JP2014532988A - 低ｋ及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ - Google Patents

低ｋ及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ Download PDF

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Abstract

低ｋ及び他の誘電体膜のエッチングのための方法及び処理チャンバが記載される。例えば、この方法は、プラズマ処理によって低ｋ誘電体層の部分を改質する工程を含む。低ｋ誘電体層の改質された部分は、マスク層及び低ｋ誘電体層の未改質部分の上で選択的にエッチングされる。異なるプラズマを交互に生成するための複数のチャンバ領域を有するエッチングチャンバが記載される。実施形態では、第１電荷結合プラズマ源が、ある動作モードにおいてワークピースへイオン束を生成するために設けられ、一方、二次プラズマ源が、別の動作モードにおいてワークピースに顕著なイオン束なしで反応種束を提供するために設けられる。コントローラは、誘電体材料の所望の累積量を除去するために時間をかけて動作モードを繰り返し循環するように操作する。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、「低Ｋ及びその他の誘電体膜をエッチングするための処理チャンバ」と題され、２０１１年１０月２７日に出願された米国仮出願第６１／５５２，１８３号の利益を主張し、その内容のすべてをすべての目的のために参照によりここに援用する。
本発明の実施形態は、マイクロ電子デバイス処理の分野に関し、特に低ｋ誘電体膜のプラズマエッチングに関する。
従来の技術の説明
半導体製造においては、低ｋ誘電体は二酸化ケイ素に対して小さな誘電率を有する材料である。低ｋ誘電体材料の実装は、マイクロ電子デバイスの継続的なスケーリングを可能にするために使用されるいくつかの戦略のうちの一つである。デジタル回路では、絶縁誘電体は、導電性部品（例えば、ワイヤ相互接続及びトランジスタ）を互いから絶縁する。構成要素がスケーリングされ、トランジスタが互いにより近くに移動するにつれて、絶縁性誘電体は、電荷の蓄積及びクロストークがデバイスの性能に悪影響を与える点まで薄くなってきている。二酸化ケイ素を同じ厚さの低ｋ誘電体と交換することによって寄生容量が低減し、より速いスイッチング速度とより低い熱放散を可能にする。
しかしながら、このような膜の処理、特にこのような膜のエッチングは、材料に損傷を与える及び／又は材料を不安定にする又はそうでなくともデバイス製造のために不適当にすることが見出されているので、低ｋ誘電体処理技術の発展には大幅な改善が必要とされる。
本発明の実施形態は、添付図面の図において、限定ではなく例として示される。
本発明の一実施形態に係る、単一のプラズマエッチングチャンバで低ｋ誘電体膜をエッチングするためのマルチ動作モードエッチング処理を示すフロー図である。 本発明の一実施形態に係る、エッチングチャンバが、図１に示されるエッチング処理によって利用される複数のモードで動作することができる方法を更に示すフロー図である。 〜 本発明の一実施形態に係る、処理に曝される典型的なワークピースへのマルチ動作モードエッチング処理１００の方法の作用を表す断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されるマルチ動作モードエッチング処理を実行する１以上のエッチングチャンバを含むように構成することができるマルチチャンバ処理プラットホームの平面図である。 一実施形態に係る、図１に示されたマルチ動作モードエッチング処理を実行するために、エッチングチャンバ内で利用することができるデュアルゾーンシャワーヘッドの切り欠き斜視図を示す。 本発明の実施形態に係る、図５Ａの切り欠き斜視図の拡大された部分を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の改質操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理のエッチング操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の堆積操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の改質操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の改質操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理のエッチング操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の堆積操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の改質操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理のエッチング操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の堆積操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。 一実施形態に係る、図１に示された様々な操作を実行するように構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。
詳細な説明
概して、本明細書内に記載されるプラズマエッチング方法の実施形態は、低ｋ（及び他の誘電体）材料をエッチングし、エッチングされた膜の残りの部分を良好な状態で残すために損傷機構を利用する。本明細書内に記載されるプラズマエッチング方法の実施形態は、周期的に少なくとも２つの別個のプラズマベースの操作を真空中で（すなわち、真空を破ることなく）行い、好ましくは、最大スループットの利点のために同じチャンバ内で行う。これらの操作のうちの１つの間に、異方性（指向性）プラズマは、エッチングされる誘電体膜の一部のバルク構造及び／又は組成を改質し、これによって二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）又はシリコン亜酸化物（ＳｉＯｘ）のようにする。この膜改質操作は、第１プラズマ条件で誘電体膜の一部に制御可能にかつ選択的に損傷を与えるものとして概念化することができる。これらの操作のうちの第２の操作の間に、等方性（無指向性）条件は、バルク特性を有する下地絶縁膜上に選択的に（改質された構造又は組成を有する）改質膜部分を除去する。これらの操作は、順次繰り返し実行し、これによって任意の所望の膜除去累積量を達成する（すなわち、所望のエッチング深さを達成する）ことができる。バルク膜のエッチングを２つの別個の操作又は動作モードに分離しているが、プラズマ条件の設計、並びにこれらの条件を提供するためのエッチングチャンバの設計は、大幅により大きな自由度及び／又はより大きなプロセスウィンドウを有する。
誘電体膜のエッチング処理の少なくともこれらの２つの別々の動作モードへの分離はまた、有利なことにエッチングされた構造に隣接する領域内の誘電体膜の組成をほとんど変えることなく（例えば、側壁はプラズマエッチングへの曝露を通して悪影響を受けない）、低ｋ又は他の誘電体膜内への異方性プロファイルのエッチングを可能にするエッチングパラメータの制御のレベルを提供する。この正確な制御の重要な源は、本質的に高度に化学的である等方性エッチング条件から生じ、こうして、（例えば、ある程度の炭素を組み込んだ）ＳｉＯ２の特性から逸脱したバルク特性を有する下地の誘電体の間に非常に高い選択性を提供する。２つの材料組成間の高い選択性は、第１材料層が消費された後、しばしば、エッチングを停止するために（例えば、エッチング可能でない組成を有する下地のエッチング停止層によって、エッチング可能な組成を有する層のエッチングを終了させる手段として多重材料堆積膜スタック内で）利用されているが、本明細書内の技術は、バルク膜自体への高い選択性のエッチング処理によって、バルク膜を介して徐々にエッチングする。
実施形態では、マルチ動作モードエッチング処理は、完全にフッ素を含まない。従来の誘電体のエッチングは、異方性を達成するために、エッチングされた誘電体層の側壁上に堆積されたＣＦポリマーに依存してエッチングしていたが、本明細書内の方法は、膜エッチング処理（モード）の高い選択性と組み合わせた膜改質処理（モード）の異方性によって、エッチングの異方性を達成している。典型的なフルオロカーボン系（ＣｘＦｙベース）のエッチング及び付随するＣＦポリマーの回避は、任意のパッシベーションポリマーのエッチングされた誘電体表面を比較的きれいにする。このように、（例えば、膜中の炭素種の酸化によって）誘電体を損傷する可能性のあるプラズマ又は他の手段によるエッチング後処理（ＰＥＴ）を回避することができる。
エッチング方法のより詳細な説明、このような方法がどのようにして単一チャンバ内で実行可能であるのか、このようなエッチング方法の実施形態を実行するために使用されるチャンバハードウェアが、ここで提供される。図１は、本発明の一実施形態に係る、単一のプラズマエッチングチャンバによって低ｋ誘電体膜をエッチングするためのマルチ動作モードエッチング処理１００を示すフロー図である。図３Ａ〜図３Ｆは、本発明の一実施形態に係る、マルチ動作モードエッチング処理１００の方法の、処理に曝される例示的なワークピースへの効果を表す断面図を示す。
操作１０５で開始し、ワークピースは、プラズマ処理チャンバ内にロードされる。ワークピースは、一般に、任意の形態をとることができるが、図２Ａに図示される例示的な実施形態では、ワークピースは、エッチングされる誘電体が上部に配置される基板３０２を含む。基板３０２は、製造工程に耐える好適な任意の材料であることができ、マイクロ電子デバイス層（例えば、ＩＣデバイス、光学デバイス、ＭＥＭＳデバイス、又は同様のマイクロ／ナノ製造デバイス用のもの）を配置し、及び／又は、形成することができるための土台として役立つ。本発明の一実施形態によれば、基板３０２は、例えば、結晶シリコン、ゲルマニウム又はシリコン／ゲルマニウムが挙げられるが、これらに限定されないＩＶ族系材料で構成される。具体的な一実施形態では、基板３０２は単結晶シリコン基板である。別の一実施形態では、基板３０２はＩＩＩ−Ｖ族材料から構成される。別の一実施形態では、複数の能動素子が、基板３０２として画定された領域内に配置される。
ワークピースは、エッチングされる露出した誘電体を更に含む。図１及び図３Ａ〜３Ｆに図示された例示的な実施形態では、露出した誘電体は、低ｋ材料であるが、より一般的には、二酸化ケイ素ではなく、本明細書内に記載される機構によって酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）のような材料に改質可能である任意の材料であることができる。図３Ａに図示される例示的な実施形態では、低ｋ誘電体層３０４は、二酸化ケイ素の誘電率よりも小さい誘電率を有する（例えば、約３．９未満）。更なる一実施形態では、低ｋ誘電体層３０４は、例えば、フッ素ドープ二酸化ケイ素、炭素ドープ二酸化ケイ素、多孔質二酸化ケイ素、多孔質炭素ドープ二酸化ケイ素、スピンオンシリコーンベースポリマー誘電体、又はスピンオン有機ポリマー誘電体が挙げられるが、これらに限定されない材料である。例示的な一実施形態によれば、低ｋ誘電体層３０４は、２．７未満のバルク誘電定数を有する多孔質ＳｉＣＯＨ層である。
マルチ動作モードエッチング処理１００は、例えば、下地のトポグラフィが低ｋ誘電体層（例えば、低ｋスペーサエッチング）内で構造を形成するために利用されるエッチングにおいて、非マスクのエッチングにも適用可能であるが、例示の実施形態では、低ｋ誘電体層３０４は、（例えば、ビア又はトレンチのエッチングのために）マスクされる。図３Ａに図示されるように、マスク層３０６は、低ｋ誘電体層３０４の一部の上に配置されたフォトレジスト層又はハードマスク層である。フォトレジストは、当該技術分野で公知のいずれであってもよい（例えば、１９３、ＥＵＶなど）。同様に、マスク層３０６がハードマスクである場合、ＳｉＯｘエッチング処理に対して所望の選択性を提供することができる当該技術分野で公知の任意の材料を利用することができる。代表的な材料としては、アモルファスカーボン（例えば、ＡＰＦ（商標名））、シリコン又は金属（例えば、チタン、タンタル）の窒化物、シリコン又は金属の炭化物などが挙げられる。
図１に戻ると、操作１１０では、ワークピースの露出した部分が、イオン束に衝突され、これによって露出した材料層の特性を改質し、より具体的には、低ｋ膜の上部厚さ内の炭素含有量を減少させる。イオン束は、マスクの下にある領域が束に曝露されないように異方性であるのが好ましい。イオン束は、低イオンエネルギーを有する原子又は分子種の１以上の種類のものであることができる。このように、有利な一実施形態では、種は、低ｋ材料内の成分を機械的にミーリング除去（例えば、メチル基をノックオフ）することができ、それらと化学的に反応するのではない。したがって、イオン束は、ターゲット成分との化学的反応性が比較的低い原料ガスを起源とすることができる。典型的なイオン種は、ヘリウムイオン、ネオンイオン、キセノンイオン、窒素イオン、又はアルゴンイオンであり、イオン束のエネルギーレベルを下げるような非常に低いプラズマＤＣバイアスを供給できるように、低いイオン化電位（例えば、２−４ｅＶ）を有するので、Ａｒ＋は好まれる。更にイオン束エネルギーを調整するために、ネオン及びヘリウムのような電気陽性な希釈剤をアルゴン環境に添加することもできる。処理圧力は、有利には１０ミリトール未満であり、より高い方向性とより有利なことには５ミリトール未満である。５０Ｗ〜１００Ｗ程度の低ＲＦ電力は、供給ガスのイオン化電位に応じて、二酸化ケイ素マトリックスから炭素種をたたき出すことによって、低ｋ誘電体膜を改質するためには有利であることが見出されている。
