に形成
されたフォトレジスト膜をマスクとして前記配線形成用
膜をエッチングして設計上突出した角部を有する配線を
形成するに際し、前記フォトレジスト膜を形成するため
の露光マスクとして、前記配線の設計上突出した角部に
対応する部分の外側に補助遮光部を有するものを用いる
ことを特徴とするものである。請求項５に記載の発明
は、配線形成用膜上に形成されたフォトレジスト膜をマ
スクとして前記配線形成用膜をエッチングして設計上凹
んだ角部を有する配線を形成するに際し、前記フォトレ
ジスト膜を形成するための露光マスクとして、前記配線
の設計上凹んだ角部に対応する部分の内側に補助透過部
を有するものを用いることを特徴とするものである。請
求項６に記載の発明は、請求項４または５に記載の発明
において、前記配線の設計上突出した角部または凹んだ
角部の角度がほぼ９０°であることを特徴とするもので
ある。そして、請求項１に記載の発明によれば、フォト
レジスト膜を形成するための露光マスクとして、配線の
設計上突出した角部に対応する部分の外側に補助遮光部
を有し、且つ、配線の設計上凹んだ角部に対応する部分
の内側に補助透過部を有するものを用いているので、露
光時に、配線の設計上突出した角部および凹んだ角部に
対応する部分における光が入り込まない現象および光が
回り込む現象を緩和することができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施形態にお
ける配線の形成方法を説明するために示すもので、液晶
表示装置の一部の透過平面図を示し、図２は図１のＸ−
Ｘ線に沿う断面図を示したものである。この液晶表示装
置はガラス基板１を備えている。ガラス基板１の上面の
所定の箇所にはゲート電極２を含む走査線３が設けられ
ている。走査線３は図１において左右方向に延びて設け
られている。ゲート電極２は走査線３からほぼ方形状に
延出された部分を有し、当該延出部の根元部両側は比較
的大きな二等辺直角三角形状（ただし、底辺は円弧状に
凹んでいる。以下、同じ。）に突出され、当該延出部の
先端部両側は比較的大きな円弧状に切り欠かれている。

【００２１】ゲート電極２および走査線３を含むガラス
基板１の上面には窒化シリコンからなるゲート絶縁膜４
が設けられている。ゲート電極２上におけるゲート絶縁
膜４の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコン
からなる半導体薄膜５が設けられている。半導体薄膜５
のチャネル長方向ほぼ中央部の上面には窒化シリコンか
らなるチャネル保護膜６が設けられている。チャネル保
護膜６の上面のチャネル長方向両側およびその両側にお
ける半導体薄膜５の上面にはｎ型アモルファスシリコン
からなるオーミックコンタクト層７、８が設けられてい
る。

【００２２】一方のオーミックコンタクト層７の上面お
よびゲート絶縁膜４の上面の所定の箇所にはドレイン電
極９を含むデータ線１０が設けられている。データ線１
０は図１において上下方向に延びて設けられている。ド
レイン電極９はデータ線１０からほぼＬ字状に延出され
ている。この場合、ドレイン電極９の根元部両側は比較
的大きな二等辺直角三角形状に突出され、折曲部内側は
比較的小さな二等辺直角三角形状に突出され、折曲部外
側は比較的大きな円弧状に切り欠かれ、先端部両側は比
較的小さな円弧状に切り欠かれている。

【００２３】他方のオーミックコンタクト層８の上面に
はソース電極１１が設けられている。ソース電極１１は
直線状となっている。この場合、ソース電極１１のドレ
イン電極９との対向辺部両側は比較的小さな円弧状に切
り欠かれ、その反対側の辺部両側は比較的大きな円弧状
に切り欠かれている。そして、ゲート電極２、ゲート絶
縁膜４、半導体薄膜５、チャネル保護膜６、オーミック
コンタクト層７、８、ドレイン電極９およびソース電極
１１により、薄膜トランジスタ１２が構成されている。

【００２４】薄膜トランジスタ１２などを含むゲート絶
縁膜４の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート
膜１３が設けられている。オーバーコート膜１３の上面
の所定の箇所には画素電極１４が設けられている。画素
電極１４は、オーバーコート膜１３に設けられたコンタ
クトホール１５を介してソース電極１１に接続されてい
る。

