JP2015079952A5 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015079952A5 JP2015079952A5 JP2014184839A JP2014184839A JP2015079952A5 JP 2015079952 A5 JP2015079952 A5 JP 2015079952A5 JP 2014184839 A JP2014184839 A JP 2014184839A JP 2014184839 A JP2014184839 A JP 2014184839A JP 2015079952 A5 JP2015079952 A5 JP 2015079952A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- transistor
- region
- film
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 7
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 claims 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
Claims (3)
- 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光素子と、を画素に有し、
前記第１のトランジスタは、前記画素への画像信号の入力を制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記画像信号に従って前記発光素子への電流の供給を制御する機能を有する発光装置であって、
第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第２のトランジスタのゲート電極としての機能を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方と電気的に接続されており、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜と重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜と電気的に接続されており、
前記第３の導電膜は、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方と電気的に接続されており、
前記第４の導電膜は、前記画像信号を前記画素に供給する機能を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体膜は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域において折れ曲がった形状を有し、
前記第１の導電膜は、前記半導体膜上方に配置され、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜上方に配置され、
前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜上方に配置され、
前記第４の導電膜は、前記第３の導電膜上方に配置され、
前記第２の導電膜と、前記第４の導電膜とは、同じ層に配置されている発光装置。 - 第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、発光素子と、を画素に有し、
前記第１のトランジスタは、前記画素への画像信号の入力を制御する機能を有し、
前記第２のトランジスタは、前記画像信号に従って前記発光素子への電流の供給を制御する機能を有する発光装置であって、
第１の導電膜と、第２の導電膜と、第３の導電膜と、第４の導電膜と、を有し、
前記第１の導電膜は、前記第２のトランジスタのゲート電極としての機能を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方と電気的に接続されており、
前記第１の導電膜は、前記第２の導電膜と重なる領域を有し、
前記第２の導電膜は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第３の導電膜は、前記第２の導電膜と電気的に接続されており、
前記第３の導電膜は、前記第４の導電膜と重なる領域を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方と電気的に接続されており、
前記第４の導電膜は、前記画像信号を前記画素に供給する機能を有し、
前記第４の導電膜は、前記第１のトランジスタのチャネル形成領域と重なる領域を有し、
前記第２のトランジスタのチャネル形成領域を有する半導体膜は、前記第２のトランジスタのチャネル形成領域において折れ曲がった形状を有し、
前記第１の導電膜は、前記半導体膜上方に配置され、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜上方に配置され、
前記第２の導電膜は、前記第３の導電膜上方に配置され、
前記第４の導電膜は、前記第３の導電膜上方に配置され、
前記第２の導電膜と、前記第４の導電膜とは、同じ層に配置されている発光装置。 - 請求項１または請求項２において、
前記半導体膜は、チャネル幅に対する前記半導体膜の膜厚の比が０．０５以上１０以下の領域を有する発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014184839A JP6345553B2 (ja) | 2013-09-13 | 2014-09-11 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013190275 | 2013-09-13 | ||
| JP2013190275 | 2013-09-13 | ||
| JP2014184839A JP6345553B2 (ja) | 2013-09-13 | 2014-09-11 | 発光装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018098378A Division JP6697025B2 (ja) | 2013-09-13 | 2018-05-23 | 発光装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015079952A JP2015079952A (ja) | 2015-04-23 |
| JP2015079952A5 true JP2015079952A5 (ja) | 2017-10-19 |
| JP6345553B2 JP6345553B2 (ja) | 2018-06-20 |
Family
ID=52665785
Family Applications (7)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014184839A Active JP6345553B2 (ja) | 2013-09-13 | 2014-09-11 | 発光装置 |
| JP2018098378A Expired - Fee Related JP6697025B2 (ja) | 2013-09-13 | 2018-05-23 | 発光装置 |
| JP2020076489A Active JP7012775B2 (ja) | 2013-09-13 | 2020-04-23 | 発光装置 |
| JP2022005796A Active JP7266720B2 (ja) | 2013-09-13 | 2022-01-18 | 発光装置 |
| JP2023067568A Active JP7316476B2 (ja) | 2013-09-13 | 2023-04-18 | 発光装置 |
| JP2023115617A Active JP7342300B1 (ja) | 2013-09-13 | 2023-07-14 | 発光装置 |
| JP2023139950A Pending JP2023164487A (ja) | 2013-09-13 | 2023-08-30 | 発光装置 |
Family Applications After (6)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018098378A Expired - Fee Related JP6697025B2 (ja) | 2013-09-13 | 2018-05-23 | 発光装置 |
| JP2020076489A Active JP7012775B2 (ja) | 2013-09-13 | 2020-04-23 | 発光装置 |
| JP2022005796A Active JP7266720B2 (ja) | 2013-09-13 | 2022-01-18 | 発光装置 |
| JP2023067568A Active JP7316476B2 (ja) | 2013-09-13 | 2023-04-18 | 発光装置 |
| JP2023115617A Active JP7342300B1 (ja) | 2013-09-13 | 2023-07-14 | 発光装置 |
| JP2023139950A Pending JP2023164487A (ja) | 2013-09-13 | 2023-08-30 | 発光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US9680026B2 (ja) |
| JP (7) | JP6345553B2 (ja) |
| KR (4) | KR102304337B1 (ja) |
| TW (4) | TWI700814B (ja) |
| WO (1) | WO2015037686A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10186618B2 (en) | 2015-03-18 | 2019-01-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| TWI695513B (zh) | 2015-03-27 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及電子裝置 |
| US10622318B2 (en) | 2017-04-26 | 2020-04-14 | Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. | Semiconductor package device and method of manufacturing the same |