図３Ｂは、ワークピースへの操作１１０の効果を示す。図示されるように、イオン束３０７は、低ｋ誘電体層３０４の改質部分３０８を形成する。一実施形態では、改質部分３０８は、炭素が枯渇しており、したがって、低ｋ誘電体層３０４のバルクの未改質部分３０８に対してＳｉＯｘが豊富にある。改質部分３０８の膜密度及び形態もまた、低ｋ誘電体層３０４に関連して変えることができる。例えば、改質部分３０８は、操作１１０の間、イオン衝撃によって緻密化又はそうでなければ機械的に損傷を受ける（例えば、粗くされる）場合がある。イオン束に応じて、改質部分３０８の深さは、５０Å以下に達する場合がある。
図１に戻って、操作１２０では、下地のバルク（又は図３Ｃ内の低ｋ誘電体層３０４の未改質部分３０４Ｂ）の上で低ｋ誘電体層のＳｉＯｘの豊富な改質部分を選択的に除去するために、ドライエッチング処理が利用される。除去される改質部分が低ｋ誘電体膜中の分子成分の寸法程度であるので、エッチング操作１２０は、原子層エッチング又は分子レベルエッチング（ＭＬＥ）であると考えることができる。一実施形態では、操作１２０は、少なくとも三フッ化窒素（ＮＦ３）と水素源（例えば、アンモニア（ＮＨ３）又は水蒸気（Ｈ２Ｏ））から生成されたプラズマを伴い、これによって反応性エッチング種ＮＨ４Ｆ及び／又はＮＨ４Ｆ・ＨＦを生成する。更なる一実施形態では、水蒸気（Ｈ２Ｏ）がＮＦ３及びＮＨ３と共に供給され、これによって操作１２０でのＳｉＯｘのエッチング速度を更に高める。非反応性ガス（例えば、Ｈｅ）もまた、操作１２０の間に使用してもよい。
別の一実施形態では、エッチング処理１００は、ｓｉｃｏｎｉ型のエッチング技術を採用し、これは譲受人に譲渡された米国特許出願第１２／６２０，８０６号に更により詳細に記載されており、操作１２０の間に実行することができる二段階機構を伴う。本実施形態では、水蒸気（Ｈ２Ｏ）と薄い固体ケイ酸塩エッチング副生成物（例えば、（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が低い第１ワークピース温度（例えば、３０℃）で形成され、その後より高い第２ワークピース温度（例えば、１００℃）でケイ酸塩がワークピースから昇華する。しかしながら、特定の実施形態では、例えば、より高いエッチング速度が望まれる場合は、ｓｉｃｏｎｉエッチングが、一定の高いワークピース温度で実行される。基板温度を循環させるオーバーヘッドなしに、エッチング処理１００は、より高いエッチング速度のために、より迅速に循環させることができる。好ましくは、操作１２０での一定のワークピース温度は、約８０℃〜１００℃の間である。ハードマスク及び方法１００のマスクされない実施形態に対してより高い温度が可能であるが、フォトレジストを使用する実施形態に対して操作１２０での最大一定ワークピース温度は、網状化を回避するように約１２０℃未満である。特定の実施形態では、操作１１０及び１２０の両方が、一定の高い温度で実行され、これによってワークピース温度のサイクルに関連するオーバーヘッドを回避する。
図１に戻ると、エッチング処理コントローラは、エッチング処理終了基準が、操作１２０の完了後に満たされるかどうかを判断する。エッチング処理終了基準は、処理時間、終点信号（光学的又はその他）等に基づくことができる、エッチング処理終了基準が満たされた場合、処理１００は完了し、ワークピースはチャンバ１５０からアンロードされる。エッチング処理終了基準がまだ満たされていない場合、操作１１０に戻ることによって後続の反復が開始される。
更なる一実施形態では、低温コンフォーマルシリコンベースの誘電体層が、操作１３０でワークピースの上に堆積される。堆積操作１３０は、エッチング処理１００の間に周期的に実行することができ、これによって例えば、理想的に衝突の無い輸送モードではないイオン束の関数として完全には異方性ではない改質操作から生じるプロファイルのアンダーカット又は曲りに対抗する。図１に図示されるように、堆積操作１３０は、エッチングサイクルカウント閾値が満たされた条件でのみ実行され、ここで各エッチングサイクルは、操作１１０及び１２０の両方の単一の性能を伴う。このように、所定の割合又はデューティサイクルでエッチング及び堆積操作を共に交互に配置する「マルチＸ」周期的処理のために、堆積操作１３０は、エッチングサイクル毎に（エッチングサイクルカウント閾値は１）、又はいくらか少ない割合で（エッチングサイクルカウント閾値は１より大きい）実行してもよい。
図３Ｄに更に図示されるように、堆積操作１３０は、少なくともエッチング操作１２０によって露出されたバルク低ｋ誘電体３０４Ｂの側壁上に形成されている保護層３１２を形成する。保護層３１２の厚さは、操作１３０がエッチング操作１２０に対して実行される頻度に依存して幅広く変化させることができる。一般に、堆積操作１３０は、側壁の被覆を確実にするためにコンフォーマル堆積処理を伴う。実施形態において、コンフォーマル堆積処理は、上層のマスク材料（例えば、フォトレジスト）を保存するように低い温度（例えば、１３０℃未満）である。一実施形態では、保護層３１２は、二酸化ケイ素である。しかしながら、有利な一実施形態では、保護層３１２は、炭素ドープ酸化ケイ素である。炭素ドープ層の堆積は、エッチング操作１２０に対して保護層１３０の抵抗を有利にも増加させることができ、これによってエッチング操作１２０を介した後続の反復は、完全には保護層１３０を除去せず、特にトレンチ３１０の側壁からは完全には除去しない。更に別の一実施形態では、保護層３１２は窒化ケイ素である。保護層１３０がエッチング操作１２０に選択性を提供する炭素ドープ及び窒化の実施形態では、エッチングサイクルカウント閾値は、エッチングに費やされる処理１００の大部分で高くすることができ、全体的な低ｋ誘電体のエッチング速度は増加する。
実施形態に応じて、任意の一般的に知られているシリコン前駆体は、操作１３０で使用することができ、例えば、四フッ化ケイ素（ＳｉＦ４）、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ４）、シラン（ＳｉＨ４）、又は任意の一般的に知られるケイ素含有炭化前駆体（例えば、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）、テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ）、テトラメチル−ジエトキシ−ジシロキサン（ＴＭＤＤＳＯ）、ジメチル−ジメトキシル−シラン（ＤＭＤＭＳ）が挙げられるが、これらに限定されない）が挙げられるが、これらに限定されない。保護層が窒化物であることができる更なる実施形態では、前駆体（例えば、トリシリルアミン（ＴＳＡ）及びジシリルアミン（ＤＳＡ）が挙げられるが、これらに限定されない）を使用することができる。これらの原料のいずれも、ＰＥＣＶＤ処理において、酸素ラジカル源（例えば、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、二酸化炭素（ＣＯ２）又は水（Ｈ２Ｏ）が挙げられるが、これらに限定されない）と反応することができる。
操作１３０に続いて、操作１１０に戻ることによって後続の反復が実行される。このように、図３Ｅ及び３Ｆに更に示されるように、エッチングの前面がターゲット膜を通して徐々に進められ、これによって漸進的により深いトレンチ２１０Ｂを形成する。
図２は、エッチングチャンバが、エッチング処理１００の複数のモードで動作することができる方法を更に示すフロー図である。方法２００は、操作２０５でチャンバ内にワークピースを受け取ることから始まる。イオンミーリングプラズマは、ワークピースに最も近いシャワーヘッドの下に配置されたチャンバの第１領域内で励起される。ＲＦ源は、ワークピース上にＤＣバイアス電位を提供し、これによって改質操作１１０のために本明細書内の他の箇所に記載のイオン束を生成する。実施形態では、ＲＦ源は、ワークピースが上で支持される台座又はチャックを介して容量結合され、これによってワークピースのすぐ上の第１チャンバ領域内でプラズマを生成する。このような一実施形態では、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）はチャックから始まり（すなわち、チャックはＲＦ駆動され）、ワークピースに最も近いシャワーヘッドは、ＲＦリターンパスを（すなわち、陽極として）提供する。
操作３２０の間、ＳｉＯエッチングプラズマは、チャンバの第２領域内で励起され、これによってイオン束をワークピースへ誘導する方法でワークピースにバイアスを掛けるのを最小化又は回避する。一実施形態では、エッチング操作３２０を本質的に高度に化学的にするために、第２チャンバ領域は、ワークピースに最も近いシャワーヘッドの上方に配置され、したがって操作３１０の間に生成されるイオンミーリングプラズマよりもワークピースから相対的により遠くに配置される。一実施形態では、台座又はチャックは、操作３２０の間、ＲＦ給電されず、これによってワークピースバイアス電位を最小化する。リモート及び／又はソフトイオン化技術が操作３２０で使用され、これによってワークピース上に大きなバイアス電位を形成することなく、本明細書内の他の箇所に記載されるエッチング操作１２０のための反応種を形成する。このような一実施形態では、ワークピースに最も近いシャワーヘッドまで又はシャワーヘッドから、ウェハからシャワーヘッドの反対側に配置された電極から又は電極まで（例えば、ワークピースに最も近いシャワーヘッドの上方の電極から又は電極まで）、第２ＣＣＰが始まる。別の一実施形態では、ＤＣ放電は、エッチング操作１２０中のソフトイオン化のための電子源として用いられる。一代替実施形態では、リモートプラズマ源（ＲＰＳ）が、チャンバの第２領域内にプラズマを形成するために使用される。更に別の一実施形態では、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）が、チャンバの第２領域内にプラズマを形成するために使用される。これらの実施形態の各々のためのエッチングチャンバハードウェア構成は、本明細書内の他の箇所に更に記載されている。
保護層を堆積する（例えば、図１の操作１３０）実施形態では、酸化プラズマがチャンバのリモート第２領域内で生成され、ケイ素（及び炭素）含有前駆体がチャンバ内に（例えば、第１チャンバ領域内に）導入され、これによってワークピースへと運ばれた酸化種と反応する。このように、プラズマエッチングチャンバの第１領域及び第１動作モードは、低ｋ誘電体膜の部分的な厚さを改質するために利用することができ、プラズマエッチングチャンバの第２領域及び第２動作モードは、低ｋ誘電体膜の改質された厚さをエッチングするために利用することができる。第２領域は更に、保護層を堆積する第３動作モードで操作することができる。
ｓｉｃｏｎｉ型処理を利用する実施形態では、ｓｉｃｏｎｉ型エッチングの２段階は、更にエッチングチャンバの異なる領域内で始められ、生成された２つの異なるプラズマを伴うことができる。例えば、ｓｉｃｏｎｉ型処理を実行するために、第１及び第２チャンバ領域の両方を利用してもよく、ｓｉｃｏｎｉ型処理を実行するために、第２チャンバ領域及び第３チャンバ領域を使用してもよい。
図４に図示されるように、本明細書内の他の箇所に記載されるよう構成された１以上の低ｋエッチングチャンバ４０５が、統合されたプラットホームに結合され、これによってマルチチャンバ処理システムを形成している。マルチ動作モードエッチング処理１００に対して記載される１以上の実施形態は、図４に図示されるマルチチャンバシステム内の低ｋエッチングチャンバ４０５の各々によって実行することができる。図４を参照すると、マルチチャンバ処理プラットホーム４００は、複数の処理モードを同時に適応制御可能な当該技術分野で公知の任意のプラットホームであることが可能である。典型的な実施形態は、カリフォルニア州サンタクララにあるアプライドマテリアルズ社（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ， Ｉｎｃ．）から市販されているＯｐｕｓ（商標名）ＡｄｖａｎｔＥｄｇｅ（商標名）システム、Ｐｒｏｄｕｃｅｒ（商標名）システム、又はＣｅｎｔｕｒａ（商標名）システムを含む。
処理プラットホーム４００は、本明細書内に記載されるエッチング処理の任意の適応制御を可能にする制御信号を提供するための統合計測（ＩＭ）チャンバ４２５を更に含むことができる。ＩＭチャンバ４２５は、様々な膜特性（例えば、厚さ、粗さ、組成）を測定するために当該技術分野で公知の任意の計測を含むことができ、更に、例えば、限界寸法（ＣＤ）、側壁角（ＳＷＡ）、構造高さ（ＨＴ）などの格子パラメータを真空化で自動化された方法で特徴づけることが可能である場合がある。図４に更に図示されるように、マルチチャンバ処理プラットホーム４００は、ロボットハンドラ４５０を有する搬送チャンバ４０１に結合された前面開口統一ポッド（ＦＯＵＰ）４３５及び４４５を保持するロードロックチャンバ４３０を更に含む。