【００２５】次に、この液晶表示装置の製造方法につい
て、図３〜図１１を順に参照して説明する。まず、図３
に示すように、ガラス基板１の上面の所定の箇所にアル
ミニウム系金属などからなる金属膜２１を成膜する。次
に、図３および図４に示すように、金属膜２１の上面の
所定の箇所にフォトレジスト膜２２を形成する。この場
合、フォトレジスト膜２２は、ゲート電極２を含む走査
線３を形成するためのものである。また、このフォトレ
ジスト膜２２を形成するとき、図５に示す露光マスク３
１を用いて露光する。この場合、図５における斜線部
は、ゲート電極２を含む走査線３の設計上の形状に対応
した形状の遮光部であり、直線状の遮光部３１ａと、こ
の遮光部３１ａから延出された方形状の遮光部３１ｂと
からなっている。このうち遮光部３１ｂの根元部両側の
角部はほぼ９０°の角度で凹まされており、遮光部３１
ｂの先端部両側の角部はほぼ９０°の角度で突出されて
いる。

【００２６】この露光マスク３１を用いて露光すると、
遮光部３１ｂの根元部両側の凹んだ角部において光が入
り込まない現象が生じ、遮光部３１ｂの先端部両側の突
出した角部において光が回り込む現象が生じる。この結
果、この露光マスク３１を用いて形成されたフォトレジ
スト膜２２は、図４に示すようになる。すなわち、直線
状の遮光部３１ａに対応する部分２２ａは直線状とな
り、方形状の遮光部３１ｂに対応する部分２２ｂの根元
部両側は比較的大きな二等辺直角三角形状に突出され、
同部分２２ｂの先端部両側は比較的大きな円弧状に切り
欠かれる。

【００２７】次に、フォトレジスト膜２２をマスクとし
て金属膜２１をエッチングすると、図６に示すように、
フォトレジスト膜２２下にゲート電極２を含む走査線３
が形成される。この場合、フォトレジスト膜２２下に金
属膜２１がフォトレジスト膜２２と同形状もしくは相似
形状に残存される。したがって、ゲート電極２を含む走
査線３は、図４に示すフォトレジスト膜２２と同形状も
しくは相似形状に形成される。次に、フォトレジスト膜
２２を剥離する。

【００２８】次に、図７に示すように、ゲート電極２な
どを含むガラス基板１の上面全体に窒化シリコンからな
るゲート絶縁膜４および真性アモルファスシリコンから
なる半導体薄膜５を連続して成膜する。次に、ゲート電
極２上における半導体薄膜５の上面の所定の箇所に窒化
シリコンからなるチャネル保護膜６を形成する。次に、
チャネル保護膜６を含む半導体薄膜５の上面全体にｎ型
アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層
形成用層２３およびクロムやアルミニウム系金属などか
らなる金属膜２４を連続して成膜する。

【００２９】次に、図７および図８に示すように、金属
膜２４の上面の各所定の箇所にフォトレジスト膜２５、
２６を形成する。この場合、フォトレジスト膜２５はド
レイン電極９を含むデータ線１０を形成するためのもの
であり、フォトレジスト膜２６はソース電極１１を形成
するためのものである。また、これらのフォトレジスト
膜２５、２６を形成するとき、図９に示す露光マスク３
２を用いて露光する。この場合、図９における斜線部
は、ソース電極９を含むデータ線１０およびソース電極
１１の設計上の形状に対応するがやや異なる形状の遮光
部であり、直線状の遮光部３２ａと、この遮光部３２ａ
から延出されたほぼＬ字状の遮光部３２ｂと、この遮光
部３２ｂの先端部に対向して設けられた直線状の遮光部
３２ｃとからなっている。このうち遮光部３２ｂの根元
部両側の角部はほぼ９０°の角度で凹まされている。遮
光部３２ｂの折曲部内側の角部はほぼ９０°の角度で凹
まされており、且つ、当該角部の内側にはほぼＬ字状の
補助透過部３３ｄが設けられている。遮光部３２ｂの折
曲部外側の角部はほぼ９０°の角度で突出されている。
遮光部３２ｂの先端部両側の角部はほぼ９０°の角度で
突出されており、且つ、当該角部の外側にはほぼＬ字状
の補助遮光部３２ｅが設けられている。遮光部３２ｃの
遮光部３２ｂの先端部との対向辺部両側の角部はほぼ９
０°の角度で突出されており、且つ、当該角部の外側に
はほぼＬ字状の補助遮光部３２ｆが設けられている。遮
光部３２ｃの遮光部３２ｂの先端部との対向辺部とは反
対側の辺部両側の角部はほぼ９０°の角度で突出されて
いる。なお、補助透過部３３ｄおよび補助遮光部３２
ｅ、３２ｆの大きさは、露光機の解像度限界以下の所定
の大きさとなっている。