Family Cites Families (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03250770A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-08 | Sony Corp | 半導体装置 |
| KR950013784B1 (ko) * | 1990-11-20 | 1995-11-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터 |
| US5807772A (en) * | 1992-06-09 | 1998-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming semiconductor device with bottom gate connected to source or drain |
| JPH065856A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-14 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
| JP4540776B2 (ja) * | 1998-11-02 | 2010-09-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置および電子機器 |
| US6274887B1 (en) | 1998-11-02 | 2001-08-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method therefor |
| JP4549475B2 (ja) * | 1999-02-12 | 2010-09-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電子機器、および半導体装置の作製方法 |
| US6777716B1 (en) | 1999-02-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and method of manufacturing therefor |
| JP2001196594A (ja) | 1999-08-31 | 2001-07-19 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ、液晶表示用基板及びその製造方法 |
| US6509616B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
| JP4925528B2 (ja) | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| US6642085B1 (en) * | 2000-11-03 | 2003-11-04 | The Regents Of The University Of California | Thin film transistors on plastic substrates with reflective coatings for radiation protection |
| JP2002196701A (ja) | 2000-12-22 | 2002-07-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の駆動回路及び表示装置の駆動方法 |
| JP2002358031A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその駆動方法 |
| JP4149168B2 (ja) | 2001-11-09 | 2008-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US6847050B2 (en) | 2002-03-15 | 2005-01-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and semiconductor device comprising the same |
| JP4141292B2 (ja) | 2002-03-15 | 2008-08-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US7358121B2 (en) | 2002-08-23 | 2008-04-15 | Intel Corporation | Tri-gate devices and methods of fabrication |
| US7612749B2 (en) * | 2003-03-04 | 2009-11-03 | Chi Mei Optoelectronics Corporation | Driving circuits for displays |
| EP1607931B1 (en) | 2003-03-26 | 2014-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Device substrate and light-emitting device |
| JP4174737B2 (ja) | 2003-03-26 | 2008-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び素子基板 |
| JP4425571B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2010-03-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び素子基板 |
| US8552933B2 (en) | 2003-06-30 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and driving method of the same |
| JP4675584B2 (ja) | 2003-06-30 | 2011-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の駆動方法 |
| CN1871711B (zh) | 2003-10-28 | 2011-12-07 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示器件及其制造方法,以及电视接收机 |
| JP4986391B2 (ja) | 2003-10-28 | 2012-07-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
| KR100642491B1 (ko) | 2003-12-26 | 2006-11-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| US20060166415A1 (en) * | 2004-06-07 | 2006-07-27 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Two-transistor tri-state inverter |
| KR100682892B1 (ko) * | 2004-09-25 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터의 제조방법 |
| JP4679437B2 (ja) * | 2005-06-02 | 2011-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| US7608490B2 (en) | 2005-06-02 | 2009-10-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP4926426B2 (ja) | 2005-08-12 | 2012-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
| JP2008071922A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | Ｘｏｒゲート |
| JP2009151293A (ja) | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法、並びに電子機器 |
| JP2009206306A (ja) | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び電気光学装置の製造方法 |
| JP5364422B2 (ja) | 2008-04-17 | 2013-12-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| JP4582195B2 (ja) | 2008-05-29 | 2010-11-17 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| KR101547326B1 (ko) * | 2008-12-04 | 2015-08-26 | 삼성전자주식회사 | 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| JP5540503B2 (ja) | 2008-12-25 | 2014-07-02 | カシオ計算機株式会社 | 電子機器の製造方法及び短絡体 |
| KR101073301B1 (ko) | 2009-07-15 | 2011-10-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| JP2011071476A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-04-07 | Canon Inc | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いた表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR101835748B1 (ko) * | 2009-10-09 | 2018-03-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 표시 장치 및 이를 포함한 전자 기기 |
| KR102581069B1 (ko) * | 2010-02-05 | 2023-09-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| KR101732988B1 (ko) * | 2010-05-20 | 2017-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