低ｋエッチングチャンバ４０５内で実行されるエッチング処理は、処理１００の各サイクルを反復的に推進するので、低ｋエッチングチャンバ４０５は、ＲＦ源を異なる電極に結合するリレーを作動させることによって、及び／又は動作モード間で調節するために異なる電極に分離して結合された異なるＲＦ源を動作させることによって、処理２００を介して自動的に循環することができる。このような低ｋエッチングチャンバ４０５の制御は、１以上のコントローラ４７０によって提供可能である。コントローラ４７０は、様々なサブプロセッサ及びサブコントローラを制御する工業環境で使用可能な汎用データ処理システムの任意の形態のうちの１つであることができる。一般に、コントローラ４７０は、一般的な構成要素の中でもとりわけメモリ４７３及び入力／出力（Ｉ／Ｏ）回路４７４と通信する中央処理装置（ＣＰＵ）４７２を含む。ＣＰＵ４７２によって実行されるソフトウェア命令は、マルチチャンバ処理プラットホーム４００に、例えば、低ｋエッチングチャンバ４０５内に基板をロードさせ、マルチ動作モードエッチング処理２００を実行させ、低ｋエッチングチャンバ４０５から基板をアンロードさせる。当該技術分野で知られるように、ロボットハンドラ４５０又はロードロックチャンバ４３０の追加のコントローラが、複数の低ｋエッチングチャンバ４０５の統合を管理するために提供される。
本明細書内の他の箇所に詳細に記載されたエッチング処理チャンバのうちの１以上は、ワークピースへの流体（反応種、ガスなど）の分配及び輸送のための従来のシャワーヘッド又は「デュアルゾーン」シャワーヘッド（ＤＺＳＨ）のいずれかを使用することができる。ＤＺＳＨの詳細な説明は、譲受人に譲渡された米国特許出願第１２／８３６，７２６号に見出すことができるが、図５Ａ及び図５Ｂは、マルチ動作モードプラズマエッチングチャンバの特定の実施形態で有利に活用することができるＤＺＳＨ５００のいくつかの構成を示す。図５Ａは、ＤＺＳＨの切り欠き斜視図であり、図５Ｂは、図５Ａの切り欠き斜視図の拡大部分を示す。図示のように、ＤＺＳＨ５００は、複数の第１開口部５１４を有する上部マニホルド５１０と、複数の第２開口部５２４を有する下部マニホルド５３０を含む。第１流体の流れＦ３は、ＤＺＳＨ５００の下に配置された処理領域に入る前に、開口部５１４、マニホルド中心の第２開口部５２４、及び底部マニホルド５３０内の第２開口部５３４を介してシャワーヘッドを通る。第２流体の流れＦ４は、チャネルネットワークを介して１以上の第２ガスチャネル５３８へ、及び開口部５４２を介して処理領域へ送出される。第１流体及び第２流体は、処理領域内へそれぞれ送出されるまでＤＺＳＨ内で互いに分離されている。このように、第１流体は、励起状態で（例えば、ラジカル又はイオン種として）供給することができ、一方第２流体は、未反応及び／又は非励起状態で供給することができる。
一実施形態では、プラズマエッチングチャンバは、ＤＺＳＨに結合されたプラズマ源を含む。一実施形態では、「Ｓｉｃｏｎｉエッチング」源を、（アプライドマテリアルズ社から市販されている）Ｓｉｃｏｎｉエッチング／プレクリーンチャンバから使用することができ、これによって本明細書内に記載される複数の動作モードチャンバのための少なくとも１つのプラズマを提供する。例えば、Ｓｉｃｏｎｉエッチング源は、イオンミーリング操作（例えば、図１の１１０）を実施する第１容量プラズマ源のうちの少なくとも１つと、エッチング操作（例えば、図１の１２０）及び／又は本明細書内に記載されるオプションの堆積操作（例えば、図１の１３０）を実施する第２容量結合プラズマ源を提供することができる。
図６Ａ、６Ｂ及び６Ｃは、一実施形態に係る、エッチング処理１００（図１）内の各操作を実行するために、複数の動作モード（状態）に構成されたエッチングチャンバの断面図を示す。一般に、エッチングチャンバ６０１は、イオンミーリング操作を実施するための第１容量結合プラズマ源と、エッチング操作及びオプションの堆積操作を実施するための第２容量結合プラズマ源を含む。図６Ａは、一実施形態に係る、改質操作１１０（図１）を実行するように構成されたエッチングチャンバ６０１の断面図を示す。エッチングチャンバ６０１は、チャック６５０を囲む接地されたチャンバ壁６４０を有する。実施形態では、チャック６５０は、処理中にチャック６５０の上面にワークピース３０２をクランプする静電チャック（ＥＳＣ）であるが、当該技術分野で公知の他のクランプ機構もまた使用可能である。
チャック６５０は、埋設された熱交換器コイル６１７を含む。例示的な実施形態では、熱交換器コイル６１７は、１以上の熱伝導流体チャネルを含み、この熱伝導流体チャネルを、熱伝導流体（例えば、エチレングリコール／水混合物、ガルデン（商標名）又はフロリナート（商標名）等）は通過し、これによってチャック６５０の温度及び究極的にはワークピース３０２の温度を制御することができる。
チャック６５０は、高電圧ＤＣ電源６４８に結合されたメッシュ６４９を含み、これによってメッシュ６４９は、ワークピース３０２の静電クランプを実施するＤＣバイアス電位を運ぶことができる。チャック６５０は、第１ＲＦ電源に結合され、そのような一実施形態では、メッシュ６４９は第１ＲＦ電源に結合され、これによってＤＣ電圧オフセット及びＲＦ電圧電位は共に、チャック６５０の上面上の薄い誘電体層全面に亘って結合される。例示的な実施形態では、第１ＲＦ電源は、第１及び第２ＲＦ発生器６５２、６５３を含む。ＲＦ発生器６５２、６５３は、当該技術分野で公知の任意の工業的周波数で動作させることができるが、ある典型的な実施形態では、ＲＦ発生器６５２は、有利な指向性を提供するために、６０ＭＨｚで動作させる。第２ＲＦ発生器６５３もまた提供される場合は、典型的な周波数は２ＭＨｚである。
チャック６５０がＲＦ給電されることによって、ＲＦリターンパスが第１シャワーヘッド６２５によって提供される。第１シャワーヘッド６２５は、チャックの上方に配置され、これによって第１シャワーヘッド６２５及びチャンバ壁６４０によって画定された第１チャンバ領域６８４内に第１供給ガスを分配する。このように、チャック６５０及び第１シャワーヘッド６２５は、第１チャンバ領域６８４内で第１供給ガスの第１プラズマ６７０に容量的に電力供給する第１ＲＦ結合電極対を形成する。ＲＦ給電されたチャックの容量結合に起因するＤＣプラズマバイアス（すなわち、ＲＦバイアス）は、第１プラズマ６７０からワークピース３０２までイオン束（例えば、第１供給ガスがＡｒの場合は、Ａｒイオン）を生成し、これによってイオンミーリングプラズマを提供する（例えば、図２の操作２２０）。第１シャワーヘッド６２５は、接地されるか、又はチャック６５０の周波数（例えば１３．５６ＭＨｚ又は６０ＭＨｚ）以外の周波数で動作可能な１以上の発生器を有するＲＦ源６２８に交互に結合することができる。図示の実施形態では、第１シャワーヘッド６２５は、例えば、コントローラ４２０によって、エッチング処理中に自動的に制御することができるリレー６２７を介して接地又はＲＦ供給源６２８に選択的に結合される。
図６Ａに更に図示されるように、エッチングチャンバ６０１は、低処理圧力で高いスループットが可能なポンプスタックを含む。実施形態では、少なくとも１つのターボ分子ポンプ６６５、６６６が、ゲートバルブ６６０を介して第１チャンバ領域６８４に結合され、第１シャワーヘッド６２５と対向するチャック６５０の下方に配置される。ターボ分子ポンプ６６５、６６６は、適切なスループットを有する任意の市販のものであることができ、特に、第１供給ガスを所望の流量（例えば、Ａｒを５０〜５００ｓｃｃｍ）で、１０ミリトール未満、好ましくは、５ミリトール未満に処理圧力を適切に維持するような大きさのものであることができる。図６Ａに図示される実施形態では、チャック６５０は、２つのターボ分子ポンプ６６５及び６６６の間でセンタリングされた台座の一部を形成するが、代替の構成では、チャック６５０は、チャック６５０の中心と整列された中心を有する単一のターボ分子ポンプによってチャンバ壁６４０から片持ち支持された台座上にあってもよい。
第２シャワーヘッド６１０は、第１シャワーヘッド６２５の上方に配置される。一実施形態では、処理中に、第１供給ガス源（例えば、アルゴンボトル６９０）は、ガス入口６７６に結合され、第１供給ガスは、第２シャワーヘッド６１０を貫通して延びる複数の開口部６８０を通って第２チャンバ領域６８１内へ流され、第１シャワーヘッド６２５を貫通して延びる複数の開口部６８２を通って第１チャンバ領域６８４内へ流される。開口部６７８を有する追加の流れ分配器６１５が、エッチングチャンバ６０１の直径全域に亘って第１供給ガス流６１６を更に分配してもよい。一代替実施形態では、第１供給ガスは、第２チャンバ領域６８１から分離した開口部６８３を介して第１チャンバ領域６８４内に直接流入する（破線６２３で示される）。例えば、第１シャワーヘッドがＤＺＳＨである場合、開口部６８３は、図５Ｂの開口部５４２に対応している。
図６Ｂは、一実施形態に係る、図１のエッチング操作１２０を実行するために、図６Ａに示された状態から再構成されたエッチングチャンバ６０１の断面図を示す。図示されるように、二次電極６０５は、第１シャワーヘッド６２５の上方に配置され、第２チャンバ領域６８１をその間に有する。二次電極６０５は、更に、エッチングチャンバ６０１の蓋を形成してもよい。二次電極６０５及び第１シャワーヘッド６２５は、誘電体リング６２０によって電気的に分離しており、第２ＲＦ結合電極対を形成し、これによって第２チャンバ領域６８１内で第２供給ガスの第２プラズマ６９１を容量放電する。有利なことには、第２プラズマ６９１は、チャック６５０上に大きなＲＦバイアス電位を供給しない。図６Ｂに図示されるように、第２ＲＦ結合電極対の少なくとも一方の電極が、（図１のエッチング操作１２０中に）図２の操作２２０において、エッチングプラズマを励起するためのＲＦ源に結合される。二次電極６０５は、第２シャワーヘッド６１０に電気的に結合される。好ましい一実施形態では、第１シャワーヘッド６２５は接地面に結合されるか、又は浮いており、動作のイオンミーリングモードの間にＲＦ電源６２８によって第１シャワーヘッド６２５を給電可能にもするリレー６２７を介して接地に結合することができる。第１シャワーヘッド６２５が接地される場合、例えば、１３．５６ＭＨｚ又は６０ＭＨｚで動作する１以上のＲＦ発生器を有するＲＦ電源６０８は、他の動作モードの間（例えば、イオンミーリング操作１１０の間）、第１シャワーヘッド６２５が給電されるならば二次電極６０５を浮いたままにしておくこともできるのだが、二次電極６０５を接地可能にもするリレー６０７を介して二次電極６０５に結合される。
第２供給ガス源（例えば、ＮＦ３ボトル６９１）及び水素源（例えば、ＮＨ３ボトル６９２）は、ガス入口６７６に結合される。このモードでは、第２供給ガスが第２シャワーヘッド６１０を通って流れ、第２チャンバ領域６８１内で励起される。その後、反応種（例えば、ＮＨ４Ｆ）が、第１チャンバ領域６８４に入り、ワークピース３０２と反応する。更に図示されるように、第１シャワーヘッド６２５がＤＺＳＨである実施形態では、第２プラズマ６９１によって生成された反応種と反応させるために、１以上の供給ガスを供給してもよい。そのような一実施形態では、水源６９３を複数の開口部６８３に結合することができる。
一実施形態では、チャック６５０は、第１シャワーヘッド６２５に垂直な方向に距離ΔＨ２に沿って移動可能である。チャック６５０は、ベローズ６５５によって囲まれた作動機構などの上にあり、これによって（８０℃〜１５０℃又はそれ以上の高温となる）チャック６５０とシャワーヘッド６２５との間の熱伝達を制御する手段として、第１シャワーヘッド６２５に近付くように、又は第１シャワーヘッド６２５から遠ざかるように、チャック６５０を移動することができる。このように、第１シャワーヘッド６２５に対して所定の第１及び第２位置の間でチャック６５０を移動させることによって、ｓｉｃｏｎｉエッチング処理を実施することができる。あるいはまた、チャック６５０は、エッチング処理中に第１シャワーヘッド３２５による加熱を制御するために、距離ΔＨ１だけチャック６５０の上面からワークピース３０２を上昇させるリフターを含む。エッチング処理が一定温度（例えば、約９０〜１１０℃）で実行される他の実施形態では、チャック変位機構は避けることができる。
コントローラ４２０は、自動的に第１及び第２ＲＦ結合電極対に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第１及び第２プラズマ６９０及び６９１を交互に励起することができる。
図６Ｃは、一実施形態に係る、図１に示された堆積操作１３０を実行するように再構成されたエッチングチャンバ６０１の断面図を示す。図示されるように、第３プラズマ６９２は、第２プラズマ６９１に対して記載した方法のいずれかで実施することができるＲＦ放電によって第２チャンバ領域６８１内で生成される。第１シャワーヘッド６２５が堆積中に第３プラズマ６９２を生成するために電力供給される場合、第１シャワーヘッド６２５は、チャンバ壁に対して電気的に浮くように、誘電体スペーサ６３０によって接地されたチャンバ壁６４０から分離される。例示的な実施形態では、酸化剤（Ｏ２）供給ガス源６９４がガス入口６７６に結合される。第１シャワーヘッド６２５がＤＺＳＨである実施形態では、本明細書内の他の箇所に記載されるケイ素含有前駆体の何れか（例えば、ＯＭＣＴＳ源６９５）は、第１チャンバ領域６８４内に結合され、これによって第２プラズマ６９２から第１シャワーヘッド６２５を通過する反応種と反応させることができる。あるいはまた、ケイ素含有前駆体はまた、酸化剤と一緒に、ガス入口６７６を通って流される。
