JP2015026828A5 - - Google Patents

Claims (4)

1. Ｘ線又はガンマ線を用いて画像を取得する撮像装置であって、
   受光素子と、
   前記受光素子と電気的に接続された回路部と、を有し、
   前記回路部は、トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、
   絶縁表面上のゲート電極と、
   前記ゲート電極上に第１の絶縁膜、第２の絶縁膜の順で積層されたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上の前記ゲート電極と重なる酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層の一部と接するソース電極層およびドレイン電極層と、
   前記酸化物半導体層、前記ソース電極層および前記ドレイン電極層上の絶縁層と、を有し、
   前記第１の絶縁膜は窒化珪素膜であり、
   前記第２の絶縁膜は酸化珪素膜または酸化窒化珪素膜であり、
   前記第１の絶縁膜の膜厚は１００ｎｍ乃至４００ｎｍであり、
   前記第２の絶縁膜の膜厚は５ｎｍ乃至２０ｎｍであることを特徴とする撮像装置。
2. 請求項１において、
   前記受光素子および前記回路部上にシンチレータを有することを特徴とする撮像装置。
3. 請求項１または２において、
   前記受光素子は、フォトダイオードであることを特徴とする撮像装置。
4. 請求項１または２において、
   前記受光素子は、一対の電極間に半導体層を有する可変抵抗素子であることを特徴とする撮像装置。