【００３０】この露光マスク３２を用いて露光すると、
遮光部３２ｂの根元部両側の凹んだ角部において光が入
り込まない現象が生じるが、遮光部３２ｂの折曲部内側
の凹んだ角部においては補助透過部３３ｄの存在により
そのような現象が緩和され、光が適宜に入り込む。ま
た、遮光部３２ｂの折曲部外側の突出した角部において
光が回り込む現象が生じるが、遮光部３２ｂの先端部両
側の突出した角部においては補助遮光部３２ｅの存在に
よりそのような現象が緩和され、光が適宜に遮断され
る。さらに、遮光部３２ｃの遮光部３２ｂの先端部との
対向辺部とは反対側の辺部両側の突出した角部において
光が回り込む現象が生じるが、遮光部３２ｃの遮光部３
２ｂの先端部との対向辺部両側においては補助遮光部３
２ｆの存在によりそのような現象が緩和され、光が適宜
に遮断される。

【００３１】この結果、この露光マスク３２を用いて形
成されたフォトレジスト膜２５、２６は、図８に示すよ
うになる。すなわち、直線状の遮光部３２ａに対応する
部分２５ａは直線状となり、ほぼＬ字状の遮光部３２ｂ
に対応する部分２５ｂの根元部両側は比較的大きな二等
辺直角三角形状に突出され、同部分２５ｂの折曲部内側
は比較的小さな二等辺直角三角形状に突出され、同部分
２５ｂの折曲部外側は比較的大きな円弧状に切り欠か
れ、同部分２５ｂの先端部両側は比較的小さな円弧状に
切り欠かれる。また、直線状の遮光部３２ｃに対応する
フォトレジスト膜２６のフォトレジスト膜２５のほぼＬ
字状の部分２５ｂの先端部との対向辺部両側は比較的小
さな円弧状に切り欠かれ、その反対側の辺部両側は比較
的大きな円弧状に切り欠かれる。

【００３２】次に、フォトレジスト膜２５、２６をマス
クとして金属膜２４をエッチングすると、図１０に示す
ように、フォトレジスト膜２５下にドレイン電極９を含
むデータ線１０が形成され、フォトレジスト膜２６下に
ソース電極１１が形成される。この場合も、フォトレジ
スト膜２５、２６下に金属膜２４がフォトレジスト膜２
５、２６と同形状もしくは相似形状に残存される。した
がって、ドレイン電極９を含むデータ線１０およびソー
ス電極１１は、図８に示すフォトレジスト膜２５、２６
と同形状もしくは相似形状に形成される。

【００３３】次に、フォトレジスト膜２５、２６、ドレ
イン電極９およびソース電極１１などをマスクとしてオ
ーミックコンタクト層形成用層２３および半導体薄膜５
をエッチングすると、図１１に示すように、ドレイン電
極９下に一方のオーミックコンタクト層７が形成され、
ソース電極１１下に他方のオーミックコンタクト層８が
形成される。また、両オーミックコンタクト層７、８下
およびチャネル保護膜６下に半導体薄膜５が残存され
る。次に、フォトレジスト膜２５、２６を剥離する。

【００３４】次に、図２に示すように、薄膜トランジス
タ１２などを含むゲート絶縁膜４の上面全体に窒化シリ
コンからなるオーバーコート膜１３を成膜する。次に、
オーバーコート膜１３のソース電極１１の所定の箇所に
対応する部分にコンタクトホール１５を形成する。次
に、オーバーコート膜１３の上面の所定の箇所に画素電
極１４をコンタクトホール１５を介してソース電極１１
に接続させて形成する。かくして、図１および図２に示
す液晶表示装置が得られる。