図７は、一実施形態に係る、改質操作１１０を実行するように構成されたエッチングチャンバ７０１の断面図を示す。図示されるように、エッチングチャンバ７０１は、片持ちのチャック６６０と、チャック６６０の中心と整列された中心を有する単一のターボポンプ６６５を有する。更に図示されるように、第１シャワーヘッド６２５は接地され、一方、チャック６６０及び二次電極６０５は共に、リレー６０７を介して同一のＲＦ源に結合され、これによって駆動電極をチャック６６０と二次電極６０５の間で、イオンミーリングとエッチング操作２１０及び２２０の間で交互に行い、これによって改質及びエッチング操作１１０及び１２０をそれぞれ実行し、プラズマの位置は、チャンバ６０１の文脈で説明されたように、第１チャンバ領域６８４と第２領域６８１の間で変化する。あるいはまた、ＲＦ源６０８は、独立して、チャック６６０に電力供給するＲＦ源（例えば、１以上の発生器６５２及び６５３）とは独立した二次電極に電力供給し、プラズマの位置は、チャンバ６０１の文脈で説明されたように、第１チャンバ領域６８４と第２領域６８１の間で変化させることができる。
図８Ａは、一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理の改質操作１１０を実行するように構成されたエッチングチャンバ８０１の断面図を示す。一般に、エッチングチャンバ８０１は、イオンミーリング操作を実施するための第１容量結合プラズマ源と、エッチング操作を実施するリモートプラズマ源と、オプションで、堆積操作を実施する第２容量結合プラズマ源を含む。
エッチングチャンバ８０１は、チャック６６０と対向する第１シャワーヘッド６２５の上方に配置されたリモートＲＦプラズマ源８２３を含む。操作のイオンミーリングモードでは、エッチングチャンバ８０１は、実質的にエッチングチャンバ６０１に対して記載したように、第１チャンバ領域６８４内に容量結合された第１プラズマ６７０を提供する。図示の実施形態では、チャック６６０は、第１ＲＦ電源（ＲＦ発生器６５２及び６５３）に結合され、第１シャワーヘッド６２５は、接地に、又は第１ＲＦ電源６５２、６５３の周波数以外の周波数で６０８動作可能な１以上のＲＦ発生器を含む第２ＲＦ電源に、リレー６０７Ｂを介して選択的に結合される。第１シャワーヘッド６２５が給電される場合、第１シャワーヘッド６２５は、チャンバ壁６４０に対して電気的に浮くように誘電体スペーサ６３０によって接地されたチャンバ壁６４０から分離される。第１シャワーヘッド６２５に電力供給される実施形態では、第２シャワーヘッド６１０及び二次電極６０５は、第１シャワーヘッド６２５と同電位に電気的に接続することができる。
図８Ｂは、一実施形態に係る、図１に示されたエッチング操作１２０を実行するために図８Ａに示されたものから再構成されたエッチングチャンバ８０１の断面図を示す。図８Ｂに示されるように、操作のエッチングモードでは、リモートＲＦプラズマ源８２３は、ガス入口８２４を通して供給された第２供給ガスの第２プラズマ６９３を放電することができる。例示的な一実施形態では、リモートＲＦプラズマ源８２３及び第１シャワーヘッド６２５は共に、コントローラによって制御可能なリレー６０７Ａを介して同じＲＦ電源８２１に結合され、これによって第１プラズマ６７０とリモートプラズマ６９３に電力を交互に供給する。リモートプラズマ６９３は、チャック６６０に大きなＲＦバイアス電位を掛けることなく生成することができる。好ましい一実施形態では、第１シャワーヘッド６２５は、接地されるか、又は浮いている。第２供給ガス源６９１、６９２（ＮＦ３、ＮＨ３）は、ガス注入口８２４に結合され、反応種（例えば、ＮＨ４Ｆ）がその後第１シャワーヘッド６２５を通って流れる。本明細書内の他の箇所に記載されるように、追加の流れの分配が、第１シャワーヘッド６１０及び／又は流れ分配器６１５によって提供されてもよい。第１シャワーヘッド６２５がＤＺＳＨを含む一実施形態では、水蒸気６９３が開口部６９３を通って供給され、これによって開口部６８２を通って第１チャンバ領域６８４に入る反応種と反応することができる。
図８Ｃは、一実施形態に係る、図１に示された堆積操作１３０を実行するために、図８Ａ及び８Ｂに示された状態から再構成されたエッチングチャンバ８０１の断面図を示す。図８Ｃに示されるように、堆積動作モードの間、チャック６６０は、給電されないまま（例えば、浮いた状態）にすることができる１以上のＲＦ発生器６５２、６５３を含む第１ＲＦ電源に結合される。第１シャワーヘッド６２５は、ＲＦ発生器６５２の周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）以外の周波数であることが可能な１以上のＲＦ発生器６０８を含む第２ＲＦ電源に結合される。誘電体スペーサ６３０によって接地されたチャンバ壁６４０から分離され、更に誘電体スペーサ６２０によって第２シャワーヘッド６０１から分離された第１シャワーヘッド６２５によって、第１シャワーヘッド６２５へのＲＦ電力は、（例えば、酸化原料ガス（Ｏ２６９４等）の）第３のプラズマ６９２を第２チャンバ領域６８１内で生成することができる。例示的な一実施形態では、第１シャワーヘッド６２５及びリモートＲＦプラズマ源８２３は共に、コントローラ４７０によって制御可能なリレー６０７Ａを介して同じＲＦ電源８２１に結合され、これによってエッチングと堆積（例えば、それぞれ図１の操作１２０と１３０）の間、第３プラズマ６９２とリモートプラズマ６９３に電力を交互に供給する。
コントローラ４２０は、自動的に２つの電源に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第１プラズマ６７０及びリモートプラズマ６９３を交互に励起することができる。コントローラ４２０は、同様にチャンバ８０１を堆積モードに置くことができる。
図９Ａは、一実施形態に係る、図１に示された改質操作１１０を実行するように構成されたエッチングチャンバ９０１の断面図を示す。一般に、エッチングチャンバ９０１は、イオンミーリング操作を実施するための容量結合プラズマ源と、エッチング操作を実施し、オプションの堆積操作を実施するための電子線源を含む。図９Ａに示されるように、実質的に本明細書内の他の箇所に記載されるように、第１供給ガス６９０を第１チャンバ領域６８４内に分配するチャック６５０の上方に配置された第１シャワーヘッド６２５によって容量放電が提供される。チャック６６０及び第１シャワーヘッド６２５は、第１供給ガス（例えばＡｒ）のＲＦプラズマ６７０を容量放電する第１ＲＦ結合電極対を形成する。
図９Ｂは、一実施形態に係る、図１に示されたエッチング操作１２０を実行するように再構成されたエッチングチャンバ９０１の断面図を示す。図示されるように、高電圧ＤＣ電源９４３が、二次電極６０５及び第２シャワーヘッド６１０に結合され、これによって第１シャワーヘッド６２５の上方に配置されたＤＣ電極対を形成し、これによってＤＣ電極間のチャンバ領域内にＤＣグロー放電６１８を発生させる。ＤＣ電極対は、誘電体スペーサ６２０によって第１シャワーヘッド６２５から電気的に絶縁されている。第１シャワーヘッド６２５は、更に、誘電体スペーサ６３０によってチャンバ壁６４０から分離され、これによって第１シャワーヘッド６２５の制御を可能にする。
動作時には、二次電極６０５は、陰極ＤＣ電位（例えば、４−８ｋＶ）にバイアスされ、一方、第２シャワーヘッド６１０は、陽極電位（例えば、−１００Ｖ〜−２００Ｖ）にバイアスされる。第１供給ガス（例えば、Ａｒボトル６９０）から生成されたＤＣグロー放電６１８からの電子は、第２チャンバ領域６８１内の開口部６８０を通過する。第１シャワーヘッド６２５はまた、ＤＣ電源に（例えば、リレーを介して第２シャワーヘッド６１０に）結合され、二次電極６０５の陰極電位に対して陽極電位に負にバイアスされる。第１シャワーヘッド６２５への負のバイアスによって、電子は第１シャワーヘッド６２５を通って、第１チャンバ領域６８４内へ通過することができる。第１シャワーヘッド６２５は、更にこの目的を推進するための大きな穴を有することができる。このように、「電子線」源は、供給ガス（例えば、ＤＺＳＨの実施形態では、開口部６８３によって供給されるＮＦ３及びＮＨ３）を第１チャンバ領域６８４内でソフトにイオン化する手段であり、これによってワークピース３０２に大きなバイアスを掛けることなく、反応性エッチング種（例えば、ＮＨ４Ｆなど）を提供する。
図９Ｂに更に示されるように、チャック６６０は、イオンミーリングモードの間、ＲＦ源（発生器６５２及び６５３）に結合されると同時に、チャック６６０はまた、エッチング操作と成膜操作のいずれか一方又は両方の間、接地電位又は陰極電位に維持することもできる。制御可能な可変静電チャック電位９６３は、接地電位と正バイアスの間で供給され、ＤＣグロー放電６１８からワークピース３０２までの電子束を制御することができる。更なる一実施形態では、エッチングチャンバ９０１は、第１シャワーヘッド６２５とチャック６６０の間に配置されたシーフ電極９４７を含む。シーフ電極６２５は、可変コンデンサ９６４を介して接地されており、ワークピース３０５への電子束を更に制御する。図示されるように、シーフ電極９４７は、第１誘電体スペーサ６３０によって第１シャワーヘッド６２５から絶縁され、第２誘電体スペーサ９３７によって接地されたチャンバ壁６４０から絶縁された導電リングである。
図９Ｃは、一実施形態に係る、図１に示された堆積操作１３０を実行するように再構成エッチングチャンバ９０１の断面図を示す。エッチング操作１２０のために使用されるＤＣＤ電源又は第２チャンバ領域６８１内で生成された第２ＲＦプラズマのいずれかが、実質的に本明細書内の他の箇所に記載されるように、保護層のＰＥＣＶＤ堆積を行うために用いられる。ＤＣ電源が利用される場合、第２シャワーヘッド６１０から発する電子は、第１シャワーヘッド６２５及びシリコン含有前駆物質を通過する（例えば、ＯＭＣＴＳ６９５が開口部６８３を介して供給される）。酸素もまた、開口部６８３によって供給され、電子束によってイオン化される。
コントローラ４２０は、自動的に２つの電源に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第１プラズマ６７０及びＤＣグロー放電６１８を交互に励起することができる。コントローラ４２０は、同様にチャンバ９０１を堆積モードに置くことができる。
更なる一実施形態では、電子束を用いて堆積保護層のインサイチュー硬化を実行することができ、本質的には電子線硬化型処理を実行する。設置電位と正バイアスの間に設けられた制御可能な可変チャック電位９６３は、この目的のためにも、ＤＣグロー放電６１８からワークピース３０２までの電子束を制御することができる。具体的には、硬化が望まれる場合は、ワークピース３０２は、接地電位に置くことができ、硬化が望まれない場合は、ワークピース３０２は、陰極電位に置くことができる。
図１０は、一実施形態に係る、図１に示されたエッチング処理１００の種々のモードを実行するように構成されたエッチングチャンバ１００１の断面図を示す。一般に、エッチングチャンバ１００１は、イオンミーリング操作を実行するためのＣＣＰと、エッチング操作を実行し、オプションの堆積操作を実行するための誘導結合プラズマ源（ＩＰＳ）を含む。
図１０に示されるように、第１チャンバ領域６８４内の改質操作１１０（図１）のためのＣＣＰプラズマの文脈で前述されたすべてのチャンバの構成要素は、ＲＦ電極対を形成するチャック６６０及び第１シャワーヘッド６２５と共に再び提供される。一実施形態では、第１シャワーヘッド６２５は、実質的に本明細書内の他の箇所で説明されたように、電力供給する、電気的に浮遊させる、又は接地することができるＤＺＳＨである。エッチング操作（例えば、図１の１２０）のために、導電コイル１０５２のセットが発生器６０８を含むＲＦ源に結合され、これによって当該技術分野で公知の任意の方法で誘導結合プラズマ６９２を生成する。第１シャワーヘッドのＤＺＳＨの実施形態において、大きなサイズの穴と組み合わせたＩＣＰ源は、誘電蓋１００６を貫通して導入される供給ガス（例えば、ＮＦ３６９１及びＮＨ３６９２）の効率的なイオン化を可能にする。
コントローラ４２０は、自動的に２つの電源に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第１プラズマ６７０及びＩＣＰプラズマ６９２を交互に励起することができる。コントローラ４２０は、同様にチャンバ１００１を堆積モードに置くことができる。
上記の説明は、例示であって限定的なものではないことを意図していることを理解すべきである。更に、詳細に記載されているもの以外の多くの実施形態が、上記の説明を読み、理解することにより、当業者には明らかであろう。本発明は特定の例示的な実施形態を参照して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されないことが認識されるであろうが、添付の特許請求の範囲の趣旨及び範囲内で修正及び変更して実施することができる。したがって、本発明の範囲は、そのような特許請求の範囲が権利を与える均等物の全範囲と共に、添付の特許請求の範囲を参照して決定されるべきである。

Claims (15)

  1. エッチング処理中にワークピースを支持するチャックと、
    チャックの上方に配置され、第１チャンバ領域内へ第１供給ガスを分配する第１シャワーヘッドであって、チャック及び第１シャワーヘッドは、第１シャワーヘッドとチャックの間の第１チャンバ領域内に第１供給ガスの第１プラズマを容量的に励起させるための第１ＲＦ結合電極対を形成する第１シャワーヘッドと、