| US8779433B2 (en) * | 2010-06-04 | 2014-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2012019120A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Casio Comput Co Ltd | トランジスタ構造体、トランジスタ構造体の製造方法及び発光装置 |
| KR101272373B1 (ko) | 2010-07-09 | 2013-06-07 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 트랜지스터 구조체 및 발광 장치 |
| US8575610B2 (en) | 2010-09-02 | 2013-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for driving the same |
| JP2012059757A (ja) | 2010-09-06 | 2012-03-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置、および電子機器 |
| JP5136616B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2013-02-06 | カシオ計算機株式会社 | トランジスタ構造体、トランジスタ構造体の製造方法及び発光装置 |
| TW201218367A (en) | 2010-09-14 | 2012-05-01 | Casio Computer Co Ltd | Transistor structure, manufacturing method of transistor structure, and light emitting apparatus |
| WO2012038999A1 (ja) * | 2010-09-21 | 2012-03-29 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
| WO2012042567A1 (ja) | 2010-09-29 | 2012-04-05 | パナソニック株式会社 | Ｅｌ表示パネル、ｅｌ表示装置及びｅｌ表示パネルの製造方法 |
| CN102130009B (zh) * | 2010-12-01 | 2012-12-05 | 北京大学深圳研究生院 | 一种晶体管的制造方法 |
| US8928010B2 (en) | 2011-02-25 | 2015-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9099437B2 (en) * | 2011-03-08 | 2015-08-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| TWI582999B (zh) | 2011-03-25 | 2017-05-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 場效電晶體及包含該場效電晶體之記憶體與半導體電路 |
| KR101899477B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2018-09-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 |
| TWI569446B (zh) | 2011-12-23 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體元件、半導體元件的製造方法、及包含半導體元件的半導體裝置 |
| KR102103913B1 (ko) | 2012-01-10 | 2020-04-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
| US8969867B2 (en) | 2012-01-18 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9029863B2 (en) | 2012-04-20 | 2015-05-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| US10535735B2 (en) * | 2012-06-29 | 2020-01-14 | Intel Corporation | Contact resistance reduced P-MOS transistors employing Ge-rich contact layer |
| CN108493253B (zh) | 2012-11-30 | 2023-04-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
-
2014
- 2014-09-05 KR KR1020217008897A patent/KR102304337B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-05 US US14/391,024 patent/US9680026B2/en active Active
- 2014-09-05 WO PCT/JP2014/074155 patent/WO2015037686A1/en active Application Filing
- 2014-09-05 KR KR1020227007793A patent/KR102446991B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-05 KR KR1020217029653A patent/KR102373901B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-05 KR KR1020167005736A patent/KR102234236B1/ko active IP Right Grant
- 2014-09-11 TW TW108104251A patent/TWI700814B/zh active
- 2014-09-11 TW TW103131370A patent/TWI657564B/zh not_active IP Right Cessation
- 2014-09-11 TW TW110127444A patent/TWI796742B/zh active
- 2014-09-11 TW TW109124054A patent/TWI736362B/zh active
- 2014-09-11 JP JP2014184839A patent/JP6345553B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-06 US US15/614,694 patent/US10797179B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-23 JP JP2018098378A patent/JP6697025B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2020
- 2020-04-23 JP JP2020076489A patent/JP7012775B2/ja active Active
- 2020-10-05 US US17/062,697 patent/US11508852B2/en active Active
-
2022
- 2022-01-18 JP JP2022005796A patent/JP7266720B2/ja active Active
- 2022-11-08 US US17/982,566 patent/US11869977B2/en active Active
-
2023
- 2023-04-18 JP JP2023067568A patent/JP7316476B2/ja active Active
- 2023-07-14 JP JP2023115617A patent/JP7342300B1/ja active Active
- 2023-08-30 JP JP2023139950A patent/JP2023164487A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017005258A5 (ja) | ||
| JP2017041458A5 (ja) | ||
| JP2017116927A5 (ja) | ||
| JP2015018264A5 (ja) | ||
| JP2016036043A5 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
| JP2013190804A5 (ja) | ||
| JP2015188059A5 (ja) | ||
| JP2013058484A5 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JP2015072485A5 (ja) | 発光装置または電子機器 | |
| JP2014197211A5 (ja) | ||
| JP2015128163A5 (ja) | ||
| JP2017123337A5 (ja) | ||
| JP2017076622A5 (ja) | Ｅｌ表示装置 | |
| JP2014150273A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013231986A5 (ja) | 表示装置 | |
| JP2016034040A5 (ja) | 表示装置 | |
| JP2013077814A5 (ja) | 発光装置 | |
| JP2014157357A5 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP2015073101A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2017085114A5 (ja) | ||
| JP2012238028A5 (ja) | 発光装置の駆動方法 | |
| JP2015130487A5 (ja) | ||
| JP2015053477A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013127632A5 (ja) | 電子装置 | |
| JP2015034979A5 (ja) | 表示装置 |