JP2016122684A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016122684A5 JP2016122684A5 JP2014260280A JP2014260280A JP2016122684A5 JP 2016122684 A5 JP2016122684 A5 JP 2016122684A5 JP 2014260280 A JP2014260280 A JP 2014260280A JP 2014260280 A JP2014260280 A JP 2014260280A JP 2016122684 A5 JP2016122684 A5 JP 2016122684A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- reflective mask
- less
- phase shift
- reflective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims 1
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014260280A JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
| KR1020237020102A KR102561655B1 (ko) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | 반사형 마스크 블랑크, 반사형 마스크, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR1020177020000A KR102545187B1 (ko) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조방법 |
| PCT/JP2015/085020 WO2016104239A1 (ja) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| US15/539,263 US10394113B2 (en) | 2014-12-24 | 2015-12-15 | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
| TW104143235A TWI682232B (zh) | 2014-12-24 | 2015-12-22 | 反射型光罩基底、反射型光罩及半導體裝置之製造方法 |
| TW108143988A TWI721681B (zh) | 2014-12-24 | 2015-12-22 | 反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 |
| US16/504,151 US10642149B2 (en) | 2014-12-24 | 2019-07-05 | Reflective mask blank, reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014260280A JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019048469A Division JP6678269B2 (ja) | 2019-03-15 | 2019-03-15 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016122684A JP2016122684A (ja) | 2016-07-07 |
| JP2016122684A5 true JP2016122684A5 (enExample) | 2018-01-25 |
| JP6499440B2 JP6499440B2 (ja) | 2019-04-10 |
Family
ID=56150264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014260280A Active JP6499440B2 (ja) | 2014-12-24 | 2014-12-24 | 反射型マスクブランク及び反射型マスク |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10394113B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6499440B2 (enExample) |
| KR (2) | KR102561655B1 (enExample) |
| TW (2) | TWI682232B (enExample) |
| WO (1) | WO2016104239A1 (enExample) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6740107B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2020-08-12 | Hoya株式会社 | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
| KR20240025717A (ko) | 2017-03-03 | 2024-02-27 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| JP6861095B2 (ja) | 2017-03-03 | 2021-04-21 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
| KR102402767B1 (ko) | 2017-12-21 | 2022-05-26 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법 |
| SG11202011370VA (en) | 2018-05-25 | 2020-12-30 | Hoya Corp | Reflective mask blank, reflective mask and manufacturing method thereof, and semiconductor device manufacturing method |
| TWI867651B (zh) * | 2018-05-25 | 2024-12-21 | 日商Hoya股份有限公司 | 反射型光罩基底、反射型光罩、及半導體裝置之製造方法 |
| TWI816568B (zh) * | 2018-11-30 | 2023-09-21 | 日商Hoya股份有限公司 | 光罩基底、光罩之製造方法及顯示裝置之製造方法 |
| JP6929340B2 (ja) | 2019-11-21 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法 |
| JP7280171B2 (ja) * | 2019-12-05 | 2023-05-23 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク |
| US11111176B1 (en) * | 2020-02-27 | 2021-09-07 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus of processing transparent substrates |
| JP7318565B2 (ja) * | 2020-03-03 | 2023-08-01 | 信越化学工業株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法 |
| JP6929983B1 (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクおよび反射型マスク、並びに半導体デバイスの製造方法 |
| KR20210155863A (ko) * | 2020-06-16 | 2021-12-24 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 리소그래피용 위상 반전 마스크 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
| US11940725B2 (en) * | 2021-01-27 | 2024-03-26 | S&S Tech Co., Ltd. | Phase shift blankmask and photomask for EUV lithography |
| WO2023112767A1 (ja) * | 2021-12-13 | 2023-06-22 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
| KR20250153856A (ko) | 2021-12-13 | 2025-10-27 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
| KR102762202B1 (ko) | 2022-07-05 | 2025-02-07 | 에이지씨 가부시키가이샤 | 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법 및 반사형 마스크의 제조 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997004360A1 (en) | 1995-07-19 | 1997-02-06 | Hoya Corporation | Phase shift mask blank and production method therefor |
| JP2004207593A (ja) | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 極限紫外線露光用マスク及びブランク並びにパターン転写方法 |
| JP4602430B2 (ja) * | 2008-03-03 | 2010-12-22 | 株式会社東芝 | 反射型マスク及びその作製方法 |
| KR101678228B1 (ko) * | 2008-05-09 | 2016-11-21 | 호야 가부시키가이샤 | 반사형 마스크, 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
| JP5282507B2 (ja) | 2008-09-25 | 2013-09-04 | 凸版印刷株式会社 | ハーフトーン型euvマスク、ハーフトーン型euvマスクの製造方法、ハーフトーン型euvマスクブランク及びパターン転写方法 |
| TWI654478B (zh) | 2012-03-28 | 2019-03-21 | 日商Hoya股份有限公司 | 透過型光罩基底、透過型光罩及半導體裝置之製造方法 |
| KR102190850B1 (ko) * | 2012-11-08 | 2020-12-14 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법 |
| SG10201605473TA (en) | 2012-12-28 | 2016-09-29 | Hoya Corp | Substrate for mask blank, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing for substrate for mask blank, method of manufacturing for substrate with multilayer reflective film, and method of manufacturing semiconductor device |
| JP6147514B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2017-06-14 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、および転写用マスクの製造方法 |
| WO2014129527A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法 |
-
2014
- 2014-12-24 JP JP2014260280A patent/JP6499440B2/ja active Active
-
2015
- 2015-12-15 US US15/539,263 patent/US10394113B2/en active Active
- 2015-12-15 WO PCT/JP2015/085020 patent/WO2016104239A1/ja not_active Ceased
- 2015-12-15 KR KR1020237020102A patent/KR102561655B1/ko active Active
- 2015-12-15 KR KR1020177020000A patent/KR102545187B1/ko active Active
- 2015-12-22 TW TW104143235A patent/TWI682232B/zh active
- 2015-12-22 TW TW108143988A patent/TWI721681B/zh active
-
2019
- 2019-07-05 US US16/504,151 patent/US10642149B2/en active Active
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2016122684A5 (enExample) | ||
| JP2015133514A5 (enExample) | ||
| JP2014186333A5 (ja) | 透過型マスクブランク、透過型マスク及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2016048379A5 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、透過型マスクブランクの製造方法、透過型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2013257593A5 (ja) | 転写用マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2017181571A5 (enExample) | ||
| JP2016014898A5 (ja) | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、透過型マスクブランクの製造方法、透過型マスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2015142083A5 (enExample) | ||
| JP2013179270A5 (enExample) | ||
| JP2014505369A5 (enExample) | ||
| JP2016189002A5 (enExample) | ||
| JP2015191218A5 (enExample) | ||
| TW201614362A (en) | Reflective mask blank, method for manufacturing same, reflective mask, method for manufacturing same, and method for manufacturing semiconductor device | |
| TWI568664B (zh) | 藉由嵌段共聚物的自我組裝設計微影特徵之方法 | |
| JP2010039352A5 (enExample) | ||
| JP2005345737A5 (enExample) | ||
| JP2013134435A5 (enExample) | ||
| SG11201906153SA (en) | Reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing same, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2014150124A5 (enExample) | ||
| WO2013113537A3 (en) | Optical element, lithographic apparatus incorporating such an element, method of manufacturing an optical element | |
| JP2018091889A5 (ja) | マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2017223890A5 (enExample) | ||
| JP2012113297A5 (enExample) | ||
| JP2017049312A5 (enExample) | ||
| JP2015212720A5 (enExample) |