JP2015079952A - 半導体装置 - Google Patents
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-
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- G02—OPTICS
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Abstract
【解決手段】第1ゲート電極と、上記第1ゲート電極上の第1絶縁膜と、チャネル形成領域及び上記チャネル形成領域を間に挟んで位置する一対の不純物領域を有し、なおかつ、上記第1絶縁膜を間に挟んで上記チャネル形成領域が上記第1ゲート電極と重なる半導体膜と、上記チャネル形成領域における上記半導体膜の側部及び上部を覆う第2絶縁膜と、上記第2絶縁膜を間に挟んで、上記チャネル形成領域における上記半導体膜の側部及び上部と重なる第2ゲート電極と、一対の上記不純物領域における上記半導体膜の側部及び上部にそれぞれ接する、ソース電極及びドレイン電極と、を有する半導体装置。
【選択図】図1
Description
図1に、本発明の一態様にかかる半導体装置が有するトランジスタ10の構成を、一例として示す。図1(A)に、トランジスタ10の平面図を示す。なお、図1(A)では、トランジスタ10のレイアウトを明確にするために、各種の絶縁膜を省略している。また、図1(B)に、図1(A)に示すトランジスタ10の回路図記号を示す。また、図1(A)に示した平面図の、破線A1−A2における断面図を図1(C)に示し、破線B1−B2における断面図を図1(D)に示す。
次いで、図2に、本発明の一態様にかかる半導体装置が有するトランジスタ10の、図1とは異なる構成の一例を示す。図2(A)に、トランジスタ10の平面図を示す。なお、図2(A)では、トランジスタ10のレイアウトを明確にするために、各種の絶縁膜を省略している。また、図2(B)に、図2(A)示すトランジスタ10の回路図記号を示す。また、図2(A)に示した平面図の、破線A1−A2における断面図を図2(C)に示し、破線B1−B2における断面図を図2(D)に示す。
なお、図1及び図2に示すトランジスタ10では、ソース電極またはドレイン電極として機能する導電膜14及び導電膜15が絶縁膜16上に設けられており、絶縁膜16が有する開口部において、導電膜14及び導電膜15が不純物領域12b及び不純物領域12cとそれぞれ接続されている場合を例示している。本発明の一態様にかかるトランジスタ10は、導電膜14及び導電膜15上に絶縁膜16が設けられていても良い。
なお、図2及び図4に示すトランジスタ10では、導電膜17が導電膜20に接続されている場合を例示している。本発明の一態様にかかるトランジスタ10は、導電膜17と導電膜20とが電気的に分離していても良い。
次いで、導電膜17と同じ層に、導電膜20と電気的に接続された導電膜が設けられた、トランジスタ10の構成を、図6に一例として示す。図6(A)に、トランジスタ10の平面図を示す。なお、図6(A)では、トランジスタ10のレイアウトを明確にするために、各種の絶縁膜を省略している。また、図6(B)に、図6(A)示すトランジスタ10の回路図記号を示す。また、図6(A)に示した平面図の、破線A1−A2における断面図を図6(C)に示し、破線B1−B2における断面図を図6(D)に示す。
なお、図2に示すトランジスタ10では、半導体膜12を間に挟んで向かい合う位置に設けられた、開口部22及び開口部23において、導電膜17が導電膜20に接続されている場合を例示している。本発明の一態様にかかるトランジスタ10は、半導体膜12の片側に存在する開口部において、導電膜17が導電膜20に接続されていても良い。
次いで、図2で示したトランジスタ10が複数直列に接続されている場合の、複数のトランジスタ10の平面図を、図8に一例として示す。
次いで、図2に示すトランジスタ10と同じ構造を有し、なおかつnチャネル型であるトランジスタ10Nと、図2に示すトランジスタ10と同じ構造を有し、なおかつpチャネル型であるトランジスタ10Pとを例に挙げて、トランジスタ10の具体的な作製方法について、図10乃至図13を用いて説明する。なお、図10乃至図13では、トランジスタ10Pが形成される領域の、チャネル長方向における断面図を破線C1−C2の範囲内に示し、トランジスタ10Nが形成される領域の、チャネル長方向における断面図を破線C3−C4の範囲内に示し、チャネル幅方向における断面図を破線C5−C6の範囲内に示す。
次いで、本発明の半導体装置の一形態に相当する、半導体表示装置の構成例について説明する。
次いで、図14(A)に示した半導体表示装置70の一つである発光装置を例に挙げて、画素55の構成例について説明する。図15に、図14(C)に示した画素55の上面図を、一例として示す。なお、図15では、画素55のレイアウトを明確にするために、各種の絶縁膜と、発光素子98とを省略している。
図16に、本発明の半導体装置の一形態に相当する、発光装置の画素部の断面構造を一例として示す。
次いで、図1乃至図7に示すトランジスタ10を用いた、順序回路の構成例について説明する。
次いで、図17に示した順序回路80を用いた信号線駆動回路の構成を、図18に一例としてブロック図で示す。なお、ブロック図では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとして示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。
図20は、本発明の半導体装置の一形態に相当する、発光装置の外観の一例を示す、斜視図である。図20に示す発光装置は、パネル1601と、コントローラ、電源回路、画像処理回路、画像メモリ、CPUなどが設けられた回路基板1602と、接続部1603とを有している。パネル1601は、画素が複数設けられた画素部1604と、複数の画素を行ごとに選択する駆動回路1605と、選択された行内の画素への画像信号Sigの供給を制御する駆動回路1606とを有する。
本発明の一態様に係る半導体装置は、表示装置、ノート型パーソナルコンピュータ、記録媒体を備えた画像再生装置(代表的にはDVD:Digital Versatile Disc等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを有する装置)に用いることができる。その他に、本発明の一態様に係る半導体装置を用いることができる電子機器として、携帯電話、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、自動販売機などが挙げられる。これら電子機器の具体例を図21に示す。
