JP2015156034A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015156034A5
JP2015156034A5 JP2015076651A JP2015076651A JP2015156034A5 JP 2015156034 A5 JP2015156034 A5 JP 2015156034A5 JP 2015076651 A JP2015076651 A JP 2015076651A JP 2015076651 A JP2015076651 A JP 2015076651A JP 2015156034 A5 JP2015156034 A5 JP 2015156034A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
film
multilayer reflective
substrate
reflective film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015076651A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015156034A (ja
JP6465720B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2015076651A priority Critical patent/JP6465720B2/ja
Priority claimed from JP2015076651A external-priority patent/JP6465720B2/ja
Publication of JP2015156034A publication Critical patent/JP2015156034A/ja
Publication of JP2015156034A5 publication Critical patent/JP2015156034A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6465720B2 publication Critical patent/JP6465720B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2015076651A 2013-09-27 2015-04-03 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 Active JP6465720B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015076651A JP6465720B2 (ja) 2013-09-27 2015-04-03 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013202494 2013-09-27
JP2013202494 2013-09-27
JP2015076651A JP6465720B2 (ja) 2013-09-27 2015-04-03 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014194957A Division JP5729847B2 (ja) 2013-09-27 2014-09-25 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019001198A Division JP6630005B2 (ja) 2013-09-27 2019-01-08 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015156034A JP2015156034A (ja) 2015-08-27
JP2015156034A5 true JP2015156034A5 (enExample) 2017-09-07
JP6465720B2 JP6465720B2 (ja) 2019-02-06

Family

ID=52743232

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014194957A Active JP5729847B2 (ja) 2013-09-27 2014-09-25 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP2015076651A Active JP6465720B2 (ja) 2013-09-27 2015-04-03 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
JP2019001198A Active JP6630005B2 (ja) 2013-09-27 2019-01-08 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014194957A Active JP5729847B2 (ja) 2013-09-27 2014-09-25 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019001198A Active JP6630005B2 (ja) 2013-09-27 2019-01-08 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9746762B2 (enExample)
JP (3) JP5729847B2 (enExample)
KR (3) KR102127907B1 (enExample)
SG (3) SG11201509897WA (enExample)
TW (3) TWI652542B (enExample)
WO (1) WO2015046095A1 (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6314019B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-18 ニッタ・ハース株式会社 半導体基板の研磨方法
JP6069609B2 (ja) * 2015-03-26 2017-02-01 株式会社リガク 二重湾曲ｘ線集光素子およびその構成体、二重湾曲ｘ線分光素子およびその構成体の製造方法
JP6815995B2 (ja) * 2015-06-17 2021-01-20 Hoya株式会社 導電膜付き基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
JP6873758B2 (ja) * 2016-03-28 2021-05-19 Hoya株式会社 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及び転写用マスクの製造方法
SG11201807712YA (en) * 2016-03-31 2018-10-30 Hoya Corp Method for manufacturing reflective mask blank, reflective mask blank, method for manufacturing reflective mask, reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device
US9870612B2 (en) * 2016-06-06 2018-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for repairing a mask
US11187972B2 (en) * 2016-10-21 2021-11-30 Hoya Corporation Reflective mask blank, method of manufacturing reflective mask and method of manufacturing semiconductor device
WO2018135467A1 (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
CN110383167B (zh) * 2017-02-27 2022-08-23 Hoya株式会社 掩模坯料、转印用掩模的制造方法、以及半导体器件的制造方法
WO2019009212A1 (ja) * 2017-07-05 2019-01-10 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及び反射型フォトマスク
SG11202011370VA (en) 2018-05-25 2020-12-30 Hoya Corp Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method
TWI829797B (zh) * 2018-11-07 2024-01-21 日商Ｈｏｙａ股份有限公司 具多層反射膜基板、反射型遮罩基底、反射型遮罩之製造方法以及半導體裝置之製造方法
JP7250511B2 (ja) 2018-12-27 2023-04-03 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体装置の製造方法
DE102019100839B4 (de) * 2019-01-14 2024-11-14 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg Fotomaskenanordnung mit reflektierender fotomaske und verfahren zum herstellen einer reflektierenden fotomaske
JP7263872B2 (ja) 2019-03-25 2023-04-25 株式会社デンソー ドリルの製造方法
JP7350571B2 (ja) * 2019-08-30 2023-09-26 Hoya株式会社 導電膜付基板、反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体デバイスの製造方法
JP7271760B2 (ja) * 2020-03-27 2023-05-11 Hoya株式会社 多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、及び半導体デバイスの製造方法
KR102464780B1 (ko) * 2020-09-02 2022-11-09 주식회사 에스앤에스텍 도전막을 구비하는 블랭크마스크 및 이를 이용하여 제작된 포토마스크
JP7420027B2 (ja) * 2020-09-10 2024-01-23 信越化学工業株式会社 Ｅｕｖマスクブランク用多層反射膜付き基板、その製造方法及びｅｕｖマスクブランク
KR20220058424A (ko) * 2020-10-30 2022-05-09 에이지씨 가부시키가이샤 Euvl용 유리 기판, 및 euvl용 마스크 블랭크
US20220137500A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 AGC Inc. Glass substrate for euvl, and mask blank for euvl
WO2022176749A1 (ja) * 2021-02-16 2022-08-25 Ａｇｃ株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスク、およびそれらの製造方法
JP7589633B2 (ja) * 2021-04-19 2024-11-26 Ａｇｃ株式会社 多層反射膜付き基板の検査方法、及び反射型マスクブランクの製造方法
JP2025509018A (ja) * 2022-03-25 2025-04-11 フォトロニクス・インコーポレイテッド フォトマスク表面処理のためのシステム、方法、及びプログラム製品