【００３５】以上のように、この実施形態の配線の形成
方法では、図１に示すように、ドレイン電極９の折曲部
内側が比較的小さな二等辺直角三角形状に突出する形状
となり、ドレイン電極９の先端部両側が比較的小さな円
弧状に切り欠かれた形状となり、ソース電極１１のドレ
イン電極９との対向辺部両側が比較的小さな円弧状に切
り欠かれた形状となるので、これらの部分の形状を設計
上の角度ほぼ９０°の角部に近い形状とすることができ
る。

【００３６】この結果、図９に示す露光マスク３２を用
いて露光するとき、図１において上下方向にアライメン
トずれがある程度生じても、別に問題は生じない。すな
わち、露光マスク３２を用いて露光するとき、図１にお
いてアライメントずれが下側に向かって生じた場合に
は、例えば図１２に示すように、ドレイン電極９を含む
データ線１０およびソース電極１１が下側にずれる。し
かし、このようにずれても、ドレイン電極９の先端部両
側の比較的小さな円弧状に切り欠かれた部分よりも下側
がチャネル保護膜６の下辺と重なり合い、この部分にお
けるチャネル幅がソース電極１１側におけるチャネル幅
と同じとなり、所定の電気特性を得ることができる。

【００３７】一方、露光マスク３２を用いて露光すると
き、図１においてアライメントずれが上側に向かって生
じた場合には、例えば図１３に示すように、ドレイン電
極９を含むデータ線１０およびソース電極１１が上側に
ずれる。しかし、このようにずれても、ドレイン電極９
の折曲部内側の比較的小さな二等辺直角三角形状に突出
された部分よりも上側がチャネル保護膜６の下辺と重な
り合い、この部分におけるチャネル幅がソース電極１側
におけるチャネル幅と同じとなり、これまた所定の電気
特性を得ることができる。なお、この場合、アライメン
トずれが上側に向かってさらにやや生じても、ソース電
極１１のドレイン電極９との対向辺部両側の比較的小さ
な二等辺直角三角形状に突出された部分よりも上側がチ
ャネル保護膜６の上辺と重なり合い、この部分における
チャネル幅がドレイン電極９側におけるチャネル幅と同
じとなる。

【００３８】なお、上記実施形態では、図９に示すよう
に、露光マスク３２として、ほぼＬ字状の補助透過部３
２ｄおよび補助遮光部３２ｅ、３２ｆを有するものを用
いた場合について説明したが、これに限定されるもので
はない。例えば、図１４に示すように、補助透過部３２
ｄおよび補助遮光部３２ｅ、３２ｆを一方向に延びる直
線状としてもよい。このようにしても、上記実施形態の
場合とほぼ同様の作用効果を得ることができる。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、フォトレジスト膜を形成するための露光時に、配線
の設計上突出した角部や凹んだ角部に対応する部分にお
ける光が回り込む現象や光が入り込まない現象を緩和す
ることができるので、配線の形状を設計上の形状に近い
形状とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施形態における配線の形成方法
を説明するために示すもので、液晶表示装置の一部の透
過平面図。