2 構成例
3 構成例
4 構成例
5 構成例
6 構成例
7 構成例
10 トランジスタ
10a トランジスタ
10b トランジスタ
10c トランジスタ
10N トランジスタ
10P トランジスタ
11 基板
12 半導体膜
12a チャネル形成領域
12b 不純物領域
12c 不純物領域
13 絶縁膜
13a 絶縁膜
13c 絶縁膜
14 導電膜
15 導電膜
16 絶縁膜
17 導電膜
17a 導電膜
17b 導電膜
17c 導電膜
18 開口部
18a 開口部
18b 開口部
18c 開口部
19 開口部
19a 開口部
19b 開口部
19c 開口部
20 導電膜
21 絶縁膜
22 開口部
23 開口部
24 導電膜
25 開口部
26 導電膜
27 導電膜
28 開口部
29 開口部
30 導電膜
31 導電膜
32 導電膜
33 導電膜
40 NAND
42 トランジスタ
43 発光素子
44 バッファ
45 バッファ
46 インバータ
47 トランスミッションゲート
48 NAND
50 バッファ
55 画素
56 トランジスタ
57 容量素子
60 液晶素子
70 半導体表示装置
71 画素部
72 走査線駆動回路
73 信号線駆動回路
74 配線
75 配線
76 配線
77 配線
78 配線
79 配線
80 順序回路
81 トランジスタ
82 トランジスタ
83 トランジスタ
84 トランジスタ
85 トランジスタ
86 トランジスタ
87 トランジスタ
88 トランジスタ
89 トランジスタ
90 トランジスタ
95 トランジスタ
96 トランジスタ
97 容量素子
98 発光素子
300 基板
301 絶縁膜
302 導電膜
303 導電膜
304 絶縁膜
305 半導体膜
306 半導体膜
307 半導体膜
308 絶縁膜
309 導電膜
310 導電膜
311 レジスト
312 不純物領域
313 レジスト
314 不純物領域
320 絶縁膜
321 導電膜
322 導電膜
400 基板
404 導電膜
420 絶縁膜
424 導電膜
425 絶縁膜
426 絶縁膜
427 EL層
428 導電膜
430 基板
431 遮蔽膜
432 着色層
501 導電膜
502 半導体膜
503 導電膜
504 導電膜
505 導電膜
506 導電膜
507 半導体膜
508 導電膜
509 導電膜
510 導電膜
511 導電膜
1601 パネル
1602 回路基板
1603 接続部
1604 画素部
1605 駆動回路
1606 駆動回路
5001 筐体
5002 表示部
5003 支持台
5101 筐体
5102 表示部
5103 操作キー
5301 筐体
5302 筐体
5303 表示部
5304 表示部
5305 マイクロホン
5306 スピーカー
5307 操作キー
5308 スタイラス
5601 筐体
5602 表示部
5701 筐体
5702 表示部
5901 筐体
5902 表示部
5903 カメラ
5904 スピーカー
5905 ボタン
5906 外部接続部
5907 マイク
Claims (5)
- チャネル形成領域及び前記チャネル形成領域を間に挟んで位置する一対の不純物領域を有する半導体膜と、
前記チャネル形成領域における前記半導体膜の側部及び上部を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜を間に挟んで、前記チャネル形成領域における前記半導体膜の側部及び上部と重なるゲート電極と、
一対の前記不純物領域における前記半導体膜の側部及び上部にそれぞれ接する、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記半導体膜のアスペクト比は、0.05以上10以下であり、
前記アスペクト比は、前記半導体膜の底面の短辺の長さに対する前記半導体膜の膜厚の比であることを特徴とする半導体装置。 - 第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極を覆う第1絶縁膜と、
チャネル形成領域及び前記チャネル形成領域を間に挟んで位置する一対の不純物領域を有し、なおかつ、前記第1絶縁膜を間に挟んで前記チャネル形成領域が前記第1ゲート電極と重なる半導体膜と、
前記チャネル形成領域における前記半導体膜の側部及び上部を覆う第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜を間に挟んで、前記チャネル形成領域における前記半導体膜の側部及び上部と重なる第2ゲート電極と、
一対の前記不純物領域における前記半導体膜の側部及び上部にそれぞれ接する、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記半導体膜のアスペクト比は、0.05以上10以下であり、
前記アスペクト比は、前記半導体膜の底面の短辺の長さに対する前記半導体膜の膜厚の比であることを特徴とする半導体装置。 - 第1ゲート電極と、
前記第1ゲート電極を覆う第1絶縁膜と、
チャネル形成領域及び前記チャネル形成領域を間に挟んで位置する一対の不純物領域を有し、なおかつ、前記第1絶縁膜を間に挟んで前記チャネル形成領域が前記第1ゲート電極と重なる半導体膜と、
前記チャネル形成領域における前記半導体膜の側部及び上部を覆う第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜を間に挟んで、前記チャネル形成領域における前記半導体膜の側部及び上部と重なり、なおかつ、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜が有する開口部において前記第1ゲート電極と電気的に接続されている第2ゲート電極と、
一対の前記不純物領域における前記半導体膜の側部及び上部にそれぞれ接する、ソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記半導体膜のアスペクト比は、0.05以上10以下であり、
前記アスペクト比は、前記半導体膜の底面の短辺の長さに対する前記半導体膜の膜厚の比であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか1項において、
前記半導体膜は、シリコン、若しくは、シリコン及びゲルマニウムを含む半導体装置。 - 請求項4において、
前記半導体膜が結晶性を有する半導体装置。
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