    チャックと対向する第１シャワーヘッドの上方に配置される二次電極であって、二次電極と第１シャワーヘッドは、第１シャワーヘッドと二次電極の間の第２チャンバ領域内に第２供給ガスの第２プラズマを容量的に放電するための第２ＲＦ結合電極対を形成する二次電極と、
    第１及び第２ＲＦ結合電極対に自動的に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第１及び第２プラズマを交互に励起するためのコントローラを含むプラズマエッチングチャンバ。
  2. 二次電極は、第１及び第２供給ガスを第２チャンバ領域内へ分配するための第２シャワーヘッドであり、第１シャワーヘッドは更に、第１供給ガスを、又は第２プラズマからの反応種を、第１チャンバ領域へ導く請求項１記載のプラズマエッチングチャンバ。
  3. チャック及び二次電極は共に、コントローラによって切替可能なリレーを介して同じＲＦ電源に結合されている請求項１記載のプラズマエッチングチャンバ。
  4. チャックは、１以上のＲＦ発生器を含む第１ＲＦ電源に結合されており、第１シャワーヘッドは、接地面と、第１ＲＦ電源の周波数以外の周波数で動作可能な１以上のＲＦ発生器を含む第２ＲＦ電源の両方にリレーを介して選択可能に結合されており、リレーはコントローラによって制御可能である請求項１記載のプラズマエッチングチャンバ。
  5. チャックは、第１シャワーヘッドに対して垂直な方向に移動可能であり、又はチャックは、エッチング処理中に第１シャワーヘッドによるワークピースの加熱を制御するために、チャックからワークピースを上昇させるリフターを含む請求項１記載のプラズマエッチングチャンバ。
  6. 第１シャワーヘッドは、第１及び第２チャンバ領域を流体結合する第１の複数の開口部と、第１チャンバ領域を第２チャンバ領域から分離された流体源に流体結合する第２の複数の開口部とを有するデュアルゾーンシャワーヘッドである請求項１記載のプラズマエッチングチャンバ。
  7. エッチング処理中にワークピースを支持するチャックと、
    チャックの上方に配置され、第１チャンバ領域内へ第１供給ガスを分配する第１シャワーヘッドであって、チャック及び第１シャワーヘッドは、第１シャワーヘッドとチャックの間の第１チャンバ領域内に第１供給ガスの第１プラズマを容量的に励起させ、チャック上にＲＦバイアス電位を供給するための第１ＲＦ結合電極対を形成する第１シャワーヘッドと、
    チャックと対向する第１シャワーヘッドの上方に配置されるリモートＲＦプラズマ源であって、チャック上にＲＦバイアス電位を供給することなく、リモートプラズマ源内で第２供給ガスの第２プラズマを放電するためのリモートＲＦプラズマ源と、
    第１ＲＦ結合電極対及びリモートＲＦプラズマ源に自動的に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に第１及び第２プラズマを交互に励起するためのコントローラを含むプラズマエッチングチャンバ。
  8. チャックは、１以上のＲＦ発生器を含む第１ＲＦ電源に結合されており、第１シャワーヘッドは、第１ＲＦ発生器の周波数とは異なる周波数で動作可能な１以上のＲＦ発生器を含む第２ＲＦ電源に結合されており、第１シャワーヘッドは、誘電体スペーサによって接地されたチャンバ壁から絶縁しており、これによってチャンバ壁に対して電気的に浮いている請求項７記載のプラズマエッチングチャンバ。
  9. リモートＲＦプラズマ源と第１シャワーヘッドの間に配置された第２シャワーヘッドを更に含み、第２シャワーヘッドは、ＲＦプラズマ源によって生成されるエッチング種を分配する請求項７記載のプラズマエッチングチャンバ。
  10. 第１シャワーヘッドは、第１チャンバ領域及びリモートプラズマ源を流体結合する第１の複数の開口部と、第１チャンバ領域をリモートプラズマ源から分離された流体源に流体結合する第２の複数の開口部とを有するデュアルゾーンシャワーヘッドである請求項７記載のプラズマエッチングチャンバ。
  11. エッチング処理中にワークピースを支持するチャックと、
    チャックの上方に配置され、第１チャンバ領域内へ第１供給ガスを分配する第１シャワーヘッドであって、チャック及び第１シャワーヘッドは、第１シャワーヘッドとチャックの間の第１チャンバ領域内に第１供給ガスのＲＦプラズマを容量的に放電させ、チャック上にＲＦバイアス電位を供給するための第１ＲＦ結合電極対を形成する第１シャワーヘッドと、
    第１シャワーヘッドの上方に配置され、ＤＣプラズマ放電を生成する電極対に結合された高電圧ＤＣ電源であって、電極対は誘電体スペーサによって第１シャワーヘッドから電気的に絶縁されており、第１シャワーヘッドはＤＣ電源結合電極の陰極に対して陽極電位に負にバイアスが掛けられている高電圧ＤＣ電源と、
    第１ＲＦ結合電極対及びＤＣ電源結合電極対に自動的に交互に電力供給することによって、エッチング処理中にＲＦ及びＤＣプラズマを交互に励起するためのコントローラを含むプラズマエッチングチャンバ。
  12. ＤＣ電源結合電極の陽極は、ＤＣプラズマ放電から電子を通過させる開口部を有する第２シャワーヘッドであり、第１シャワーヘッドは、第１供給ガスを導く、又は第１チャンバ領域へ電子を通過させる請求項１１記載のプラズマエッチングチャンバ。
  13. チャックは、接地電位と正バイアスの間の制御可能なＤＣ電位を有し、これによってＤＣプラズマからワークピースまでの電子束を制御する請求項１１記載のプラズマエッチングチャンバ。
  14. 第１シャワーヘッドとチャックの間に配置されたシーフ電極を更に含み、シーフ電極は可変コンデンサを介して接地され、これによってＤＣプラズマからワークピースまでの電子束を制御する請求項１３記載のプラズマエッチングチャンバ。
  15. エッチング処理中にワークピースを支持するチャックと、
    チャックの上方に配置され、第１チャンバ領域内へ第１供給ガスを分配する第１シャワーヘッドであって、チャック及び第１シャワーヘッドは、第１シャワーヘッドとチャックの間の第１チャンバ領域内に第１供給ガスのＲＦプラズマを容量的に放電させ、チャック上にＲＦバイアス電位を供給するための第１ＲＦ結合電極対を形成する第１シャワーヘッドと、
    エッチングチャンバの誘電体チャンバ蓋の上方に配置され、誘電体チャンバ蓋と第１シャワーヘッドの間に配置された第２チャンバ領域内に誘導結合プラズマ放電を生成するためにＲＦ電源に結合された導電コイルと、
    第１ＲＦ結合電極対及び導電コイルに自動的に交互に電力供給することによって、エッチング処理中に容量結合及び誘導結合プラズマを交互に励起するためのコントローラを含むプラズマエッチングチャンバ。
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US (4) US9666414B2 (ja)
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TW (1) TWI604524B (ja)
WO (1) WO2013062831A2 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017509167A (ja) * 2014-03-14 2017-03-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ガス分配プレート熱を使用する温度ランピング
WO2017170405A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP2017183688A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP2017199909A (ja) * 2016-04-29 2017-11-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ａｌｅおよび選択的蒸着を用いた基板のエッチング
WO2017199958A1 (ja) * 2016-05-20 2017-11-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
JP2018073809A (ja) * 2016-10-04 2018-05-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ フロースルー源を有するチャンバ
JP2018082150A (ja) * 2016-10-04 2018-05-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善したプロファイルを有するデュアルチャネルシャワーヘッド
JP2019504507A (ja) * 2016-02-05 2019-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 複数種類のチャンバを有する集積型の層エッチングシステム
CN109427576A (zh) * 2017-09-04 2019-03-05 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法
JP2019526169A (ja) * 2016-06-29 2019-09-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 材料改質とｒｆパルスを用いた選択的エッチング
JP2020502794A (ja) * 2016-12-14 2020-01-23 マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． 急速熱活性化プロセスと連係した、プラズマを使用する原子層エッチングプロセス
JP2020515063A (ja) * 2017-03-17 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 エッチングメトリックを向上させるための表面改質制御
JP2020530201A (ja) * 2017-08-07 2020-10-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマエッチングプロセスでのコーティング部品を使用するプロセスウィンドウの拡大
JP2021515988A (ja) * 2018-03-16 2021-06-24 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質
WO2022138130A1 (ja) * 2020-12-21 2022-06-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2023503578A (ja) * 2019-11-27 2023-01-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 複数のプラズマユニットを有する処理チャンバ
JP7414593B2 (ja) 2020-03-10 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2024053442A1 (ja) * 2022-09-09 2024-03-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Families Citing this family (156)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8129270B1 (en) 2008-12-10 2012-03-06 Novellus Systems, Inc. Method for depositing tungsten film having low resistivity, low roughness and high reflectivity
US9548228B2 (en) 2009-08-04 2017-01-17 Lam Research Corporation Void free tungsten fill in different sized features
US10256142B2 (en) 2009-08-04 2019-04-09 Novellus Systems, Inc. Tungsten feature fill with nucleation inhibition
US10658161B2 (en) * 2010-10-15 2020-05-19 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing particle defects in plasma etch chambers
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9666414B2 (en) * 2011-10-27 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Process chamber for etching low k and other dielectric films
CN110004429B (zh) 2012-03-27 2021-08-31 诺发系统公司 钨特征填充