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0696434A (ja) * 1992-07-31 1994-04-08 Sony Corp 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の評価方法
JPH0785463A (ja) * 1993-09-20 1995-03-31 A G Technol Kk 磁気ディスク
JPH10283626A (ja) * 1997-02-09 1998-10-23 Hoya Corp 磁気記録媒体及びその製造方法
JP2002288823A (ja) 2002-03-14 2002-10-04 Nippon Sheet Glass Co Ltd 情報記録媒体用基板の製造方法
JP2004199846A (ja) 2002-10-23 2004-07-15 Nippon Sheet Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板及びその製造方法
US7678511B2 (en) * 2006-01-12 2010-03-16 Asahi Glass Company, Limited Reflective-type mask blank for EUV lithography
JP2007272995A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Hoya Corp 磁気ディスク装置および非磁性基板の良否判定方法、磁気ディスク、並びに磁気ディスク装置
WO2008072706A1 (ja) 2006-12-15 2008-06-19 Asahi Glass Company, Limited Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランク、および該マスクブランク用の機能膜付基板
MY153605A (en) 2008-06-30 2015-02-27 Hoya Corp Substrate for magnetic disk and magnetic disk
JP5481299B2 (ja) 2010-07-22 2014-04-23 矢崎総業株式会社 導通検査治具の動作制御構造
JP5533395B2 (ja) * 2010-07-26 2014-06-25 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
DE112012000658T5 (de) 2011-02-04 2013-11-07 Asahi Glass Company, Limited Substrat mit leitendem Film, Substrat mit Mehrschicht-Reflexionsfilm und Reflexionsmaskenrohling für eine EUV-Lithographie
JP6125772B2 (ja) 2011-09-28 2017-05-10 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法
JP5950535B2 (ja) * 2011-10-25 2016-07-13 凸版印刷株式会社 反射型マスクブランクおよび反射型マスク
JP5949777B2 (ja) 2011-10-28 2016-07-13 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクの製造方法
KR102165129B1 (ko) * 2012-03-30 2020-10-13 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 투과형 마스크 블랭크, 투과형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015156034A5 (enExample)
JP2015133514A5 (enExample)
JP2016014898A5 (ja) マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランクの製造方法、透過型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP2016122684A5 (enExample)
JP2014157364A5 (ja) 透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法
JP2016048379A5 (ja) マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、透過型マスクブランクの製造方法、透過型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2013257593A5 (ja) 転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法
SG10201805079YA (en) Conductive film coated substrate, multilayer reflectivefilm coated substrate, reflective mask blank, reflectivemask, and semiconductor device manufacturing method
JP2013179270A5 (enExample)
JP2014186333A5 (ja) 透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法
JP2014534458A5 (enExample)
JP2019035947A5 (enExample)
JP2015164762A5 (enExample)
JP2015200883A5 (enExample)
JP2015088521A5 (enExample)
WO2015187390A3 (en) Scalable nucleic acid-based nanofabrication
SG11201903409SA (en) Reflective mask blank, method of manufacturing reflective mask and method of manufacturing semiconductor device
JP2017026701A5 (enExample)
JP2014145920A5 (ja) マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
JP2012256038A5 (enExample)
JP2015142083A5 (enExample)
JP2010039352A5 (enExample)
JP2015191218A5 (enExample)
JP2017037158A5 (enExample)
JP2014505369A5 (enExample)