【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図。

【図３】図１および図２に示す液晶表示装置を製造する
際の当初の製造工程の断面図。

【図４】図３に示す状態の平面図。

【図５】図４に示すフォトレジスト膜を形成する際に使
用する露光マスクの平面図。

【図６】図３に続く製造工程の断面図。

【図７】図６に続く製造工程の断面図。

【図８】図７に示す状態の平面図。

【図９】図８に示すフォトレジスト膜を形成する際に使
用する露光マスクの平面図。

【図１０】図７に続く製造工程の断面図。

【図１１】図１０に続く製造工程の断面図。

【図１２】図９に示す露光マスクを用いて露光すると
き、アライメントずれが下側に向かって生じた場合を説
明するために示す平面図。

【図１３】図９に示す露光マスクを用いて露光すると
き、アライメントずれが上側に向かって生じた場合を説
明するために示す平面図。

【図１４】図８に示すフォトレジスト膜を形成する際に
使用する露光マスクの他の例の平面図。

【図１５】従来の液晶表示装置の一例の一部の透過平面
図。

【図１６】図１５のＹ−Ｙ線に沿う断面図。

【図１７】図１５および図１６に示す液晶表示装置を製
造する際の当初の製造工程の断面図。

【図１８】図１７に続く製造工程の断面図。

【図１９】図１８に続く製造工程の断面図。

【図２０】図１９に続く製造工程の断面図。

【図２１】図２０に続く製造工程の断面図。

【図２２】図１７に示すフォトレジスト膜を形成する際
に使用する露光マスクの平面図。

【図２３】図２２に示す露光マスクを用いて形成された
フォトレジスト膜の平面図。

【図２４】図１９に示すフォトレジスト膜を形成する際
に使用する露光マスクの平面図。

【図２５】図２４に示す露光マスクを用いて形成された
フォトレジスト膜の平面図。

【図２６】従来のゲート電極、ドレイン電極およびソー
ス電極などの実際の形状を示す平面図。

【図２７】図２４に示す露光マスクを用いて露光すると
き、アライメントずれが下側に向かって生じた場合を説
明するために示す平面図。

【図２８】図２４に示す露光マスクを用いて露光すると
き、アライメントずれが上側に向かって生じた場合を説
明するために示す平面図。

【符号の説明】

１ガラス基板２ゲート電極３走査線６チャネル保護膜９ドレイン電極１０データ線１１ソース電極１２薄膜トランジスタ１４画素電極２１金属膜２２フォトレジスト膜２４金属膜２５、２６フォトレジスト膜３１、３２露光マスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｐ 21/3205 21/88 ＢＦターム(参考） 2H092 JA29 JA32 JA38 JA42 JB51 MA15 MA16 MA18 NA01 NA24 PA09 2H095 BB02 BC09 2H097 GB00 LA12 4M104 AA01 AA10 BB01 BB02 CC01 CC05 DD62 DD63 FF03 FF11 GG20 HH14 HH20 5F033 GG04 HH05 HH08 HH17 JJ01 JJ05 JJ17 KK01 MM05 MM23 QQ01 QQ08 QQ10 QQ24 QQ27 QQ30 RR06 VV15 XX00 XX15 XX32

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】配線形成用膜上に形成されたフォトレジ
スト膜をマスクとして前記配線形成用膜をエッチングし
て設計上突出した角部および凹んだ角部を有する配線を
形成するに際し、前記フォトレジスト膜を形成するため
の露光マスクとして、前記配線の設計上突出した角部に
対応する部分の外側に補助遮光部を有し、且つ、前記配
線の設計上凹んだ角部に対応する部分の内側に補助透過
部を有するものを用いることを特徴とする配線の形成方
法。
【請求項２】請求項１に記載の発明において、前記配
線の設計上突出した角部および凹んだ角部の角度はほぼ
９０°であることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項３】請求項２に記載の発明において、前記配
線は、薄膜トランジスタのほぼＬ字状のドレイン電極お
よび直線状のソース電極であることを特徴とする配線の
形成方法。
【請求項４】配線形成用膜上に形成されたフォトレジ
スト膜をマスクとして前記配線形成用膜をエッチングし
て設計上突出した角部を有する配線を形成するに際し、
前記フォトレジスト膜を形成するための露光マスクとし
て、前記配線の設計上突出した角部に対応する部分の外
側に補助遮光部を有するものを用いることを特徴とする
配線の形成方法。
【請求項５】配線形成用膜上に形成されたフォトレジ
スト膜をマスクとして前記配線形成用膜をエッチングし
て設計上凹んだ角部を有する配線を形成するに際し、前
記フォトレジスト膜を形成するための露光マスクとし
て、前記配線の設計上凹んだ角部に対応する部分の内側
に補助透過部を有するものを用いることを特徴とする配
線の形成方法。
【請求項６】請求項４または５に記載の発明におい
て、前記配線の設計上突出した角部または凹んだ角部の
角度はほぼ９０°であることを特徴とする配線の形成方
法。