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9165783B2 (en) * 2012-11-01 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Method of patterning a low-k dielectric film
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US20140262031A1 (en) * 2013-03-12 2014-09-18 Sergey G. BELOSTOTSKIY Multi-mode etch chamber source assembly
KR102203098B1 (ko) 2013-07-25 2021-01-15 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치
US9543163B2 (en) * 2013-08-20 2017-01-10 Applied Materials, Inc. Methods for forming features in a material layer utilizing a combination of a main etching and a cyclical etching process
US8980758B1 (en) * 2013-09-17 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Methods for etching an etching stop layer utilizing a cyclical etching process
JP2015084396A (ja) * 2013-09-19 2015-04-30 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9514953B2 (en) * 2013-11-20 2016-12-06 Applied Materials, Inc. Methods for barrier layer removal
US9620382B2 (en) * 2013-12-06 2017-04-11 University Of Maryland, College Park Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials
US20150200042A1 (en) * 2014-01-10 2015-07-16 Applied Materials, Inc. Recessing ultra-low k dielectric using remote plasma source
JP6230954B2 (ja) * 2014-05-09 2017-11-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
JP6373150B2 (ja) 2014-06-16 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
TWI593015B (zh) * 2014-07-10 2017-07-21 東京威力科創股份有限公司 基板之高精度蝕刻方法
JP6382055B2 (ja) * 2014-10-07 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9806252B2 (en) 2015-04-20 2017-10-31 Lam Research Corporation Dry plasma etch method to pattern MRAM stack
US9870899B2 (en) 2015-04-24 2018-01-16 Lam Research Corporation Cobalt etch back
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US9972504B2 (en) 2015-08-07 2018-05-15 Lam Research Corporation Atomic layer etching of tungsten for enhanced tungsten deposition fill
US10096487B2 (en) 2015-08-19 2018-10-09 Lam Research Corporation Atomic layer etching of tungsten and other metals
US9978610B2 (en) 2015-08-21 2018-05-22 Lam Research Corporation Pulsing RF power in etch process to enhance tungsten gapfill performance
US10504700B2 (en) * 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
EP3136419B1 (en) * 2015-08-31 2018-04-18 Total S.A. Plasma generating apparatus and method of manufacturing patterned devices using spatially resolved plasma processing
US9984858B2 (en) 2015-09-04 2018-05-29 Lam Research Corporation ALE smoothness: in and outside semiconductor industry
US10256076B2 (en) 2015-10-22 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods
KR102481166B1 (ko) * 2015-10-30 2022-12-27 삼성전자주식회사 식각 후처리 방법
JP2019503077A (ja) * 2016-01-07 2019-01-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 遠隔プラズマ源及びｄｃ電極を伴う原子層エッチングシステム
US10229837B2 (en) 2016-02-04 2019-03-12 Lam Research Corporation Control of directionality in atomic layer etching
US10727073B2 (en) 2016-02-04 2020-07-28 Lam Research Corporation Atomic layer etching 3D structures: Si and SiGe and Ge smoothness on horizontal and vertical surfaces
US9991128B2 (en) 2016-02-05 2018-06-05 Lam Research Corporation Atomic layer etching in continuous plasma
WO2017151383A1 (en) * 2016-02-29 2017-09-08 Tokyo Electron Limited Selective siarc removal
US10249521B2 (en) * 2016-03-17 2019-04-02 Lam Research Ag Wet-dry integrated wafer processing system
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9837312B1 (en) 2016-07-22 2017-12-05 Lam Research Corporation Atomic layer etching for enhanced bottom-up feature fill
US10858727B2 (en) 2016-08-19 2020-12-08 Applied Materials, Inc. High density, low stress amorphous carbon film, and process and equipment for its deposition
US10566211B2 (en) 2016-08-30 2020-02-18 Lam Research Corporation Continuous and pulsed RF plasma for etching metals
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566212B2 (en) 2016-12-19 2020-02-18 Lam Research Corporation Designer atomic layer etching
US11694911B2 (en) * 2016-12-20 2023-07-04 Lam Research Corporation Systems and methods for metastable activated radical selective strip and etch using dual plenum showerhead
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10840068B2 (en) * 2017-02-15 2020-11-17 Yield Engineering Systems, Inc. Plasma spreading apparatus and method of spreading plasma in process ovens
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10361091B2 (en) * 2017-05-31 2019-07-23 Lam Research Corporation Porous low-k dielectric etch
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) * 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
JP6977474B2 (ja) * 2017-10-23 2021-12-08 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
KR102538177B1 (ko) 2017-11-16 2023-05-31 삼성전자주식회사 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치
KR102404061B1 (ko) 2017-11-16 2022-05-31 삼성전자주식회사 상부 샤워 헤드 및 하부 샤워 헤드를 포함하는 증착 장치
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
CN111937122A (zh) 2018-03-30 2020-11-13 朗姆研究公司 难熔金属和其他高表面结合能材料的原子层蚀刻和平滑化
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
JP6811202B2 (ja) * 2018-04-17 2021-01-13 東京エレクトロン株式会社 エッチングする方法及びプラズマ処理装置
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
JP7022651B2 (ja) * 2018-05-28 2022-02-18 東京エレクトロン株式会社 膜をエッチングする方法及びプラズマ処理装置
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US11437238B2 (en) 2018-07-09 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Patterning scheme to improve EUV resist and hard mask selectivity
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
JP7447093B2 (ja) * 2018-09-10 2024-03-11 ラム リサーチ コーポレーション 準安定活性ラジカル種を使用する原子層処置プロセス
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11114306B2 (en) * 2018-09-17 2021-09-07 Applied Materials, Inc. Methods for depositing dielectric material
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
JP7138529B2 (ja) * 2018-09-28 2022-09-16 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11114304B2 (en) * 2018-11-30 2021-09-07 Tokyo Electron Limited Substrate processing method
