JP2015200883A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015200883A5 JP2015200883A5 JP2015066348A JP2015066348A JP2015200883A5 JP 2015200883 A5 JP2015200883 A5 JP 2015200883A5 JP 2015066348 A JP2015066348 A JP 2015066348A JP 2015066348 A JP2015066348 A JP 2015066348A JP 2015200883 A5 JP2015200883 A5 JP 2015200883A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- mask
- mask blank
- blank according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 11
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015066348A JP6292581B2 (ja) | 2014-03-30 | 2015-03-27 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014070686 | 2014-03-30 | ||
| JP2014070686 | 2014-03-30 | ||
| JP2015066348A JP6292581B2 (ja) | 2014-03-30 | 2015-03-27 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018019173A Division JP6571224B2 (ja) | 2014-03-30 | 2018-02-06 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015200883A JP2015200883A (ja) | 2015-11-12 |
| JP2015200883A5 true JP2015200883A5 (enExample) | 2016-10-06 |
| JP6292581B2 JP6292581B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=54240447
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015066348A Active JP6292581B2 (ja) | 2014-03-30 | 2015-03-27 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2018019173A Active JP6571224B2 (ja) | 2014-03-30 | 2018-02-06 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018019173A Active JP6571224B2 (ja) | 2014-03-30 | 2018-02-06 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10261409B2 (enExample) |
| JP (2) | JP6292581B2 (enExample) |
| KR (2) | KR102366646B1 (enExample) |
| TW (2) | TWI673564B (enExample) |
| WO (1) | WO2015152124A1 (enExample) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6544943B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2019-07-17 | Hoya株式会社 | マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、位相シフトマスク、および半導体デバイスの製造方法 |
| JP6292581B2 (ja) * | 2014-03-30 | 2018-03-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6601245B2 (ja) * | 2015-03-04 | 2019-11-06 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 |
| JP6608613B2 (ja) * | 2015-05-12 | 2019-11-20 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6903878B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2021-07-14 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク |
| CN109643058B (zh) | 2016-08-26 | 2022-03-29 | Hoya株式会社 | 掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 |
| JP6642493B2 (ja) * | 2017-03-10 | 2020-02-05 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランク |
| WO2018181891A1 (ja) * | 2017-03-31 | 2018-10-04 | 凸版印刷株式会社 | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 |
| KR102592274B1 (ko) * | 2017-06-14 | 2023-10-23 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP6753375B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2020-09-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクブランクの製造方法及びフォトマスクの製造方法 |
| KR102743802B1 (ko) * | 2019-03-07 | 2024-12-18 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| JP7044095B2 (ja) * | 2019-05-31 | 2022-03-30 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| JP7154626B2 (ja) * | 2019-11-26 | 2022-10-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク、及び半導体デバイスの製造方法 |
| JP7329031B2 (ja) * | 2020-12-31 | 2023-08-17 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
| JP7329033B2 (ja) | 2020-12-31 | 2023-08-17 | エスケー エンパルス カンパニー リミテッド | ブランクマスク及びそれを用いたフォトマスク |
| KR102444967B1 (ko) * | 2021-04-29 | 2022-09-16 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102402742B1 (ko) * | 2021-04-30 | 2022-05-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 포토마스크 블랭크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102392332B1 (ko) * | 2021-06-08 | 2022-04-28 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR20240026914A (ko) * | 2021-06-29 | 2024-02-29 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크, 위상 시프트 마스크의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
| KR102465982B1 (ko) | 2021-07-13 | 2022-11-09 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102435818B1 (ko) * | 2021-09-03 | 2022-08-23 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102503790B1 (ko) * | 2021-10-07 | 2023-02-23 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102475672B1 (ko) * | 2021-11-03 | 2022-12-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
| KR102537003B1 (ko) | 2022-05-13 | 2023-05-26 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5685751A (en) * | 1979-12-14 | 1981-07-13 | Fujitsu Ltd | Photomask |
