JP2006093715A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に非晶質シリコン層30を形成する段階、非晶質シリコン層をパターニングしてソース領域32、ドレイン領域34およびそれらの間に介在される複数のチャンネル36を形成する段階、複数のチャンネルをアニーリングする段階、複数のチャンネル上にゲート酸化膜40およびゲート電極50を順次に形成する段階、ソース領域およびドレイン領域に導電性不純物をドーピングする段階を含むTFTの製造方法。
【選択図】図1C
Description
TFTにおいてチャンネルは、ソース/ドレインにドーピングされる不純物によってn型とp型とに区分される。例えば、p型の場合、ドープ剤がホウ素(B)であり、n型の場合、ドープ剤が燐(P)や砒素(As)である。
このような古典的なTFTは、ソースとドレインとの間に単チャンネル領域が形成された構造を有する。
従来のFinFET構造のTFTを製造するためには、必然的にSOI(Silicon On Insulator)基板に対して薄膜プロセスを施さねばならなかった。これは、FinFET構造のTFTでは微細な幅のシリコンでチャンネルが形成され、チャンネルを通じた電子の高い移動度を確保するためには、チャンネルの形成材料として単結晶シリコン層を使用する必要があるからである。すなわち、微細な幅を有するチャンネルの形成材料として単結晶シリコン層を使用しなければ、チャンネルの電気的特性が低下し、駆動電圧およびスレショルド電圧が高くなる恐れがある。SOI基板は、絶縁膜上にシリコン単結晶層が形成された構造を有する。しかし、SOI基板が高価であるために、FinFET構造のTFTの製造コストが高くなるという問題がある。
図1Aないし図1Gは、本発明の一実施形態によるTFTの製造方法を示す説明図である。
元素イオンをドーピングした後、ドーピング領域を活性化させるためにソース33およびドレイン35の領域がアニーリングされる。このアニーリングは、低温炉またはレーザービームにより行われる。
20 バッファ層
30 非晶質シリコン層
32,33 ソース
34,35 ドレイン
36,37 チャンネル
40 ゲート酸化膜
50 ゲート電極
Claims (21)
- 基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
前記非晶質シリコン層をパターニングしてソース領域とドレイン領域、およびそれらの間に複数のチャンネルを形成する段階と、
前記複数のチャンネルをアニーリングする段階と、
前記複数のチャンネル上にゲート酸化膜およびゲート電極を順次に形成する段階と、
前記ソース領域およびドレイン領域に所定の不純物をドーピングする段階と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記アニーリングは、レーザービームにより行われることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記レーザービームのエネルギー密度は、200mJ/cm2ないし2000mJ/cm2の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記レーザービームのエネルギー密度は、800mJ/cm2であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース領域とドレイン領域とをレーザービームでアニーリングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記複数チャンネルの一部に所定の不純物をドーピングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記非晶質シリコン層は、1nmないし1000nmの範囲の厚さに形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記複数チャンネルの各々は、1nmないし5000nmの範囲の幅に形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記複数チャンネルの各々において、その幅に対する厚さの比率は、0.0002ないし1000の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記複数チャンネル各々において、その幅に対する厚さの比率が、0.1ないし10の範囲であることを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース領域とドレイン領域とは、10nmないし10000nmの範囲の間隔だけ相互に離隔されて形成されることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記基板は、SiO2またはSiNで形成されたバッファ層を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 絶縁層を有する基板を準備する段階と、
前記絶縁層上にポリシリコン層を形成する段階と、
前記ポリシリコン層をパターニングしてソース、ドレインおよびそれらの間に少なくとも2つのチャンネルを形成する段階と、
前記チャンネルを結晶化する段階と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記チャンネルを結晶化する段階は、
前記ソースおよび前記ドレインを除く、前記チャンネルそれぞれの中央領域にレーザーを照射して、前記チャンネルを結晶化することを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記チャンネルを結晶化する段階は、
前記ソース、前記ドレインおよび前記チャンネルにいずれもレーザーを照射して前記チャンネルを結晶化することを特徴とする請求項15に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 絶縁基板上に、幅より大きい厚さを有するポリシリコンフィンを形成する段階と、
前記ポリシリコンフィンの中央部を結晶化する段階と、
前記ポリシリコンフィンの結晶化された中央部上にゲート要素を形成する段階と、を含むことを特徴とするFinFETトランジスタの製造方法。 - 前記ポリシリコンフィンの中央部を結晶化する段階は、
前記ポリシリコンフィンの中央部をレーザーで加熱して前記ポリシリコンフィンの中央部を結晶化することを特徴とする請求項18に記載のFinFETトランジスタの製造方法。 - 前記ポリシリコンフィンの結晶化されていない部分に所定の不純物をドーピングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項18に記載のFinFETトランジスタの製造方法。
- 前記ポリシリコンフィンの結晶化されていない部分に所定の不純物をドーピングする段階は、
前記ポリシリコンフィンの結晶化された中央部を覆う前記ゲート要素をマスクとして利用し、前記ゲート要素により覆われていないポリシリコンフィンの部分に所定の不純物をドーピングすることを特徴とする請求項20に記載のFinFETトランジスタの製造方法。
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