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
US11387071B2 (en) 2019-10-06 2022-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-source ion beam etch system
KR20210042653A (ko) * 2019-10-10 2021-04-20 주성엔지니어링(주) 기판 처리 장치
US20210210355A1 (en) * 2020-01-08 2021-07-08 Tokyo Electron Limited Methods of Plasma Processing Using a Pulsed Electron Beam
US11848176B2 (en) 2020-07-31 2023-12-19 Applied Materials, Inc. Plasma processing using pulsed-voltage and radio-frequency power
US11515150B2 (en) * 2020-10-22 2022-11-29 Applied Materials, Inc. Hardmask tuning by electrode adjustment
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11195723B1 (en) * 2020-12-11 2021-12-07 Tokyo Electron Limited Non-atomic layer deposition (ALD) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch
US20240059616A1 (en) 2020-12-18 2024-02-22 Heraeus Conamic North America Llc Plasma resistant yttrium aluminum oxide chamber components
JP7312160B2 (ja) * 2020-12-28 2023-07-20 株式会社アルバック エッチング装置及びエッチング方法
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
KR20220158930A (ko) * 2021-05-25 2022-12-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US20220399185A1 (en) 2021-06-09 2022-12-15 Applied Materials, Inc. Plasma chamber and chamber component cleaning methods
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US20230033058A1 (en) * 2021-07-29 2023-02-02 Applied Materials, Inc. Reactor with inductively coupled plasma source
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing
US11972924B2 (en) 2022-06-08 2024-04-30 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US20230402286A1 (en) * 2022-06-10 2023-12-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for etching a semiconductor substrate in a plasma etch chamber

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63219129A (ja) * 1987-03-06 1988-09-12 Shimadzu Corp ドライエツチング装置
JPH03129821A (ja) * 1989-10-16 1991-06-03 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2007266522A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Ebara Corp プラズマ処理装置およびそれを用いた加工方法
JP2007266455A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2009033080A (ja) * 2006-10-06 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US20100037822A1 (en) * 2007-03-27 2010-02-18 Canon Anelva Corporation Vacuum processing apparatus
JP2010512031A (ja) * 2006-12-05 2010-04-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャンバ中央のガス分配プレート、同調型プラズマ流制御グリッド及び電極
JP2011525299A (ja) * 2008-05-09 2011-09-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 流動性誘電体の装置およびプロセス

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4889588A (en) * 1989-05-01 1989-12-26 Tegal Corporation Plasma etch isotropy control
JPH04132219A (ja) * 1990-09-24 1992-05-06 Sony Corp プラズマ処理装置とそれを用いる半導体装置の製造方法
JPH04302426A (ja) * 1991-03-29 1992-10-26 Sony Corp デジタル・エッチング方法
KR100276093B1 (ko) 1992-10-19 2000-12-15 히가시 데쓰로 플라스마 에칭방법
JPH06177089A (ja) * 1992-12-04 1994-06-24 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US5449410A (en) * 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
JP3279038B2 (ja) * 1994-01-31 2002-04-30 ソニー株式会社 プラズマ装置およびこれを用いたプラズマ処理方法
US5895549A (en) * 1994-07-11 1999-04-20 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for etching film layers on large substrates
US5705443A (en) * 1995-05-30 1998-01-06 Advanced Technology Materials, Inc. Etching method for refractory materials
US6042686A (en) * 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
US5882489A (en) * 1996-04-26 1999-03-16 Ulvac Technologies, Inc. Processes for cleaning and stripping photoresist from surfaces of semiconductor wafers
US5882414A (en) 1996-09-09 1999-03-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for self-cleaning a blocker plate
US6042826A (en) 1996-11-15 2000-03-28 Health Research, Inc. Method for inducing apoptosis of primary central nervous system B cell lymphomas
JP3940467B2 (ja) * 1997-06-03 2007-07-04 株式会社アルバック 反応性イオンエッチング装置及び方法
US6203862B1 (en) 1998-05-13 2001-03-20 Intevac, Inc. Processing systems with dual ion sources
US6465159B1 (en) * 1999-06-28 2002-10-15 Lam Research Corporation Method and apparatus for side wall passivation for organic etch
JP2001035832A (ja) * 1999-07-16 2001-02-09 Canon Inc ドライエッチング方法
US6734110B1 (en) * 1999-10-14 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Damascene method employing composite etch stop layer
JP5165825B2 (ja) * 2000-01-10 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 分割された電極集合体並びにプラズマ処理方法。
US20030079983A1 (en) * 2000-02-25 2003-05-01 Maolin Long Multi-zone RF electrode for field/plasma uniformity control in capacitive plasma sources
JP4718093B2 (ja) * 2000-03-28 2011-07-06 東京エレクトロン株式会社 複合セグメント電極に供給される電力を制御するための方法並びにシステム
US20020177321A1 (en) * 2001-03-30 2002-11-28 Li Si Yi Plasma etching of silicon carbide
US6455417B1 (en) * 2001-07-05 2002-09-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for forming damascene structure employing bi-layer carbon doped silicon nitride/carbon doped silicon oxide etch stop layer
KR100433006B1 (ko) * 2001-10-08 2004-05-28 주식회사 플라즈마트 다기능 플라즈마 발생장치
JP3732138B2 (ja) 2001-10-26 2006-01-05 日野自動車株式会社 エンジンの排ガス排出管
US6887340B2 (en) 2001-11-13 2005-05-03 Lam Research Corporation Etch rate uniformity
US7247223B2 (en) * 2002-05-29 2007-07-24 Semitool, Inc. Method and apparatus for controlling vessel characteristics, including shape and thieving current for processing microfeature workpieces
US7024105B2 (en) 2003-10-10 2006-04-04 Applied Materials Inc. Substrate heater assembly
CN100541736C (zh) * 2003-11-11 2009-09-16 东京毅力科创株式会社 基板处理方法
KR100900587B1 (ko) * 2003-11-11 2009-06-02 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법
JP4231417B2 (ja) 2004-01-07 2009-02-25 パナソニック株式会社 基板処理装置及びそのクリーニング方法
JP2006019571A (ja) 2004-07-02 2006-01-19 Toshiba Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2006024730A (ja) * 2004-07-08 2006-01-26 Sony Corp 半導体装置の製造方法
US7381291B2 (en) 2004-07-29 2008-06-03 Asm Japan K.K. Dual-chamber plasma processing apparatus