| JP2909317B2 (ja) * | 1992-08-20 | 1999-06-23 | 三菱電機株式会社 | フォトマスク |
| JP2001147516A (ja) * | 2000-11-27 | 2001-05-29 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びハーフトーン型位相シフトマスク |
| JP2003195479A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-09 | Hoya Corp | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク、及びハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 |
| JP3093632U (ja) * | 2002-03-01 | 2003-05-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | ハーフトーン型位相シフトマスクブランク |
| US7166392B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-01-23 | Hoya Corporation | Halftone type phase shift mask blank and halftone type phase shift mask |
| TWI227810B (en) * | 2002-12-26 | 2005-02-11 | Hoya Corp | Lithography mask blank |
| KR101511926B1 (ko) | 2003-04-09 | 2015-04-13 | 호야 가부시키가이샤 | 포토 마스크의 제조방법 및 포토 마스크 블랭크 |
| JP4443873B2 (ja) * | 2003-08-15 | 2010-03-31 | Ｈｏｙａ株式会社 | 位相シフトマスクの製造方法 |
| JP4933754B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2012-05-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 |
| EP1746460B1 (en) | 2005-07-21 | 2011-04-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Photomask blank, photomask and fabrication method thereof |
| JP4883278B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-02-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP4989800B2 (ja) * | 2008-09-27 | 2012-08-01 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| US20110159411A1 (en) * | 2009-12-30 | 2011-06-30 | Bennett Olson | Phase-shift photomask and patterning method |
| JP5704754B2 (ja) * | 2010-01-16 | 2015-04-22 | Hoya株式会社 | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 |
| JP5464186B2 (ja) * | 2011-09-07 | 2014-04-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法 |
| JP5286455B1 (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-11 | Ｈｏｙａ株式会社 | マスクブランク、転写用マスクおよびこれらの製造方法 |
| JP5739375B2 (ja) * | 2012-05-16 | 2015-06-24 | 信越化学工業株式会社 | ハーフトーン位相シフトマスクブランク及びハーフトーン位相シフトマスクの製造方法 |
| KR102190850B1 (ko) * | 2012-11-08 | 2020-12-14 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
| JP5882504B2 (ja) * | 2013-01-18 | 2016-03-09 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法 |
| WO2014127383A2 (en) | 2013-02-17 | 2014-08-21 | Zeliff Zachary Joseph | Stylus for capacitive touchscreen |
| JP6101646B2 (ja) * | 2013-02-26 | 2017-03-22 | Hoya株式会社 | 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、位相シフトマスク及びその製造方法、並びに表示装置の製造方法 |
| JP6292581B2 (ja) * | 2014-03-30 | 2018-03-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP6150299B2 (ja) * | 2014-03-30 | 2017-06-21 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-03-27 JP JP2015066348A patent/JP6292581B2/ja active Active
- 2015-03-30 KR KR1020217011252A patent/KR102366646B1/ko active Active
- 2015-03-30 TW TW107135331A patent/TWI673564B/zh active
- 2015-03-30 KR KR1020167030016A patent/KR102243419B1/ko active Active
- 2015-03-30 US US15/300,376 patent/US10261409B2/en active Active
- 2015-03-30 WO PCT/JP2015/059855 patent/WO2015152124A1/ja not_active Ceased
- 2015-03-30 TW TW104110322A patent/TWI640826B/zh active
-
2018
- 2018-02-06 JP JP2018019173A patent/JP6571224B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-22 US US16/282,699 patent/US11231645B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015200883A5 (enExample) | ||
| JP2015191218A5 (enExample) | ||
| JP2016164683A5 (enExample) | ||
| JP2013254206A5 (enExample) | ||
| JP6005530B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスクおよびこれらの製造方法 | |
| JP2016021075A5 (enExample) | ||
| JP2012078441A5 (enExample) | ||
| JP2016189002A5 (enExample) | ||
| JP2015092281A5 (enExample) | ||
| JP6153894B2 (ja) | マスクブランク、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2015222448A5 (enExample) | ||
| JP2011164598A5 (enExample) | ||
| JP2015212826A5 (enExample) | ||
| JP2014145920A5 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2009244752A5 (enExample) | ||
| JP2017049312A5 (enExample) | ||
| KR20160138247A (ko) | 마스크 블랭크, 전사용 마스크의 제조 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| TWI644168B (zh) | 遮罩基底、轉印用遮罩、轉印用遮罩之製造方法以及半導體元件之製造方法 | |
| JP2014137388A5 (enExample) | ||
| JP2005345737A5 (enExample) | ||
| EP2568335A3 (en) | Photomask blank, photomask, and making method | |
| JP2008209873A5 (enExample) | ||
| JP2011081356A5 (enExample) | ||
| JP2009265620A5 (enExample) | ||
| JP2017223890A5 (enExample) |