KR100640950B1 (ko) * 2004-12-29 2006-11-02 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자의 금속배선 형성방법
KR100725037B1 (ko) 2005-01-21 2007-06-07 세메스 주식회사 반도체 플라즈마 처리 장치 및 방법
JP2007088411A (ja) 2005-06-28 2007-04-05 Hitachi High-Technologies Corp 静電吸着装置およびウエハ処理装置ならびにプラズマ処理方法
JP4862425B2 (ja) * 2006-02-24 2012-01-25 ソニー株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100864111B1 (ko) * 2006-05-22 2008-10-16 최대규 유도 결합 플라즈마 반응기
US8124516B2 (en) * 2006-08-21 2012-02-28 Lam Research Corporation Trilayer resist organic layer etch
JP2008050055A (ja) 2006-08-26 2008-03-06 Maakisu:Kk ボトル
US7988815B2 (en) * 2007-07-26 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with reduced electrical skew using electrical bypass elements
US8343592B2 (en) * 2007-12-25 2013-01-01 Applied Materials, Inc. Asymmetrical RF drive for electrode of plasma chamber
US9520275B2 (en) * 2008-03-21 2016-12-13 Tokyo Electron Limited Mono-energetic neutral beam activated chemical processing system and method of using
KR101440415B1 (ko) 2008-07-02 2014-09-17 주식회사 원익아이피에스 진공처리장치
US8026157B2 (en) * 2009-09-02 2011-09-27 Applied Materials, Inc. Gas mixing method realized by back diffusion in a PECVD system with showerhead
US20110061810A1 (en) * 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
CN102931222B (zh) 2011-08-08 2015-05-20 中国科学院微电子研究所 半导体器件及其制造方法
US9666414B2 (en) * 2011-10-27 2017-05-30 Applied Materials, Inc. Process chamber for etching low k and other dielectric films
US9325294B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Resonant Inc. Microwave acoustic wave filters

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63219129A (ja) * 1987-03-06 1988-09-12 Shimadzu Corp ドライエツチング装置
JPH03129821A (ja) * 1989-10-16 1991-06-03 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造方法
JP2007266455A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2007266522A (ja) * 2006-03-30 2007-10-11 Ebara Corp プラズマ処理装置およびそれを用いた加工方法
JP2009033080A (ja) * 2006-10-06 2009-02-12 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置、プラズマエッチング方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2010512031A (ja) * 2006-12-05 2010-04-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャンバ中央のガス分配プレート、同調型プラズマ流制御グリッド及び電極
US20100037822A1 (en) * 2007-03-27 2010-02-18 Canon Anelva Corporation Vacuum processing apparatus
JP2011525299A (ja) * 2008-05-09 2011-09-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 流動性誘電体の装置およびプロセス

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017509167A (ja) * 2014-03-14 2017-03-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ガス分配プレート熱を使用する温度ランピング
JP2019504507A (ja) * 2016-02-05 2019-02-14 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 複数種類のチャンバを有する集積型の層エッチングシステム
CN108885990B (zh) * 2016-03-29 2023-06-30 东京毅力科创株式会社 对被处理物进行处理的方法
WO2017170405A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
JP2017183688A (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 東京エレクトロン株式会社 被処理体を処理する方法
US10763123B2 (en) 2016-03-29 2020-09-01 Tokyo Electron Limited Method for processing workpiece
CN108885990A (zh) * 2016-03-29 2018-11-23 东京毅力科创株式会社 对被处理物进行处理的方法
JP2017199909A (ja) * 2016-04-29 2017-11-02 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ａｌｅおよび選択的蒸着を用いた基板のエッチング
CN107464747A (zh) * 2016-04-29 2017-12-12 朗姆研究公司 使用ale和选择性沉积蚀刻衬底
JP7058080B2 (ja) 2016-04-29 2022-04-21 ラム リサーチ コーポレーション Ａｌｅおよび選択的蒸着を用いた基板のエッチング
JP2017208510A (ja) * 2016-05-20 2017-11-24 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
WO2017199958A1 (ja) * 2016-05-20 2017-11-23 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
US11462412B2 (en) 2016-05-20 2022-10-04 Tokyo Electron Limited Etching method
US10553442B2 (en) 2016-05-20 2020-02-04 Tokyo Electron Limited Etching method
JP2019526169A (ja) * 2016-06-29 2019-09-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 材料改質とｒｆパルスを用いた選択的エッチング
JP2018082150A (ja) * 2016-10-04 2018-05-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善したプロファイルを有するデュアルチャネルシャワーヘッド
JP2018073809A (ja) * 2016-10-04 2018-05-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ フロースルー源を有するチャンバ
JP7032082B2 (ja) 2016-10-04 2022-03-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド フロースルー源を有するチャンバ
JP7044501B2 (ja) 2016-10-04 2022-03-30 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 改善したプロファイルを有するデュアルチャネルシャワーヘッド
JP2020502794A (ja) * 2016-12-14 2020-01-23 マットソン テクノロジー インコーポレイテッドＭａｔｔｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． 急速熱活性化プロセスと連係した、プラズマを使用する原子層エッチングプロセス
JP2020515063A (ja) * 2017-03-17 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 エッチングメトリックを向上させるための表面改質制御
JP2020530201A (ja) * 2017-08-07 2020-10-15 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマエッチングプロセスでのコーティング部品を使用するプロセスウィンドウの拡大
US11101136B2 (en) 2017-08-07 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
JP7028956B2 (ja) 2017-08-07 2022-03-02 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド プラズマエッチングプロセスでのコーティング部品を使用するプロセスウィンドウの拡大
JP2019046994A (ja) * 2017-09-04 2019-03-22 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN109427576A (zh) * 2017-09-04 2019-03-05 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法
CN109427576B (zh) * 2017-09-04 2023-03-10 东京毅力科创株式会社 蚀刻方法
JP2021515988A (ja) * 2018-03-16 2021-06-24 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質
JP7366918B2 (ja) 2018-03-16 2023-10-23 ラム リサーチ コーポレーション 誘電体における高アスペクト比フィーチャのプラズマエッチング化学物質
JP2023503578A (ja) * 2019-11-27 2023-01-31 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 複数のプラズマユニットを有する処理チャンバ
US11955319B2 (en) 2019-11-27 2024-04-09 Applied Materials, Inc. Processing chamber with multiple plasma units
JP7414593B2 (ja) 2020-03-10 2024-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
WO2022138130A1 (ja) * 2020-12-21 2022-06-30 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2024053442A1 (ja) * 2022-09-09 2024-03-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10096496B2 (en) 2018-10-09
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